JPS5840297B2 - デンシビ−ムハツセイキ - Google Patents

デンシビ−ムハツセイキ

Info

Publication number
JPS5840297B2
JPS5840297B2 JP14547275A JP14547275A JPS5840297B2 JP S5840297 B2 JPS5840297 B2 JP S5840297B2 JP 14547275 A JP14547275 A JP 14547275A JP 14547275 A JP14547275 A JP 14547275A JP S5840297 B2 JPS5840297 B2 JP S5840297B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
anode
vacuum
cathode
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP14547275A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5269092A (en
Inventor
英樹 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP14547275A priority Critical patent/JPS5840297B2/ja
Publication of JPS5269092A publication Critical patent/JPS5269092A/ja
Publication of JPS5840297B2 publication Critical patent/JPS5840297B2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明&L固体、液体、気体等の対象物(ワーク)に
電子ビームを照射して溶接、切断、熱処理、化学反応、
固定化、溶解等の加工を行なう電子ビーム発生機に関す
るものである。
加工用電子ビーム発生機では、ワークを大地(アース)
電位に置き、カソードから飛び出す電子を引き出すアノ
ードをワークと同じアース電位にするのが普通である。
この場合カソードは負の(高)電位にされ、アノード・
カソード間の電位差がワークへ突入する電子ビームの速
度(ビーム射突電圧)を決める加速電圧になる。
この加速電圧は又、通常の空間電荷制限状態で&Lビー
ム電流は加速電圧の3/2乗に比例するので、カソード
から取り出し得る電子ビーム電流の上限を決める要素で
もある。
電子ビームを発生するカソードやアノード附近(電子銃
領域)は、10−’Torr台より良い真空度に保つ必
要があるが、ワークはそれより悪い真空度の雰囲気中で
処理されるのが普通である。
即ち、ワークが電子ビーム照射で加熱してかなりのガス
を放出し周囲の真空度を劣化させること、ワークやワー
ク周囲の容器の密閉度を厳密にしなくてすめば構造的や
操作が簡単になること、高性能高真空大容量ポンプを使
わなくてすめば大きな節約ができることなどのため、ワ
ーク雰囲気が比較的悪い真空度で動作させるのである。
ワークを置く真空度の悪い領域と真空度の良い電子銃領
域との間(中間領域)に真空差圧を発生させるよう電子
ビーム通過用の小口径の孔又は筒を備えた仕切板(オリ
フィス)と電子銃領域排気用、場合によっては中間領域
排気用真空ポンプが必要となる。
もち論、高真空の電子銃領域と真空度の悪いワーク室ま
たは大気領域との差圧を保持するためのオリフィスの電
子ビーム通過孔の径が小さいほど排気用真空ポンプの容
量は小さいもので間に合う。
しかし、比較的大きな電流例えば300 mA以上の電
子ビームをとり出す場合、これらビームは発散角が大き
くそのため比較的太いものとなり、このビームを通過さ
せるオリフィスの電子ビーム通過孔も大きくせざるを得
ない。
但し、前記300mA程度のビーム電流でも加速電圧が
例えば150にボルトと高げれば、ビームの集束が容易
なため、オリフィスのビーム通過孔も大きくせずとも済
み、したがって、排気用真空ポンプもそれほど大容量と
しなくとも充分所要の真空度が保持できる。
一方において、例えば電子ビーム溶接機では、照射ビー
ムのパワーが一定でも、ビーム射突電圧が高いほど溶は
込みの深い溶接ができるのでゴ般的には好ましいことで
あるか、しかし、ビーム射突電圧が高いほどビームが被
加工物に当り発生するX線量が多くなり、作業者に危害
を及ぼさないようにするX線の遮蔽が難しくなったりコ
ストが増加したりする。
また、溶接物によっては、低圧大電流の溶接が適当な場
合もある。
したがって、溶接対象物によりビーム射突電圧を変える
ことが゛できれば都合がよい。
ところで、前述の例えば160KVのビーム射突電圧(
この場合アノード・カソード間の加速電圧と同等)の電
子ビーム溶接機の加速電圧をそのまま60にボルトに低
下させた場合はどうなるかをいうと、もち論そのままで
は所望の300 mAの電流をカソードからとり出すこ
とはできないので、カソード面積の大きいカソードにす
るか、またはカソードアノード間の距離を接近させるよ
うにしなげればならないし、また、このような電流取出
し対策の結果は必然的にビーム発散角も大きくなり、こ
れをオリフィスの小さいビーム通過孔を通すためには、
多数の集束レンズを用いて細いビームに集束させなげれ
ばならず、この集束糸に費用がかかることになる。
でなげれば、前記オリフィスのビーム通過孔を大きくし
て置いて、その代わり大容量の真空ポンプを用いて強引
に排気して所望の電子銃部の真空度を保持するようにし
なげればならない。
本発明の目的は、上述のような不都合を伴なわず、容易
にビーム射突電圧を変えることのできる大電流のビーム
発生機を提供するにある。
次に、この発明の構成、原理、等につき実施例を参照し
て説明する。
第1図は本発明の電子ビーム発生機の一実施例である電
子ビーム溶接機の要部構成図を示し、電子ビーム1は1
0→Torr程度以上の高真空領域にあるカソード2か
ら放出され、アノード3、第1オリフイス4、第2オリ
フイス5及び第3オリフイス6の各中心孔(ビーム通過
孔)を通過して10−1Torr程度の低真空領域に置
かれているワーク(被溶接材料)1に照射される。
グリッド8はカソード2から出る電子を制御しビーム(
細い束)状に形成するもので、これらクリッド8とカソ
ード2は第1インシユレータ9により大地(アース)電
位の真空容器(コラム)10から絶縁して保持され、主
高電圧電源11(便宜上ここでは記号的に示し、カソー
ド加熱電源やグリッドバイアス電源等は略しである)か
ら高電圧や電流の供給を受ける。
アノード3は従来の電子ビーム溶接機ではアース即ちコ
ラム10と同電位にしていたが、本発明ではコラム10
の(アース)電位とは異なる電位にすることができるよ
うにアノードを第2インシユレータ12で絶縁保持し、
副高電圧電源13から給電されるようにしである。
カソード2、グリッド8、アノード3等からなる電子銃
の周囲空間に近接してコラム10に第1の真空ポンプの
排気口14を設け、第1オリフイス4と第2オリフイス
5の中間空間、第2オリフイス5と第3オリフイス6の
中間空間に近接したコラム10の側壁部にもそれぞれ第
2の真空ポンプの排気口15と第3の真空ポンプの排気
口16を設けである。
(上記各真空ポンプは図示せず。
)本図で補正コイル11は電子ビーム1の軌道を磁気レ
ンズ18の電子光学的中心軸に合致させるよう修正する
ための装置であり、偏向コイル19は電子ビーム1を振
らせてウィービング等を行なわせるための装置である。
また、観察用光字系20は屈折系21を介してワーク1
の電子ビーム照射部附近を観測可能な装置であり、第3
オリフイス6をはね上げることにより、より大きな視野
が得られ、あるい&ま遮断弁22で電子ビーム10通路
を閉ざしたときは弁220片面に刻んだ目盛と光学系2
0内の目盛とを照合して光学系20等の光学的中心軸の
校正、確認を行なわせることもできる。
本実施例ではカソード2とアノード30間に一定の加速
電圧160KV(アノード側がカソード側に比し正の高
電位)を印加できるようにしてあり、例えばカソードを
アースに対し負の160KVにするとき&入アノード電
位をアースに対しOVとし、又、例えばカソード2を一
60KVにするときはアノード3を+100KVに設定
する。
アノード3をアース電位に選んだときにはアノード3以
降ワーク1までずっと同電位となり、電子ビーム1はカ
ソード電位に相当する160KVという高い加速電圧の
ままずつと加速され細く発散角(ビームの開き角)の小
さなものが得られる。
従ってこのときの電子ビームの通過を許す第1、第2、
第3の各オリフィス4,5,6は磁気レンズ18の集束
作用の助けも受けて中心孔の直径又は内寸法が充分小さ
く、長さは大きく、ガスの流通抵抗の大きな(コンダク
タンスの小さな)ものとなし得、従ってワーク1を極め
て真空度の悪い10”Torr程度より高いガス圧の空
間に置いても、25,16,15,14の排気口に比較
的小容量の各真空ポンプを接続することにより容易に電
子銃空間を所要の高真空10〜’ Torr程度に排気
し、ワーク7の溶接加工を安定に実施することができる
次にカソード2を一60KVに調整した場合を説明する
この場合はアノード3を+100KVにすればカソード
2とアノード30間に160KVの電位差(加速電圧)
が生じ、電子ビーム1は前記の場合と同様に高速に加速
されてアノード3附近に細いクロスオーバーを形威し、
そこから小さな発散角で進行して行く。
しかしアノード3の後でアース電位領域に入るまでの間
の電界で電子ビームは減速作用を受げ60KVの加速電
圧に相当する比較的低速の電子ビームとなる。
この際の電子ビームの形状は第2図に示すように、アノ
ード附近に生ずるクロスオーバー31から発散するビー
ムの開き角32を減するが、相変らず発散傾向は持続す
るところの電子ビーム33のようにすることができる。
その理由はアノードとその後段のアース電位部との間に
発生する減速電界にレンズ作用があるからであり、一方
、このレンズ作用を十分弱くしたり、このレンズ作用位
置を十分アノードに近付けておくことにより(レンズの
焦点距離をレンズ−クロスオーバー間距離より大きくで
き)発散する電子ビームを平行あるいは集速する傾向に
まで屈曲しないようにすることが可能だからである。
例えば第1図でアノード3の下側の内口径やアノード3
に対向するアース電位部23の内口径やアノード3とア
ース電位部23の距離等を大きくして、電子ビーム10
通路に沿って電位変化率(電界)を小さくすれば集束(
レンズ)作用も小さく(レンズの焦点距離は大きく)な
り、電子ビームの速度を160KV相当から60KV相
当におとす程度の電界(160:60程度の電位比)で
は最初約1度の発散角の電子ビームが約0.4度の発散
角に減する程度に変化を小さく抑さえることができる。
ビーム射突電圧100KVで電子ビーム1をワーク7に
照射したいときは、カソード2を一100KV1アノー
ド3を+60KVに選べばよく、このときの電子ビーム
1の形状(発散角やその変化)は前記両者のそれの中間
になる。
従ってワーク7へ照射するビーム射突電圧を160KV
から60KVの間の任意の値に調整しても電子ビーム1
の形状ははg射突電圧160KVの場合の細さ以内に収
まり、射突電圧160KVのときに適合できるようにし
た各オリフィス4,5,6等は殆んどそのま呈使用可能
となる。
但し、第2図において、射突電圧160KVを60KV
に減速したときの電子ビーム33では、クロスオーバー
31よりもその虚像34が大きくなるという傾向がある
が、元々のクロスオーバーが十分小さいため、この傾向
によるビーム形状の拡がりはあまり問題にならない。
尚、160KVの加速のま匁の場合のビーム形状は電子
ビーム35で示される。
(この第2図は説明し易くするためビーム発散角を実際
より拡大して描いてあり、アノード直後の減速電界のレ
ンズ作用により電子ビームは曲線的に一旦発散してから
絞られるが図では折れ線的に屈折する如く描いである。
)又、第1図に示す如く、カソード2の直前には、いず
れの場合にもアノード3との電位差(加速電圧)160
KVに基づく強電界が存在しワーク7へ照射する電子ビ
ーム1の射突電圧を低くしても前記強電界に相当して大
きな電子ビーム電流を取り出せるという利点も生ずる。
アノード3の直後の減速電界はツークツ側(下側)から
来る正荷電イオンを反撥するイオンリペラーの作用も有
し、各オリフィス4,5.6の電子ビーム通過孔を小さ
く且つ長くすることができることと相俟って、ビーム射
突電圧60〜160KVの全範医にわたって大きなビー
ム電流を用いて悪い真空度雰囲気でのワーク7の安定な
溶接を可能ならしめる。
このような本機の特性により、溶接条件を変え得る範囲
が大きくなり種々のワークに対応した最良の溶接施工を
容易に達成できる。
ワーク1へ照射する電子ビーム1の速度(ビーム射突電
圧)を下げればX線発生量が減るという効果があり、高
電位のアノード3には電子ビーム1は殆んど突入しない
のでアノード3での硬X線発生の増大は殆んどなくしか
もアノード3はコラム10で囲まれているので僅かのX
線が発生してもその漏洩防止は簡単且つ確実に行なえる
アノ−ト3へ電子ビーム1が殆んど流入しないというこ
とは副高電圧電源13の電流容量は僅小ですみ、小型の
電源でよいことをも意味し、この電源13を増設するこ
とによる負担増は得られる諸利点に対し比較的小さいと
云える。
本実施例では各オリフィス4,5.6の各円筒の長さを
それぞれ70rrmt、 150M、 80とし、各内
寸法(平均直径)をそれぞれ10mm 、 28mm
12mmとして各排気口14,15,16,25の真空
ポンプにそれぞれ排気速度毎分30.000 tの油拡
散ポンプ、毎分5,000./、のメカニカルブースタ
ーポンプ、毎分3.0・00tの油回転ポンプ、同じ毎
分3,000./!、の油回転ポンプを採用してlX1
0”Torrの雰囲気中のワーク室24で種種の厚さの
溶接鋼管(ワーク1)に対しビーム射突電圧6O−16
0KVの範囲でいずれも最大400 mAの電子ビーム
を安定に照射でき良好に溶接する条件を選ぶことができ
た。
このように本発明の電子ビーム発生機は比較的簡単な構
造、操作で広汎な対象物やその周囲真空度条件に適応し
て最も望ましい加工を行なえる電子ビームを取り出すこ
とができ、実用的効果の犬なるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の電子ビーム発生機の一実施例の構成概
要図、第2図は第1図の電子ビーム形状の一部拡大説明
図である。 1・・・電子ビーム、2・・・カソード、3・・・アノ
ード、4・・・第1オリフイス、5・・・第2オリフイ
ス 6・・・第3tリフイス、7・・・ワーク、8・・
・グリッド、9・・・第1インシユレータ、10・・・
コラム、11・・・主高電圧電源、12・・・第2イン
シユレータ、13・・・副高電圧電源、14・・・排気
口、18・・・磁気レンズ、24・・・ワーク室。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 アノードに電子ビーム被照射対象物又はその周囲の
    電位より高い電位を与え、カソードより電子ビームを引
    き出し加速しクロスオーバーを形成してから該対象物電
    位まで電子ビームを減速し、この減速電界によりクロス
    オーバーから発散する開き角を減じた電子ビームを磁気
    レンズで集束し、電子銃領域より真空度の悪い領域にあ
    る対象物に電子ビームを照射し得る如くした加工用電子
    ビーム発生機。
JP14547275A 1975-12-05 1975-12-05 デンシビ−ムハツセイキ Expired JPS5840297B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14547275A JPS5840297B2 (ja) 1975-12-05 1975-12-05 デンシビ−ムハツセイキ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14547275A JPS5840297B2 (ja) 1975-12-05 1975-12-05 デンシビ−ムハツセイキ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5269092A JPS5269092A (en) 1977-06-08
JPS5840297B2 true JPS5840297B2 (ja) 1983-09-05

Family

ID=15386025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14547275A Expired JPS5840297B2 (ja) 1975-12-05 1975-12-05 デンシビ−ムハツセイキ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5840297B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104827177A (zh) * 2015-05-29 2015-08-12 哈尔滨工业大学 一种低电压高束流电子束真空焊接装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5269092A (en) 1977-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2713860B2 (ja) X線管装置
KR20050050658A (ko) 하전(荷電) 입자 빔 시스템
US10636615B2 (en) Composite beam apparatus
JP3372138B2 (ja) 走査形電子顕微鏡
JP4930754B2 (ja) 荷電粒子ビーム装置
JP2019145328A (ja) 荷電粒子ビーム装置、試料加工観察方法
Kang et al. Emission characteristics of high-voltage plasma diode cathode for metal surface modification
JP2002289129A (ja) 低真空走査電子顕微鏡
US20240153739A1 (en) Electron beam welding systems employing a plasma cathode
JP4023741B2 (ja) 試料を検査または処理するための荷電粒子ビーム装置
JPS5840297B2 (ja) デンシビ−ムハツセイキ
US4327273A (en) Method of treating a workpiece with electron beams and apparatus therefor
WO2013179808A1 (ja) 荷電粒子装置
JP3272441B2 (ja) イオン加速装置
KR20210117188A (ko) 입자 빔 장치 및 복합 빔 장치
JP3098360B2 (ja) シングル・タンデム加速両用イオン加速器
JP4981467B2 (ja) 寸法測定装置
JP4204717B2 (ja) 透過型x線管装置
JP2015050184A (ja) アノード電極を具備するx線チューブ
JPS63274049A (ja) 走査型電子顕微鏡
JPH0864163A (ja) 荷電粒子ビーム装置
JP2001351561A (ja) 集束イオンビーム装置
WO2001018844A1 (fr) Procede de traitement mettant en oeuvre un faisceau ionique focalise
JP2012099312A (ja) 荷電粒子線装置
JPH01246755A (ja) 電子ビーム発生装置