JPS5943520A - マスクレスイオン注入装置 - Google Patents
マスクレスイオン注入装置Info
- Publication number
- JPS5943520A JPS5943520A JP15266282A JP15266282A JPS5943520A JP S5943520 A JPS5943520 A JP S5943520A JP 15266282 A JP15266282 A JP 15266282A JP 15266282 A JP15266282 A JP 15266282A JP S5943520 A JPS5943520 A JP S5943520A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- ion beam
- electron beam
- irradiated
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体結晶基板に半導体装置ケ形成するだめ
のイオンを直接注入するマスクレスイオン注入装置に関
−するものである。
のイオンを直接注入するマスクレスイオン注入装置に関
−するものである。
ンリコン、ガリウム砒素等の半導体結晶基板にレーザ素
子、発光ダイオード、受光素子、バイポーラトランジス
タ、電界効果型トランジスタを形成する場合、それぞれ
所定の場所にそれぞれのイオン注入が必要であり、イメ
ン注入工程ではイオン臨の取替え、マスクの（ｉ） ｆ
＃合せ等煩雑な作業を心安とする。−力、最近提案され
ているザブミクロンのオーダで収束されたイオンビーム
を直１号結晶基板に照射するマスクレスイオン注入、加
工技術１−ＬＩＩｎ々イ１なマスクの作成、位置合せ等
の工稈が省略さ！するため注目を浴びている。このよう
なマスクレスイＡン台、入を実現するため（・ではイオ
ンビームに１、ザブミクｒｙ：ｙに’）オーダで収束さ
れ、且つ高部７流密度を有するものでなけｉｌばならな
い。
子、発光ダイオード、受光素子、バイポーラトランジス
タ、電界効果型トランジスタを形成する場合、それぞれ
所定の場所にそれぞれのイオン注入が必要であり、イメ
ン注入工程ではイオン臨の取替え、マスクの（ｉ） ｆ
＃合せ等煩雑な作業を心安とする。−力、最近提案され
ているザブミクロンのオーダで収束されたイオンビーム
を直１号結晶基板に照射するマスクレスイオン注入、加
工技術１−ＬＩＩｎ々イ１なマスクの作成、位置合せ等
の工稈が省略さ！するため注目を浴びている。このよう
なマスクレスイＡン台、入を実現するため（・ではイオ
ンビームに１、ザブミクｒｙ：ｙに’）オーダで収束さ
れ、且つ高部７流密度を有するものでなけｉｌばならな
い。
この目的に適したものとして電胃放出型イオンビーム発
生佇がある。このイオンビーム発生源は細いタンクステ
ンヮイーヤをエミッタ電極トして、その微小径先端に液
体金属を被覆し、エミッタ電極を加熱すると共に強い電
界を印加すると、その微小径先端よりイオンビームが放
出される。このイオンビームを加速収束するためのレン
ズ系及びイオンビーノ・を偏向するだめの電極を」−記
のイオンビーム発牛源に４＝Ｊ力１１することによりマ
スクレスイオン注入装置が構成される。
生佇がある。このイオンビーム発生源は細いタンクステ
ンヮイーヤをエミッタ電極トして、その微小径先端に液
体金属を被覆し、エミッタ電極を加熱すると共に強い電
界を印加すると、その微小径先端よりイオンビームが放
出される。このイオンビームを加速収束するためのレン
ズ系及びイオンビーノ・を偏向するだめの電極を」−記
のイオンビーム発牛源に４＝Ｊ力１１することによりマ
スクレスイオン注入装置が構成される。
このような収束イオンビームを用いてマスクｌ／スでイ
オンを基板に注入する場合、市、荷が基′に′Ｎ表面に
滞留１−５２て注入エネルキーが低下し７たり、イ刊ン
を注入し７た領域にはイオン衝撃による結晶欠陥が発生
する。
オンを基板に注入する場合、市、荷が基′に′Ｎ表面に
滞留１−５２て注入エネルキーが低下し７たり、イ刊ン
を注入し７た領域にはイオン衝撃による結晶欠陥が発生
する。
この発明の目的は上述の如き欠点を除き、高品質の半導
体デバイスを製造することのできるマスクレスイオン注
入装置を提供することにあって、以下図面の実施例に基
いて本発明を説明すると、／は試刺加工宰であって、そ
の上部は収束イオンビーム発生数ｆｆｆｉ、 ＩＩを収
納する室λとＴｔ了ピーノ、発生装置１０を収納する室
３とに別れ−しおり、排気装置７′１′／７によりいず
れの堂内も高責穿となるように構成されでいる。
体デバイスを製造することのできるマスクレスイオン注
入装置を提供することにあって、以下図面の実施例に基
いて本発明を説明すると、／は試刺加工宰であって、そ
の上部は収束イオンビーム発生数ｆｆｆｉ、 ＩＩを収
納する室λとＴｔ了ピーノ、発生装置１０を収納する室
３とに別れ−しおり、排気装置７′１′／７によりいず
れの堂内も高責穿となるように構成されでいる。
室コ内には収束イオンビーム発生数（ｉ ｐとしで、箱
、界放出型イオンビー１・発生部ｓ、ｌｔｔ量分離器乙
、・イオンビームを加速、収束するだめのレンズ糸７及
びイオンビームを偏向−Ｊるための偏向電極ｇが光軸十
に順次収納されており、イ封ンヒーム発牛ｆｌＸ３１質
ｉｉ分１ｌｉｌｔ器乙、レンズ系７は市１６ｉ旨にと′
電気的に接経：Ｌ、、ｔｒｊ、力を供給すると共にそれ
ぞれのＮｉｌ、＋作を制御する１、−方、電子ビーム発
生器れ／θを収納する室３は垂直に設けられた室コに対
し−Ｇ所定の角度で知４・［シて設けられており、η１
．−ｆビーム発生装置として電子ビーム発生器／／、集
光レンズ系／、２．、絞す／３、集光レンズ系”、ｆｉ
ｎ向コイル／ｊ及び対物レンズ／２が光軸上に順次収納
され、電「ビーム発生器／／、集光レンズ系／、７、紋
り／３、集）Ｙ′、レンズ系／４／は電涼／りとｆｉｔ
、気的に接続し、電力を供給すると共にそれぞれの動作
を・制御する。イオンビーム発生装煮の偏向電極とと霜
、＋ビーム発生装置の偏向コイル／３はパターン描画制
御回路、：２０に接続され、回路、２ｏＪ、Ｄの指令信
月′によりそれぞれのビーノ・の試料基板、２／の照射
位置が制御される。
、界放出型イオンビー１・発生部ｓ、ｌｔｔ量分離器乙
、・イオンビームを加速、収束するだめのレンズ糸７及
びイオンビームを偏向−Ｊるための偏向電極ｇが光軸十
に順次収納されており、イ封ンヒーム発牛ｆｌＸ３１質
ｉｉ分１ｌｉｌｔ器乙、レンズ系７は市１６ｉ旨にと′
電気的に接経：Ｌ、、ｔｒｊ、力を供給すると共にそれ
ぞれのＮｉｌ、＋作を制御する１、−方、電子ビーム発
生器れ／θを収納する室３は垂直に設けられた室コに対
し−Ｇ所定の角度で知４・［シて設けられており、η１
．−ｆビーム発生装置として電子ビーム発生器／／、集
光レンズ系／、２．、絞す／３、集光レンズ系”、ｆｉ
ｎ向コイル／ｊ及び対物レンズ／２が光軸上に順次収納
され、電「ビーム発生器／／、集光レンズ系／、７、紋
り／３、集）Ｙ′、レンズ系／４／は電涼／りとｆｉｔ
、気的に接続し、電力を供給すると共にそれぞれの動作
を・制御する。イオンビーム発生装煮の偏向電極とと霜
、＋ビーム発生装置の偏向コイル／３はパターン描画制
御回路、：２０に接続され、回路、２ｏＪ、Ｄの指令信
月′によりそれぞれのビーノ・の試料基板、２／の照射
位置が制御される。
収束イオンビーム発生装置グと電子ビーム発生装置／θ
の光軸の交差する点には試料基板、２／を重しする試料
台−一が設けられ、この試料台２．２は支持部拐／乙に
より支持され、支持部拐、２にの他端に接続したパルス
モータコ乙により任意の位的に移動、支持するように構
成され、このパルスモータムの動作はパターン描画制御
回路、２０の指令信号により制御される１、 上述の如き構成に訃いて、試料台、２．ｌに先ず試料基
板コ／を載せ、加工室／内を真空とした後に、型温”
＋ ／りよりイオンビーム発生装置グ及び電子ビーノ・
発生数的′１０へ市、力を供給すると、イオンビーム発
牛部ｊよりイオンビーノ、が放射され、放射された・イ
オンビームが複数の混合イオンビー１、である場合は賀
桁分離器乙で所定のイオンビ・−ノ・のみを選択的に分
離し、レンズ糸７で加速さｌ；、−リーブミクロンのオ
ークで収束さｈて試料基板、７／十を照射し、イオンを
注入する。
の光軸の交差する点には試料基板、２／を重しする試料
台−一が設けられ、この試料台２．２は支持部拐／乙に
より支持され、支持部拐、２にの他端に接続したパルス
モータコ乙により任意の位的に移動、支持するように構
成され、このパルスモータムの動作はパターン描画制御
回路、２０の指令信号により制御される１、 上述の如き構成に訃いて、試料台、２．ｌに先ず試料基
板コ／を載せ、加工室／内を真空とした後に、型温”
＋ ／りよりイオンビーム発生装置グ及び電子ビーノ・
発生数的′１０へ市、力を供給すると、イオンビーム発
牛部ｊよりイオンビーノ、が放射され、放射された・イ
オンビームが複数の混合イオンビー１、である場合は賀
桁分離器乙で所定のイオンビ・−ノ・のみを選択的に分
離し、レンズ糸７で加速さｌ；、−リーブミクロンのオ
ークで収束さｈて試料基板、７／十を照射し、イオンを
注入する。
−力、？ｌ’ｉ−子ビーム発生装置発生装いても１１１
、力が供給されているため、電子ビーム発生部／／より
’ＩＴ、子ビーノ・が発射され、集）ｖ７レンズ系／、
２、絞り／３、集光レンズ系／ＩＩ、偏向コイル／ｊ及
び対物レンズ／２を通り所定の珂−タに収束された１１
Ｌ子ビーム、！４ｔけ試料基板、、２／上を照射する。
、力が供給されているため、電子ビーム発生部／／より
’ＩＴ、子ビーノ・が発射され、集）ｖ７レンズ系／、
２、絞り／３、集光レンズ系／ＩＩ、偏向コイル／ｊ及
び対物レンズ／２を通り所定の珂−タに収束された１１
Ｌ子ビーム、！４ｔけ試料基板、、２／上を照射する。
このとき、パターンビーム描画制御回路−〇よりに一イ
オンビーム発生装置の偏向電極６゛及び箱；子ビーム発
生装機の偏向コイル１ｒＫＩＪＩ、ては、収束されたイ
オンビーム、２３及び電子ビーム、２ｔ／−が同時に同
一場所を照射するような指令信号を′送り、イオンビ−
ム、２３ テア ７． りを使用し７ないでパターンの
拮１画を直接試料基板上行うと同時にイオンビーム照射
点を電子ビーム、２４／が同時に照射する（第２図）。
オンビーム発生装置の偏向電極６゛及び箱；子ビーム発
生装機の偏向コイル１ｒＫＩＪＩ、ては、収束されたイ
オンビーム、２３及び電子ビーム、２ｔ／−が同時に同
一場所を照射するような指令信号を′送り、イオンビ−
ム、２３ テア ７． りを使用し７ないでパターンの
拮１画を直接試料基板上行うと同時にイオンビーム照射
点を電子ビーム、２４／が同時に照射する（第２図）。
イオンビーム、７グは［ジ１示の如く、試料基板、２／
内にイオンを注入するのであるから、試料基板面に対し
て垂直に照射するようイオンビーム発生装置は設定され
てい冬。一方、電子ビーノ、 、２１／−１：Ｊ、イオ
ンビーノ・、２３に対して、角度θだけ持って試ネ・１
基板のイオンビーム照射点を照射することになる。しか
し、上記の角度が４５度程度以内であれば試料基板上の
イオンビーム照射点を少くとも包含するように市、子ビ
ーノ・の径の大きさｔ ＩＡＩ節し７て照射することに
より、’ｔｉ、子ビーノビー照射スボツｌ−表面より試
料内部−７に向って加だ（アニール処理さり、るため、
イオンビーム注入により生じた結晶欠陥の修復は発生と
同時に効果的に行われることになる。壕だ試料基板が絶
縁体或は半絶８′、体の＋、４合、高電流、缶用のイオ
ンビーム・を注入すると、電荷が試料表面に滞留し、注
入エネルギーを低下させたり、絶、縁を破壊したりする
ことがあるが、同じ滞留霜１荷を持つ電イビーノ、庖上
述の如くイオンビーム照射点へ照射することにより、イ
刊ン電荷が中オ［ｌされ、イオンビームの注入が円滑に
行えることになる。この・ｆ刊ン知、 ｉ：ｉの中１１
１の場合は試料表面で起る現象であるため、少くともイ
オンビーム・の試料照射点を伸含二するように１＋７了
ビーノ・の照射径を計、（整ずｉｌは良く、照射角度に
ついては特に考バＩを払う必要に１々い。
内にイオンを注入するのであるから、試料基板面に対し
て垂直に照射するようイオンビーム発生装置は設定され
てい冬。一方、電子ビーノ、 、２１／−１：Ｊ、イオ
ンビーノ・、２３に対して、角度θだけ持って試ネ・１
基板のイオンビーム照射点を照射することになる。しか
し、上記の角度が４５度程度以内であれば試料基板上の
イオンビーム照射点を少くとも包含するように市、子ビ
ーノ・の径の大きさｔ ＩＡＩ節し７て照射することに
より、’ｔｉ、子ビーノビー照射スボツｌ−表面より試
料内部−７に向って加だ（アニール処理さり、るため、
イオンビーム注入により生じた結晶欠陥の修復は発生と
同時に効果的に行われることになる。壕だ試料基板が絶
縁体或は半絶８′、体の＋、４合、高電流、缶用のイオ
ンビーム・を注入すると、電荷が試料表面に滞留し、注
入エネルギーを低下させたり、絶、縁を破壊したりする
ことがあるが、同じ滞留霜１荷を持つ電イビーノ、庖上
述の如くイオンビーム照射点へ照射することにより、イ
刊ン電荷が中オ［ｌされ、イオンビームの注入が円滑に
行えることになる。この・ｆ刊ン知、 ｉ：ｉの中１１
１の場合は試料表面で起る現象であるため、少くともイ
オンビーム・の試料照射点を伸含二するように１＋７了
ビーノ・の照射径を計、（整ずｉｌは良く、照射角度に
ついては特に考バＩを払う必要に１々い。
上述の如く、イオンビーフ１．２３ト電子ビームｊ（？
を所定のエネルギにＨ周整して訂、料基板の同一点に同
時に照射することによりｆ：ｉ”＋留重荷を中和し、イ
オン注入を円滑に行うこ占ができるので、第５図の如く
マスクレスイオン注入人により半超・、縁性結晶成長層
を基イ１１と１７てシト、オ。＋（回路を形成するよう
な場合、本発明による装置ｅ１イ）効である。
を所定のエネルギにＨ周整して訂、料基板の同一点に同
時に照射することによりｆ：ｉ”＋留重荷を中和し、イ
オン注入を円滑に行うこ占ができるので、第５図の如く
マスクレスイオン注入人により半超・、縁性結晶成長層
を基イ１１と１７てシト、オ。＋（回路を形成するよう
な場合、本発明による装置ｅ１イ）効である。
更に、２＋’！、 ４１ン１に示すように、４簸、？を
体結晶ｈ５長層、２Ｊ’の上にイオン注入、加Ｖのため
のイ」ンビームとアニール処Ｊ’ｌ！のための′「（も
子ビームを同時に同一点に照射し、子牛導体結晶成長層
に刀・粕“回路、２７を形成し１、この結晶成長層上に
Ｓ？Ｏｔ智の如き絶縁膜３０を”ＩＱ ｐｍの厚さで形
成１−、た後、絶縁膜３０にイオンビー）・と柘ｒビー
ムを照射して絶縁膜中に五１．イへ配線網３／を形成す
る。通常、絶縁体に直接高濃度のイオン注入を行うこと
し、１−不ｐｉ］能であるが、本発明においてに注入さ
れるイ」ンビーノ・の？！１１留電荷が中和きれている
ため、絶←゛、体へのイオンの７１人は円ｆｆｉ Ｋ
’！［うことかでき、このような軸結膜中に微細シ１丁
を極配線紐（を形成することができる。このように配線
網を形カ・シた絶縁膜の土にし」エビタギシャル結晶成
長層１′を形成さ一１ｊ−、この結晶成長層妻′に前述
と同様にしてイオンビームと電子ビームにより集積回路
、２９を形成し、更に絶縁膜３０′で被覆した後に上述
と同じ方法にて絶縁膜中に電極配線を行う。この上うに
集積回路な上下方向に積み重ねた三次元１′ｊ４造のも
のが本発明の装置６′により容品に製造することができ
る、 上述のｉ告、明で明らかなように、本発明によるマスク
レスイオン注入袋［６は同一真空装置６内でイオン注入
と帯電荷中和及びアニール処理が同りに行えるため、工
程が簡素化されると同時に高品質の製品の製造が可能と
なる。！侍にイオンを絶経性或ｔよ半絶縁性基板に注入
する場合、電荷が表面に滞留し、注入エネルギーの低１
や絶縁の破壊等のトラブルが生じることが屡りあり、特
にマスクレスイオン注入の如き高市、流密度のイオンビ
ームを用いる場合←ｊ、その傾向が犬きく々ることが予
想される。しかるに同じ滞留類、荷をもち、同じ大きさ
の電子ビームをイオンビーム、と同時に照射することに
よりイオン電荷が中１１１すｉｌ、マスクレスイオンビ
ーム注入が円ｆＷ ニ達成されることになり、三次元の
集積回路の形成も可能となる。。
体結晶ｈ５長層、２Ｊ’の上にイオン注入、加Ｖのため
のイ」ンビームとアニール処Ｊ’ｌ！のための′「（も
子ビームを同時に同一点に照射し、子牛導体結晶成長層
に刀・粕“回路、２７を形成し１、この結晶成長層上に
Ｓ？Ｏｔ智の如き絶縁膜３０を”ＩＱ ｐｍの厚さで形
成１−、た後、絶縁膜３０にイオンビー）・と柘ｒビー
ムを照射して絶縁膜中に五１．イへ配線網３／を形成す
る。通常、絶縁体に直接高濃度のイオン注入を行うこと
し、１−不ｐｉ］能であるが、本発明においてに注入さ
れるイ」ンビーノ・の？！１１留電荷が中和きれている
ため、絶←゛、体へのイオンの７１人は円ｆｆｉ Ｋ
’！［うことかでき、このような軸結膜中に微細シ１丁
を極配線紐（を形成することができる。このように配線
網を形カ・シた絶縁膜の土にし」エビタギシャル結晶成
長層１′を形成さ一１ｊ−、この結晶成長層妻′に前述
と同様にしてイオンビームと電子ビームにより集積回路
、２９を形成し、更に絶縁膜３０′で被覆した後に上述
と同じ方法にて絶縁膜中に電極配線を行う。この上うに
集積回路な上下方向に積み重ねた三次元１′ｊ４造のも
のが本発明の装置６′により容品に製造することができ
る、 上述のｉ告、明で明らかなように、本発明によるマスク
レスイオン注入袋［６は同一真空装置６内でイオン注入
と帯電荷中和及びアニール処理が同りに行えるため、工
程が簡素化されると同時に高品質の製品の製造が可能と
なる。！侍にイオンを絶経性或ｔよ半絶縁性基板に注入
する場合、電荷が表面に滞留し、注入エネルギーの低１
や絶縁の破壊等のトラブルが生じることが屡りあり、特
にマスクレスイオン注入の如き高市、流密度のイオンビ
ームを用いる場合←ｊ、その傾向が犬きく々ることが予
想される。しかるに同じ滞留類、荷をもち、同じ大きさ
の電子ビームをイオンビーム、と同時に照射することに
よりイオン電荷が中１１１すｉｌ、マスクレスイオンビ
ーム注入が円ｆＷ ニ達成されることになり、三次元の
集積回路の形成も可能となる。。
第１図は本発明によるマスクレスイオン注入装置の一実
施例を示す桐、略構成図、第２図は収束イオンビームと
１１ｊ、子ビームが試料へ照射された場合の説明図、第
５図は本発明による装ｆｈ“により半絶縁体層に集積回
路を形成した断面図、第４図は本発明による装置ｉ’ｉ
により集積回路を三次元的に構成させた断面図。 図中、ｉｌ」試料加工室、ｌは収束イオンビーム発生装
置、１０け電子ビーノ、発生装置、−／は試料基板、２
３は収束イオンビーム１．２νは電子ビーム１．２ｇは
半導体結晶成長層、３０は絶縁膜、３／は絶縁膜中の霜
、極配線を示ｔ 、。 特約出願人 工 業 技 術 院 長為１
１０ ２ ）１８ ：”ｊ’５３． ｔ′ｙＪ ９２９
施例を示す桐、略構成図、第２図は収束イオンビームと
１１ｊ、子ビームが試料へ照射された場合の説明図、第
５図は本発明による装ｆｈ“により半絶縁体層に集積回
路を形成した断面図、第４図は本発明による装置ｉ’ｉ
により集積回路を三次元的に構成させた断面図。 図中、ｉｌ」試料加工室、ｌは収束イオンビーム発生装
置、１０け電子ビーノ、発生装置、−／は試料基板、２
３は収束イオンビーム１．２νは電子ビーム１．２ｇは
半導体結晶成長層、３０は絶縁膜、３／は絶縁膜中の霜
、極配線を示ｔ 、。 特約出願人 工 業 技 術 院 長為１
１０ ２ ）１８ ：”ｊ’５３． ｔ′ｙＪ ９２９
Claims (1)
- Ｒ，空装置を備えた試料加工室内に電界放出型イオン源
を用いたマスクレスイオン注入装置と電子ビーム発生装
置をイオンビームの照射位置と１ｉｄ（イビームの照射
位置とが一致するように配置シフ、両ビームの照射位置
に試料基板を配置し、画ビーノ、を試料基板の同一点に
同時に照射してイオンビームによるパターン描画と電子
ビームによる帯１（１荷の中和とアニール処理を同時に
行うことを特徴とするマスクレスイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15266282A JPS5943520A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | マスクレスイオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15266282A JPS5943520A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | マスクレスイオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943520A true JPS5943520A (ja) | 1984-03-10 |
Family
ID=15545338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15266282A Pending JPS5943520A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | マスクレスイオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5943520A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61224418A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Jeol Ltd | イオンビ−ム描画装置 |
| JPS61248346A (ja) * | 1985-04-24 | 1986-11-05 | マイクリオン・コーポレイション | 集束イオンビーム処理装置 |
| JPH0337948A (ja) * | 1989-06-30 | 1991-02-19 | Nec Corp | 集束イオンビーム装置 |
| KR970023698A (ko) * | 1995-10-24 | 1997-05-30 | 김주용 | 수직형 이온 주입기 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5652860A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-12 | Mitsubishi Electric Corp | Ion injection device |
| JPS5679438A (en) * | 1979-12-04 | 1981-06-30 | Toshiba Corp | Working device for charged particle beam |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP15266282A patent/JPS5943520A/ja active Pending
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