JP3448597B2 - ビスマス系酸化物超電導複合体及びその製造法 - Google Patents
ビスマス系酸化物超電導複合体及びその製造法Info
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はビスマス系酸化物超電導
複合体及びその製造法に関する。
複合体及びその製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術】酸化物超電導体、特にＢｉ−Ｓｒ−Ｃａ
−Ｃｕ−Ｏ系などのビスマス系（以下Ｂｉ系とする）酸
化物超電導体は、２２２３相の電気抵抗が零になる臨界
温度（以下Ｔｃとする）が１２０Ｋ付近であり、液体窒
素温度（７７．３Ｋ）以上であること、また、２２１２
相のＴｃが８０Ｋ付近であり、該２２１２相が２０Ｋ付
近の温度で良好な磁場特性を示すことから、各分野にお
いて応用のための研究が盛んに行われている。
−Ｃｕ−Ｏ系などのビスマス系（以下Ｂｉ系とする）酸
化物超電導体は、２２２３相の電気抵抗が零になる臨界
温度（以下Ｔｃとする）が１２０Ｋ付近であり、液体窒
素温度（７７．３Ｋ）以上であること、また、２２１２
相のＴｃが８０Ｋ付近であり、該２２１２相が２０Ｋ付
近の温度で良好な磁場特性を示すことから、各分野にお
いて応用のための研究が盛んに行われている。
【０００３】Ｂｉ系酸化物超電導体は、Ｂｉ系酸化物超
電導体用粉末をプレス成形法などの方法で成形し、これ
を棒状又は円筒状に加工して焼結したバルク焼結体若し
くはセラミック基板又は金属基板上にスパッタリングな
どの方法でＢｉ系酸化物超電導体の薄膜を形成後熱処理
したＢｉ系酸化物超電導複合体、さらには銀板上にディ
ップコート法、スクリーン印刷法等の方法で超電導前駆
体を形成し、それを焼成したＢｉ系酸化物超電導複合体
のようにＢｉ系酸化物超電導体とそれを保持する基材か
らなる構造の複合体にして用いられている。
電導体用粉末をプレス成形法などの方法で成形し、これ
を棒状又は円筒状に加工して焼結したバルク焼結体若し
くはセラミック基板又は金属基板上にスパッタリングな
どの方法でＢｉ系酸化物超電導体の薄膜を形成後熱処理
したＢｉ系酸化物超電導複合体、さらには銀板上にディ
ップコート法、スクリーン印刷法等の方法で超電導前駆
体を形成し、それを焼成したＢｉ系酸化物超電導複合体
のようにＢｉ系酸化物超電導体とそれを保持する基材か
らなる構造の複合体にして用いられている。
【０００４】上記に示す複合体のようにＢｉ系酸化物超
電導体とそれを保持する基材とに分かれるのは、Ｂｉ系
酸化物超電導体は機械的強度が低いセラミックスであ
り、大型品を製作するのが困難なためである。
電導体とそれを保持する基材とに分かれるのは、Ｂｉ系
酸化物超電導体は機械的強度が低いセラミックスであ
り、大型品を製作するのが困難なためである。
【０００５】一般的に金属は、任意の形状に加工でき大
型化も可能なことから、最近では金属基材上にＢｉ系酸
化物超電導体を形成した大型のＢｉ系酸化物超電導複合
体が考えられている。
型化も可能なことから、最近では金属基材上にＢｉ系酸
化物超電導体を形成した大型のＢｉ系酸化物超電導複合
体が考えられている。
【０００６】このような大型のＢｉ系酸化物超電導複合
体は、Ｂｉ系酸化物超電導体と熱膨張係数が近似してお
り、かつＢｉ系酸化物超電導体の焼付けに耐える耐熱性
を有するステンレス、ハステロイ、インコネル等の鉄・
ニッケル系合金、銅などの金属基材上に直接Ｂｉ系酸化
物超電導体を形成した構造のものが考えられている。
体は、Ｂｉ系酸化物超電導体と熱膨張係数が近似してお
り、かつＢｉ系酸化物超電導体の焼付けに耐える耐熱性
を有するステンレス、ハステロイ、インコネル等の鉄・
ニッケル系合金、銅などの金属基材上に直接Ｂｉ系酸化
物超電導体を形成した構造のものが考えられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら実際に上
記のような方法でＢｉ系酸化物超電導複合体を製作する
と、焼成時に金属基材とＢｉ系酸化物超電導体とが反応
し、Ｂｉ系酸化物超電導体の臨界温度（抵抗が零となる
温度…以下Ｔｃとする）が低下し、目標の性能が得られ
ないという問題点がある。
記のような方法でＢｉ系酸化物超電導複合体を製作する
と、焼成時に金属基材とＢｉ系酸化物超電導体とが反応
し、Ｂｉ系酸化物超電導体の臨界温度（抵抗が零となる
温度…以下Ｔｃとする）が低下し、目標の性能が得られ
ないという問題点がある。
【０００８】またＢｉ系酸化物超電導体のＴｃを低下さ
せない金属材料として金及び銀が知られている。ところ
がＢｉ系酸化物超電導体と金及び銀とは熱膨張率の差が
大きいため、大型複合体の臨界電流密度（以下Ｊｃとす
る）が低くなり、さらにはこれらの金属材料は融点がＢ
ｉ系超電導体の焼成温度に近いため焼成時に変形し易い
という問題点がある。
せない金属材料として金及び銀が知られている。ところ
がＢｉ系酸化物超電導体と金及び銀とは熱膨張率の差が
大きいため、大型複合体の臨界電流密度（以下Ｊｃとす
る）が低くなり、さらにはこれらの金属材料は融点がＢ
ｉ系超電導体の焼成温度に近いため焼成時に変形し易い
という問題点がある。
【０００９】上記問題点を解決する方法として、特開平
４−１９９７００号公報には鉄・ニッケル系合金基板と
Ｂｉ系酸化物超電導体との間に中間層として金、銀等の
貴金属を熱間圧延により拡散接合し、複合基板を得る方
法が提案されているが、この方法では高温還元雰囲気中
で、かつ高圧下で拡散接合しなければならず装置の大型
化が必要である。
４−１９９７００号公報には鉄・ニッケル系合金基板と
Ｂｉ系酸化物超電導体との間に中間層として金、銀等の
貴金属を熱間圧延により拡散接合し、複合基板を得る方
法が提案されているが、この方法では高温還元雰囲気中
で、かつ高圧下で拡散接合しなければならず装置の大型
化が必要である。
【００１０】また特開平２−７１５９７号公報にはスパ
ッタリング法などの手段で鉄・ニッケル系合金基板とＢ
ｉ系酸化物超電導体との間に中間層として銀の薄膜を介
在する方法が示されるが、この方法では平板で小型のＢ
ｉ系酸化物超電導複合体を製造することはできるが三次
元構造（立体構造）や大型のＢｉ系酸化物超電導複合体
が得られないという問題点がある。
ッタリング法などの手段で鉄・ニッケル系合金基板とＢ
ｉ系酸化物超電導体との間に中間層として銀の薄膜を介
在する方法が示されるが、この方法では平板で小型のＢ
ｉ系酸化物超電導複合体を製造することはできるが三次
元構造（立体構造）や大型のＢｉ系酸化物超電導複合体
が得られないという問題点がある。
【００１１】本発明は上記のような問題点のない三次元
構造や大型のＢｉ系酸化物超電導複合体及びその製造法
を提供するものである。
構造や大型のＢｉ系酸化物超電導複合体及びその製造法
を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、Ｔｃ、Ｊ
ｃ等の超電導特性が良好な大型の酸化物超電導体が得ら
れる鉄・ニッケル系合金と金又は銀との複合体基材構造
について種々検討した結果、鉄・ニッケル合金と金又は
銀との間に接合層として銅の層を設けることで、酸化物
超電導体が形成できる上に超電導特性が劣化せず液体窒
素中に浸漬後に剥離などの不具合が生じないＢｉ系酸化
物超電導複合体が得られることを見出した。
ｃ等の超電導特性が良好な大型の酸化物超電導体が得ら
れる鉄・ニッケル系合金と金又は銀との複合体基材構造
について種々検討した結果、鉄・ニッケル合金と金又は
銀との間に接合層として銅の層を設けることで、酸化物
超電導体が形成できる上に超電導特性が劣化せず液体窒
素中に浸漬後に剥離などの不具合が生じないＢｉ系酸化
物超電導複合体が得られることを見出した。
【００１３】本発明は鉄・ニッケル系耐熱合金層−金又
は銀層−Ｂｉ系酸化物超電導体層からなるＢｉ系酸化物
超電導複合体において、鉄・ニッケル系耐熱合金層と金
又は銀層とが銅を介して接合されたことを特徴とするＢ
ｉ系酸化物超電導複合体並びに鉄・ニッケル系耐熱合金
基板上に銅層、金又は銀層及びＢｉ系超電導前駆体又は
Ｂｉ系超電導体を順次形成した後、焼成することを特徴
とするＢｉ系酸化物超電導複合体の製造法に関する。
は銀層−Ｂｉ系酸化物超電導体層からなるＢｉ系酸化物
超電導複合体において、鉄・ニッケル系耐熱合金層と金
又は銀層とが銅を介して接合されたことを特徴とするＢ
ｉ系酸化物超電導複合体並びに鉄・ニッケル系耐熱合金
基板上に銅層、金又は銀層及びＢｉ系超電導前駆体又は
Ｂｉ系超電導体を順次形成した後、焼成することを特徴
とするＢｉ系酸化物超電導複合体の製造法に関する。
【００１４】本発明において、鉄・ニッケル系耐熱合金
の種類及び組成については特に制限はないが、超電導体
を形成する過程で８００℃以上の温度で酸素を含む雰囲
気中にさらされるため、耐熱性及び耐酸化性の良い材
料、例えばステンレス３０４、同３１０Ｓ、ハステロ
イ、インコネル６００、同６２５等を用いることが好ま
しい。
の種類及び組成については特に制限はないが、超電導体
を形成する過程で８００℃以上の温度で酸素を含む雰囲
気中にさらされるため、耐熱性及び耐酸化性の良い材
料、例えばステンレス３０４、同３１０Ｓ、ハステロ
イ、インコネル６００、同６２５等を用いることが好ま
しい。
【００１５】銅層の形成法については特に制限はなく、
電気めっき、無電解めっき等のめっき法、ガス式、アー
ク式、プラズマ式等の溶射法、銅ペーストを焼付ける方
法などがあるが、大型品を製造するには価格の面でめっ
き法、溶射法で形成することが好ましい。銅層は、鉄・
ニッケル系耐熱合金基板上にメッシュ状、格子状、ラセ
ン状等に全体が不均一にパターン形成されていても使用
上何ら問題はない。
電気めっき、無電解めっき等のめっき法、ガス式、アー
ク式、プラズマ式等の溶射法、銅ペーストを焼付ける方
法などがあるが、大型品を製造するには価格の面でめっ
き法、溶射法で形成することが好ましい。銅層は、鉄・
ニッケル系耐熱合金基板上にメッシュ状、格子状、ラセ
ン状等に全体が不均一にパターン形成されていても使用
上何ら問題はない。
【００１６】金又は銀層の膜厚は、超電導特性の関係で
５０μｍ以上であることが好ましく、１００〜２００μ
ｍの範囲であればさらに好ましい。金又は銀層は、ガス
式、アーク式、プラズマ式等のような溶射法で形成する
ことができる。
５０μｍ以上であることが好ましく、１００〜２００μ
ｍの範囲であればさらに好ましい。金又は銀層は、ガス
式、アーク式、プラズマ式等のような溶射法で形成する
ことができる。
【００１７】本発明においては、金又は銀と銅が溶融し
て合金化し、この際銅の一部が金又は銀に拡散するが、
焼成温度と時間（焼成条件）をそれぞれ制御して銅の拡
散を金又は銀層の表面までに達しないようにすれば超電
導特性を低下させずに接合できるので好ましい。また接
合する銅の膜厚は、一部金又は銀層に拡散するため詳細
な値は規定できないが、例えば銅の膜厚は金又は銀層の
１／１０以下、望ましくは３〜１０μｍの範囲であるこ
とが好ましい。
て合金化し、この際銅の一部が金又は銀に拡散するが、
焼成温度と時間（焼成条件）をそれぞれ制御して銅の拡
散を金又は銀層の表面までに達しないようにすれば超電
導特性を低下させずに接合できるので好ましい。また接
合する銅の膜厚は、一部金又は銀層に拡散するため詳細
な値は規定できないが、例えば銅の膜厚は金又は銀層の
１／１０以下、望ましくは３〜１０μｍの範囲であるこ
とが好ましい。
【００１８】Ｂｉ系酸化物超電導体の組成については特
に制限はなく、例えばＢｉ2Ｓｒ2ＣａＣｕ2ＯX、Ｂｉ2
Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3ＯY等が代表される組成として使用でき
る。またこの他にＰｂ、Ｓｂ等を含有した組成、定比組
成からずれた組成、主要元素を他の元素で一部置換した
組成なども使用できる。
に制限はなく、例えばＢｉ2Ｓｒ2ＣａＣｕ2ＯX、Ｂｉ2
Ｓｒ2Ｃａ2Ｃｕ3ＯY等が代表される組成として使用でき
る。またこの他にＰｂ、Ｓｂ等を含有した組成、定比組
成からずれた組成、主要元素を他の元素で一部置換した
組成なども使用できる。
【００１９】Ｂｉ系超電導前駆体の形成法についても何
ら制限はなく、例えばＢｉ系超電導体用粉末に有機結合
剤、可塑剤、溶媒等を添加し、これらを混合してスラリ
ーとし、これをドクターブレード法によりグリーンシー
トを製造して積層する方法、スクリーン印刷する方法、
スプレーにより吹き付ける方法、さらには超電導体用粉
末又は超電導体用ロッドをガス式、アーク式、プラズマ
式等の溶射法で形成することができる。
ら制限はなく、例えばＢｉ系超電導体用粉末に有機結合
剤、可塑剤、溶媒等を添加し、これらを混合してスラリ
ーとし、これをドクターブレード法によりグリーンシー
トを製造して積層する方法、スクリーン印刷する方法、
スプレーにより吹き付ける方法、さらには超電導体用粉
末又は超電導体用ロッドをガス式、アーク式、プラズマ
式等の溶射法で形成することができる。
【００２０】焼成温度は、各原料の配合割合などにより
適宜選定されるが、８６０〜９００℃の範囲で焼成する
ことが好ましく、また雰囲気は、大気中、酸素を含む雰
囲気中等で行うことが好ましい。
適宜選定されるが、８６０〜９００℃の範囲で焼成する
ことが好ましく、また雰囲気は、大気中、酸素を含む雰
囲気中等で行うことが好ましい。
【００２１】本発明においては必要に応じＢｉ系超電導
前駆体を形成する前に熱処理が行われる。この熱処理温
度は、９４０℃未満であることが好ましい。
前駆体を形成する前に熱処理が行われる。この熱処理温
度は、９４０℃未満であることが好ましい。
【００２２】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。
実施例１
ビスマス、ストロンチウム、カルシウム及び銅の比率が
原子比で２：２：１：２の組成になるように三酸化ビス
マス（高純度化学研究所製、純度９９．９％）２２８．
３ｇ、炭酸ストロンチウム（高純度化学研究所製、純度
９９．９％）１４４．７ｇ、炭酸カルシウム（高純度化
学研究所製、純度９９．９％）４９．０ｇ及び酸化第二
銅（高純度化学研究所製、純度９９．９％）７７．９ｇ
を秤量し、出発原料とした。
原子比で２：２：１：２の組成になるように三酸化ビス
マス（高純度化学研究所製、純度９９．９％）２２８．
３ｇ、炭酸ストロンチウム（高純度化学研究所製、純度
９９．９％）１４４．７ｇ、炭酸カルシウム（高純度化
学研究所製、純度９９．９％）４９．０ｇ及び酸化第二
銅（高純度化学研究所製、純度９９．９％）７７．９ｇ
を秤量し、出発原料とした。
【００２３】上記の出発原料を合成樹脂製のボールミル
内に合成樹脂で被覆した鋼球ボール及び水と共に充てん
し、２４時間湿式混合した後、ボールミルから取り出し
１００℃で２４時間乾燥して混合粉末を作製した。この
混合粉末をアルミナ匣鉢に入れ、電気炉を用いて大気中
で８２０℃で１０時間仮焼し、次いでらいかい機で粉砕
し、仮焼粉末を得た。
内に合成樹脂で被覆した鋼球ボール及び水と共に充てん
し、２４時間湿式混合した後、ボールミルから取り出し
１００℃で２４時間乾燥して混合粉末を作製した。この
混合粉末をアルミナ匣鉢に入れ、電気炉を用いて大気中
で８２０℃で１０時間仮焼し、次いでらいかい機で粉砕
し、仮焼粉末を得た。
【００２４】次に、この仮焼粉末をアルミナ匣鉢に入
れ、電気炉を用いて大気中で、８４０℃で５０時間焼成
した後、合成樹脂製のボールミル内にジルコニア製ボー
ル及び酢酸エチルを入れ４８時間湿式粉砕し、平均粒径
５μｍのＢｉ系２２１２相の超電導体粉末を得た。
れ、電気炉を用いて大気中で、８４０℃で５０時間焼成
した後、合成樹脂製のボールミル内にジルコニア製ボー
ル及び酢酸エチルを入れ４８時間湿式粉砕し、平均粒径
５μｍのＢｉ系２２１２相の超電導体粉末を得た。
【００２５】上記で得た２２１２相の超電導体粉末１０
０重量部にポリビニルブチラール樹脂（和光純薬製、試
薬一級）８重量部、フタル酸エステル（和光純薬製、試
薬一級）３重量部及びブタノール５０重量部（和光純薬
製、試薬一級）を添加して混合した後、脱気を行い粘度
１５Ｐａ・ｓのスラリーを得た。このスラリーを厚さが
１８０μｍのポリエステル製フィルム（東レ製）上に供
給し、ドクターブレード法で厚さ０．４ｍｍの超電導体
用グリーンシート（以下グリーンシートとする）を得
た。
０重量部にポリビニルブチラール樹脂（和光純薬製、試
薬一級）８重量部、フタル酸エステル（和光純薬製、試
薬一級）３重量部及びブタノール５０重量部（和光純薬
製、試薬一級）を添加して混合した後、脱気を行い粘度
１５Ｐａ・ｓのスラリーを得た。このスラリーを厚さが
１８０μｍのポリエステル製フィルム（東レ製）上に供
給し、ドクターブレード法で厚さ０．４ｍｍの超電導体
用グリーンシート（以下グリーンシートとする）を得
た。
【００２６】一方上記とは別に、大きさ１００ｍｍ角、
厚さ１ｍｍのステンレス（ＳＵＳ３１０Ｓ）基板に電気
めっき法で厚さ１０μｍの銅被膜を形成した。次いでこ
の銅被膜の上に通常のガス溶射法で２００μｍの銀被膜
を形成して複合基板を得た。さらに該複合基板の両面に
上記で得たグリーンシートを６０℃で１０ＭＰａ、１５
分の条件で加圧して積層体を得た。
厚さ１ｍｍのステンレス（ＳＵＳ３１０Ｓ）基板に電気
めっき法で厚さ１０μｍの銅被膜を形成した。次いでこ
の銅被膜の上に通常のガス溶射法で２００μｍの銀被膜
を形成して複合基板を得た。さらに該複合基板の両面に
上記で得たグリーンシートを６０℃で１０ＭＰａ、１５
分の条件で加圧して積層体を得た。
【００２７】この積層体を大気中で３００℃までは５０
℃／時間、３００℃から８８０℃までは１５０℃／時間
の速度で昇温し、８８０℃で１時間熱処理後、８４０℃
までは１０℃／時間、８４０℃から常温までは３００℃
／時間の速度で冷却してＢｉ系酸化物超電導複合体を得
た。
℃／時間、３００℃から８８０℃までは１５０℃／時間
の速度で昇温し、８８０℃で１時間熱処理後、８４０℃
までは１０℃／時間、８４０℃から常温までは３００℃
／時間の速度で冷却してＢｉ系酸化物超電導複合体を得
た。
【００２８】得られたＢｉ系酸化物超電導複合体のＴｃ
及び液体窒素温度７７．３ＫにおけるＪｃを四端子法で
測定したところ、Ｔｃは９２．２Ｋ及びＪｃは２５６０
Ａ／ｃｍ2であった。また、得られたＢｉ系酸化物超電
導複合体の外観を観察した結果、ステンレス基板と銀層
間の剥離は見られなかった。また液体窒素浸漬後もステ
ンレス基板と銀層間の剥離は見られなかった。
及び液体窒素温度７７．３ＫにおけるＪｃを四端子法で
測定したところ、Ｔｃは９２．２Ｋ及びＪｃは２５６０
Ａ／ｃｍ2であった。また、得られたＢｉ系酸化物超電
導複合体の外観を観察した結果、ステンレス基板と銀層
間の剥離は見られなかった。また液体窒素浸漬後もステ
ンレス基板と銀層間の剥離は見られなかった。
【００２９】実施例２
実施例１で用いたステンレス基板をインコネル（６０
０）基板に、また銅被膜の形成法を電気めっき法から溶
射法とした以外は、実施例１と同様の工程を経てＢｉ系
酸化物超電導複合体を得た。
０）基板に、また銅被膜の形成法を電気めっき法から溶
射法とした以外は、実施例１と同様の工程を経てＢｉ系
酸化物超電導複合体を得た。
【００３０】得られたＢｉ系酸化物超電導複合体につい
て実施例１と同様の方法でＴｃ及びＪｃの測定並びに外
観の観察をした結果、Ｔｃは９１．５Ｋ及びＪｃは３１
２０Ａ／ｃｍ2であり、またインコネル基板と銀層間の
剥離は見られなかった。
て実施例１と同様の方法でＴｃ及びＪｃの測定並びに外
観の観察をした結果、Ｔｃは９１．５Ｋ及びＪｃは３１
２０Ａ／ｃｍ2であり、またインコネル基板と銀層間の
剥離は見られなかった。
【００３１】実施例３
実施例１における銀層を金層とした以外は、実施例１と
同様の工程を経てＢｉ系酸化物超電導複合体を得た。
同様の工程を経てＢｉ系酸化物超電導複合体を得た。
【００３２】得られたＢｉ系酸化物超電導複合体につい
て実施例１と同様の方法でＴｃ及びＪｃの測定並びに外
観の観察をした結果、Ｔｃは９３．５Ｋ及びＪｃは３５
２０Ａ／ｃｍ2であり、またステンレス基板と金層間の
剥離は見られなかった。
て実施例１と同様の方法でＴｃ及びＪｃの測定並びに外
観の観察をした結果、Ｔｃは９３．５Ｋ及びＪｃは３５
２０Ａ／ｃｍ2であり、またステンレス基板と金層間の
剥離は見られなかった。
【００３３】比較例１
実施例１の電気めっきによる銅被膜の形成を行わない
で、ステンレス（ＳＵＳ３１０Ｓ）基板上に直接ガス溶
射法で銀被膜を形成した以外は実施例１と同様の工程を
経てＢｉ系酸化物超電導複合体を得た。
で、ステンレス（ＳＵＳ３１０Ｓ）基板上に直接ガス溶
射法で銀被膜を形成した以外は実施例１と同様の工程を
経てＢｉ系酸化物超電導複合体を得た。
【００３４】得られたＢｉ系酸化物超電導複合体につい
て実施例１と同様の方法でＴｃ及びＪｃの測定並びに外
観の観察をした結果、Ｔｃは９２．０Ｋ及びＪｃは２６
８０Ａ／ｃｍ2と良好な超電導特性を示したが、所々ス
テンレス基板と銀層との間で剥離が見られた。
て実施例１と同様の方法でＴｃ及びＪｃの測定並びに外
観の観察をした結果、Ｔｃは９２．０Ｋ及びＪｃは２６
８０Ａ／ｃｍ2と良好な超電導特性を示したが、所々ス
テンレス基板と銀層との間で剥離が見られた。
【００３５】比較例２
実施例１の電気めっきによる銅被膜の形成及び溶射によ
る銀被膜の形成を行わないでステンレス基板上にグリー
ンシートを直接積層し、以下実施例１と同様の工程を経
てＢｉ系酸化物超電導複合体を得た。
る銀被膜の形成を行わないでステンレス基板上にグリー
ンシートを直接積層し、以下実施例１と同様の工程を経
てＢｉ系酸化物超電導複合体を得た。
【００３６】得られたＢｉ系酸化物超電導複合体につい
て実施例１と同様の方法で超電導特性を測定した結果、
液体ヘリウム温度４．２Ｋにおいても抵抗は零にならず
超電導性を示さなかった。
て実施例１と同様の方法で超電導特性を測定した結果、
液体ヘリウム温度４．２Ｋにおいても抵抗は零にならず
超電導性を示さなかった。
【００３７】
【発明の効果】本発明によるＢｉ系酸化物超電導複合体
は、超電導前駆体焼成時の熱膨張差及び液体窒素浸漬に
よる鉄・ニッケル系耐熱合金基板と金又は銀層間の剥離
がなく、良好な超電導特性を示し、大型化も可能なた
め、工業的に極めて好適なＢｉ系酸化物超電導複合体で
ある。
は、超電導前駆体焼成時の熱膨張差及び液体窒素浸漬に
よる鉄・ニッケル系耐熱合金基板と金又は銀層間の剥離
がなく、良好な超電導特性を示し、大型化も可能なた
め、工業的に極めて好適なＢｉ系酸化物超電導複合体で
ある。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 下田 修一郎
茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立
化成工業株式会社 茨城研究所内
(56)参考文献 特開 平５−341066（ＪＰ，Ａ)
化学大辞典２，1963年 ８月25日，第
701頁
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 37/02
C01G 1/00
C23C 14/06
Claims (2)
- 【請求項１】 鉄・ニッケル系耐熱合金層−金又は銀層
−ビスマス系酸化物超電導体層からなるビスマス系酸化
物超電導複合体において、鉄・ニッケル系耐熱合金層と
金又は銀層とが銅を介して接合されたことを特徴とする
ビスマス系酸化物超電導複合体。 - 【請求項２】 鉄・ニッケル系耐熱合金基板上に銅層、
金又は銀層及びビスマス系超電導前駆体又はビスマス系
超電導体を順次形成した後、焼成することを特徴とする
ビスマス系酸化物超電導複合体の製造法。
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|---|---|---|---|
| JP06233493A JP3448597B2 (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | ビスマス系酸化物超電導複合体及びその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP06233493A JP3448597B2 (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | ビスマス系酸化物超電導複合体及びその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06272020A JPH06272020A (ja) | 1994-09-27 |
| JP3448597B2 true JP3448597B2 (ja) | 2003-09-22 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06233493A Expired - Fee Related JP3448597B2 (ja) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | ビスマス系酸化物超電導複合体及びその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3448597B2 (ja) |
-
1993
- 1993-03-23 JP JP06233493A patent/JP3448597B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
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|---|
| 化学大辞典２，１９６３年 ８月２５日，第７０１頁 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06272020A (ja) | 1994-09-27 |
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