KR840007803A - 반도체 레이더 장치 - Google Patents

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KR840007803A
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semiconductor laser
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film
dielectric
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KR1019840000540A
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요시미스(외 3) 사사기
Original Assignee
미쓰다 가쓰시게
가부시기 가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 레이더 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도, 제4도, 제5도, 제7도는 각각 본 발명의 실시예를 도시한 반도체 레이저 장치의 단면도.

Claims (12)

  1. 2개의 공진기 단면중, 적어도 한쪽의 단면중, 적어도 한쪽의 단면에는, 제1의 유전체층과 제2의 유전체층이 차례로 적층된 1조를 적어도 가지며, 상기 제1의 유전체층의 굴절율은 상기 제2의 유전체층의 굴절을 보다도 적게 선택된 반도체 레이저 장치에 있어서, 상기 제2의 유전체층이 실리콘 수소와를 필수의 구성원소로 하는 비정질물로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  2. 상기 제1 및 제2의 유전체층의 적층체에 의해서 공진기의 이 단면의 반사율을 향상시켜서 되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항의 반도체 레이저 장치.
  3. 해당 레이저의 발진파장을 )로 하고, 각각의 유전체층의 물절율을 n1, n2로 할때, 상기 제1 및 제2의 유전체층의 두께는 각각 실질적으로 λ/4n1, λ/4n2로 되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항의 반도체 레이저 장치.
  4. 실리콘과 수소를 필수의 구성원소로 하는 상기 비정질물은 조성이 Si-xHx(단 0.002≤X≤0.4)로 되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항의 반도체 레이저 장치.
  5. 실리콘과 수소를 필수의 구성원소로 하는 상기 비정질물은 조성이 Si-xHx(단 0.003≤X≤0.4)로 되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항의 반도체 레이저 장치.
  6. 2개의 공진기 단면층의 다른 단면에 단면 반사율을 저하시키는 유전체층을 가지고 있는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항, 제2항, 제3항, 제4항 또는 제5항기재의 반도체 레이저 장치.
  7. 상기, 단면 반사율을 저하시키는 유전체층의 두께는 해당 레이저의 발진 파장을 λ, 해당 유전체층의 굴절율을 n′로 하였을때, 실질으로 λ/4n′로 되는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제6항의 반도체 레이저 장치.
  8. 상기 제1및 제2의 유전체층의 적층이 다수개 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 특허청구의 범위 제1항, 제2항, 제3항, 제4항, 제5항 또는 제6항 기재의 반도체 레이저 장치.
  9. 반도체 레이저의 발광출력을 취출하는 2개의 단면에 유전체막을 가진 반도체 레이저에 있어서, 한쪽의 단면에 낮은 굴절율의 제1의 유전체막을 막의두께 λ/4n1(n1; 굴절율), 높은 굴절율의 제3의 유전체막을 막의 두께 λ/4n2(n2; 굴절율), 낮은 굴절율의 제3의 유전체막을 막의 두께 λ/4n3(n3; 굴절율), 높은 굴절율의 제4의 유전체막을 막의두께 λ/4n4(n4; 굴절율)을 차례로 적층하고, 다른쪽의 단면에 레이저의 발진파장을 λ로 하였을때, λ/4n5(n5; 굴절율)의 막의 두께를 가진 제5의 유제체막을 피복한 구조를 갖는 것을 특징으로한 반도체 레이저 장치(단, n5,n1,n3,n2,n4).
  10. 특허청구의 범위 제9항 기재의 반도체 레이저 소자에 있어서, 제4의 유전체막 위에 또, 제6의 유전체막을 막의 두께 λ/20n6∼λ/2n6(n6; 굴절율) 피복한 구조를 가진 것을 특징으로한 반도체 레이저 장치.
  11. 특허청구의 범위 제10항 기재의 반도체 레이저 소자에 있어서, 상기 제6의 유전체막이 SiO2막 또는 Al2O3막 또는 Si3N4막으로된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
  12. 특허청구의 범위 제9항 기재의 반도체 레이저 소자에 있어서, 상기 제5 및 제1, 제3의 유전체막이 SiO2막 또는, Al2O3막 또는 Si3N4막, 제2 및 제4의 유전체막이 수소를 포함한 비정질 Si막으로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019840000540A 1983-02-09 1984-02-06 반도체 레이더 장치 KR840007803A (ko)

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