KR890015427A - 전하 결합장치 - Google Patents

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KR890015427A
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KR1019890003034A
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요셉 피에레 도이비쎈 알베르트
Original Assignee
이반 밀러 레르너
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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Abstract

내용없음

Description

전하 결합장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 따른 FT감지기내의 수평 판독레지스터의 일부를 도식적으로 도시한 평면도, 제 3 도는 라인 Ⅲ-Ⅲ상에 취해진 상기 배치의 단면도, 제 4 도는 제 2 도의 라인 Ⅳ-Ⅳ상에 취해진 단면도.

Claims (5)

  1. 한 표면내에서 적어도 두 인접한 전하 운반 채널을 가진 반도체를 구비하고, 상기 표면상에 제공된 클럭 전극의 두 행과 병렬 전하 운반 방향부를 가지며, 전하운반 채널의 전하 저장 영역내에 전하 패킷을 나타내는 정보를 제어 가능하게 저장하여, 한 전하 영역으로부터 다음 전하 저장 영역으로 전하 패킷을 운반하기 위해 클럭 전압을 인가하는 전하 운반 채널을 길이 방향으로 연장하는 반면에, 상기 두 전하 운반 채널 사이에 적어도 하나의 접속 채널은 형성되어 전하 제한 영역만큼 제한되며, 그로 통해 전하 패킷은 제 1 전하 운반 채널내의 한 전하 저장 영역으로부터 제 2 전하 운반 채널로 이동될 수 있는 전하 결합 장치에 있어서, 제 1 전하 운반 채널의 상기 제 1 전하 저장 영역에 결합된 클럭 전극은 제 1 전하 운반 채널의 인접한 전하 저장 영역에 결합된 클럭 전극보다 접속 채널에 인접한 측면상에서 더 넓은 것을 특징으로 하는 전하 결합장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 제 1 전하 저장 영역에 결합된 상기 클럭 전극은 대향측상에서 보다 접속 채널에 인접한 측상에서 더 큰 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 전하 결합 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 클럭 전극은 사다리 꼴형인 것을 특징으로 하는 전하 결합 장치.
  4. 제1 내지 3항의 어느 한 항에 있어서, 두 인접한 전하 운반 채널은 제 1 전하 운반 채널의 n전극의 각 그룹이 전하 저장 전극을 포함할 시에 n상 장치로 구성되며, 상기 전하 저장 전극은 접속 채널에 대응하여, 비교적 같은 폭을 가진 같은 그룹내의 잔여 전하 저장 전극보다 접속 채널에 인접한 측상에서 더 큰 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 전하 결합 장치.
  5. 전술한 어느 한 항에 있어서, 제1 및 2전하 운반 채널은 2차원 영상 감지기의 판독 레지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 전하 결합장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890003034A 1988-03-15 1989-03-13 전하 결합장치 KR890015427A (ko)

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5206530A (en) * 1989-05-02 1993-04-27 Sony Corporation Charge transfer device having multiple registers
JPH03114236A (ja) * 1989-09-28 1991-05-15 Sony Corp 電荷転送装置
US4949183A (en) * 1989-11-29 1990-08-14 Eastman Kodak Company Image sensor having multiple horizontal shift registers
JP2697246B2 (ja) * 1990-05-14 1998-01-14 日本電気株式会社 固体撮像素子
US5196719A (en) * 1990-05-14 1993-03-23 Nec Corporation Solid-state image pick-up device having electric field for accelerating electric charges from photoelectric converting region to shift register
US5650644A (en) * 1990-05-16 1997-07-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Charge transfer device having a plurality of vertical and horizontal charge-coupled devices with improved configurations for isolation regions and impurity implanted regions between the charge-coupled devices
JP2949861B2 (ja) * 1991-01-18 1999-09-20 日本電気株式会社 Ｃｃｄリニアイメージセンサ
JP3146526B2 (ja) * 1991-07-09 2001-03-19 ソニー株式会社 Ｃｃｄ撮像素子
US5220184A (en) * 1992-05-29 1993-06-15 Eastman Kodak Company Multiple array linear CCD imager
FR2704978B1 (fr) * 1993-05-07 1995-06-09 Thomson Csf Semiconducteurs Dispositif à transfert de charges à grille d'étraînement.
JP3002365B2 (ja) * 1993-09-16 2000-01-24 シャープ株式会社 電荷転送装置及びその駆動方法
JPH09246519A (ja) * 1996-03-14 1997-09-19 Sony Corp 固体撮像装置およびその駆動方法
EP1356525A1 (en) 2001-01-23 2003-10-29 Dalsa Corporation Charge-coupled device
JP2007115912A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置及びその製造方法
US7692706B2 (en) * 2006-07-20 2010-04-06 Eastman Kodak Company Charge summing in multiple output charge-coupled devices in an image sensor

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3971003A (en) * 1974-11-18 1976-07-20 Rca Corporation Charge coupled device imager
DE2842285C2 (de) * 1978-09-28 1980-09-18 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Ladungsverschiebespeicher in Seriell-Parallel-Seriell-Organisation
DE2912801A1 (de) * 1979-03-30 1980-10-09 Siemens Ag Monolithisch integrierte filterschaltung
DE2939518A1 (de) * 1979-09-28 1981-04-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Monolithisch integrierte schaltung zur zeilenweisen bildabtastung
US4376897A (en) * 1980-06-25 1983-03-15 International Business Machines Corp. Low voltage serial to parallel to serial charge coupled device
JPS58190169A (ja) * 1982-04-30 1983-11-07 Toshiba Corp 固体撮像装置
JPS58210662A (ja) * 1982-05-31 1983-12-07 Fujitsu Ltd 電荷転送装置
JPS5934658A (ja) * 1982-08-20 1984-02-25 Hitachi Ltd 固体撮像素子
US4513313A (en) * 1982-12-07 1985-04-23 Canon Kabushiki Kaisha Solid state imaging device
GB8314300D0 (en) * 1983-05-24 1983-06-29 Gen Electric Co Plc Image sensors
JPS60163459A (ja) * 1984-02-06 1985-08-26 Hitachi Ltd 固体撮像素子
JPS60187054A (ja) * 1984-03-06 1985-09-24 Matsushita Electronics Corp 電荷転送装置およびその駆動方法
FR2564674B1 (fr) * 1984-05-18 1986-09-19 Thomson Csf Barrette multilineaire a transfert de charge et procede d'analyse
JPH0697670B2 (ja) * 1984-07-31 1994-11-30 株式会社東芝 電荷量演算装置
US4658278A (en) * 1985-04-15 1987-04-14 Rca Corporation High density charge-coupled device imager and method of making the same
US4807037A (en) * 1987-03-06 1989-02-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Low noise CCD image sensor having a plurality of horizontal CCD registers
US4862235A (en) * 1988-06-30 1989-08-29 Tektronix, Inc. Electrode structure for a corner turn in a series-parallel-series charge coupled device

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Publication number Publication date
CN1037236A (zh) 1989-11-15
DE68923203D1 (de) 1995-08-03
CN1027412C (zh) 1995-01-11
DE68923203T2 (de) 1996-02-01
JPH029138A (ja) 1990-01-12
NL8800627A (nl) 1989-10-02
US5164807A (en) 1992-11-17
EP0333260B1 (en) 1995-06-28
EP0333260A1 (en) 1989-09-20

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