KR840008380A - 저밀도 실리콘 발포 조성물 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (36)
- 폴리디오가노실록산 기본 궁합체물 함유하는 발포성 실리콘 조성물을, 하기 일반식(V) 유니트 및 유니트 및 하기 구조식(VI) 유니트로 이루어진 공중합체(여기서, 유니트 V와 유니트 VI과의 비는 약 0.25 내지 약 0.8:1이다), 및 하기 일반식(V) 유니트, 하기 구조식(VI) 유니트 및 하기 일반식(VI) 유니트로 이루어진 공중합체(여기서, 1작용성 유니트와 4작용성 유니트와의 비는 약 0.25 내지 약 0.8:1이며, 2작용성 유니트와 4작용성 유니트와의 비는 0 내지 약 0.l:1이다)로부터 선택된 수지성 공중합체의 유효량(이는, 발포체의 밀도를 감소시키기에 유효한 량)과 혼합시킴을 특징으로 하여, 저밀도의 실리콘 발포체를 제조하는 방법:상기식에서, R 및 R1은 알킬라디칼, 아릴라디칼, 아르알킬라디칼, 알크아릴라디칼, 시클로알킬라디칼, 비닐라디칼, 알릴라디칼 및 플루오로알킬라디칼이다.
- 제1항에 있어서, 언급된 폴리디오가노실록산 기본중합체가, 분자당 평균 1.0 내지 2.5개 이상의 실리콘-결합된 히드록실 라디칼을 가지며, 라디칼당 1 내지 6개의 탄소원자를 갖는 알칼라디칼, 페닐라디칼 및 3,3,3-트리플루오로프로필라디칼로부터 선택된 유기라디칼을 실리콘원자당 평균 1개이상 갖는 히드록실화된 오가노실록산인 방법.
- 제1항에 있어서, 언급된 폴리디오가노실록산 기본중합체가 비닐-함유 오가노실록산이며; 언급된 오가노그룹이, 언급된 중합체의 비닐함량이 0.0002 내지 3중량%, 이의 25℃에서의 점도가 100 내지 1,000,000센티포이즈가 되도록 탄소수 1 내지 8의 알킬라디칼, 아릴라디칼, 비닐라디칼 및 탄소수 3 내지 8의 플루오로알킬라디칼로부터 선택된 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 언급된 수지성 공중합체가, (CH3)3SiO0.5및 SiO2유니트로 이루어진 공중합체; (CH3)3SiO0.5, SiO2및 (CH3)|2SiO 유니트로 이루어진 공중합체; (CH3)3SiO0.5, SiO2및 (CH3)(CH2=CH) SiO 유니트로 이루어진 공중합체; (CH3)3SiO0.5, SiO2및 (CH2=CH)2SiO 유니트로 이루어진 공궁합체; 및 이들의 혼합물로부터 선택된 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 언급된 1작용성 유니트가 하기 구조식(III)을 가지며, 언급된 2작용성 유니트가 하기구조식(IV)를 가지는 방법:
- 분자당 평균 3개이상의 실리콘 결합된 수소원자, 실리콘 윈자당 평균 1개 이하의 실리콘-결합된 수소원자, 및 라디킬딩 1 내지 6개의 탄소원자를 갖는 알킬라디칼, 페닐 및 3,3,3-트리플루오로프로필로부터 선택된 유기라디칼을 갖는 오가노하이드로겐실록산; 분자당 평균 1.0 내지 2.5개 이상의 실리콘-결합된 히드록실 라디칼을 가지며, 라디칼당 1 내지 6개의 탄소원자를 갖는 알킬라디칼, 페닐 및 3,3,3- 트리플루오로프로필로부터 선택된 유기라디칼을 실리콘원자당 평균 1개 이상 갖는 히드록신하된 오가노실록산; 조성물 1,000,000중량부당 5 내지 200중량부의 플라티늄을 제공할 수 있는 양의 플라티늄촉매; 및, 하기 알반식(V) 유니트 및 하기 구조식(VI) 유니트로 이루어진 공중합체(여기서, 유니트 V와 유니트 VI과의 비는 약 0.25 내지 약 0.8:1 이다), 및 하기 일반식(V) 유니트, 하기 구조식(VI) 유니트 및 하기 일반식(VII) 유니트로 이루어진 공중합체(여기서, 유니트 V와 유니트 VI과의 비는 약 0.25 내지 약 0.8:1이고, 유니트 VII과 유니트 VI과의 비는 0 내지 약 0.1:1 이다)로부터 선택된 수지성 공중합체를 혼합시켜 혼합물 (단, 언급된 오가노하이드로겐실록산 및 언급된 히드록실화된 오가노신록산은, 실리콘-결합된 수소원자와 실리콘-결합된 히드록실 라디칼과의 몰비가 2.5 내지 40:1 이 되도록 하기에 충분한 양으로 존재하며, 혼합물의 25℃에서의 점도는 100,000cs. 미만이다)을 제조하고, 이것을 발포시켜 저-밀도의 실리콘 발포체를 제조하는 방법:상기식에서, R 및 R1은 알킬라디칼, 아릴라디칼, 아르알킬라디칼, 알그아릴라디칼, 시클로알킬라디칼, 비닐라디칼, 알릴라디칼 또는 플루오로알킬라디칼이다.
- 하기 일반식(I)의 기본 비닐-함유중합체 100중량부; 충진제 0 내지 200중량부; 100 내지 15,000중량ppm의 물; 하기 일반식(II)의 수소화중합체(이의 수소함량은 0.3 내지 1.6중량% 이며, 물 1몰당 0.2몰 이상의 SiH가 존재한다) 1 내지 50중량부; 플라티늄촉매 1 내지 250ppm; 및, 하기 일반식(V) 유니트 및 하기 구조식(VI) 유니트로 이루어진 공중합체(유니트 V와 유니트 VI과의 비는 약 0.25 내지 약 0.8:1 이다), 및 하기 일반식(V) 유니트, 하기 구조식(VI) 유니트 및 하기 일반식(VII) 유니트로 이루어진 공중합체(유니드 V와 유니트 VI과의 비는 약 0.25 내지 약 0.8:1 이고, 유니트 VII과 유니트 VI과의 비는 0 내지 약 0.1:1 이다)로부터 선택된 수지성 공중합체를 혼합시킴을 특징으로 하여, 저-밀도의 실리콘발포치를 제조하는 방법.상기식에서, R 및 R1은 중합체가 0.0002 내지 3중량%의 비닐을 함유하도록, 탄소수 1 내지 8의 알킬라디칼, 아릴라디칼, 비닐라디칼, 알크아릴라디칼, 시콜로알킬라디칼 및 탄소수 3 내지 8의 플루오로알킬라디칼로부터 선택되며[단, 일반식(VII) 및 (V)에서의 R 및 R1은 알킬라디칼, 아릴라디칼, 아르알킬라디칼, 알크아릴라디칼, 시클로알킬라디칼, 비닐라디칼, 알릴라디칼 또는 플루오로알킬라디칼이다], x는 중합체의 25℃에서의 점도가 100 내지 1,000,000센티포이즈가 되도록 변화하며, R2는 수소, 탄소수 1 내지 8의 알킬라디칼, 아릴라디칼 또는 탄소수 3 내지 8의 플루오로알킬 라디칼이고 R3는 탄소수 8 이하의 알킬라디칼 또는 아릴라디칼이며, y는 중합체의 25℃에서의 점도가 5 내지 100센티포이그가 되도록 변화한다.
- 제1항에 있어서, 보강충진제 및 중량충진제로부터 선택된 충진제가 200중량부 이하로 존재하는 방법.
- 제6항에 있어서, 보강충진제 및 중량충진제로부터 선택된 충진제가 200중량부 이하로 존재하는 방법.
- 제1항에 있어서, 0.01 내지 10중량부의 카본블랙이 존재하는 방법.
- 제6항에 있어서, 0.01 내지 10중량부의 카본블랙이 존재하는 방법.
- 제7항에 있어서, 0.01 내지 10중량부의 카본블랙이 존재하는 방법.
- 제1항이 있어서, 폴리메틸비닐실록산 환형화합물 및 아세틸렌계 알콜로부터 선택된 촉매억제제가 존재하는 방법.
- 제6항에 있어서, 폴리메틸비닐실록산 환형화합물 및 아세틸렌계 알콜로부터 선택된 촉매억제제가 존재하는 방법.
- 제7항에 있어서, 폴리메틸비닐실록산 환형화합물 또는 아세틸렌계 알콜로부터 선택된 촉매억제제가 존재하는 방법.
- 제1항에 있어서, 혼합물의 25℃에서의 점도가 25,000센티포이즈 미만인 방법.
- 제6항에 있어서, 혼합물의 25℃에서의 점도가 25,000센티포이즈 미만인 방법.
- 제7항에 있어서, 혼합물의 25℃에서의 점도가 25,000센티포이즈 미만인 방법.
- 폴리디오가노실록산 기본 중합체; 오가노하이드로겐실록산; 플라티늄 촉매;및, 하기 일반식(V)유니트 및 하기 구조식(VI) 유니트로 이루어진 공중합체(여기서, 유니트 (V)와 유니트 (VI)와의 비는 약 0.25 내지 약 0.8:1 이다), 및 하기 일반식(V) 유니트, 하기 구조식(VI) 유니트및 하기 일반식(VII) 유니트로 이루어진 공궁합체(여기서, 유니트 V와 유니트 VI과의 비는 약 0.25 내지 약 0.8:1이고, 유니트 VII와 유니트 VI와의 비는 0 내지 약 0.1:1 이다)로 부터 선택된 수지성 공중합체의 유효량(발포체의 밀도를 감소시키기에 유효한 량)으로 이루어진 실리콘 발포 조성물:상기식에서, R 및 R1은 알킬라디칼, 아릴라디칼, 아르알킬라디칼, 비닐라디칼, 알릴라디칼 또는 플루오로알킬라디칼이다.
- 제19항에 있어서, 언급된 폴리디오가느실록산 기본중합체가, 분자당 평균 1.0 내지 2.5개 이상의 실리콘-결합된 히드록실 라디칼을 가지며, 라디칼당 1 내지 6개의 탄소를 갖는 알킬라디칼, 페닐 및 3,3,3-트리플루오로프로필 라디칼로부터 선택된 유기 라디칼을 실리콘 원자당 평균 1개 이상 갖는 히드록실화된 오가노실록산인 조성물.
- 제19항에 있어서, 언급된 폴리디오가노실록산 기본중합체가 비닐-함유 오가노실록산이며; 언급된 오가노 그룹이, 언급된 중합체의 비닐함량이 0.0002 내지 3중량%, 이의 25℃에서의 점도가 100 내지 1,000,000 센티포이즈가 되도록, 탄소수 1 내지 8의 알킬라디칼, 아릴라디칼, 비닐라디칼 및 탄소수 3 내지 8의 플루오로알킬 라디칼로부터 선택된 것인 조성물.
- 제19항에 있어서, 언급된 수지성 공중합체가, (CH3)3SiO0.5및 SiO2유니트로 이루어진 공중합체; (CH3)3SiO0.5, SiO2및 (CH3)2SiO 유니트로 이루어진 공중합체; (CH3)3SiO0.5, SiO2및 (CH3)(CH2=CH)SiO 유니트로 이루어진 공중합체; (CH3)3SiO0.5,SiO2및 (CH2=CH)2SiO 유니트로 이루어진 공중합체; 및 이들의 혼합물로부터 선택된 것인 조성물.
- 제19항에 있어서, 언급된 1작용성 유니트가 하기 구조식(III)을 가지며, 언급된 2작용성 유니트가 하기 구조식(IV)을 갖는 조성물.
- 분자당 평균 3개 이상의 실리콘-결합된 수소원자, 실리콘 원자당 평균 1개 이하의 실리콘-결합된수소원자, 및 라디칼당 1 내지 6개의 탄소원자를 갖는 알킬라디칼, 페닐 및 3,3,3-트리플루오로프로필로부터 선택된 유기라디칼을 갖는 오가노하이드로겐 실록산; 분자당 평균 1.0 내지 2.5개의 실리콘-결합된 히드록실 라디칼을 가지며, 라디칼당 1내지 6개의 탄소원자를 갖는 알킬라디칼, 페닐 및 3,3,3-트리플루오로프로필로부터 선택된 유기라디칼을 실리콘 원자당 평균 1개 이상 갖는 히드록실화된 오가노실록산; 조성물 1,000,000중량부당 5 내지 200중량부의 플라티늄을 제공할 수 있는 양의 플라티늄촉매; 및, 하기 일반식(V) 유니트 및 하기 구조식(VI) 유니트로 이루어진 공중합체(여기시, 유니드 V와 유니드 VI과의 비는 약 0.25 내지 약 0.8:1 이다), 및 하기 일반식(V)유니트, 하기 구조식(VI) 유니트 및 하기일반식(VII) 유니트로 이루어진 공중압체(여기서, 유니트 V와 유니트 VI과의 비는 약 0.25 내지 약 0.8:1이며, 유니트 VII과 유니트 VI과의 비는 0 내지 약 0.1:1 이다)로부터 선택된 수지성 공중합체로 이루어지며, 언급된 오가노하이드로겐실록산과 언급된 히드록실화된 오가노실록산이, 실리콘-결합된 수소원자와 실리콘-결합된 히드록실 라디칼과의 몰비가 2·5 내지 40:1이 되도록 하기에 충분한 양으로 존재하는, 25℃에서의 점도가 1000,000cs. 미만인 실리콘 발포조성물:상기식에서, R 및 R1은 알킬라디칼, 아릴라디칼, 아르알킬라디칼, 알크아릴라디칼, 시클로알킬라디칼, 비닐리디칼, 알릴라디칼 또는 플루오로알킬라디칼이다.
- 하기 일반식(I)의 기본 비닐-함유 중합체 100중량부; 충진제 0 내지 200중량부; 100 내지 15,000중량 ppm의 물; 하기 일반식(II)의 수소화 중합체(이의 수소함량은 0.3 내지 1.6중량%이며, 물 l몰당 0.2몰 이상의 SiH가 존재한다) 1 내지 50중량부; 1 내지 250ppm의 플라티늄 촉매; 및 하기 일반식(V) 유니트 및 하기 구조식(VI) 유니트로 이루어진 공중합체(유니트 V와 유니트 VI과의 비는 약 0.25 내지 약 0.8:1 이다), 및 하기 일반식(V) 유니트, 하기 구조식(VI) 유니트 및 하기 일반식(VII) 유니트로 이루어진 공중합체(유니트 V와 유니트 VI과의 비는 약 0.25 내지 약 0.8:l이고, 유니트 VII과 유니트 VI과의 비는 0 내지 약 0.1:l 이다)로부터 선택된 수지성 공중합체 유효량(실리콘 발포체의 밀도를 감소시키기에 유효한 양)으로 이루어진 실리큰 발포조성물:상기식에서, R 및 R1은 중합체의 비닐함량이 0.0002 내지 3중량%가 되도록, 탄소수 1 내지 8의 알킬라디칼, 아릴라디칼, 비닐라디칼 및 탄소수 3 내지 8의 플루오로알킬라디칼로부터 선택되며 [단, 일반식(VII) 및 (V)에서의 R 및 R1은 알킬라디칼, 아릴라디칼, 아르알킬라디칼, 알크아릴라디칼, 시클로알킬라디칼, 비닐라디칼, 알릴라디칼 또는 플루오로알킬라디칼이다], x는 중합체의 25℃에서의 점도가 100 내지 1,000,000센티포이즈가 되도록 변화하고, R2는 수소, 탄소수 1 내지 8의 알킬라디칼, 아릴라디칼 또는 탄소수 3내지 8의 플루오로알킬 라디칼이며 R3는 탄소수 8이하의 알킬라디칼 또는 아릴라디칼이고, y는 중합체의 25℃에서의 점도가 5 내지 100센티포이그가 되도록 변화한다.
- 제19항에 있어서, 보강충진제 및 중량충진제로부터 선택된 충진제가 200중량부 이하로 존재하는 조성물.
- 제24항에 있어서, 보강충진제 및 중량충진제로부터 선택된 충진제가 200중량부 이하로 존재하는 조성물.
- 제19항에 있어서, 0.01 내지 10중량부의 카본블랙이 존재하는 조성물.
- 제24항에 있어서, 0.01 내지 10중량부의 카본블랙이 존재하는 조성물.
- 제25항에 있어서, 0.01 내지 10중량부의 카본블랙이 존재하는 조성물.
- 제19항에 있어서, 폴리메틸비닐실록산 환형화합물 및 아세틸렌계 알콜로부터 선택된 촉매억제제가 존재하는 조성물.
- 제24항에 있어서, 폴리메틸비닐실록산 환형화합물 및 아세틸렌계 알콜로부터 선택된 촉매억제제가 존재하는 조성물.
- 제25항에 있어서, 폴리메틸비닐실록산 환형화합물 및 아세틸렌계 알콜로부터 선택된 촉매억제제가 존재하는 조성물.
- 제19항에 있어서, 25℃에서의 점도가 25,000센티포이즈 미만인 조성물.
- 제24항에 있어서, 25℃에서의 점도가 25,000 센티포이즈 미만인 조성물.
- 제25항에 있어서, 25℃에서의 점도가 25,000센티포이그 미만인 조성물.※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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