JPS63147890A - 高融点材料の単結晶薄膜の製造方法 - Google Patents
高融点材料の単結晶薄膜の製造方法Info
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- JPS63147890A JPS63147890A JP29643486A JP29643486A JPS63147890A JP S63147890 A JPS63147890 A JP S63147890A JP 29643486 A JP29643486 A JP 29643486A JP 29643486 A JP29643486 A JP 29643486A JP S63147890 A JPS63147890 A JP S63147890A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は単結晶薄膜の製造方法、特に高融点材料の単結
晶薄膜の製造方法に関するものである。
晶薄膜の製造方法に関するものである。
（従来の技術）
近年、絶縁性の非晶質基板上に形成した非晶質薄膜ある
いは多結晶薄膜に、レーザービームあるいは電子ビーム
等のエネルギービームを照射して溶融させた後、再結晶
化して単結晶領域を作成する技術の開発が、特にシリコ
ンウェハの結晶性の回復や物性の安定化を目的としたア
ニール技術の分野で進められている。
いは多結晶薄膜に、レーザービームあるいは電子ビーム
等のエネルギービームを照射して溶融させた後、再結晶
化して単結晶領域を作成する技術の開発が、特にシリコ
ンウェハの結晶性の回復や物性の安定化を目的としたア
ニール技術の分野で進められている。
ところで、本発明者等は、このようなエネルギービーム
によるアニール、いわゆるビームアニールによって単結
晶薄膜を得る技術を、上述したＳｏ １ （Ｓｉｌｉ
ｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ）の系に限らず、例
えばチタンの酸化化合物等の高融点材料の単結晶薄膜の
形成にも利用することを考えた。
によるアニール、いわゆるビームアニールによって単結
晶薄膜を得る技術を、上述したＳｏ １ （Ｓｉｌｉ
ｃｏｎ ｏｎ Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ）の系に限らず、例
えばチタンの酸化化合物等の高融点材料の単結晶薄膜の
形成にも利用することを考えた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、単結晶を得るための上記エネルギービー
ムのビームエネルギー密度は大きく、材料物質の融点が
高ければ高いほどアニールを行うのが困難になるという
事実があり、基板その他の装置上でビー・ムアニールに
より高融点材料の単結晶薄膜を基板や装置に損傷を与え
ずして形成することは非常に困難である。
ムのビームエネルギー密度は大きく、材料物質の融点が
高ければ高いほどアニールを行うのが困難になるという
事実があり、基板その他の装置上でビー・ムアニールに
より高融点材料の単結晶薄膜を基板や装置に損傷を与え
ずして形成することは非常に困難である。
（問題点を解決するための手段）
本発明者等は、上述したような問題点に鑑み、鋭意研究
の結果、微粒子、特に粒径が１００ＯＡ以下の超微粒子
が大きな表面エネルギー、低融点および表面活性を有す
る点に着目し、高融点材料の単結晶薄膜を低エネルギー
密度で形成し得ることを見出した。すなわち、本発明に
係る高融点材料の単結晶薄膜の製造方法は、基板上に形
成する高融点材料の被アニール膜を、粒径が１０００Å
以下の微粒子膜とし、この膜にエネルギービームを照射
して単結晶薄膜を形成するものである。
の結果、微粒子、特に粒径が１００ＯＡ以下の超微粒子
が大きな表面エネルギー、低融点および表面活性を有す
る点に着目し、高融点材料の単結晶薄膜を低エネルギー
密度で形成し得ることを見出した。すなわち、本発明に
係る高融点材料の単結晶薄膜の製造方法は、基板上に形
成する高融点材料の被アニール膜を、粒径が１０００Å
以下の微粒子膜とし、この膜にエネルギービームを照射
して単結晶薄膜を形成するものである。
（実施例）
以下、本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
図面は本発明方法を実施するための装置の一例を示す概
略図である。なお、本発明を実施する装置は、この図に
示すものに限るものではない。
略図である。なお、本発明を実施する装置は、この図に
示すものに限るものではない。
図中の符号３は真空チャンバーで、その内部は、下端部
に接続されたポンプ６．７等により高真空に保持されて
いる。この真空チャンバー３内には基板４が設けられて
おり、基板４上に粒径が１０００Å以下の高融点材料物
質、例えば二酸化チタン等の微粒子膜５を堆積させてい
る。また真空チャンバー３の上部には、電子銃もしくは
レーザー銃等のエネルギービーム発生装置ｌが基板４に
向けて設けられており、このエネルギービーム発生Ｈ２
１で発生したビーム（図中矢符で示す）は、該発生装置
ｌの下方に設けられたビーム照射系２によりその強度お
よび方向がコントロールされ、基板４上の微粒子膜５に
達するようになされている。
に接続されたポンプ６．７等により高真空に保持されて
いる。この真空チャンバー３内には基板４が設けられて
おり、基板４上に粒径が１０００Å以下の高融点材料物
質、例えば二酸化チタン等の微粒子膜５を堆積させてい
る。また真空チャンバー３の上部には、電子銃もしくは
レーザー銃等のエネルギービーム発生装置ｌが基板４に
向けて設けられており、このエネルギービーム発生Ｈ２
１で発生したビーム（図中矢符で示す）は、該発生装置
ｌの下方に設けられたビーム照射系２によりその強度お
よび方向がコントロールされ、基板４上の微粒子膜５に
達するようになされている。
そして、ビームを照射しビーム強度が充分な値に達する
と、微粒子膜５は融解あるいは合体し、ビームを照射系
２にてコントロールして走査することにより単結晶薄膜
が成長する。なお、高融点材料物質としては、上述した
二酸化チタンに限るものではなく、またその粒径は１０
００Å以下であればよいが、１００Å以下であるとより
好ましい。
と、微粒子膜５は融解あるいは合体し、ビームを照射系
２にてコントロールして走査することにより単結晶薄膜
が成長する。なお、高融点材料物質としては、上述した
二酸化チタンに限るものではなく、またその粒径は１０
００Å以下であればよいが、１００Å以下であるとより
好ましい。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、高融点材料の被
アニール膜を、粒径が１０００Å以下の微粒子膜とした
ため、エネルギービームのビーム密度を小さくすること
ができ、比較的低温でしかも容易に高融点材料の単結晶
薄膜を形成することができる。したがって、基板や装置
等に損傷を与えることがほとんどない。本発明は種々の
分野、特に半導体形成分野に応用できる。
アニール膜を、粒径が１０００Å以下の微粒子膜とした
ため、エネルギービームのビーム密度を小さくすること
ができ、比較的低温でしかも容易に高融点材料の単結晶
薄膜を形成することができる。したがって、基板や装置
等に損傷を与えることがほとんどない。本発明は種々の
分野、特に半導体形成分野に応用できる。
図面は本発明方法を実施するための装置の一例を示す概
略図である。 ■・・・電子銃もくしはレーザー銃 ２・・・ビーム照射系 ３・・・真空チャンバー４
・・・基板 ５・・・微粒子膜６．７・・
・ポンプ 出願人 シャープ株式会？ｈ２；Ｕ−６？斥Ｃｚ；／Ｔ
、： 代理人 弁理士 倉内 義朗・、−顎、−。
略図である。 ■・・・電子銃もくしはレーザー銃 ２・・・ビーム照射系 ３・・・真空チャンバー４
・・・基板 ５・・・微粒子膜６．７・・
・ポンプ 出願人 シャープ株式会？ｈ２；Ｕ−６？斥Ｃｚ；／Ｔ
、： 代理人 弁理士 倉内 義朗・、−顎、−。
Claims (1)
- １）基板上に形成する高融点材料の被アニール膜を、粒
径が１０００Å以下の微粒子膜とし、この膜にエネルギ
ービームを照射して単結晶薄膜を形成することを特徴と
する高融点材料の単結晶薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29643486A JPS63147890A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 高融点材料の単結晶薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29643486A JPS63147890A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 高融点材料の単結晶薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63147890A true JPS63147890A (ja) | 1988-06-20 |
Family
ID=17833486
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29643486A Pending JPS63147890A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 高融点材料の単結晶薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63147890A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002020199A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-23 | Japan Atom Energy Res Inst | ルチル型酸化チタン単結晶薄膜の作製法 |
-
1986
- 1986-12-11 JP JP29643486A patent/JPS63147890A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002020199A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-23 | Japan Atom Energy Res Inst | ルチル型酸化チタン単結晶薄膜の作製法 |
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