JP3318437B2 - 電子スチルカメラの撮像素子遮蔽装置 - Google Patents
電子スチルカメラの撮像素子遮蔽装置Info
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- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子スチルカメラの撮像
素子遮蔽装置に関し、電荷転送中の画質劣化を、簡単な
構造で確実に防ぐように工夫したものである。
素子遮蔽装置に関し、電荷転送中の画質劣化を、簡単な
構造で確実に防ぐように工夫したものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０に示すように電子スチルカメラ１
では、レンズ２で形成された光学像は、固体撮像素子
（ＣＣＤ等）３に入射され、固体撮像素子３は光学像を
光電変換して電荷信号を生成する。この電荷信号は時系
列的に読み出され、更に信号処理回路で信号処理されて
映像信号となりメモリーカード４に記録される。
では、レンズ２で形成された光学像は、固体撮像素子
（ＣＣＤ等）３に入射され、固体撮像素子３は光学像を
光電変換して電荷信号を生成する。この電荷信号は時系
列的に読み出され、更に信号処理回路で信号処理されて
映像信号となりメモリーカード４に記録される。
【０００３】電子スチルカメラの秒時設定（露光時間設
定）は、一般的には、固体撮像素子３を電子シャッタ動
作することにより行う。この電子シャッタ動作とは、固
体撮像素子３での電荷信号の蓄積時間を調整することで
ある。更に詳述すると例えばＣＣＤでは、光電変換部
（フォトダイオード）と、光電変換部から電荷を読み出
すゲートと、読み出された電荷を転送する電荷転送路を
有しており、前記光電変換部に光を入射した時点から、
電荷を読み出す時点までの間隔を調整することにより、
電子シャッタ動作を行うことができるのである。
定）は、一般的には、固体撮像素子３を電子シャッタ動
作することにより行う。この電子シャッタ動作とは、固
体撮像素子３での電荷信号の蓄積時間を調整することで
ある。更に詳述すると例えばＣＣＤでは、光電変換部
（フォトダイオード）と、光電変換部から電荷を読み出
すゲートと、読み出された電荷を転送する電荷転送路を
有しており、前記光電変換部に光を入射した時点から、
電荷を読み出す時点までの間隔を調整することにより、
電子シャッタ動作を行うことができるのである。
【０００４】なお電子スチルカメラの中には、銀塩フィ
ルムを使用する光学カメラに搭載するメカニカルシャッ
タ機構と同様なメカニカルシャッタ機構を備えたものも
あるが、上述した電子シャッタ動作をするタイプが主流
である。
ルムを使用する光学カメラに搭載するメカニカルシャッ
タ機構と同様なメカニカルシャッタ機構を備えたものも
あるが、上述した電子シャッタ動作をするタイプが主流
である。
【０００５】最近のスチルビデオカメラでは、高画質化
を達成するため、多画素のＣＣＤを搭載し、この多画素
ＣＣＤをフレーム駆動しドミノ方式（後述）で読み出し
ている。この場合、電荷がＣＣＤの電荷転送路を転送し
ている際に、光がＣＣＤに入射するとこのとき生じた電
荷のまわり込みによりスミアや白キズ等の画質劣化が生
じることが知られており、特に転送時間が１Ｖ（１垂直
同期期間）を越えたあたりから顕著になってくる。一般
に多画素になればなるほど転送時間は長くなり、多画素
化が進む将来ではこの現象はさらに大きな問題となって
くる。なお電荷が電荷転送路の中で静止（ホールド）し
ているときに、光がＣＣＤに入射した場合には、電荷転
送時に光入射した場合に比べ画質劣化は少ない。
を達成するため、多画素のＣＣＤを搭載し、この多画素
ＣＣＤをフレーム駆動しドミノ方式（後述）で読み出し
ている。この場合、電荷がＣＣＤの電荷転送路を転送し
ている際に、光がＣＣＤに入射するとこのとき生じた電
荷のまわり込みによりスミアや白キズ等の画質劣化が生
じることが知られており、特に転送時間が１Ｖ（１垂直
同期期間）を越えたあたりから顕著になってくる。一般
に多画素になればなるほど転送時間は長くなり、多画素
化が進む将来ではこの現象はさらに大きな問題となって
くる。なお電荷が電荷転送路の中で静止（ホールド）し
ているときに、光がＣＣＤに入射した場合には、電荷転
送時に光入射した場合に比べ画質劣化は少ない。
【０００６】上述した画質劣化を防ぐため、シャッタ動
作をした後に遮蔽板を閉じてレンズからＣＣＤに入射す
る光を遮蔽していた。かかる遮蔽態様としては従来では
次の２つがある。 電子シャッタ動作をして電荷を光電変換部から電荷
転送路に読み出したら、電荷を電荷転送路の中で一旦ホ
ールドする。このホールド中に遮蔽板を閉じ、遮蔽が完
了してから電荷の転送を開始する。 電子シャッタ動作をして、光電変換部から転送路に
読み出された電荷が転送を開始する前までに、遮蔽板を
完全に閉じてしまう。つまり遮蔽板を短時間（例えば
０．６ｍ秒）で高速に閉じる。
作をした後に遮蔽板を閉じてレンズからＣＣＤに入射す
る光を遮蔽していた。かかる遮蔽態様としては従来では
次の２つがある。 電子シャッタ動作をして電荷を光電変換部から電荷
転送路に読み出したら、電荷を電荷転送路の中で一旦ホ
ールドする。このホールド中に遮蔽板を閉じ、遮蔽が完
了してから電荷の転送を開始する。 電子シャッタ動作をして、光電変換部から転送路に
読み出された電荷が転送を開始する前までに、遮蔽板を
完全に閉じてしまう。つまり遮蔽板を短時間（例えば
０．６ｍ秒）で高速に閉じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記の従来
技術では、遮蔽が完了するまで全ての電荷をホールドし
ているため、暗電流により画質劣化が発生する。また上
記の従来技術では、遮蔽板を高速で閉じなければなら
ないので、複雑で高価な遮蔽機構が必要になる。
技術では、遮蔽が完了するまで全ての電荷をホールドし
ているため、暗電流により画質劣化が発生する。また上
記の従来技術では、遮蔽板を高速で閉じなければなら
ないので、複雑で高価な遮蔽機構が必要になる。
【０００８】本発明は、上記従来技術に鑑み、良好な画
質を保持しつつしかも簡単な遮蔽機構により十分な遮蔽
効果が得られる電子スチルカメラの撮像素子遮蔽装置を
提供することを目的とする。
質を保持しつつしかも簡単な遮蔽機構により十分な遮蔽
効果が得られる電子スチルカメラの撮像素子遮蔽装置を
提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の構成は、レンズ系で形成した光学像を固体撮像素子
に入射し、固体撮像素子を電子シャッタ動作させ、しか
も前記固体撮像素子では生成した電荷をドミノ読出方式
により電荷転送する電子スチルカメラにおいて、前記固
体撮像素子の前面近傍に配置され、固体撮像素子の水平
電荷転送路側から光路中に侵入していく遮蔽板と、電子
シャッタ動作後に前記遮蔽板を光路中に侵入させる駆動
機構とを備えたことを特徴とする。
明の構成は、レンズ系で形成した光学像を固体撮像素子
に入射し、固体撮像素子を電子シャッタ動作させ、しか
も前記固体撮像素子では生成した電荷をドミノ読出方式
により電荷転送する電子スチルカメラにおいて、前記固
体撮像素子の前面近傍に配置され、固体撮像素子の水平
電荷転送路側から光路中に侵入していく遮蔽板と、電子
シャッタ動作後に前記遮蔽板を光路中に侵入させる駆動
機構とを備えたことを特徴とする。
【００１０】また上記課題を解決する本発明の構成は、
レンズ系で形成した光学像を固体撮像素子に入射し、固
体撮像素子を電子シャッタ動作させ、しかも前記固体撮
像素子では生成した電荷をドミノ読出方式により電荷転
送する電子スチルカメラにおいて、前記レンズ系に配置
され、固体撮像素子の水平電荷転送路と反対側から光路
中に侵入していく遮蔽板と、電子シャッタ動作後に前記
遮蔽板を光路中に侵入させる駆動機構とを備えたことを
特徴とする。
レンズ系で形成した光学像を固体撮像素子に入射し、固
体撮像素子を電子シャッタ動作させ、しかも前記固体撮
像素子では生成した電荷をドミノ読出方式により電荷転
送する電子スチルカメラにおいて、前記レンズ系に配置
され、固体撮像素子の水平電荷転送路と反対側から光路
中に侵入していく遮蔽板と、電子シャッタ動作後に前記
遮蔽板を光路中に侵入させる駆動機構とを備えたことを
特徴とする。
【００１１】
【作用】本発明では、ドミノ読出方式により電荷転送す
る固体撮像素子に入射する光を、電子シャッタ動作後
に、遮蔽板の侵入により、固体撮像素子の水平電荷転送
路側から遮断していく。したがって電荷転送路に読み出
されてホールドされた電荷のほとんどは、転送開始前に
遮蔽板で遮蔽され、転送中に光入射されることはない。
電荷が転送中に光入射されると画質劣化するが、ホール
ド中に光入射されても画質劣化せず、光入射を遮断して
転送すれば画質劣化は生じない。
る固体撮像素子に入射する光を、電子シャッタ動作後
に、遮蔽板の侵入により、固体撮像素子の水平電荷転送
路側から遮断していく。したがって電荷転送路に読み出
されてホールドされた電荷のほとんどは、転送開始前に
遮蔽板で遮蔽され、転送中に光入射されることはない。
電荷が転送中に光入射されると画質劣化するが、ホール
ド中に光入射されても画質劣化せず、光入射を遮断して
転送すれば画質劣化は生じない。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づき詳細に
説明する。
説明する。
【００１３】まずはじめに本実施例の電子スチルカメラ
に搭載するＣＣＤの構成及びドミノ読出方式について説
明する。図１に示すように本実施例で用いるＣＣＤ１０
は、光学変換をするｎ行ｍ列に配列したフォトダイオー
ドＰ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 …Ｐn （同一の行のものには同一の
添数字を付している）と、各フォトダイオードＰ1 …Ｐ
n に接続されて電荷信号を読み出すトリガゲートＴＧ…
ＴＧと、ｍ列の垂直電荷転送路ＴV1…ＴVmと、１本の水
平電荷転送路ＴH と、シフトレジスタＳＲと、出力アン
プＡを、主要構成としている。
に搭載するＣＣＤの構成及びドミノ読出方式について説
明する。図１に示すように本実施例で用いるＣＣＤ１０
は、光学変換をするｎ行ｍ列に配列したフォトダイオー
ドＰ1 ，Ｐ2 ，Ｐ3 …Ｐn （同一の行のものには同一の
添数字を付している）と、各フォトダイオードＰ1 …Ｐ
n に接続されて電荷信号を読み出すトリガゲートＴＧ…
ＴＧと、ｍ列の垂直電荷転送路ＴV1…ＴVmと、１本の水
平電荷転送路ＴH と、シフトレジスタＳＲと、出力アン
プＡを、主要構成としている。
【００１４】上記構成のＣＣＤ１０をドミノ読出方式に
より電荷転送する状態を図２を参照して説明する。図２
では１列から８列までの垂直電荷転送路ＴV1〜ＴV8と水
平電荷転送路ＴH を示し、また各行のフォトダイオード
Ｐ1 …Ｐ8 で生成されて電荷転送路に読み出された電荷
には、各行の数字を丸で囲んで示している。例えば１行
目の各フォトダイオードＰ1 …Ｐ1 から読み出された電
荷は…で示している。
より電荷転送する状態を図２を参照して説明する。図２
では１列から８列までの垂直電荷転送路ＴV1〜ＴV8と水
平電荷転送路ＴH を示し、また各行のフォトダイオード
Ｐ1 …Ｐ8 で生成されて電荷転送路に読み出された電荷
には、各行の数字を丸で囲んで示している。例えば１行
目の各フォトダイオードＰ1 …Ｐ1 から読み出された電
荷は…で示している。
【００１５】図２（ａ）に示すように一行目のフォトダ
イオードＰ1 で生成された電荷が水平転送されるとき
には、２行目のフォトダイオードＰ2 で生成された電荷
が垂直転送されるが、電荷以降のものは垂直電荷転
送路ＴV の中でホールドされたままとなっている。
イオードＰ1 で生成された電荷が水平転送されるとき
には、２行目のフォトダイオードＰ2 で生成された電荷
が垂直転送されるが、電荷以降のものは垂直電荷転
送路ＴV の中でホールドされたままとなっている。
【００１６】図２（ｂ）に示すように電荷が水平転送
されるときには、電荷が垂直転送されるが電荷以
降はホールドされ、図２（ｃ）に示すように電荷が水
平転送されるときには電荷が垂直転送され電荷
以降はホールドされる。
されるときには、電荷が垂直転送されるが電荷以
降はホールドされ、図２（ｃ）に示すように電荷が水
平転送されるときには電荷が垂直転送され電荷
以降はホールドされる。
【００１７】上述したようにドミノ読出方式により電荷
転送をする場合には、各行の電荷はその行よりも所定行
だけ前の電荷が転送されるまでは、垂直電荷転送路ＴV
の中でホールドされている。
転送をする場合には、各行の電荷はその行よりも所定行
だけ前の電荷が転送されるまでは、垂直電荷転送路ＴV
の中でホールドされている。
【００１８】図３は本発明の第１実施例を適用した電子
スチルカメラの光学系を示し、図４は図３のiv−iv矢視
図を示している。両図に示すようにレンズ系１１で形成
されアイリス１２で絞られた光学像は、光学フィルタ１
３を介してＣＣＤ１０に入射される。ＣＣＤ１０に入射
される光学像は、レンズ系１１の作用により、被写体の
天地を逆にした状態となっている。ＣＣＤ１０は、図１
に示す構成となっており、図２に示すドミノ読出方式に
より電荷転送をする。
スチルカメラの光学系を示し、図４は図３のiv−iv矢視
図を示している。両図に示すようにレンズ系１１で形成
されアイリス１２で絞られた光学像は、光学フィルタ１
３を介してＣＣＤ１０に入射される。ＣＣＤ１０に入射
される光学像は、レンズ系１１の作用により、被写体の
天地を逆にした状態となっている。ＣＣＤ１０は、図１
に示す構成となっており、図２に示すドミノ読出方式に
より電荷転送をする。
【００１９】第１実施例では、ＣＣＤ１０の前面近傍に
侵入・脱離可能で侵入時には光路を遮断する遮蔽板１４
が備えられている。この遮蔽板１４は、ガイドピン１５
がガイド溝１６をガイドしつつ上下方向に移動可能であ
り、モータ１７の回転力がピニオン１８及びラック１９
を介して伝わることにより上下方向に移動する。この遮
蔽板１４は、電子シャッタ動作が行なわれる前では、図
３，図４に示すように下方に位置して光路外に脱離して
いる。
侵入・脱離可能で侵入時には光路を遮断する遮蔽板１４
が備えられている。この遮蔽板１４は、ガイドピン１５
がガイド溝１６をガイドしつつ上下方向に移動可能であ
り、モータ１７の回転力がピニオン１８及びラック１９
を介して伝わることにより上下方向に移動する。この遮
蔽板１４は、電子シャッタ動作が行なわれる前では、図
３，図４に示すように下方に位置して光路外に脱離して
いる。
【００２０】次に図５を参照して電子シャッタ動作と遮
蔽板１４の動作関係を説明する。電子シャッタ動作が行
なわれると（図５（ａ））、ＣＣＤ１０のフォトダイオ
ードＰで電荷が形成され、設定した電子シャッタ時間が
経過するとトリガゲートＧが開き、生成された電荷が垂
直電荷転送路ＴV へ読み出される（図５（ｂ））。そし
て各電荷はドミノ方式により、一行目の電荷から順に水
平電荷転送路に転送される。全ての電荷が水平電荷転送
路に転送されるには図５（ｃ）に示すように８Ｖ期間
（１Ｖ期間とは１垂直走査期間であり１６ｍ秒である）
かかる。
蔽板１４の動作関係を説明する。電子シャッタ動作が行
なわれると（図５（ａ））、ＣＣＤ１０のフォトダイオ
ードＰで電荷が形成され、設定した電子シャッタ時間が
経過するとトリガゲートＧが開き、生成された電荷が垂
直電荷転送路ＴV へ読み出される（図５（ｂ））。そし
て各電荷はドミノ方式により、一行目の電荷から順に水
平電荷転送路に転送される。全ての電荷が水平電荷転送
路に転送されるには図５（ｃ）に示すように８Ｖ期間
（１Ｖ期間とは１垂直走査期間であり１６ｍ秒である）
かかる。
【００２１】モータ１７は、トリガゲートＴＧが開いた
時点から作動し、この時点から遮蔽板１４が光路に侵入
していく。この場合、遮蔽板１４は下方から上方に進ん
でいき、水平電荷転送路ＴH 側からつまりＣＣＤ１０の
一行目から順に、ＣＣＤ１０への光入射を遮断してい
く。そして４Ｖ期間でＣＣＤ１０の全面を光遮断する
（図５（ｄ））。図６は遮断板１４による遮光状態と、
時間との関係を示す。
時点から作動し、この時点から遮蔽板１４が光路に侵入
していく。この場合、遮蔽板１４は下方から上方に進ん
でいき、水平電荷転送路ＴH 側からつまりＣＣＤ１０の
一行目から順に、ＣＣＤ１０への光入射を遮断してい
く。そして４Ｖ期間でＣＣＤ１０の全面を光遮断する
（図５（ｄ））。図６は遮断板１４による遮光状態と、
時間との関係を示す。
【００２２】電荷のうち一行目及びこの行に近い行の電
荷は、遮蔽板１４で光遮蔽される前に水平電荷転送路Ｔ
H に向けて転送されていくが、入射光にさらされる時間
がきわめて短いので、入射光による電荷のまわり込みや
暗電流による悪影響をほとんど受けることはない。
荷は、遮蔽板１４で光遮蔽される前に水平電荷転送路Ｔ
H に向けて転送されていくが、入射光にさらされる時間
がきわめて短いので、入射光による電荷のまわり込みや
暗電流による悪影響をほとんど受けることはない。
【００２３】一行目やこの行に近い行を除く行の電荷
は、ドミノ方式で読み出され一旦ホールドされるため、
転送される前に遮蔽板１４で遮蔽される。よって電荷転
送時には光入射はされない。この結果、入射光による電
荷のまわり込みや暗電流による悪影響を受けず、画質が
向上する。
は、ドミノ方式で読み出され一旦ホールドされるため、
転送される前に遮蔽板１４で遮蔽される。よって電荷転
送時には光入射はされない。この結果、入射光による電
荷のまわり込みや暗電流による悪影響を受けず、画質が
向上する。
【００２４】また遮蔽板１４は、４Ｖ期間というゆっく
りした時間で閉めればよいので、遮蔽機構は簡単な構成
ですむ。
りした時間で閉めればよいので、遮蔽機構は簡単な構成
ですむ。
【００２５】図７は本発明の第２実施例を示す。この実
施例ではレンズ系１１のうちアイリス１２から離れたレ
ンズ前部に遮蔽板１４を備えており、図５に示すタイミ
ングでモータ１７を作動させて遮蔽板１４を光路に侵入
させていく。この場合、遮蔽板１４は上方から下方に向
い進んでいくが、ＣＣＤ１０の面上では、光は下方から
順に遮断されていく。よって第１実施例と同様な効果が
得られる。また第２実施例では、レンズ交換式にした場
合、交換レンズの中に遮蔽板１４等を組み込むようにし
てもよい。
施例ではレンズ系１１のうちアイリス１２から離れたレ
ンズ前部に遮蔽板１４を備えており、図５に示すタイミ
ングでモータ１７を作動させて遮蔽板１４を光路に侵入
させていく。この場合、遮蔽板１４は上方から下方に向
い進んでいくが、ＣＣＤ１０の面上では、光は下方から
順に遮断されていく。よって第１実施例と同様な効果が
得られる。また第２実施例では、レンズ交換式にした場
合、交換レンズの中に遮蔽板１４等を組み込むようにし
てもよい。
【００２６】図８は本発明の第３実施例を示す。この実
施例では駆動源として、カルバノメータと同様な原理で
回動（一定角度だけ回転）するモータ１７ａを用いてい
る。このモータ１７ａの回動力を、アーム２０及びアー
ム連動ピン２１を介して遮蔽板１４に伝え、遮蔽板１４
を上下動させる。他の部分の構成・動作は第１実施例と
同様である。
施例では駆動源として、カルバノメータと同様な原理で
回動（一定角度だけ回転）するモータ１７ａを用いてい
る。このモータ１７ａの回動力を、アーム２０及びアー
ム連動ピン２１を介して遮蔽板１４に伝え、遮蔽板１４
を上下動させる。他の部分の構成・動作は第１実施例と
同様である。
【００２７】図９は遮蔽板の他の例を示す。この遮蔽板
２２は３枚の羽根２２ａ，２２ｂ，２２ｃを扇子状にピ
ン２３で回動自在に支持して構成しており、各羽根２２
ａ，２２ｂ，２２ｃにはカム溝２４を形成している。ア
ーム２５はピン２６で回動自在に支持しており、アーム
先端に備えたカムフォロワー２７がカム溝２４に入り込
んでいる。よってアーム２５を回動させカムフォロワー
２７をカム溝２４中で移動させていくと羽根２２ａ，２
２ｂ，２２ｃが開いていき、この遮蔽板２２によりＣＣ
Ｄ１０への光入射を遮断することができる。
２２は３枚の羽根２２ａ，２２ｂ，２２ｃを扇子状にピ
ン２３で回動自在に支持して構成しており、各羽根２２
ａ，２２ｂ，２２ｃにはカム溝２４を形成している。ア
ーム２５はピン２６で回動自在に支持しており、アーム
先端に備えたカムフォロワー２７がカム溝２４に入り込
んでいる。よってアーム２５を回動させカムフォロワー
２７をカム溝２４中で移動させていくと羽根２２ａ，２
２ｂ，２２ｃが開いていき、この遮蔽板２２によりＣＣ
Ｄ１０への光入射を遮断することができる。
【００２８】
【発明の効果】以上実施例と共に具体的に説明したよう
に本発明によれば、ドミノ読出方式で電荷転送をする固
体撮像素子への光入射を、水平電荷転送路側から遮蔽す
るようにしたので、ほとんどの電荷は転送中に光入射さ
れず、また水平電荷転送路に近い行の電荷が転送中に受
ける光入射量は少ないので、スミアや暗電流による画質
劣化はほとんどなく画質が向上する。
に本発明によれば、ドミノ読出方式で電荷転送をする固
体撮像素子への光入射を、水平電荷転送路側から遮蔽す
るようにしたので、ほとんどの電荷は転送中に光入射さ
れず、また水平電荷転送路に近い行の電荷が転送中に受
ける光入射量は少ないので、スミアや暗電流による画質
劣化はほとんどなく画質が向上する。
【００２９】また、遮蔽板を水平電荷転送路側から遮蔽
していっているので、遮蔽完了までの時間が長くても
（例えば４Ｖ期間）画質劣化が生じない。このため遮蔽
板を閉めるスピードが遅くてもよく、遮蔽板を駆動する
機構を簡単にすることができる。
していっているので、遮蔽完了までの時間が長くても
（例えば４Ｖ期間）画質劣化が生じない。このため遮蔽
板を閉めるスピードが遅くてもよく、遮蔽板を駆動する
機構を簡単にすることができる。
【図１】本発明の実施例に用いるＣＣＤを示す構成図。
【図２】ドミノ読出方式を示す説明図。
【図３】本発明の第１実施例を示す構成図。
【図４】図３中でiv−iv矢視方向から見た第１実施例の
構成図。
構成図。
【図５】実施例の動作状態を示すタイムシーケンス図。
【図６】遮蔽板による遮蔽状態を経時的に示す説明図。
【図７】本発明の第２実施例を示す構成図。
【図８】本発明の第３実施例を示す構成図。
【図９】遮蔽板の変形例の構成及び動作状態を示す説明
図。
図。
【図１０】電子スチルカメラを示す斜視図。
１ 電子スチルカメラ ２ レンズ ３ 固体撮像素子（ＣＣＤ） ４ メモリーカード １０ ＣＣＤ １１ レンズ系 １２ アイリス １３ 光学フィルタ １４ 遮蔽板 １５ ガイドピン １６ ガイド溝 １７，１７ａ モータ １８ ピニオン １９ ラック ２０ アーム ２１ アーム連動ピン ２２ 遮蔽板 ２３ ピン ２４ カム溝 ２５ アーム ２６ ピン ２７ カムフォロワー Ｐ1 …Ｐn フォトダイオード ＴＧ トリガゲート ＴV1…ＴVm 垂直電荷転送路 ＴH 水平電荷転送路 ＳＲ シフトレジスタ Ａ 出力アンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 レンズ系で形成した光学像を固体撮像素
子に入射し、固体撮像素子を電子シャッタ動作させ、し
かも前記固体撮像素子では生成した電荷をドミノ読出方
式により電荷転送する電子スチルカメラにおいて、 前記固体撮像素子の前面近傍に配置され、固体撮像素子
の水平電荷転送路側から光路中に侵入していく遮蔽板
と、 電子シャッタ動作後に前記遮蔽板を光路中に侵入させる
駆動機構とを備えたことを特徴とする電子スチルカメラ
の撮像素子遮蔽装置。 - 【請求項２】 レンズ系で形成した光学像を固体撮像素
子に入射し、固体撮像素子を電子シャッタ動作させ、し
かも前記固体撮像素子では生成した電荷をドミノ読出方
式により電荷転送する電子スチルカメラにおいて、 前記レンズ系に配置され、固体撮像素子の水平電荷転送
路と反対側から光路中に侵入していく遮蔽板と、 電子シャッタ動作後に前記遮蔽板を光路中に侵入させる
駆動機構とを備えたことを特徴とする電子スチルカメラ
の撮像素子遮蔽装置。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP11257094A JP3318437B2 (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 電子スチルカメラの撮像素子遮蔽装置 |
| US08/437,672 US5663760A (en) | 1994-05-26 | 1995-05-09 | Image pickup device shielding apparatus for electronic still camera |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11257094A JP3318437B2 (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 電子スチルカメラの撮像素子遮蔽装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07322113A JPH07322113A (ja) | 1995-12-08 |
| JP3318437B2 true JP3318437B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=14590023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11257094A Expired - Fee Related JP3318437B2 (ja) | 1994-05-26 | 1994-05-26 | 電子スチルカメラの撮像素子遮蔽装置 |
Country Status (2)
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| JP (1) | JP3318437B2 (ja) |
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-
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- 1994-05-26 JP JP11257094A patent/JP3318437B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-05-09 US US08/437,672 patent/US5663760A/en not_active Expired - Lifetime
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