KR880005668A - X선 마스크용 멤브레인 및 제조법 - Google Patents

X선 마스크용 멤브레인 및 제조법 Download PDF

Info

Publication number
KR880005668A
KR880005668A KR870011695A KR870011695A KR880005668A KR 880005668 A KR880005668 A KR 880005668A KR 870011695 A KR870011695 A KR 870011695A KR 870011695 A KR870011695 A KR 870011695A KR 880005668 A KR880005668 A KR 880005668A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
atomic
membrane
less
silicon
compound
Prior art date
Application number
KR870011695A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940005278B1 (ko
Inventor
아기라 오요베
도시히로 마에다
히로유기 나가에
도시오 히라이
쯔요시 마스모도
Original Assignee
아카바네 노브히사
신기쥬즈 가이하즈지고단
도시오 히라이
쯔요시 마스모도
크사가베 에쯔지
후루가와 덴기고교 가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 아카바네 노브히사, 신기쥬즈 가이하즈지고단, 도시오 히라이, 쯔요시 마스모도, 크사가베 에쯔지, 후루가와 덴기고교 가부시기가이샤 filed Critical 아카바네 노브히사
Publication of KR880005668A publication Critical patent/KR880005668A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940005278B1 publication Critical patent/KR940005278B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

X선 마스크용 멤브레인 및 제조법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 실시예의 B-Si-N 계 화합물 박막의 잔류 응력을 표시하는 설명도이다.
제2도는 본 발명 실시예 1의 B-Si-N 계 화합물 박막의 적외선 흡수 스펙터의 1예이다.
제3도는 본 발명 실시예2 의 B-Si-N 계 화합물 박막의 잔류 응력을 나타내는 설명도이다.

Claims (16)

  1. 적어도 붕소 B, 규소 Si 및 질소 N의 3종류의 원소를 함유하는 화합물로서 되고 이 화합물중의 Si의 함유량이 15원자% 이상, 100원자% 미만, 그리고 Si/(B+Si) 원자비가 0.2 이상 1미만인 것을 특징으로 하는 X선 마스크용 멤브레인.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화합물의 조성이 B=5∼35원자%, Si=15∼35원자%, N=50∼60원자%의 범위내에 있는 X선 마스크용 멤브레인.
  3. 제1항에 있어서, 이 화합물이 B-Si 및 Si-N의 원자 결합을 가지는 비정질인 X선 마스크용 멤브레인.
  4. 제1항에 있어서, 파장 633nm 에서의 굴절율이 1.7∼2.1인 X선 마스크용 멤브레인.
  5. 제1항에 있어서, 파장 400∼700nm의 가시광에 대한 흡수 계수가 5×103cm-1이하이며 특히 488nm 및 630nm에 있어서의 흡수가 1×103cm-1이하인 X선 마스크용 멤브레인.
  6. 제1항에 있어서, 막두께가 0.5㎛∼10㎛인 X선 마스크용 멤브레인.
  7. 적어도 붕소 B, 규소 Si 및 질소 N의 3종류의 원소를 함유하는 원료 기상(氣相)으로 부터 이 원료 기상중에 함유되는 붕소 및 규소에 대한 질소의 원자비가 적어도 1이상으로 되는 조건에서, Si의 함유량이 15원자 % 이상 100원자 % 미만, 그리고 Si/(B+Si) 원자비가 0.2 이하 1미만인 화합물을 화학반응에 의하여 합성하고, 기판상에 상기 화합물의 박막을 석출시키는 것을 특징으로 하는 X선 마스크용 멤브레인의 제조법.
  8. 제7항에 있어서 기판 온도를 700∼1000℃로 하는 제조법.
  9. 제7항에 있어서, 전기 가스압을 0.1∼760 Torr로 하는 제조법.
  10. 제7항에 있어서의 운료 기상이 붕소원으로서, 디보란 B2H6트리에틸붕소 B(C2H5)3, 3염화붕소 BCl3, 보라진 B3N3H6중의 1종 이상, 규소원으로서 모뉴시란 SiH4디클롤시란 SiH2Cl2, 디시란 Si2H6, 4염화규소 SiCl4중의 1종 이상 및 질소원으로서 암모니아 NH3, 하이드라진 N2H4, 보라진 B3N3H6, 질소가스 N2중의 1종 이상을 각각 함유하는 제조법.
  11. 제7항에 있어서 휘석가스로서 H2, N2, He, Ar 중의 1종 이상을 함유하는 제조법.
  12. 제7항에 있어서 실리콘, 석영유리 또는 싸파이어를 기판으로 사용하는 제조법.
  13. 제7항에 있어서 면방위(100)의 단결정 실리콘 웨이퍼를 기판으로 사용하는 제조법.
  14. 제7항에 있어서의 원료 기상이 디보란 B2H6, 모노시란 SiH4및 암모니아 NH3와 또 휘석가스로서 H2, N2, He, Ar 중의 1종 이상을 함유하는 것의 제조법.
  15. 제7항에 있어서 상기 원료 기상중에 함유하는 Si/(B+Si) 원자비가 0.4 이상 1 미만, N(B+Si) 원자비가 10∼50인 제조법.
  16. 제7항에 있어서 전가스압을 0.1∼30Torr로 하는 제조법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870011695A 1986-10-31 1987-10-21 X선 마스크용 멤브레인 및 제조법 KR940005278B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP258337 1986-10-31
JP61258337A JPS63114124A (ja) 1986-10-31 1986-10-31 Ｘ線マスク用メンブレンおよび製造法
JP61-258337 1986-10-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR880005668A true KR880005668A (ko) 1988-06-29
KR940005278B1 KR940005278B1 (ko) 1994-06-15

Family

ID=17318842

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019870011695A KR940005278B1 (ko) 1986-10-31 1987-10-21 X선 마스크용 멤브레인 및 제조법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4940851A (ko)
JP (1) JPS63114124A (ko)
KR (1) KR940005278B1 (ko)
DE (1) DE3736933A1 (ko)
GB (1) GB2198150B (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG89410A1 (en) * 2000-07-31 2002-06-18 Hitachi Ulsi Sys Co Ltd Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device
JP2004102367A (ja) * 2002-09-04 2004-04-02 Hitachi Ltd 需給計画方法およびシステム
US9454158B2 (en) 2013-03-15 2016-09-27 Bhushan Somani Real time diagnostics for flow controller systems and methods
SG11201906797WA (en) * 2017-02-24 2019-08-27 Furukawa Electric Co Ltd Mask-integrated surface protective tape, and method of producing a semiconductor chip using the same
US10983537B2 (en) 2017-02-27 2021-04-20 Flow Devices And Systems Inc. Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU530905B2 (en) * 1977-12-22 1983-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member
GB2100759B (en) * 1977-12-22 1983-06-08 Canon Kk Electrophotographic photosensitive member and process for production thereof
GB1603449A (en) * 1978-05-31 1981-11-25 Chemetal Corp Method for the formation of hard deposits
US4171489A (en) * 1978-09-13 1979-10-16 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Radiation mask structure
US4222760A (en) * 1979-08-02 1980-09-16 Corning Glass Works Preparation of oxynitride glass-ceramics
JPS5626771A (en) * 1979-08-14 1981-03-14 Sumitomo Electric Industries Sintered body for cast iron cutting tool and its manufacture
JPS6022676B2 (ja) * 1980-02-23 1985-06-03 日本鋼管株式会社 窒化硅素・窒化硼素複合焼結体及びその製造方法
JPS594501B2 (ja) * 1980-08-19 1984-01-30 日本油脂株式会社 高硬度焼結体
JPS59152269A (ja) * 1983-02-08 1984-08-30 九州耐火煉瓦株式会社 窒化珪素系複合耐火物
JPS59169982A (ja) * 1983-03-17 1984-09-26 黒崎窒業株式会社 窒化硼素含有耐火物
JPS6340307A (ja) * 1986-08-05 1988-02-20 Tamura Seisakusho Co Ltd 磁束平衡法用トランス

Also Published As

Publication number Publication date
DE3736933A1 (de) 1988-05-05
GB2198150A (en) 1988-06-08
JPH0582963B2 (ko) 1993-11-24
GB8725065D0 (en) 1987-12-02
JPS63114124A (ja) 1988-05-19
DE3736933C2 (ko) 1990-06-07
GB2198150B (en) 1991-02-06
KR940005278B1 (ko) 1994-06-15
US4940851A (en) 1990-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chu et al. The preparation and properties of amorphous silicon nitride films
DE3856227T2 (de) Polysilicium-dünnfilm-verfahren
KR920001620A (ko) 반도체장치 및 그의 제조방법
JPH01176067A (ja) 窒化シリコン膜の成膜方法
KR930006860A (ko) 유기디실란 소오스를 사용하여 lpcvd에 의해 100°c 정도의 저온에서 이산화 규소막을 증착하는 방법
EP0020455B1 (en) Arrangement with radiation window or mask structure
KR890011029A (ko) 기상에피택셜 성장법
KR880005668A (ko) X선 마스크용 멤브레인 및 제조법
JPS61234534A (ja) 窒化珪素被膜作成方法
GB1134964A (en) Improvements in or relating to the production of layers of a silicon or germanium nitrogen compound on semiconductor crystals
EP1484293A4 (en) METHOD FOR FORMING TRANSPARENT THIN FILM, TRANSPARENT THIN FILM THUS OBTAINED, AND TRANSPARENT SUBSTRATE COMPRISING TRANSPARENT THIN FILM
JPH0461811B2 (ko)
US5234609A (en) X-ray permeable membrane for X-ray lithographic mask
EP0305195A3 (en) Continuous chemical vapor deposition growth of strain layer superlattices using conventional cvd reactors
JPH03139836A (ja) ガラス基板上に窒化ケイ素層を堆積させる方法
US3152932A (en) Reduction in situ of a dipolar molecular gas adhering to a substrate
KR910005393A (ko) 집적 회로 구조물에 3족/5족-도핑된 균일한 두께를 가진 규산염 유리 피복을 형성하기 위한 저온 저압 열 cvd법
US3821020A (en) Method of deposition of silicon by using pyrolysis of silane
JPS6154214B2 (ko)
Madouri et al. Non hydrogenated materials for x-ray masks (Si3N4 and SiC)
KR950032731A (ko) 반투명한 다이아몬드 필름 및 그 제조방법
KR940004344A (ko) 적외선 센서용 필터의 구조 및 제조방법
KR890008619A (ko) 전자사진 수광소자의 제조방법
Huffman Thermochemistry and structure of chemically vapor deposited silica glass and of bulk and chemically vapor deposited phosphosilicate and germanosilicate glasses
JPH0455398A (ja) シリコン窒化膜の形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19990414

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee