KR910001905A - 에멀젼마스크 등의 결함 수정방법 및 장치 - Google Patents

에멀젼마스크 등의 결함 수정방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

에멀젼마스크 등의 결함 수정방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 본원 발명의 방법에 의한 백결함부의 수정작업의 준비를 도시한 플로챠트.
제9A도 내지 제9D 도는 제8도의 순서에 대응하는 에멀젼마스크의 모식 사시도.
제10도는 수정전의 에멀젼마스크의 모식 사시도.

Claims (31)

  1. 결함부(D)와 같은 형상으로 결함부에 자외광(2)을 조사하고, 조사된 결함부를 제거하는 스탭으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정방법.
  2. 제1항에 있어서, 개공형성부(5)의 개공(5x)을 통하여 자외광(2)을 통과시켜 결함부(D)의 단면형상으로 광을 형성시키는 스텝을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정방법.
  3. 제2항에 있어서, 자외광을 조사하기 전에 개공(5x)을 통해 참조광을 통과시켜 에멀젼층(14)에 참조광을 투영하여 에멀젼층의 개공의 상을 형성시키고, 개공의 상이 결함부(D)와 맞도록 개공(5xx)의형상을 조정하는 스텝을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결합 수정방법.
  4. 제3항에 있어서, 관찰렌즈(11,11′)와 하프미러(10,10′)로 이루어진 관찰광학계를 통해 개공(5x)의 상을 관찰하는 스텝을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정방법.
  5. 제2항에 있어서, 광이 개공(5x)을 통과하기 전에 빔익스팬터(3)로 자외광을 확대시키는 스텝을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결합 수정방법.
  6. 제2항에 있어서, 개공(5x)을 통과한 자외광(2)을 출소 투영 하는 스텝을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 자외광은 엑시머레이저발진기(1)에서 발생된 레이저빔(2)인 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 자외광은 YAG레이저에서 발생된 레이저빔(2)인 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크등의 에멀젼층의 결함 수정방법.
  9. 제1항에 있어서, 제거된 결함의 입자가 에멀젼층에 다시 부착되지 않도록 상기 에멀젼마스크(7)는 그 에멀젼층(14)이 하향으로 위치하고, 상기 자외광은 하면으로부터 상기 결함부(D)에 조사되는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정방법.
  10. 제1항에 있어서, 자외광을 조사하기 전에 인접영역을 결함부(C)에 약 점착성 수지의 보호막층(17)를 도포하여 결함부를 파괴하고, 결함부를 더퍼고 있는 약 점착성 수지의 부분과 함께 결함부를 제거하여, 제거부(18)를 형성하고, 제거부(18)내에 차광성 안료를 도포하고, 제거부내에 도포된 차광성 안료는 채워 두고 약 점착성 수지를 박리하는 스텝을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 차광성 안료(19)는 점착성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정방법.
  12. 제1항에 있어서, 결함부에 에어를 분사하여, 분사중에 결함부(D)를 파괴시키고, 파괴된 결함 입자를 날려 보내는 스텝을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정방법.
  13. 제1항에 있어서, 결함부(D)가 있는 위치에서 에어를 흡인하여 파괴된 결함을 제거하는 스텝을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정방법.
  14. 제2항에 있어서, 개공(5x)으로부터 직접 개공의 형상을 검지하고, 검지한 개공(5x)의 형상에 대응하는 헤어라인화상을 형성하고, 결함부의 상을 에멀젼층에 인화하여, 상기 헤어라인 화상과 결함부의 화상을 모니터스크린(42)에 합성하는 스텝을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정방법.
  15. 제2항에 있어서, 상기 자외광은 레이저빔(2)이며, 에멀젼층(14)을 손상시키지 않고 개공을 통하여 에멀젼층에 저에너지의 출력으로 먼저 조사하고, 이에 따라 에멀젼층에서 개공의 형상을 볼 수 있도록 형광을 유도하고, 결함부가 개공의 형상과 위치가 맞도록 상기 에멀젼마스크(7)를 이동시킨 다음, 개공을 조정하여 자외광을 조사하여 결함부를 파괴하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정방법.
  16. 자외광(2)을 발생하는 자외광원(1)과, 개공의 형상에 맞추어 자외광을 통과시키는 개공(5x)을 갖는 개공 형성부(5)와, 자외광을 에멀젼층(14)에 투영하여 결함부(D)를 제거하기 위해 결함부에 개공의 상을 형성시키는 렌즈(6)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 자외광원은 레이저발진기(1)인 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 레이저발진기(1)는 엑시머레이지 발진기인 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정장치.
  19. 제17항에 있어서, 상기 레이저발진기(1)는 YAG레이저인 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정장치.
  20. 제17항에 있어서, 레이저빔이 개공부(5,5x)를 통과하기 전에 레이저빔(2)을 확대시키는 빔익스팬더(3)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정장치.
  21. 제16항에 있어서, 자외광을 투영하는 렌즈는 결상렌즈(6)인 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정장치.
  22. 제16항에 있어서, 결함부를 관찰하는 관찰렌즈(30)와, 모니터 스크린(42)의 관찰렌즈를 통과하는 결함부의 상을 표시하는 텔레비젼카메라(31)를 더 포함하며, 상기 관찰렌즈와 상기 카메라는 상기 렌즈(6)와 측상에서 에멀젼마스크(7)에 대해서 에멀젼층(14)과 반대편에 배설되어 에멀젼층에 자외광을 투영하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정장치.
  23. 제16항에 있어서, 상기 개공형성부(5)는 상호간에 겹쳐서 배설되는 복수개의 블레이드(5a,5b,5c,5d)를 구비하며, 각 블레이드의 에지에 의해 개공(5x)를 형성하고, 상기 블레이드는 개공의 형상을 변화시키도록 위치조정이 가능한 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정장치.
  24. 제23항에 있어서, 상기 블레이드(5a,5b,5c,5d)는 전진 후진동작 및 회전동작이 가능하도록 지지되는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정장치.
  25. 제23항에 있어서, 상기 블레이드(5a,5b,5c,5d)의 에지는 직선형상인 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크등의 에멀젼층의 결함 수정장치.
  26. 제23항에 있어서, 블레이드의 에지의 일부(5a′,5b′)는 개공이 원호형 윤곽을 이루도록 상호 작용하는 반원형 절결(35)과 반원형 돌기(36)를 갖는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정장치.
  27. 제16항에 있어서, 상기 개공형성부는 회전가능한 개공테이블 (50)과, 이 테이블에 배설되어 투과광부(60,61)를 갖는 제1개공블레이드(51)와, 제1개공블레이드에 겹쳐서 배설되고, 차광부(63,64) 및 투과광부(62)를 갖는 제2개공블레이드(52)와, 각 개공블레이드가 상호 이동가능하도록 하는 위치조정기구(53-56)로 이루어진 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정장치.
  28. 제16항에 있어서, 에멀젼층(14)에 형성된 상을 관찰하는 광학계(10,11,10',11',30,31)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정장치.
  29. 제16항에 있어서, 결함부에 맞추어진 개공(5x)의 위치를 검지하는 위치검지기(43)와, 상기 위치검지기(43)에 대응하여 상기 개공 형상에 따라 헤어라인화상을 형성하는 헤어라인화상발생기(44)와, 에멀젼층(14)의 결함부(D)를 관찰하여 결함부의 영상신호를 발생하는 텔레비젼카메라(31)와, 상기 헤어라인화상과 상기 영상신호를 합성하여 모니터스크린(42)에 함께 표시하도록 하는 수퍼임포저(45)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정장치.
  30. 제16항에 있어서, 에어를 분사하여 파괴된 결함 입자를 날려 버리는 에어분사노즐(32)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정장치.
  31. 제16항에 있어서, 파괴된 결함 입자를 흡인하여 제거하는 에어흡인노즐(33)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 에멀젼마스크 등의 에멀젼층의 결함 수정장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4032861A1 (de) * 1990-10-12 1992-04-16 Hms Antriebssysteme Gmbh Verfahren zur behandlung von faserverbundwerkstoffen
US5514850A (en) * 1992-06-30 1996-05-07 Sharp Kabushiki Kaisha Defect compensation method for smoothing a surface of a transparent plate with an ArF excimer laser beam
US5729331A (en) * 1993-06-30 1998-03-17 Nikon Corporation Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus
DE19536474C2 (de) * 1995-09-29 1999-10-21 Siemens Ag Reinigungsverfahren für ein zu strukturierendes, beschichtetes Werkstück
US5780861A (en) * 1996-11-26 1998-07-14 Advanced Micro Devices, Inc. Adjustable blade reticle assembly
US6016357A (en) * 1997-06-16 2000-01-18 International Business Machines Corporation Feedback method to repair phase shift masks
US6074571A (en) * 1997-09-30 2000-06-13 International Business Machines Corporation Cut and blast defect to avoid chrome roll over annealing
JPH11189883A (ja) * 1997-10-20 1999-07-13 Alps Electric Co Ltd 修復された金属パターンを有する基板および基板上の金属パターン修復方法と修復装置
US6163643A (en) * 1998-08-12 2000-12-19 Lucent Technologies Inc. Micro-mechanical variable optical attenuator
US6302616B1 (en) * 1999-09-01 2001-10-16 Olympus Optical Co., Ltd. Rotation mechanism including rotation shaft and fixed member with welding structure, and producing method of the same
US20050182434A1 (en) 2000-08-11 2005-08-18 National Research Council Of Canada Method and apparatus for performing intra-operative angiography
US6423935B1 (en) * 2000-02-18 2002-07-23 The Regents Of The University Of California Identification marking by means of laser peening
US6864142B1 (en) * 2002-02-19 2005-03-08 Xilinx, Inc. Method to produce a factory programmable IC using standard IC wafers and the structure
US7662263B2 (en) * 2002-09-27 2010-02-16 Euv Llc. Figure correction of multilayer coated optics
US6683277B1 (en) * 2002-12-20 2004-01-27 Osram Opto Semiconductors Laser ablation nozzle assembly
US7170030B2 (en) * 2003-09-12 2007-01-30 International Business Machines Corporation Method and apparatus for repair of reflective photomasks
KR100689315B1 (ko) * 2004-08-10 2007-03-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 실리콘 박막 결정화 장치 및 이를 이용한 결정화 방법
CN101147093B (zh) * 2005-03-24 2011-10-05 奥林巴斯株式会社 维修方法及其装置
EP3329780A1 (en) * 2005-03-31 2018-06-06 The Henry M. Jackson Foundation for the Advancement of Military Medicine, Inc. Light as a replacement for mitogenic factors on progenitor cells
US20060239921A1 (en) 2005-04-26 2006-10-26 Novadaq Technologies Inc. Real time vascular imaging during solid organ transplant
US20070122344A1 (en) 2005-09-02 2007-05-31 University Of Rochester Medical Center Office Of Technology Transfer Intraoperative determination of nerve location
KR100866499B1 (ko) * 2006-05-18 2008-11-03 주식회사 파이컴 폴리머 마스크의 수리 방법
US20080161744A1 (en) 2006-09-07 2008-07-03 University Of Rochester Medical Center Pre-And Intra-Operative Localization of Penile Sentinel Nodes
KR100899391B1 (ko) 2007-06-28 2009-05-27 주식회사 하이닉스반도체 부분 노광 장치 및 이를 이용한 포토마스크의 결함 수정방법
US8406860B2 (en) 2008-01-25 2013-03-26 Novadaq Technologies Inc. Method for evaluating blush in myocardial tissue
US10219742B2 (en) 2008-04-14 2019-03-05 Novadaq Technologies ULC Locating and analyzing perforator flaps for plastic and reconstructive surgery
EP2285421B1 (en) 2008-05-02 2018-04-11 Novadaq Technologies ULC Methods for production and use of substance-loaded erythrocytes for observation and treatment of microvascular hemodynamics
US10492671B2 (en) 2009-05-08 2019-12-03 Novadaq Technologies ULC Near infra red fluorescence imaging for visualization of blood vessels during endoscopic harvest
JP6028096B2 (ja) 2012-06-21 2016-11-16 ノバダック テクノロジーズ インコーポレイテッド 血管造影及びかん流の定量化並びに解析手法
KR102015401B1 (ko) * 2012-12-21 2019-08-29 삼성디스플레이 주식회사 광학계 및 기판 밀봉 방법
US9815139B2 (en) * 2014-01-22 2017-11-14 Siemens Energy, Inc. Method for processing a part with an energy beam
AU2015327665B2 (en) 2014-09-29 2018-09-27 Stryker European Operations Limited Imaging a target fluorophore in a biological material in the presence of autofluorescence
JP6487544B2 (ja) 2014-10-09 2019-03-20 ノバダック テクノロジーズ ユーエルシー 蛍光媒介光電式容積脈波記録法を用いた組織中の絶対血流の定量化
US20170334021A1 (en) * 2014-12-15 2017-11-23 Toyota Motor Europe Systems for and method of welding using beam shaping means and shielding means
CN106873306A (zh) * 2015-12-11 2017-06-20 无锡华润上华科技有限公司 一种光刻版以及光刻方法
WO2018145193A1 (en) 2017-02-10 2018-08-16 Novadaq Technologies ULC Open-field handheld fluorescence imaging systems and methods

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB833955A (en) * 1957-08-10 1960-05-04 Margarete Camilla Schneider An objective diaphragm comprising a plurality of pivotally fulcrumed segments deflectable by a slotted control ring
GB2048785B (en) * 1979-03-07 1982-12-15 Crosfield Electronics Ltd Engraving printing cylinders
US4310743A (en) * 1979-09-24 1982-01-12 Hughes Aircraft Company Ion beam lithography process and apparatus using step-and-repeat exposure
JPS56128946A (en) * 1980-03-14 1981-10-08 Fujitsu Ltd Photomask correcting method
US4340654A (en) * 1980-06-19 1982-07-20 Campi James G Defect-free photomask
US4444801A (en) * 1981-01-14 1984-04-24 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for correcting transparent defects on a photomask
JPS586127A (ja) * 1981-07-03 1983-01-13 Hitachi Ltd フオトマスク欠陥修正方法とその装置
US4450358A (en) * 1982-09-22 1984-05-22 Honeywell Inc. Optical lithographic system
DE3405406A1 (de) * 1984-02-15 1985-08-22 Fa. Röttger Jansen-Herfeld, 5630 Remscheid Laserschneidkopf mit zusaetzlicher duese
JPS60196942A (ja) * 1984-03-21 1985-10-05 Hitachi Ltd フオトマスク欠陥修正方法
JPS60207335A (ja) * 1984-03-31 1985-10-18 Dainippon Printing Co Ltd パタ−ン修正方法
US4592975A (en) * 1984-06-20 1986-06-03 Gould Inc. Method for repairing a photomask by laser-induced polymer degradation
DE3586668T2 (de) * 1984-06-20 1993-04-01 Gould Inc Laserverfahren zur photomaskenreparatur.
EP0193673A3 (en) * 1985-03-01 1988-12-28 Gould Inc. Apparatus for photomask repair
EP0203215B1 (de) * 1985-05-29 1990-02-21 Ibm Deutschland Gmbh Verfahren zur Reparatur von Transmissionsmasken
DE3703809A1 (de) * 1987-02-07 1988-08-18 Braun Ag Vorrichtung zum markieren von gegenstaenden mittels laserstrahlen
US4763989A (en) * 1987-03-27 1988-08-16 Christian Gregory L Variable imaging mask for delineating the composition of a visible area
JP2539833B2 (ja) * 1987-06-29 1996-10-02 エヌティエヌ株式会社 潤滑性ゴム組成物
DE3826046A1 (de) * 1987-08-17 1989-03-02 Asea Brown Boveri Verfahren zur herstellung von metallischen schichten
DE3809211A1 (de) * 1988-03-18 1989-10-05 Max Planck Gesellschaft Verfahren zur ablation von polymeren kunststoffen mittels ultrakurzer laserstrahlungsimpulse
DD272532A1 (de) * 1988-06-15 1989-10-11 Seghers A Mikroelektronik Veb Verfahren zur beseitigung von gedeckten und transparenten defekten auf hartschichtschablonen
US5139925A (en) * 1989-10-18 1992-08-18 Massachusetts Institute Of Technology Surface barrier silylation of novolak film without photoactive additive patterned with 193 nm excimer laser

Also Published As

Publication number Publication date
DE4018135A1 (de) 1990-12-13
KR100190423B1 (ko) 1999-06-01
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US5347134A (en) 1994-09-13
US5318869A (en) 1994-06-07

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