KR850004685A - 반도체 메모리 장치 - Google Patents
반도체 메모리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR850004685A KR850004685A KR1019840007596A KR840007596A KR850004685A KR 850004685 A KR850004685 A KR 850004685A KR 1019840007596 A KR1019840007596 A KR 1019840007596A KR 840007596 A KR840007596 A KR 840007596A KR 850004685 A KR850004685 A KR 850004685A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- circuit
- output
- pair
- switch
- signal
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1057—Data output buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/409—Read-write [R-W] circuits
- G11C11/4093—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. data buffers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1006—Data managing, e.g. manipulating data before writing or reading out, data bus switches or control circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Dram (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 본 발명의 실시예로서 반도체 메모리 장치의 부분 회로도.
제7도는 제6도의 메모리 장치에서 사용된 출력 증폭기의 전기 회로도.
제8도는 제6도의 메모리 장치의 동작에 대한 파형도.
Claims (7)
- 메모리 셀로부터 독출신호를 수신하는 전단(前段) 출력증폭기 회로, 상기 전단 출력증폭기 회로의 출력신호를 수신하는 출력 버퍼회로, 상기 전단 출력증폭기 회로와 상기 출력 버퍼회로 사이에 삽입된 스위치 회로로 구성되며, 상기 스위치 회로는 출력신호가 상기 전단 출력증폭기 회로로부터 상기 출력 버퍼회로로 공급되기 바로 전에 온으로 되며 상기 출력회로의 출력상태가 정착된 후에 오프로 되고 출력 데이타에 해당하는 전위가 상기 스위치 회로와 상기 출력 버퍼회로 사이의 회로에 유지되며, 이것에 의해 상기 전단 구동회로의 리세트 기간 동안에라도 상기 출력 버퍼회로의 출력상태를 보유하게 되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 구동신호를 상기 스위치 회로에 공급하기 위한 스위치 구동회로로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 스위치 구동회로가 반대 극성을 가지는 클록펄스에 의해 구동되고 토템플로 연결된 MOS트랜지스터 및 상기 스위치 회로에 공급된 상기 구동신호의 진폭을 증가시키기 위해 상기 MOS트랜지스터의 결합점에 연결되고 클록신호에 의해 구동되는 부트스트랩 콘덴서로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 스위치 회로와 상기 출력 버퍼회로 사이에 삽입되어 상기 스위치 회로가 오프된 후에라도 상기 스위치 회로를 경유하여 상기 전단 출력증폭기 회로로부터 공급된 상기 출력신호를 보유시키는 래치회로로 더 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제4항에 있어서, 상기 래치회로가 게이트와 드레인에서 서로 교차 결합된 한쌍의 구동 트랜지스터및 상기 구동 트랜지스터의 드레인에 연결된 한쌍의 부하수단을 가지는 플립플롭회로로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 전단 출력증폭기 회로가 게이트와 드레인에서 상호 교차 결합된 한쌍의 구동 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터의 드레인에 연결된 한쌍의 부하 트랜지스터, 및 선택된 메모리 셀로부터 독출신호를 수신하기 위한 데이타버스와 상기 부하트랜지스터의 게이트 사이에 삽입된 한쌍의 입력트랜지스터로 구성되며, 상기 전단 출력증폭기가 상기 부하 트랜지스터의 드레인에 클록신호를 인가함으로써 활성화되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 전단 출력증폭기 회로의 상기 출력신호가 한쌍의 보상 데이타 신호를 포함하고 상기 스위치 회로가 상기 쌍의 보상 데이타 신호를 스위치시키는 한쌍의 MOS트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 장치.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58-2273722 | 1983-12-01 | ||
JP58227372A JPS60119698A (ja) | 1983-12-01 | 1983-12-01 | 半導体メモリ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR850004685A true KR850004685A (ko) | 1985-07-25 |
KR910003596B1 KR910003596B1 (en) | 1991-06-07 |
Family
ID=16859768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR8407596A KR910003596B1 (en) | 1983-12-01 | 1984-12-01 | Output circuit of semiconductor memory device drived with high speed clock signal |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4653027A (ko) |
EP (1) | EP0144223B1 (ko) |
JP (1) | JPS60119698A (ko) |
KR (1) | KR910003596B1 (ko) |
DE (1) | DE3482073D1 (ko) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62165785A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-07-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JPS63113892A (ja) * | 1986-10-30 | 1988-05-18 | Nec Corp | 出力回路 |
FR2607955B1 (fr) * | 1986-12-05 | 1989-02-10 | Eurotechnique Sa | Dispositif d'autosynchronisation des circuits de sortie d'une memoire |
JPH01140494A (ja) * | 1987-11-26 | 1989-06-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置の出力バッファ回路 |
JPH0752583B2 (ja) * | 1987-11-30 | 1995-06-05 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ |
JPH0438793A (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-07 | Toshiba Corp | データ転送制御回路およびこれを用いたダイナミック型半導体記憶装置 |
JPH04121893A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
KR930008311B1 (ko) * | 1990-12-28 | 1993-08-27 | 삼성전자 주식회사 | 센스 앰프의 출력 제어회로 |
KR940007639B1 (ko) * | 1991-07-23 | 1994-08-22 | 삼성전자 주식회사 | 분할된 입출력 라인을 갖는 데이타 전송회로 |
US9438234B2 (en) * | 2014-11-21 | 2016-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device including logic circuit |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3969706A (en) * | 1974-10-08 | 1976-07-13 | Mostek Corporation | Dynamic random access memory misfet integrated circuit |
JPS5920193B2 (ja) * | 1977-08-17 | 1984-05-11 | 三菱電機株式会社 | スタテイックランダムアクセスメモリの出力バッファ回路 |
US4250412A (en) * | 1979-03-05 | 1981-02-10 | Motorola, Inc. | Dynamic output buffer |
JPS5625290A (en) * | 1979-08-07 | 1981-03-11 | Nec Corp | Semiconductor circuit |
JPS56101694A (en) * | 1980-01-18 | 1981-08-14 | Nec Corp | Semiconductor circuit |
US4603403A (en) * | 1983-05-17 | 1986-07-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Data output circuit for dynamic memory device |
-
1983
- 1983-12-01 JP JP58227372A patent/JPS60119698A/ja active Granted
-
1984
- 1984-11-30 DE DE8484308327T patent/DE3482073D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1984-11-30 EP EP84308327A patent/EP0144223B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-12-01 KR KR8407596A patent/KR910003596B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-12-03 US US06/677,580 patent/US4653027A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0144223A2 (en) | 1985-06-12 |
EP0144223A3 (en) | 1986-10-08 |
EP0144223B1 (en) | 1990-04-25 |
US4653027A (en) | 1987-03-24 |
KR910003596B1 (en) | 1991-06-07 |
DE3482073D1 (de) | 1990-05-31 |
JPS60119698A (ja) | 1985-06-27 |
JPH0378713B2 (ko) | 1991-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920005488A (ko) | 데이타 출력버퍼 | |
KR950035078A (ko) | 플립플롭 회로 | |
JPS6437797A (en) | Eprom device | |
KR950015380A (ko) | 반도체 메모리장치의 워드라인구동회로 | |
KR850003610A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR890010909A (ko) | 반도체 메모리 회로 | |
KR940016262A (ko) | 반도체메모리장치 | |
KR860006876A (ko) | 반도체 장치 | |
KR910013734A (ko) | 잡음 허용 입력 버퍼 | |
JPS62500063A (ja) | 電子信号の立上り時間改良用補助回路 | |
KR920000076A (ko) | 스테이틱형 ram | |
KR870009386A (ko) | 반도체 감지증폭기 | |
KR850004685A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR890010906A (ko) | 스태틱 ram의 출력회로 | |
KR910001746A (ko) | 메모리 소자내의 센스 앰프 드라이버 | |
KR850003613A (ko) | 짧은 순환시간 주기를 갖는 다이나믹 랜돔 억세스 메모리 | |
KR890008826A (ko) | 다이나믹 랜덤 액세스 메모리에 있어서의 센스앰프 구동장치 및 센스앰프 구동방법 | |
KR850008563A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
EP0085436B1 (en) | Buffer circuits | |
KR890013902A (ko) | 디코오더 회로 | |
KR950001767A (ko) | 반도체집적회로의 데이타 입출력선 센싱회로 | |
KR860004380A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
KR900019040A (ko) | 다이나믹형 랜덤억세스메모리 | |
KR880009375A (ko) | 씨모오스 어드레스 버퍼 | |
KR850002641A (ko) | 시프트 레지스터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20040524 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Expiration of term |