JPH01294342A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH01294342A JPH01294342A JP63124152A JP12415288A JPH01294342A JP H01294342 A JPH01294342 A JP H01294342A JP 63124152 A JP63124152 A JP 63124152A JP 12415288 A JP12415288 A JP 12415288A JP H01294342 A JPH01294342 A JP H01294342A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- connections
- vacuum
- container
- starting time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 5
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、イオン注入装置に関する。
（従来の技術）
一般にイオン注入装置は、半導体ウェハ等の被処理物に
不純物をドーピングする装置として広く使用されている
。
不純物をドーピングする装置として広く使用されている
。
このようなイオン注入装置は例えば次のように構成され
ている。すなわち、イオンソースで発生させたイオンを
、ステンレス鋼またはアルミニウム等からなる真空チャ
ンバ内に電気的に引き出し、アナライザマグネット、加
速管、電子レンズ等で所望のイオンビームとした後、プ
ラテンに配置された被処理物例えば半導体ウェハにＸ−
Ｙ方向に走査しながら照射してイオンを注入する。
ている。すなわち、イオンソースで発生させたイオンを
、ステンレス鋼またはアルミニウム等からなる真空チャ
ンバ内に電気的に引き出し、アナライザマグネット、加
速管、電子レンズ等で所望のイオンビームとした後、プ
ラテンに配置された被処理物例えば半導体ウェハにＸ−
Ｙ方向に走査しながら照射してイオンを注入する。
（発明が解決しようとする課題）
上述のようにイオン注入装置では、イオンビームの加速
、収束、走査、照射等は、例えばステンレス鋼またはア
ルミニウム等からなる真空チャンバ内で行うよう構成さ
れている。これは、真空チャンバ内を例えば１０””Ｔ
ｏｒｒ程度の高真空とする必要があるためと、真空チャ
ンバ内で発生した放射線例えばＸ線が外部に漏洩し、作
業員に悪影響を及ぼすことを防止するため上記のように
構成されている。
、収束、走査、照射等は、例えばステンレス鋼またはア
ルミニウム等からなる真空チャンバ内で行うよう構成さ
れている。これは、真空チャンバ内を例えば１０””Ｔ
ｏｒｒ程度の高真空とする必要があるためと、真空チャ
ンバ内で発生した放射線例えばＸ線が外部に漏洩し、作
業員に悪影響を及ぼすことを防止するため上記のように
構成されている。
一般に、このような金属板を加工して形成する真空チャ
ンバでは、ある程度アウトガスが発生する。このため、
例えばメンテナンス等のため一旦真空チャンバ内を常圧
に戻すと、再び真空チャンバ内を上記した所一定の高真
空とする′までには−１ある程度の立ち上げ時間が必要
となる。しかしながら、このような立ち上げ時間中は、
当然のことながら処理、を行うことができない。このた
め、このような立ち上げ時間をできる限り短くしスルー
ブツトの向上がユーザから強く要望されていた。そこで
本発明者等は上記したアウトガスの原因に′ついて探求
した。当然のことながら金属のような材質であるからア
ウトガスはやむお得ないと思っていたのが調査した結果
意外にも気密容器を構成する接合部でスローリークがあ
ることが判明した。
ンバでは、ある程度アウトガスが発生する。このため、
例えばメンテナンス等のため一旦真空チャンバ内を常圧
に戻すと、再び真空チャンバ内を上記した所一定の高真
空とする′までには−１ある程度の立ち上げ時間が必要
となる。しかしながら、このような立ち上げ時間中は、
当然のことながら処理、を行うことができない。このた
め、このような立ち上げ時間をできる限り短くしスルー
ブツトの向上がユーザから強く要望されていた。そこで
本発明者等は上記したアウトガスの原因に′ついて探求
した。当然のことながら金属のような材質であるからア
ウトガスはやむお得ないと思っていたのが調査した結果
意外にも気密容器を構成する接合部でスローリークがあ
ることが判明した。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、真空チャンバ内のアウトガスの発生量を低減すること
ができ、真空チャンバ内を所定の高真空とするまでの立
ち上げ時間の短いイオン注入装置を提供しようとするも
のである。
、真空チャンバ内のアウトガスの発生量を低減すること
ができ、真空チャンバ内を所定の高真空とするまでの立
ち上げ時間の短いイオン注入装置を提供しようとするも
のである。
［発明の構成コ
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、真空チャンバ内の被処理物にイオン
ビームを照射してイオンを注入するイオン注入装置にお
いて、前記真空チャンバを構成する接合部分を内側から
全周溶接により構成したことを特徴とする。
ビームを照射してイオンを注入するイオン注入装置にお
いて、前記真空チャンバを構成する接合部分を内側から
全周溶接により構成したことを特徴とする。
（作 用）
上記構成の本発明のイオン注入装置では、真空チャンバ
の接合部分が内側から全周溶接されている。
の接合部分が内側から全周溶接されている。
したがって、接合部分の間隙を減少させることができ、
アウトガスの発生量を低減し、真空チャンバ内を所定の
高真空とするまでの立ち上げ時間を短くすることができ
る。
アウトガスの発生量を低減し、真空チャンバ内を所定の
高真空とするまでの立ち上げ時間を短くすることができ
る。
（実施例）
以下本発明のイオン注入装置を図面を参照して一実施例
について説明する。
について説明する。
真空チャンバ１は、例えばステンレス鋼またはアルミニ
ウム等からなる厚さ例えば１５ａ＋ｍの方形状板材２を
複数枚用意し、これらを気密容器を構成例えば方形状の
気密容器を構成する如く配置して、断面矩形の筒状に構
成されている。また、これらの板材２の接合部３は、全
て真空チャンバ１の内側から、例えばアーク溶接、イナ
ートガス溶接等により接合部の全周溶接されている。
ウム等からなる厚さ例えば１５ａ＋ｍの方形状板材２を
複数枚用意し、これらを気密容器を構成例えば方形状の
気密容器を構成する如く配置して、断面矩形の筒状に構
成されている。また、これらの板材２の接合部３は、全
て真空チャンバ１の内側から、例えばアーク溶接、イナ
ートガス溶接等により接合部の全周溶接されている。
この真空チャンバ１は、第２図に示すようにイオンソー
ス４に接続されている。そして、このイオンソース４か
らソースマグネット５によりイオンを引き出し、アナラ
イザマグネット６、アパーチャア、可変スリット８、加
速管９、電子レンズ１０で分析１、加速、集束したイオ
ンビーム１１をＹスキャンブレー）１２、Ｘスキャンプ
レート１３で垂直、水平方向に走査して、マスク１４、
アパーチャ１５を介してメインファラデー１６内に配置
されたプラテン１７に保持された被処理物、例えば半導
体ウェハ１８に照射するよう構成されている。
ス４に接続されている。そして、このイオンソース４か
らソースマグネット５によりイオンを引き出し、アナラ
イザマグネット６、アパーチャア、可変スリット８、加
速管９、電子レンズ１０で分析１、加速、集束したイオ
ンビーム１１をＹスキャンブレー）１２、Ｘスキャンプ
レート１３で垂直、水平方向に走査して、マスク１４、
アパーチャ１５を介してメインファラデー１６内に配置
されたプラテン１７に保持された被処理物、例えば半導
体ウェハ１８に照射するよう構成されている。
上記構成のこの実施例のイオン注入装置では、真空チャ
ンバ１の接合部３は、全て真空チャンバ１の内側から、
全周溶接されている。したがって、例えばこれらの接合
部３を外側から溶接する場合に較べて、接合部３に形成
される容器内空間から見た間隙を少なくすることができ
る。上記間隙に入り込んだ気体は、真空引きの際に間隙
内に残り易く、徐々にゆっくり排出されるため、排気の
立ち上げ時間を長くする原因となるが、この実施例のイ
オン注入装置では、内側から溶接し、接合部に形成され
る間隙を容器外側に位置させたため、気密容器空間から
見た間隙が極めて少なくなり、真空チャンバ１内を所定
の高真空とするまでの立ち上げ時間を短くできることに
なる。
ンバ１の接合部３は、全て真空チャンバ１の内側から、
全周溶接されている。したがって、例えばこれらの接合
部３を外側から溶接する場合に較べて、接合部３に形成
される容器内空間から見た間隙を少なくすることができ
る。上記間隙に入り込んだ気体は、真空引きの際に間隙
内に残り易く、徐々にゆっくり排出されるため、排気の
立ち上げ時間を長くする原因となるが、この実施例のイ
オン注入装置では、内側から溶接し、接合部に形成され
る間隙を容器外側に位置させたため、気密容器空間から
見た間隙が極めて少なくなり、真空チャンバ１内を所定
の高真空とするまでの立ち上げ時間を短くできることに
なる。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明によれば、真空チャンバ内
のアウトガスの発生量を低減することができ、真空チャ
ンバ内を所定の高真空とし、処理可能な状態とするまで
の立ち上げ時間の短いイオン注入装置を提供することが
できる。
のアウトガスの発生量を低減することができ、真空チャ
ンバ内を所定の高真空とし、処理可能な状態とするまで
の立ち上げ時間の短いイオン注入装置を提供することが
できる。
第１図は本発明の実施例の要部構成を示す一部切り欠き
斜視図、第２図は第１図の実施例の全体構成を示す横断
面図である。 １・・・・・・真空チャンバ、２・・・・・・板材、３
・・・・・・接合部（溶接部）。
斜視図、第２図は第１図の実施例の全体構成を示す横断
面図である。 １・・・・・・真空チャンバ、２・・・・・・板材、３
・・・・・・接合部（溶接部）。
Claims (1)
- （１）真空チャンバ内の被処理物にイオンビームを照射
してイオンを注入するイオン注入装置において、 チャンバの接合部分について内側から全周溶接されて気
密に構成された真空チャンバを具備してなることを特徴
とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124152A JP2711246B2 (ja) | 1988-05-21 | 1988-05-21 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63124152A JP2711246B2 (ja) | 1988-05-21 | 1988-05-21 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01294342A true JPH01294342A (ja) | 1989-11-28 |
| JP2711246B2 JP2711246B2 (ja) | 1998-02-10 |
Family
ID=14878225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63124152A Expired - Lifetime JP2711246B2 (ja) | 1988-05-21 | 1988-05-21 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2711246B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103928280A (zh) * | 2013-01-16 | 2014-07-16 | 日新离子机器株式会社 | 离子注入装置和离子注入装置的运转方法 |
-
1988
- 1988-05-21 JP JP63124152A patent/JP2711246B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103928280A (zh) * | 2013-01-16 | 2014-07-16 | 日新离子机器株式会社 | 离子注入装置和离子注入装置的运转方法 |
| CN103928280B (zh) * | 2013-01-16 | 2016-04-20 | 日新离子机器株式会社 | 离子注入装置和离子注入装置的运转方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2711246B2 (ja) | 1998-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6313475B1 (en) | Acceleration and analysis architecture for ion implanter | |
| JP4587364B2 (ja) | 統合処理システムにおけるプラズマドーピング及びイオン注入のための方法及び装置 | |
| US7851772B2 (en) | Ion implantation apparatus and ion implantation method | |
| CN101120428A (zh) | 离子注入装置的控制方法、控制系统、控制程序及离子注入装置 | |
| JP4930754B2 (ja) | 荷電粒子ビーム装置 | |
| JP2711246B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| US20060145095A1 (en) | Methods and apparatus for ion implantation with control of incidence angle by beam deflection | |
| US4327273A (en) | Method of treating a workpiece with electron beams and apparatus therefor | |
| EP0066175B1 (en) | Ion implanter | |
| KR101229724B1 (ko) | 이온 주입기에서 사용하기 위한 이온 소스 | |
| JP2724503B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JP3397027B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JP6982701B2 (ja) | 静電チャック、真空処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2711245B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS63274049A (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
| JP2978191B2 (ja) | イオンビームの照射方法 | |
| JPS62285354A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2001077058A (ja) | 集束イオンビームを用いた加工方法 | |
| JP3105931B2 (ja) | 電子ビーム照射装置及び電子ビーム照射方法 | |
| JPH07201301A (ja) | 不純物注入装置及び不純物注入方法 | |
| JPS5840297B2 (ja) | デンシビ−ムハツセイキ | |
| JPS63254650A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH01294341A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH03179651A (ja) | イオン生成装置 | |
| JPH01276553A (ja) | イオン注入装置 |