KR900004310B1 - 자기 헤드 - Google Patents

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KR900004310B1
KR900004310B1 KR1019860011172A KR860011172A KR900004310B1 KR 900004310 B1 KR900004310 B1 KR 900004310B1 KR 1019860011172 A KR1019860011172 A KR 1019860011172A KR 860011172 A KR860011172 A KR 860011172A KR 900004310 B1 KR900004310 B1 KR 900004310B1
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다게오 야마시다
히데오 자마
쥬이지 모리가와
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가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음.

Description

자기 헤드
제 1 도는 본 발명의 1실시예에 있어서의 자기 헤드의 기록 매체 대향면을 도시한 평면도.
제 2 도는 본 발명의 l실시예에 있어서의 자기 헤드의 사시도.
제 3 도는 본 발명의 1실시예에 있어서의 자기 헤드의 제조과정에서 얻어지는 코어부편을 도시한 측면도.
제 4a 도 내지 제 4d 도는 종래 기술에 있어서의 각종의 자기 헤드의 기록매체 대향면의 중요부를 도시한 평면도.
제 4e 도와 제 4f 도는 각각 본 발명의 1실시예와 다른 실시예에 있어서의 자기 헤드의 기록 매체 대향면의 중요부를 도시한 평면도.
제 5 도와 제 6 도는 종래 기술에 있어서의 자기 헤드의 기록매체 대향면을 도시한 평면도.
본 발명은 자기(磁氣)기록 재생 및 소거용(消去用) 자기 헤드(head)에 관하여, 특히 자기 헤드 코어(core)재료로 금속 자성(磁性)재료가 사용되고, 또한 자기 헤드의 트랙(track)폭 규제용 홈(groove)부에 유리(glass)가 충진되어 있는 고밀도 기록재생과 소거용에 가장 적합한 자기 헤드에 관한 것이다.
종래, 고밀도 기록용의 자기 헤드는 자기 코어 재료로서 높은 포화 자속밀도(飽和磁束密度)를 가진 금속자성재료를 사용하여, 선(線)기록밀도를 높이기 위해서, 자기 갭(gap)을 좁게하고, 또한 트랙 밀도를 높이기 위하여, 코어폭을 좁게한 구조로 되어 있다. 이 트랙폭에 착안하여보면, 통상의 좁은 트랙 자기 헤드는 코어의 자기저항, 내접동(耐摺動) 수명, 기계적 강도등의 관점에서, 자기 코어폭을 넓게해서, 자기 갭근방의 필요부분에만 조이는 홈(groove for narrowing)을 마련하여, 소요의 트랙폭으로 하는 방법이 취해지고 있다. 그리고, 이 조이는 홈에는 비(非)자성재료로서 신뢰성이 높은 유리가 충진된다.
이와같은, 자기 헤드에 있어서, 좁은 트랙 조이는 홈에 직접 유리를 충진하면, 금속자성재와 유리와의 반응에 의해 자성재의 특성 열화(劣化)가 문제로 된다. 특히, 자성재가 박막(薄膜)형성 기술로 형성된 막에서는 유리와의 반응이 벌크(bulk)재료보다 심한 것으로 된다.
이로 인해, 예를 들면 일본국 공개 특허 공보 소화 56-124111호에 기재한 것과 같이, 금속자성재와 충진유리의 사이에 수천(數千) Å∼수μm의 SiO, SiO2혹은 고융점(高融點) 유리등의 고융점 물질의 막을 보호막으로서 피착(被着)하여 두는 방법이 제안되고 있다.
또, 일본국 공개 특허 공보 소화 60-125909호에 있어서는, 금속자성재와 유리의 젖는 성질(wettability)을 충분하게 얻을 수가 없으므로, 금속자성재를 사용한 자기헤드의 트랙폭 규제 홈부에 금속막과 산화물막을 마련하고, 상기 산화물 막위에 유리를 충진하는 방법이 제안되어 있다. 그외에, 같은 종류의 구성요건으로서, 일본국 공개 특허공보 소화 59-142716호가 있다.
제 5 도는, 종래의 금속 자성막을 사용한 자기헤드의 기록매체 대향면을 도시한 평면도를 도시한다. 자기헤드는, 2개의 자기코어 반체(半體) 15,15'로 도시하지 않은 코일(coil) 권선(卷線)으로 되어 있다. 각각의 코어 반체는 보호코어로서의 페라이트(ferrite) 10과 금속자성막 11의 복합재(複合材)로 되어, 트랙 폭 조이는 홈부에 유리 12가 충진되어 보강된 구조로 되어 있다. 이 코어 반체 15,15'는 비자성 갭막 14를 거쳐서 접합(接合)되어 있다. 상기 자기 헤드는 제조공정에 있어서, 페라이트 기판 10의 경사면에 금속자성막 11을 형성한 후, 유리 12를 용융(溶融)하여 충진된다. 이때, 유리 12와 금속자성막 11의 일부가 반응하여, 금속자성막의 자기특성이 열화하여 버린다. 이로인해, 금속 자성막의 피착후에 수 1000Å∼수 μm의 SiO, SiO2혹은 고융점 유리등의 고융점 물질의 막 13을 보호막으로 피착하여 두고, 이것을 금속자성막과 유리의 반응방지막으로 하고 있다.
그러나, 이 방법에 있어서는 다음과 같은 결점이 있었다.
(1) 유리와 보호막의 반응에 의해서 기포(氣泡)가 발생한다. 이 기포는 유리중에 가두어져서, 구멍(穴)으로 되어, 기록매체 대향면에 나타나기 때문에 매체에 손상을 주는 원인으로 된다.
(2) 산화물 보호막을 수 μm이하로 하면, 금속자성막, 코어재와의 열팽창계수의 차가 그다지 문제가 되지 않으므로, 산화물 보호재의 선택범위가 넓어지는 반면, 반응방지막으로서 막의 두께가 충분치 못하다. 이로인해, 유리와의 반응층은, 금속 자성막까지 도달하여, 금속자성막의 특성이 열화한다.
(3) 또, 산화물 보호막을 수 μm이상 형성하여, 반응층이 금속자성막까지 도달하지 않도록하면, 보호막의 열팽창계수의 차가 무시될 수 없게 되어, 유리에 크랙(crack)이 들어가버린다. 또, 기포의 량도 증가한다.,
제 6 도는 다른 종래예를 도시하기 위한 자기헤드의 기록매체 대향 평면도면이다. 이 자기 헤드는 금속자성재(예를 들면, 센다스트(sendust)) 11'로 되는 2개의 코어반체 15,15'로 되어 있다. 이 코어 반체는 자기갭 근방부에 좁은 트랙용의 절결(切缺)홈이 마련되어 있고, 자기 갭 14를 거쳐서 접합 일체화 된다. 이 접합은 유리 12를 충진하여 행하여진다. 본 종래예에 있어서는, 금속자성재 11'와 유리의 밀착, 접합강도를 향상하는 목적으로, 유리 충진홈에, 비자성 금속막 16을 피착하고, 그 위에 산화물막을 피착한후, 유리를 충진한 구조로 되어 있다.
이로 인해서, 센다스트 합금(合金)등의 금속자성재 11'와 비자성금속막 16의 부착력(付着力), 비자성금속막 16과 금속산화물막 13의 부착력, 금속산화물막 13과 유리 12의 부착력이라는 친화성(親和性)이 큰 것끼리의 부착의 연쇄가 얻어지는 결과, 충진 유리의 기계적강도와 코어반체의 접합이 매우 견고한 것으로 되는 것이 제안되고 있다.
그러나, 상기와 같은 구조에 있어서도 다음과 같은 결점이 있는 것을 알았다.
(1) 상기 종래예와 마찬가지로 유리 12를 충진하는 면에 금속산화물 13이 있으므로, 반응에 의해서 기포가 발생한다. 역으로 유리와 반응하지 않는 금속산화물막으로 하면, 접착강도가 떨어져, 유리가 결락(缺落)하여 버린다.
본 발명의 목적은 상기 종래의 결점을 해소하여, 금속자성재와 유리의 조합(組合)으로 구성되는 자기 헤드 특성열화를 개선하고, 제조 효율을 크게 향상하는데 있다.
상기 목적은 금속자성재료를 사용한 자기헤드의 트랙 폭 조이는 홈부에 비자성 산화물막 또는 탄화물막, 비자성금속막의 순으로 보호막을 마련하고, 또한 상기 비자성 금속막위에 유리를 충진하는 것에 의해 달성된다.
주지하는 바와 같이, 금속자성재로서는 증착(蒸着) 또는 스팟타링(sputtering)등의 박막형성기술로 형성되는, 비정질(非晶質) 자성합금, Fe-Al-Si계 합금, Ni-Fe합금, 질화철(窒化纖)등의 높은 포화 자속밀도의 것으로 된다.
보호막을 구성하는 재료는, 비자성 산화물 또는 탄화물로서, SiO2, Al2O3, ZrO2의 군(群)에서 또는 TiC, SiC, B4C의 군에서 선택된다.
비자성금속막으로는, Cr, Ti, Mo, Al, Cu, Si, Ge의 군으로 되는 1종 또는 2종이상으로 되며, 이것을 베이스(base)로한 합금이라도 좋다.
본 발명은 특히 금속자성막위에, 비자성산화물막 또는 탄화물막, 그리고 그위에 비자성 금속막을 형성하여 유리를 충진하는 구성으로 된다. 또, 상기 비자성금속막 위에 다시 유리의 스팟터막을 마련하고, 이 유리막 위에 상기 유리를 충진하면 보다 우수한 결과가 얻어진다.
금속자성막위에, 높은 경도(高硬度)의 비자성산화물막 또는 탄화물막을 형성하는 것으로, 금속자성막으로 형성되는 트랙폭의 끝부분이 명확하게 되어, 치수의 정밀도가 높은 트랙폭이 얻어진다. 또, 자기 갭 끝부분의 둔함(dullness)이 없어진다. 비자성산화물막 또는 탄화물막 위에 다시 비자성 금속막을 형성하는 것에 의해서, 충진 유리와 비자성 산화물막 혹은 탄화물막이 직접 접촉하지 않으므로, 충진유리 내의 기포가 거의 생기지 않는다. 그리고, 본 발명의 비자성 금속막은 PbO를 주성분으로 하는 유리와 젖기쉽고 부착력이 강하다. 또, 비자성산화물막 또는 탄화물막과 유리의 반응 깊이보다 얕기 때문에, 막의 두께가 얇게 된다. 얇게 되는 것은 각각의 구성재료와의 열팽창 계수의 차가 거의 문제가 되지 않게 된다.
상기 금속자성막은 보호코어를 기판으로 하여, 그 위에 박막형성기술에 의해 형성된다. 보호 코어의 재료로서는, 높은 투자율(透磁率) 자성재료인 Mn-Zn페라이트나 Ni-Zn페라이트를 들 수가 있고, 또 결정화(結晶化)유리, 세라믹(ceramic)등의 비자성재라도 좋다.
보호코어를 높은 투자율의 자성체로한 경우에는, 금속자성막과 함께, 자로(磁路)가 형성되므로, 자로 후부에 있어서, 금속자성막에 요구되는 자기특성의 엄격함이 느슨하게 되어, 자기 헤드의 제조가 용이하다.
한편, 비자성보호코어로 하였을 경우에는, 금속자성막만으로 자로가 구성된다. 따라서, 페라이트를 보호코어로 하였을 경우와 비교해서, ① 접동잡음(rubbing noice)이 적고, S/N이 향상한다. ② 인닥턴스(inductance)가 적으므로, 코일 권수를 증가할 수가 있어, 재생출력이 향상하는 등의 이점이 있다.
상기 비자성산화물 또는 비자성탄화물의 막의 두께는 0.2μm∼3μm로 하는 것이 좋다. 이 막의 두께가 상기의 범위 미만이면, 갭맞춤 부분의 맞춤어긋남이 생겼을 때에, 충진유리가 갭부분에 침입하며, 트랙끝부분에 반응층이 형성되고, 또 상기 범위를 초과하면 유리에 크랙(crack)이 생기므로, 모든 것이 바람직하지 못하다.
또, 비자성금속막의 두께는 0.1μm∼2μm로 한다. 비자성금속막의 두께가 0.1μm미만이면, 비자성금속막에 핀홀(pin hole)이 생기며, 그 핀홀에서 유리의 침입이 있어, 비자성산화물 또는 비자성 탄화물의 막과 반응하여, 기포발생의 원인으로 되며, 또 2μm를 초과하면, 충진한 유리에 크랙을 일으키므로, 모든것이 바람직하지 못하다.
비자성금속막위에, 다시 유리막을 형성하는 경우는 0.1μm∼1μm의 두께로 한다. 0.1μm이만에서는 그 효과가 적고, 1μm를 초과하더라도 조금도 효과가 증대하는 일은 없다.
[실시예 1]
제 1 도는, 본 실시예에 있어서의 자기 헤드의 기록매체 대향면을 도시한 평면도. 제 2 도는 그 자기 헤드의 사시도면이다. 제 3 도는 본 실시예의 자기 헤드의 제조방법에 있어서의 제조과정에서 얻어지는 코어부편(部片)을 도시한 측면도면이다. 또, 제 4a 도 내지 제 4d 도는 종래의 자기 헤드의 기록매체 대향면의 중요부를 도시한 평면도, 제 4 도 e는 본 실시예에 있어서의 자기 헤드의 기록매체 대향면의 중요부를 도시한 평면도면이다.
제 1 도와 제 2 도에 있어서, 30,30'는 자기 헤드 코어를 구성하는 코어반체이다. 한쪽의 코어 반체 30에는 코일권선용의 홈 37이 형성되어 있다. 각각의 코어반체 30,30'는 보호코어재 31(본 실시예에서는 Mn-Zn페라이트재로 하였다)과, 금속자성막 32로 되며, 유리 35와 금속자성막 32의 사이에 보호막 33과 34가 형성되어 있다. 보호막은 비자성 산화물 또는 탄화물 33, 비자성금속막 34의 순으로 형성된다. 그리고, 비자성자기 갭막 36을 거쳐서, 2개의 코어 반체 30,30'는 유리 35에 의해서 접합 일체화된다.
그리고, 금속자성막 32는 코어 폭 T보다도 좁은 트랙폭 tw를 얻기 위하여, 산형(山形)으로 가공된 보호코어재 31의 경사면에 형성하는 구조로 되어있다. 또, 금속자성막 32, 보호막 33,34는 기록매체 대향면뿐만 아니라, 코일권선창(卷線窓)주위에도 형성된다.
제 2 도에는 코일권선의 도시가 생략되어 있으나, 코일권선은 장착(裝着)하는 것으로 한다.
구체적인 실시예를 다음의 종래예와 비교하면서 설명한다.
제 3 도는 코어부편의 측면도면이다. Mn-Zn페라이트 기판 31'의 윗면에 산형의 돌출부를 남기도록 V자상태의 홈을 여러개 형성하였다. 산형의 각도 θ는 60도로 하였다. 다음에 이 산형과 홈의 전면에 85at.% Co-11.5at.% Nb-3.5at% Zr인 비정질 자성합금막 32를 한층의 두께가 6μm의 4층막을 스팟터법에 의해 형성하였다(도시하지 않음). 이때, 비정질 자성합금막 층간에 두께 약 0.05μm의 SiO2막을 역시 스팟터법에 의해 형성하여, 고주파 특성을 개선하기 위한 다층막(多層膜)으로 하였다.
다음에 상기 금속자성막 32위에 보호막으로서, 비자성산화물 또는 탄화물 33, 비자성금속막 34의 순으로 스팟터법에 의해 형성하였다. 그 후, PbO가 85wt.%이고, 그 외에 13wt.%, B2O3, 1wt.% SiO2, 1wt.% Al2O3을 포함하는 납(鉛)유리 35를 460℃로 가열해서 충진하였다. 이와같이 구성한 자기 코어 부편을 A-A면까지 연삭(硏削), 연마(硏魔)하여 금속자성막 32를 트랙폭만큼 노출시켜, 2개의 코어부편을 대칭으로 겹쳐서, 다시 460℃에서 가열하고, 유리 35를 연화(軟化), 용융하는 것에 의해서 접합하였다. 이것을 코어형상으로 절단해서 제 2 도에 도시한 것과같은 자기 헤드 코어를 얻었다.
이와 같은 공정에 의해서 만들어진 자기 헤드에 대해서, 보호막의 재료, 구성을 여러가지로 검토한 결과를 제1표, 제2표에 제시한다.
[표 1]
Figure kpo00001
[표 2]
Figure kpo00002
제1표는 종래 방법에 의해서 만든 자기 헤드에 대해서 조사한 유리중의 기포효율, 금속자성막과 보호막의 반응, 금속자성막과 유리의 반응 및 유리의 크랙상태를 도시한 것이다.
제2표는 본 발명에 의한 보호막재료, 구성에 대해서 조사한 결과이다.
제 4a 도 내지 제 4e 도는 제1표, 제2표의 결과를 모식도로 도시한 자기헤드 코어의 기록매체 대향면의 중요부분이다. 제 4a 도 내지 제 4d 도는 종래예의 제1표에 대응하고, 제 4e 도는 본 실시예의 제2표에 대응한다.
종래예인 제1표의 No.1은 제 4a 도에 대응한다. 금속자성막 32에 직접 유리 35를 충진한 것이며, 금속자성막 32와 유리 35가 반응하여, 보자력(保磁力)이 100 Oe이상인 영구자석막 41이 형성되어 있는 것을 알았다. 이 영구자석막 41은 기록한 신호를 소거하여 버림으로 중요한 문제로 된다. 또, 자기 갭 끝부분 44도 반응하여, 갭이 넓어진 것을 알았다. 그리고, 유리중에 기포 38도 많이 발견되었다.
No.2는 제 4b 도에 대응한다. 보호막으로서 SiO2막을 2μm 형성한 것이지만,2μm의 SiO2막 40은 유리 35와의 반응에 의해서 완전히 소실하여, 금속자성막 32도 반응이 일어나, 영구자석막 41이 형성되어 있는 것을 알았다. 기포 38도 많았었다.
No.3은 SiO2막을 5μm로 두껍게하여 반응방지를 행한결과이다. 제 4c 도와 같이 SiO2막 중 40의 부분이 반응하여, 소실하지만, 일부는 SiO2막 39로 남아서, 금속자성막 32까지는 도달하고 있지 않다. 그러나, 유리 35에 크랙 42가 생겨버렸다. 또, 기포 38도 많이 발생하여, 바람직한 결과를 얻을 수가 없었다.
No.4, No.5는 제 4d 도에 도시한 것과 같이 금속자성막 32위에 Cr막 혹은 Ti막 34를 형성하여 유리 35를 충진한 결과이다. 이 구성에서는 기포의 발생은 확인되지 않았으나, 금속자성막 32와 Cr 또는 Ti막 34의 경계(境界)에 얇은 반응층 43이 확인되어, 보자력 약 10 Oe의 자성층이 형성되어 있었다. 이 반응층 43은 기록재생에 대해서 신호를 열화시키는 원인으로 된다.
No.6, No.7은 금속자성막 32위에 보호막으로서, Cr막, SiO2막의 순으로 형성한 예, Cr막, Al2O3막의 순으로 형성한 예이다. 이 경우도 유리와 접촉하는 부분은, 산화물막이며, 제 4c 도와 마찬가지로 유리 35와 산화물막 40과의 반응에 의해서 기포의 발생이 많이 발견되었다. 산화물막의 두께가 1μm로 얇기 때문에, 크랙은 생기지 않았었다.
한편, 제2표는 본 발명에 의한 실험 결과를 제시한다. 이 결과는 제 4e 도의 구성에 의한 것으로 금속자성막 32위에 비자성산화물막 또는 탄화물막 33, 비자성금속막 34의 순으로 형성한 후, 유리 35를 충진한 것이다.
제2표에 제시한 실시예에서는 비자성산화물막 또는 탄화물막 33으로서, SiO2, Al2O3, ZrO2, TiC, SiC, B4C를 사용하고, 비자성금속막으로서는 Cr, Ti, Mo, Al, Ge, Si를 사용하여 마찬가지로 스팟터법으로 형성하였다.
그 결과는 No.8∼No.20에 제시한 것과 같이, 종래법에 비해, 유리중의 기포의 발생이 적고, 높은 효율을 나타내는 것을 알았다. 또, 0.1∼1μm로 얇은 막이라도 반응 방지효과가 우수하다는 것을 알았다.
그리고, 본 발명의 보호막은 기록매체 대향면뿐만 아니라, 금속자성막과 유리가 접촉하는 모든 부분에 마련하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 자기 갭 근방부의 코일 권선용 홈의 안쪽은 갭 길이를 정밀도 좋게 규정하기 위하여 효과가 있다.
본 발명의 보호막의 스팟터 조건은 Ar 깨스 압력 5×10-3Torr로 행하고, 스팟터 후, 충분히 세척한 후 납 유리를 용융충진하였다. 충진유리로서는 비정질자성합금의 경우, 결정화 온도가 500℃∼560℃이기 때문에, 결정화를 일으키지 않는 조건으로서, 450℃∼530℃가 적당하다. 따라서, 상술과 같이 낮은 융점 유리로서 PbO가 중량 %로 75∼85%함유하는 유리(일본국 공개 실용신안 공보 소화 57-195621호에 개시된 것)를 사용하였다.
유리충진은 Ar 또는 N2분위기(雰圍氣) 중에서도 행하였으나, PbO함유율이 높은 유리에 있어서는 납이 금속화하는 경우가 있고, 산소를 소량(예를 들면 5Vol.%) 함유하는 분위기에서 충진하면, 납이 유리(遊離)되는 일도 없이 접착(接着)강도가 증가하는 것을 알았다.
본 발명에 사용되는 비정질 자성합금막은 Co계의 메탈-메탈계(metal-metal system), 메탈-메타로이드계(metal-metalloid system)가 사용되지만, 내식성(耐食'性) 내마모성(耐魔耗性), 스팟터링에 의한 조성 엇갈림등을 고려하면 메탈-메탈계가 보다 적합하다.
한편, 85wt% Fe-6wt% Al-9wt% Si계(센다스트)합금에 있어서도 마찬가지의 결과가 얻어지는 것을 확인하였다. 센다스트인 경우에는 스팟터한 그대로의 막에서는 보자력이 큰 막으로 되기 때문에, 스팟터 후에 약 600℃에서 어닐(anneal)할 필요가 있다. 따라서, 내열성에 우수한 것에 의해서, 비정질 합금보다도 고온에서 유리를 충진할수가 있다. 그러나, 고온으로 하면, 보호막과의 반응면에서 엄격하게되어, 유리충진의 온도는 500℃∼600℃가 가장 적합하였었다.
[실시예 2]
본 실시예에 있어서는, 상기 실시예의 구성의 보호막 위에 다시 스팟터법에 의해서 유리막 53을 형성하고, 유리 충진을 행하는 것에 의해서 기포발생에 착안한 효율을 향상시켰다.
[표 3]
Figure kpo00003
제3표는 그 실험결과를 제시한다. 상기 실험결과에서 보호막으로서 비자성산화물막 또는 탄화물막, 다음에 비자성금속막, 그리고 납유리막을 형성한 후, 유리를 충진하는 것에 의해서 유리중의 기포에 착안한 효율을 90%이상으로 향상하였다. 여기에 따라서 밀착력도 향상하였다. 유리막 A는 스팟터타겟(sputtertarget)에 PbO 85%, B2O313%, SiO21%, Al2O31%(중량 %)의 것을 사용하였다. 유리막 B는 SiO268%, PbO 15%, NaO 10%, K2O 6%, CaO 1%(중량 %)이다. 유리막의 스팟터 조건으로서, Ar에 5Vol%의 O2를 함유한 분위기에서 행하는 것에 의해서 산소결핍상태를 보완할수가 있는 이점이 있다.
또, 스팟터 중에 막안에 가두어진 깨스를 방충시키기 위하여, 유리 충진전에 300℃∼400℃에서 가열, 탈(脫)깨스 하는 방법도 가장 적합하다.
제 4f 도는 본 실시예에 있어서의 자기 헤드의 기록 매체 대향면 중요부를 도시한 평면도면이다. 53은 비자성금속막 34위에 마련된 유리막이다.
본 발명에 의하면, (1) 금속자성막과 유리의 반응의 문제가 없어지게 되어, 기록재생 특성이 향상한다. 바꾸어말하면, 금속자성막과 유리의 반응층에 의해, 기록신호를 열화시키는 문제가 해소된다. (2) 유리 중에 발생하는 기포가 크게 감소하므로, 기포부에 의해서 기록매체면의 손상이 없어지게 되며, 자기헤드의 수명이 길어진다. 또, 헤드 제조 효율도 크게 향상한다는 등의 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 금속 자성재료를 자기 헤드 코어의 적어도, 자기 갭구성부에 사용한 자기 헤드에 있어서, 트랙폭 규제용 조이는 홈 부에 산화물막 또는 탄화물막(33), 비자성 금속막(34)의 순으로 마련하고, 상기 비자성 금속막위에 유리(35)를 충진한 것을 특징으로 하는 자기 헤드.
  2. 상기 비자성 금속막(34)위에 다시 유리막(53)을 마련하고, 그 유리막위에 유리(35)를 충진한 것을 특징으로 하는 특허 청구의 범위 제 1 항 기재의 자기 헤드.
  3. 상기 금속자성재료가 자성합금막(32)으로 되고, 산화물막 또는 탄화물막(33) 이 SiO2, Al2O3, ZrO2, TiC, SiC의 군에서 선택되는 1종, 비자성금속막(34)이 Cr, Ti, Mo, Al, Ge, Si로 되는 군에서 선택되는 적어도 1종 또는 이것을 베이스로 한 합금인 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제 1 항 기재의 자기 헤드.
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