KR910001456A - 고해상도 능력이 있는 양극 포토레지스트 - Google Patents

고해상도 능력이 있는 양극 포토레지스트 Download PDF

Info

Publication number
KR910001456A
KR910001456A KR1019890008601A KR890008601A KR910001456A KR 910001456 A KR910001456 A KR 910001456A KR 1019890008601 A KR1019890008601 A KR 1019890008601A KR 890008601 A KR890008601 A KR 890008601A KR 910001456 A KR910001456 A KR 910001456A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photosensitive
high resolution
photoresist
resolution capability
naphthoquinone diazide
Prior art date
Application number
KR1019890008601A
Other languages
English (en)
Other versions
KR910007225B1 (ko
Inventor
신지 기시무라
시게오 우오마
다메이찌 오찌아이
야스히로 가메야마
가시찌오
Original Assignee
시기 모리야
미쓰비시뎅끼 가부시끼가이샤
스즈끼 세이지
미쓰비시가세이 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시기 모리야, 미쓰비시뎅끼 가부시끼가이샤, 스즈끼 세이지, 미쓰비시가세이 가부시끼가이샤 filed Critical 시기 모리야
Publication of KR910001456A publication Critical patent/KR910001456A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR910007225B1 publication Critical patent/KR910007225B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/016—Diazonium salts or compounds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

고해상도 능력이 있는 양극 포토레지스트
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명의 한 실시예에 따른 포토레지스트에 의해 형성되는 레지스트패턴(resit pattern)의 보기의 표시도.

Claims (3)

  1. 알카리가용성 수지, 퀴논에디아자이드그룹 감광성물질과 그리고 솔벤트를 함유하고 상기 감광성 물질은 다음 식(Ⅰ)에 의해 일반적으로 표시되는 감광성 페이런트 물질의 일부 또는 전 에스텔화에 의해 제공되는 복수의 감광성 화합물로 형성되고
    (식에 있어 m,n는 m,n=0에서 4까지 그리고 m+n=3에서 8까지의 조건을 만족하는 정수이다) 1,2-나프토퀴논에디아자이드-5-설포닉산 또는 1,2-되고, 적어도 상기 복수의 감광화합물의 하나의 감광페어런트 물질이 1에서 4까지에서 선택되는 값 m과 n의 식(1)에 의해 표시되고 그리고 상기 감광물질에 포함되는 가장 작은 화합물이 전체 감광성물질의 1/10(중량)이하가 아니게 점유하는 고해상도능력이 있는 양극포토레지스트.
  2. 제 1항에 있어서 상기 감광화합물의 각각은 1,2-나프토퀴논에디아자이드-5-설포닉산 또는 1,2-나프토퀴논에디아자이드-4-설포닉산에 의해 에스텔로 식(1)에 의해 표시되는 감광페어런트 물질의 하이드록실의 평균에 있어 60%이하가 아니게 회전에 의해 제공되는 고해상도능력이 있는 양극포토레지스트.
  3. 제 1항에 있어서 상기 감광성물질은 상기 양극 포토레지스트를 형성하는 데에 사용되는 고체의 1g당 나프토퀴논에디아자이드부분의 1.2m해당량에 0.6m해당량으로 형성되는 고해상도능력이 있는 양극포토레지스트.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890008601A 1988-06-21 1989-06-21 고해상능력이 있는 포지티브형 포토레지스트 KR910007225B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP154.138 1988-06-21
JP63-154138 1988-06-21
JP15413888 1988-06-21
JP1150854A JPH02110462A (ja) 1988-06-21 1989-06-12 ポジ型フォトレジスト
JP150.854 1989-06-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910001456A true KR910001456A (ko) 1991-01-30
KR910007225B1 KR910007225B1 (ko) 1991-09-20

Family

ID=15577718

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019890008601A KR910007225B1 (ko) 1988-06-21 1989-06-21 고해상능력이 있는 포지티브형 포토레지스트

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH02110462A (ko)
KR (1) KR910007225B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2754667B2 (ja) * 1989-02-21 1998-05-20 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP4312946B2 (ja) * 2000-10-31 2009-08-12 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物
TW554250B (en) * 2000-12-14 2003-09-21 Clariant Int Ltd Resist with high resolution to i ray and process for forming pattern
JP2005122122A (ja) * 2003-09-22 2005-05-12 Mitsubishi Chemicals Corp レジスト画像形成方法
JP5635449B2 (ja) * 2011-03-11 2014-12-03 富士フイルム株式会社 樹脂パターン及びその製造方法、ｍｅｍｓ構造体の製造方法、半導体素子の製造方法、並びに、メッキパターン製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59165053A (ja) * 1983-03-11 1984-09-18 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
JPS58182632A (ja) * 1982-04-20 1983-10-25 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
NO891062L (no) * 1988-03-31 1989-10-02 Thiokol Morton Inc Positiv fotofoelsom sammensetning.

Also Published As

Publication number Publication date
KR910007225B1 (ko) 1991-09-20
JPH02110462A (ja) 1990-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930004807A (ko) 개선된 해상력 및 감소된 결정화 경향을 갖는 포지티브 감광성 내식막 조성물 및 신규 테트라(히드록시페닐)알칸
KR900000727A (ko) 내식제 조성물
KR920020276A (ko) 패턴형성용 레지스트
KR970028825A (ko) 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
EP0273026A3 (en) Solvents for Photoresist compositions
KR910003441A (ko) 산성-경화, 멜라민 수지 함유 포토레지스트
KR890005570A (ko) 포지티브 방사선-감응성 혼합물, 및 이로부터 제조된 방사선-감응성 기록물질
KR910001456A (ko) 고해상도 능력이 있는 양극 포토레지스트
KR970028826A (ko) 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
KR900002125A (ko) 내식막 조성물
KR960042214A (ko) 포지티브형 내식막 조성물
KR910012756A (ko) 렌즈 형성용의 포지티브 감광성 조성물
DE2964899D1 (en) Process for developing exposed light-sensitive printing plates containing o-naphthoquinone diazides
KR920702890A (ko) 포지티브 레지스트 조성물
KR880003398A (ko) 레지스트 재료
JPS6480944A (en) Photosensitive resin composition
KR950012149A (ko) 감광성 수지 조성물 및 이를 사용한 패턴의 형성 방법
KR960034162A (ko) 테트라페놀 화합물 및 이의 제조방법
EP0096282A3 (de) Lichtempfindliche Komponenten für positiv arbeitende Fotoresistmaterialien
KR920020260A (ko) 포지티브형 레지스트 조성물
KR950019944A (ko) 감광성 수지조성물 및 그를 이용한 패턴 형성방법
KR910006779A (ko) 감방사선성 포지티브 레지스트 조성물
KR890016424A (ko) 포지티브-워킹 감광성조성물
JPS642034A (en) Photoresist composition
KR930010619A (ko) o - 나프토퀴논디아지드설폰산 에스테르를 함유하는 감광성 혼합물 및 이로부터 제조된 기록물질

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20060908

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee