JPH01276553A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH01276553A JPH01276553A JP63105926A JP10592688A JPH01276553A JP H01276553 A JPH01276553 A JP H01276553A JP 63105926 A JP63105926 A JP 63105926A JP 10592688 A JP10592688 A JP 10592688A JP H01276553 A JPH01276553 A JP H01276553A
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- Japan
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- vacuum chamber
- ion implantation
- window
- lead glass
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、イオン注入装置に関する。
（従来の技術）
一般にイオン注入装置は、半導体ウェハ等の被処理物に
不純物をドーピングする装置として広く使用されている
。
不純物をドーピングする装置として広く使用されている
。
このようなイオン注入装置は例えば次のように構成され
ている。すなわち、イオンソースで発生させたイオンを
、ステンレス鋼またはアルミニウム等からなる真空チャ
ンバ内に電気的に引き出し、アナライザマグネット、加
速管、電子レンズ等で所望のイオンビームとした後、プ
ラテン（半導体ウェハ支持器）に配置された被処理物例
えば半導体ウェハにＸ−Ｙ方向に走査しながら照射して
イオンを注入する。
ている。すなわち、イオンソースで発生させたイオンを
、ステンレス鋼またはアルミニウム等からなる真空チャ
ンバ内に電気的に引き出し、アナライザマグネット、加
速管、電子レンズ等で所望のイオンビームとした後、プ
ラテン（半導体ウェハ支持器）に配置された被処理物例
えば半導体ウェハにＸ−Ｙ方向に走査しながら照射して
イオンを注入する。
（発明が解決しようとする課題）
上述の従来のイオン注入装置では、イオンビームの加速
、集束、走査、照射等は、例えばステンレス鋼またはア
ルミニウム等からなる真空チャンバ内で行うよう構成さ
れている。これは、真空チャンバ内を例えば１Ｏ−７Ｔ
ｏｒｒ程度の高真空とする必要があるためと、真空チャ
ンバ内で発生した放射線例えばＸ線が外部に漏洩し、作
業員に悪影ツを及ぼすことを防止するためである。また
、被処理物例えば半導体ウェハが配置されるプラテン付
近には、ターゲット電流を１ｌｌｌＪ定し、このイオン
注入状態をテレビモニタしたり、ファラデー箱を設けて
注入量を７ＩＩＩ＋定したりしていた。しかし、従来の
イオン注入装置ではイオン注入処理の状況を外部から直
接観察することは困難であった。この観察の要求は、集
積度が４Ｍ、１８Ｍと超高集積されるにつれその要求が
高まっている。
、集束、走査、照射等は、例えばステンレス鋼またはア
ルミニウム等からなる真空チャンバ内で行うよう構成さ
れている。これは、真空チャンバ内を例えば１Ｏ−７Ｔ
ｏｒｒ程度の高真空とする必要があるためと、真空チャ
ンバ内で発生した放射線例えばＸ線が外部に漏洩し、作
業員に悪影ツを及ぼすことを防止するためである。また
、被処理物例えば半導体ウェハが配置されるプラテン付
近には、ターゲット電流を１ｌｌｌＪ定し、このイオン
注入状態をテレビモニタしたり、ファラデー箱を設けて
注入量を７ＩＩＩ＋定したりしていた。しかし、従来の
イオン注入装置ではイオン注入処理の状況を外部から直
接観察することは困難であった。この観察の要求は、集
積度が４Ｍ、１８Ｍと超高集積されるにつれその要求が
高まっている。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、イオン注入処理の状況を観察可能とするとともに、放
射線が外部に漏洩し、作業員に悪影響を及ぼすことを防
止することのできるイオン注入装置を提供しようとする
ものである。
、イオン注入処理の状況を観察可能とするとともに、放
射線が外部に漏洩し、作業員に悪影響を及ぼすことを防
止することのできるイオン注入装置を提供しようとする
ものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
すなわち本発明は、真空チャンバ内の被処理物にイオン
ビームを照射してイオンを注入するイオン注入装置にお
いて、前記真空チャンバに、該真空チャンバ内を目視可
能とする鉛ガラスからなる窓を設けたことを特徴とする
。
ビームを照射してイオンを注入するイオン注入装置にお
いて、前記真空チャンバに、該真空チャンバ内を目視可
能とする鉛ガラスからなる窓を設けたことを特徴とする
。
（作 用）
上記構成の本発明のイオン注入装置では、真空チャンバ
に、この真空チャンバ内を目視可能とする透光性の窓を
設けることである。
に、この真空チャンバ内を目視可能とする透光性の窓を
設けることである。
したがって、イオン注入処理の状況を外部から観察する
ことができ、より確実な処理を行うことができる。しか
し、真空チャンバ内で発生した放射線例えばＸ線が外部
に漏洩して、作業員に悪影響を及ぼすことを防止したい
場合は、鉛ガラスにより構成することで対処することが
できる。
ことができ、より確実な処理を行うことができる。しか
し、真空チャンバ内で発生した放射線例えばＸ線が外部
に漏洩して、作業員に悪影響を及ぼすことを防止したい
場合は、鉛ガラスにより構成することで対処することが
できる。
（実施例）
以下本発明のイオン注入装置を図面を参照して一実施例
について説明する。
について説明する。
例えばステンレス鋼またはアルミニウム等から構成され
た真空チャンバ１内の端部には、半導体ウェハ２を保持
するプラテン３が配置されている。
た真空チャンバ１内の端部には、半導体ウェハ２を保持
するプラテン３が配置されている。
また、上記真空チャンバ１には、プラテン３の上部に位
置する部位に、窓４が設けられており、この窓４には、
透光性気密体例えばＰｂＯ２を（例えば５５％）程度含
み、厚さ例えば７ｆｆ１１１程度の鉛ガラスを２枚貼り
合せてなる鉛ガラス４ａが配置されている。
置する部位に、窓４が設けられており、この窓４には、
透光性気密体例えばＰｂＯ２を（例えば５５％）程度含
み、厚さ例えば７ｆｆ１１１程度の鉛ガラスを２枚貼り
合せてなる鉛ガラス４ａが配置されている。
さらに、真空チャンバ１内のプラテン３前方には、中央
部に円形開口５を有する板状のスリット６が配置されて
おり、このスリット６には、ファラデーカップ７が形成
されている。そして、図示しないイオンソースから電気
的に引出され、図示しないアナライザマグネット、加速
管、電子レンズ等で分析、加速、集束された後、例えば
図示しないスキャンプレートによって走査されたイオン
ビーム８を、プラテン３に配置された半導体ウェハ２に
照射してイオンを注入するよう構成されている。
部に円形開口５を有する板状のスリット６が配置されて
おり、このスリット６には、ファラデーカップ７が形成
されている。そして、図示しないイオンソースから電気
的に引出され、図示しないアナライザマグネット、加速
管、電子レンズ等で分析、加速、集束された後、例えば
図示しないスキャンプレートによって走査されたイオン
ビーム８を、プラテン３に配置された半導体ウェハ２に
照射してイオンを注入するよう構成されている。
この時、この実施例のイオン注入装置では、真空チャン
バ１に設けられた窓４により、半導体ウェハ２に対する
イオンビーム８の照射状態を外部から目視することがで
き、確実な処理を行うことができる。また、この窓４に
は、ＰｂＯ２を例えば５５％程度含む鉛ガラス４ａが配
置されているので、放射線例えばＸ線が外部に漏洩し、
作業員に悪影響を与えることもない。さらに、真空チャ
ンバ１内は高真空とされるが、鉛ガラス４ａは、複数枚
例えば２枚の鉛ガラスを貼り合せた構造とされているの
で、万一破損した場合でも、その破片が飛散することを
防止することができ、安全性を確保することができる。
バ１に設けられた窓４により、半導体ウェハ２に対する
イオンビーム８の照射状態を外部から目視することがで
き、確実な処理を行うことができる。また、この窓４に
は、ＰｂＯ２を例えば５５％程度含む鉛ガラス４ａが配
置されているので、放射線例えばＸ線が外部に漏洩し、
作業員に悪影響を与えることもない。さらに、真空チャ
ンバ１内は高真空とされるが、鉛ガラス４ａは、複数枚
例えば２枚の鉛ガラスを貼り合せた構造とされているの
で、万一破損した場合でも、その破片が飛散することを
防止することができ、安全性を確保することができる。
なお、この実施例では、鉛ガラス４ａからなる窓４を、
真空チャンバ１のプラテン３の上部に位置する部位に設
け、半導体ウェハ２に対するイオンビーム８の照射状態
を外部がら目視可能に構成した例について説明したが、
本発明はかがる実施例に限定されるものではなく、鉛ガ
ラス４ａからなる窓４は、真空チャンバ１の他の部位、
例えばイオンソース部、他のビームライン、部（イオン
ビーム通過部）等に設け、これらの部位を外部がら観察
可能としてもよいことはもちろんである。
真空チャンバ１のプラテン３の上部に位置する部位に設
け、半導体ウェハ２に対するイオンビーム８の照射状態
を外部がら目視可能に構成した例について説明したが、
本発明はかがる実施例に限定されるものではなく、鉛ガ
ラス４ａからなる窓４は、真空チャンバ１の他の部位、
例えばイオンソース部、他のビームライン、部（イオン
ビーム通過部）等に設け、これらの部位を外部がら観察
可能としてもよいことはもちろんである。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明のイオン注入装置によれば
、イオン注入処理の状況を観察することができるととも
に、Ｘ線等の放射線が外部に漏洩し、作業員に悪影響を
及ぼすことを防止することかできる。
、イオン注入処理の状況を観察することができるととも
に、Ｘ線等の放射線が外部に漏洩し、作業員に悪影響を
及ぼすことを防止することかできる。
第１図は本発明の一実施例のイオン注入装置の要部構成
を示す縦断面図である。 １・・・・・・真空チャンバ、２・・・・・・半導体ウ
エノ＼、３・・・・・・プラテン、４・・・・・・窓、
４ａ・・・・・・鉛ガラス、５・・・・・・円形開口、
６・・・・・・スリット、７・・・・・・ファラデーカ
ップ、８・・・・・・イオンビーム。 出願人 チル・パリアン株式会社代理人 弁
理士 須 山 佐 − 斃］図
を示す縦断面図である。 １・・・・・・真空チャンバ、２・・・・・・半導体ウ
エノ＼、３・・・・・・プラテン、４・・・・・・窓、
４ａ・・・・・・鉛ガラス、５・・・・・・円形開口、
６・・・・・・スリット、７・・・・・・ファラデーカ
ップ、８・・・・・・イオンビーム。 出願人 チル・パリアン株式会社代理人 弁
理士 須 山 佐 − 斃］図
Claims (1)
- （１）真空チャンバ内の被処理物にイオンビームを照射
してイオンを注入するイオン注入装置において、 前記真空チャンバに、該真空チャンバ内を目視可能とす
る鉛ガラスからなる窓を設けたことを特徴とするイオン
注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63105926A JPH01276553A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63105926A JPH01276553A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01276553A true JPH01276553A (ja) | 1989-11-07 |
Family
ID=14420464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63105926A Pending JPH01276553A (ja) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01276553A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6062047A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-10 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Ｘ線分析装置 |
-
1988
- 1988-04-28 JP JP63105926A patent/JPH01276553A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6062047A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-10 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Ｘ線分析装置 |
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