KR870001740B1 - 광파이버용 유리모재의 제조방법 - Google Patents

광파이버용 유리모재의 제조방법 Download PDF

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스미도모 덴기 고오교오 가부시기가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

광파이버용 유리모재의 제조방법
제1도는 광파이버의 굴절을 분포구조를 도시한 개략도.
제2도는 본 발명을 실시하기 위한 화염가수 분해법에 의한 스우트모재 제조방법의 개략도.
제3도는 스우트모재내의 금속첨가제(도우팬트)의 분포를 도시한 도면.
제4도는 스우트모재의 부피밀도 분포를 도시한 도면.
제5(a)도 및 제5(b)도는 스우트모재내의 금속첨가제의 분포예를 도시한 도면.
제6도는 제5(a)도 및 제5(b)도의 경우의 스우트모재내의 직경방향의 상대밀도의 시간변화를 도시한 도면.
제7(a)도, 제7(b)도 및 제7(c)도는 본 발명의 일실시에에 있어서의 스우트모재의 GeO2농도분포 및 상대밀도분포와 유리모재의 굴절율차를 도시한 그래프.
제8(a)도 및 제8(c)도는 비교예의 스우트모재의 GeO2농도분포 및 유리모재의 굴절율차를 도시한 그래프.
제9(b)도 및 제9(c)도는, 본 발명의 또 다른 일실시예의 스우트모재의 상대밀도분포 및 유리모재의 굴절율차를 도시한 그래프.
제10도는 본 발명의 일실시예에 있어서의 스우트모재처리의 패턴을 도시한 그래프.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 스우트모재의 코어상당부분 2 : 스우트모재의 클래드 상당부분
3A, 3B : 다심관버어너 4 : O2공급구
5 : H2공급구 6 : 차폐용 아르곤 가스공급구
7 : 원료가스공급구 8 : 출발(出發)모재
9 : 스우트모재의 코어상당부분 10 : 스우트모재의 클래드 상당부분
11A : 클래드 상당부의 최내주부분 11B : 코어상당부의 최외주부분
본 발명은, 광파이버용 유리모재의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세히 설명하면, 광파이버용의 유리미립자 퇴적체 즉 스우트모재를 고온로(高溫爐)에서 소결하여 투명유리화할때에 클래드 상당부분에만 불소를 용이하게 첨가할 수 있는 광파이버용 유리모재의 제조방법에 관한 것이다.
광파이버는, 통상 제1도에 표시한 바와같이, 코어부라고 불리어지는 광(光)이 통과하는 중심부분(1)과 클래드부라고 불리어지는 주변부분(2)으로 이루어져 있다. 코어부분(1)의 굴절율(n1)은, 광을 전송하는 형편상, 제1도의 굴절율분포에 표시한 바와 같이 클래드부분(2)의 굴절율(n2)보다 높게하고 있다.
그리고, 코어와 클래드의 비(比)굴절율차(Δn)
Δn=(n2-n1)/n1
를 높게함으로서, 클래드면에서 모두 반사하는 수광각(受光角)을 크게할 수 있고, 광유리파이버를 구부렸을 경우의 전력손실이 적어지는 등의 이점이 있다. Δn을 높게하는 방법으로서는, 화염가수분해에 있어서, 스우트모재의 코어상당부분에 GeO2, Al2O3, TiO2등의 금속산화물 첨가제(도우팬트)를 첨가해서 코어부분(1)의 굴절율(N1)을 크게하는 방법과, 혹은 스우트모재의 클래드 상당부분에 불소가스(플루오르가스)를 첨가하여 클래드부분의 굴절율(n2)을 낮게하는 방법을 고려할 수 있다.
그러나, 전자의 첨가제에 의한 코어부분(1)의 굴절율(n1)을 크게하는 방법의 경우, 상기 첨가제의 증가에 따라, 다음의 문제점이 발생한다.
[1] 첨가제의 양을 증가하면, 첨가제에 따라 광산란(레일레이산란)이 발생하며, 또한 이 산란의 크기는 첨가제의 양에 비례한다.
이 산란은 전송손실을 증가시켜, 광전송상 바람직하지 않다.
[2] 첨가제를 다량으로 첨가하면, 유리모재중에, 기포나 단결정을 일으키기 쉽다. 예를들면, GeO2를 사용하였을 경우, GeO2가스로부터 유래되는 기포를 발생시키는 일이있다. Al2O3에서는 Al2O3결정의 군(群)을 발생시키기 쉽다. 이러한 기포나 결정상(結晶相)의 존재는 광전송상의 손실원인(즉 산란손실)이 되어, 바람직하지 못하다. 즉 광파이버의 단성의 원인이 된다.
이에 대해서 후자의 클래드 상당부분에 불소계가스를 첨가해서 굴절율(n2)을 낮추는 방법은, 상기의 불편을 해소하는데에 상당히 유효하다. 이 방법은, 코어부분에 GeO2등의 첨가제를 첨가해서 굴절율을 높이고, 클래드부분과의 사이에 소정의 굴절율차를 미리 형성한 후에, 적어도 일정한 시간 불소가스를 포함하는 분위기에서 고온가열함으로서 클래드부분에 불소를 첨가하여, 클래드부분의 굴절율을 낮추어서, 최종적으로 Δn이 높은 투명유리모재를 얻는 방법이다.
그러나, 이 방법에 있어서도, 아래와 같은 문제가 발생하고 있었다. 즉, 불소가스분위기내에서 단순하게 고온 가열한 것으로는, 스우트모재의 코어부분에까지 균일하게 불소가스가 첨가되어, 그 결과로서 Δn을 높일 수 없다.
원래 불소는 상당히 반응성이 좋기 때문에 클래드부분에만 불소를 첨가하기 위한 고온로내의 온도제어, 불소게가스농도 및 처리시간의 제어가 상당히 어렵다.
이 때문에, 종래의 첨가제의 분포 및 부피밀도분포를 가진 스우트모재에 대해서 클래드 상당부분에 불소첨가를 하는데는 ±30℃정도의 정밀한 온도제어가 필요하며, 이 방식에 의해 소기의 Δn의 값을 가진 광유리파이버를 만드는 일이 극히 곤란하다.
그래서, 본 발명은, 고온 가열중에 스우트모재의 코어상당부분에 불소가 첨가되지 않도록, 스우트모재의 클래드 상당부분에만 불소를 용이하게 첨가할 수 있는 광파이버용 유리모재의 제조방법을 제공할려고 하는 것이다.
즉, 본 발명에 의하면, 코어상당부분과 그것을 둘러싼 클래드 상당부분으로 이루어지는 광파이버용 유리미립자 퇴적체를 제작할 때, 코어상당부분의 최외주부의 적어도 첨가제의 농도 또는 부피농도가 내부에 비해서 높아지도록 GeCl4의 유량을 높게하나, 혹은 수소유량을 높게 조정하고, 이어서, 이 퇴적체를, 적어도 일정한 시간, 불소가스를 포함하는 분위기하에서 가열처리를 행하여 가열투명화하는 것을 특징으로 하는 광파이버용 유리모재의 제조방법을 제공한다.
스우트모재의 제조시에 스우트모재의 코어상당부분의 최외주부의 첨가물의 농도 혹은 부피밀도를 국소적으로 높게하면, 이러한 스우트모재를 고온가열처리하였을 경우, 첨가물농도 혹은 부피밀도가 높은 스우트모재의 코어상당부분의 최외주부는, 그 주변 클래드상당부분보다도 빠른 시기에 소결이 진행한다. 따라서, 그후의 고온가열처리도중의 어떤 시기에, 분위기내에 불소게가스를 투입해도, 스우트모재가 빨리 소결된 코어상당부분의 최외주부가 불소의 코어내부침투를 억제하는 작용을 하기 때문에, 불소는 코어내부로 첨가됨이 없이 클래드 상당부분에만 첨가되게 된다.
또, 스우트모재내의 코어상당부분의 최외주부의 첨가제의 양혹은 부피밀도를 국소적으로 높게해서 그 코어상당부분의 최외주부가 소결시에 가장 빨리 소결하도록 함으로서, 불소가스 투입시에 클래드 상당부분에만 불소를 첨가할 수 있는 허용온도범위를 ±150°로 크게할 수 있고, 그 결과 온도제어가 용이하여, 반응온도를 낮출수 있다.
또 본발명자들은, 스우트모재의 상대밀도(스우트모재의 부피밀도와 투명유리의 밀도와의 비)가 0.45이상이 되면 스우트모재에, 불소는 첨가되지 않는 것을 실험에 의해 확인하였다.
즉, 상기 구성의 스우트모재에서는, 코어상당부분의 최외주부의 상대밀도가 0.45가 된 시점에서는, 클래드 상당부분의 상대밀도는 0.45이하이므로 이 시점으로부터 불소계가스를 투입하면, 코어상당부분의 내부에는 불소는 첨가되지 않고 클래드 상당부분에만 불소를 첨가할 수 있다. 그 결과, Δn이 높은 굴절을 분포를 얻을 수 있다.
이하 첨부도면을 참조해서 본 발명을 실시에에 의해 상세히 설명한다.
제2도는, 화염가수 분해반응에 의해서 본 발명에서 사용하는 스우트모재를 생성하는 방법을 표시한 개략도이다.
다심관버어너(3A)(3B)를 사용해서, 연소가스로서, 산소를 공급구(4)로부터, 수소를 공급구(5)로부터 공급하고, 다심관버어너의 가장 바깥쪽의 환(環)형상 포오트와 그 안쪽포오트에서 분출시킨다. 동시에 연료가스로서의 SiCl4및 첨가제의 원료로서 GeCl4등을 아르곤가스등의 불활성가스를 운반가스로 사용해서 공급구(7)로부터 공급하고 다심관버어너의 중심포오트로부터 공급하여 반응시킨다.
또, 원료가스가 버어너의 선단에서 수 mm 떨어진 공간에서 반응하도록 차폐용으로서 아르곤가스를 공급구(6)로부터 공급하고, 중앙포오트의 다음의 환형상 포오트에서 분출시킨다. 이와같은 상태로, 유리미립자체의 로드(rod) 즉 스우트모재를 얻도록, 회전하는 출발모재(8)의 선단으로부터 축방향으로 유리미립자를 퇴적시킨다.
이어서, 본 발명의 방법에 따라 상세히 설명하면, 본 발명에 있어서는, 제3도 및 제4도에 도시한 바와 같은 첨가제의 농도 혹은 부피밀도를 국소적으로 높게하기 위하여, 위쪽버어너(3A)의 공급구(4)로부터 8ℓ/분의 비율로 산소를, 공급구(6)로부터 2ℓ/분의 비율로 아르곤을 각각 공급하고, 공급구(5)로부터 수소를 3ℓ~8ℓ/분, 공급구(7)로부터 SiCl4외에 GeCl4를 10~50CC/분의 범위에서 공급한다. 위쪽 버어너(3A)는, 첨가제의 농도 혹은 부피밀도를 국소적으로 높게하는 작용과 함께, 클래드 상당부를 합성하는 작용도 겸하고 있다.
또한, 첨가제의 농도를 국소적으로 높게하는데는 GeCl4의 유량(流量)을 올리고, 또 부피밀도를 국소적으로 높게하는 데는 수소의 유량을 올려, 코어상당부분의 표면온도를 높게하면 된다.
한편, 아래쪽 버어너(3B)는, 코어부분을 합성하는 일을 하며, 공급구(7)로부터 GeCl4를 20CC/분, 및 SiCl4를 200CC/분의 비율로 동시에 공급하고, O2/H2화염점중에서 연소시키면 된다.
그러나, 상기의 조건은 일례이며 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 이상과 같이해서, 코어상당부분의 최외주부의 첨가제의 농도 또는 부피밀도가 그 내부보다 높은 스우트모재를 제조할 수 있다.
다음에 상기 스우트모재를 순수석영으로 이루어진 로심관이나 알루미나제의 로심관등의 내열성의 어떤 로심관에 삽입해서 고온가열하므로서 탈수, 소결한다.
이때, 먼저 이 스우트모재를 탈수하는데 주안점을 두고, 예를들면 800℃~1100℃의 온도범위에서 He가스가 10/ℓ분, 염소계가스가 100CC/분정도로 공급되는 분위기내에서 처리하는 것이 바람직하다. 염소계 가스는 탈수가 목적이며 Cl2, SOCl2, COCl2, CCl4등을 사용할 수 있다.
탈수온도가 800℃이하에서는 스우트모재내의 불순물을 제거할 수 없으며 또한 탈수에도 시간이 걸려서 불리하게 된다. 또, 염소가스분위기하에서 1100℃이상 가열하면, 스우트모재의 수축이 일어나기 시작하여, 제2단계에서 불소계가스를 투입해도, 스우트모재의 부피밀도가 전체에 걸쳐서 높아져버리기 때문에, 불소를 스우트모재에 첨가하는 일이 곤란해진다.
또, 염소가스는 첨가제를 염화물로 휘발시키기 때문에, 굴절율분포의 조정제로서도 사용할 수 있으며, 그 온도는 1000~1100℃의 범위가, 가장 바람직하다.
상기 제1단계의 가열처리에 잇달아서 불소의 첨가를 주안점으로 한 제2단계의 가열처리를 행한다. 이 경우의 온도는 화염가수분해 반응에서 얻어진 스우트모재내의 GeO2등의 첨가물의 분포와 부피밀도분포에 의존하지만, 대체로 1150℃±150℃의 범위가 바람직하다. 즉, 스우트모재를 상기와 같이 구성으로 함으로서, 1000℃전후에서 코어상당부분의 최외주부가 소결되며, 그후 1600℃전후에서 스우트모재전체가 소결완료될때까지의 가열처리중에 분위기를 불소계가스로 해서, 불소를 클래드상당부분에만 첨가할 수 있다.
환언하면, 스우트모재의 코어상당부내에 불소가 첨가되지 않게한 조건에서 불소계가스를 투입하기 위해서는, 스우트모재의 소결처리에 있어서, 코어부분의 최외주부의 상대밀도가 0.45이상이 된 시점에서 불소계가스의 투입을 개시하면 된다.
따라서, 온도분포가 균일하고 승온속도가α(℃/분)인 로심관에서 가열처리하였을 경우, 코어상당부분의 최외주부의 상대밀도가 0.45가 된 온도(T1)로부터 클래드상당부분의 상대밀도가 0.45가 되가 온도(T2)까지의 사이에 불소계가스를 투입하면 된다. 이 경우, 온도차(ΔT=T2-T1)가 클수록, 불소게가스를 투입하는 온도의 허용오차도 커지게 되어, 온도제어가 용이하게 된다. 바꾸어 말하면, ΔT가 작을수록 투입은 도의 정밀한 제어가 요구되어 불리하다.
ΔT를 크게하기 위해서는 제3도에서 표시한 첨가물농도의 국소적인 높이(Δ1), 혹은 제4도에서 표시한 부피밀도의 국소적인 높이 (Δ2)가 높을수록 바람직하다. 그러나, Δ1, Δ2를 너무 높게하면 소결시에 기포가 발생하기 쉽게되어, 바람직하지 못하다. 그 때문에 Δ1=0.1~0.3의 범위가 되도록 화염가수분해를 행하는 것이 바람직하다.
예를들면, 제5도에 도시한 바와같은 첨가제를 함유하는 첨가물농도 분포가(A)(B)인 2개의 경우를 비교한다. 여기서, (r)은 스우트모재의 중심축으로부터의 직경방향거리이며, (r1)은 스우트모재의 코어상당부분의 반경, 즉 코어상당부분의 최외주부(11B)의 위치이며, (Δr)는 미소거리이고, (r1+Δr)는 제3도에서의 클래드상당부분의 최내주부(11A)의 반경이다.
제6도는 이들 첨가물농도를 서로 다르게 한 2개의 스우트모재를 승온속도 16℃/분의 가열로에서 가열하였을 경우의 스우트모재의 온도에 대한 상대밀도의 변화를 도시한다. 제6도에서의 곡선(Ar1) 및 (Br1)은 각각 스우트모재(A) 및 (B)의 코어상당부분의 최외주부(11B)의 상대밀도의 변화를 표시하고, 곡선(Ar1+Δr)(Br1+Δr)은 각각 스우트모재(A) 및 (B)의 클래드상당부분의 최내주부(11A)의 상대밀도가 0.45에 달할때까지의 온도차(ΔT)는, (A)의 스우트모재의 쪽이 (B)의 스우트모재의 온도차보다도 크다. 그만큼, (A)의 스우트모재의 온도제어가 용이해진다. 부피밀도분포에 대해서도 마찬가지라고 말할 수 있다.
코어부분의 최외주부에서의 첨가물농도 및 부피밀도를 동시에 국소적으로 높게하는 것이 가장 유리하나, 어느쪽을 선택해도 본 발명의 효과를 달성할 수 있다.
또한, 화염가수분해에서는 GeO2등의 첨가물 농도분포는 클래드상당부분의 최내주부분(11A)에 소위 "처지는 현상"이 나타나는 것도 제조조건에 따라서 관찰된다. 이때는 미리 염소를 투입해서 굴절을 분포를 조정함으로서 대처할 수 있다.
이하에 본 발명에 의한 방법의 실시에 및 비교예를 기재한다.
[실시예 1]
제7(a)도, 제7(b)도에 각각 도시한 첨가제의 농도 및 상대부 피밀도 분포를 가지는 싱글모우드파이버용 스우트모재를 800℃의 가열로에 투입하고, 제10도의 그래프에 도시한 바와같이, 염소가스를 100cc분, He가스를 10ℓ/분의 비율로 공급하는 분위기하에서 3℃/분의 비율로 1100℃까지 승온하고, 이어서 염소가스를 잠그고, SF6가스를 150cc/분의 속도로 투입해서 1300℃까지 승온하고, 이어서 순수 He가스의 분위기에서 1500℃이상으로 승온해서 투명유리화를 행하였다.
얻어진 유리모재의 굴절율분포를, 제7(c)도에 도시된다. 코어상당부분의 GeO2첨가제의 농도에 대응하는 굴절율분포를 가지고 있고, 한편, 클래드상당부분은 불소첨가량에 대응하는 굴절율의 저하를 나타냈다. XMA원소분석(X선 마이크로 분석기)을 행하였을 경우, 코어상당부분은 전혀 불소원소를 포함하지 않는 것이 확인되었다. 제품파이버의 코어부분은 Δn값으로 ±0.30%, 클래드부분은 -0.15%이었다. 즉, 제8(a)도 및 제9(b)도와 같은 GeO2농도, 상대밀도로 하였을 경우, 제8(c)도에 도시한 바와같은 굴절율의 형태로 비굴절율차는 -0.15%, 0.30%로서, 코어부로의 불소의 침입은 없었다.
[비교예 1]
실시예 1의 효과를 확인하기 위하여, 위쪽 버어너(3A)의 공급구(5)로부터 수소를 2ℓ/분 공급하는 한편, 공급구(7)로부터 GeCl4를 전혀 공급하지 않고 스우트모재를 제조하였다. 그 결과, 첨가제분포 및 부피밀도분포는 모두 국소적으로 높아지지 않고, 각각 제8(a)도, 제7(b)도와 같은 분포가 되었다.
이 스우트모재를 실시예 1과 같은 소결조건에서 투명유리화를 행하여, 얻어진 유리모재의 XMA분석을 행한바, 코어상당부분과 클래드상당부분에 관계없이 균일하게 불소가 분포하고 있었다. 굴절율분포는 제8(c)도와 같이 실효적으로 Δn을 높일수 없고, GeO2의 첨가제의 농도에 대응하고 있는 것을 확인하였다.
[실시예 2]
제7(a)도, 제9(b)도에 도시한 첨가제의 농도, 상대밀도부분포를 가진 싱글모우드파이버용 스우트모재를 800℃의 가열온도로 투입하고, 염소가스를 100cc/분 및 He가스를 10ℓ/분의 비율로 공급하는 분위기에서 3℃/분의 승온속도로 1050℃까지 가열하고, 이어서, 염소가스를 잠그고, SF6가스를 150cc/분의 유량으로 투입해서 1300℃까지 가열하고, 이어서, 순수 He분위기에서 1500℃이상으로 가열해서 투명유리화를 행하였다.
얻어진 유리모재의 굴절율분포는 제9(c)도와 같이 되어있으며, 코어상당부분은 GeO2첨가제의 농도에 대응하는 굴절율분포를 가지고 있으며, 한편 클래드상당부분은 불소첨가량에 대응하는 굴절율의 저하를 나타내고 있었다. 사실, XMA원소분석을 행한바 코어상당부분에는 전혀 불소원소가 포함되어 있지 않는 것이 확인되엇다. 코어부분은 Δn값으로 +0.3%, 클래드부는 -0.15%이었다.
[비교예 2]
실시예 2의 효과를 확인하기 위하여, 실시예 1의 첨가제의 농도, 상대부 피밀도분포를 가진 싱글모우드 파이버용 스우트모재를 실시예 2의 소결조건에서 투명유리화하였다. 얻어진 유리모재의 단면을 XMA분석하였을 경우, 코어, 클래드상당부분에 관계없이 불소가 균일하게 분포하고 있는 것을 확인하였다. 실시에 2와의 차이는 코어최외주부의 부피밀도가 작은 점이며, 이 부분에 있어서의 부피밀도의 대소가 불소에 의한 굴절율분포를 크게 변화시키는 것을 이해할 수 있다.
[실시예 3]
순수석영으로 코어상당부분의 최외주부를 상대부 피밀도 0.45로, 그 클래드부분을 0.25로 한 스우트로재를 만들고, 이것을 실시예 2와 마찬가지의 탈수조건에서 1050℃까지 가열하고, 이어서 염소가스를 잠그고 그 대신에, SF6가스를 300cc/분 첨가한 He분위기중에서 1650℃까지 승온하였더니, 투명한 유리체가 얻어졌다.
얻어진 유리의 굴절율분포는, 코어부분은 Δn=0이고, 클래드부분은 Δn=-0.3%이었다.
또한, 상기 실시예는 싱글모우드파이버용 스우트모재를 예를들었으나, 멀티모우드파이버용 스우트모재에 대해서도, 마찬가지로 본 발명을 실시할 수 있다. 또 원주상의 맨드릴상에 다공질모재를 적층시키는 "외부탄소미립자부착법"으로 제작된 스우트모재에서도 마찬가지로 본 발명을 실시할 수가 있다.
이상으로부터 명백한 바와같이, 본 발명의 광파이버용 유리모재의 제조방법에 의하면, 고온가열중에, 스우트모재의 코어상당부분에 불소가 첨가되지 않고, 스우트모재의 클래드상당부분에만 불소를 용이하게 첨가할 수 있다. 따라서, 실효적으로 Δn가 큰 광파이버를 제조할 수 있다.
또, 본 발명의 광파이버용 유리모재의 제조방법에 의하면, 스우트모재를 고온가열 소결할때에 클래드상당부분에 불소를 첨가하기 위하여 적어도 일정한 시기 불소계가스를 사용하는 경우에 있어서 그 제조조건의 조정이 극히 용이하다.

Claims (6)

  1. 코어상당부분과 이 코어를 둘러싼 클래드상당부분으로 이루어지는 광파이버용 유리미립자의 퇴적체를 제작함에 있어서, 상기 코어상당부분의 최외주부의 첨가제의 농도가 내부에 비해서 높아지도록 GeCl4의 유량을 높게 조정하고, 이어서 상기 퇴적체를 적어도 일정한 시간, 불소계가스를 포함하는 분위기에서 가열처리를 행아여 가열투명화하는 것을 특징으로 하는 광파이버용 유리모재의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 불소계가스를 포함하는 분위기하에서 가열처리를 하기 전에, 미리 염소계가스를 포함하는 분위기하에서 광파이버용 유리미립자 퇴적체를 가열처리해서 단면을 조정하는 것을 특징으로 하는 광파이버용 유리모재의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 광파이버용 유리미립자의 퇴적체를 제작함에 있어서, 코어상당부분의 최외주부의 부피밀도가 내부에 비해서 GeCl4의 유량을 높게 맞추어서 조정하는 것을 특징으로 하는 광파이버용 유리모재의 제조방법.
  4. 코어상당부분과, 상기 코어를 둘러싼 클래드상당부분으로 이루어지는 광파이보용 유리미립자의 퇴적체를 제작함에 있어서, 상기 코어상당부분의 최외주부의 부피밀도가 내부에 비해서 높아지도록 수소유량을 높게조정하고, 이어서 상기 퇴적체를 적어도 일정한 시간 불소계가스를 포함하는 분위기에서 가열처리를 행하여 가열투명화하는 것을 특징으로 하는 광파이버용 유리모재의 제조방법.
  5. 제4항에 있어서, 불소계가스를 포함하는 분위기하에서 가열처리를 하기전에, 미리 염소계가스를 포함하는 분위기하에서 광파이버용 유리미립자 퇴적체를 가열해서 단면을 조정하는 것을 특징으로 하는 광파이버용 유리모재의 제조방법.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서, 유리미립자 퇴적체의 가열처리공정에서 가열온도가 1150℃±150℃의 범위일때, 상기의 불소계가스를 포함하는 분위기하에서 가열처리하는 것을 특징으로 하는 광파이버용 유리모재의 제조방법.
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