KR860008582A - 집속이온빔 처리장치 및 그의 사용방법 - Google Patents

집속이온빔 처리장치 및 그의 사용방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

집속이온빔 처리장치 및 그의 사용방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 시스템의 결합 블록그림도.
제2도는 본 발명에 따른 에칭처리의 개략도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 이온원 12 : 렌즈
13 : 편향기 14 : 이온빔
18, 27 : 그리드 24 : 이온 검출기
25 : 시스템 컴퓨터 26 : 전자 및 이온검출기

Claims (12)

  1. 소정 표면평면 내의 기판표면을 충돌하는 정교히 집속된 이온빔의 소오스, 전자빔의 소오스 및 상기 표면평면에서 상기 이온빔의 집속을 방해하는 바람직하지 못한 편향을 감소하도록 상기 이온빔에 의하여 다른 방법으로 발생되는 상기 표면 평면 내의 표면 전하로 중화하기 위해 상기 이온빔에 의하여 교차되는 상기 표면 평면내의 점을 포함하는 영역내의 상기 표면 평면을 향하여 상기 전자빔의 방향을 정하는 수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 집속이온빔 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 더욱이 상기 표면 평면으로부터 2차 방출 입자를 감지하는 검출수단 및 소망의 방식과 위치로 상기 표면 평면에 에칭되는 상기 이온빔을 협조적으로 발생하도록 상기 이온빔과 상기 전자빔을 제어하기 위하여 상기 검출수단에 의하여 제공되는 신호에 응하는 제어수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 집속이온빔 처리장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 검출 수단은 상기 이온빔에 의하여 기판표면 상에 충돌함에 따라 기판을 이탈하는 이온의 형태를 감지하는 2차 이온질량 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 집속이온빔 처리장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 검출 수단은 상기 이온빔이 충돌함에 따라 기판표면으로부터 2차적으로 방출되는 전자와 이온을 검출하는 전자 및 이온 검출기를 포함하는 것을 특징으로 하는 집속이온 및 처리장치.
  5. 제4항에 있어서, 더욱이 전자가 상기 전자 및 이온 검출기를 통과하는 것을 저지하는 한편, 이온의 통과는 허용되는 전계를 선택적으로 형성하기 위하여 상기 전자 및 이온검출기와 상기 표면 평면 사이에 설치된 그리드 수단 및 상기 전계를 형성하도록 상기 그리드 수단을 선택적으로 바이어스(biss) 하는 수단을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 집속이온빔 처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 더욱이 상기 이온빔과 상기 전자빔이 상기 표면 평면상에 충돌하는 시간이 상호 배타적 시간간격 중에 있도록 제어하는 멀티플렉서 제어수단을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 집속이온빔 처리장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 이온빔과 상기 전자빔이 이온빔 전류보다 훨씬 더 큰 전자빔 전류와 이온빔 전류 밀도보다 훨씬 적은 전자빔 전류밀도를 갖는 전류를 발생하는 것을 특징으로 하는 집속이온빔 처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 더욱이 상기 소정 표면 평면내에 상기 기판 평면을 갖는 기판, 현저하게 물질을 절연하고 상기 표면에 얇은 전도층을 성장함으로써 상기 표면상에 상기 이온빔의 충돌에 응하는 상기 기판, 전하를 중화하도록 상기 이온빔에 의하여 상기 표면 상에 에칭하는 1차 이온빔의 영역에서 도달하기 위하여 전자빔의 상기 소오스로부터 플로드(flood) 전자를 위한 증가된 표면 전도영역을 제공하는 상기 전도 표면을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 집속이온빔 처리장치.
  9. 정교한 집속이온빔을 소정 표면평면내의 기판표면상으로 방향을 정해주는 단계 및 상기 표면 평면내의 상기 이온빔의 초점을 벗어나고 바람직하지 못한 편향을 감소하기 위하여 상기 이온빔에 의하여 다른 방식으로 발생하는 상기 표면 평면내의 표면전하를 중화하기 위하여 상기 이온빔에 의하여 교차하는 상기 표면 평면내의 점을 포하하는 영역에서 상기 표면 평면을 향하도록 전자빔의 방향을 정해주는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제1항의 집속이온빔 처리장치의 사용방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 표면의 특성을 감지하기 위하여 상기 이온빔이 상기 표면상에 충돌하는 것에 응하여 상기 표면 평면으로부터 2차로 방출하는 입자를 감지하는 단계, 상기 이온빔의 상기 표면이 상대적으로 이동될 때 상기 표면으로부터 방출되는 입자밀도의 변화를 관찰함으로써 위치가 정해지는 상기 표면상의 소정위치에 에칭되도록 상기 이온빔의 위치를 정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집속이온빔 처리장치의 사용방법.
  11. 제10항에 있어서, 더욱이 상기 이온빔의 충돌에 응하여 상기 표면으로부터 2차적으로 방출되는 전자와 이온 모두를 감지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집속이온빔 처리장치의 사용방법.
  12. 제9항에 있어서, 더욱이 상기 기판의 소망의 광특성을 왜곡하지 않고서 상기 표면상에 상기 이온빔에 의하여 1차 이온빔 에칭영역에 도달하도록 상이 이온빔으로부터 플로드 전자를 위한 증가된 표면전도 영역을 제공하기 위하여 상기 기판의 상측 10nm에 실제로 얇은 전도층을 형성하도록 상기 이온빔에 의하여 기판표면을 손상시키고 그 안에 불순물을 이식하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 집속이온빔 처리장치의 사용방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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