KR960013151B1 - 산화규소 막을 형성시키기 위한 화학 증착법 - Google Patents
산화규소 막을 형성시키기 위한 화학 증착법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR960013151B1 KR960013151B1 KR1019920009794A KR920009794A KR960013151B1 KR 960013151 B1 KR960013151 B1 KR 960013151B1 KR 1019920009794 A KR1019920009794 A KR 1019920009794A KR 920009794 A KR920009794 A KR 920009794A KR 960013151 B1 KR960013151 B1 KR 960013151B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicon oxide
- oxide film
- containing fluorine
- film containing
- gas
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 50
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 31
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical group CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 3
- ISDBYDBAKGWSCA-UHFFFAOYSA-N trimethoxy phosphate Chemical compound COOP(=O)(OOC)OOC ISDBYDBAKGWSCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N trimethyl borate Chemical compound COB(OC)OC WRECIMRULFAWHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- XVYIJOWQJOQFBG-UHFFFAOYSA-N triethoxy(fluoro)silane Chemical group CCO[Si](F)(OCC)OCC XVYIJOWQJOQFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 claims 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical group [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012643 polycondensation polymerization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45514—Mixing in close vicinity to the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45595—Atmospheric CVD gas inlets with no enclosed reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
없음.
Description
제1도는 본 발명의 제1실시태양에 따라 불소를 함유하는 산화규소막을 형성시키는데 사용되는 장치의 개략도.
제2도는 본 발명과 종래 기술의 푸우리에(Fourier) 변환 적외선 흡수를 비교하여 나타낸 그래프.
제3도는 본 발명의 제2실시태양에 따라 불소를 함유하는 산화규소막을 형성시키는데 사용되는 플라즈마 첨가한 화학 증착법용 장치의 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10,305 : 반도체 기판102,304 : 가열기
103 : 서스셉터(susceptor)104 : 분산 헤드
105 : 오존 발생기
106,107,108,109,306,307,308 : 유량 조절기
110,111,309,310 : 버블러(bubbler)301 : 반응 챔버
302 : 양극 전극303 : 음극 전극
본 발명은 화학 증착법, 보다 상세하게는 산화규소막을 형성시키는 방법에 관한 것이다.
종래에는 원료 기체로서 테트라-에틸 오르토실리케이트 Si(OC2H5)4를 사용하여 이것을 대기압에서 분해시킴으로써 산화규소막을 형성시키는 화학 증착법이 사용되어 왔다. 예를 들면, 원료 기체인 테트라-에틸 오르토실리케이트 및 도핑(doping) 기체인 트리메톡시 포스페이트 PO(OCH3)3및 트리메톡시보론 B(OCH3)3을 챔버내에 도입시켜 오존 발생기에 의해 생성되는 오존 기체와 함께 혼합시키고, 분해시킴으로써 인 및 붕소로 도핑시킨 산화규소막을 형성시킨다. 별법으로는, 어떠한 도핑 기체도 사용하지 않고 산화규소막을 형성시킨다[Journal of Electronic Materials, Vol, 19. No. 1(1990) pp. 45-49 참조].
오존 기체 존재하에 산화규소막을 형성시키는 상기한 종래의 방법은 다음과 같은 문제점을 갖고 있다. 첫번째로, 350 내지 400℃의 높은 막 형성 온도에도 불구하고 형성된 막의 품질이 우수하지 못하다. 이것은 원료 기체의 분해 온도가 높아서 축합 중합 반응이 불충분하게 일어나기 때문으로, 따라서 상기 범위의 온도에서 조차 우수한 품질의 산화규소막을 형성시킬 수 없다. 두번째로, 종래 기술에 의해 생성되는 산화규소막은 약 1×109dyn/cm2의 강한 내부 인장 응력을 가지는데 막 형성 온도가 350 내지 400℃로 높기 때문에 형성된 두꺼운 막 또는 다층막은 열응력에 의한 균열을 일으키기 쉬워서 실용화에 부적합하다. 세번째로, 예를 들면 알루미늄 배선의 상부에 막을 형성시킬 때, 높은 막 형성 온도 때문에 알루미늄 배선 표면상에 돌출부, 소위 힐록(hillock)이 생성되어 배선과 그 위의 막 사이에 전기적 단락이 일어나 생산량을 현저하게 저하시킨다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래의 화학 증착법에 의해 발생되는 상기한 문제점들을 극복할 수 있는 산화 규소막을 형성시키는 개선된 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 화학 증착법은, 원료 기체로서 알콕시실란 Si(OR)4(여기서, R은 알킬 라디칼기임) 또는 그의 중합체를 사용하고, 여기에 플루오로알콕시실란 Si(OR')nF4-n(여기서, r'은 알킬 라디칼기이고, n은 1 내지 3의 정수임)을 첨가시켜 저온에서 불소를 함유하는 산화규소막을 형성시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 한 실시태양에서는, 상기한 불소를 함유하는 산화규소의 증착 동안 유기인 및 유기 붕소 화합물과 같은 인 함유 화합물 및 붕소 함유 화합물중 1종 이상을 기화시켜 도핑 기체로 사용하여 불소를 합유하는 산화규소막에 인 및(또는) 붕소를 첨가시키는 것을 특징으로 하는 화학 증착법이 제공된다.
본 발명의 다른 실시태양에서는, 오존 기체 존재하에 또는 자외선 조사 또는 기체 플라즈마하에 불소를 함유하는 산화규소막을 형성시키는 것을 특징으로 하는 화학 증착법이 제공된다.
본 발명의 목적, 특징 및 잇점들은 하기 수반되는 도면을 참고로 한 본 발명의 바람직한 실시태양의 설명을 통해 명백하게 드러날 것이다.
본 발명을 수반되는 도면을 참고로 하여 설명하고자 한다. 제1도는 본 발명의 제1실시태양에 따라 불소를 함유하는 산화규소막을 형성시키는데 사용되는 장치의 개략도이다. 산소 기체의 흐름은 유량 조절기(106)에 의해 유속 10SLM으로 조절되어 오존이 약 20,000ppm의 농도로 생성되는 오존 발생기(105)로 들어가고, 이어서 분산 헤드(104)를 통해 반응 챔버로 들어간다. 동시에, 질소 기체 흐름은 유량 조절기(107)에 의해 유속 2SLM으로 조절된다. 질소 기체의 다른 흐름은 2부분으로 나누어져 이 중 하나는 유량 조절기(108)에 의해 유속 2SLM으로 조절되어 테트라에틸 오르토실리케이트 Si(OC2H5)4를 기화시키는 60℃의 온도로 유지되는 Si(OC2H5)4함유 버블러(110)중에서 버블링되고, 나머지 하나는 유량 조절기(109)에 의해 유속 2SLM으로 조절되어 플루오로트리에톡시실란 FSi(OC2H5)3을 기화시키는 60℃의 온도로 유지되는 FSi(OC2H5)3함유 버블러(111)중에서 버블링된다.
유량 조절기(107) 및 버블러로부터 나오는 질소 기체 흐름은 분산 헤드(104)를 통해 반응 챔버로 들어간다. 이들 기체들은 반응 챔버중에서 혼합되고, 분해되어 가열기(102)로 가열시켜 온도를 200℃로 유지시킨 서스텝터(103)상에 놓여 있는 반도체 기판(101)상으로 증착된다.
상기한 장치를 사용하여, 두께 약 1㎛의 불소를 함유하는 산화규소막을 규소 기판상에 형성시키고 그 특징을 관찰하였다. 먼저, X선 광전자 분광 측정으로 막 조성을 관찰하였던 바, 막은 SiO1.85F0.1 5의 조성을 가지고, 불소 원자가 두께 방향으로 거의 균일하게 분포되어 있다는 것을 알 수 있었다. 다음으로, 막의 물리적, 화학적 및 전기적 특성을 관찰하였다. 막의 굴절율은 약 1.425이었는데, 이는 종래의 막의 굴절율인 1.45보다 작은 값이다.
제2도는 본 발명의 한 실시태양과 선행 기술 사이의 푸우리에(Fourier) 변환 적외선 흡수를 비교하여 나타낸 그래프이다. 여기에서 (a)는 본 방법의 한 실시태양에 따라 200℃의 기판 온도에서 규소 기판상에 형성시킨 불소를 함유하는 산화규소막의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타내고 (b)는 선행 기술에 따라 400℃의 기판 온도에서 형성시킨 불소를 함유하지 않는 산화규소막의 적외선 흡수 스펙트럼을 나타낸다. 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 실시태양의 불소를 함유하는 산화규소막의 경우에는 선행 기술에 의해 생성된 산화규소막의 Si-O 결합의 흡수 피크가 나타나는 파장인 약 1067cm-1보다 큰 파장인 약 1080cm-1에서 Si-O 결합의 흡수 피크가 나타난다. 이것은 본 실시태양에 따른 불소를 함유하는 산화규소막의 Si-O 결합이 선행 기술에 따라 형성된 산화규소막의 Si-O 결합보다 강하다는 것을 의미한다.
유사하게 제2도로부터, 3400cm-1부근의 파장에서 나타나는 OH기의 흡수 피크의 크기는 본 실시태양의 불소를 함유하는 산화규소막의 경우가 선행 기술의 산화규소막에서 보다 더 작다는 것을 알 수 있다. 이것은 본 실시예의 불소를 함유하는 산화규소막이 보다 낮은 수분 함량을 갖는다는 것을 의미한다. 따라서 적외선 흡수 스펙트럼으로부터 얻은 결과는, 본 실시태양에 따라 보다 낮은 온도인 200℃에서 형성시킨 불소를 함유하는 산화규소막의 품질이 보다 높은 온도인 400℃에서 형성시킨 선행 기술의 산화규소막보다 우수하다는 것을 나타낸다.
또한, 본 실시태양에 따른 불소를 함유하는 산화규소막의 에칭 속도를 1 : 30를 불화수소산의 완충 용액을 사용하여 측정하였다. 그 결과, 이것은 약 800Å/분의 에칭 속도를 나타낸 반면, 선행 기술의 산화규소막은 동일한 실험에서 약 1000Å/분의 에칭 속도를 나타냈다. 이것은 본 실시태양의 불소를 함유하는 산화규소막이 선행 기술에 의해 형성된 산화규소막보다 밀도가 높다는 것을 의미한다. 본 실시태양의 불소를 함유하는 산화규소막은 2×108dyn/cm2의 내부 응력을 갖는데, 이것은 선행 기술의 산화규소막의 내부 응력값인 1×109dyn/cm2보다 한 자리수 낮은 값이다.
막상에 형성시킨 면적 약 4mm2의 알루미늄 전극을 사용하여 막의 전기적 특성을 조사하였다. 전압 5V를 샘플상에 가하였을 때, 본 실시태양의 불소를 함유하는 산화규소막은 약 5×10-11A/cm2의 누출 전류 밀도를 나타냈는데, 이것은 선행 기술의 산화규소 막의 누출 전류 밀도값인 2×10-10A/cm2보다 낮은 것이다. 게다가, 본 실시태양의 불소를 함유하는 산화규소막은 주파수 1MHz에서의 용량-전압 측정치로부터 구한 유전상수값이 약 3.7로 낮은 반면, 선행 기술의 산화규소막의 유전 상수값은 4.1이었다.
이어서, 본 발명의 다른 실시태양을 도면을 참고로 하여 기술하고자 한다. 제3도는 본 발명의 제2실시태양에 따라 불소를 함유하는 산화규소막의 형성에 사용되는 플라즈마 첨가한 화학 증착법용 장치의 개략도이다. 이 도면에서, 반응 챔버(301)을 소정의 일정한 압력이 되도록 배기시키고, 유량 조절기(306)을 통해 산소 기체를 반응 챔버(301)내에 도입시켰다. 음극 전극(303)에 13.56MHz의 고주파 전력을 공급하였다. 양극 전극(302)를 접지시키고, 반도체 기판(305)를 가열기(304)로 소정의 온도로 유지시켰다. 반응 기체인 테트라-에틸 오르토실리케이트 Si(OC2H5)4및 프루오로트리에톡시실란 FSi(OC2H5)4을 버블러(309 및 310)중에서 각각 기화시켜 반응 챔버내로 도입시켰다. 질소 기체를 유량 조절기(307 및 308)을 통해 각각 버블러(309 및 310)내로 도입시켰다.
본 실시태양에서는, 기판 온도 200℃, 반응 챔버 내부 압력 0.3Torr 및 고주파 전력 밀도 0.5W/cm2의 막 형성 조건하에서 약 1㎛의 두께를 갖는 불소를 함유하는 산화규소막이 생성되었다. 이렇게 형성된 불소를 함유하는 산화규소막의 막 특성을 평가하였다. 그 결과, 제1실시태양에서와 동일한 결과를 얻었다.
제1실시태양 및 제2실시태양에서 모두 불소를 함유하는 산화규소막에 어떠한 도핑 기체도 도입시키지 않았지만, 필요에 따라 인 및 붕소중 1종 이상을 함유하는 유기 화합물, 예를 들면 트리메톡시 포스페이트 PO(OCH3)3또는 트리메톡시보론 B(OCH3)3을 유사하게 버블링으로 기화시켜 불소를 함유하는 산화규소막에 인 및 붕소중 1종 이상을 첨가시키는 도핑 기체로서 사용할 수 있다. 또한, 막 형성 온도는 200℃ 이상일 수 있고, 기타 막 형성 조건도 필요에 따라 변화시킬 수 있다.
본 발명은 실시태양중에 기재한 것 이외의 방법, 예를 들면 플라즈마 이용법, 열화학 증착법 및 자외선 조사를 이용하는 광화학적 증착법에 적용할 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 월등한 막 특성을 갖는 산화규소막을 플루오로알콕시실란을 첨가한 유기 원료를 사용하여 화학 증착법으로 저온에서 증착시킬 수 있다. 저온에서 형성됨에도 불구하고, 수분 함량은 감소시킬 수 있다. 따라서, 이 막을 반도체 장치중에 사용하는 경우에는 이들의 신뢰성을 두드러지게 향상시킬 수 있다.
막을 알루미늄 배선 등의 다층 배선의 층 사이의 절연막으로 사용하는 경우, 막이 저온에서 생성되고, 매우 고밀도이고, 응력이 작기 때문에 어떠한 균열도 야기시키지 않고, 또한 알루미늄 힐록이 형성되지 않는 두꺼운 막을 형성시킬 수 있다. 따라서, 본 발명은 다층 배선을 갖는 반도체 장치의 생산량을 증가시킬 뿐만 아니라 이들의 신뢰성도 향상시키는 잇점을 갖는다.
본 발명을 그의 바람직한 실시태양에 관하여 설명하였지만, 이것은 발명의 한정이라기 보다는 설명을 위한 것으로 본 발명의 넓은 의미에서의 영역 및 정신을 벗어나지 않고서 수반되는 청구 범위 내에 속하는 변형이 행해질 수 있다.
Claims (9)
- 원료 기체인 알콕시실란 또는 그의 중합체와 여기에 첨가되는 플루오로알콕시실란으로 이루어진 기체 혼합물을 반응 챔버내에 도입시키고, 상기 기체 혼합물을 분해시켜 불소를 함유하는 산화규소막을 기판상에 증착시키는 것을 특징으로 하는, 불소를 함유하는 산화규소막을 형성시키기 위한 화학 증착법.
- 제1항에 있어서, 상기 알콕시실란은 화학식 Si(OR)4(여기서, R은 알킬 라디칼기임)로 나타내어지는 것인 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 알콕시실란은 테트라-에틸 오르토실리케이트인 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플루오로알콕시실란은 화학식 Si(OR')nF4-n(여기서, R'은 알킬 라디칼기이고, n은 1 내지 3의 정수임)으로 나타내어지는 것인 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 플루오로알콕시실란은 플루오로트리에톡시실란인 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불소를 함유하는 산화규소막을 형성시키는 동안, 유기 인 화합물 및 유기 붕소 화합물과 같은 인 또는 붕소를 함유하는 화합물중 1종 이상을 기화시켜 상기 기체 혼합물내에 도입시킴으로써 인 및 붕소중 1종 이상을 상기 불소를 함유하는 산화규소막에 첨가시키는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 인 또는 붕소를 함유하는 화합물중 1종 이상이 트리메톡시 포스페이트 PO(OCH3)3및 트리메톡시보론 B(OCH3)3으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기체 혼합물을 분해시켜 불소를 함유하는 산화규소막을 기판상에 증착시키는 것을 약 200℃의 온도에서 행하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기체 혼합물의 분해를 오존 기체 존재하에, 또는 자외선 조사 또는 기체 플라즈마하에서 행함으로써 상기 불소를 함유하는 산화규소막을 형성시키는 것인 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP91-136426 | 1991-06-07 | ||
| JP3136426A JP2699695B2 (ja) | 1991-06-07 | 1991-06-07 | 化学気相成長法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR930001347A KR930001347A (ko) | 1993-01-16 |
| KR960013151B1 true KR960013151B1 (ko) | 1996-09-30 |
Family
ID=15174876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920009794A KR960013151B1 (ko) | 1991-06-07 | 1992-06-05 | 산화규소 막을 형성시키기 위한 화학 증착법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5288518A (ko) |
| EP (1) | EP0517548B1 (ko) |
| JP (1) | JP2699695B2 (ko) |
| KR (1) | KR960013151B1 (ko) |
| DE (1) | DE69226814T2 (ko) |
Families Citing this family (225)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69107101T2 (de) | 1990-02-06 | 1995-05-24 | Semiconductor Energy Lab | Verfahren zum Herstellen eines Oxydfilms. |
| WO1992020833A1 (en) | 1991-05-17 | 1992-11-26 | Lam Research Corporation | A PROCESS FOR DEPOSITING A SIOx FILM HAVING REDUCED INTRINSIC STRESS AND/OR REDUCED HYDROGEN CONTENT |
| JP2773530B2 (ja) * | 1992-04-15 | 1998-07-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3688726B2 (ja) * | 1992-07-17 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US5753564A (en) * | 1992-11-24 | 1998-05-19 | Sumitomo Metal Industries, Ltd. | Method for forming a thin film of a silicon oxide on a silicon substrate, by BCR plasma |
| KR0131439B1 (ko) * | 1992-11-24 | 1998-04-14 | 나카무라 타메아키 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| JPH0770534B2 (ja) * | 1993-01-11 | 1995-07-31 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US7465679B1 (en) | 1993-02-19 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Insulating film and method of producing semiconductor device |
| JPH06326026A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-11-25 | Applied Materials Inc | 半導体装置の薄膜形成方法 |
| US5571571A (en) * | 1993-06-16 | 1996-11-05 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a thin film for a semiconductor device |
| JPH0793275B2 (ja) * | 1993-06-25 | 1995-10-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体装置の薄膜及び半導体装置の薄膜形成方法 |
| JPH07193004A (ja) * | 1993-11-22 | 1995-07-28 | Applied Materials Inc | 半導体装置の薄膜形成方法 |
| JPH07161705A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-06-23 | Nec Corp | 半導体装置の多層配線層間絶縁膜の形成方法 |
| JPH07169833A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-07-04 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2600600B2 (ja) * | 1993-12-21 | 1997-04-16 | 日本電気株式会社 | 研磨剤とその製法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2917783B2 (ja) * | 1993-12-24 | 1999-07-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US5492736A (en) * | 1994-11-28 | 1996-02-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Fluorine doped silicon oxide process |
| JPH08167601A (ja) * | 1994-12-13 | 1996-06-25 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP0724286A1 (en) * | 1995-01-25 | 1996-07-31 | Applied Materials, Inc. | A method of forming a thin film of silicon oxide for a semiconductor device |
| US5571576A (en) * | 1995-02-10 | 1996-11-05 | Watkins-Johnson | Method of forming a fluorinated silicon oxide layer using plasma chemical vapor deposition |
| TW302525B (ko) * | 1995-02-28 | 1997-04-11 | Hitachi Ltd | |
| US5466850A (en) * | 1995-04-07 | 1995-11-14 | Pcr, Inc. | Process for the preparation of fluorosilanes |
| US5771562A (en) * | 1995-05-02 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Passivation of organic devices |
| JP3061255B2 (ja) * | 1995-08-18 | 2000-07-10 | キヤノン販売株式会社 | 成膜方法 |
| CN1082254C (zh) * | 1995-08-22 | 2002-04-03 | 松下电器产业株式会社 | 硅结构体及其制造方法和装置及使用硅结构体的太阳电池 |
| JP3979687B2 (ja) * | 1995-10-26 | 2007-09-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ハロゲンをドープした酸化珪素膜の膜安定性を改良する方法 |
| KR100267418B1 (ko) * | 1995-12-28 | 2000-10-16 | 엔도 마코토 | 플라스마처리방법및플라스마처리장치 |
| US6042901A (en) * | 1996-02-20 | 2000-03-28 | Lam Research Corporation | Method for depositing fluorine doped silicon dioxide films |
| US5976993A (en) | 1996-03-28 | 1999-11-02 | Applied Materials, Inc. | Method for reducing the intrinsic stress of high density plasma films |
| US7763327B2 (en) * | 1996-04-22 | 2010-07-27 | Micron Technology, Inc. | Methods using ozone for CVD deposited films |
| US6070551A (en) | 1996-05-13 | 2000-06-06 | Applied Materials, Inc. | Deposition chamber and method for depositing low dielectric constant films |
| US6004397A (en) * | 1996-05-16 | 1999-12-21 | Lg Semicon Co., Ltd. | TEOS-O3 oxidizing film depositing system and process for supplying ozone (O3) thereto |
| KR100205316B1 (ko) * | 1996-05-16 | 1999-07-01 | 구본준 | 티이오에스 오존 산화막 증착장치 및 그 장치에 오존을 공급하는 방법 |
| US5693928A (en) * | 1996-06-27 | 1997-12-02 | International Business Machines Corporation | Method for producing a diffusion barrier and polymeric article having a diffusion barrier |
| US5807785A (en) * | 1996-08-02 | 1998-09-15 | Applied Materials, Inc. | Low dielectric constant silicon dioxide sandwich layer |
| US5661093A (en) * | 1996-09-12 | 1997-08-26 | Applied Materials, Inc. | Method for the stabilization of halogen-doped films through the use of multiple sealing layers |
| US5763021A (en) * | 1996-12-13 | 1998-06-09 | Cypress Semiconductor Corporation | Method of forming a dielectric film |
| JP3773340B2 (ja) * | 1996-12-18 | 2006-05-10 | 大日本印刷株式会社 | 低屈折率ＳｉＯ２ 膜及びその製造方法 |
| US6211096B1 (en) * | 1997-03-21 | 2001-04-03 | Lsi Logic Corporation | Tunable dielectric constant oxide and method of manufacture |
| US5872065A (en) * | 1997-04-02 | 1999-02-16 | Applied Materials Inc. | Method for depositing low K SI-O-F films using SIF4 /oxygen chemistry |
| JP3178375B2 (ja) * | 1997-06-03 | 2001-06-18 | 日本電気株式会社 | 絶縁膜の形成方法 |
| US5937323A (en) | 1997-06-03 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Sequencing of the recipe steps for the optimal low-k HDP-CVD processing |
| US6136685A (en) * | 1997-06-03 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | High deposition rate recipe for low dielectric constant films |
| US5869149A (en) * | 1997-06-30 | 1999-02-09 | Lam Research Corporation | Method for preparing nitrogen surface treated fluorine doped silicon dioxide films |
| US6451686B1 (en) | 1997-09-04 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Control of semiconductor device isolation properties through incorporation of fluorine in peteos films |
| US5908672A (en) * | 1997-10-15 | 1999-06-01 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing a planarized passivation layer |
| US6121164A (en) * | 1997-10-24 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Method for forming low compressive stress fluorinated ozone/TEOS oxide film |
| US5876798A (en) * | 1997-12-29 | 1999-03-02 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Method of fluorinated silicon oxide film deposition |
| US6727190B2 (en) | 1998-09-03 | 2004-04-27 | Micron Technology, Inc. | Method of forming fluorine doped boron-phosphorous silicate glass (F-BPSG) insulating materials |
| US6261975B1 (en) * | 1999-03-04 | 2001-07-17 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing and planarizing fluorinated BPSG films |
| JP4515550B2 (ja) * | 1999-03-18 | 2010-08-04 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 薄膜形成方法 |
| US6335288B1 (en) | 2000-08-24 | 2002-01-01 | Applied Materials, Inc. | Gas chemistry cycling to achieve high aspect ratio gapfill with HDP-CVD |
| US6790203B2 (en) | 2000-12-20 | 2004-09-14 | Sca Hygiene Products Ab | Absorbent product comprising leakage barriers |
| US6649219B2 (en) * | 2001-02-23 | 2003-11-18 | Lsi Logic Corporation | Process for forming a low dielectric constant fluorine and carbon-containing silicon oxide dielectric material characterized by improved resistance to oxidation |
| US6732551B2 (en) | 2001-05-04 | 2004-05-11 | Corning Incorporated | Method and feedstock for making silica |
| EP1270525A1 (en) * | 2001-06-22 | 2003-01-02 | NKT Research A/S | Devices for handling of liquids comprising biomolecules |
| US7081414B2 (en) * | 2003-05-23 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Deposition-selective etch-deposition process for dielectric film gapfill |
| US7205240B2 (en) * | 2003-06-04 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | HDP-CVD multistep gapfill process |
| US7229931B2 (en) * | 2004-06-16 | 2007-06-12 | Applied Materials, Inc. | Oxygen plasma treatment for enhanced HDP-CVD gapfill |
| US7087536B2 (en) * | 2004-09-01 | 2006-08-08 | Applied Materials | Silicon oxide gapfill deposition using liquid precursors |
| US20060154494A1 (en) | 2005-01-08 | 2006-07-13 | Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation | High-throughput HDP-CVD processes for advanced gapfill applications |
| US7329586B2 (en) * | 2005-06-24 | 2008-02-12 | Applied Materials, Inc. | Gapfill using deposition-etch sequence |
| US7524750B2 (en) | 2006-04-17 | 2009-04-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated process modulation (IPM) a novel solution for gapfill with HDP-CVD |
| KR100687780B1 (ko) | 2006-04-18 | 2007-02-27 | 주식회사 아토 | 대기압 화학기상증착 장치를 이용하여 고 종횡비의 나노 갭을 채우는 ｂｐｓｇ 절연막 증착 방법 |
| WO2007139379A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for deposition using pulsed atmospheric pressure glow discharge |
| US20080142483A1 (en) * | 2006-12-07 | 2008-06-19 | Applied Materials, Inc. | Multi-step dep-etch-dep high density plasma chemical vapor deposition processes for dielectric gapfills |
| US7939422B2 (en) * | 2006-12-07 | 2011-05-10 | Applied Materials, Inc. | Methods of thin film process |
| EP2109876B1 (en) * | 2007-02-13 | 2015-05-06 | Fuji Film Manufacturing Europe B.V. | Substrate plasma treatment using magnetic mask device |
| WO2009096785A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for plasma surface treatment of a moving substrate |
| JP2009071331A (ja) * | 2008-12-15 | 2009-04-02 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8528224B2 (en) | 2009-11-12 | 2013-09-10 | Novellus Systems, Inc. | Systems and methods for at least partially converting films to silicon oxide and/or improving film quality using ultraviolet curing in steam and densification of films using UV curing in ammonia |
| US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
| US8741778B2 (en) | 2010-12-14 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Uniform dry etch in two stages |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
| US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
| US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
| US8497211B2 (en) | 2011-06-24 | 2013-07-30 | Applied Materials, Inc. | Integrated process modulation for PSG gapfill |
| US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
| US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
| US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
| US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
| US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
| KR101265254B1 (ko) | 2011-10-07 | 2013-05-16 | 금호석유화학 주식회사 | 실리카 보강재에 대한 상용성이 우수한 말단변성 디엔계 공중합체 및 이의 제조방법 |
| WO2013070436A1 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | Applied Materials, Inc. | Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing |
| US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
| US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
| US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
| US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
| US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
| US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
| US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
| US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
| US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
| US9018108B2 (en) | 2013-01-25 | 2015-04-28 | Applied Materials, Inc. | Low shrinkage dielectric films |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
| US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
| US10170282B2 (en) | 2013-03-08 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Insulated semiconductor faceplate designs |
| US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
| US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
| US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
| US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
| US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
| US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
| US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
| US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
| US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
| US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
| US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
| US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
| US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
| US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
| US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
| US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
| US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
| US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
| US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
| US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
| US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
| US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
| US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| US9847289B2 (en) | 2014-05-30 | 2017-12-19 | Applied Materials, Inc. | Protective via cap for improved interconnect performance |
| US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
| US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
| US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
| US9159606B1 (en) | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
| US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
| US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
| US9165786B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
| US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
| US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
| US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
| US9355862B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-based hardmask removal |
| US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
| US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
| US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
| US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
| US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
| US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
| US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| CA2920646A1 (en) | 2016-02-12 | 2017-08-12 | Seastar Chemicals Inc. | Organometallic compound and method |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
| US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
| US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
| US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
| US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
| US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
| US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| TWI766433B (zh) | 2018-02-28 | 2022-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4708884A (en) * | 1984-07-11 | 1987-11-24 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Low temperature deposition of silicon oxides for device fabrication |
| US4683024A (en) * | 1985-02-04 | 1987-07-28 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Device fabrication method using spin-on glass resins |
| EP0204182B1 (de) * | 1985-05-22 | 1991-06-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Herstellen von mit Bor und Phosphor dotierten Siliziumoxid-Schichten für integrierte Halbleiterschaltungen |
| JPH0657611B2 (ja) * | 1987-05-19 | 1994-08-03 | 工業技術院長 | 石英ガラス薄膜の製造方法 |
| US4894352A (en) * | 1988-10-26 | 1990-01-16 | Texas Instruments Inc. | Deposition of silicon-containing films using organosilicon compounds and nitrogen trifluoride |
-
1991
- 1991-06-07 JP JP3136426A patent/JP2699695B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-06-05 DE DE69226814T patent/DE69226814T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-06-05 US US07/894,584 patent/US5288518A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-06-05 KR KR1019920009794A patent/KR960013151B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1992-06-05 EP EP92305192A patent/EP0517548B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0517548A3 (en) | 1993-12-01 |
| US5288518A (en) | 1994-02-22 |
| EP0517548B1 (en) | 1998-09-02 |
| DE69226814D1 (de) | 1998-10-08 |
| EP0517548A2 (en) | 1992-12-09 |
| KR930001347A (ko) | 1993-01-16 |
| DE69226814T2 (de) | 1999-05-12 |
| JPH04360533A (ja) | 1992-12-14 |
| JP2699695B2 (ja) | 1998-01-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960013151B1 (ko) | 산화규소 막을 형성시키기 위한 화학 증착법 | |
| US6514880B2 (en) | Siloxan polymer film on semiconductor substrate and method for forming same | |
| KR101157683B1 (ko) | 실리콘 산화막의 제조 방법 | |
| KR100453612B1 (ko) | 유전율이 낮은 수소화된 옥시탄화규소 막의 제조방법 | |
| US6383955B1 (en) | Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for forming the film | |
| US5215787A (en) | Method of forming silicon oxide film containing fluorine | |
| US6653719B2 (en) | Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate | |
| US6667553B2 (en) | H:SiOC coated substrates | |
| US5356722A (en) | Method for depositing ozone/TEOS silicon oxide films of reduced surface sensitivity | |
| JP3930840B2 (ja) | 低κ誘電性無機／有機ハイブリッドフィルム | |
| US6440876B1 (en) | Low-K dielectric constant CVD precursors formed of cyclic siloxanes having in-ring SI—O—C, and uses thereof | |
| US5166101A (en) | Method for forming a boron phosphorus silicate glass composite layer on a semiconductor wafer | |
| US20070054505A1 (en) | PECVD processes for silicon dioxide films | |
| EP0713927A1 (en) | Fluorine doped silicon oxide coating process | |
| EP0421203B1 (en) | An integrated circuit structure with a boron phosphorus silicate glass composite layer on semiconductor wafer and improved method for forming same | |
| US5763021A (en) | Method of forming a dielectric film | |
| Fujino et al. | Doped silicon oxide deposition by atmospheric pressure and low temperature chemical vapor deposition using tetraethoxysilane and ozone | |
| EP0481706B1 (en) | Method of producing CVD silicon oxynitride film | |
| JPH06168937A (ja) | シリコン酸化膜の製造方法 | |
| KR100926722B1 (ko) | 반도체 기판상의 실록산 중합체막 및 그 제조방법 | |
| US8420170B2 (en) | Methods of forming glass on a substrate | |
| Loboda et al. | Deposition of low-K dielectric films using trimethylsilane | |
| KR20220024786A (ko) | 규소 함유 막의 증착을 위한 조성물 및 이의 사용 방법 | |
| JPH08321499A (ja) | 硅素化合物膜およびその形成方法 | |
| JP2003297821A (ja) | 半導体基板上のシロキサン重合体膜及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| G160 | Decision to publish patent application | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20030924 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |