KR910005393A - 집적 회로 구조물에 3족/5족-도핑된 균일한 두께를 가진 규산염 유리 피복을 형성하기 위한 저온 저압 열 cvd법 - Google Patents
집적 회로 구조물에 3족/5족-도핑된 균일한 두께를 가진 규산염 유리 피복을 형성하기 위한 저온 저압 열 cvd법 Download PDFInfo
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Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 플라즈마-보조 도핑된 TEOS/O2CVD 법 또는 플라즈마-보조 SiH4/O2법을 사용하여 비평탄 집적회로 구조물 위에 종래의 산화 실리콘 피복을 형성하는 방법을 도시한 부분 수직단면도,
제2도는 플라즈마-보조 비도핑된 TEOS/O2CVD 법을 사용하여 비평탄 집적 회로 구조를 위해 종래의 또다른 산화실리콘 피복을 형성하는 방법을 도시한 부분 수직단면도,
제3도는 집적회로 구조물 위에 균일한 두께의 도핑된 산화 실리콘 피복을 형성하는 방법을 도시한 부분 수직 단면도,
제4도는 본 발명의 공정을 설명한 공정도이다.
Claims (24)
- 약 500℃이하 온도에서 유지된 진공 장치내이 집적 회로 구조물 위로 체적비가 1 : 2 인 TEOS-함유 기체와 O3-함유 기체의 기체 혼합물, 및 하나이상의 3족/5족 도핑제를 함유한 기체원을 흐르게 하는 단계로 구성되는, 집적회로구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 진공장치내의 저압의 범위는 20 내지 200토르인 것을 특징으로 하는 집적회로구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 진공장치내의 저압의 범위는 40 내지 100토르인 것을 특징으로 하는 집적회로구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 집적회로 구조물 위로 흐르는 상기 TEOS-함유 기체양의 범위는 약 100 내지 3000sccm인 것을 특징으로 하는 집적회로구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 집적회로 구조물 위로 흐르는 상기 O3함유 기체양의 범위는 약 200 내지 6000sccm인 것을 특징으로 하는 집적회로구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 집적회로 구조물을 통해 흐르는 하나 또는 둘이상의 3족/5족 도핑제의 기체원 양의 범위는 10 내지 100sccm인 것을 특징으로 하는 집적회로구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 하나 또는 둘 이상의 3족/5족 도핑제의 기체원은 비소-함유화합물, 붕소-함유화합물, 인함유화합물 및 이들의 혼합물을 구성하는 그룹중에서 부터 선택된 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 하나 또는 둘 이상의 3족/5족 도핑제의 기체원은 비소-함유화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 인-함유 화합물은 TEP, TMP, (트리메틸시릴)포스파테 및 이들의 혼합물을 구성하는 그룹에서 부터 선택되는 것을 특징으로 하는 집적회로 구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 3족/5족 도핑제의 기체원은 붕소-함유화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제10항에 있어서, 상기 붕소-함유화합물은 TMB(트리메틸시릴)보라테 및 이들의 혼합물로 구성되는 그룹에서 부터 선택되는 것을 특징으로 하는 집적회로 구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 3족/5족 도핑제의 기체원은 비소-함유화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 집적회로 구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 비소-함유화합물은 실질적으로 트리에틸 비소를 포함하는 것을 특징으로 하는, 집적회로 구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 진공장치네 온도의 범위는 약 380 내지 480℃인 것을 특징으로 하는, 집적회로 구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 진공장치네 온도의 범위는 약 380 내지 395℃인 것을 특징으로 하는, 집적회로 구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 도핑된 산화 실리콘 유리층의 균일 두께의 10%이하로 변하는 것을 특징으로 하는 집적회로 구조물의 비평탄 표면상에 균일한 두께의 3족/5족-도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 약 40 내지 100토로, 약 380 내지 480℃온도로 유지된 진공 장치내의 집적회로 구조물을 통해 체적비가 1 : 2인 TEOS-함유 기체와 O3-함유 기체의 기체 혼합물, 및 하나 또는 둘 이상의 3족/5족 도핑제의 기체원을 흐르게 하는 단계를 가진, 직접회로 구조물의 비평탄 표면상에 10%이하의 두께 변화를 갖는 균일한 두께를 가진 도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 집적회로 구조물을 통해 흐르는 상기 TEOS-함유 기체양의 범위는 500 내지 1500sccm인것을 특징으로 하는, 집적회로 구조물의 비평탄 표면상에 10%이하의 두께 변화를 갖는 균일한 두께를 가진 도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 집적회로구조물을 통해 흐르는 상기 O3-함유 기체양의 범위는 1000 내지 3000sccm인 것을 특징으로 하는, 집적회로 구조물의 비평탄 표면상에 10%이하의 두께 변화를 갖는 균일한 두께를 가진 도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 집적회로 구조물을 통해 흐르는 상기 하나 또는 둘 이상의 3족/5족 도핑제의 기체원 양의 범위는 약 10 내지 100sccm인것을 특징으로 하는, 집적회로 구조물의 비평탄 표면상에 10% 이하의 두께변화를 갖는 균일한 두께를 가진 도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 약 40 내지 100토르진공, 약 380 내지 395℃온도로 유지된 진공 장치내의 집적회로 구조물을 통해 체력비가 1 : 2인 500 내지 1500sccm TEOS-함유 기체와 약 1000 내지 3000sccm O3-함유 기체의 기체 혼합물, 및 비소-함유 화합물, 붕소-함유 화합물, 인-함유 화합물과 이들의 혼합물로 구성하는 그룹으로 부터 선택된 하나 또는 둘 이상의 3족/5족 도핑제의 기체원 10 내지 100sccm가 흐르는 단계를 가진, 집적회로 구조물의 비평탄 표면상에 10%이하의 두께 변화를 갖는 균일한 두께를 가진 도핑된 산화 실리콘 유리층 형성하기 위한 저온 저압 방법.
- 약 440℃이하 온도 약 20 내지 200토로 압력의 진공장치내의 집적회로 구조물을 통해 체적비가 1 : 2인 TEOS-함유 기체와 O3-함유 기체의 혼합물, 및 하나 또는 둘 이상의 3족/5족-함유 도핑제의 기체원을 흐르게 함으로써 집적회로 구조물의 비평탄 표면상에 10%이하의 두께 변화를 갖는 균일한 두께를 가진 도핑된 산화 실리콘 유리층.
- 제21항의 방법에 의해 형성된 균일 두께의 도핑된 규산염 유리피복.
- ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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