KR880001151A - 광전 변환 장치 - Google Patents

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미노루 오가와
고오이찌로오 사까모도
도시유끼 다무라
가즈시게 가쯔우미
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고바야시 준
도오꼬오덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

광전 변환 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1의 실시예를 도시한 전체의 사시도.

Claims (11)

  1. 절연성을 가지는 기판과, 이 기판의 표면에 박막기술에 의해 형성된 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극과, 상기 기판 및 상기 게이트 전극상에 막형성된 절연막과, 이 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 센서부를 위해 공통으로 적층하여 막형성된 a-Si막과, 이 a-Si막상에 공통으로 적층해서 막형성된 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광정 변환 장치.
  2. 제1항에 있어서, a-Si막을 0.6㎛ 이상의 두께로 형성한 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치.
  3. 제1항에 있어서, a-Si막과 전극과의 사이에 이 전극과 동일패턴의 n÷a-Si막을 형성한 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치.
  4. 절연성을 가지는 기판의 표면에 박막기술에 의해 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극을 형성하고, 절연막을 상기 기판 및 상기 게이트 전극상에 형성하고, 그의 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 센서부를 위한 a-Si막을 공통으로 적층해서 형성하고, 이 a-Si막상에 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극을 공통으로 적충해서 막을 형성한 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, a-Si막에 적층하여 n+a-Si막과 전극을 형성하기 위한 전극재를 순차로 막 형성하고, 이 전극재의 상기 전극부분을 남기고 제거하며, 상기n+a-Si막을 똑같이 상기 전극부분을 남기고 제거한것을 특징으로 하는 광전 변환 장치의 제조방법.
  6. 절연성을 가지는 기판과, 이 기판의 표면에 박막기술에 의해 형성된 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극과, 상기 기판 및 상기 게이트 전극상에 막형성된 절연막과 이 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 센서부를 위해 필요한 부분에만 공통으로 적층하여 막형성된 a-Si막과, 이 a-Si막상에 공통으로 적층해서 막형성된 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치.
  7. 절연성을 가지는 기판의 표면에 박막기술에 의해 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극을 형성하고, 절연막을 사기기판 및 상기 게이트 전극상에 형성하고, 그의 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 센서부를 위한 a-Si막을 공통으로 적층하여 형성하고, 이 a-Si막을 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부에 필요한 부분만을 남기고 제거하며, 상기 a-Si막 및 상기 절연막상에 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극을 공통으로 적층하여 형성한 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치의 제조방법.
  8. 절연성과 가지는 기판과, 이 기판의 표면에 박막기술에 의해 형성된 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극과, 이 게이트 전극과 동시에 상기 기판의 표면에 박막기술에 의해 형성된 센서부를 위한 반사막과, 상기 기판 및 상기 게이트 전극상에 막형성된 절연막과, 이 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 센서부를 위해 공통으로 적층하여 형성된 a-Si막과, 이 a-Si막상에 공통으로 적층하여 막형성된 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치.
  9. 절연성을 가지는 기판의 표면에 박막기술에 의해 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극과 센서부를 위한 반사막을 동시에 형성하고, 절연막을 상기 기판, 상기 게이트 전극 및 상기 반사막상에 형성하고, 상기 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 상기 센서부를 위한 a-Si막을 공통으로 적층하여 형성하고, 이 a-Si막상에 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극을 공통으로 적층하여 형성한 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치의 제조방법.
  10. 절연성을 가지는 기판과, 매트릭스 하부 배선패턴과 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극을 그의 일부로 하는 게이트 배선패턴으로 이루어지는 상기 기판의 표면에 박막기술에 의해 형성된 리이드패턴과, 상기 기판 및 상기 리이드패턴상에 형성된 절연막과, 이 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 센서부를 위해 공통으로 적층하여 형성된 a-Si막과, 이 a-Si막상에 공통으로 적층하여 형성된 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극과, 이 전극과 상기 리이드패턴을 소정의 부분으로 접속시키기 위해 상기 절연층으로 형성된 스로우홀로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치.
  11. 절연성을 가지는 기판의 표면에 박막기술에 의해 매트릭스 하부 배선패턴과 박막트랜지스터부를 위한 게이트 전극을 그의 일부로 하는 게이트 배선패턴을 공통으로 형성하고, 절연막을 상기 기판, 매트릭스 하부 배선패턴 및 상기 게이트 배선패턴상에 형성하고, 그의 절연막에 상기 매트릭스 하부 배선패턴 또는 상기 게이트 배선패턴의 소정위치에 연락하는 스로우홀을 형성하고, 상기 절연막상에 상기 박막트랜지스터부 및 센서부를 위한 a-Si막을 공통으로 적층하여 형성하고, 이 a-Si막 및 상기 절연막상에 소정의 것이 상기 스로우홀내에 접속되는 상기 센서부 및 상기 박막트랜지스터부의 전극을 공통으로 적층하여 형성한 것을 특징으로 하는 광전 변환 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870006135A 1986-06-17 1987-06-17 광전 변환 장치 KR910005603B1 (ko)

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JP62-119349 1987-05-15

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