JPH01246755A - 電子ビーム発生装置 - Google Patents
電子ビーム発生装置Info
- Publication number
- JPH01246755A JPH01246755A JP7342088A JP7342088A JPH01246755A JP H01246755 A JPH01246755 A JP H01246755A JP 7342088 A JP7342088 A JP 7342088A JP 7342088 A JP7342088 A JP 7342088A JP H01246755 A JPH01246755 A JP H01246755A
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- electron beam
- chamber
- metal cylinder
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- Pending
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 title claims abstract description 48
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 5
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- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は差圧排気式電子ビーム発生装置の改良に関す
る。
る。
第3図は従来のこの種の電子ビーム発生装置の構成を模
式的に示したものである。同図において、lは主室であ
って、熱陰極(タングステンフィラメント)2と、該熱
陰極2が発生した電子(熱電子)を加速するリング状の
加速用陽極3を収納し、側部には、第1の真空排気ポン
プ5に連絡される排気口4が形成されている。6は第1
の非磁性体金属からなる金属筒であって、その一端は主
室1の陽極3側の底部に開口し、他端は副室(ダミー室
)8に開口8aして電子ビーム通路(半径R1)7を形
成している。この第1の金属筒6の外側には第1の磁気
収束レンズ1)が配設されている。副室8は、その側部
に、第2の真空排気ポンプ10に連絡される排気口9を
有している。
式的に示したものである。同図において、lは主室であ
って、熱陰極(タングステンフィラメント)2と、該熱
陰極2が発生した電子(熱電子)を加速するリング状の
加速用陽極3を収納し、側部には、第1の真空排気ポン
プ5に連絡される排気口4が形成されている。6は第1
の非磁性体金属からなる金属筒であって、その一端は主
室1の陽極3側の底部に開口し、他端は副室(ダミー室
)8に開口8aして電子ビーム通路(半径R1)7を形
成している。この第1の金属筒6の外側には第1の磁気
収束レンズ1)が配設されている。副室8は、その側部
に、第2の真空排気ポンプ10に連絡される排気口9を
有している。
12は非磁性体金属からなる第2の金属筒であって、そ
の一端は副室8の底部に開口8bL、他端は真空加工室
(溶解室や蒸着室)15に開口15aして電子ビーム通
路(半径R2)13を形成しており、その外側に第2の
磁気収束レンズ14が配設されている。真空加工室15
は溶解室や金属蒸着室等であって、第3の真空排気ポン
プ17に連絡される排気口16を有している。18は偏
向コイル、Wは被加工物である。なお、熱陰極2の実効
半径をReとした場合、Re < R1、Rtである。
の一端は副室8の底部に開口8bL、他端は真空加工室
(溶解室や蒸着室)15に開口15aして電子ビーム通
路(半径R2)13を形成しており、その外側に第2の
磁気収束レンズ14が配設されている。真空加工室15
は溶解室や金属蒸着室等であって、第3の真空排気ポン
プ17に連絡される排気口16を有している。18は偏
向コイル、Wは被加工物である。なお、熱陰極2の実効
半径をReとした場合、Re < R1、Rtである。
この構成においては、熱陰極2は図示しない加熱用電源
から電圧を印加されて電子(熱電子)eを発生し、発生
した熱電子eの群は、熱陰極2に対して正電位に維持さ
れている陽極3が作る電界により該陽極3に向かって加
速され、ビーム状となって陽極3内を通過し、第1の電
子ビーム通路7に入る。電子ビームBはこの電子ビーム
通路7内で第1の収束レンズ1)による収束作用を受け
たのち、副室8を経て、電子ビーム通路13に入り、こ
こで、第2の収束レンズ14による収束作用を受けたの
ち、真空加工室15内の被加工物Wに照射される。
から電圧を印加されて電子(熱電子)eを発生し、発生
した熱電子eの群は、熱陰極2に対して正電位に維持さ
れている陽極3が作る電界により該陽極3に向かって加
速され、ビーム状となって陽極3内を通過し、第1の電
子ビーム通路7に入る。電子ビームBはこの電子ビーム
通路7内で第1の収束レンズ1)による収束作用を受け
たのち、副室8を経て、電子ビーム通路13に入り、こ
こで、第2の収束レンズ14による収束作用を受けたの
ち、真空加工室15内の被加工物Wに照射される。
この種の電子ビーム発生装置では、熱陰極2を収納する
主室lの真空度が、lXl0−’程度以下になると、励
起した残存ガスや蒸発金属ガスの正イオンが障害となっ
て、所望の電子ビームを発生させることが困難になるが
、上記第3図の電子ビーム発生装置は、主室1の次段に
副室8を設け、この副室8内を第2の真空排気ポンプ1
0で真空引きするようにしているので、副室8の真空度
を真空加工室15の真空度より高くすることができ、更
に、主室1を第1の真空排気ポンプ5で真空引きするの
で、副室8が無い場合に比し、主室1の真空度を高める
ことができるという利点がある。
主室lの真空度が、lXl0−’程度以下になると、励
起した残存ガスや蒸発金属ガスの正イオンが障害となっ
て、所望の電子ビームを発生させることが困難になるが
、上記第3図の電子ビーム発生装置は、主室1の次段に
副室8を設け、この副室8内を第2の真空排気ポンプ1
0で真空引きするようにしているので、副室8の真空度
を真空加工室15の真空度より高くすることができ、更
に、主室1を第1の真空排気ポンプ5で真空引きするの
で、副室8が無い場合に比し、主室1の真空度を高める
ことができるという利点がある。
ところで、この主室1と副室8との間、また副室8と真
空加工室15との間に大きな差圧を持たせて、主室1に
高い真空度を持たせるためには、電子ビーム通路7の通
路面積、電子ビーム通路13の通路面積を小さく、かつ
通路長を大きくする必要がある。
空加工室15との間に大きな差圧を持たせて、主室1に
高い真空度を持たせるためには、電子ビーム通路7の通
路面積、電子ビーム通路13の通路面積を小さく、かつ
通路長を大きくする必要がある。
ところが、金属溶解を目的とする電子ビーム発生装置に
おけるように、加速電圧を抑制して大きな陰極電流を流
すものでは、熱陰極実効表面積(実効半径Re)が太き
(なるので、電子ビームBのビーム径が大きくなり、必
然的に、電子ビーム通路7.13の径RI、Rtを大き
くせざるを得ない。勿論、電子ビーム通路7.13の通
路長L1、L!を長(すれば、上記差圧を大きくするこ
とは可能であるが、装置の大形化を招き、また、磁気収
束レンズによる収束作用を受けた電子ビームBはレンズ
焦点を通過すると、再び、拡散し始めるので、金属筒6
.12の保護のために、上記通路長L+ SLxには制
限があり、従って、上記従来装置では、主室1の真空度
を充分に高めることは難しいという問題があった。
おけるように、加速電圧を抑制して大きな陰極電流を流
すものでは、熱陰極実効表面積(実効半径Re)が太き
(なるので、電子ビームBのビーム径が大きくなり、必
然的に、電子ビーム通路7.13の径RI、Rtを大き
くせざるを得ない。勿論、電子ビーム通路7.13の通
路長L1、L!を長(すれば、上記差圧を大きくするこ
とは可能であるが、装置の大形化を招き、また、磁気収
束レンズによる収束作用を受けた電子ビームBはレンズ
焦点を通過すると、再び、拡散し始めるので、金属筒6
.12の保護のために、上記通路長L+ SLxには制
限があり、従って、上記従来装置では、主室1の真空度
を充分に高めることは難しいという問題があった。
この発明は上記問題を解消するためになされたもので、
装置の大形化を招くことなく主室の真空度を従来に比し
高めることができる電子ビーム発゛生装置を提供するこ
とを目的とする。
装置の大形化を招くことなく主室の真空度を従来に比し
高めることができる電子ビーム発゛生装置を提供するこ
とを目的とする。
この発明は上記目的を達成するため、第1の金属筒が形
成する電子ビーム通路の径を、第1の金属筒が形成する
電子ビーム通路の径より小さく、かつ熱陰極の実効半径
と同等もしくはそれ以下としたものである。
成する電子ビーム通路の径を、第1の金属筒が形成する
電子ビーム通路の径より小さく、かつ熱陰極の実効半径
と同等もしくはそれ以下としたものである。
この発明では、第2の金属筒が形成する電子ビーム通路
の通路面積が第1の金属筒が形成する電子ビーム通路の
面積より小さいので、真空加工室側に対する副室側の差
圧を、従来に比し、高め、容易に主室の真空度を良好に
維持することができる。
の通路面積が第1の金属筒が形成する電子ビーム通路の
面積より小さいので、真空加工室側に対する副室側の差
圧を、従来に比し、高め、容易に主室の真空度を良好に
維持することができる。
第1図はこの発明の一実施例を示したもので、第2の金
属筒12Aが形成する電子ビーム通路13Aの半径(金
属筒12Aの実効半径)Rzaが第1の金属筒6の実効
半径R3より小さく、かつ、熱陰極2の実効半径Reと
同等もしくはそれ以下である点において第3図の従来装
置とは相違する。他の構成は第3図のものと同じである
ので、同じ構成要素には同一符号を付しである。
属筒12Aが形成する電子ビーム通路13Aの半径(金
属筒12Aの実効半径)Rzaが第1の金属筒6の実効
半径R3より小さく、かつ、熱陰極2の実効半径Reと
同等もしくはそれ以下である点において第3図の従来装
置とは相違する。他の構成は第3図のものと同じである
ので、同じ構成要素には同一符号を付しである。
上記実施例では、第2図に示す如く、第1の磁気収束レ
ンズ1)は、第2の金属筒12A内に、その焦点Oを結
ぶようにしてあり(fは焦点距離)、電子ビームBは焦
点0に近づくに伴い収束されて、そのビーム径が小さく
なり、焦点Oを過ぎると、広がり始める。第2の金属筒
12Aは、焦点0から所定距離L3だけ副室8側に隔た
った部分(副室8の開口8b)から、所定距離L4だけ
第2の磁気収束レンズ14側へ隔たった部分(真空加工
室15の開口15a)まで伸びている。
ンズ1)は、第2の金属筒12A内に、その焦点Oを結
ぶようにしてあり(fは焦点距離)、電子ビームBは焦
点0に近づくに伴い収束されて、そのビーム径が小さく
なり、焦点Oを過ぎると、広がり始める。第2の金属筒
12Aは、焦点0から所定距離L3だけ副室8側に隔た
った部分(副室8の開口8b)から、所定距離L4だけ
第2の磁気収束レンズ14側へ隔たった部分(真空加工
室15の開口15a)まで伸びている。
このように、本実施例では、電子ビームBの、第1の収
束レンズ1)による収束作用を最も強く受ける部分を含
む該部分の近傍部分が第2の金属筒12A内を電子ビー
ム通路13Aとして通過するので、電子ビーム通路13
Aの半径R2Aを、電子ビーム通路7の半径R,より小
さい熱陰極2の実効半径Reと同等もしくはそれ以下に
することができる。
束レンズ1)による収束作用を最も強く受ける部分を含
む該部分の近傍部分が第2の金属筒12A内を電子ビー
ム通路13Aとして通過するので、電子ビーム通路13
Aの半径R2Aを、電子ビーム通路7の半径R,より小
さい熱陰極2の実効半径Reと同等もしくはそれ以下に
することができる。
本実施例では、第2の金属筒12Aの実効半径R2Aは
、従来の第2の金属筒12の実効半径R2より大きいの
で、真空加工室15に対する副室8の差圧を従来に比し
て高めることができ、第2の金属筒12Aは第1の金属
筒6の実効半径RIより小さい実効半径を有しているの
で、主室1の真空度を、より高めることができる。
、従来の第2の金属筒12の実効半径R2より大きいの
で、真空加工室15に対する副室8の差圧を従来に比し
て高めることができ、第2の金属筒12Aは第1の金属
筒6の実効半径RIより小さい実効半径を有しているの
で、主室1の真空度を、より高めることができる。
なお、上記実施例は、副室8が1つの場合であるが、複
数の副室を有する場合でも同様である。
数の副室を有する場合でも同様である。
本発明は以上説明した通り、副室を挟んで該副室に開口
する2つの金属筒の電子ビーム下流側の金属筒が他方の
金属筒の実効半径と熱陰極の実効半径より小さい実効半
径を有する構成としたので、真空加工室側に対する主室
側の差圧を大幅に高めることができ、真空加工室側の真
空度が良くない場合でも、電子ビームを発生させること
が可能となり、従来に比し、装置の操業性、信顛性を高
めることができる。
する2つの金属筒の電子ビーム下流側の金属筒が他方の
金属筒の実効半径と熱陰極の実効半径より小さい実効半
径を有する構成としたので、真空加工室側に対する主室
側の差圧を大幅に高めることができ、真空加工室側の真
空度が良くない場合でも、電子ビームを発生させること
が可能となり、従来に比し、装置の操業性、信顛性を高
めることができる。
第1図は本発明の実施例を示す構成図、第2図は上記実
施例における要部の拡大図、第3図は従来の電子ビーム
発生装置を示す構成図である。 1−主室、2−熱陰極、5.10、−真空排気ポンプ、
6−・−第1の金属筒、7.13A−・電子ビーム通路
、1)・・−第1の収束レンズ、12A−第2の金属筒
、14−・−第2の収束レンズ。
施例における要部の拡大図、第3図は従来の電子ビーム
発生装置を示す構成図である。 1−主室、2−熱陰極、5.10、−真空排気ポンプ、
6−・−第1の金属筒、7.13A−・電子ビーム通路
、1)・・−第1の収束レンズ、12A−第2の金属筒
、14−・−第2の収束レンズ。
Claims (2)
- (1)熱電子を発生する熱陰極と上記熱電子を加速する
ための陽極を収納し、真空排気ポンプに連絡される排気
口を有する主室と、真空排気ポンプに連絡される排気口
を有する少なくとも1つの副室、電子ビームを上記主室
から上記副室に導入する電子ビーム通路を形成する第1
の金属筒、該第1の金属筒の周囲に配設された第1の収
束レンズ、上記副室から他の室に電子ビームを導入する
電子ビーム通路を形成する第2の金属筒および該第2の
金属筒の周囲に配設された第2の収束レンズを有する差
圧排気式電子ビーム発生装置において、上記第2の金属
筒が形成する電子ビーム通路の通路面積が上記第1の金
属筒が形成する電子ビーム通路の通路面積より小さく、
上記第1の収束レンズが上記第2の金属筒内で焦点を結
ぶことを特徴とする電子ビーム発生装置。 - (2)上記第1の収束レンズが形成する電子ビーム通路
の最小断面積が熱陰極の実効表面積より大きくないこと
を特徴とする請求項1記載の電子ビーム発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7342088A JPH01246755A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 電子ビーム発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7342088A JPH01246755A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 電子ビーム発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01246755A true JPH01246755A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13517707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7342088A Pending JPH01246755A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | 電子ビーム発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01246755A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005310778A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-11-04 | Fei Co | 永久磁石の材料を備えたレンズが設けられた粒子光学装置 |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP7342088A patent/JPH01246755A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005310778A (ja) * | 2004-04-22 | 2005-11-04 | Fei Co | 永久磁石の材料を備えたレンズが設けられた粒子光学装置 |
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