JPS63200453A - 線状電子ビ−ム装置 - Google Patents

線状電子ビ−ム装置

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Publication number
JPS63200453A
JPS63200453A JP3397287A JP3397287A JPS63200453A JP S63200453 A JPS63200453 A JP S63200453A JP 3397287 A JP3397287 A JP 3397287A JP 3397287 A JP3397287 A JP 3397287A JP S63200453 A JPS63200453 A JP S63200453A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
mask
sample
linear
aperture
Prior art date
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Pending
Application number
JP3397287A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuyoshi Nakamura
強 中村
Yutaka Kawase
河瀬 豊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS63200453A publication Critical patent/JPS63200453A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は線状電子ビーム装置に関する。
(従来の技術) 従来、半導体基板等を熱処理する一つの方法として断面
形状がほぼ矩形(線状)である線状電子ビームを、固定
された基板上に照射し走査させる方法が行われてきた。
(「エネルギビーム加工」精機学会エネルギビーム分科
命綱、リアライズ社、1985年、268頁。「第5回
者機能素子技術シンポジウム予稿集」新機能素子開発協
会、1986年、145頁〜152頁)、従来の電子ビ
ーム装置では、第2図の概略構成図に示したように、試
料9上に線状電子ビームを収束させ、偏向器6で電子ビ
ームを偏向させることにより試料上を広範囲に走査させ
、試料9を熱処理してきた。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、線状電子ビーム4の収束状態は、線状カ
ソード1とウェーネルト電極2とアノード3の電子銃や
レンズ5と偏向器6の電子光学系によって調整されるが
、線状電子ビームが非軸対称であることや、偏向幅が大
きいことなどのために、良好なビーム電流密度を持った
線状電子ビームを広範囲で得るように制御することは困
難であった。そのため、例えば、電子ビームアニール法
をSol (Silicon−On−Insulato
r)形成技術に使用する場合、2インチあるいは4イン
チ以上のウェハ全面を均一にアニールするとき広範囲の
アニールが難しく実用化の大きな障害となっていた。
本発明の目的は、この様な問題を解決し、大面積領域を
むらなく均一に電子ビーム照射による熱処理ができる線
状電子ビーム装置を提供することにある。
(問題を解決するための手段) 本発明の線状電子ビーム装置は、試料の線状電子ビーム
照射面直近に配置され開口部のみ電子ビームを通過させ
該開口部以外は電子ビームを遮断する手段としてのマス
クと、該マスクを移動させて所定の位置に前記開口部を
位置合わせする手段としての機構と、試料の電子ビーム
被照射領域を前記マスク開口部を通過した電子ビームの
照射位置に合わせ該試料の電子ビームを照射すべき領域
を順次電子ビーム照射位置に送る手段としての移動機構
とから構成させる。
(作用) 本発明の電子ビーム装置によれば、マスクの開口幅を収
差等の極めて少ない安定したビームの得られる最大偏向
幅以下にしマスク開口部を所定の位置に合わせ、又、試
料をマスク開口部を通過した電子ビームの照射位置に合
わせた後、該マスクの開口幅よりも大きく線状電子ビー
ムを走査することにより、電子ビーム照射による熱処理
領域を電子ビームの収差等の極めて少ない良好な状態で
あるマスクの開口部を通過した電子ビームの照射領域に
限定することが出来る。さらに1回の電子ビーム照射に
よる熱処理後、次に熱処理したい試料範囲が電子ビーム
照射領域内にくるように移動し再び電子ビームを照射及
び走査して電子ビーム照射による熱処理をするという手
順に繰り返すことにより、試料面の熱処理ずべき領域を
均一に電子ビーム照射による熱処理をすることが出来る
(実施例) 第1図は本発明の一実施例の主要な構成図を示したもの
である。
真空容器17内の線状カソード1とウェーネルト電極2
と陽極3から構成される電子銃から出射された線状電子
ビーム4は、レンズ5によって試料9上に線状電子ビー
ムとして結像される。結像された線状電子ビームは偏向
器6によって試料9上を走査するが、マスク8によって
線状電子ビームは遮断される。マスク8は例えば電子ビ
ーム通過用開口部を設けたXYテーブルなどのマスク駆
動機構14によってXY平面上で移動出来、マスク開ロ
アが所定の場所に位置するようマスク駆動系15で制御
する。線状電子ビームはマスク開ロア部分のみ通過し、
マスク開ロアを通過した電子ビームの照射領域の試料9
上のみ電子ビームによる熱処理がされる。試料9は試料
ホルダ10にセットされ、試料加熱し−タ13等の手段
によって例えば約600℃に予備加熱される。さらに試
料ホルダ10はXYテーブル12上にセットされており
、XYテーブル駆動系11によって電子ビーム照射によ
り熱処理したい試料範囲が開ロアを通過した電子ビーム
の照射領域内に位置するように試料9を移動し、線状電
子ビームを照射し熱処理する。電子ビーム照射による熱
処理復改に熱処理したい試料範囲が開ロアを通過した電
子ビームの照射領域内に位置するように試料9を移動し
電子ビーム照射による熱処理をする。この繰り返しによ
り、試料の所定の領域をむら無く均一に広範囲に電子ビ
ームによる熱処理をすることが出来る。
(発明の効果) 以上述べた通り、本発明によれば、電子ビーム照射によ
り熱処理される領域がマスクによって線状電子ビームが
良好な状態の部分のみに限定することが出来、電子ビー
ムの収差等の不安定な要素を減らすことが出来る。また
、試料を順次、例えば間欠方式で、移動させ広範囲に均
一な電子ビーム照射による熱処理を行うことが出来る。
このような諸効果により大口径ウェハ等の電子ビーム照
射による熱処理の歩留りを飛躍的に向上させることが出
来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による装置の一実施例の全体概略構成図
、第2図は従来装置の全体概略構成図を示したものであ
る。 図に於て、 1は線状カソード、2はウェーネルト電極、3は陽極、
4は線状電子ビーム、5はレンズ、6は偏向器、7はマ
スク開口、8はマスク、9は試料、10は試料ホルダ、
11はXYテーブル駆動系、12はXYテーブル、13
は試料加熱し−タ、14はマスク駆動機構、15はマス
ク駆動系、16は水冷パイ享   1   図 72、XY7−カレ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 線状電子ビーム装置に於て、試料の線状電子ビーム照射
    面直近に配置され開口部のみ電子ビームを通過させ該開
    口部以外は電子ビームを遮断する手段としてのマスクと
    、該マスクを移動させて所定の位置に前記開口部を位置
    合わせする手段としての機構と、試料の電子ビーム被照
    射領域を前記マスク開口部を通過した電子ビームの照射
    位置に合わせ該試料の電子ビームを照射すべき領域を順
    次電子ビーム照射位置に送る手段としての移動機構とを
    備えたことを特徴とする線状電子ビーム装置。
JP3397287A 1987-02-16 1987-02-16 線状電子ビ−ム装置 Pending JPS63200453A (ja)

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JP3397287A JPS63200453A (ja) 1987-02-16 1987-02-16 線状電子ビ−ム装置

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JP3397287A JPS63200453A (ja) 1987-02-16 1987-02-16 線状電子ビ−ム装置

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JPS63200453A true JPS63200453A (ja) 1988-08-18

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JP3397287A Pending JPS63200453A (ja) 1987-02-16 1987-02-16 線状電子ビ−ム装置

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61283121A (ja) * 1985-06-10 1986-12-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 荷電ビ−ム投影露光装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61283121A (ja) * 1985-06-10 1986-12-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 荷電ビ−ム投影露光装置

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