KR900015319A - 반도체 기억장치 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제4도는 본 발명에 따라 반도체 기억장치의 제조과정을 나타내는 단면도.
Claims (3)
- 실리콘기판 내에 진하보존전극을 형성한다음 그 상부에 캐패시터 유전제 및 플레이트 전극용 전도물질을 순차적으로 형성하고, 마스크를 이용하여 일정부분 제거한후 플레이트 전극용 전도물질 상부와 측면의 실리콘기판 상부에 절연체를 형성하고, MOSFET의 게이트 전도물질을 형성한후 소오스전극을 형성시키는 반도체 기억장치 제조방법에 있어서, 전하보존전극 상부에 캐패시터 유전체, 플레이트 전극용 전도물질 및 절연체를 형성시키고 마스크를 이용하여 일정부분 남긴상태에서 절연체, 플레이트 전극용 전도물질 및 캐패시터 유전체를 제거하는 단계와, 상기 절연제, 플레이트 전극용 전도물질 및 캐패시터 유전체 각각의 측면벽에 절연체 스페이서를 형성하기 위하여, 상기 절연체 및 실리콘기판 상부에 스페이서용 절연체를 일정두께 침착한다음 비등성 식각으로 절연체 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 절연체 스페이서를 형성한후 실리콘 기판상에 게이트 산화막을 형성하는 단계 및, 상기 절연체, 절연체 스페이서 및 게이트 산화막 상부에 게이트 전극용 전도물질을 형성하고 마스크를 이용하여 게이트 전극을 형성하는 단개후에 소오스전극을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치 제조방법.
- 실리콘기판상에 전하보존전극, 캐패시터 유전제 및 플레이트 전극용 전도물질로 구성된 평판캐패시터에 MOSFET가 접속된 반도체 기억장치에 있어서, 플레이트 전극용 전도물질 상부에 형성된 절연체 플레이트 전극용 전도물질 및 캐패시터 유전체 각각의 일측면에는 절연체 스페이서가 형성되고, MOSFET의 게이트 전극용 전도물질은 상기 절연체 및 노출된 실리콘 기판상부 일정부분에 형성되어 플레이트 전극용 전도물질과는 절연체 스페이서에 의해 절연된 구조를 특징으로하는 반도체 기억장치.
- 제2항에 있어서, 상기 절연체 스패이서는 산화막 또는 질화막으로 형성된 것을 특징으로하는 반도체 기억 장치.※참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Publications (2)
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| KR910008120B1 KR910008120B1 (ko) | 1991-10-10 |
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ID=19284376
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| KR1019890002874A KR910008120B1 (ko) | 1989-03-09 | 1989-03-09 | 반도체 기억장치 및 그 제조방법 |
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1989
- 1989-03-09 KR KR1019890002874A patent/KR910008120B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|
| KR910008120B1 (ko) | 1991-10-10 |
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