KR900007678B1

KR900007678B1 - 복수층 초전도회로 기판 및 그의 제조방법

Info

Publication number: KR900007678B1
Application number: KR1019880004692A
Authority: KR
Inventors: 요시히꼬 이마나까; 다가또 마찌; 가즈노리 야마나가; 히로미쯔 요꼬야마; 노부오 가메하라; 고이찌 니와
Original assignee: 후지쓰 가부시끼가이샤; 야마모도 다꾸마
Priority date: 1987-04-27
Filing date: 1988-04-25
Publication date: 1990-10-18
Also published as: DE3879271T2; EP0510727A2; CA1329952C; EP0292125A1; CN88102545A; EP0292125B1; CN1044869A; DE3879271D1; KR880013428A; EP0510727A3; US4954480A

Abstract

내용 없음.

Description

복수층 초전도회로 기판 및 그의 제조방법

제1도는 실시예 1에 의한 복수층 기판의 제조방법의 후로우 챠트

제2a 및 2b도는 실시예 1에 의한 복수층 기판의 단면도

제3도는 실시예 1에 의한 복수층 기판의 초전도성 세라믹재 패턴의 전기저항율을 나타내는 도면

제4도는 실시예 2에 의한 복수층 기판의 제조방법의 후로우 챠트

제5도는 실시예 2에 의한 적층하기 전의 녹색 박판들의 단면도

제6드는 실시예 2에 의한 복수층 기판의 단면도

제7도는 실시예 2에 의한 또다른 복수층 기간의 단면도

제8도는 초전도성 세라믹재를 미립자화하는 공정의 개략도

제9도는 볼들을 실시예 4에 의한 녹색박판에 침투시킴으로서 녹색박판내에 관통공들을 형성하는 주요단계도

제10도는 칩들이 복수층 기판상에 장치되는 전기장치의 사시도

본 발명은 복수층 초전도회로 기판에 관한 것으로, 특히 슈퍼 컴퓨터와 같은 고속 컴퓨터내에 사용적합한 복수층 초전도성 회로기판에 관한 것이다. 고속처리를 위해 사용되는 기판은 신호들의 효율적인 전송을 보장할 수 있도록 기판의 절연재가 낮은 유전상수를 가져야하는것 이외에도 도전재가 낮은 전기저항을 가져야한다. 고속처리용 기관으로서, 복수층 세라믹 기간이 공지되어 있는데, 이는 유리-세라믹재 즉, 세라믹과유리의 복합체(유전상수 ε≒5)를 절연재로서 사용하며 또한 동(저항을 p=1.7Ω.cm)을 도전재로서 사용한다.(예를 들면,1985년 Yogyo Kyokai Annual Conference Digest,533페이지 참조하라)

1985 11.7일에 공개된 일본미심사 특허공보(공개) 60-173885는 초천도성 산화물재인 BaBIO_3-δ(0≤δ＜0.5)에 관해 기술하고 있는데, 여기서 50%이하의 Ba원자는 Sr, Pb,Sc,Y 또는 란타나이드(Lantanide)원소로 대치될 수 있고, 그 초전도성 산화물재는 약 12K의 초전도 천이온도를 갖는 것을 알수 있으며, 또한 초전도성 산화물재인 BaBlO3_3-δ(0≤δ＜0.5)를 제조하는 방법에 관해서도 기술하고 있는데, 그 방법은Ba 화합물과 B1 화합물을 균일하게 혼합하는 단계와, 그 혼합물을 600℃ 이상의 온도로 산화분위기중에서 소성하는 단계와, 그 소성시킨 생성물을 분쇄하는 단계와, 그 분쇄된 분말을 성형체를 형성하도록 압축시키는 단계와, 그리고 소성단계에서 상실된 대량의 산소를 보상하도록 그 성형체를 10kg/㎠ 이상의 산소함유분위기중에서 700℃로 어니일링하는 단계로 구성되어 있다.

또한 공지된 산화물 초전도재로는 다음 것들이 있다.

(1) La-Ba-Cu-O계 : Bednorz : Z. Phys. B. 64,189,1986, Uchida : J.J.A.P. Vol 26, No.1, L1, 1987 ; Chu : Physical Review Letters ; Vol. 58, No 4,405,1987 ; Jorgensen Phystcal Review Letters, vol 58, No 10,1024,1987,

(2) La-Sr-Cu-O 계 : Cava Physical Review Letters vol 58, No 4,408,1987 ; Mattheiss Physical Review Letters, vol 58, No 10,1028, 1987

(3) Y-Ba-Cu-O 계 : Hor Physical Review Letters, vol 58, No 9,911,1987 ; Wu : Physical Review Letters, vol 58, No 9,908,1987

구체적으로 :

(1) La-Ba-Cu-O 계로는 다음 것들이 있다.

(2) La-Sr-Cu-O 계로는 다음 것들이 있다.

La_1.9Sr_0.1CUO₄

La_1.8Sr_0.2CuO₄: T_cf28.5K, T_cm33.1K, T_co36.5K ;

La_1.7Sr_0.3CuO₄: T_cm15K, T_co35K ;

La_1.925Sr_0.075CuO₄: T_cf26.5K,T_cm34K, T_c40K,

La_1.85Sr_0.15CuO₄: T_cf36K, T_cm37.5K, T_co40K :

(3) Y-Ba-Cu-O 계로는 다음 것들이 있다.

(Y_0.6Ba_0.4)₂CuO_4-δT_cf88.5K, ＞77K, T_co

100K ;

Y-Ba-Cu-O T_c77K, T_co100K ; (Keiichi에 의해 발표)

Y-Ba-Cu-O T_c95K ; (Molecular Institute와 Tohoku Unlversity에 의해 발표)

Y_0.4Ba_0.6CuO₃T_c93, T_co123K. (Kazumasa Togano에 의해 발표)

현재, 기판내에 사용되는 도전재는 좀더 길거나 또는 좀더 미세한 상호연결 패턴들의 설계를 못할 정도의 전기저항을 갖고 있다. 그러므로 고속처리용 기판으로서 미래세대 컴퓨터에 사용될 극히 낮은 전기저항을갖는 도전재를 사용하는 기판이 요구되고 있다. 비록 초전도성 산화물재가 이러한 필요조건 즉, 낮은 전기저항에 맞는다 할지라도 초전도성 산화물재를 상호연결 패턴으로 형성하는 것은 어렵다. 새로운 상호연결패턴들은 이웃하는 패턴들간의 상호작용을 감소시켜 패턴들의 집적밀도를 높이도록 구리패턴들의 주변을 최소한으로 한정하는 식으로 가능한한 한정된 주변들을 가져야 한다.

본 발명의 목적은 낮은 전기저항과 한정된 주변을 갖는 도전패턴을 모합하는 복수층 기판을 제공하는데있다.

본 발명의 상기 및 기타 목적들은 복수층 구조로 적층되는 관통공들을 갖는 다수의 절연층들과, 결연층들간의 초전도성 세라믹재의 상호 연결층들과, 그리고 절연층의 구멍들내에 충전되어 상호연결층들을 전기적으로 연결시키는 초전도성 세라믹재의 관통공들을 포함하는 복수층 기판에 의해 달성된다.

즉, 종래의 복수층 기판내의 구리상호연결 패턴들이 질소의 비등점, 즉,77K 이상의 온도에서 초전도율을 나타내는 Y-Ba-Cu-O, La-Sr-Cu-O 및 Sc-Ba-Cu-O 계를을 포함하는 산화물 초전도재와 같은 초전도성 세라믹재의 상호연결 패턴들로 교체된다.

통상적으로, 본 발명에서 사용되는 세라믹 초전도재는 일반식 XaY_1-aZO_b또는 (X_1-aY_a)₂ZOb로 나타내는산화물 세라믹재이다. 여기서,0＜a＜1 : 3

b＜4,; 이며, X는Ba,Ca,Sr 및 Mg의 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소이며, Y는 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er,Tm, Yb 및 Lu의 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소이며, 또한 Z는 Cu, Ag 및 Au의 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소이다.

상기 식에서, X, Y 및 Z는 하나이상의 원소일 수도 있다. 예를 들어, X는 Ba-Ca-Sr, Ba-Ca-Mg,Ba-Ca 또는 Ca-Mg일 수 있으며, Y는 Sc-Y, Sc-Y-La, Sc-Y-La-Ce 또는 Pr-Nd일 수 있으며, 또한 Z는 Cu-Ag, Cu-Au, Ag-Au 또는 Cu-Ag-Au일 수 있다.

따라서, 산화물 초전도재로는 예를 들어,(Ba_0.6Ca_0.2Sr_0.2)_0.6(Sc_0.7Y_0.2La_0.1)_0.4(Cu_0.8Ag_0.2)₃O_4-δ, 또는 (Ba_0.8Mg_0.2)_0.7(Sc_0.6Nd_0.4)_0.3Cu₃O_4-δ일수있다.

바람직한 산화물 초전도재로는, {(M^ⅡO)_x(M₂ ^ⅢO₃)_1-x}_y(CuO)_z(O)_δ이 있다. 여기서 M^Ⅱ는 Ba, Sr, Ca 및 Mg중 적어도하나이며 M^Ⅲ은 Y, Sc, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, H Er, Tm, Tb 및 Lu 중 적어도 하나이며, 0.5

x

0.9 ; 1

y

2, 1

z

2, 그리고 δ는 화학양론으로부터의 산소량의 편차이며, 산화물 초전도재는 질소의 비등점(77k) 이상에서 초전도율을 나타낸다.

초전도성 세라믹재의 또다른 예로는 비스무스계(Bi-Sr-Ca-Cu-O계) 초전도성 세라믹재가 있다. 비스무스계 초전도성 세라믹재의 정확한 화학구조식은 알려져 있지 않지만, Bi, Sr, Ca 및 Cu 화합물을 0.25∼2 : 0.1∼5 : 0.5~4의 질량비로 한 혼합물을 출발물질로 하여 제조할 수 있다. 예를 들어 질량비를 1 : 1 : 1 : 2, 1 : 1 : 1 : 3, 4 : 3 : 3 : 6 그리고 4 : 3 : 3 : 4로 할 수도 있다. 또한 Tl, Bi, Sr, Ca 및 Cu 화합물들을 0.25-2 : 0.25-2 : 0.1-5 : 0.1-5 : 0.5-4의 질량비로 한 혼합물을 출발물질로 하여 또다른 초전도성세라믹재를 제조할 수 있다. 이 초전도성 세라믹재들은 질소의 비등점(77K) 이상에서 초전드율을 나타낸다.

양호한 실시예들에서, 초전도성 세라믹재의 상호연결층은 절연재의 녹색 박판들을 소성 또는 세라믹 초전도재를 어니일링하는 동안 초전도성 세라믹재를 샌드위칭하고 있는 절연층들의 절연재와 초전드성 세라믹재의 반응을 방지하도록 금, 은, 백금 또는 그의 합금의 그룹으로부터 선택된 금속에 의해 캡슐로 봉입된다. 초전도성 세라믹재와 절연재간의 반응 또는 초전도성 세라믹재의 성분들을 절연재간의 반응 또는 초전도성세라믹재의 성분들을 절연재내로의 확산은 초전도성 세라믹재의 초전도성 특성을 저하시키는 원인이 된다. 초전도성 세라믹층을 캅슐로 봉입시키는 금속은 금, 은, 백금 또는 그의 합금과 같은 귀금속이어야 한다. 왜냐하면, 그것이 산소함유 분위기중에서 약 1000℃에서의 소성 또는 어니일링을 견뎌내야만 하기 때문이다. 산소함유 분위기와 약 1000℃의 온도는 초전도성 세라믹재의 초전도성 특성을 보존 또는 회복시키는 필요조건이다. 금속은 세라믹 초전도성 패턴의 전기도전율을 보충할 수 있다.

복수층 기판의 절연층의 절연재로는 초전도성 세라믹재를 어니일링할 시에 사용되는 온도보다 낮은 온도로 그의 녹색박판으로부터 소결될 수 있는 유리/세라믹 조성물이 좋다. 만일 그의 녹색박판으로부터 필연재를 소결시키기 위한 온도가 너무 높을 경우, 초전도성재의 초전도 특성은 절연재의 녹색박판을 소성시키는동안 감퇴된다. 그러한 유리/세라믹 조성물 즉 세라믹과 유리의 조성물의 일예는 20-50중량%의 알루미나,10-60중량%의 석영유리, 그리고 20-40중량%의 유리 또는 결정화된 유리를 함유하는 조성물로서 이는 초전도 세라믹재를 위한 페이스트(paste)를 소결시키는 온도에서, 보통 1000℃ 이하의 온도, 바람직하게는900℃ 이하의 온도에서 소결될 수 있다.

본 발명의 또다른 특징으로, 복수층 기판을 제조하는 방법이 제공되는데, 이 방법은 절연재의 녹색 박판들을 제조하는 단계와, 녹색박판들 각각위에 초전도성 세라믹재의 상호 연결 패턴을 형성하는 단계와, 녹색박판들을 통해 침투하는 초전도성 세라믹재의 관통공들을 형성하는 단계와, 상호연결 패턴들과 관통공들을갖는 녹색박판들을 적층 압축시키는 단계와, 그리고 그 적층을 소결시키는 단계를 포함하며. 그에의해 절연재의 층들과, 초전도성 세라믹재의 상호연결 패턴들과, 그리고 초전도성 세라믹재의 관통공들로 구성되는복수층 기판이 제조된다.

본 발명의 양호한 실시예에 의하면, 복수층 기판을 제조하는 방법이 제공되는데, 이 방법은 절연재로 된녹색박판들을 제조하되, 제1및 제2주요 표면들과 녹색 박판들을 통해 관통하는 구멍들을 갖는 녹색박판들을 제조하는 단계와, 녹색박판들 각각의 제1빛 제2주요 표면들상에 금속 페이스트의 패턴을 형성하되, 금속페이스트 패턴이 녹색박판들의 관통구멍들의 내부표면들을 피복하고 있으며, 금속페이스트 패턴의 금속이 금, 은, 백금 및 그의 합금으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 그러한 패턴형성 단계와, 금속 페이스트 패턴상에 그리고 그내에 초전도성 세라믹재 페이스트의 상호 연결 패턴을 형성하되, 초전도성 세라믹재 페이스트가 구멍들에 충전되어 패턴을 형성하는 단계와, 금속 페이스트와 초전도성 세라믹재 페이스트의 패턴들을 갖는 녹색 박판들을 적층시키므로서, 그에의해 초전도성 세라믹재 페이스트의 상호 연결 패턴들이 금속 페이스트 패턴들과 함께 캡슐로 봉입 피복되어 녹색 박판들로부터 분리되는 그러한 녹색박판들을 적층시키는 단계와, 그리고 그 적층체를 소결시키는 단계를 포함하며, 그에 의해 절연층들과 금속으로 피복된 초전도성 세라믹재의 상호연결 패턴들을 포함하는 복수층 기판이 제조될 수 있다.

본 발명의 또다른 특징에 의하면, 인쇄한 다음 소결시켜 초전도성 세라믹 박판을 형성하기 위한 페이스트가 제공되는데, 이 페이스트는 초전도성 세라믹재 분말 또는 소결시켜 초전도성 세라믹재를 형성하는 성분들의 분말들과, 유기 결합제 및 비휘발성 용제들을 포함한다. 통상적으로, 페이스트 100중량부의 상기 무기분말 또는 분말들, 0 5-10중량부의 유기결합체, 그리고 5-10중량부의 비휘발성 용제를 포함한

실시예 1

본 발명의 제1실시예를 제1도의 후로우 챠트와 제2도의 복수층 기판의 단면도를 참조하여 설명한다.

초전도성 세라믹재의 페이스트를 B_aCO₃, Y₂O₃및 CuO의 분말들을 0.6 : 0.2 : 1의 질량비로 섞은 다음그 분말들을 볼밀내에서 20시간동안 혼합하여 그 혼합물을 균질화시켜 제조한다. 그다음 그 혼합물을 200MPa로 압축시켜 30mm의 직경을 갖는 펠레트들을 형성한다. 그다음 형성된 펠레트들을 900℃의 공기중에서 6시간동안 열처리한다음 미분화시켜 Ba_0.6Y_0.4CuO_4-δ,의 분말들을 형성한다. Ba_0.6Y_0.4CuO_4-δ,의 이 분말들에 결합체(예, 에틸셀루로우스), 테르피네올 및 메틸에릴케톤을 첨가한다음, 약 10분동안 페이스트 믹서내에서 일차 반죽한다음 2차 반죽공정으로서 롤밀을 통해 30회 통과시켰다. 최종 페이스트는 약 2000포이즈의 점도를 갖고 있었다.

초전도성 세라믹재는 전술한 Y-Ba Cu-O계, Se-Ba-Cu-O계. 또는 La-Sr(Ba) -Cu-O계 화합물일 수도 있다. 바람직한 초전도성 세라믹재로는 액체질소의 온도에서 초전도율을 나타내는 Y-Ba Cu-O계, 예를 들어 YBa₂Cu₃O_7-δ, Y_0.4Ba_0.6CuO₃또는 (Y_0.6Ba_0.4)₂CuO_4-δ가 좋다 결합제는 유기결합제이면 어떤 것 이든 좋으나 특히, 에틸셀루로우스, 폴리 비 닐부딜알콜, 메틸셀루로우스, 아크릴산기체 중합체등이 좋다.

유리-세라믹재의 녹색박판은 다음과 같이 제조되었다. 즉, 약 3μm의 평균입자 크기를 갖는 알루미나와 유리의 분말들, 결합제, 그리고 용제를 혼합하여 볼밀내에서 30시간동안 반죽하였다. 그 결과로 얻은 슬러리를 독토르 볼래이드법(doctor blade method)에 의해 테이프-주조(tape-cast)하여 약 300μm의 건조두께를 갖는 녹색박판을 제조하였다. 유리-세라믹재의 녹색박판의 두께는 바람직하게는 100-500μm이고, 좀더 바람직하게는 200-300μm이다. 그 녹색박판을 150mm×150mm로 절단한 다음 절단된 녹색박판을 꿰뚫어 관통공들로서 사용될 구멍들을 형성한다.

녹색박판 또는 필연재를 위한 성분은 1984.6.16일에 공개된 일본 미심사 특허공개공보 59-995에 기술된 바와 같이 다음 성분을 갖는다.

유리 세라믹 분말들의 성분(wt%)

Al₂O₃50.5

SiO₂35.0

B₂O₃13.0

Na₂O 0.75

K₂O 0.70

CaO 0.15

Li₂O 0.15

유리 세라믹 슬러리의 성분(wt%)

유리 세라믹 분말들 57.8

폴리에틸아크릴레이트수지 8.7

부틸프탈레이트(플락스티사이저 ) 4.6

메틸에틸 케톤 16.1

메틸알콜 용제 8.7

부틸알콜 2.9

상술한 성분을 갖는 슬러리로부터, 예를 들어 0.3mm의 균일한 두께를 갖는 녹색박판을 독토르 블래이드법으로 제조할 수도 있다. 다른 방법으로, 그 슬러리를 인쇄용 페이스트로서 사용할 수도 있다.

또한 20-50중량%의 알루미나, 10-60중량%의 석영유리 그리고 20-40중량%의 유리 또는 결정화된 유리의 혼합물로된 유리 세라믹성분(초전도성 세라믹재를 소결시키기 위한 온도보다 낮은 온도, 보통 l000℃이하의 온도에서 소결될 수 있음)이 사용될 수도 있다(1985.12.16일 공개된 일본 미심사 특허공개공보60-254697 참조). 이 성분의 일예는 다음과 같은 유리 세라믹 분말 및 슬러리 성분들을 갖는다.

유리 세라믹 분말의 성분(wt%)

Al2O3 34.2

SiO2 59.3

B2O3 4.9

Na2O 1.3

K2O 0.2

CaO 0.1

유리세라믹 슬러리의 성분(wt%)

알루미나 19.8

석영유리 19.8

폴리메타크리레이트 에스데르-계 수지 19.8

디부틸프탈레이트(플라스티사이저) 2.2

메틸에틸케톤 32.5

이 슬러리는 독토르 블래이드법으로 녹색박판을 형성하도록 주조할 수 있고, 또는 인쇄용 절연 페이스트로서 사용할 수도 있다.

얻어진 녹색박판상에 세라믹 초전도성재 페이스트의 상호연결 패틴을 약 20μm의 두께로 인쇄하였다.

세라믹 초전도성재의 페이스트는 BaCO₃,Y₂O₃및 CuO의 분말들을 결합제, 테르피네올 및 메틸에틸케톤과 0.6 : 0.2 : 1의 질량비로 한 페이스트로 교체할 수도 있다.

세라믹 초전도성재의 상호연결 패턴의 두께는 바람직하게는 20μm 이상의 범위로 하고, 좀더 바람직하게는 20μm-4Oμm의 범위로 하는 것이 좋다. 세라믹 초전도성재의 페이스트를 녹색박판들의 구멍들내에 총전시켜 동일한 인쇄단계 또는 별도의 단계로 관통공들을 형성하였다.

건조 인쇄된 녹색박판들을 30장 적층시켜 30MPa의 압력으로 압축시켰다. 그 다음 그 적층체를 5시간 동안 1000℃의 공기중에서 소성하여 통합된 유리-세라믹 절연층들과 세라믹 초전도성층들로 구성되는 복수층기판을 형성하였다. 소성분위기는 공기보다 낮은 산소의 분압을 갖는 분위기 또는 산소분위기로 할 수도 있다. 그 다음 얻어진 복수층 기판을 30분 동안 900℃의 산소중에서 어니일링했다.

제2A도는 결과로 얻어진 복수층 기간 1을 나타내는 것으로, 이 기판 1에서, 다수의 유리-세라믹 절연층들 2는 적층되어 있으며, 초전도성 세라믹층들 또는 패턴들 3은 절연층들 2사이에 삽입되어 있으며 또한 관통공들 4가 형성되어 있어 인접한 세라믹 초전도성층들 또는 패턴들 3이 상호연결되어 있다. 제2A도에서올 수 있는 바와 같이, 추가절연층 5는 절연층들 2사이에 삽입될 수 있으며, 여기서 초전도성 세라믹 패턴들은 원할경우 스크린 인쇄에 의해 존재하지 않을 수도 있다.

이 복수층 기관의 전기저항율을 4개 탐침법으로 측정하였다. 그 결과를 제3도에 나타냈다. 전기저항율은 액체질소의 온도인 77K에서 0이 된다.

상기와 비슷한 복수층 기판은 알루미나판과 같은 단단하거나 소결된 세라믹 기부상에 형성될 수도 있다. 제2B도는 그러한 복수층 기판을 나타낸다. 초전도성 세라믹재 3과 절연재 2의 페이스트층들을 스크린 인쇄와 같은 인쇄공정에 의해 알루미나판 6상에 연속 반복적으로 형성한 다음 소성시킨 다음, 결국 기부로서 알루미나판을 갖는 복수층 기판을 후막형성법으로 제조하였다.

실시예 2

제 4 내지 6도를 참조하여 제2실시예를 설명한다. 초전도성 세라믹재의 페이스트는 실시예1의 절차에의해 제조하였다.

금페이스트를 약 1μm의 평균입자 크기를 갖는 금분말, 결합제, 데르피에놀 및 메틸에틸케톤을 혼합한다음, 그 혼합물을 약 10시간 동안 페이스트 믹서내에서 반죽하여, 2시간 동안 메틸에틸케톤을 완전히 증발시켜서 제조하였다. 반죽된 혼합물을 제2반죽공정으로서 롤밀을 통해 30회 통과시켜 약 2000포이즈의 점도를 갖는 금페이스트를 얻었다. 만일 수득된 금페이스트가 2000포이즈 이상의 점도를 가질경우, 소량의 테르피에놀을 첨가하여 그 점도를 약 2000포이즈로 낮출 수 있다.

유리 세라믹재의 녹색박판들의 제조는 실시예1의 것과 유사하다. 150mm×150mm의 크기를 갖고 있으며. 관통공들을 위한 구멍들을 뚫은 4방 녹색박판들을 제조한 후, 금페이스트 12의 제1패턴을 제1녹색박판 11의 상부표면상에 인쇄하였다. 금페이스트 12는 약 10μm, 이하의 범위의 건조두께를 갖는 것이 바람직하며, 좀더 바람직하게는 5-10μm의 범위가 좋다. 금페이스트 패턴은 초전도성 세라믹재의 제1상호연결 패턴 13에 대응하여 또한 초전도성 세라믹재의 제 1상호연결 패턴 13의 폭보다 큰 패턴폭을 갖는 제1패턴 12를 갖고 있었다. 예를 들어, 금페이스트의 제1패턴 12는 100-200μm의 폭을 가졌다. 금페이스트를인쇄할 시에, 금페이스트를 제1녹색박판 11의 구멍들속으로 흐르도록하여 그 구멍들의 내부표면들을 피복시켜줌으로서 금층 14를 형성하였다. 이와 같이 금페이스트를 구멍들속으로 흐르게하는 것은 금메이스트의 점도를 조정하면 된다. 그러나, 금페이스트로서 구멍들의 내면들을 피복시키는 것은 원할경우 녹색박판 11의 상면상에 금페이스트의 제1패턴 12를 인쇄하는 공정과 별도의 공정에 의해 실행될 수도 있다. 그 다음 금페이스트의 제1패턴 12와 금층 14를 10분 동안 80℃로 건조시켰다.

그 다음, 초천도성 세라믹재의 페이스트의 제 1상호연결층 또는 패턴 13을 금페이스트의 제 1패턴 12상에 그리고 그내에 형성하였다. 이 패턴 13은 약 20μm 이상, 좀더 바람직하게는 20-40μm의 두께와, 제1의 금페이스트 패턴 12의 것보다 좁은 일반적으로 50-150μm, 바람직하게는 100μm의 폭을 갖는 것이 좋다. 초전도성 세라믹재의 페이스트를 녹색박판 11의 구멍들속에 충전시켜서 관통공들 15를 형성시켰다.

바람직하게는 녹색박판 11의 재료와 동일한 절연재의 페이스트를 금페이스트로 된 제1패턴 12가 형성되지 않은 제1녹색박판 11상에 인쇄하는 것이 좋다. 그 결과로 얻은 절연재 페이스트 패턴은 제5도에서 참조번호 16으로 나타낸다.

또한 금페이스트 패턴을 그의 주변을 따라 제1금패턴 12상에 인쇄하여 초전도성 세라믹재 페이스트 패턴13을 절연재 페이스트 패턴 12로부터 분리시키는 것이 좋다. 이 추가 금페이스트 패턴은 제5도에서 첨조번호 17로 나타낸다. 이 금페이스트 패턴들 16과 17은 인쇄된 녹색박판의 상부표면에서 레벨오프되나 포함되지 않는 것이 좋다.

이제 제2녹색박판 11', 제2금페이스트 패턴들 12' 및 14', 제2초전도성재 상호연결 패턴 13', 초전도성 세라믹재 페이스트의 관통공들 15', 상보 필연페이스트 패턴 16', 그리고 추가의 금페이스트 패턴 17'를 제1녹색박판 11에 대한 것과 동일한 절차들에 따라 상부표면상에 그리고 제2녹색박판 11'의 구멍를내에 형성하였다. 그러나 금페이스트의 패턴 18은 초전도성 세라믹재 페이스트가 구멍들속으로 충전되기 전에 제2녹색박판 11'의 하부표면상에 인쇄되었다. 금페이스트 패턴 18의 패턴은 제1금페이스트 패턴 12에 대응하므로, 결국 제2녹색박판 11'가 제1녹색박판 11상에 중첩되었을 때 금페이스트 패턴들 12 및 18과 만일 포함될 경우 금페이스트 패턴 17은 초전도성 세라믹재 페이스트의 제l상호연결 패턴 13을 캡슐로 봉입되었다. 절연재 페이스트의 상보적인 패턴 19는 그의 표면을 레벨오프시키도록 제2녹색박판 11'의 하부표면상에 바람직하게 인쇄될 수 있다.

제2녹색박판 11'에 대해서와 동일한 절차에 의해 제1녹색박판 11을 포함하는 총 30개의 녹색박판들이 금페이스트, 초전도성 세라믹재 페이스트 및 절연재 페이스트의 필요한 패턴들을 구비했다.

이 30개의 녹색박판들을 적층시켜 30MPa의 압력으로 압축시켰다. 제6도는 적층시킨 적층체의 단면도로서, 참조번호 21은 절연 녹색박판들을 나타내며, 22는 초전도성 세라믹재 패턴들 또는 층들을 나타내며, 23은 금페이스트 패턴들 또는 층들을 나타내며, 24는 절연재 패턴들 또는 층들을 나타낸다. 제6도에서, 초전도성 세라믹재 페이스트의 패턴을 25와 26은 절연재 페이스트의 패턴 28에 의해 분리되어 있는 한편 초전도성 세라믹재 페이스트의 패턴들 26과 27은 금페이스트의 패턴 29를 통해 연결되며 또한 초전도성 세라믹재 페이스트 자체에 의해 연결되지 않는다. 후자 구조는 원할경우 변동될 수도 있다.

제6도에서와 같은 적층체는 그 다음 5시간 동안 1000℃의 공기중에서 소결시킴으로서 절연재 박판을, 금층들 및 초전도성 세라믹재층들이 모노리딕으로 형성된 복수층 기판이 형성되었다. 그 적층체는 그 다음900℃의 산소중에서 30분 동안 어니일링된다. 소성조건은 절연재(본 실시예에서 유리/세라믹재)가 소결된다음 초전도성 세라믹재 패턴은 전류통로로서 초전도성이 되는 것이어야 한다. 일반적으로 X_aY_1-aZO_b또는 (X_1-aY_a)₂ZO_b의 초전도성 세라믹재는 5-12시간 동안 약 850-1000℃, 통상적으로는 1-30시간 동안950℃의 공기 또는 산소와 같은 산소함유 분위기중에서 소성시키는 것을 요한다. 소성 후,10-120분, 통상적으로는 30분 동안 800-900℃의 산소중에서 어니일링을 행하는 것이 좋다. BiSrCaCu₂Ox와 같은 비스무스-계의 초전도성 세라믹재는 1-30분. 통상적으로는 12시간 동안 850-900℃ 통상적으로는 870-880℃의 산소함유 분위기내에서 보통은 공기중에서 소성시키는 것을 요한다. 만일 초전도성 세라믹재의 소성 및 어니일령의 온도가 너무높을 경우, 그 재료의 초전도율은 감퇴되거나 심지어 상실된다. 그러므로, 녹색박판의 절연재는 초전도성 세라믹재의 소성 또는 어니일링 온도 이하의 온도에서 소성될 수 있어야 한다. 즉, 비교적 낮은 온도에서 소성 또는 소결될 수 있는 유리 세라믹재가 바람직하다. 적층체가 소성되는 분위기는 공기 즉, 적어도 5%의 산소량을 함유하는 분위기일 수 있다.

수득된 복수층 기판의 전기저항을은 4개의 탐침법에 의해 측청되었으며 또한 액체질소(77K)의 온도에서0저항율을 포함하는 실시예 1과 제 1도와 유사한 결과를 나타냈다.

금은 은, 백금 또는 그의 합금과 같은 기타 귀금속으로 교체될 수 있다. 왜냐하면, 이 금속들은 약1000℃의 온도에서 산소함유 분위기내에서 비활성인 것으로 초전도성 세라믹재의 성분들이 절연재 또는 유리 세라믹재속으로 확산되는 것을 방지하기 위한 장벽층으로서 작용한다. 예를 들어 구리는 약 1000℃의 산소함유 분위기중에서 산화되어 초전도성 세라믹재의 성분들의 확산을 방지하지 못하는 구리 산화물을 형성한다.

초전도성 세라믹재들은 유리 세라믹재들에 민감하다. 만일 초전도성 세라믹재의 성분이 유리 세라믹재속으로 확산할 경우, 초전도성 세라믹재는 감퇴되어 그의 초전도성이 상실될 수도 있다. 그러므로, 복수층 기판내에서 금, 은, 백금 또는 그의 합금과 같은 귀금속으로 초전도성 세라믹재의 패턴들을 캡슐로 봉임하는것이 좋다.

초전도 세라믹 패턴을 캡슐봉입해주는 금속은 보충 또는 상보형 도전패턴으로서 작용할 수 있다. 왜냐하면 금등과 같은 금속들은 고전기 도전율을 갖는다. 보충 또는 상보형 도전패턴만을 원할 때 또한 초전도성세라믹재의 캡슐봉입이 필요없을 때 금속층 또는 패턴을 형성하여 그것을 초전도성 세라믹재층 또는 패턴의 일측면과만 접촉시킬 수 있다. 즉, 초전도성 세라믹재 패턴을 캔슐봉입시킬 필요가 없다.

제5도를 참조하면, 금페이스트 패턴18은 녹색박판 11' 또는 11"의 제3표면상에 형성될수 없고, 또한 제1녹색박판11의 초전도성 세라믹재의 제1상호연결 패턴13위에 형성될 수도 있다. 이 경우에 절연재 패턴 19는 절연재 패턴 16의 일부일 수 있으므로 그와 별도로 인쇄할 필요가 없다. 따라서, 인쇄될 모든 층들은 녹색박판의 일측상에 형성될 수 있으며 또한 녹색박판들의 적층과 적층체의 소성은 전술한 바와 같이 수행될 수도 있다.

상술한 바와 같은 복수층 기판은 제7도에서 볼 수 있는 바와 같이 알루미나판 30과 같은 단단한 또는 소결된 세라믹 기부상에 형성될 수 있다. 이 경우에, 녹색박판 21 대신에 절연층들 21'뿐만 아니라 금 23의패턴들, 초전도성 세라믹재 22 및 절연재 24는 스크린 인쇄와 같은 후막형성법에 의해 형성된다. 절연재층를 21'의 두께는 일반적으로 80μm, 바람직하게는 100-l50μm, 예를 들어 120μm이다.

실시예 3

초전도성 세라믹재 페이스트의 제조시에 CuO 분말을 구리의 금속분말로 교체하고 또한 초전도 세라믹재를 녹색박판들의 적층체를 소성시키는 단계에서 형성시킨 이외에는 실시예2를 반복했다.

BaCO₃,Y₂O₃및 Cu의 분말들을 0.6 : 0.2 : 1 의 질량비로 결합제, 테르피네올 및 메틸에필케톤과 혼합한다음 10시간 동안 페이스트 믹서내에서 반죽한 다음, 그 반죽을 롤밀을 통해 30회 통과시켰다. 그 결과로서, 약 2000포이즈의 점도를 갖는 페이스트를 얻었다.

이 페이스트를 사용하여 초전도성 세라믹재의 패턴들을 형성했다. 녹색박판들의 적층체를 형성하기 위한 절차는 실시예2에서와 동일하였다.

그 적층체를 약 950℃의 공기, 산소 또는 산소와 불활성 가스의 혼합물중에서 12시간 동안 소성시켰다. 그 다음 그 적층체를 60분 동안 850℃의 산소중에서 어니일링하였다. 소성 후, 복수층 기판을 얻었으며 또한 그 복수층 기관의 초전도성 세라믹재 패턴들의 전기 저항율을 4개 탐침법에 의해 측정한 결과 액체질소온도 77K에서 저항율이 0인 것을 포함하여 제1도와 유사한 결과를 나타냈다.

실시예 4

관통공들을 초전도성 세라믹재의 볼를이 녹색박판들을 관통하도록함으로서 형성하는 것을 제외하고는 실시예1을 반복하였다.

초전도성 세라믹재의 볼들을 아래에 보인 바와 같이 제조하였다. 예를 들어, 제8도를 참조하면, BaCO₃,Y₂O₃및 CuO를 0.6 : 0.2 : 1의 질량비로 혼합한 다음 히터 32에 의해 가열되는 도가니 31내에서 용융시켰다. 용융된 세라믹재 33을 노즐 34를 통해 방울방울 떨어뜨렸다. 고압가스 36을 분무노즐 37을 통해용융시킨 세라믹재 35의 방울줄기상에 가하여 용융된 세라믹재를 미립자화한 다음 냉각시켜 세라믹재 38의분말들을 형성했다. 고압가스 36용 캐리어 가스는 예를 들어 N₂,Ar 또는 공기이었으며 또한 가스의 압력은 약 3-5kg/㎠이었다. 그에 따라 미립자화 방법으로 20-500μm의 입자크기를 갖는 초전도성 세라믹재의 구상볼들을 얻었다.

초전도성 세라믹재의 볼를을 아래에 보인 바와 같이 침투시켰다. 세라믹재의 녹색박판 41을 관통공들을 형성할 요홈들 43을 갖는 판 42상에 올려놓았다. 관통공들을 형성할 테이퍼진 구멍들 45를 갖는 또 다른 판44를 녹색박판 41상에 올려놓았다. 이때 테이퍼진 구멍들 45는 하부판 42의 요홈들 43 바로 위에 위치된다. 초전도성 세라믹재의 볼들 46을 테이퍼진 구멍을 45내에 삽입하였다. 돌출부들 48을 갖는 펀칭보드 47을 구멍들을 갖는 또 다른 판 44위에 고정시키는데. 돌출부를 48이 구멍들 45와 일치하도록 하였다. 하부판 42,녹색박판 41, 또 다른 판 44 및 펀칭보드 47의 조립체를 그 다음 가열압축시켜 볼들 46이 녹색박판 41을 침투하도록함으로서, 초전도성 세라믹재의 볼들 46에 의해 관통공들이 형성된 녹색박판 41을 얻었다. 이 방법은 일본심사 특허공보 58-32797에 기술되어 있는데 여기에서 참고로 설명에 포함시켰다.

이 볼 침투법에 의해 일단계로 정밀한 구멍뚫기와 그 구멍들의 충전을 행할 수 있다.

초전도성 세라믹재로 된 볼들은 비소성된 초전도성 세라믹재로 된 볼들일 수도 있다. 예를 들어, 실시예1에서 기술된 바와 같이 초전도성 세라믹재의 페이스트는 구상 볼 형태로 주형으로 형성할 수 있는 것으로, 여기서 페이스트를 위한 결합제로서 열경화성 수지가 사용되었다.

실시예 5

실시예2에 보인 바와 같은 복수층 기판내의 녹색박판과 금속의 접착 특히, 유리 세라믹재의 녹색박판뿐만 아니라 초전도성 세라믹재 패턴과 금속의 접착을 개선하도록 초전도성 세라믹재 패턴을 캡슐봉입시키는금속내에 티타늄 또는 실리콘 결합제와 같은 결합제를 유리하게 포함시켰다.

실시예 6

상기 실시예들에서와 같은 복수층 기판을 제조하여 그 위에 제10도에서와 같이 IC, LSI, VLSI, 죠셉슨 소자 등을 장치하였다. 여기서, 참조번호 51은 복수층 기판,52는 초전도성 세라믹재 패턴을,53은 절연층들,54는 IC 등과 같은 칩들 또는 소자들을 나타낸다.

Claims

복수층 구조로 적층되는 관통될 수 있는 구멍들을 갖는 다수의 절연층들과, 절연층를간에 위치된 초천도성 세라믹재의 상호연결층등과, 그리고 상기 절연층들의 상기 구멍들내에 충전되어 상기 상호 연결층들을 전기적으로 연결시켜 주는 초전도성 세라믹재의 관통공들을 포함하는 것을 특징인 복수층 초전도성 회로기판.
제1항에서, 초전도성 세라믹재는 일반식 X_aY_1-aZO_b또는 (X_1-aY_a)₂ZO_b로 나타내는 산화물 세라믹재로서, 여기서 0＜a＜1, 3
b＜4 이며, X는 Ba, Ca, Sr 및 Mg의 그룹으로부더 선택된 적어도 하나의원소이며, Y는 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 및 Lu의 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소이며, 또한 Z는 Cu, Ag, 및 Au의 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소인 것이 특징인 복수층 초전도성 회로기판.
제1항에 있어서, 세라믹 초천도체는, {(M^ⅡO)_x(M₂ ^ⅢO₃)_1-x}_y(CuO)_z(O)_δ이 있다. 여기서 M^Ⅱ는 Ba, Sr, Ca 및 Mg중 적어도하나이며 M^Ⅲ은 Y, Sc, La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, H Er, Tm, Tb 및 Lu 중 적어도 하나이며, 0.5
x
0.9 ; 1
y
2, 1
z
2, 그리고 δ는 화학양론으로부터의 산소량의 편차이며, 산화물 초전도재는 질소의 비등점(77k) 이상에서 초전도율을 나타내는것이 특징인 복수층 초전도성 회로기판.
제1항에서, 세라믹 초전도체는 YB_a2Cu₃O_7-δ, 인 것이 특징인 복수층 초전도성 회로기판.
제1항에서, 세라믹 초전도체는 초전도성 산화물인, Bi-Sr-Ca-Cu-O 와 Tl-Bi-Si-Ca-Cu-O 계들중 하나인 것이 특징인 복수층 초전도성 회로기판.
제1항에서, 세라믹 초천도체의 상호연결층들은 캡슐봉입시키는 금속층을 더 포항하며, 상기 금속층의 금속은 금, 은, 백금 및 그의 합금의 그룹으로부터 선택되는 것이 특징인 복수층 초전도성 회로기판.
복수층 구조로 적층되는 관통될 수 있는 구멍들을 갖는 다수의 절연층들과, 상기 절연층들 사이에 위치된 초전도성 세라믹재의 상호 연결층들과, 상기 절연층들의 상기 구멍들내에 충전되어 상기 상호연결층들을 전기적으로 연결시켜주는 초전드성 세라믹재의 관통공들과, 그리고 상호 연결총들과 관통공들의 초전도성 세라믹재를 절연층들로 부터 분리시키도록 상기 상호연결층를과 상기 관통공들을 캡슐봉입시켜주는 금,은, 백금 및 그의 합금의 그룹으로 부터 선택된 금속으로 된 금속층들을 포함하는 것이 특징인 복수층 초전도성 회로기판.
제7항에서, 유리 세라믹재는 1000℃ 이하의 온도에서 소성될 수 있는 20-50중량%의 알루미나,10-60중량%의 석영유리 및 20-40중량%의 유리 또는 결정화된 유리를 모합하는 것이 특징인 복수층 초전도성 회로기판.
제7항에서, 초전도성 세라믹재는 일반식 XaY_1-aZO_b또는 (X_1-aY_a)₂ZOb로 나타내는산화물 세라믹재로서, 여기서,0＜a＜1 : 3
b＜4,; 이며, X는Ba,Ca,Sr 및 Mg의 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소이며, Y는 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er,Tm, Yb 및 Lu의 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소이며, 또한 Z는 Cu, Ag 및 Au의 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소인 것이 특징인 복수층 초전도성 회로기판.
제7항에서. 캡슐봉입시키는 금속층들은 5-10μm 의 두께를 갖는 것이 특징인 복수층 초전도성 회로기판.
제7항에서, 상호연결층들은 20μm 이상의 두께를 갖는 것이 특징인 복수층 초전도성 회로기판
제11항에서, 상호연결층들은 20-40μm 의 두께를 갓는 것이 특징인 복수층 초전도성 회로기판
제7항에서, 금속층은 티타늄 또는 실리콘 결합체를 더 포함하는 것이 특징인 복수층 초전도성 회로기판.
절연체의 녹색박판들은 제조하는 단계와, 각 녹색박판들상에 초전도성 세라믹재의 상호연결 패턴을형성하는 단계와, 녹색박판들을 통해 침투된 초전도성 세라믹재의 관통공들을 형성하는 단계와, 상호연결패턴를과 관통공들을 갖는 녹색박판들을 적층 및 압축시키는 단계와, 그리고 상기 적층체를 소성시키는 단계를 포함하며, 그에의해 절연재의 층들과, 초전도성 세라믹재의 상호연결 패턴들과. 초전도성 세라믹재의 관통공들을 포항하는 복수층 기판이 형성되는 것이 특징인 복수층 초전도 회로기판 제조방법.
필연체의 녹색박판들을 제조하되. 제1및 제2주요표면들과 상기 녹색박판들을 통해 관통되는 구멍들을 갖고 있는 녹색박판들을 제조하는 단계와, 상기 녹색박판들 각각의 제1및 제3주요 표면을상에 금속페이스트의 패턴을 형성하되, 상기 금속 페이스트 패턴은 녹색박판들의 상기 관봉구멍들의 내면을 피복시키며,상기 금속 페이스트 패턴의 금속은 금, 은, 백금 및 그의 합금으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 그러한상기 패턴 형성단계와, 금속 페이스트 패턴상에와 그내에 상기 관통구멍들을 충전시켜주는 초전도성 세라믹재 페이스트의 상호연결 패턴을 형성하는 단계와, 초전도성 세라믹재 페이스트의 상호연결패턴들이 금속페이스트 패턴들로서 캡슐봉입되어 녹색박판들로부터 분리되도록 금속 페이스트와 초전도성 세라믹재 페이스트의 패턴들을 갖는 녹색박판들을 적층시키는 단계와, 그리고 상기 적층체를 소성시키는 단계를 포함하며, 그에의해 금속으로 캡슐봉입되는 초전도성 세라믹재의 상호연결 패턴들과 절연층들을 포함하는 복수층 기판이 얻어지는 것이 특징인 복수층 초전도 희로기판 제조방법.
절연재의 녹색박판들을 제조하되, 제1및 제2주요표면들과 상기 녹색박판들을 통해 관통되는 구멍들을 갖고 있는 녹색박판들을 제조하는 단계와, 상기 녹색박판들 각각의 제1주요표면상에 금속페이스트의 개1패턴을 형성하되, 상기 금속페이스트의 금속은 금, 은, 백금 및 그의 합금을 구성하는 그룹으로부터 선택되는 그러한 제1패턴 형성단계와, 상기 녹색박판들 각각의 제2주요표면상에 금속 페이스트의 제3패턴 형성단계와, 금속 페이스트로서 녹색박판들의 관통구멍들의 내면들을 피복하는 단계와, 상기 녹색박판들 각각의 금속페이스트의 제l패턴상에와 그내에 초전도성 세라믹재 페이스트의 상호연결 패턴을 형성하는 단계와. 초전도성 세라믹재 페이스트로서 녹색박판들의 관통구멍들을 충전시키는 단계와, 초전도성 세라믹재 페이스트의 상호연결 패턴들이 금속 페이스트로서 캡슐봉입되어 금속페이스트에 의해 녹색박판들로 부터 분리되도록 녹색박판들을 적층시키는 단계와, 그리고 그 적층체를 소성시키는 단계를 포함하며, 그에의해 금속으로 캡슐봉입된 초전도성 세라믹재의 상호연결 패턴들과 절연층들을 포함하는 복수총 기판을 제조하는 것이 특징인 복수층 초전도 희로기판 제조방법.
주요표면과 관통구멍을 갖는 절연재의 녹색박판들을 제조하는 단계와, 각각의 녹색 박판들의 주요표면상에 금속 페이스트의 제1패턴을 형성하되, 상기 금속페이스트의 금속을 금, 은, 백금 또는 그의 합금으로 구성되는 그룹으로부터 선택하여 제1패턴을 형성하는 단계와, 금속 페이스트로서 녹색박판들의 관통구멍들의 내부표면들을 피복하는 단계와, 녹색박판들 각각의 금속 페이스트의 제1패턴상에와 그내에 초전도성 세라믹재 페이스트의 상호연결 패턴을 형성하는 단계와, 초전도성 세라믹재 페이스트로서 녹색박판들의 관통구멍들을 충전시키는 단계와, 상호연결 패턴위에 금속 페이스트의 제3패턴을 형성하되, 초전도성 세라믹재의 상호연결 패턴이 금속 페이스트로서 캡슐봉입되도록 금속 페이스트의 제1패턴과 일치하는 금속 페이스트의 제2패턴을 형성하는 단계와, 금속 페이스트로서 캡슐봉입되는 초전도성 세라믹재의 상호연결 패턴을 갖는 녹색박판들을 적층시키는 단계와, 그리고 상기 적층체를 소성시키는 단계를 포함하며, 그에의해금속으로 캡슐봉입되는 초전도성 세라믹재의 상호연결 패턴들과 필연층들을 포함하는 복수층 기판이 얻어지는 것이 특징인 복수층 초전도 회로기판 제조방법.
절연 세라믹 기부를 제조하는 단계와, 절연세라믹 기부상에 금속페이스트의 제1패턴을 형성하되, 상기 금속페이스트의 금속은 금, 은, 백금 및 그의 합금으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 제1패턴 형성단계와, 금속페이스트의 제1패턴상에와 그내에 초전도성 세라믹재 페이스트의 제1상호연결 패턴을 형성하는단계와, 초전도성 세라믹재 페이스트의 제1상호연결 패턴이 금속페이스트로서 캡슐봉입되도록 초전도성 세라믹재페이스트의 제1상호연결 패턴위에 금속 페이스트의 제2패틴을 형성하는 단계와 금속 페이스트의 제2패턴과 절연 세라믹기부위에 절연재 페이스트의 제1층을 형성하되, 절연재 페이스트의 제1층은 절연재 페이스트의 제1층을 통해 관통되는 구멍들을 갖고 있는 제1층 형성단계와, 절연재 페이스트의 제1층상에 금속 페이스트의 제3패턴을 형성하는 단계와, 금속페이스트로서 절연재 페이스트의 제1층의 관통되는 구멍들의 내면을 피복하는 단계와. 금속페이스트의 제3패턴상에와 그내에 초전도성 세라믹재 페이스트의 제2상호연결 패턴을 형성하는 단계와, 초전도성 세라믹재 페이스트의 제2상호연결 패턴이 금속페이스트로서 캡슐봉입되도록 초전도성 세라믹재 페이스트의 제2상호연결 패턴외에 금속페이스트의 제4패턴을형성하는 단계와, 절연재 페이스트의 제1층의 형성으로부터 금속페이스트의 제4패턴의 형성까지 상기 단계들을 필요한 횟수 반복되는 단계와, 그리고 절연세라믹 기부를 포함하는 적층체를 소성시키는 단계를 포함하며, 그에의해 금속으로 캔슐봉입된 초전도성 세라믹재의 상호연결 패턴들과 절연층들을 포함하는 복수층 기판이 얻어지는 것이 특징인 복수층 초전도 회로기판 제조방법.
제15 또는 16 또는 17항에서, 녹색박판상에 절연재 페이스트의 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 절연재 페이스트의 패턴은 금속페이스트의 패턴들에 보상형이며, 또한 금속페이스트의 캡슐봉입 패턴들과 초전도성 세라믹재 페이스트의 상호연결 패틴의 총두께에 상당하는 두께를 갖는 것이 특징인 목수층 초전도 회로기판 제조방법.
제15,16.17,18의 어느 항에서, 초전도성 세라믹재는 일반식 XaY_1-aZO_b또는 (X_1-aY_a)₂ZOb로 나타내는산화물 세라믹재로서, 여기서,0＜a＜1 : 3
b＜4,; 이며, X는Ba,Ca,Sr 및 Mg의 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소이며, Y는 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er,Tm, Yb 및 Lu의 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소이며, 또한 Z는 Cu, Ag 및 Au의 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소인 것이 특징인 복수층 초전도성 회로기판 제조방법.
제20항에서, 초전도성 세라믹재 페이스트는 초전도성 세라믹재의 분말을 함유하는 것이 특징인 복수층 초전도회로기판 제조방법.
제20항에서, 초전도성 세라믹재 페이스트는 원소들 X, Y 및 Z로서 a : (1-a) : 1의 질량비로 원소를X, Y 및 Z의 산화물 분말을 함유하는 것이 특징인 복수층 초전도 회로기판 제조방법.
제20항에서, 초전도성재 페이스트는 원소를 X 및 Y와 구리로서, a : (1-a) : 1의 질량비로 원소를X와 Y의 산화물의 분말들과 구리의 금속분말을 함유하는 것이 특징인 복수층 초전도 회로기판 제조방법.
제15,16,17,18의 어느 항에서, 절연재는 유리세라믹재인 것이 특징은 복수층 초전도 희로기판 제조방법.
제24항에서, 유리 세라믹재는 1000℃ 이하의 온도에서 소성될 수 있는 20-50중량%의 알루미나,10-60중량%의 석영유리 및 20-40중량%의 유리 또는 결정화된 유리를 포함하는 것이 특징인 복수층 초전도 회로기판 제조방법.
제15,16,17,18의 어느 항에서, 금속페이스트는 티타늄 또는 실리콘 결합체를 함유하는 것이 특징인복수층 초전도 회로기판 제조방법.
제15,16,17,18의 어느 항에서, 적층체는 5%이상의 산소를 함유하는 분위기내에서 소성되는 것이 특징인 복수층 초전도 회로기판 제조방법.
제27항에서, 적층체는 800-1000℃의 온도에서 소성되는 것이 특징인 복수층 초전도 회로기판 제조방법.
제15,16,17,18의 어느 항에서, 초전도성 세라믹재 페이스트는 초전도성 세라믹재, 유기결합제 및 비휘발성 용제의 분말을 포함하는 것이 특징인 복수층 초전도 회로기판 제조방법.
초전도성 세라믹재, 유기결합제 및 용제의 분말을 포함하는 초전도성 세라믹 박막을 형성하기 위한페이스트.
소성에 의하여 초전도성 세라믹재를 형성하는 성분들의 분말들과 유기결합제 및 용제로 구성된 초전도성 세라믹박막을 형성하기 위한 페이스트
제30또는 31항에서, 초전도성 세라믹재는 일반식 XaY_1-aZO_b또는 (X_1-aY_a)₂ZOb로 나타내는산화물 세라믹재로서, 여기서,0＜a＜1 : 3
b＜4,; 이며, X는Ba,Ca,Sr 및 Mg의 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소이며, Y는 Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er,Tm, Yb 및 Lu의 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 원소이며, 또한 Z는 Cu, Ag 및 Au의 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 소자인 것이 특징인 복수층 초전도성 회로기판 제조방법.
제30또는 31항에서, 유기 페이스트는 에틸셀루로우즈. 폴리비닐부틸알콜. 메틸셀루로우즈 및 아크릴산 기제중합체로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 것이 특징인 복수층 초진도 회로기판 제조방법.
제30또는 31항에서, 초전도성 세라믹체는, Bi-Sr-Ca-Cu-O 및 Tl-Bi-Sr-Ca-Cu-O 계들의 초전도 산화물들중 하나인 것이 특징인 복수층 초전도회로 기판 제조방법.