KR970008344A - 이온비임 주입기의 내부표면의 오염물질을 제거하는 방법 및 장치 - Google Patents

이온비임 주입기의 내부표면의 오염물질을 제거하는 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 이온비임 주입기(11)의 내부표면에 부착된 오염물질을 제거하는 방법에 관한 것으로 소오스 재료에서 이온을 추출하여 진공영역을 통해 이온주입실(17)까지의 비임통로를 이동하는 이온비임(14)으로 이동을 형성하는 단계와; 이 진공영역내의 이온비임의 궤적을 제어하는 제어수단(11)을 제공하는 단계와; 오염물질을 이동시키기 위해 이온비임을 직사하여 진공영역과 접촉하는 이온비임의 이온비임 주입실의 내부표면을 차게끔 제어수단을 활용하는 단계와; 주입기의 진공영역에서 오염물질을 제거하는 단계를 구비한다.

Description

이온비임 주입기의 내부표면의 오염물질을 제거하는 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이온소오스 비임형성 및 성형구조 및 주입실을 포함하는 이온주입기를 도시한 단면도.

Claims (23)

  1. 소오스 재료에서 이온을 추출하여 궤적을 따르는 진공영역을 통해 이온주입실 (17)까지의 비임통로룰 이동하는 이온비임(14)으로 이 이온을 형성하기 위해 이온소오스(12)를 포함하는 이온비임 주입기(10)의 내부표면에 부착한 오염물질을 제거하는 방법에 있어서, (a) 이온비임(14)의 체적을 조절하여 이온비임이 진공영역과 접촉하는 이온주입기의 내부표면을 때리게 하므로서 이 내부표면에서 오염물질을 변위시키는 단계와; (b) 주입기의 진공영역에서 변위된 오염물질을 제거하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 이온비임 주입기는 이온비임이 통과하는 지계를 발생하는 질량분해자석(22)을 구비하고, 상기 조절단계는 이온비임이 자계를 통과하여 이온비임을 직사하여 주입기의 내면을 칠때 이온비임의 방향을 변경하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  3. 제1항에 있어서, 이온비임 주입기는 이온비임 통로의 주위에 배선된 한조의 전극(24)을 포함하고, 상기 조절단계는 이온비임이 전극을 통과하여 이 이온 비임이 이온비임 주입기의 내면을 칠때 이온비임의 방향을 변경하기 위해 하나이상의 전극을 통전하므로서 수행되는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  4. 제1항에 있어서, 이온물질은 붕소동위원소를 포함하고 소오스 재료는 하나 이상의 산소가스와 수소가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  5. 제1항에 있어서, 오염물질은 광저항물질을 포함하는 소오스 재료는 플루오르가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  6. 제1항에 있어서, 이온비임 주입기는 이온비임 중화기(44)를 구비하고 이를 비임통로가 통과하여 이온비임을 분산시키도록 선택적으로 작동하고, 이온비임을 중화시키기 위해 전자방출을 발생하도록 선택적으로 작동하고 이 궤적을 조절하는 단계를 이온비임을 분산시켜서 이온비임을 직사하여 내면을 때리게 하므로서 수행되는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  7. 제2항에 있어서, 이온비임을 직사하여 내면을 때리도록 질량분해자석(22)을 회전시키는 단계를 더 구비하고, 상기 회전단계는 비임이 세정해야할 내부표면의 영역을 반복적으로 스위프하도록 선택된 반복형태로 질량 분해자석의 회전을 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  8. 비임을 직사하여 내부표면을 충돌하도록 한조의 전극 중 하나 이상의 전극의 통전레벨을 조절하는 단계를 더 포함하고 상기 레벨을 조절하는 단계는 이온 비임의 세정해야할 내부표면의 영역을 스위프하도록 선택된 반복형태로 하나 이상의 전극의 통전레벨을 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  9. 제1항에 있어서, 소오스재료로 부터 추출된 이온들은 오염물질이 이동할 때 오염물질과 화학적으로 접착하는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  10. 제1항에 있어서, 내부표면을 때리도록 이온비임을 직사하는 단계는 비임에 의해 때려진 영역을 증가하도록 비임분산을 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  11. (a) 소오스 재료에서 이온을 추출하여 이온을 궤적을 따르는 진공영역을 통해 이온주입실(17)까지의 비임통로를 이동하는 이온비임(14)으로 형성하는 수단(12,24)과; (b) 이온비임의 궤적을 조절하여 이온비임이 진공영역과 접촉하는 주입실의 내부표면을 때리게 하여 오염물질을 내부표면에서 변위시키는 수단(22,24)과; (c) 변위된 오염물질을 주입기의 진공영역에서 제거하는 수단(21)을 구비한 이온비임 주입실의 내부표면에 부착한 오염물질을 제거하는 장치(10).
  12. 제11항에 있어서, 이온비임 주입기는 이온비임이 통과하는 자계를 발생시키는 질량분해자석(22)을 구비하고, 상기 조절수단을 이온비임이 자게를 통과하여 이온비임을 직사하여 주입기의 내면을 칠때 이온비임의 방향을 변경하는 수단을 포함하는 오염물질을 제거하는 장치.
  13. 제11항에 있어서, 이온비임 주입기는 이온비임 통로의 주위에 배선된 한조의 전극(24)을 포함하고, 상기 조절수단은 이온비임이 전극을 통과하여 이 이온비임이 이온비임 주입기의 내면을 칠때 이온비임의 방향을 변경하기 위해 하나 이상의 전극을 통전하므로서 수행되는 오염물질을 제거하는 장치.
  14. 제11항에 있어서, 소오스 재료는 하나 이상의 산소가스, 수소가스 및 플로오르 가스 중 하나를 포함하는 오염물질을 제거하는 장치.
  15. 제11항에 있어서, 이온물질은 붕소동위원소를 포함하고 소오스 재료는 하나 이상의 산소가스와 수소가스를 포함하는 오염물질을 제거하는 장치.
  16. 제11항에 있어서, 오염물질은 광저항물질을 포함하는 소오스 재료는 플루오르 가스를 포함하는 오염물질을 제거하는 장치.
  17. 제11항에 있어서, 조절하는 수단은 이온비임 중화기(44)를 구비하고 이를 비임통로가 통과하여 이온비임을 분산시키도록 선택적으로 작동하고, 이온비임을 중화시키기 위해 전자방출을 발생하도록 선택적으로 작동하고 이 궤적을 조절하는 수단를 이온비임을 분산시켜서 이온비임을 직사하여 내면을 때리게 하므로서 수행되는 오염물질을 제거하는 장치.
  18. 제12항에 있어서, 이온비임을 직사하여 내면을 때리도록 질량분해자석(22)을 회전시키는 수단(11)은 비임이 세정해야 할 내부표면의 영역을 반복적으로 스위프하도록 선택된 반복형태로 질량분해자석의 회전을 변화시키는 수단을 포함하는 오염물질을 제거하는 장치.
  19. 제13항에 있어서, 상기 이온비임이 세정해야 할 이온주입기 내부표면의 영역을 반복적으로 스위프하도록 선택된 반복형태로 하나 이상의 전극의 통전레벨을 변화시키므로서 이온비임을 내부표면에 직사하도록 한조의 전극 중 하나 이상의 전극의 통전레벨을 조절하는 수단(11)을 포함하는 오염물질을 제거하는 장치.
  20. 이온을 제공하는 공작물을 이온처리하기 위해 소오스실로 부터 상기 이온을 방출하는 이온소오스 지지대를 지니고 상기 이온이 소오스에서 주입실 까지의 비임이동통로를 이동한 후 주입실에 들어오는 이온과 교차하는 이온주입실내에 위치한 공작물용 이온주입실(17)과; 이온소오스에서 이온주입실 까지의 이온비임 이동로를 형성하는 진공영역을 경계짓는 이온비임 형성구조(22,24)를 포함하는 공작물을 처리하는 이온주입기(10)에 있어서, (a) 오염물질을 이온주입실의 진공영역에서 제거하는 수단(21)과; (b) 이온주입실내의 진공영역에서 오염물질을 제거하는 구조(83,120,17)을 구비하고; 상기 구조는 i) 이온주입실의 진공영역과 접촉하는 제1 및 제2전극을 구비하고, 상기 제1 및 제2전도전극의 하나의 전도전극은 주입실내의 이온 플라즈마 형성을 촉진하도록 위치해 있고, 상기 플라즈마의 이온을 상기 하나의 전도전극에 인접한 영역의 오염물질과 결합하고; ⅱ) 이온 플라즈마를 하나의 전도전극의 영역이 유지하도록 제1 및 제2전도전극 사이에 전기전위를 인가하는 바어어싱 수단을 구비한 이온주입기.
  21. 제20항에 있어서, 제1전도전극은 공작물 지지대(83)를 포함하고 이온주입실 (17)은 전도내벽을 포함하고, 제2전조전극은 이온주입실의 진공영역과 경계짓는 전도내벽과 전기적으로 절연된 전도전극(120)을 구비한 이온주입기.
  22. 제20항에 있어서, 주입실(17)은 전도내벽을 포함하고 제1전도전극(120)은 이온주입실의 전도내벽과 전기적으로 절연된 전극이고, 제2금속부재는 상기 전도내벽을 포함하는 주입기.
  23. 이온소오스(12)에서 이온주입실(17)까지의 이온비임 이동통로를 형성하는 진공영역을 경계짓는 구조를 형성하는 이온비임을 통해 이온소오스실로 부터 이온비임(14)을 직사하여 공작물을 처리하는 이온주입기(10)를 유지하는 방법에 있어서, 제1 및 제2전극을 이온주입기의 진공영역과 접촉하게 위치시키므로서 이온주입기의 진공영역에서 오염물질을 제거하는 단계와; 상기 제1 및 제2전극의 하나의 전도전극은 플라즈마의 이온이 전도전극에 인접할 영역의 오염물질과 결합하도록 진공영역내의 이온 플라즈마의 형성을 촉진하도록 위치해 있고; 또한 이온 플라즈마를 하나의 전도전극의 영역에 유지하기 위해 제1 및 제2전도전극 사이에 전기전위를 제공하는 단계를 구비한 이온 주입기를 유지하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960028979A 1995-07-17 1996-07-18 이온빔주입기내부표면의오염물질을제거하는방법및장치와그장치를갖춘이온빔주입기및유지방법 KR100326366B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100528089B1 (ko) * 1997-12-22 2006-02-13 삼성전자주식회사 이온주입장치의플러싱방법

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5633506A (en) * 1995-07-17 1997-05-27 Eaton Corporation Method and apparatus for in situ removal of contaminants from ion beam neutralization and implantation apparatuses
US5691537A (en) * 1996-01-22 1997-11-25 Chen; John Method and apparatus for ion beam transport
GB2325561B (en) * 1997-05-20 2001-10-17 Applied Materials Inc Apparatus for and methods of implanting desired chemical species in semiconductor substrates
JP3449198B2 (ja) * 1997-10-22 2003-09-22 日新電機株式会社 イオン注入装置
JP4088362B2 (ja) * 1997-12-16 2008-05-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド イオン注入装置のクリーニング方法
US6014203A (en) * 1998-01-27 2000-01-11 Toyo Technologies, Inc. Digital electron lithography with field emission array (FEA)
US6135128A (en) * 1998-03-27 2000-10-24 Eaton Corporation Method for in-process cleaning of an ion source
US6355933B1 (en) 1999-01-13 2002-03-12 Advanced Micro Devices, Inc. Ion source and method for using same
US6464891B1 (en) * 1999-03-17 2002-10-15 Veeco Instruments, Inc. Method for repetitive ion beam processing with a carbon containing ion beam
US6221169B1 (en) * 1999-05-10 2001-04-24 Axcelis Technologies, Inc. System and method for cleaning contaminated surfaces in an ion implanter
US6259105B1 (en) 1999-05-10 2001-07-10 Axcelis Technologies, Inc. System and method for cleaning silicon-coated surfaces in an ion implanter
US6559462B1 (en) 2000-10-31 2003-05-06 International Business Machines Corporation Method to reduce downtime while implanting GeF4
US7026611B2 (en) * 2001-05-01 2006-04-11 Battelle Energy Alliance, Llc Analytical instruments, ionization sources, and ionization methods
JP4649773B2 (ja) * 2001-05-14 2011-03-16 株式会社デンソー イオン注入機
US7378670B2 (en) * 2001-06-22 2008-05-27 Toyo Tanso Co., Ltd. Shielding assembly for a semiconductor manufacturing apparatus and method of using the same
US6452198B1 (en) * 2001-06-28 2002-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. Minimized contamination of semiconductor wafers within an implantation system
US6772776B2 (en) * 2001-09-18 2004-08-10 Euv Llc Apparatus for in situ cleaning of carbon contaminated surfaces
US7169440B2 (en) * 2002-04-16 2007-01-30 Tokyo Electron Limited Method for removing photoresist and etch residues
US6949895B2 (en) * 2003-09-03 2005-09-27 Axcelis Technologies, Inc. Unipolar electrostatic quadrupole lens and switching methods for charged beam transport
US7145157B2 (en) * 2003-09-11 2006-12-05 Applied Materials, Inc. Kinematic ion implanter electrode mounting
CN1964620B (zh) * 2003-12-12 2010-07-21 山米奎普公司 对从固体升华的蒸气流的控制
US20080073559A1 (en) * 2003-12-12 2008-03-27 Horsky Thomas N Controlling the flow of vapors sublimated from solids
GB2412488B (en) * 2004-03-26 2007-03-28 Applied Materials Inc Ion sources
US7078710B2 (en) * 2004-06-15 2006-07-18 International Business Machines Corporation Ion beam system
CN1300371C (zh) * 2004-09-06 2007-02-14 珠海市恩博金属表面强化有限公司 金属离子注入机
US7205556B2 (en) * 2004-10-01 2007-04-17 Axcelis Technologies, Inc. Bellows liner for an ion beam implanter
US7078689B1 (en) * 2004-10-25 2006-07-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Integrated electron beam and contaminant removal system
US7819981B2 (en) * 2004-10-26 2010-10-26 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for cleaning ion implanter components
US7173260B2 (en) * 2004-12-22 2007-02-06 Axcelis Technologies, Inc. Removing byproducts of physical and chemical reactions in an ion implanter
KR20060072681A (ko) * 2004-12-23 2006-06-28 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 제조 방법
US6992311B1 (en) * 2005-01-18 2006-01-31 Axcelis Technologies, Inc. In-situ cleaning of beam defining apertures in an ion implanter
US7488958B2 (en) * 2005-03-08 2009-02-10 Axcelis Technologies, Inc. High conductance ion source
US7199383B2 (en) * 2005-08-25 2007-04-03 United Microelectronics Corp. Method for reducing particles during ion implantation
US7511287B2 (en) * 2005-09-21 2009-03-31 Axcelis Technologies, Inc. Systems and methods that mitigate contamination and modify surface characteristics during ion implantation processes through the introduction of gases
KR100691100B1 (ko) * 2005-12-29 2007-03-12 동부일렉트로닉스 주식회사 부산물 생성을 방지할 수 있는 이온 주입 방법
JP4988327B2 (ja) * 2006-02-23 2012-08-01 ルネサスエレクトロニクス株式会社 イオン注入装置
SG171606A1 (en) 2006-04-26 2011-06-29 Advanced Tech Materials Cleaning of semiconductor processing systems
JP5085887B2 (ja) * 2006-05-30 2012-11-28 株式会社Ｓｅｎ ビーム処理装置及びビーム処理方法
WO2008094297A2 (en) * 2006-07-14 2008-08-07 Fei Company A multi-source plasma focused ion beam system
JP4305499B2 (ja) * 2006-11-27 2009-07-29 日新イオン機器株式会社 イオン注入装置
US20080157007A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-03 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Active particle trapping for process control
US20090014644A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 Inficon, Inc. In-situ ion source cleaning for partial pressure analyzers used in process monitoring
WO2009039382A1 (en) 2007-09-21 2009-03-26 Semequip. Inc. Method for extending equipment uptime in ion implantation
US7800083B2 (en) * 2007-11-06 2010-09-21 Axcelis Technologies, Inc. Plasma electron flood for ion beam implanter
CN101452816B (zh) * 2007-11-30 2010-06-02 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种离子注入的监控方法
US20090179158A1 (en) * 2008-01-16 2009-07-16 Varian Semiconductor Equpiment Associate, Inc. In-vacuum protective liners
KR20110005683A (ko) 2008-02-11 2011-01-18 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 반도체 가공 시스템에서의 이온 공급원 세정법
JP2011523764A (ja) * 2008-05-30 2011-08-18 アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド 水素化ホウ素を半導体ウェハに注入する場合の該半導体ウェハにおける粒子の制御
KR20110042052A (ko) * 2008-06-11 2011-04-22 솔라 임플란트 테크놀로지스 아이엔씨. 패시팅 및 이온 주입을 이용한 솔라 셀 제작
US7888662B2 (en) * 2008-06-20 2011-02-15 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion source cleaning method and apparatus
US8749053B2 (en) 2009-06-23 2014-06-10 Intevac, Inc. Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications
US20110108058A1 (en) * 2009-11-11 2011-05-12 Axcelis Technologies, Inc. Method and apparatus for cleaning residue from an ion source component
US8604418B2 (en) * 2010-04-06 2013-12-10 Axcelis Technologies, Inc. In-vacuum beam defining aperture cleaning for particle reduction
KR101915753B1 (ko) * 2010-10-21 2018-11-07 삼성디스플레이 주식회사 이온 주입 시스템 및 이를 이용한 이온 주입 방법
CN102110596B (zh) * 2010-12-17 2013-04-10 无锡华润上华半导体有限公司 减少晶圆掉落的方法
EP2777069A4 (en) 2011-11-08 2015-01-14 Intevac Inc SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM AND METHOD
MY178951A (en) 2012-12-19 2020-10-23 Intevac Inc Grid for plasma ion implant
JP2014137901A (ja) * 2013-01-16 2014-07-28 Nissin Ion Equipment Co Ltd イオン注入装置およびイオン注入装置の運転方法
US9006690B2 (en) * 2013-05-03 2015-04-14 Axcelis Technologies, Inc. Extraction electrode assembly voltage modulation in an ion implantation system
US9711316B2 (en) * 2013-10-10 2017-07-18 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Method of cleaning an extraction electrode assembly using pulsed biasing
US9793094B2 (en) * 2014-03-24 2017-10-17 Ion Technology Solutions, Llc Extraction electrode
CN105005070B (zh) * 2015-06-05 2018-02-13 北京大学 一种加速器分析磁铁后疑似离子束的甄别方法及其装置
US10522330B2 (en) 2015-06-12 2019-12-31 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. In-situ plasma cleaning of process chamber components
TWI593473B (zh) 2015-10-28 2017-08-01 漢辰科技股份有限公司 清潔靜電吸盤的方法
JP6779295B2 (ja) * 2015-12-27 2020-11-04 インテグリス・インコーポレーテッド スパッタリングガス混合物中のトレースその場クリーニングガスを利用したイオン注入プラズマフラッドガン（ｐｆｇ）の性能の改善
CN107680904A (zh) * 2017-09-04 2018-02-09 天津大学 硼‑11同位素在集成电路的半导体掺杂中的应用及方法
US10580616B2 (en) * 2017-10-09 2020-03-03 Axcelis Technologies, Inc. System and method for in-situ beamline film stabilization or removal in the AEF region
CN108508475A (zh) * 2018-01-24 2018-09-07 中国原子能科学研究院 基于气体进样正离子源的c-14高灵敏测量装置
JP2020042959A (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 日新イオン機器株式会社 イオンビーム照射装置
CN113663988B (zh) * 2018-10-18 2023-09-05 汉辰科技股份有限公司 清理离子布植机内部氟化表面的方法及装置
CN110496825B (zh) * 2019-08-22 2021-04-13 上海华力集成电路制造有限公司 真空腔污染颗粒的清除装置和方法
JP7385809B2 (ja) * 2019-09-05 2023-11-24 日新イオン機器株式会社 イオンビーム照射装置のクリーニング方法
CN111146068A (zh) * 2019-12-26 2020-05-12 上海华虹宏力半导体制造有限公司 清扫离子注入机束流通道的方法
CN114256045B (zh) * 2021-12-16 2024-06-18 华虹半导体(无锡)有限公司 改善离子注入机金属污染的方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4022928A (en) * 1975-05-22 1977-05-10 Piwcyzk Bernhard P Vacuum deposition methods and masking structure
EP0140975A4 (en) * 1983-03-18 1988-01-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd REACTIVE ION ETCHING APPARATUS.
US4847504A (en) * 1983-08-15 1989-07-11 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for ion implantation
JPS6120321A (ja) * 1984-07-06 1986-01-29 Fujitsu Ltd 電子ビ−ム露光方法
US4665315A (en) * 1985-04-01 1987-05-12 Control Data Corporation Method and apparatus for in-situ plasma cleaning of electron beam optical systems
US4693760A (en) * 1986-05-12 1987-09-15 Spire Corporation Ion implanation of titanium workpieces without surface discoloration
US4764394A (en) * 1987-01-20 1988-08-16 Wisconsin Alumni Research Foundation Method and apparatus for plasma source ion implantation
JPS6410563A (en) * 1987-07-02 1989-01-13 Sumitomo Eaton Nova Electric charging suppressor of ion implanter
JP2717822B2 (ja) * 1988-11-21 1998-02-25 住友イートンノバ株式会社 イオン注入装置
JP2821751B2 (ja) * 1988-12-06 1998-11-05 東京エレクトロン株式会社 イオン注入装置のクリーニング方法
US4987933A (en) * 1989-03-03 1991-01-29 Eaton Corporation Fluid flow control method and apparatus for minimizing particle contamination
JPH04112441A (ja) * 1990-08-31 1992-04-14 Toshiba Corp イオン注入装置及びそのクリーニング方法
US5466942A (en) * 1991-07-04 1995-11-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Charged beam irradiating apparatus having a cleaning means and a method of cleaning a charged beam irradiating apparatus
JP3253675B2 (ja) * 1991-07-04 2002-02-04 株式会社東芝 荷電ビーム照射装置及び方法
US5164599A (en) * 1991-07-19 1992-11-17 Eaton Corporation Ion beam neutralization means generating diffuse secondary emission electron shower
US5308989A (en) * 1992-12-22 1994-05-03 Eaton Corporation Fluid flow control method and apparatus for an ion implanter
US5420435A (en) * 1993-08-20 1995-05-30 Texas Instruments Incorporated Ion implantation machine with photonic pressure particle filter
EP0648861A1 (en) * 1993-10-15 1995-04-19 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing apparatus
US5427621A (en) * 1993-10-29 1995-06-27 Applied Materials, Inc. Method for removing particulate contaminants by magnetic field spiking

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100528089B1 (ko) * 1997-12-22 2006-02-13 삼성전자주식회사 이온주입장치의플러싱방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0940838A3 (en) 2003-01-02
TW298661B (ko) 1997-02-21
DE69636044T2 (de) 2007-03-01
KR100326366B1 (ko) 2002-09-27
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CN1325131A (zh) 2001-12-05
US5554854A (en) 1996-09-10
DE69623206D1 (de) 2002-10-02
EP0940838B1 (en) 2006-04-12
CN1147144A (zh) 1997-04-09
EP0757373B1 (en) 2002-08-28
CN1182569C (zh) 2004-12-29
DE69623206T2 (de) 2003-05-28
DE69636044D1 (de) 2006-05-24
CA2177872A1 (en) 1997-01-18
JP4117507B2 (ja) 2008-07-16
JPH0936059A (ja) 1997-02-07

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