KR870001738B1 - 광 파이버용 유리모제의 제조방법 - Google Patents

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내용 없음.

Description

광 파이버용 유리모제의 제조방법

제1(a)도는 싱글모우드파이버, 제1(b)도는 멀티모우드파이버의 일반적 굴절율분포를 도시한 도면.

제2(a)도-제2(b)도는 클래드부에 플루오르가 첨가된 저분산형 파이버의 굴절율 분포를 도시한 도면.

제3(a)도, 제3(b)도는 화염가수분해법에 의해서 스우트모재을 재작하는 방법의 설명도.

제4도는 실시예 1 및 비교예 1,2에서 얻어진 파이버의 굴절율분포를 도시한 도면.

제5도는 실시예 2 및 3에서 얻어진 파이버의 굴절율분포를 도시한 도면.

제6도는 실시예 4의 가열처리온도와 얻어진 파이버의 굴절율차 Δn(F)의 관계를 도시한 그래프.

제7도는 실시예 5의 승온속도와 얻어진 파이버의 굴절율차 Δn(F)의 관계를 도시한 그래프.

본 발명은 광파이버용 유리모제의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 플루오르를 함유시킨 석영유리계 모재의 제조방법에 관한 것이다.

광파이버용 유리모재는 코어부와 클래드부로 이루어지며, 코어부는 중심부에 있어서, 빛(광)의 전송을 쉽게 하기위하여, 클래드부보다 굴절율을 높게하고 있다..

코어부의 굴절율을 높이기 위해서는, 통상 석영유리속에 TiO₂, GeO₂, Al₂O₃등의 첨가제를 첨가한다. 일반적인 파이버에 있어서는, 클래드부에는 순수석영유리가 사용되는 일이 많으며, 이경우, 순수석영유리의 n=1.4584를 Δn-0로 한다.

제1도는 광파이버의 굴절율 분포를 도시한 그래프로서, (A)는 코어부, (B)는 클래드부이다. 역기서 코오부와 클래드부의 굴절율의 차이는 일반적으로 상대굴절율차의 퍼센트치로 있으며, 코어부및 클래드부의 굴절율치를 각각(n₁) 및 (n₂)라고 할때 상대굴절율차 Δn₁₂%는

로 표시된다.

제1(a)도는 싱글모우드 파이버의 일반적인 구조로서, 이경우 Δn₁₂는 통상 0.3~0.5%이다. 제1(b)도는 멀티모우드 파이버용의 일반적인 구조로서, 일반통신용 파이버로서 Δn₁₂는 보통 약 1%이며, 컴퓨터링크용으로, 사용되는 개구각이 넓은 파이버로서는 약 2~4%가 보통이다.

그런데 굴절율을 높이기 위해서 사용되는 GoO₂등의 산화물첨가제는, 첨가제 고유의 특성에 기인되는 광산란(레일레이 산란)을 일으킨다. 또 유리모재의 제조공정에서는, 유리모재속에 이산화물에 기인되는 기포 발생이나 결정상정출(結晶相晶出)등이 일어나기 쉬우며, 또한 유리의 열팽창계수가 커져서 유리모재가 깨어지기 쉽게된다. 따라서, 광전송특성, 유리강도 특성의 점으로봐서도 유리모재속에 첨가되는 첨가제의 양은 적을수록 바람직하다.

이때문에 일반적으로 클래드부의 굴절율을 낮게하여 굴절율차를 크게하는 방법을 취해서 예를들면, 클래드부에 B₂O₃, 플루오르 혹은 이것들을 혼합한 것과 같은 굴절율저하용 첨가제를 첨가한다. B₂O₃,는 첨가물 농도에 대해서 열팽창계수의 변화가 크며 또 열이력에 의해서 굴절율이 변화되는 결점이있고, 또한 광전송특성상으로는 장파장영역에 B₂O₃고유의 흡착손실을 가진다. 따라서 굴절율의 저하 성분으로서는 플루오르를 사용하는 편이 바람직하다.

플루오르를 석영유리에 첨가함으로서 여러가지의 굴절을 분포구조의 광파이버를 얻을수 있으며, 그 구조설계에 따라서는 넓은 파장범위에서 저분산의 파이버가 얻어진다는 것은 이미 알려져있다.

제2도는 그 대표적인 굴절율 분포구조를 표시한 그래프이며, 제2(a)도, 제2(c)도는 스텝인덱스형, 제2(b)도, 제2(d)도는 그레이디드 인덱스형의 것이고, 제2(a)도~제2(d)도는 모두 클래드부에 플루오르가 첨가되어 있다. 코어부에 대해서는 제2(a)도는 석영유리에 굴절율을 높이는 산화물, 예를들면 GeO₂, P₂O₅등이 약간량 첨가되어 있고, 제2(c)도는 첨가물을 함유하지 않는 고순도 석영유리이다. 또 제2(b)도는 플루오르첨가량이 코어 주변부로부터 중심부를 향해서 연속적을 감소되어서, 중심부에서는 플루오르를 함유하지 않는 순수석영유리만으로된 것으로서, 순수석영유리의 굴절율 n=1.4585에 대해서 Δn=0이라고 한다. 제2(d)도는 코어중심부를 향해서 플루오르 첨가량이 연속적으로 감소됨과 동시에 코어의 어떤부분에서부터는 석영유리의 굴절율 상승용 첨가제가 중심부를 향해서 연속적으로 첨가량이 증가하도록 첨가된 것이다. 또한, 클래드부 및 코어부에 굴절율 조정을 위하여, 혹은 유리의 가공을 용이하게 하기위하여, 예를들면 GeO₂, P₂O₅, B₂O₃, Al₂O₃등의 첨가물과 플루오르를 공존 시킬수 있는 것은 당연하다.

이와같이 플루오르를 첨가한 석영유리로된 광파이버에 있어서 제1도에 표시한 것과 동일한 굴절율차를 얻을려면, 코어부에 첨가하는 산화물의 량을 적게하거나, 또는 이 산화물이 전혀 첨가되지 않으면 좋으므로, 첨가제에 기인되는 레일레이산란이 작아져서 광전송로로서 바람직하다.

석영계 유리파이버 제조법으로서는 이미공지의 내부부착 CVD법(일본 특공소 51-23185호 공보기재, 일본 특공소 55-22423호 공보에 기재), 외부부착 CVD법(일본 특개소 49-10055호 공보기재), VAD법(일본 특개소 51-71316호 공보) 및 플라즈마 CVD법(일본 특개소 51-54446호 공보)등의 방법이 있다.

이들 방법중에서도, 화염가수분해 반응을 이용한 외부부착 CVD법이나 VAD법은 생산성이 뛰어나고 경제적인 방법이다.

그러나, 화염가수분해 반응을 이용한 방법으로 석영유리에 플루오르를 첨가하는 것은 가능하지만, 충분한 양의 플루오르를 석영유리속에 균일하게 첨가하는 것은 매우곤란하다.

예를들면 일본 특개소 55-15682호 공보에는 플루오르를 유리모재속에 첨가하는 방법이 기재되어 있으나, 이 방법에 의하면 풀루오르의 첨가에 의한 굴절율의 변동은 석영 유리의 굴절율에 대해서 ΔN₁₂는 기껏해야-0.2%정도에 불과하고, 첨가되는 플루오르의 양에 한계가 있는 것이 결점이다.

플루오르가 석영 미립자속에 첨가되는 반응은 다음식(1)과 같으나

SiF₄(S)+3SiO₂(S)→4SiO_1.5F(S) (1)

스우트제작에 사용되는 산수소화염속에는 연소에 의해서 생성된 수분(H₂O)이 존재하기 때문에, SiF₄(g)는 (2)식과 같이 반응한다.

SiF₄(g)+2H₂O(g)→SiO₂(S)+4HF(g) (2)

즉 SiF₄는 석영유리에의 첨가재량으로서 소비되는 이외에 화염속에 존재하는 다량의 수분과의 반응에소비되어, 첨가효율이 저하되는 것이 명백하다.

또한 (2)식의 반응에 의해서 생성된 HF는 유리, 특히 석영(SiO₂)을 침식하는 작용을 가지고 있으며, 화염속에서 생성된 석영 미립자와 용이하게 반응한다.

SiO₂(S)+2HF(g)→SiOF₂(g)+H₂O(g) (3)

SiO₂(S)+4HF(g)→SiF₄(g)+H₂O(g) (4)

이 결과 유리미립자의 입자성장이 억제되어, 유리미립자의 퇴적량을 저하시킨다. 이것은, 이 방법으로 플루오르화합물의 첨가량을 증가시켜 감에 따라, 유리미립자의 퇴적속도는 저하되고, 최종적으로는 전혀 퇴적하지 않는 사실에 의해서도 분명한 것이다.

일본 특개소 55-675333호 공보에는 상기와 같은 일본 특공소 55-15682호 공보기재의 방법에 대한 결점을 극복하는 방법으로서 ① 화염가수분해법에 의해서 형성된 유리미립자의 적층체를 플루오르 화합물가스의 분위기속에서 1000℃이하로 가열하고, 이어서 이적층체를 불활성가스 분위기속에서 1400℃ 이상으로 가열하여 소결시키는 것을 특징으로하는 광전송용유리 소재의 제조법 및 ② 이 유리미립자 적층체를 플루오르화합물가스 및 불활성가스 분위기 속에서 1400℃ 이상으로 가열해서 플루오르를 함유한 유리체를 형성하는 것을 특징으로 하는 광전송용 유리소재의 제조법이 기재되어 있다. 이 방법에 의하면 확실히 일본 특공소 55-15682호 공보기재의 방법보다 효율적으로 플루오르를 첨가할 수 있으나, 다음에 설명하는 결점을 가지고 있음이 본 발명의 연구 개발과정에서 판명되었다.

즉 상기 ①의 방법에 있어서는, 플루오르를 유리에 첨가하는 속도가 느리고, 또한 때로는 얻어진 파이버속에 Cu나 Fe등의 불순물이 존재하여, 이들 불순물에 유래되는 전송 손실증가는 1.30㎛의 파장대에서는 3~5dB/km였다. (통상 이파장대에서의 손실치는 0.3dB/km임) 또 이 ⓛ의 방법에서의 유리속에 플루오르를 첨가하는 량은 굴절율차 Δn₁₂(F)로서-0.20%였다.

한편 상기 ②의 방법에서는 ①의 방법에 비해서 플루오르의 첨가속도도 빠르고 첨가량도 많아 효율적이며, 처리시간이 6시간일 경우 Δn₁₂(F)는-0.25%였다.

그러나, 얻어진 유리모재는 표면이 현저하게 침식되어 요철이 나타나게된다. 또 가스분위기를 유지하기 위해서 사용되는 노심관(爐心管) 예를들면 석영노심관은 격심하게 침식되어 노벽에 구멍이 뚫리는 경우도 있었다. 이 방법으로 얻어진 광파이버의 손실특성은 1.30㎛의 파장대에서 10dB/km나 되었다. 파이버속의 OH기는 0.05ppm이하로서 OH기에 유래되는 1.30㎛에서의 흡수손실 증가는 고려할 수 없기 때문에 , 얻어진 파이버속에 존재하는 Cu나 Fe등 불순물에 유래되는 흡수손실증가가 9.5dB/km 까지나 된다고 생각되는 예가 많이 있었다.

Cu나 Fe등이 얻어진 파이버속에 존재하는 이유의 하나로서는, 노심관침식에 의해서 노심관벽내에 존재하는 Fe₂O₃나 CuO가 표면에 나타나서 스우트속에 혼입함으로서 다음식(5), (6)과 같이 반응한다.

Fe₂O₃+2F₂→2FeF₂+3/2O₂(5)

CuO+1/2F₂→CuF+1/2O₂(6)

FeF₂및 CuF는 1100℃까지는 고체이지만, 1100℃이상에서는 승화하기 때문에, 스우트모재속에 혼입해서 스우트모재를 오염시킨다.

또한 스우트 모재속에 Fe₂O₃나 CuO가 있을 경우는 (5)나 (6)식의 반응이 일어나도 1100℃이하에서는 FeF₂나 CuF는 고체이기 때문에 스우트로부터 제거되지 않고 불순물로 남게된다. 따라서 ①,②, 어느쪽의 방법에서도 파이버속에 불순물이 존재한다.

본 발명의 목적은 상기한 바와 같은 종래법에 있어서의 결점을 극복하고, 광파이버용 유리모재에 플루오르를 효율좋게 첨가시키는 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 요지는, 광파이버용 유리 모재의 제조공정에 있어서, 화염가수분해반응 혹은 졸-겔법에 의해서 형성된 석영을 주성분으로한 유리 미립자체(스우트모재)를 투명유리화 함에 있어서, 적어도 불소계가스와 염소계가스를 공존시킨 불화성가스 분위기에서 가열처리하는데 있다.

본 발명의 보다 바람직한 구성으로서는, 상기 가열처리하는 온도 영역을 1100~1400℃로 하는데 있다.

본 발명의 방법에 의하면 종래법과 같이 노재(爐材)를 열화시킴이 없이 Δn₁₂(F)가 -1% 가되고 또한 저손실의 파이버를 얻을 수 있다.

본 발명자들은 예의 연구결과, 스우트모재를 적어도 플루오르게 가스와 염소계가스를 공존시킨 불활성 가스분위기에서 가열처리하면 다음과 같은 이점이 있다는 것을 발견하여 본 발명의 완성에 도달했다. 예로서 Cl₂가스와 SF₂가스를 공존시킨 불활성가스 분위기에서 스우트 모재를 가열처리한 결과

1) 노심과의 침식은 현저하게 억제되고, 조건에 따라서는 1개월이상의 사용에 견디었다.

2) 얻어진 파이버속에는, Cu나 Fe등 불순물로부터 유래되는 흡수는, 그 손실특성을 조사하여도 확인할 수 없었다.

3) 플루오르첨가에 의한 굴절율차 Δn₁₂(F)는 최고 -0.80%까지 도달하였다.

참고로 Cl₂를 사용하지 않고 SF₆가스의 불활성가스 분위기에서 가열처리하였을 경우는

1) 노심관의 침식이 격심하여, 조건에 따라서는 1일만에 노심관이 파손되었다.

2) 얻어진 파이버에는 Cu나 Fe에 유래하는 불순물에 의한 흡수가 현저했다.

3) 플루오루첨가에 의한 굴절율 Δn₁₂(F)n₁₂(F)는 고작 0.20%였다.

이상과 같은 염소가스첨가의 효과는 다음의 이유에 기인되는 것이라고 생각된다.

i) 외기로부터 혼입하거나 노심관자체 또는 스우트 모체로에 유래해서 가스 분위기속에 존재하는 수분(H₂O)은 다음의 (7)식과 같이 반응해서 염산이되고, 수분이 SF₆와 (8)식과 같이 반응하여 플루오르산(HF)을 생성하는 것을 억제한다.

따라서 노심관의 플루오르산에 의한 침식도 억제된다.

H₂O(g)+Cl₂(g)→2HCl(g)+1/2O₂(g) (7)

H₂O(g)+1/3SF₆(g)→2HF(g)+1/3SO₃(g) (8)

여기서 염산은 노심관(석영)에 대한 부식작용이 없다는 것이 알려져 있다. (8)의 반응이 억제됨으로서, 다음식(9)과 같이 플루오르가 석영유리에 첨가되는 반응이 효율적이 된다.

4SiO₂+SF₆(g)→4SiO_1.5F(S)+SO₂(g)+F₂(g) (9)

ii) 상기와 같이 플루오르산(HF)의 발생이 억제되면, 노심관의 침식에 의한 불순물인 Fe나 Cu의 노내 증가가 억제된다. 또한 가령 Fe나 Cu가 존재해도 다음(10), (11)식과 같이 반응해서, CuCl(g)나 FeCl₃은 휘발성이 풍부하기 때문에 노심관밖으로 제거된다.

Fe₂O₃(S)+3Cl₂(g)→2FeCl₃(g)+3/2O₂(g) (10)

CuO(S)+1/2Cl₂(g)→CuCl(g)+1/2O₂(g) (11)

또한 FeF₂, CuF는 1100℃ 이상에서 승화되기 때문에, 가령 Cl₂를 첨가한 가스 분위기에서도 스우트 모재의 가열처리는 1100℃이상에서 행하는 것이 바람직하다.

또한, 플루오르계가스로서는 SF₆에 한정되는 것은 아니고 CF₄, F₂, SiF₄, CoF₂, CCl₂F₂등 고온에서 분해되어, 유리에 플루오르를 첨가하는 효과가 있는 것이면 어느 것이라도 된다. 또한 염소계 가스로서는 SOCl₂, COCl₂, CCl₄등 탈수작용이 있는 것이면 어느 것이든지 좋다. 또 카아본 등 유리모재의 산란손실의 원인이 되는 원자를 가진 화합물가스에는 산소가스를 첨가하는 것이 바람직하다.

이하 실시예에 의해서 구체적으로 설명한다.

화염가수분해 반응에 의해서 석영유리 미립자체를 생성시킴으로서 스우트 모재를 제작할려면, 제3(a)도에 도시한 바와같이 석영제동심 다중관 버어너(1)를 사용해서 산소(2), 수소(3)와 원료가스로서 SiCl₄등을 사용하여, Ar가스 또는 He가스를 캐리어가스로 사용해서 산수소 화염의 중심(5)에 들여보내어 반응시키면 된다. 도면중(4)는 원료가스가 버어너의 선단으로부터 수 mm떨어진 공간에서 반응하도록, 차폐용으로 Ar가스를 흐르게 한다. 유리미립자체의 로드를 얻는 경우에는 회전하는 출발부재(6)의 선단으로부터 축방향으로 유리미립자를 적층시킨다. 또 파이프형상 유리미립자체를 얻는 경우에는 제3(b)도에 도시한 바와같이, 회전하는 석영봉 또는 탄소봉(7)의 외주부에 버어너(8)를 통과시키면서, 유리미립자를 적층시킨후에 중심부재를 제거한다.

또한 SiCl₄에 GeCl₄, AlCl₃, BBr₃, BF₃등을 혼합한 원료가스를 사용하는 일도있다. 또 버어너는 복수개라도 된다.

또 제3도의 방법으로 제작된것과 같은 종류의 스우트모재는 금속 알콕시드의 가수분해법으로도 얻을 수 있었다. 이 방법은 졸-겔법이라고 불리워지고 있다.

이들 방법으로 얻어진 스우트모재는 예를들면 제1(a)도, 제1(b)도에 도시한 바와 같은 굴절율 분포를 가진것으로서, 굴절율이 높아지고 있는 것은 GeO₂, TiO₂등의 첨가제의 첨가에 의한다.

[실시예 1]

제3도의 방법으로 제작된 싱글모우드 파이버용석영계스우트 모재를 석영노심관내에 삽입해서 다음조건으로 열처리하여 (균등 가열로에 의한 가열), 투명유리화 했다. 노내에는 He과 함께 플루오르계가스 및 염소계가스를 제1표에 표시한 바와 같은 비율로 흘렸다. 노의 온도는 1100℃에서 1400℃까지 3~4℃/분의 승온속도로 승온시키고, 그후는 스우트 표면에서 온도가 1400℃ 이상이 되게하는 조건에서, He만의 분위기에서 가열했다. 조건 및 얻어진 결과를 제1표에 종합해서 표시한다.

또한 비교예 1,2로서 염소계가스를 사용하지 않는 경우에 대해서도 제1표에 표시하고 있다.

[제 1 표]

또한, Δn₁₂(F)n(Me), Δn₁₂(F)n(F)는 제4도와 같이 정의해서 얻어진 파이버의 굴절율차로서 제4도에 있어서

여기서 n₀=1.4585는 석영유리의 굴절율이다.

[실시예 2]

제3도의 방법으로 제작한 그레이디드형 파이버용 석영유리계 스우트모재를 석영 노심관을 사용해서 제2표에 표시한 각 화합물의 분위기에서 열처리를 행하였다. 이 열처리의 온도조건은 실시예 1과 동일하게 하였다.얻어진 결과는 제2표에 표시한 바와 같았다.

[제 2 표]

또한 Δn₁₂(F)n₀(Me), Δn₁₂(F)n(F)는 제5도와 같이 정의한 굴절율 차로서, 제5도에 있어서,

n₀에 대해서는 제1표와 같다.

[실시예 3]

제3도의 방법으로 제작한 싱글모우드파이버용 석영계 스우트모재를 미리 1400℃로 가온해둔 노내에, 2~4mm/분의 삽입속도로 넣어서 가열처리했다(부분가열에 의한 가열). 이때의 노내의 온도분포는 800~1400℃사이에서 20˚C/cm이며 1400℃의 균일한 가열부는 10cm였다. 노내에는 He가스를 흐르게 함과 동시에 플루오르계가스와 염소계 가스를 제3표에 표시한 비율로 흘러보냈다.이 스우트모재는 1400℃의 균일한 가열부에 도달한 시점에서 상당히 수축되고 있었으나, 다시 1500℃이상의 온도로 투명유리화 하였다. 이 경우 상기 가열처리한 노를 사용하거나 완전히 다른 노를 사용해도 마찬가지 결과가 얻어졌다.

[제 3 표]

Δn₁₂(F)n(Me) 및 Δn₁₂(F)n(F)에 대해서는 제2표와 같음.

[실시예 4]

제3도의 방법으로 제작한 그레이디드형 파이버용 석영스우트 모재를 석영 노심관 내에서 열처리했다. 노내분위기는 He가스와 함께 SF₀을 50CC/분 및 (SOCl₂+O₂)를 (50CC/분+500CC/분)의 유량으로 흐르게하고, 노의 온도는 800℃에서 시작해서 3~3℃/분의 속도로 승온하여, 제6도에 표시한 바와같은 각각의 처리온도 900, 1000, 1100, 1200, 1300, 1400℃에서 상기 유량으로 SF₆및 SOCl₂/O₂를 3시간 흘러보낸 다음, He가스만으로해서 투명유리화온도까지 승온하여 투명유리체를 얻었다.

각각의 처리온도에서 얻어진 파이버의 Δn₁₂(F)는 제6도에 표시한 바와 같다.

[실시예 5]

제3도의 방법으로 제작한 싱글모우드 파이버용 석영계 스우트 모재를 알미나 노심관내에서 열처리하였다. 노내의 분위기는 He가스와 함께 SF₆를 500CC/분, Cl₂를 500CC/분의 유량을 흐르게 했다. 노의 온도는 1100℃에서 1400℃까지 제7도에 도시한 바와 같은 승온속도로 승온하고, 그 후는 He등의 불활성가스만의 분위기에서 이 스우트모재를 투명유리화하였다.

각승온속도에 의해서 얻어진 파이버의 굴절율차(%) Δn(F) 제7도에 도시한 바와 같다.

상기 실시예 및 비교예로부터 명백한 본 발명의 효과는 다음과 같다.

(가) 본 발명의 플루오르계가스 및 염소계가스의 공존가스 분위기속에서 가열처리하면, 염소계가스가 공존하지 않은 경우 (비교예 1,2)에 비해서, 전송손실이 현저히 저감하였다. 이것은 Cl₂가스를 첨가함으로서 불순물에 유래하는 흡수가 없어졌기 때문이라고 생각할 수 있다(실시예 1 및 비교예 1,2).

(나) 플루오르계가스에 대해서는 SiF₄나 SF₆로도 얻어진 유리의 플루오르첨가량에 차이는 없고(실시예 2-2와 2-3의 Δn(F) 참조) 또, 전송손실도 차이가 없으므로 동등한 효과가 있다.

(다) 본 발명의 방법은, 가열시에 균등가열로를 사용할 경우 (실시예 1) 및, 부분가열로(실시예 3)를 사용할 경우에서도 플루오르의 첨가에 관해서는 동등한 효과를 나타낸다.

(라) 본 발명의 방법에 의해서 플루오르가 효과적으로 첨가되는 가열처리온도 범위는 1100~1400℃ 임을 알수있다 (실시예 4)

(마) 가열처리의 승온속도는 느리편이 불소첨가에는 효과적이다. 실시예 5에 있어서 승온속도 2℃/분일 경우는 동 10℃/분일 경우의 약 4배의 플루오르첨가량을 얻을 수 있다.

즉 본 발명의 방법에 의하면, 종래법에 비하여 노의 재질이 열화되는 것을 억제하고, 얻어진 파이버는 Cu나 Fe에 유래되는 불순물흡수도 없어지며, 플루오르가 효율좋게 첨가되어, 얻어진 모재로 제작한 파이버는 안정된 전송특성을 가진다.

Claims (1)

1. (정정) 석영을 주성분으로 하는 유리미립자체의 투명유리화공정에서, 상기 미립자체를 적어도 SF₆, CF₄, F₂, SiF₄, COCl₂, CCl₂F₂, C₂F₆중 어느 하나의 플루오르계가스 및 Cl₂, SOCl₂, COCl₂, CCl₄중 어느 하나의 염소계가스를 공존시킨 가스분위기속에서 불소를 첨가하는데 충분한 1100~1400℃로 가열처리하는 것을 특징으로 하는 플루오르를 함유한 광파이버용 유리모재의 제조방법.

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