JP2711246B2 - イオン注入装置 - Google Patents

イオン注入装置

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JP2711246B2
JP2711246B2 JP63124152A JP12415288A JP2711246B2 JP 2711246 B2 JP2711246 B2 JP 2711246B2 JP 63124152 A JP63124152 A JP 63124152A JP 12415288 A JP12415288 A JP 12415288A JP 2711246 B2 JP2711246 B2 JP 2711246B2
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Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、イオン注入装置に関する。
（従来の技術） 一般にイオン注入装置は、半導体ウエハ等の被処理物
に不純物をドーピングする装置として広く使用されてい
る。
このようなイオン注入装置は例えば次のように構成さ
れている。すなわち、イオンソースで発生させたイオン
を、ステンレス鋼またはアルミニウム等からなる真空チ
ャンバ内に電気的に引き出し、アナライザマグネット、
加速管、電子レンズ等で所望のイオンビームとした後、
プラテンに配置された被処理物例えば半導体ウエハにＸ
−Ｙ方向に走査しながら照射してイオンを注入する。
（発明が解決しようとする課題） 上述のようにイオン注入装置では、イオンビームの加
速、収束、走査、照射等は、例えばステンレス鋼または
アルミニウム等からなる真空チャンバ内で行うよう構成
されている。これは、真空チャンバ内を例えば10-7Torr
程度の高真空とする必要があるためと、真空チャンバ内
で発生した放射線例えばＸ線が外部に漏洩し、作業員悪
影響を及ぼすことを防止するため上記のように構成され
ている。
一般に、このような金属板を加工して形成する真空チ
ャンバでは、ある程度アウトガスが発生する。このた
め、例えばメンテナンス等のため一旦真空チャンバ内を
常圧に戻すと、再び真空チャンバ内を上記した所定の高
真空とするまでには、ある程度の立ち上げ時間が必要と
なる。しかしながら、このような立ち上げ時間中は、当
然のことながら処理を行うことができない。このため、
このような立ち上げ時間をできる限り短くしスループッ
トの向上がユーザから強く要望されていた。そこで本発
明者等は上記したアウトガスの原因について探求した。
当然のことながら金属のような材質であるからアウトガ
スはやむお得ないと思っていたのが調査した結果意外に
も気密容器を構成する接合部でスローリークがあること
が判明した。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、真空チャンバ内のアウトガスの発生量を低減するこ
とができ、真空チャンバ内を所定の高真空とするまでの
立ち上げ時間の短いイオン注入装置を提供しようとする
ものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明は、真空チャンバ内の被処理物にイオ
ンビームを照射してイオンを注入するイオン注入装置に
おいて、前記真空チャンバを構成する接合部分を内側か
ら全周溶接により構成したことを特徴とする。
（作 用） 上記構成の本発明のイオン注入装置では、真空チャン
バの接合部分が内側から全周溶接されている。
したがって、接合部分の間隙を減少させることがで
き、アウトガスの発生量を低減し、真空チャンバ内を所
定の高真空とするまでの立ち上げ時間を短くすることが
できる。
（実施例） 以下本発明のイオン注入装置を図面を参照して一実施
例について説明する。
真空チャンバ１は、例えばステンレス鋼またはアルミ
ニウム等からなる厚さ例えば15mmの方形状板材２を複数
枚用意し、これらを気密容器を構成例えば方形状の気密
容器を構成する如く配置して、断面矩形の筒状に構成さ
れている。また、これらの板材２の接合部３は、全て真
空チャンバ１の内側から、例えばアーク溶接、イナート
ガス溶接等により接合部の全周溶接されている。
この真空チャンバ１は、第２図に示すようにイオンソ
ース４に接続されている。そして、このイオンソース４
からソースマグネット５によりイオンを引き出し、アナ
ライザマグネット６、アパーチャ７、可変スリット８、
加速管９、電子レンズ10で分析、加速、集束したイオン
ビーム11をＹスキャンプレート12、Ｘスキャンプレート
13で垂直、水平方向に走査して、マスク14、アパーチャ
15を介してメインファラデー16内に配置されたプラテン
17に保持された被処理物、例えば半導体ウエハ18に照射
するよう構成されている。
上記構成のこの実施例のイオン注入装置では、真空チ
ャンバ１の接合部３は、全て真空チャンバ１の内側か
ら、全周溶接されている。したがって、例えばこれらの
接合部３を外側から溶接する場合に較べて、接合部３に
形成される容器内空間から見た間隙を少なくすることが
できる。上記間隙に入り込んだ気体は、真空引きの際に
間隙内に残り易く、徐々にゆっくり排出されるため、排
気の立ち上げ時間を長くする原因となるが、この実施例
のイオン注入装置では、内側から溶接し、接合部に形成
される間隙を容器外側に位置させたため、気密容器空間
から見た間隙が極めて少なくなり、真空チャンバ１内を
所定の高真空とするまでの立ち上げ時間を短くできるこ
とになる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、真空チャンバ
内のアウトガスの発生量を低減することができ、真空チ
ャンバ内を所定の高真空とし、処理可能な状態とするま
での立ち上げ時間の短いイオン注入装置を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の実施例の要部構成を示す一部切り欠き
斜視図、第２図は第１図の実施例の全体構成を示す横断
面図である。 １……真空チャンバ、２……板材、３……接合部（溶接
部）。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】真空チャンバ内の被処理物にイオンビーム
    を照射してイオンを注入するイオン注入装置において、 チャンバの接合部分について内側から全周溶接されて気
    密に構成された真空チャンバを具備してなることを特徴
    とするイオン注入装置。
JP63124152A 1988-05-21 1988-05-21 イオン注入装置 Expired - Lifetime JP2711246B2 (ja)

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