KR880001151A - 광전 변환 장치 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1의 실시예를 도시한 전체의 사시도.
Claims (11)
- 절연성을 가지는 기판과, 이 기판의 표면에 박막기술에 의해 형성된 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극과, 상기 기판 및 상기 게이트 전극상에 막형성된 절연막과, 이 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 센서부를 위해 공통으로 적층하여 막형성된 a-Si막과, 이 a-Si막상에 공통으로 적층해서 막형성된 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광정 변환 장치.
- 제1항에 있어서, a-Si막을 0.6㎛ 이상의 두께로 형성한 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치.
- 제1항에 있어서, a-Si막과 전극과의 사이에 이 전극과 동일패턴의 n÷a-Si막을 형성한 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치.
- 절연성을 가지는 기판의 표면에 박막기술에 의해 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극을 형성하고, 절연막을 상기 기판 및 상기 게이트 전극상에 형성하고, 그의 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 센서부를 위한 a-Si막을 공통으로 적층해서 형성하고, 이 a-Si막상에 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극을 공통으로 적충해서 막을 형성한 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치의 제조방법.
- 제4항에 있어서, a-Si막에 적층하여 n+a-Si막과 전극을 형성하기 위한 전극재를 순차로 막 형성하고, 이 전극재의 상기 전극부분을 남기고 제거하며, 상기n+a-Si막을 똑같이 상기 전극부분을 남기고 제거한것을 특징으로 하는 광전 변환 장치의 제조방법.
- 절연성을 가지는 기판과, 이 기판의 표면에 박막기술에 의해 형성된 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극과, 상기 기판 및 상기 게이트 전극상에 막형성된 절연막과 이 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 센서부를 위해 필요한 부분에만 공통으로 적층하여 막형성된 a-Si막과, 이 a-Si막상에 공통으로 적층해서 막형성된 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치.
- 절연성을 가지는 기판의 표면에 박막기술에 의해 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극을 형성하고, 절연막을 사기기판 및 상기 게이트 전극상에 형성하고, 그의 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 센서부를 위한 a-Si막을 공통으로 적층하여 형성하고, 이 a-Si막을 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부에 필요한 부분만을 남기고 제거하며, 상기 a-Si막 및 상기 절연막상에 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극을 공통으로 적층하여 형성한 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치의 제조방법.
- 절연성과 가지는 기판과, 이 기판의 표면에 박막기술에 의해 형성된 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극과, 이 게이트 전극과 동시에 상기 기판의 표면에 박막기술에 의해 형성된 센서부를 위한 반사막과, 상기 기판 및 상기 게이트 전극상에 막형성된 절연막과, 이 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 센서부를 위해 공통으로 적층하여 형성된 a-Si막과, 이 a-Si막상에 공통으로 적층하여 막형성된 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치.
- 절연성을 가지는 기판의 표면에 박막기술에 의해 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극과 센서부를 위한 반사막을 동시에 형성하고, 절연막을 상기 기판, 상기 게이트 전극 및 상기 반사막상에 형성하고, 상기 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 상기 센서부를 위한 a-Si막을 공통으로 적층하여 형성하고, 이 a-Si막상에 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극을 공통으로 적층하여 형성한 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치의 제조방법.
- 절연성을 가지는 기판과, 매트릭스 하부 배선패턴과 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극을 그의 일부로 하는 게이트 배선패턴으로 이루어지는 상기 기판의 표면에 박막기술에 의해 형성된 리이드패턴과, 상기 기판 및 상기 리이드패턴상에 형성된 절연막과, 이 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 센서부를 위해 공통으로 적층하여 형성된 a-Si막과, 이 a-Si막상에 공통으로 적층하여 형성된 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극과, 이 전극과 상기 리이드패턴을 소정의 부분으로 접속시키기 위해 상기 절연층으로 형성된 스로우홀로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치.
- 절연성을 가지는 기판의 표면에 박막기술에 의해 매트릭스 하부 배선패턴과 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극을 그의 일부로 하는 게이트 배선패턴을 공통으로 형성하고, 절연막을 상기 기판, 매트릭스 하부 배선패턴 및 상기 게이트 배선패턴상에 형성하고, 그의 절연막에 상기 매트릭스 하부 배선패턴 또는 상기 게이트 배선패턴의 소정위치에 연락하는 스로우홀을 형성하고, 상기 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 센서부를 위한 a-Si막을 공통으로 적층하여 형성하고, 이 a-Si막 및 상기 절연막상에 소정의 것이 상기 스로우홀내에 접속되는 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극을 공통으로 적층하여 형성한 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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1987
- 1987-05-15 JP JP62119349A patent/JPS63114164A/ja active Pending
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