JP2014137901A - イオン注入装置およびイオン注入装置の運転方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】イオン源内部のクリーニング後に行われるイオンビームの再立上げ処理を短時間で済ませる。
【解決手段】イオン注入処理時に、イオン源IS内部にプロセスガスを導入して、複数枚の電極から構成される引出電極系2を用いてイオン源ISからリボン状のイオンビーム3を引出し、処理室5内に配置された基板4にイオンビーム3を照射するとともに、イオン注入処理時以外の時に、イオン源IS内部にクリーンニングガスを導入して、当該イオン源IS内部のクリーニングを行うイオン注入装置IMであって、クリーニング終了後にイオンビーム3を再立上げする際、引出電極系2に所定の電圧を印加した後に、イオン源ISの運転パラメータを処理対象とする基板4の注入レシピに応じた運転パラメータに設定する。
【選択図】 図2
【解決手段】イオン注入処理時に、イオン源IS内部にプロセスガスを導入して、複数枚の電極から構成される引出電極系2を用いてイオン源ISからリボン状のイオンビーム3を引出し、処理室5内に配置された基板4にイオンビーム3を照射するとともに、イオン注入処理時以外の時に、イオン源IS内部にクリーンニングガスを導入して、当該イオン源IS内部のクリーニングを行うイオン注入装置IMであって、クリーニング終了後にイオンビーム3を再立上げする際、引出電極系2に所定の電圧を印加した後に、イオン源ISの運転パラメータを処理対象とする基板4の注入レシピに応じた運転パラメータに設定する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、シリコンウェーハやガラス基板へイオンビームの照射を行って、当該ウェーハや基板へのイオン注入処理を実施するイオン注入装置で、特に、クリーニング機能を備えたイオン注入装置と当該イオン注入装置の運転方法に関する。
イオン注入装置では、イオン源からイオンビームを引出す運転を長時間続けると、イオン源の引出電極系を構成する電極やイオン源を構成するプラズマ生成容器の内部に堆積物が付着する。これを放置しておくと、引出電極系の電極間で異常放電を引き起こしてしまう。
この異常放電の発生回数が多くなると、イオン源の正常運転を維持することができなくなるので、イオン源内部を必要に応じてクリーニングするということが行われていた。
このクリーニングの例として、特許文献1には、試料に対するイオン注入時以外のときにイオン源に水素ガスを導入し、イオン源内部で水素プラズマを発生させて、イオン源内部の堆積物をクリーニングする手法が開示されている。
特許文献1の手法では、試料に対するイオン注入時以外の時にイオン源内部で水素プラズマを発生させてクリーニングを行うことが記載されているが、その後、イオンビームをどのようにして再立上げすればいいのかについて、全く記載されていない。
イオン注入装置では、複数枚の基板に対するイオン注入処理が、所定枚数ごとに複数回に分けて行われている。各イオン注入処理の間、処理済基板と未処理基板との交換を行う為に、基板へのイオン注入処理を一旦停止することになる。このような基板交換の期間に、特許文献1に記載の技術を用いて、イオン源内部のクリーニングを行うことが考えられるが、基板交換の期間は通常多くて数分程度である為、クリーニングを行ってからイオンビームを早期に立ち上げることが求められている。
そこで、本発明では、クリーニング後に短時間でイオンビームの再立ち上げすることのできるイオン注入装置と当該装置の運転方法を提供する。
本発明のイオン注入装置は、イオン注入処理時に、イオン源内部にプロセスガスを導入して、複数枚の電極から構成される引出電極系を用いて前記イオン源からリボン状のイオンビームを引出し、処理室内に配置された基板に前記イオンビームを照射するとともに、イオン注入処理時以外の時に、イオン源内部にクリーンニングガスを導入し、当該イオン源内部のクリーニングを行うイオン注入装置であって、クリーニング終了後に前記イオンビームを再立上げする際、前記引出電極系に所定の電圧を印加した後に、前記イオン源の運転パラメータを処理対象とする基板の注入レシピに応じた運転パラメータに設定する制御装置を備えている。
引出電極系に所定電圧を印加することで、各電極間に所定の電界分布が形成されるが、この電界分布が形成されるまでには、過渡的な状態を経る。電極間の電界が過渡的な状態の時に、イオン源内部でイオン注入処理時に発生されるプラズマと同等の濃度を有するプラズマが生成されていると、このプラズマから注入時に用いられるのと同程度のイオンビーム電流を有するイオンビームが引出されて、その大半が引出電極系に衝突してしまう。特に、リボン状のイオンビームが引出される場合、スポット状のイオンビームに比べて、そのイオンビーム電流は非常に大きいので、このようなイオンビームの引出電極系への衝突により、引出電極系に電圧を印加する為の電源に過電流が流れてしまう。この過電流によって、電源の出力電圧が不安定になり、早期に所望するようなイオンビームの立上げを行うことができない。
上述した点を考慮し、本発明では、イオンビームを再立上げする際、引出電極系に所定の電圧を印加した後に、イオン源の運転パラメータを処理対象とする基板の注入レシピに応じた運転パラメータに設定する制御装置を備えた構成を採用した。これにより、引出電極系を構成する電極間に所定の電界が形成された後で、イオン源内部でイオン注入処理時に生成されるプラズマと同等の濃度を有するプラズマが生成され、そこからイオンビームの引出しを行うことができるので、比較的大きなイオンビーム電流を有するイオンビームの引出電極系への衝突を十分に抑制することができる。その結果、引出電極系に接続された電源に過電流が流入することがないので、早期にイオンビームの立上げを行うことができる。
複数枚の基板に対するイオン注入処理を、所定枚数ごとに複数回に分けて行うイオン注入装置であって、前記制御装置は、全てのイオン注入処理が終了するまでの間に、前記イオン源内部のクリーニングを少なくとも1回行うものであればよい。
このような構成を採用すると、一連のイオン注入処理で隙間の時間を利用して、イオン源のクリーニングを行うことができるので、イオン源をクリーニングする為にイオン注入装置の運転を停止させる必要がない。
また、前記イオンビームの再立上げに際して、前記引出電極系に所定の電圧を印加する時、前記イオン源内部ではプラズマが生成されないようにしておいてもいい。
引出電極系に所定電圧を印加する時に、イオン源内部でプラズマが生成されていると、そこから所望されないイオンビームが引出される。この際、過渡的な電界の作用により引出されたイオンビームの大半が引出電極系に衝突してしまう恐れがある。プラズマ濃度が十分に薄いと、大電流のイオンビームが引出されないので、引出電極系に接続された電源に過電流が流れ、電源の出力電圧が不安定になるという問題は発生しないが、イオンビームの引出電極系への衝突により次のことが懸念される。
イオンビームの引出電極系への衝突により、引出電極系の堆積物がスパッタリングされて、これが引出電極系を構成する電極間で放電を起こす原因となる。また、スパッタリングされた堆積物がイオンビームの輸送経路の下流側に飛散し、これが基板に混入した場合には、基板が注入不良となる。しかしながら、引出電極系に所定の電圧を印加する時に、イオン源内部でプラズマを生成させないようにしておくと、上述したようなイオンビームの引出電極系への衝突を防止することができる。
より具体的なイオン源の構成としては、前記イオン源は、前記クリーニングガスと前記プロセスガスが導入されて、内部でプラズマが生成されるプラズマ生成用器を備えていて、前記プラズマ生成容器内には1又は複数のカソードが配置されていて、前記カソードと前記プラズマ生成容器の間には両部材間の電位差を調整する電源が接続されている。
また、前記制御装置は、前記イオンビームの再立上げ時、前記引出電極系に接続された電源の出力電圧を所定の値にした後、前記カソードと前記プラズマ生成容器間に接続された電源の出力電圧を所定の値にする。
さらに、本発明のイオン注入装置の運転方法は、イオン注入処理時に、イオン源内部にプロセスガスを導入して、複数枚の電極から構成される引出電極系を用いて前記イオン源からリボン状のイオンビームを引出し、処理室内に配置された基板に前記イオンビームを照射するとともに、イオン注入処理時以外の時に、イオン源内部にクリーンニングガスを導入して、当該イオン源内部のクリーニングを行うイオン注入装置であって、クリーニング終了後に前記イオンビームを再立上げする際、前記引出電極系に所定の電圧を印加した後に、前記イオン源の運転パラメータを処理対象とする基板の注入レシピに応じた運転パラメータに設定する。
電極間の電界分布が所定のものになった後に、イオン源の運転パラメータを処理対象とする基板の注入レシピに応じた運転パラメータに変更するようにしたので、比較的大きなイオンビーム電流を有するイオンビームの引出電極系への衝突を十分に抑制することができる。その結果、引出電極系に接続された電源に過電流が流入することがないので、早期にイオンビームの立上げを行うことができる。
本発明に係るイオンビーム照射装置およびその運転方法に関し、図面を参照して以下に説明する。
図1には、本発明で使用される一のイオン注入装置IMの平面図が記載されている。このイオン注入装置IMの全体の構成について、簡単に説明する。なお、図示されるXYZ軸の方向は、互いに直交している。
プラズマ生成容器1は、図示されるX軸方向の寸法に比べてY軸方向の寸法が長い、略立方体状の容器で、第一のガスボンベ9から容器内にプロセスガス(BF3やPH3等)の供給が行われる。また、プラズマ生成容器1の電位は加速電源Vaccによって、所定の電位に固定されている。さらに、プラズマ生成容器1内には、陰極Fが導入されていて、アーク電源Varcによって、陰極Fとプラズマ生成容器1との間には所定の電位差が設定されている。なお、陰極Fとプラズマ生成容器1との間には、図示されない絶縁体が設けられており、この絶縁体によって両部材間は電気的に離間している。
陰極Fの両端には陰極電源Vfが接続されていて、この電源により加熱された陰極Fから熱電子が放出される。この熱電子が第一のガスボンベ9から供給されたプロセスガスに衝突すると、プロセスガスが電離して、プラズマPが生成される。
プラズマ生成容器1のZ軸方向側の面には開口が形成されていて、プラズマPからリボン状のイオンビーム3(この例では、X軸方向よりもY軸方向の寸法が長いイオンビーム)を引出す為の引出電極系2が配置されている。引出電極系2は複数の電極から構成されていて、例えば、図1に記載されているように4枚の電極から構成されている。プラズマ生成容器1側から、加速電極2a、引出電極2b、抑制電極2c、接地電極2dが順に並べられていて、各電極は互いに電気的に離間している。これらの電極には、イオンビーム3を通過させる為の複数の丸孔や複数のスリット、あるいは、単一のスリットが形成されている。
この例では、加速電極2aは陰極Fと同電位であり、接地電極2dは電気的に接地されている。また、抑制電極2cには、イオンビーム3が引出されるZ軸方向の側からプラズマ生成容器1側への電子の流入を防止する為に、電極に負電圧を印加する抑制電源Vsupが接続されている。
引出電極系2から引出されたイオンビーム3は、分析電磁石10と分析スリット11によって質量分析された後、処理室5内に入射する。
基板4は、処理室5の外側にあるカセット7から搬送ロボット8により真空予備室6内に搬送される。真空予備室6に基板4が搬送されると、図示されないポンプによって真空引きされて真空予備室6内の雰囲気が大気から真空に変化する。そして、所定の真空度に達した後、真空予備室6の処理室5側の扉が開き、処理室5内に基板4が搬送される。なお、真空予備室6を真空引きする際、真空予備室6の大気側(カセット7が配置されている側)の扉は閉められている。
処理室5内に搬送された基板4は、図示されない回転機構によって、イオンビーム3による被照射面がおおよそY軸方向に平行となるように、その姿勢が変更される。その後、図示されない搬送機構によって、X軸方向に沿って、基板4の走査が行われる。なお、基板4の走査の際、イオンビーム3を基板4が横切る回数は1回でもいいし、複数回であってもよい。また、基板4の走査の方向は、X軸方向でなくてもよい。つまり、イオンビーム3の進行方向であるZ軸方向と交差するような方向であって、基板4の走査によって、基板4の全面にイオン注入がなされるような方向であればどのようなものであっても構わない。
図示されているように、Y軸方向において、イオンビーム3の寸法は基板4の寸法よりも長いので、X軸方向に基板4が走査されることで、基板4の全面にイオン注入が行われる。基板4へのイオン注入処理後、基板4は処理室5内に搬送された経路と逆の経路を辿り、カセット7内に収納される。また、処理室5には、イオンビーム電流計測器12が設けられていて、これは基板4へのイオンビーム3の照射前にイオンビーム3が所望する特性を有するものであるかを確認する際に用いられる。
カセット7に処理済基板が収納された後、未処理基板がカセット7から搬送ロボット8によって取り出されて、再び処理室5内に搬送された後、基板4へのイオン注入処理が行われる。このような処理済基板と未処理基板との交換が、カセット7内に収納されている複数枚の基板へのイオン注入処理が終了するまで繰り返し行われる。
基板交換が行われている間は、処理室5内には処理対象とする基板4がないので、イオンビーム3を照射しておく必要はない。本発明では、繰り返し行われる一連のイオン注入処理で、複数回なされる基板交換の最中に、イオン源ISのクリーニングを少なくとも1回行っている。
イオン注入装置IMには制御装置20が設けられている。制御装置20は、信号S1を送信して、図示されない搬送機構による基板4の走査を制御する機能を有している。制御装置20は、搬送機構の制御を通じて基板4の位置情報を得ており、この位置情報に基づいて、信号S2〜S6を陰極電源Vf、アーク電源Varc、引出電源Vext、第一のガスボンベ9、第二のガスボンベ91に送信し、各部の制御を行う。また、加速電源Vaccの出力電圧の値も制御する場合には、この電源に関する制御信号の送信も行われる。
基板4へのイオン注入処理の終了から、イオン源IS内部をクリーニングして、クリーニング後にイオンビーム3の再立上げを行うまでに、複数の処理方法が考えられる。各処理方法について共通して言えることは、クリーニング後にイオンビーム3の再立上げを行う際、まず始めに引出電極系2に接続された電源(図1の例では、引出電源Vextと抑制電源Vsup)により、各電極に所定電圧(基板4へのイオン注入処理時に設定される電圧)が印加される。
次に、イオン源ISの運転パラメータを処理対象とする基板4の注入レシピに応じた運転パラメータに設定する。イオン源ISの運転パラメータは、イオン源ISの構成により異なるが、図1の例で言うと、アーク電源Varcの出力電圧の値、陰極電源Vfの出力電圧の値、加速電圧Vaccの出力電圧の値、第一のガスボンベ9からのプロセスガスの流量、第二のガスボンベ91からのクリーニングガスの流量がイオン源ISの運転パラメータに相当する。
基板4へのイオン注入を行う際、基板4の種類や注入プロセスの種類に応じて、注入レシピが決定される。ここで言う注入レシピとは、基板4に注入されるドーズ量、イオン種、イオンビームのエネルギーのことを指す。このうちドーズ量は、基板4の走査速度と基板4に照射されるイオンビーム3のイオンビーム電流で決定される。
図1の例では、イオンビーム電流は引出電極系2に印加された電圧の値とイオン源IS内部のプラズマ濃度で決定され、プラズマ濃度はアーク電源Varcの出力電圧の値、陰極電源Vfの出力電圧の値、加速電源Vaccの出力電圧の値、第一のガスボンベ9から供給されるプロセスガスの流量、第二のガスボンベ91から供給されるクリーニングガスの流量で決定される。
上述したように、引出電極系2に接続された電源(図1の例では、引出電極Vextと抑制電源Vsup)により、引出電極系2に所定電圧(基板4へのイオン注入処理時に設定される電圧)を印加した後で、イオン源ISの運転パラメータを処理対象とする基板4の注入レシピに応じた運転パラメータに設定するようにしているので、イオンビーム3の再立上げ時に、比較的大きなイオンビーム電流を有するイオンビーム3の引出電極系2への衝突を十分に抑制することができる。
イオンビーム3の引出電極系2への衝突は、次のようにして起こる。引出電極系2に電圧を印加することで、各電極間に所定の電界分布が形成されるが、この電界分布が形成されるまでには、過渡的な状態を経る。電極間の電界が過渡的な状態の時に、イオン源IS内部でイオン注入処理時に生成されるプラズマと同等の濃度を有するプラズマPが生成されていると、このプラズマPからイオン注入処理時に用いられるのと同程度のイオンビーム電流を有するイオンビーム3が引出されて、その大半が引出電極系2に衝突してしまう。
特に、リボン状のイオンビーム3が引出される場合、スポット状のイオンビームに比べて、そのイオンビーム電流は非常に大きい。この為、このようなリボン状のイオンビーム3の引出電極系2への衝突により、引出電極系2に電圧を印加する為の電源に過電流が流れてしまう。この過電流によって、電源の出力電圧が不安定になり、早期に所望するようなイオンビーム3の立上げを行うことができなくなる。
上述した点を考慮し、本発明では、イオンビーム3を再立上げする際、引出電極系2に所定電圧を印加した後に、イオン源ISの運転パラメータを処理対象とする基板の注入レシピに応じた運転パラメータに設定するように構成している。これにより、引出電極系2を構成する電極間に所定の電界が形成された後で、イオン源IS内部でイオン注入処理時に発生されるプラズマPと同等の濃度を有するプラズマPが生成され、そこからイオンビーム3の引出しを行うことができるので、比較的大きなイオンビーム電流を有するイオンビーム3の引出電極系2への衝突を十分に抑制することができる。その結果、引出電極系に接続された電源に過電流が流入することがないので、早期にイオンビーム3の立上げを行うことができるといった効果が得られる。
イオンビーム3の再立上げから、実際に基板4へのイオン注入処理が開始される前に、イオンビーム電流計測器12で、引出電極系2から引出されたイオンビーム3のイオンビーム電流の計測が行われる。ここで、所望するイオンビーム電流が得られていれば、即座に基板4へのイオン注入処理が行われるが、所望するイオンビーム電流が得られていない場合、上述したイオン源ISの運転パラメータや引出電極系2への印加電圧の微調整が行われる。
以下、図2〜図5を参照して、基板4へのイオン注入処理の終了から、イオン源IS内部をクリーニングして、クリーニング後にイオンビーム3の再立上げを行うまでの具体的な処理の例について説明する。
図2は、第一の処理例である。基板4へのイオン注入処理が終了したので、T1でイオン源IS内のプラズマPの消灯を行う。次に、T2で第一のガスボンベ9によるプロセスガスの供給を停止させ、第二のガスボンベ91によるクリーニングガスの供給を開始する。イオン注入装置IMには、図示されない真空ポンプが設けられており、この真空ポンプによって注入装置内部は真空引きされているので、プロセスガスの供給が停止された後の残留ガスは、このポンプにより装置外に排出される。また、後述するクリーングガスの供給停止に伴って、イオン源IS内に残留しているクリーングガスも上述した真空ポンプにより装置外に排出される。
T3では、イオン源IS内でプラズマPの点灯が行われ、このプラズマPによりイオン源IS内部のクリーニングが行われる。なお、ここで生成されるプラズマPは、クリーニングガスを原料にしたものである。また、プラズマPの点灯と消灯は、制御装置20によって陰極電源Vf、アーク電源Varcの出力電圧が所定の値に設定されることで行われる。さらに、イオン源IS内をクリーニングする時、イオンビーム3の引き出しは不要である為、制御装置20によって少なくとも引出電源Vextの出力電圧はゼロか、イオンビーム3の引出が行われない程度の値に設定されている。これらの点については、後述する図3〜5の例でも同様である。
T4では、クリーニングガスによるプラズマPの消灯が行われる。その後、T5で第二のガスボンベ91によるクリーニングガスの供給が停止されるとともに、第一のガスボンベ9によるプロセスガスの供給が開始される。なお、図2の例において、T5の時点では、陰極電源Vf、アーク電源Varcの出力電圧の値はゼロか、イオン源IS内でプラズマPが点灯しない程度の値に設定されている。
次に、T6で引出電極系2を構成する各電極に所定電圧が印加される。この時の電圧値は、基板4へのイオン注入処理時に設定される電圧値で、処理対象とする基板4の注入レシピに応じて予め決定されている。その後、T7でイオン源ISの運転パラメータを処理対象とする基板4の注入レシピに応じた運転パラメータに設定する。具体的には、第一のガスボンベ9によるプロセスガスの供給量を所定のものにし、第二のガスボンベ91によるクリーニングガスの供給量をゼロにする。また、陰極電源Vf、アーク電源Varcの出力電圧の値を所定のものに設定する。さらに、先のイオン注入処理の終了から、イオンビーム3の再立上げまでの間に、加速電源Vaccの出力電圧の値を変更している場合には、これをイオン注入処理時に用いられる所定の値に戻しておく。
このT7の処理が行われることで、プロセスガスによる所定の濃度を有するプラズマPがイオン源IS内で生成され、ここから基板4へのイオン注入処理に用いられるイオンビーム3と同等のイオンビーム電流を有するイオンビーム3の引き出しを行うことができる。
図3には、第二の処理例が記載されている。図3と後述する図4、図5に記載の処理例で、図2の処理例で用いられている符号と同じ符号の処理は、図2で説明した処理と同様の処理である。その為、図3〜図5の説明を行う際は、図2に記載の処理と異なる処理に着目して説明を行う。
図2の処理例と図3の処理例との違いは、T8の処理を行うかどうかである。図3の例では、T7で所定濃度のプラズマPを発生させる前に、T8でそれよりも濃度の薄いプラズマPを点灯させている。このプラズマPの点灯は、制御装置20によって陰極電源Vfとアーク電源Varcの出力電圧の値を制御することで行われるが、ここで点灯されるプラズマPの濃度は、基板4へのイオン注入処理を行う場合にイオン源IS内で発生されるプラズマPの濃度と比較して十分に薄いものである。
図3の例のように、イオンビームの再立上げ処理が完了するまでの間に、このような薄いプラズマPを点灯させておいてもよい。このような構成では、T6で引出電極系2の各電極に所定の電圧が印加された際、過渡的な電界の作用により、濃度の薄いプラズマPから引出されたイオンビーム3の大半が引出電極系2を構成する電極に衝突してしまうが、プラズマPの濃度が十分に薄いことから引出されるイオンビーム3のイオンビーム電流は小さいので、引出電極系2に接続された電源に過電流が流れて、電源の出力電圧が不安定になるといった問題は発生しない。
しかしながら、このような濃度の薄いプラズマPから引出されたイオンビーム3の引出電極系への衝突により、引出電極系2に堆積されている堆積物がスパッタリングされて、引出電極系2を構成する電極間で放電が発生する恐れがある。また、スパッタリングされた堆積物がイオンビーム3の輸送経路の下流側に飛散して、これが基板4に混入した場合、基板が注入不良になる。
これらの問題を考慮すると、図3で述べた処理例よりも図2で述べた処理例のように、引出電極系2の各電極に所定電圧を印加する前は、イオン源IS内のプラズマPを消灯させておいた方がいい。
図4には、第三の処理例が記載されている。図2の処理例との違いは、T4とT5の処理の順序が逆転しているところにある。図4の処理例では、T3でイオン源IS内のクリーニングを行った後、イオン源IS内でクリーニングガスによるプラズマが点灯している状態の時に、T5で第二のガスボンベ91によるクリーングガスの供給を停止して、第一のガスボンベ9によるプロセスガスの供給を開始する。その後、イオン源IS内のプラズマPを消灯させている。
図5には、第四の処理例が記載されている。図2の処理例との違いは、T5とT6の処理の順序が逆転しているところにある。図5の処理例では、引出電極系2の各電極に所定電圧を印加した後で、クリーニングガスの供給を停止して、プロセスガスの供給を開始している。この図5の処理例のように、プロセスガス供給のタイミングを図2の処理例から変更してもいい。
<その他の変形例>
図2から図5で述べた処理例では、クリーニングガスの供給の停止とプロセスガスの供給の開始を同時に行うように構成していたが、これらを個別に行うようにしておいてもいい。例えば、図2の処理例で、T4でイオン源IS内でのプラズマを消灯させる際、第二のガスボンベ91によるクリーニングガスの供給を停止させておき、その後、T5の処理として第一のガスボンベ9によるプロセスガスの供給を開始するように構成しておいてもいい。
図2から図5で述べた処理例では、クリーニングガスの供給の停止とプロセスガスの供給の開始を同時に行うように構成していたが、これらを個別に行うようにしておいてもいい。例えば、図2の処理例で、T4でイオン源IS内でのプラズマを消灯させる際、第二のガスボンベ91によるクリーニングガスの供給を停止させておき、その後、T5の処理として第一のガスボンベ9によるプロセスガスの供給を開始するように構成しておいてもいい。
図1で述べたイオン注入装置IMの構成では、プロセスガスが封入されたガスボンベは第一のガスボンベ9のみであったが、異なる種類のプロセスガスが封入されたガスボンベを複数設けておき、これを基板4の注入レシピに応じて使い分けるようにしておいてもいい。例えば、ガスボンベとしてBF3が封入されたものと、PH3が封入されたものを個別に設けておき、基板4の注入レシピでイオン種がBであれば、BF3が封入されているガスボンベからプロセスガスの供給を行うようにしておく。
また、図1で述べたイオン注入装置IMの構成では、イオン源ISのプラズマ生成容器1内に単一の陰極Fが配置されているが、この陰極Fの数を複数にしてもいい。複数の陰極Fを設ける場合、1つの陰極電源Vfを各陰極Fに対して共通化して使用するようにしてもいいし、各陰極Fに対して個別に陰極電源Vfを設けておき、複数の陰極Fを個別に制御できるように構成しておいていもいい。
さらに、イオン源ISの種類としては、従来から知られている傍熱型のイオン源であってもいいし、高周波型のイオン源であってもよい。
また、一度にイオン注入処理される基板の枚数は、1枚でもいいし複数枚でもいい。
前述した以外に、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良および変更を行っても良いのはもちろんである。
1 プラズマ生成容器
2 引出電極系
3 イオンビーム
4 基板
5 処理室
9 第一のガスボンベ
91 第二のガスボンベ
IM イオン注入装置
IS イオン源
P プラズマ
2 引出電極系
3 イオンビーム
4 基板
5 処理室
9 第一のガスボンベ
91 第二のガスボンベ
IM イオン注入装置
IS イオン源
P プラズマ
Claims (6)
- イオン注入処理時に、イオン源内部にプロセスガスを導入して、複数枚の電極から構成される引出電極系を用いて前記イオン源からリボン状のイオンビームを引出し、処理室内に配置された基板に前記イオンビームを照射するとともに、イオン注入処理時以外の時に、イオン源内部にクリーンニングガスを導入して、当該イオン源内部のクリーニングを行うイオン注入装置であって、
クリーニング終了後に前記イオンビームを再立上げする際、前記引出電極系に所定の電圧を印加した後に、前記イオン源の運転パラメータを処理対象とする基板の注入レシピに応じた運転パラメータに設定する制御装置を備えたイオン注入装置。 - 複数枚の基板に対するイオン注入処理を、所定枚数ごとに複数回に分けて行うイオン注入装置であって、前記制御装置は、全てのイオン注入処理が終了するまでの間に、前記イオン源内部のクリーニングを少なくとも1回行う請求項1記載のイオン注入装置。
- 前記イオンビームの再立上げに際して、前記引出電極系に所定の電圧を印加する時、前記イオン源内部ではプラズマが生成されていない請求項1又は2記載のイオン注入装置。
- 前記イオン源は、前記クリーニングガスや前記プロセスガスが導入されて、内部でプラズマが生成されるプラズマ生成用器を備えていて、
前記プラズマ生成容器内には1又は複数のカソードが配置されていて、
前記カソードと前記プラズマ生成容器間には両部材間の電位差を調整する電源が接続されている請求項1乃至3のいずれかに記載のイオン注入装置。 - 前記制御装置は、前記イオンビームの再立上げ時、前記引出電極系に接続された電源の出力電圧を所定の値にした後、前記カソードと前記プラズマ生成容器の間に接続された電源の出力電圧を所定の値にする請求項4記載のイオン注入装置。
- イオン注入処理時に、イオン源内部にプロセスガスを導入して、複数枚の電極から構成される引出電極系を用いて前記イオン源からリボン状のイオンビームを引出し、処理室内に配置された基板に前記イオンビームを照射するとともに、イオン注入処理時以外の時に、イオン源内部にクリーンニングガスを導入して、当該イオン源内部のクリーニングを行うイオン注入装置であって、
クリーニング終了後に前記イオンビームを再立上げする際、前記引出電極系に所定の電圧を印加した後に、前記イオン源の運転パラメータを処理対象とする基板の注入レシピに応じた運転パラメータに設定するイオン注入装置の運転方法。
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