KR880006703A - 전하 결합 소자 - Google Patents

전하 결합 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR880006703A
KR880006703A KR870013331A KR870013331A KR880006703A KR 880006703 A KR880006703 A KR 880006703A KR 870013331 A KR870013331 A KR 870013331A KR 870013331 A KR870013331 A KR 870013331A KR 880006703 A KR880006703 A KR 880006703A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
charge
electrode
electrodes
shift register
electrode system
Prior art date
Application number
KR870013331A
Other languages
English (en)
Inventor
얀 마리아 에쎄르 레오나르드
Original Assignee
이반 밀러 레르너
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이반 밀러 레르너, 엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄 filed Critical 이반 밀러 레르너
Publication of KR880006703A publication Critical patent/KR880006703A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C27/00Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
    • G11C27/04Shift registers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/44Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
    • H04N25/441Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by reading contiguous pixels from selected rows or columns of the array, e.g. interlaced scanning
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/72Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using frame transfer [FT]
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/745Circuitry for generating timing or clock signals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

전하 결합 소자
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 결합 영상 감지 장ㅊ의 개략도,
제2도는 본 장치의 감지부분의 단면도,
제3도는 제2도의 일부로 작동동안의 많은 순간에 전위 분포를 도시한 도면.

Claims (6)

  1. 반도체 몸체에 형성된 전하 이동 채널과 전하 이동 채널을 통해 전하의 이동을 제어하는 전극 시스템과, 전하 패킷의 저장동안 소자가 m상 장치로 작동되고 이동동안은 n상 소자로 작동되는(n는 m보다 큰) 전극 시스템에 전압이 공급될 수 있게 하는 한편 전하 패킷은 이전의 패킷이 어떤 일정한 거리로 전위되기전까지 이동에 참여하지 않도록 제공된 시프트 레지스터를 구비하는 전하 결합 소자에 있어서, 보조 그룹의 전극 시스템은 최소환 많은 수의 전극에 소스 공통으로 접속되는 전극과 교번상태에 있는 전극을 구비하는 시프트 레지스터에 접속되는 것을 특징으로 하는 전하 결합 소자.
  2. 제1항에 있어서, 전극 시스템의 전극은 시프트 레지스터에 교반상태로 접속되며, 많은 전극에 대해 공급 도전체 공통으로 접속되는 것을 특징으로 하는 전하 결합 소자.
  3. 제1항에 있어서, 전하 패킷의 저장동안 전위웰이 시프트 레지스터에 접속된 전극 아래서 유도되며, 전위 장벽은 상기 공급 도전체에 접속된 전극 아래에서 유도되는 그러한 전압을 인가하는 수단이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 전하 결합 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 보조 그룹을 형성하지 않는 전극은 제1 및 제2공급 도전체에 교대로 접속되는 것을 특징으로 하는 전하 결합 소자.
  5. 제4항에 있어서, 클럭 전압은 상기 보조 그룹의 전극에 인가된 클럭 전압에 대해 180°위상으로 위상이 회전될 수 있는 제1 및 제2공급 도전체에 인가되며, 그결과 전자 전달 채널에서 전하 이동의 방향이 역으로 되는 것을 특징으로 하는 전하 결합 소자.
  6. 제1항에 있어서, 전극은 2개의 교차 전극의 시스템 즉, 반도체 본체의 표면상에서 전하 전달방향에 대해 횡방향으로 연장된 제1전극 시스템과 상기 표면상에서 전하 전달 방향에 평행하게 연장된 전극 시스템을 구비하며, 상기 전극의보조 그룹을 구성하는 2개 시스템 중의 하나는 시프트 레지스터에 접속되고, 다른 시스템의 전극은 하나 이상의 공통 공급 도전체에 접속되는 것을 특징으로 하는 전하 결합 소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR870013331A 1986-11-27 1987-11-26 전하 결합 소자 KR880006703A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8603007 1986-11-27
NL8603007A NL8603007A (nl) 1986-11-27 1986-11-27 Ladingsgekoppelde inrichting.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR880006703A true KR880006703A (ko) 1988-07-23

Family

ID=19848891

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR870013331A KR880006703A (ko) 1986-11-27 1987-11-26 전하 결합 소자

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4903284A (ko)
EP (1) EP0275576A1 (ko)
JP (1) JPS63142670A (ko)
KR (1) KR880006703A (ko)
AU (1) AU607724B2 (ko)
NL (1) NL8603007A (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8701030A (nl) * 1987-05-01 1988-12-01 Philips Nv Ladingsgekoppelde inrichting.
EP0358260A1 (en) * 1988-08-29 1990-03-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Drive shift register for a solid-state image sensor
FR2668303B1 (fr) * 1989-03-14 1993-04-23 Thomson Composants Milit Spaci Capteur optique a faible diaphotie.
JP2736121B2 (ja) * 1989-07-12 1998-04-02 株式会社東芝 電荷転送装置及び固体撮像装置
US5194751A (en) * 1989-07-17 1993-03-16 Sony Corporation Structure of solid-state image sensing devices
US5055667A (en) * 1990-06-21 1991-10-08 Loral Fairchild Corporation Non-linear photosite response in CCD imagers
US5331165A (en) * 1992-12-01 1994-07-19 Ball Corporation Split event reduced x-ray imager
US5585847A (en) * 1992-12-23 1996-12-17 Loral Fairchild Corporation Electronic color imaging technique and structure using a very high resolution monochrome full-frame CCD imager
JPH0759099A (ja) * 1992-12-23 1995-03-03 Loral Fairchild Corp 高解像度モノクローム全フレームccd撮像装置を用いた電子カラー写真撮影方法及び装置
JP3318437B2 (ja) * 1994-05-26 2002-08-26 富士写真フイルム株式会社 電子スチルカメラの撮像素子遮蔽装置
DE602004032344D1 (de) * 2003-06-26 2011-06-01 Philips Intellectual Property Integrierte anzeigevorrichtung

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3801884A (en) * 1972-12-18 1974-04-02 Bell Telephone Labor Inc Charge transfer imaging devices
GB1442841A (en) * 1973-11-13 1976-07-14 Secr Defence Charge coupled devices
JPS53116027A (en) * 1977-03-18 1978-10-11 Fujitsu Ltd Semiconductor pick up unit
US4178614A (en) * 1978-08-24 1979-12-11 Rca Corporation Readout of a densely packed CCD
US4314275A (en) * 1980-03-24 1982-02-02 Texas Instruments Incorporated Infrared time delay with integration CTD imager
JPS58195371A (ja) * 1982-05-10 1983-11-14 Nec Corp 固体撮像装置
JPS5930376A (ja) * 1982-08-13 1984-02-17 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
NL8301977A (nl) * 1983-06-03 1985-01-02 Philips Nv Ladinggekoppelde beeldopneeminrichting en geheugeninrichting met hoge bitdichtheid.
US4745481A (en) * 1984-01-30 1988-05-17 Shoichi Tanaka Solidstate imaging device
NL8401311A (nl) * 1984-04-24 1985-11-18 Philips Nv Ladingsgekoppelde halfgeleiderinrichting met dynamische besturing.
JPS6170869A (ja) * 1984-09-14 1986-04-11 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置および固体光センサ装置
US4574313A (en) * 1984-12-12 1986-03-04 Rca Corporation Cascaded CCD shift registers having different numbers of clocking phases
NL8501210A (nl) * 1985-04-29 1986-11-17 Philips Nv Ladingsgekoppelde inrichting.

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63142670A (ja) 1988-06-15
EP0275576A1 (en) 1988-07-27
AU607724B2 (en) 1991-03-14
AU8168687A (en) 1988-06-02
US4903284A (en) 1990-02-20
NL8603007A (nl) 1988-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR880006703A (ko) 전하 결합 소자
GB1377122A (en) Charge coupled circuits
DE3585364D1 (de) Halbleitervorrichtungen mit hoher durchbruchspannung.
KR880003415A (ko) 반도체 집적 회로
KR890015427A (ko) 전하 결합장치
KR920022541A (ko) Ccd 시프트레지스터
KR890016679A (ko) 반도체장치
GB2022920A (en) Electric charge transfer devices
KR840000987A (ko) 반도체 스위칭 장치
EP0219241A3 (en) Non-volatile semiconductor memory
EP0399226A3 (en) Voltage clamping circuit
EP0144654A3 (en) Semiconductor device structure including a dielectrically-isolated insulated-gate transistor
KR920008969A (ko) 좁은 채널효과를 가지는 의사이상전하결합소자
KR880014575A (ko) 전하 결합 소자
KR920015591A (ko) 전하결합소자
KR930001417A (ko) 부유(浮遊)게이트형 불휘발성 반도체 기억장치
EP0269510A3 (en) Improved structure for hall device
KR870002720A (ko) 고체 촬상 소자
GB1442841A (en) Charge coupled devices
KR900019247A (ko) 전하결합 장치와 영상센서 장치를 포함하고 있는 카메라
DE3583208D1 (de) Halbleiteranordnung mit hoher durchbruchspannung.
EP0147697B1 (en) Charge coupled device with controllable input bias
JPS6436074A (en) Charge coupling device
KR870009588A (ko) 전하전송장치
GB1141613A (en) Improvements in or relating to field effect transistors

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid