KR970008344A - 이온비임 주입기의 내부표면의 오염물질을 제거하는 방법 및 장치 - Google Patents

이온비임 주입기의 내부표면의 오염물질을 제거하는 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 이온비임 주입기(11)의 내부표면에 부착된 오염물질을 제거하는 방법에 관한 것으로 소오스 재료에서 이온을 추출하여 진공영역을 통해 이온주입실(17)까지의 비임통로를 이동하는 이온비임(14)으로 이동을 형성하는 단계와; 이 진공영역내의 이온비임의 궤적을 제어하는 제어수단(11)을 제공하는 단계와; 오염물질을 이동시키기 위해 이온비임을 직사하여 진공영역과 접촉하는 이온비임의 이온비임 주입실의 내부표면을 차게끔 제어수단을 활용하는 단계와; 주입기의 진공영역에서 오염물질을 제거하는 단계를 구비한다.

Description

이온비임 주입기의 내부표면의 오염물질을 제거하는 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이온소오스 비임형성 및 성형구조 및 주입실을 포함하는 이온주입기를 도시한 단면도.

Claims (23)

  1. 소오스 재료에서 이온을 추출하여 궤적을 따르는 진공영역을 통해 이온주입실 (17)까지의 비임통로룰 이동하는 이온비임(14)으로 이 이온을 형성하기 위해 이온소오스(12)를 포함하는 이온비임 주입기(10)의 내부표면에 부착한 오염물질을 제거하는 방법에 있어서, (a) 이온비임(14)의 체적을 조절하여 이온비임이 진공영역과 접촉하는 이온주입기의 내부표면을 때리게 하므로서 이 내부표면에서 오염물질을 변위시키는 단계와; (b) 주입기의 진공영역에서 변위된 오염물질을 제거하는 단계를 구비한 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 이온비임 주입기는 이온비임이 통과하는 지계를 발생하는 질량분해자석(22)을 구비하고, 상기 조절단계는 이온비임이 자계를 통과하여 이온비임을 직사하여 주입기의 내면을 칠때 이온비임의 방향을 변경하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  3. 제1항에 있어서, 이온비임 주입기는 이온비임 통로의 주위에 배선된 한조의 전극(24)을 포함하고, 상기 조절단계는 이온비임이 전극을 통과하여 이 이온 비임이 이온비임 주입기의 내면을 칠때 이온비임의 방향을 변경하기 위해 하나이상의 전극을 통전하므로서 수행되는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  4. 제1항에 있어서, 이온물질은 붕소동위원소를 포함하고 소오스 재료는 하나 이상의 산소가스와 수소가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  5. 제1항에 있어서, 오염물질은 광저항물질을 포함하는 소오스 재료는 플루오르가스를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  6. 제1항에 있어서, 이온비임 주입기는 이온비임 중화기(44)를 구비하고 이를 비임통로가 통과하여 이온비임을 분산시키도록 선택적으로 작동하고, 이온비임을 중화시키기 위해 전자방출을 발생하도록 선택적으로 작동하고 이 궤적을 조절하는 단계를 이온비임을 분산시켜서 이온비임을 직사하여 내면을 때리게 하므로서 수행되는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  7. 제2항에 있어서, 이온비임을 직사하여 내면을 때리도록 질량분해자석(22)을 회전시키는 단계를 더 구비하고, 상기 회전단계는 비임이 세정해야할 내부표면의 영역을 반복적으로 스위프하도록 선택된 반복형태로 질량 분해자석의 회전을 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  8. 비임을 직사하여 내부표면을 충돌하도록 한조의 전극 중 하나 이상의 전극의 통전레벨을 조절하는 단계를 더 포함하고 상기 레벨을 조절하는 단계는 이온 비임의 세정해야할 내부표면의 영역을 스위프하도록 선택된 반복형태로 하나 이상의 전극의 통전레벨을 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  9. 제1항에 있어서, 소오스재료로 부터 추출된 이온들은 오염물질이 이동할 때 오염물질과 화학적으로 접착하는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  10. 제1항에 있어서, 내부표면을 때리도록 이온비임을 직사하는 단계는 비임에 의해 때려진 영역을 증가하도록 비임분산을 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염물질 제거방법.
  11. (a) 소오스 재료에서 이온을 추출하여 이온을 궤적을 따르는 진공영역을 통해 이온주입실(17)까지의 비임통로를 이동하는 이온비임(14)으로 형성하는 수단(12,24)과; (b) 이온비임의 궤적을 조절하여 이온비임이 진공영역과 접촉하는 주입실의 내부표면을 때리게 하여 오염물질을 내부표면에서 변위시키는 수단(22,24)과; (c) 변위된 오염물질을 주입기의 진공영역에서 제거하는 수단(21)을 구비한 이온비임 주입실의 내부표면에 부착한 오염물질을 제거하는 장치(10).
  12. 제11항에 있어서, 이온비임 주입기는 이온비임이 통과하는 자계를 발생시키는 질량분해자석(22)을 구비하고, 상기 조절수단을 이온비임이 자게를 통과하여 이온비임을 직사하여 주입기의 내면을 칠때 이온비임의 방향을 변경하는 수단을 포함하는 오염물질을 제거하는 장치.
  13. 제11항에 있어서, 이온비임 주입기는 이온비임 통로의 주위에 배선된 한조의 전극(24)을 포함하고, 상기 조절수단은 이온비임이 전극을 통과하여 이 이온비임이 이온비임 주입기의 내면을 칠때 이온비임의 방향을 변경하기 위해 하나 이상의 전극을 통전하므로서 수행되는 오염물질을 제거하는 장치.
  14. 제11항에 있어서, 소오스 재료는 하나 이상의 산소가스, 수소가스 및 플로오르 가스 중 하나를 포함하는 오염물질을 제거하는 장치.
  15. 제11항에 있어서, 이온물질은 붕소동위원소를 포함하고 소오스 재료는 하나 이상의 산소가스와 수소가스를 포함하는 오염물질을 제거하는 장치.
  16. 제11항에 있어서, 오염물질은 광저항물질을 포함하는 소오스 재료는 플루오르 가스를 포함하는 오염물질을 제거하는 장치.
  17. 제11항에 있어서, 조절하는 수단은 이온비임 중화기(44)를 구비하고 이를 비임통로가 통과하여 이온비임을 분산시키도록 선택적으로 작동하고, 이온비임을 중화시키기 위해 전자방출을 발생하도록 선택적으로 작동하고 이 궤적을 조절하는 수단를 이온비임을 분산시켜서 이온비임을 직사하여 내면을 때리게 하므로서 수행되는 오염물질을 제거하는 장치.
  18. 제12항에 있어서, 이온비임을 직사하여 내면을 때리도록 질량분해자석(22)을 회전시키는 수단(11)은 비임이 세정해야 할 내부표면의 영역을 반복적으로 스위프하도록 선택된 반복형태로 질량분해자석의 회전을 변화시키는 수단을 포함하는 오염물질을 제거하는 장치.
  19. 제13항에 있어서, 상기 이온비임이 세정해야 할 이온주입기 내부표면의 영역을 반복적으로 스위프하도록 선택된 반복형태로 하나 이상의 전극의 통전레벨을 변화시키므로서 이온비임을 내부표면에 직사하도록 한조의 전극 중 하나 이상의 전극의 통전레벨을 조절하는 수단(11)을 포함하는 오염물질을 제거하는 장치.
  20. 이온을 제공하는 공작물을 이온처리하기 위해 소오스실로 부터 상기 이온을 방출하는 이온소오스 지지대를 지니고 상기 이온이 소오스에서 주입실 까지의 비임이동통로를 이동한 후 주입실에 들어오는 이온과 교차하는 이온주입실내에 위치한 공작물용 이온주입실(17)과; 이온소오스에서 이온주입실 까지의 이온비임 이동로를 형성하는 진공영역을 경계짓는 이온비임 형성구조(22,24)를 포함하는 공작물을 처리하는 이온주입기(10)에 있어서, (a) 오염물질을 이온주입실의 진공영역에서 제거하는 수단(21)과; (b) 이온주입실내의 진공영역에서 오염물질을 제거하는 구조(83,120,17)을 구비하고; 상기 구조는 i) 이온주입실의 진공영역과 접촉하는 제1 및 제2전극을 구비하고, 상기 제1 및 제2전도전극의 하나의 전도전극은 주입실내의 이온 플라즈마 형성을 촉진하도록 위치해 있고, 상기 플라즈마의 이온을 상기 하나의 전도전극에 인접한 영역의 오염물질과 결합하고; ⅱ) 이온 플라즈마를 하나의 전도전극의 영역이 유지하도록 제1 및 제2전도전극 사이에 전기전위를 인가하는 바어어싱 수단을 구비한 이온주입기.
  21. 제20항에 있어서, 제1전도전극은 공작물 지지대(83)를 포함하고 이온주입실 (17)은 전도내벽을 포함하고, 제2전조전극은 이온주입실의 진공영역과 경계짓는 전도내벽과 전기적으로 절연된 전도전극(120)을 구비한 이온주입기.
  22. 제20항에 있어서, 주입실(17)은 전도내벽을 포함하고 제1전도전극(120)은 이온주입실의 전도내벽과 전기적으로 절연된 전극이고, 제2금속부재는 상기 전도내벽을 포함하는 주입기.
  23. 이온소오스(12)에서 이온주입실(17)까지의 이온비임 이동통로를 형성하는 진공영역을 경계짓는 구조를 형성하는 이온비임을 통해 이온소오스실로 부터 이온비임(14)을 직사하여 공작물을 처리하는 이온주입기(10)를 유지하는 방법에 있어서, 제1 및 제2전극을 이온주입기의 진공영역과 접촉하게 위치시키므로서 이온주입기의 진공영역에서 오염물질을 제거하는 단계와; 상기 제1 및 제2전극의 하나의 전도전극은 플라즈마의 이온이 전도전극에 인접할 영역의 오염물질과 결합하도록 진공영역내의 이온 플라즈마의 형성을 촉진하도록 위치해 있고; 또한 이온 플라즈마를 하나의 전도전극의 영역에 유지하기 위해 제1 및 제2전도전극 사이에 전기전위를 제공하는 단계를 구비한 이온 주입기를 유지하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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