KR890001084A - 다수의 슬라이드 액세스 메모리를 지닌 바운더리-프리반도체 메모리 장치 - Google Patents

다수의 슬라이드 액세스 메모리를 지닌 바운더리-프리반도체 메모리 장치 Download PDF

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KR890001084A
KR890001084A KR1019880007000A KR880007000A KR890001084A KR 890001084 A KR890001084 A KR 890001084A KR 1019880007000 A KR1019880007000 A KR 1019880007000A KR 880007000 A KR880007000 A KR 880007000A KR 890001084 A KR890001084 A KR 890001084A
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유스께 마스다
준지 오가와
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야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
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    • G11INFORMATION STORAGE
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Abstract

내용 없음

Description

다수의 슬라이드 액세스 메모리를 지닌 바운더리-프리반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 5 도는 본 발명에 다른 구조를 설명한 블록 회로도,
제 6 도는 본 발명에 따른 첫 번째 실시예의 바운더리-프리반도체 메모리 장치를 설명하는 블록 회로도.
제 7 도는 제 6 도의 슬라이드 액세스 메모리 장치(칩)의 블록 회로도.

Claims (11)

  1. 입력 출력부들(704)을 내장하고 있고, 비트 그굽을 액세스 시킬 수 있는 다수의 슬라이드 액세스 메모리들(SM??oo,SMo₁…,SMn-₁ m-₁)과, 상기 슬라이드 액세스 메모리들 각각의 입력/출력부에 공통 접속되어 있는 데이터 라인들(Do,D₁, …,D15)과, 상기 슬라이드 액세스 각각의 정사각형 비트 그룹을 액세스시켜 상기 비트 그룹을, 상기 슬라이드 액세스 메모리들에 내장되어 있는 관련 입력 출력부에 상호 접속시켜 주는 첫 번째 엑세스 수단과, 입력/출력부들의 각 비트를 선택하고, 그 선택한 입력/출력부들의 동작을 인에이블 또는 디스에이블 하도록하여, 그것에 의해 포인팅 비트(PB)을 함유하고 있는 직사각형 비트 그룹이 상기 데이터 타이들에 연결되게 하는 두 번째 액세스 수단과로 이루어져 있는 반도체 메모리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 슬라이드 액세스 메모리들 각각이, 다수의 메모리 셀 블록들(Boo-B₃₃)과, 상기 메모리 셀 블록들의 각로우에 각각 접속되어 있는 로우 선택수단(RDo-RD₃)과, 상기 메모리 셀 블록들의 각 컬럼에 각각 접속되어 잇는 컬럼 선택 수단(CDo-CD₃)과, 상기 로우선택 수단에 연결되어 있고, 상기 로우 선택수단들 각각에 로우 어드레스(Aя) 또는 상기 로우 어드레스에 인접한 컬럼 어드레스(Aя+1)를 공급하는 첫번째 스윗칭수단(RSW)과, 상기 컬럼 선택 수단들에 연결되어 있고, 상기 컬럼 선택 수단들 각각에 컬럼 어드레스(Ac) 또는 상기 컬럼 어드레스에 인접한 컬럼 어드레스(Ac+1)를 공급하는 두 번째 스윗칭수단(CSW)과, 상기 메모리 셀 블록들에 접속되어 있고, 상기 로우 선택수단과 상기 컬럼 선택수단에 의하여 선택되는 상기 메모리 셀 블록들의 셀들을 제정렬함으로써 재정렬한 셀들(MDo-MD15)을 관련 입력/출력부들에 상호 접속시켜주는 재정렬 수단(BAC)과로 이루어져 있는 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 첫 번째 엑세스수단이 동일한 로우 및 컬럼 어드레스(RAo-RA9,CAo-CA9)를 상기 모든 슬라이드 액세스 메모리들에 공급하는 수단을 더 포함하는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 두 번째 액세스 수단이, 선택 신호(Xcsi,Ycsj)를 발생시켜 상기 슬라이드 액세스 메모리들 중에서 하나를 선택하는 디코우더 수단(DECX,DECY)과, 상기 슬라이드 액세스 메모리들 각각에 접속되어 있고, 상기 디코우더 수단으로부터 상기 선택 신호(Xcsi,Ycsj)를 수신하는 로직수단(703)과로 구성되어, 상기 디코우더 수단에 의하여 선택되는 하나의 슬라이드 액세스 메모의 상기 로직 수단이 동일한 로우 및 컬럼 어드레스를 수신하여서 액세스 요구 신호들(0₁0₂ 0₃)을 상기 선택한 슬라이드 액세스 메모리에 인접한 다른 슬라이드 액세스 메모들에다 발생시키는 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 두 번째 엑세스 수단이, 선택 신호(Xcsi,Ycsj)를 발생시켜 상기 슬라이드 액세스 메모리중에서 하나를 선택하고, 보조 선택 신호들(Xco-csi,Yco-csj)을 발생시켜 상기 선택한 슬라이드 액세스 메모리에 인접한 다른 슬라이드 액세스 메모리들을 선택하는 장치.
  6. 데이터 입력/출력부들(Do-D15)과, 어드레스 신호들(RAo-RA9,CAo-CA9)을 수신함으로써 비트 그룹을 액세스시킬 수 있는 메인 메모리 회로(701)와, 상기 액세스한 임의의 직사각형 비트 그룹을 데이터 입력 출력 단자들(Do-D15)에 연결시켜 주는 래치회로와, 상기 래치회로에 연결되어 있고 칩선택 신호(Xcsi,Ycsj), 상기 어드레스 신호들, 선택신호(I₁,I₂,I₃)을 수신하여 마스크 신호들(Wk,Wk) 및 인접한 칩들에 대한 선택신호들(0₁,0₂,0₃)을 발생하는 로직회로(703)와로 구성되어 있으며, 상기 그의 관련 비트률을 인에이를 또는 디스에 이블하는 슬라이드 액세스 메모리.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 로직회로는 상기 칩선택신호가 상기 메모리를 선택하는 경우에 포인팅 비트(PB)에 따라서 상기 마스크 신호들을 발생시키고, 상기 포인팅 비트가 상기 메인 메모리 회로의 특정 영역에 위치되어 있는 경우에만 인접 칩들에 대한 상기 선택 신호들을 발생시키는 메모리.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 로직회로가 상기 어드레스 신호들에 의하여 정의 되는 특정 비트(PB)에 따라서 상기 마스크 신호들을 발생시키고, 상기 선택신호가 상기 메모리를 선택하는 경우에 상기 선택신호(I₁,I₂,I₃)에 따라서 상기 마스크 신호들을 발전시키는 메모리.
  9. 데이터 입력 출렬부들 (Do-D15)과, 어드레스 신호들(RAo-RA9,CAo-CA9)을 수신함으로써 비트 그룹을 액세스 시킬 수 있는 메인 메모리 회로(701)와, 상기 액세스한 임의의 직사각형 비트 그룹을 데이터 입력/출력 단자들(Do-D15)에 연결시켜 주는 래치회로와, 상기 래치회로에 연결되어 있고 칩선택신호(Xcsi,Ycsj), 상기 어드레스 신호들, 보조신호(Xco-csi,Yco-csj)를 수신하여 마스크 신호들(Wk,Rk)을 발생하는 로직회로(703)과로 구성되어 있으며, 상기 마스크 신호들을 상기 래치회로에다 전송함으로써 그것에 의하여 그의 관련 비트들을 인에블 또는 디스에이블하는 슬라이드 액세스 메모리.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 로직회로가 상기 메모리가 상기 칩 선택 신호에 의하여 선택되는 경우에 상기 어드레스 신호들에 의하여 정의되는 특정비트(PB)에 따라서 상기 마스크 신호들을 발생시키는 메모리.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 로직회로가 상기 어드레스 신호들에 의하여 정의되는 특정비트(PB)에 따라서 상기 마스크 신호들을 발생시키고, 상기 메모리가 상기 보조신호에 의하여 선택되는 경우에 상기 보조신호에 따라서 상기 마스크 신호들을 반전시키는 메모리.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880007000A 1987-06-10 1988-06-10 다수의 슬라이드 액세스 메모리를 지닌 바운더리-프리 반도체 메모리 장치 KR910003381B1 (ko)

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JP?62-143254 1987-06-10
JP143254 1987-06-10
JP62143254A JPS63308785A (ja) 1987-06-10 1987-06-10 半導体記憶装置

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KR890001084A true KR890001084A (ko) 1989-03-18
KR910003381B1 KR910003381B1 (ko) 1991-05-28

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KR1019880007000A KR910003381B1 (ko) 1987-06-10 1988-06-10 다수의 슬라이드 액세스 메모리를 지닌 바운더리-프리 반도체 메모리 장치

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EP (1) EP0295186B1 (ko)
JP (1) JPS63308785A (ko)
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EP0295186A2 (en) 1988-12-14
KR910003381B1 (ko) 1991-05-28
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