KR900006486B1 - 박막배선층을 갖는 반도체장치 및 그의 박막배선층 형성방법 - Google Patents
박막배선층을 갖는 반도체장치 및 그의 박막배선층 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR900006486B1 KR900006486B1 KR1019870009034A KR870009034A KR900006486B1 KR 900006486 B1 KR900006486 B1 KR 900006486B1 KR 1019870009034 A KR1019870009034 A KR 1019870009034A KR 870009034 A KR870009034 A KR 870009034A KR 900006486 B1 KR900006486 B1 KR 900006486B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- carbon
- aluminum
- gas
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 77
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 36
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 123
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 123
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 93
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 92
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 61
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 31
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 27
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 12
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 10
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 claims 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 claims 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 31
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 28
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001339 C alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910021398 atomic carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/32051—Deposition of metallic or metal-silicide layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53214—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being aluminium
- H01L23/53219—Aluminium alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/937—Hillock prevention
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
제 1 도는 다수의 알미늄 배선층들을 갖는 종래의 반도체 장치의 요부를 나타내는 횡단면도.
제 2 도는 본 발명에 의한 박막배선층을 갖는 반도체 장치의 제1실시예의 요부를 나타내는 횡단면도.
제 3 도는 본 발명에 의한 박막배선층을 형성하는 방법의 제1실시예를 설명하기 위한 카본 원자 퍼센트대 저항율 특성도.
제 4 도는 그 방법의 제1실시예에 사용되는 플라즈마 고양 화학증기증착(CVD)법을 나타낸 일반도.
제 5 도는 알곤 스퍼터 식각시간대 이온농도 특성도.
제 6 도는 희석 수소량대 증착속도 및 정항율 특성도.
제 7 도는 자계세기대 카본의 저향율 및 원자퍼센트 특성도.
제 8 도는 열처리 온도대 저항율 특성도.
제 9 도는 RF 전력대 증착속도 및 저항율 특성도.
제10a 및 10b도는 종래 방법에 의해 형성되는 박막들을 나타내는 횡단면도.
제10c도는 플라즈마 고양 CVD법을 사용하는 본 발명의 방법에 의해 형성되는 박막을 나타내는 횡단면도.
제11도는 본 발명에 의한 박막 배선층들을 갖는 반도체 장치의 제2실시예의 요부를 나타내는 횡단면도.
제12도는 본 발명에 의한 박막배선층들을 갖는 반도체장치의 제3실시예를 나타내는 횡단면도.
제13도는 어니일링 온도대 반응층 두께 특성도.
제14a도 내지 14c도는 제12도에 나타낸 제3실시예의 박막들을 형성하는 방법을 실명하기 위한 횡단면도.
제15a 및 15b도는 플라즈마내의 전자운동을 설명하기 위한 도면.
제16도는 본 발명에 의한 박막배선층을 형성하는 방법의 제2실시예에 사용되는 마그네트론 플라즈마CVD(MPCVD)법을 나타내는 일반도.
제17도는 실리콘 웨이퍼상에 자계밀도 분포를 나타낸 도면.
제18a 및 18b도는 전자운동의 종류들을 나타내는 도면.
제19도는 실리큰 웨이퍼상의 알미늄 박막두께 분포도.
제20도는 RF 전력 밀도대 증착속도 특성도.
제21도는 트리메틸 알미늄(TMA) 캐리어 가스 유속대 증착속도 특성도.
제22도는 실리콘 웨이퍼위에 걸어주는 자계에 의해 발생되는 자력선을 나타내는 도면.
제23도는 RF 전력세기대 증착속도 특성도.
제24도는 자계밀도대 저항율 특성도.
제25a 및 25b도는 어니일링 공정이 수행된 후 플라즈마 고양 CVD법과 MPCVD법 각각에 의해 형성되는 카본함유 알미늄 박막들의 X-레이 회절각대 X-레이 강도 특성도.
본 발명은 박막배선층들을 갖는 반도체 장치와 박막 배선층들을 형성하는 방법에 관한 것으로 특히, 카본함유 알미늄으로 제조되는 박막배선층을 갖는 반도체 장치와 카본함유 알미늄으로 제조되는 박막배선층을 형성하는 방법에 관한 것이다.
집적회로는 반도체 기판상에 소자들을 형성한 다음 금속박막 배선층에 의해 소자들을 연결함으로서 생성된다. 소자들과 배선층의 사이즈는 집적회로의 집적밀도를 증가시키도록 감소되나 현재로서 집적회로의 집적밀도는 배선층의 사이즈를 감소시키는 데 있어서의 한계 때문에 제한된다.
배선층의 박막두께가 지극히 작게 만들어질때, 배선층의 계단부분에서 배선층의 비연결이 쉽게 발생한다. 더우기, 알미늄이 보통 배선층용으로 사용되나 알미늄 배선층내의 전자이동은 전류밀도의 증기와 더불어 증가하며 또한 알미늄 원자들이 결여하는 알미늄 배선층의 일부내에 진공부가 쉽게 발생된다. 비연결은 진공부가 발생되는 알미늄 배선층의 그러한 일부에서 발생한다. 다른 한편 알미늄 원자들이 과잉되어 있는 알미늄 배선층의 일부에서 더미가 발생되며 또한 그 더미는 반도체 기판상의 층들간에 쉽게 단락회로의 원인이 된다. 그밖에, 알미늄 배선총이 실리콘층의 도우프되는 영역상에 형성될 때 예를들어 알미늄은 실리콘층과 도우프되는 영역간의 접속을 스파이크와 단락회로들의 힘으로 도우프되는 영역내로 쉽게 확산된다.
알미늄 배선층의 상술한 문제점들은 알미늄 원자들의 경우에 이동이 쉽게 발생한다는 사실에 의해 모두발생된다. 그 이동은 전자이동 및 스트레스(stress) 이동을 포함한다. 전자이동은 전류밀도에 관계되지만, 스트레스 이동은 전류밀도와 무관한다. 스트레스는 알미늄 배선층과 접촉상태에 있는 하나이상의 층들로 부터 알미늄 배선층상에 작용하며 또한 알미늄 원자들은 고온에서 이러한 스트레스에 의해 쉽게 이동된다. 그런 까닭에, 알미늄 배선층이 가열후 냉각될 때 비연결은 스트레스로 인해 알미늄 배선층내에 쉽게 발생한다. 반도체 장치가 제조될 때 반도체 장치는 보통 고온에서 공정들이 진행되며, 또한 따라서 알미늄 배선층내의 스트레스 응력을 억압시키기가 지극히 어렵다.
따라서, 동 함유 알미늄과 실리콘 함유 알미늄과 같은 배선층에 대한 알미늄 합금을 사용함으로서 상술한 문제점들을 제거하기 위해 수차 시도해 왔다. 그러나, 동 함유 알미늄이 배선층으로 사용되고 또한 이 배선층이 염소가스를 사용하여 반응이온 식각(RIE)법에 의해 식각될 때 동 잔유물은 RIE 후 배선층의 표면에 남게되므로 이 동 잔유물을 제거하기 어려운 문제점이 있음을 밝혀냈다.
다른 한편, 실리콘 함유 알미늄으로 제조된 배선층이 실리콘층 상에 형성될 때 비록 실리콘이 배선층으로 확산되는 것이 방지된다 할지라도 실리콘 함유 알미늄이 배선층용으로 문제점들이 발생된다. 예를 들어, 실리콘층이 n+-형 도우프 영역을 갖고 있고 또한 배선층이 n+-형 도우프 영역을 노출시키면서 그위에 위치되는 접촉구멍을 덮고 있을 때 배선층내에 함유된 실리콘의 고상 에피택셜 성장은 접촉구멍의 벽근처의 n+-형 도우프 영역위에서 특히 발생한다. 그러나, 이러한 에피택셜로 성장되는 실리콘은 p-형이기 때문에 p-n 결합이 n+-형 도우프 영역과 그 위의 배선층간의 접촉부에서 형성되어 저항성분과 접촉부가 증가된다.
알미늄 배선층내에 발생되는 더미를 감소시키기 위해 두 인접 알미늄 배선층들간에 금속층이 개입되는 식으로 다수의 알미늄 배선층들을 갖는 종래의 반도체 장치가 있다. 그러나, 알미늄 배선층내의 더미를 완전히 제거하는 것을 불가능하므로 전술한 문제점들은 더미 발생으로 인해 발생한다. 그러므로, 집적회로의 집적밀도를 더욱 증가시키는데 더욱 효과적으로 기여하는 배선층과 그러한 배선층을 형성하는 방법이 요구되고 있다.
따라서 본 발명의 주요 목적은 카본 함유 알미늄으로 제조되는 박막배선층을 갖는 신규하고도 유용한 반도체 장치와 카본함유 알미늄으로 제조되는 박막배선층을 형성하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 좀더 구체적인 목적은 카본함유 알미늄으로 제조되는 박막배선층을 갖는 반도체 장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 반도체 장치에 의하면, 더미의 발생을 효과적으로 방지하며 또한 지극히작은 박막두께를 갖는 배선층내에서 전자이동과 스트레스 이동의 발생을 억제하는 것이 가능하다.
본 발명의 또 다른 목적은 카본함유 알미늄으로 제조되는 다수의 박막배선층들과 각 배선층의 상하부상에 형성되는 금속층을 갖는 반도체 장치를 제공하는 데 있다. 본 발명의 반도체 장치에 의하면 배선층내에 함유되는 카본에 의해 원인이 되는 배선층의 저항율을 줄이는 것이 가능하다.
본 발명의 또 다른 목적은 카본함유 알미늄으로 제조되는 배선층을 형성하는 데 플라즈마 고양 CVD법이 사용되는 박막배선층을 형성하는 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명의 방법에 의하면, 더미의 발생을 효과적으로 방지하고 또한 지극히 작은 박막두께를 갖는 배선층내의 전자이동과 스트레스 이동의 발생을 억제하는 것이 가능하다.
본 발명의 또 다른 목적은 카본함유 알미늄으로 제조되는 배선층을 형성하도록 마그네트론 플라즈마 CVD법이 사용되는 박막배선층을 형성하는 방법을 제공하는 데 있다. 본 발명의 방법에 의하면, 배선층의 박막두께를 안정되게 제어하는 것이 가능하다.
본 발명의 기타 목적들 및 특징들은 첨부된 도면들을 참조하여 설명되는 다음의 상세한 설명으로 부터 이해될 수 있다.
제 1 도는 다수의 알미늄 배선층들을 갖는 종래의 반도체 장치의 일예를 나타낸다. 제 1 도에서, 다수의 알미늄 배선층들 1은 실리콘이산화물(SiO2) 산화물 층 3상에 형성하되, 각 알미늄 배선층 1의 상부 및 하부상에 금속층 2를 형성한다. 더미의 발생은 단일 알미늄 배선층만이 형성되는 경우에 비해 어느정도 감소된다. 그러나 알미늄 배선층들 1내의 더미를 완전히 제거하는 것이 가능하므로 전술한 문제점들이 더미의 발생으로 인해 발생한다.
본 발명은 카본함유 알미늄으로 제조되는 배선층을 형성함으로서 종래의 반도체 장치의 문제점들을 제거한다.
제 2 도는 본 발명에 의한 박막배선층을 갖는 반도체 장치의 제1실시예의 요부를 나타낸다. 제2도에서, 반도체 장치는 실리콘기판 11, 확산층 12, SiO2산화물층 13 및 배선층 14를 포함한다. 배선층 14는 본 발명의 요부를 구성하며 또한 이러한 배선층은 키본함유 알미늄 박막이다.
이제 알미늄에 카본을 혼합시키는 방법에 관해 설명한다. 알미늄 박막이 이온주입에 의해 카본으로 도우프될 때 알미늄 박막의 저항율은 0.1 원자퍼센트 이상의 카본이 알미늄 박막으로 주입될 때 점차 증가한다. 그러나, 카본은 450℃의 열처리에서 알미늄 박막으로부터 침전된다. 그것은 카본과 알미늄간에 화학결합이 없기 때문에 알미늄 박막으로 부터 카본이 침전되고 또한 카본의 0.1 원자퍼센트의 용해도 한계이상에서의 열공정에 의해 알미늄 박막으로부터 카본이 침전된다는 것과 관계된다.
그런 까닭에 카본과 알미늄간의 화학 결합이 있도록 카본은 알미늄 박막으로 도입될 때 카본의 침전은 열처리후 조차 발생하지 않는다. 그러나 이 경우에 카본 함유 알미늄 박막은 원자퍼센트의 카본이 예정된 값을 초과할 때 배선층으로서 더 이상 사용될 수 없다. 왜냐하면, 카본의 원자퍼센트가 예정된 값을 초과할 때 저항율이 지수적으로 증가하기 때문이다.
제 3 도는 카본의 원자퍼셴트(C/(A1+C))가 변동될 경우, 열공정 전후의 카본의 원자퍼센트대 저항율 특성도를 나타낸다. 제3도로 부터 알 수 있는 바와같이 20% 이하의 카본의 원자퍼셴트에 대해 저항율의 증가는 사실상 없다. 또한 그 저항율은 20% 이하의 카본의 원자퍼셴트에 대해 450℃에서 열처리 후 약 절반이 된다. 예를들어, 카본의 원자퍼센트의 예정된 값은 제 3 도에서 30%이다.
X-레이 측정의 결과로서, 카본함유 알미늄 박막은 미세한 방위의 결정구조를 갖는다. 이것은 카본이 입자 경계내로 들어간 것과 관계된다. 열처리를 받기 전에 플라즈마-고양 CVD법에 의해 형성되는 알미늄 박막의 입도크기는 20nm 정도이다. 이러한 이유 때문에, 열처리동안 조차 알미늄 원자들의 이동을 억압시키는 것이 가능하며, 또한 카본함유 알미늄 박막의 입도크기는 30분 동안 600℃에서 열처리를 받은 후 조차 50nm 정도이다. 그밖에 전류밀도의 중가에 의해 원인이 되는 전자이동 또한 억제되므로 더미가 발생되지 않는다. 전자이동의 효과가 평균고장간격(MTF)으로 관측될 때 카본함유 알미늄 박막의 사용수명은 종래의 알미늄 박막의 것과 비교할 때 약 1디지트(유니트)만큼 더 길다는 것을 밝혀냈다. MTF의 활성에너지 레벨은 순 알이늄 박막에 대해 0.65eV인 한편 후술될 마그네트론 플라즈마 CVD법에 의해 형성되는 카본함유 알미늄 박막에 대한 MTF의 활성에너지 레벨은 0.73eV으로, 카본을 함유하는 알미늄 박막의 신뢰성은 종래의 알미늄 박막에 비해 개선된다. 더미는 카본을 함유하지 않는 종래의 알미늄 박막의 경우에 400℃에서 옆처리후 발생되나, 카본함유 알미늄 박막은 600℃에서 열처리 후 조차 더미가 발생되지 않는 종래의 알이늄 박막의 것들에 비해 우수한 특성들을 갖는다.
카본과 알미늄 원자들간의 화학결합은 X-레이 광전 분석기에 의해 측정되었으며 또한 카본과 알이늄 원자들간의 완전한 화학결합이 확인되었다. 본 발명에서, 미세한 결정구조를 갖는 알미늄 박막은 카본원자들이 알미늄 원자들에 화학적으로 결합되는 상태에서 카본을 그내에 함유한다. 따라서, 카본합유 알미늄 박막의 입도크기가 100nm 이하라는 사실을 극히 미세한 배선층을 실현시키는 데 있어 지극히 중요하다. 왜냐하면 구체적으로 배선층의 폭이 최근에 1μm 이하로 되고있기 때문이다.
실리콘 기판상에 형성되는 소자들을 전기적으로 연결할 때 접촉부들이 형성되어야만 하나 종래의 장치들은 실리콘이 실리콘 기판으로부터 알미늄 박막내로 쉽게 확산되는 문제점을 당면하게 된다. 그러나 본 발명에서는 카본함유 알미늄 박막에 실리콘을 첨가함으로서 카본함유 알미늄 박막내로 실리콘이 확산되는 것을 막아주는 것이 가능하다. 더우기, 실리콘 원자들의 이동 또한 카본과 실리콘 함유 알미늄 박막에 의해 억제되므로 접촉부에 실리콘의 고상 에피텍셜 성장이 거의 없다. 결과적으로, 접촉부 저항성분은 지극히 작다. 이 경우에, 이러한 용해도 한계가 초과될 때 카본을 함유하는 알미늄 박막으로 부터 실리콘이 침전되기 때문에 2%의 용해도 한계이하로 실리콘의 원자퍼센트를 제한할 필요가 있다.
그 다음, 카본함유 알미늄 박막을 제조시에 사용하는 플라즈마 고양 CVD법(이후 플라즈마 CVD로 간단히 칭함)에 관해 설명한다. 일반적으로 알미늄 박막이 소오스 가스하에서 열분해되는 열 CVD법에 의해 형성될 때 실질적인 표면 불규칙성들은 알미늄 박막상에서 발생된다. 본 발명에 사용되는 플라즈마 CVD법의 경우에서 조차 표면 불규칙성들은 알미늄 박막이 열분해가 발생하는 온도이상의 온도에서 형셩될 때 알미늄 박막상에서 발생된다. 표면 불규칙성들은 알미늄의 큰 접착성으로 인해 발생되는 것으로 본다. 이러한 현상은 열 CVD법에서 피할 수 없다.
따라서, 본 발명에서는 플라즈마 CVD법이 화학결합을 고양시키도록 유기금속가스 등을 여기시키는 데 사용되며 또한 알미늄 박막은 열분해 온도 이하 즉, 알미늄 접착이 발생하지 않는 온도에서 형성된다. 플라즈마 CVD법은 카본과 알미늄간에 화학결합이 플라즈마의 사용에 의해 완전하게 되는 점에서 유리하다.
제 4 도는 본 발명에 의한 박막 배선층을 형성하는 방법의 제 1 실시예에 사용되는 플라즈마 CVD법 시스템의 일반도를 나타낸다. 제 4 도에 보인 바와같이 실리콘(Si) 웨이퍼 21은 평행판형 플라즈마실 20내에 위치된다.
RF 발생기 22는 13.56MHz의 신호를 발생하며, 또한 히터 23은 Si 웨이퍼 21아래의 위치에서 실 20외부에 제공된다. 트리메틸 알미늄(Al(CH3)3,TMA)가스와 같은 유기금속 가스는 수소가스로 희석되어 상부전극의 샤워노즐들 24를 통해 실 20내로 도입된다. 이 경우에, TMA 가스는 15℃의 용융점이하의 온도 즉 예를들어 5℃로 냉각된다.
알곤 스퍼터 식각 시간대 이온농도 특성은 제5도에 나타낸다. 증착은 1kw의 RF 전력, 4.5Torr의 가스압력 및 30분동안 450℃의 열처리 온도로 수행된다. 열처리전에 상점선 C(b)로 나타낸 카본이외에 실선 H(b)로 나타낸 바와같은 박막내에서 수소가 관측됨을 제 5 도에 보인 분석결과로 부터 알 수 있다. 그러나, 450℃에서 열처리후 수소는 2점 쇄선 H(a)로 나타낸 바와같이 감소되는 한편 카본은 일점쇄선 C(a)로 나타낸다. 그것은 수소의 감소가 분해되지 않고 또한 열처리전에 박막내에 내포되는 CH3기를 제거하는 열처리에 의해 원인이 되는 것과 관계된다. 이러한 이유때문에, 박막의 증착후 열처리를 수행하는 것이 필수적이다. 제 5 도에서, 종좌표는 임의 단위의 세기를 나타내며, 단위 103의 근처의 상점선에 의해 나타낸 범위는 측정한계에 해당한다.
알미늄 박막내에 내포된 카본의 원자퍼센트는 RF 전력과 희석수소량을 변화시킴으로서 제어될 수 있다. 제 6 도는 희석 수소량대 증착속도 및 저항을 특성을 나타낸다. 희석 수소량이 예정된 값을 넘지 않을 때 저항율은 높고 증착율은 작음을 제 6 도로 부터 알 수 있다. 다시말하여, 희석수소량은 캐리어 가스(또는 소오스가스)의 약 60배 이상 되어야 한다. 캐리어 가스는 유기금속 가스와 실란(SiH4)가스의 가스 혼합물과 같은 유기금속 가스(TMA 가스)이외 일 수도 있다.
플라즈마 CVD법 동안 자계를 걸어서 플라즈마 반응을 자기적으로 고양시킴으로서 지극히 작은 저항율을 갖는 박막을 형성하도록 마그네트론 플라즈마 CVD법을 수행하는 것이 가능하다. 마그네트론 플라즈마 CVD법에 관해서는 본 발명에 의한 방법의 제 2 실시예와 관련하여 본 명세서의 뒤에서 설명한다. 다음 표는 가스압력, 박막두께, 저항율 및 플라즈마 CVD(PCVD)법과 마그네트론 플라즈마(CVD(MPCVD)법에의해 형성되는 박막들의 카본의 원자퍼센트를 비교한다. 여기서 괄호들내의 값들은 25분동안 450℃에 열공정후 얻은 값들을 나타낸다.
[표 1]
표로부터 볼 수 있는 바와같이, 가스압력은 플라즈마의 발생이 안정되는 그러한 범위내에서는 높으며, 또한 저항율은 제 7 도에 나타낸 바와같이 자계세기가 증가할 수록 더 작아지는 것이 좋다. 제 7 도로부터 알수 있는 바와같이, 카본의 원자 퍼센트와 저항율은 자계밀도를 제어함으로서 작게 만들 수 있으며, 또한 카본의 원자 퍼센트와 카본은 200 가우스이상의 자계강도에 대해 특히 작게 만들 수 있다.
제 8 도는 열공정온도대 저항율 특성도이다. 제 8 도로 부터 알 수 있는 바와같이, 300℃ 이상의 열공정과 780가우스의 자계강도를 갖는 마그네트론-플라즈마 CVD법은 저항율을 감소시키는 데에 효과적이다.
제 9 도는 RF 전력대 증착속도 및 저항율 특성을 나타낸다. 증착율은 RF 전력의 증가와 더불어 증가하나 저항율은 고유변동을 이행한다. 다시말하여, 증착이 저 RF 전력에 놓일 때, 증착율은 느리게 되고 또한 산소의 상관 섭취량은 저항율은 증가시키도록 증가하는 문제가 있다. 다른한편, RF 전력이 지나치게 높을 때, 폴리머가 형성되는(즉, 카본 원자퍼센트가 너무 큼)것이 불편하다. 따라서, RF 전력은 300W 내지 800W의 범위내에 있는 것이 좋다.
제10a 및 10b도는 열 CVD법을 사용하는 종래 방법과 증기증착 또는 스퍼터링 각각을 사용하는 종래 방법에 의해 형성되는 박막들을 나타내는 힁단면도 들이다. 알미늄 박막 30이 열 CVD에 의해 Si 층(또는 기판) 28의 사웁에 제공되는 SiO2산화물층 29상에 형성될 때 제10a도에 나타낸 바와같이 알미늄 박막 30위에 표면 불규칙성들이 있다. 알미늄 박막 31이 증기중착 또는 스퍼터링에 의해 SiO2산화물층 29상에 형성되며 또한 그 후 450℃에서 열처리를 받을 때 더미 32는 제10b도에 보인 바와같이 알미늄 박막 3l상에서 발생된다.
다른한편, 제10c도는 플라즈마 CVD법을 사용하는 본 발명의 방법의 제 1 실시예에 의해 형성되는 박막을 나타내는 횡단면도이다. 카본함유 알이늄 박막 33이 플라즈마 CVD법에 의해 바람직하게는 780 가우스의 자계강도로서 마그네트론 플라즈마 CVD법에 의해 SiO2산화물충 29상에 형성될 때 더미는 카본함유 알미늄 박막 33상에 발생되지 않으며, 또한 박막 33은 알미늄 원자들의 이동에 의해 영향을 덜 받음을 알 수 있다.
제11도는 본 발명에 의한 박막 배선층들을 갖는 반도체 장치의 제 2 실시예의 요부를 나타낸다. 제11도에서, 카본함유 알미늄으로 제조된 다수의 배선층들 41은 각 배선층 41의 상부와 하부상에 금속층 42가 형성되는 식으로 실리콘 이산화물(SiO2) 산화물층 43상에 형성된다. 예를들어, 배선층 41내에 함유되는 카본의 원자퍼센트는 10% 내지 30%의 범위내에 세트된다. 금속층 42는 0.1% 이하로 카본의 적은 원자퍼센트를 함유하는 알미늄 또는 티타늄(Ti) 및 텅스텐(W)과 같은 기타 금속들로 제조될 수 있다. 본 실시예에 의하면, 전체적으로 배선층들 41의 저항율을 더 감소시키고 또한 배선층들 41상의 바람직하지 않은 스트레스 효과를 감소시키고 그밖에 전술한 실시예에서 얻을 수 있는 효과들을 얻는 것이 가능하다.
제12도는 본 발명에 의한 박막 배선층들을 갖는 반도체 장치의 제 3 실시예의 요부를 나타낸다. 제12도에서, 반도체 장치는 실리콘 기판 46, Si기판 46상에 형성되는 SiO2산화물층 47, SiO2산화물층 47내의 접촉구멍 47a, 카본함유 알미늄으로 제조되는 제1 및 제 2 배선층들 48, 제1 및 제 2 배선층들 48간에 제공되는 금속층 49 그리고 접촉구멍 47a 밑의 확산층 50으로 구성된다. SiO2산화물층 47 바로위에 형성되는 제1배선층 48은 접촉구멍 47a를 통해 확산층 50과 접촉된다. 제 1 배선층 48도 또한 Si기판 46내의 실리콘이 알미늄으로 제조된 제1배선층 48내로 확산되지 않도록 실리콘을 함유한다. 예를 들어, 금속층 49가 카본함유 알미늄으로 제조될 때 제 1 배선층 4에 내포된 카본 원자 퍼센트는 금속층 49의 것에 비해 크게 된다.
제13도는 어니일링 온도대 반응층 두께 특성을 나타낸다. 순 알미늄으로 제조된 박막이 예를 들어 Si층상에 형성된 다음 어니일링 공정(30분 동안)을 받을 때 반응층은 제13도에 보인 바와같이 약 400℃ 이상의 어니일링 온도에서 Si층상에 헝성된다. 그러나, 카본함유 알미늄으로 제조된 박막이 Si층상에 형성된 다음 어니일링 공정(30분동안)을 받을 때 반응층은 제13도에 보인 바와같이 약 500℃ 이상의 어니일링 온도에서만 형성된다. 따라서, 카본함유 알미늄으로 제조된 제1배선층 48이 제2배선층 48내에 내포된 것보다 더 큰 카본의 원자퍼센트를 포함할 때 확산층 50상에 반응층의 형성을 방지하고 또한 전체적으로 제1 및 제 2 배선층들 48의 저항율을 최소화하고 그밖에 전술한 제 1 실시예에서 얻을 수 있는 효과를 얻는 것이 가능하다. 본 실시예에서도 물론 제11도에 보인 제2실시예의 경우에서와 같이 두 배선층들 이상을 제공하는 것이 가능하다.
그 다음, 반도체장치내에 박막 배선층들을 형성하는 방법에 관한 설명을 제14a 내지 14c도를 참조하여 제12도에 나타낸다. 제14a 내지 14c도에서, 제12도내의 것과 동일부분에는 동일번호를 부기하고 그의 설명은 생략한다.
첫째로, 제14a도에서, SiO2산화물층 47은 열산화 또는 CVD법에 의해 7000Å의 박막두께에 Si기관 46상에 형성된다.
둘째로, 제14b도에서, 접촉구멍 47a가 공지의 패턴닝 공정에 의해 SiO2산화물층 47내에 형성된 다음, 그 접촉구멍 47a를 통해 Si기판 46내로 불순물들을 주입한 다음, 확산층 50을 형성하도록 활상화시킨다. 그밖에, 제 1 배선층 48이 플라즈마 CVD법에 의해 SiO2산화물충 47상에 2000Å의 두께로 형성되며, 여기서 제 1 배선층 48은 카본이 알미늄에 화학적으로 결합되는 상태에서 카본의 15원자퍼센트를 함유하는 알미늄으로 제조된다. 플라즈마 CVD법은 TMA가스와 희석수소의 가스혼합물을 플라즈마내로 도입시킴으로서 알미늄을 증착시키도륵 13.56MHz의 RF 플라즈마내에서 2.3Torr의 가스압력으로 평행판형 플라즈마 CVD시스템에 의해 수행된다. 작은 입도크기를 유지하도록 50℃ 내지 100℃의 범위내에서 비교적 낮은 기판온도를 유지시키는 것이 필요하다.
Si기판 46내의 실리콘이 알미늄 주원료로 제조되는 제 1 배선층 48내로 확산되는 것을 방지하도록 확산층50(즉, Si기판 46)과 직접 접촉시켜 주는 제 1 배선층 48이 추가로 실리콘의 1 내지 2원자퍼센트를 함유하는 것이 좋다. 실리콘은 TMA 가스, 수소가스 및 실란(SiH4)가스로서 플라즈마 CVD법을 수행함으로서 제 1 배선층 48내로 도입된다.
셋쩨로, 금속층 49가 CVD법 또는 스퍼터링에 의해 6000Å의 박막두께로 제1배선층 48상에 형성된 다음, 제 2 배선층 48이 제 1 배선층의 경우에서와 같이 2000Å의 두께로 금속층 49위에 헝성된다. 제 2 배선층이 48이 카본 이외에 실리콘을 함유한다는 것이 요지가 아니다.
특히 제 4 도를 참조하여 전술한 본 발명에 의한 박막 배선층을 형성하는 방법의 제1실시예는 플라즈마 CVD를 사용한다. 그러나, 플라즈마 CVD법은 분해를 야기시키는 고압가스를 얻기위해 큰 RF 전력을 필요로 한다. 그러나, 큰 RF 전력이 사용될 때 실리콘 웨이퍼는 쉽게 손상된다. 그러므로 플라즈마 CVD법에 의해 형성된 박막의 두께를 안정되게 제어하는 것이 어렵다.
제15a 및 15b도는 플라즈마내의 전자운동을 설명하기 위한 도면으로 제15a도는 자계를 걸어주지 않은경우의 전자운동을 나타내며, 제15b도는 자계를 걸어준 경우의 전자운동을 나타낸다. 제15a도에 보인 경우에, 플라즈마내의 전자 e는 입자 A로 제어하는 동안 전계 E의 방향과 반대방향으로 운동한다.
다른한편, 제15b도에 보인 경우에, 전자 e는 식 re=3.4x(
/B)(cm)로 나타낸 원운동을 하며, 여기서 re는 라만반경(cm)을 나타내며, V는 전자에너지(eV)를 그리고 B는 자계강도(가우스)를 나타낸다. 그러므로, 전자 e의 진행거리(평균자유행정) λe는 길어지고, 전자 e는 입자를 A와 더 많이 충돌한다. 결과적으로 가스입자들이 더 많이 여기되므로 플라즈마 반응이 고양된다.
종래의 식각에 의하면, 가스압력은 10-2Torr 정도로 낮다.
이러한 이유때문에 조건 λ
re가 만족되며, 또한 특유의 의존성이 가스압력, 전력 및 소오스(캐리어)가스양 중에는 존재하지 않는다.
그러나 본 발명자들은 MPCVD 법의 경우에 가스압력이 0.5Torr 내지 5Torr의 범위내에 있으며, 10-2Torr의 상술한 값에 비해 비교적 높으며, 또한 이러한 비교적 높은 가스압력때문에 예정된 조건이 가스압력, RF 전력 및 자계강도중에서 만족될 때 MPCVD 법에 의해 형성되는 박막의 두께를 안정되게 제어하는 것이 가능함을 밝혀냈다.
따라서, MPCVD 법을 사용하는 본 발명에 의한 박막배선층을 형성하는 방법의 제 2 실시예에 관해 이제 설명한다. 제16도는 일반적으로 그 방법의 제 2 실시에에 사용되는 MPCVD 법을 나타낸다. 제16도에 보인바와같이, 실리콘 웨이퍼 61은 평행한 판형 플라즈마실 60내에 위치된다. RF 발생기 62는 13.56MHz의 신호를 발생시키며, 히터 63은 실리콘 웨이퍼 61 아래의 위치에서 실 60외부에 제공된다. 자석 65는 히터 63아래의 실 60외부에 위치된다. 트리메딜 알미늄(Al(CH3)3,TMA)가스와 같은 유기금속 가스는 수소가스에 의해 희석되어 상부전극의 샤워노즐들 64를 통해 실 60내로 도입된다. 이 경우에, TMA 가스는 15℃의 용융점 이하의 온도 즉, 예를들어 5℃로 냉각된다.
제17도는 수평성분과 수직성분 각각에 대한 Si 웨이퍼 61상의 자계강도 분포를 나타낸다. 수평셩분은 Si 웨이퍼 61의 상부면과 평행한 방향으로 취해지며, 또한 수직성분은 Si 웨이퍼 61의 상부면에 수직방향으로 취해진다. 자계로 인한 플라즈마내의 전자 e의 운동은 제18a도에 보인 나선운동과 제18b도에 보인 사이클로이드 운동으로 대충 나눌 수 있다. 나선운동은 수직자계성분에 의해 원인이 되는 반면 사이클로이드 운동은 수평자계 성분에 의해 굽혀진 전자가 음극에 의해 반사되어 단독으로 표류할 때 수평자계 성분에 의해 원인이 된다. 자력선들이 제22도와 관련하여 후술되는 바와같이 Si 웨이퍼 61을 침투하지 못하도록 자계를 걸어준 경우에, 자계강도 분포는 제17도에 보인 바와같이 되므로 결국 Si 웨이퍼 61의 중심부분에서 주로 사이클로이드 운동이 있으며, 또한 Si 웨이퍼 61의 중심부분의 좌우의 여러 부분들에서 주로 나선운동이 있다.
제19도는 Si 웨이퍼 61상의 알미늄 박막두께 분포를 나타낸다. 제19도로부터 알 수 있는 바와같이 Si 웨이퍼 61의 중심부분에서의 증착속도는 RF 전력밀도가 감소됨에 따라 감소한다. 왜냐하면, RF 전력밀도의 감소로 인해 전자의 사이클로이드 운동 반경이 증가하므로 자계의 효과가 필요없기 때문이다.
1.0W/cm2의 RF 전력밀도에서, 그 증착상의 전자들의 나선운동과 사이클로이드 운동의 효과는 거의 동일하게 되며, 균일한 박막두께를 갖는 박막을 형성하는 것이 가능하다. 더우기, RF 전력밀도가 예를들어 1.3W/cm2으로 증가될 때 주로 전자들의 사이클로이드 운동이 있으므로 플라즈마 반응은 Si 웨이퍼 61의 중심부분에서 고양되며, 그에의해 Si 웨이퍼 61의 중심부분에서만 증착속도가 증가한다. 결과적으로 RF 전력밀도는 균일한 두께를 갖는 박막을 형성하도록 예정된 범위내로 세트되어야 한다.
제20도는 RF 전력밀도대 증착속도 특성을 나타낸다. 높은 RF 전력밀도 영역내에서 증착속도의 감소는 플라즈마 반응을 자기적으로 향상시키도록 자계를 걸어주는 본 실시예에 한정된다. 가장 양호한 실시예에서, RF 전력밀도는 0.5W/cm2내지 2.0W/cm2의 범위내에 세트되며 또한 TMA 가스의 사용에 의해 알미늄 박막의 증착을 위한 최적범위는 1.0W/cm2내지 1.5W/cm2이다.
제21도는 TMA 캐리어 가스 유속대 증착속도 특성을 나타낸다. 제21도에 보인 이러한 특성은 TMA 가스가 소오스 가스로서 사용될 때 얻어지며, 희석수소량은 1.5ℓ/분이고, RF 전력밀도는 1W/cm2이고, 자계강도는 780가우스이고, 또한 가스압력은 2.3Torr이다. 그것은 증착속도가 15ml/분 이상의 TMA 캐리어 가스 유속에 대해 Si 웨이퍼 61의 중심부분에서 감소하는 것과 관계된다. 왜냐하면 사이클로이드 운동을 행하는 전자들의 평균자유 행정이 TMA의 큰 분자들로 인해 감소하며 또한 TMA 가스의 여기가 불충분하기 때문이다. 다시말하여, 걸어주는 자계의 바람직한 효과들을 인출하기 위해 RF 전력밀도 또는 자계강도는 평균자유 행정 λe와 라만반경이 거의 동일하게 되도톡 증가되어야 한다.
제22도는 Si 웨이퍼 61위에 걸어주는 자계에 의해 발생되는 자력선들을 나타내는 것으로 자계를 걸어주도륵 소위 평면 마그네트론이 사용된다. 제22도에 나타낸 바와같이, TMA 가스는 화살표 71로 나타낸 바와같이 수직 방향을 따라 자력선들 70으로 나타낸 자계내로 도입되며, 또한 자력선들 70은 Si 웨이퍼 61을 침투하지 못하나, Si 웨이퍼 61위에서 루우프로 분포된다. 그밖에, 자계 강도는 TMA 가스가 도입되는 샤워노즐들(도시안됨)을 향해 더 약하다는 것은 중요하다. 이러한 측정들을 취함으로서, 증착은 Si 웨이퍼 61의 표면근처에서 전자들의 사이클로이드 운동에 의해 단독으로 여기되는 TMA 가스로 인해 Si 웨이퍼 61의 표면상에서 발생한다. 다시말하여, 플라즈마 화학반응은 걸린자계에 의해 Si 웨이퍼 61의 표면상에 국부적으로 한정된다. 이경우에, 증착은 Si 웨이퍼 61의 표면근처에서 주로 행해지기 때문에 배선층의 계단부분을 만족스럽게 형성하는 것이 가능하다. 다른한편, 자계 강도가 샤워노즐들을 향해 더 약해지기 때문에, 제1단에서 전자들의 사이클로이드 운동에 의해 TMA 가스를 민감하게 여기시킨다음 후단에서 그 반응을 고양시키는 것이 가능하다.
제23도는 RF 전력밀도대 증착속도 특성을 나타낸다. 전자의 평균자유 행정은 가스압력이 증가될 때 감소하기 때문에 자계강도와 RF 전력밀도가 높은 값으로 각각 세트되지 않는 한 가스의 분해를 고양시키는 것은 불가능하다. 제23도로부터 알 수 있는 바와같이, 자계강도가 상수인 경우에, RF 전력밀도는 가스압력의 증가량에 해당하는 양만큼씩 증가되어야 한다.
그러므로, 자계강도 또는 RF 전력밀도는 가스압력에 의존하는 예정된 값보다 큰 값으로 세트되어야 함을 보여준다. 왜냐하면 가스분자들은 박막증착이 발생하는 활성에너지 레벨보다 크거나 그와 동일한 에너지 레벨로 여기되어야 한다. 다시말하여,(자계강도)×(RF 전력밀도)/(가스입력)에 의해 결정되는 값 P를 증착이 발생되는 활성에너지 레벨에 비례하며 또한 예정된 범위내로 값으로 세트시켜야 한다. 구체적으로 말하여, 자계강도는 200가우스 내지 1500가우스의 범위내에 있고, RF 전력밀도는 0.5W/cm2내지 2.0W/cm2의 범위내에 있고, 그리고 가스압력은 1Torr 내지 5Torr의 범위내에 있는 것이 좋으며, 이 경우에 자계강도, RF 전력밀도 및 가스압력으로부터 결정되는 상술한 값 P는 20가우스 W/cm2.Torr 내지 3000가우스.W/cm2.Torr의 범위내에 있다. 제24도는 자계강도대 저항율 특성을 나타내는 것으로 제24도로부더 볼 수있는 바와같이 저항율은 작은 것으로, 자계강도가 200가우스 이상의 값에 세트될 때 20μΩ-cm 정도이다.
그러므로, 본 실시예의 방법에 의하면, MPCVD에 의해 형성되는 배선층의 박막두께를 안정되게 제어하고 또한 균일한 박막두께를 갖는 지극히 얇은 배선층을 형성하는 것이 가능하다.
그다음, 어니일링 공정이 수행된 후의 플라즈마 CVD 법과 MPCVD 법에 의해 각각 형성되는 카본함유 알미늄 박막들의 X-레이 회전각대 X-레이 강도 특성들에 관해 설명한다. 제25A 및 25b도는 어니일링 공정이 500℃에서 25분동안 수행된 후 플라즈마 CVD 법과 MPCVD 법에 의해 형성된 카본함유 알미늄 박막들의 X-레이 회절각 대 X-레이 강도 특성을 나타낸다.
MPCVD 법에서 걸어주는 자계의 강도는 제25b도에 보인 경우에 대해 780가우스로 세트되나 자계 강도는 200가우스 이상의 임의값으로 세트될 수도 있다.
플라즈마 CVD 법에 의해 형성된 카본함유 알미늄 박막의 미립자들은 일반적으로 (111) 평면상에 방위됨을 제25a도로 부터 알 수 있는반면, MPCVD 법에 의해 형성된 카본함유 알미늄 박막의 미립자들은 일반적으로(200) 평면상에 방위됨을 제25b도로부터 알 수 있다. MPCVD 법에 의해 형성된 카본함유 알미늄 박막의 입도크기는 어니일링 공정이 수행된 후조차 60nm 이하로서 종래의 알미늄 박막의 것에 비해 상당히 작다.
전술한 바와같이, MPCVD 법에 의해 형성된 카본함유 알미늄 박막의 저항율은 플라즈마 CVD 법에 의해 형성된 것에 비해 작다. 그밖에 MPCVD 법에 의해 형성된 카본함유 알미늄 박막의 조직은 플라즈마CVD 법에 의해 형성된 것에 비해 미세(농후)하다. 그 결과로서, MPCVD에 의해 형성되는 카본함유 알미늄 박막의 신뢰성은 플라즈마 CVD에 의해 형성된 것에 비해 높다.
제25a 및 제25b도를 참조함으로서, 플라즈마 CVD 법에 의해 형성된 것에 비해 MPCVD 법에 의해 형성된 카본함유 알미늄 박막의 상술한 장점들이 알미늄 박막이 카본을 함유한다는 사실이외에도(200) 평면상에서 미립자 방위에 의해 거의 유도됨을 알 수 있다.
또한 본 발명은 상술한 실시예들에 국한되지 않고, 본 발명의 창구범위와 정신으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 여러 수정변경 가능함을 이해할 것이다.
Claims (27)
- 제 1 층과, 상기 제 1 층상에 형성되는 제 2 층으로 구성하되, 상기 제 2 층은 적어도 카본을 함유하는 알미늄으로 제조되는 박막배선층인 것을 특징으로 하는 박막배선층을 갖는 반도체 장치.
- 제 1 항에서, 상기 제 2 층은 카본이 알미늄과 화학적으로 결합되는 상태로 카본을 30 이하의 원자퍼센트로 함유하는 것이 특징인 박막배선층을 갖는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 층은 실리콘으로 제조되며, 또한 상기 제 2 층은 실리콘도 더 함유하는 것이 특징인 박막배선층을 갖는 반도체 장치.
- 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 층은 실리콘을 2이하의 원자퍼센트로 함유하는 것이 특징인 박막배선층을 갖는 반도체 장치.
- 제 1 항에서, 상기 제 2 층상에 형성되며, 금속으로 제조되는 제 3 층고, 상기 제 3 층상에 형성되는 제 4 층을 더 포함하되, 상기 제 4 층을 카본 함유알미늄으로 제조되는 박막인 것이 특징인 박막배선츠을 갖는반도체 장치.
- 제 5 항에서, 상기 제 3 층은 텅스텐과 티타늄을 포함하는 그룹으로부터 선택된 금속으로 제조되는 것이 특징인 박막배선층을 갖는 반도체 장치.
- 제 5 항에서, 상기 제 3 층은 카본함유 알미늄으로 제조되며, 싱기 제 3 층은 상기 제 2 및 제 4 층들내에 함유된 카본의 원자퍼센트에 비해 작은 카본원자 퍼센트를 함유하는 것이 특징인 박막배선층을 갖는 반도제 장치.
- 제 5 항에서, 상기 제 1 층은 실리콘으로 제조되며, 또한 상기 제 2 층은 실리콘도 더 포함하는 것이 특징인 박막배선층을 갖는 반도체 장치.
- 제 5 항에서, 상기 제 2 층은 상기 제 4 층내에 함유된 카본 원자퍼센트보다 큰 카본 원자퍼센트를 함유하는 것이 특징인 박막배선층을 갖는 반도체 장치.
- 제 5 항에서, 상기 다수의 제 3 및 제 4 층들이 제 3 층 각각이 두개의 제 4 층들간에 샌드위치되도록 교호로 연속하여 제공되는 것이 특징인 박막배선층을 갖는 반도체 장치.
- 제 1 항에서, 상기 제 2 층의 미립자들은 일반적으로(200) 평면상에 방위가 정해지는 것이 특징인 박막배선층을 갖는 반도체 장치.
- 제 1 층상에 박막 제 2 층을 형성하는 방법에 있어서, 상기 방법은 : 상기 제 2 층을 형성하도록 알미늄의 응집온도와 동일 또는 그이하의 온도에서 상기 제 1 층상에 적어도 카본을 함유하는 알미늄을 증착시키는 단계와, 그리고 300℃와 동일 그 이상의 온도에서 상기 제 1 및 제 2 층들을 열처리하는 단계를 포함하는 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
- 제12항에서, 상기 알미늄 증착단계는 카본이외에 실리콘 함유 알미늄을 증착시키는 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
- 제12항에서, 상기 알미늄 증착단계를 플라즈마 고양 화학증기 증착법을 사용하는 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
- 제14항에서, 상기 플라즈마 고양 화학증기 증착법은 소오스 가스로서 유기금속 가스를 사용하는 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
- 제15항에서, 상기 유기금속가스는 트리메틸 알미늄가스인 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
- 제15항에서, 상기 플라즈마 고양 화학증기 증착은 상기 유기금속가스의 약 60배의 양의 희석수소가스를 사용하는 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
- 제14항에서, 상기 플라즈마 고양 학학증기 증착법은 유기금속가스와 실란가스(Silane Gas)의 가스혼합물을 사용하는 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
- 제18항에서, 상기 유금속가스는 트리메틸 알미늄가스인 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
- 제18항에서, 상기 플라즈마 고양 화학증기 증착법은 상기 가스혼합물의 약 60배의 양의 희석수소 가스를 사용하는 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
- 제14항에서, 상기 플라즈마 고양 화합증기 증착은 용융점과 동일 또는 그이하의 온도로 세트된 상기 유기금속가스로서 수행되는 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
- 제12항에서, 상기 알미늄 증착단계는 플라즈마 고양 화학증기 증착법은 자계를 걸어줌으로서 상기 제 1 층의 표면상에 국부적으로 한정되는 플라즈마 화학반응으로 상기 제 1 층상에서 수행되는 마그네트론 플라즈마 화학 증기증착법을 사용하는 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
- 제22항에서, 값 P는 증착반응이 발생하는 활성에너지 레벨에 비례하는 값으로 세트되며 또한 예정된 범위내에 있으며, 여기서 P는 (자계강도)×(RF 전력밀도)/(가스압력)으로 기술되는 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
- 제23항에서, 값 P는 자계를 걸어주지 않은 상태에서 플라즈마내에서 전자들의 평균자유행정은 자계를 걸어준 상태에서 플라즈마내에서 전자의 라만반경과 거의 동일한 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
- 제23항에서, 자계강도는 200가우스 내지 1500가우스의 범위내에 있으며, RF 전력밀도 0.5W/cm2의 범위내에 있으며, 가스압력은 1Torr 내지 5Torr의 범위내에 있는 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
- 제23항에서, 상기 값 P는 20가우스.W/cm2.Torr 내지 3000가우스.W/cm2.Torr의 범위내에 있는 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
- 제22항에서, 자계는 평면 마그네트론에 의해 상기 제 1 층위에 걸리며 그에의해 발생되는 자려선들로 상기 제 1 층으로 침투됨이 없이 상기 제 1 층 위에서 루우프식으로 분포되는 것이 특징인 박막배선층 형성방법.
Applications Claiming Priority (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP193446 | 1986-08-19 | ||
| JP193445 | 1986-08-19 | ||
| JP19344686A JPS6348846A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 薄膜装置及びその形成方法 |
| JP61193445A JPS6348845A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 薄膜装置及びその形成方法 |
| JP193447 | 1986-08-19 | ||
| JP19344786A JPS6350477A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | 薄膜装置の形成方法 |
| JP61-193446 | 1986-08-19 | ||
| JP61-193445 | 1986-08-19 | ||
| JP61-193447 | 1986-08-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR880003408A KR880003408A (ko) | 1988-05-17 |
| KR900006486B1 true KR900006486B1 (ko) | 1990-09-01 |
Family
ID=27326767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019870009034A KR900006486B1 (ko) | 1986-08-19 | 1987-08-19 | 박막배선층을 갖는 반도체장치 및 그의 박막배선층 형성방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5148259A (ko) |
| EP (1) | EP0256557B1 (ko) |
| KR (1) | KR900006486B1 (ko) |
| DE (1) | DE3783405T2 (ko) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5594280A (en) * | 1987-10-08 | 1997-01-14 | Anelva Corporation | Method of forming a thin film and apparatus of forming a metal thin film utilizing temperature controlling means |
| US5260604A (en) * | 1988-09-27 | 1993-11-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with improved immunity to contact and conductor defects |
| US5367179A (en) * | 1990-04-25 | 1994-11-22 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin-film transistor having electrodes made of aluminum, and an active matrix panel using same |
| US5243202A (en) * | 1990-04-25 | 1993-09-07 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin-film transistor and a liquid crystal matrix display device using thin-film transistors of this type |
| US5418397A (en) * | 1990-07-04 | 1995-05-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having an interconnection pattern |
| US5300813A (en) * | 1992-02-26 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias |
| JP2905032B2 (ja) * | 1992-05-12 | 1999-06-14 | シャープ株式会社 | 金属配線の製造方法 |
| JPH06302599A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5497076A (en) * | 1993-10-25 | 1996-03-05 | Lsi Logic Corporation | Determination of failure criteria based upon grain boundary electromigration in metal alloy films |
| US5518805A (en) * | 1994-04-28 | 1996-05-21 | Xerox Corporation | Hillock-free multilayer metal lines for high performance thin film structures |
| US5633199A (en) * | 1995-11-02 | 1997-05-27 | Motorola Inc. | Process for fabricating a metallized interconnect structure in a semiconductor device |
| GB2323475B (en) * | 1995-11-21 | 1999-08-11 | Lg Electronics Inc | Controlling the generation of hillocks in liquid crystal devices |
| KR0186206B1 (ko) * | 1995-11-21 | 1999-05-01 | 구자홍 | 액정표시소자 및 그의 제조방법 |
| JP3759999B2 (ja) * | 1996-07-16 | 2006-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、液晶表示装置、ｅｌ装置、ｔｖカメラ表示装置、パーソナルコンピュータ、カーナビゲーションシステム、ｔｖプロジェクション装置及びビデオカメラ |
| JPH10125619A (ja) * | 1996-10-09 | 1998-05-15 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 配線層および配線層の形成方法 |
| US6222271B1 (en) | 1997-07-15 | 2001-04-24 | Micron Technology, Inc. | Method of using hydrogen gas in sputter deposition of aluminum-containing films and aluminum-containing films derived therefrom |
| US5969423A (en) | 1997-07-15 | 1999-10-19 | Micron Technology, Inc. | Aluminum-containing films derived from using hydrogen and oxygen gas in sputter deposition |
| US7202497B2 (en) * | 1997-11-27 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP4014710B2 (ja) | 1997-11-28 | 2007-11-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US6365514B1 (en) * | 1997-12-23 | 2002-04-02 | Intel Corporation | Two chamber metal reflow process |
| US6057238A (en) * | 1998-03-20 | 2000-05-02 | Micron Technology, Inc. | Method of using hydrogen and oxygen gas in sputter deposition of aluminum-containing films and aluminum-containing films derived therefrom |
| US6187673B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-02-13 | Micron Technology, Inc. | Small grain size, conformal aluminum interconnects and method for their formation |
| US6413863B1 (en) * | 2000-01-24 | 2002-07-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to resolve the passivation surface roughness during formation of the AlCu pad for the copper process |
| KR100399066B1 (ko) * | 2000-12-28 | 2003-09-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 알루미늄 합금 박막 제조 방법 |
| JP2003089864A (ja) * | 2001-09-18 | 2003-03-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材 |
| US6955980B2 (en) * | 2002-08-30 | 2005-10-18 | Texas Instruments Incorporated | Reducing the migration of grain boundaries |
| JP4202091B2 (ja) * | 2002-11-05 | 2008-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型液晶表示装置の作製方法 |
| US7384862B2 (en) | 2003-06-30 | 2008-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device and display device |
| US8003449B2 (en) * | 2004-11-26 | 2011-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device having a reverse staggered thin film transistor |
| US8835294B2 (en) * | 2010-03-16 | 2014-09-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for improving thermal stability of metal gate |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1718685A (en) * | 1927-04-25 | 1929-06-25 | Ludlum Steel Company | Ferro-aluminum alloy and method of making it |
| US2815084A (en) * | 1954-02-09 | 1957-12-03 | Ford Motor Co | Independent rear wheel suspension for motor vehicles |
| GB2041983B (en) * | 1978-11-09 | 1982-12-01 | Standard Telephones Cables Ltd | Metallising semiconductor devices |
| DE3217026A1 (de) * | 1981-05-06 | 1982-12-30 | Mitsubishi Denki K.K., Tokyo | Halbleitervorrichtung |
| JPS58182821A (ja) * | 1982-04-21 | 1983-10-25 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60165366A (ja) * | 1984-02-08 | 1985-08-28 | Nippon Steel Corp | 耐熱性高強度アルミメツキ鋼板 |
| JPS61216445A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-26 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US4673623A (en) * | 1985-05-06 | 1987-06-16 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Layered and homogeneous films of aluminum and aluminum/silicon with titanium and tungsten for multilevel interconnects |
| JPH07116555B2 (ja) * | 1985-06-11 | 1995-12-13 | 大同特殊鋼株式会社 | リードフレーム材料およびその製造方法 |
| JPS6254045A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-09 | Toyota Motor Corp | 炭化ケイ素及び窒化ケイ素短繊維強化アルミニウム合金 |
| JPS6329548A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-02-08 | シ−メンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 集積回路の金属化部 |
| JPS63115372A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS6464255A (en) * | 1987-08-11 | 1989-03-10 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS6445163A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-17 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
| US5019891A (en) * | 1988-01-20 | 1991-05-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| US4990997A (en) * | 1988-04-20 | 1991-02-05 | Fujitsu Limited | Crystal grain diffusion barrier structure for a semiconductor device |
| US4942451A (en) * | 1988-09-27 | 1990-07-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device having improved antireflection coating |
| JPH07120655B2 (ja) * | 1988-10-25 | 1995-12-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2850393B2 (ja) * | 1988-12-15 | 1999-01-27 | 株式会社デンソー | アルミニウム配線及びその製造方法 |
| US5051812A (en) * | 1989-07-14 | 1991-09-24 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
-
1987
- 1987-08-18 EP EP87111993A patent/EP0256557B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-08-18 DE DE8787111993T patent/DE3783405T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-08-19 KR KR1019870009034A patent/KR900006486B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1991
- 1991-07-31 US US07/740,872 patent/US5148259A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR880003408A (ko) | 1988-05-17 |
| DE3783405T2 (de) | 1993-08-05 |
| DE3783405D1 (de) | 1993-02-18 |
| US5148259A (en) | 1992-09-15 |
| EP0256557A2 (en) | 1988-02-24 |
| EP0256557B1 (en) | 1993-01-07 |
| EP0256557A3 (en) | 1989-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900006486B1 (ko) | 박막배선층을 갖는 반도체장치 및 그의 박막배선층 형성방법 | |
| US5487923A (en) | Method for depositing tungsten nitride thin films for formation of metal wirings of silicon semiconductor elements | |
| US6444568B1 (en) | Method of forming a copper diffusion barrier | |
| US5278100A (en) | Chemical vapor deposition technique for depositing titanium silicide on semiconductor wafers | |
| US5831335A (en) | Semiconductor device contains refractory metal or metal silicide with less than 1% weight of halogen atom | |
| US7443032B2 (en) | Memory device with chemical vapor deposition of titanium for titanium silicide contacts | |
| KR100236668B1 (ko) | 저항 및 결함밀도가 낮은 텅스텐 접점을 실리콘 반도체 웨이퍼에 형성하기위한 방법 | |
| US5240739A (en) | Chemical vapor deposition technique for depositing titanium silicide on semiconductor wafers | |
| EP0420595B1 (en) | Deposited film formation method utilizing selective deposition by use of alkyl aluminum hydride | |
| US7923322B2 (en) | Method of forming a capacitor | |
| US6458699B1 (en) | Methods of forming a contact to a substrate | |
| JPS5852342B2 (ja) | 基体上に珪化金属の層を設ける方法 | |
| EP0493002B1 (en) | Process for forming deposition film | |
| JP3110857B2 (ja) | ＴｉＮ▲ｘ▼層を含む製品の作製方法 | |
| US5309000A (en) | Diamond films with heat-resisting ohmic electrodes | |
| Ahn | A comparison of tungsten film deposition techniques for very large scale integration technology | |
| JPH10199881A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH036652B2 (ko) | ||
| CN111540673A (zh) | 半导体器件的形成方法 | |
| JPS63175418A (ja) | 半導体装置用のドープされた多結晶質シリコン層 | |
| JPH0613332A (ja) | プラズマｃｖｄ法および半導体装置の製造方法 | |
| JP3023189B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR900000442B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼상에 형성되는 알미늄 금속화층 및 그의 제조방법 | |
| KR950006345B1 (ko) | 텅스텐질화박막을 베리어메탈로 이용한 실리콘 반도체소자의 알루미늄금속배선 형성방법 | |
| KR100352661B1 (ko) | 반도체 소자 배선용 구리 박막의 증착속도를 높이기 위한전처리 세정방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 19970821 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |