KR20240066162A - 유리 블록 및 그의 제조 방법 그리고 반도체 제조 장치용 부재 - Google Patents
유리 블록 및 그의 제조 방법 그리고 반도체 제조 장치용 부재 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20240066162A KR20240066162A KR1020247008437A KR20247008437A KR20240066162A KR 20240066162 A KR20240066162 A KR 20240066162A KR 1020247008437 A KR1020247008437 A KR 1020247008437A KR 20247008437 A KR20247008437 A KR 20247008437A KR 20240066162 A KR20240066162 A KR 20240066162A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- less
- mol
- content
- glass block
- preferable
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 185
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 17
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 13
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 claims description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 9
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 7
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- -1 and in mol% Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006124 Pilkington process Methods 0.000 description 1
- 229910004530 SIMS 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003280 down draw process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N francium atom Chemical compound [Fr] KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B25/00—Annealing glass products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B5/00—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture
- C03B5/16—Special features of the melting process; Auxiliary means specially adapted for glass-melting furnaces
- C03B5/235—Heating the glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
- C03C3/066—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron containing zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
- C03C3/068—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron containing rare earths
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/078—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing an oxide of a divalent metal, e.g. an oxide of zinc
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
- C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
- C03C3/087—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal containing calcium oxide, e.g. common sheet or container glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
- C03C3/093—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/095—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing rare earths
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/097—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing phosphorus, niobium or tantalum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/11—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing halogen or nitrogen
- C03C3/112—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing halogen or nitrogen containing fluorine
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
본 발명은, 내플라스마성 및 투명성이 우수한 유리 블록을 제공한다. 본 발명의 유리 블록은, Si와 Mg 및 Ca의 적어도 어느 것을 함유하고, 몰%로, B2O3가 49.0% 이하, P2O5가 11.5% 이하, a(=SiO2+B2O3+P2O5+GeO2)가 10.0 내지 59.5%, a+Al2O3가 66.5% 이하, Ga2O3가 7.0% 이하, b(=Al2O3+Ga2O3+In2O3)/a가 0.44 이하, R2O가 20.0% 이상(R2: 알칼리 토류 금속), MgO가 50.0% 이하, MgO≥BaO, CaO≥BaO, SrO≥BaO, MgO≥SrO, CaO≥SrO, R1 2O가 1.2% 이하(R1: 알칼리 금속), TiO2 또는 ZrO2가 4.8% 이하, MnO2가 9.5% 이하, ZnO가 11.8% 이하, Ta2O5/SiO2가 0.067 이하, 불순물 원소가 15.0% 이하, F/O가 0.20 이하이다.
Description
본 발명은, 유리 블록 및 그의 제조 방법 그리고 반도체 제조 장치용 부재에 관한 것이다.
반도체 제조 장치에 사용되는 부재는, 반도체 제조 장치의 가동 중에, 종종, 플라스마에 노출되어, 점차 소모된다. 소모가 진행된 부재는, 신품과 교체된다.
근년, 반도체 제조 장치에 의해 제조되는 제품의 고층화 및 복잡화에 수반하여, 부재가 노출되는 플라스마 환경은 점점 가혹화되고, 그 경우, 부재를 교체할 필요가 빈번히 발생한다.
그러나, 부재의 교체 중에는, 반도체 제조 장치를 가동할 수 없다. 이 때문에, 부재의 교체 빈도가 증가하면, 제품의 생산 효율이 저하된다.
따라서, 반도체 제조 장치에 사용하는 부재에는, 더 한층의 장수명화가 요구된다. 즉, 양호한 내플라스마성이 요구된다.
반도체 제조 장치로서는, 예를 들어 플라스마 에칭 장치를 들 수 있다.
플라스마 에칭 장치에는, 천장판(컨덕터형), 마이크로파 도입 튜브, 리프트 핀, 각종 노즐, 에지 링, 정전 척, 샤워 플레이트 및 챔버 내 센서의 보호 커버 등의 부재가 탑재된다.
이들의 부재로서, 종래, 코디에라이트질 소결체 등의 소재가 사용되고 있다(특허문헌 1 참조).
예를 들어 반도체 제조 장치의 창재(장치의 외부에서 내부를 들여다보기 위한 부재)로서 사용되는 소재에는, 양호한 내플라스마성 이외에, 양호한 투명성도 요구된다.
본 발명은, 이상의 점을 감안하여 이루어진 것이고, 내플라스마성 및 투명성이 우수한 소재를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 하기 구성을 채용함으로써, 상기 목적이 달성되는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은 이하의 구성을 포함한다.
[1] 규소와, 마그네슘 및 칼슘의 적어도 어느 것을 함유하고, 알칼리 금속 원소를 R1, 알칼리 토류 금속 원소를 R2라 했을 때에, 산화물 기준의 몰 백분율 표시로, B2O3의 함유량이 49.0몰% 이하이고, P2O5의 함유량이 11.5몰% 이하이고, SiO2, B2O3, P2O5 및 GeO2의 함유량의 합계가 10.0몰% 이상 59.5몰% 이하이고, SiO2, B2O3, P2O5, GeO2 및 Al2O3의 함유량의 합계가 66.5몰% 이하이고, Ga2O3의 함유량이 7.0몰% 이하이고, Al2O3, Ga2O3 및 In2O3의 함유량의 합계 b와, SiO2, B2O3, P2O5 및 GeO2의 함유량의 합계 a의 비 b/a가 0.44 이하이고, R2O의 함유량이, 20.0몰% 이상이며, MgO의 함유량이, 50.0몰% 이하이며, MgO의 함유량이 BaO의 함유량 이상이고, CaO의 함유량이 BaO의 함유량 이상이고, 또한, SrO의 함유량이 BaO의 함유량 이상이고, MgO의 함유량이 SrO의 함유량 이상이고, 또한, CaO의 함유량이 SrO의 함유량 이상이고, R1 2O의 함유량이 1.2몰% 이하이고, TiO2 또는 ZrO2의 함유량이 4.8몰% 이하이고, MnO2의 함유량이 9.5몰% 이하이고, ZnO의 함유량이 11.8몰% 이하이고, Ta2O5의 함유량과 SiO2의 함유량의 비 Ta2O5/SiO2가 0.067 이하이고, 불순물 원소의 산화물 환산의 함유량이 15.0몰% 이하이고, 단, 상기 불순물 원소는 규소, 붕소, 인, 게르마늄, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 알칼리 토류 금속 원소, 이트륨, 알칼리 금속 원소, 티타늄, 지르코늄, 망간, 아연 및 탄탈을 제외한 금속 원소이고, 불소의 함유량 F와 산소의 함유량 O의 비 F/O가 0.20 이하인, 유리 블록.
[2] 상기 [1]에 기재된 유리 블록을 제조하는 방법이며, 유리 원료를 가열함으로써 용융시켜, 얻어진 용융 유리를 성형하고, 서랭하는, 유리 블록의 제조 방법.
[3] 상기 [1]의 유리 블록을 포함하는, 반도체 제조 장치용 부재.
본 발명에 따르면, 내플라스마성 및 투명성이 우수한 소재를 제공할 수 있다.
본 발명에 있어서의 용어의 의미는, 이하와 같다.
「내지」를 사용하여 표시되는 수치 범위는, 「내지」의 전후에 기재되는 수치를 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.
또한, 본 명세서에 있어서, 「질량」은 「중량」과 동일한 의미이다.
[유리 블록]
본 발명의 유리 블록은, 규소와, 마그네슘 및 칼슘의 적어도 어느 것을 함유하고, 알칼리 금속 원소를 R1, 알칼리 토류 금속 원소를 R2라 했을 때에, 산화물 기준의 몰 백분율 표시로, B2O3의 함유량이 49.0몰% 이하이고, P2O5의 함유량이 11.5몰% 이하이고, SiO2, B2O3, P2O5 및 GeO2의 함유량의 합계가 10.0몰% 이상 59.5몰% 이하이고, SiO2, B2O3, P2O5, GeO2 및 Al2O3의 함유량의 합계가 66.5몰% 이하이고, Ga2O3의 함유량이 7.0몰% 이하이고, Al2O3, Ga2O3 및 In2O3의 함유량의 합계 b와, SiO2, B2O3, P2O5 및 GeO2의 함유량의 합계 a의 비 b/a가 0.44 이하이고, R2O의 함유량이 20.0몰% 이상이고, MgO의 함유량이 50.0몰% 이하이고, MgO의 함유량이 BaO의 함유량 이상이고, CaO의 함유량이 BaO의 함유량 이상이고, 또한, SrO의 함유량이 BaO의 함유량 이상이고, MgO의 함유량이 SrO의 함유량 이상이고, 또한, CaO의 함유량이 SrO의 함유량 이상이고, R1 2O의 함유량이 1.2몰% 이하이고, TiO2 또는 ZrO2의 함유량이 4.8몰% 이하이고, MnO2의 함유량이 9.5몰% 이하이고, ZnO의 함유량이 11.8몰% 이하이고, Ta2O5의 함유량과 SiO2의 함유량의 비 Ta2O5/SiO2가 0.067 이하이고, 불순물 원소의 산화물 환산의 함유량이 15.0몰% 이하이고, 단, 상기 불순물 원소는 규소, 붕소, 인, 게르마늄, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 알칼리 토류 금속 원소, 이트륨, 알칼리 금속 원소, 티타늄, 지르코늄, 망간, 아연 및 탄탈을 제외한 금속 원소이고, 불소의 함유량 F와 산소의 함유량 O의 비 F/O가 0.20 이하이다.
이하, 유리 블록을 단순히 「유리」라고도 하고, 본 발명의 유리 블록을 「본 유리 블록」 또는 「본 유리」라고도 한다.
본 유리 블록은, 내플라스마성이 우수하다. 이것은, 상기 구성을 채용함으로써, 플라스마 조사에 의해 열화되는 속도가 저감되기 때문이라고 추측된다.
또한, 본 유리 블록은, 투명성이 우수하다. 이것은, 상기 구성을 채용함으로써, 결정화가 억제되거나 함으로써 이상(異相)의 생성이 억제되기 때문이라고 추측된다.
여기서, 이상으로서는, 결정상 이외에, 콜로이드상 금속, 세라믹스 입자 등을 들 수 있다.
즉, 본 유리 블록은, 투명성이 우수하다는 이유에서, 이들의 이상(결정상, 콜로이드상 금속, 세라믹스 입자 등)을 포함하지 않는 것이 바람직하다.
또한, 반도체 제조 장치에 있어서, 플라스마에 노출되는 환경에서 사용되는 종래의 투명 부재로서는, 예를 들어 석영제의 부재를 들 수 있다.
그러나, 석영은, 내플라스마성이 불충분하다.
이에 비해, 본 유리 블록은, 내플라스마성 및 투명성이 모두 우수하다.
이하, 본 유리 블록에 대해서, 상세하게 설명한다.
먼저, 이하에서는, 본 유리 블록의 조성(유리 조성)을 설명한다. 즉, 본 유리 블록이 함유할 수 있는 원소의 함유량(산화물 기준의 몰 백분율 표시)에 대하여 설명한다.
<Si, B, P 및 Ge>
본 유리 블록은, 규소(Si)를 함유한다.
본 유리 블록은, 또한, 붕소(B), 인(P) 및 게르마늄(Ge)을 함유해도 된다.
《SiO2》
본 유리 블록의 SiO2의 함유량은, 17.0몰% 이상 59.5몰% 이하의 범위인 것이 바람직하다.
본 유리 블록의 투명성이 보다 우수하다는 이유에서, SiO2의 함유량은 17.0몰% 이상이 바람직하고, 22.0몰% 이상이 보다 바람직하고, 27.0몰% 이상이 더욱 바람직하고, 32.0몰% 이상이 보다 더 바람직하고, 35.0몰% 이상이 특히 바람직하고, 37.0몰% 이상이 특히 더 바람직하고, 39.0몰% 이상이 매우 바람직하고, 41.0몰% 이상이 가장 바람직하다.
본 유리 블록의 내플라스마성 및 투명성이 보다 우수하다는 이유에서, SiO2의 함유량은, 59.5몰% 이하가 바람직하고, 57.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 55.0몰% 이하가 더욱 바람직하고, 53.0몰% 이하가 보다 더 바람직하고, 51.0몰% 이하가 특히 바람직하고, 49.0몰% 이하가 특히 더 바람직하고, 47.0몰% 이하가 매우 바람직하고, 45.0몰% 이하가 가장 바람직하다.
《B2O3》
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, B2O3의 함유량은 49.0몰% 이하이고, 40.0몰% 이하가 바람직하고, 30.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 20.0몰% 이하가 더욱 바람직하고, 15.0몰% 이하가 보다 더 바람직하고, 10.0몰% 이하가 특히 바람직하고, 5.0몰% 이하가 매우 바람직하고, 1.0몰% 이하가 가장 바람직하다.
B2O3의 함유량의 하한은, 제로가 바람직하다.
《P2O5》
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, P2O5의 함유량은 11.5몰% 이하이고, 9.0몰% 이하가 바람직하고, 7.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 5.5몰% 이하가 더욱 바람직하고, 4.0몰% 이하가 보다 더 바람직하고, 2.0몰% 이하가 특히 바람직하고, 1.0몰% 이하가 가장 바람직하다.
P2O5의 함유량의 하한은, 제로가 바람직하다.
《GeO2》
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, GeO2의 함유량은 5.5몰% 이하가 바람직하고, 4.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 2.0몰% 이하가 더욱 바람직하고, 1.0몰% 이하가 특히 바람직하다.
GeO2의 함유량의 하한은, 제로가 바람직하다.
<Al, Ga 및 In>
본 유리 블록은, 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 In(인듐)을 함유해도 된다.
《Al2O3》
본 유리 블록의 Al2O3의 함유량은, 0.0몰% 이상 27.5몰% 이하의 범위인 것이 바람직하다.
본 유리 블록의 투명성이 보다 우수하다는 이유에서, Al2O3의 함유량은 27.5몰% 이하가 바람직하고, 22.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 18.0몰% 이하가 더욱 바람직하고, 13.0몰% 이하가 보다 더 바람직하고, 9.0몰% 이하가 특히 바람직하고, 5.0몰% 이하가 매우 바람직하고, 1.0몰% 이하가 가장 바람직하다.
본 유리 블록에 이물이 석출하는 것을 억제하는 관점에서, Al2O3의 함유량은, 0.0몰% 이상이 바람직하고, 1.0몰% 이상이 보다 바람직하고, 2.0몰% 이상이 더욱 바람직하고, 3.0몰% 이상이 보다 더 바람직하고, 4.0몰% 이상이 특히 바람직하고, 5.0몰% 이상이 가장 바람직하다.
《Ga2O3》
본 유리 블록의 내플라스마성 및 투명성이 우수하다는 이유에서, Ga2O3의 함유량은 7.0몰% 이하이고, 3.0몰% 이하가 바람직하고, 1.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 0.5몰% 이하가 더욱 바람직하다.
Ga2O3의 함유량의 하한은, 제로가 바람직하다.
《In2O3》
본 유리 블록의 내플라스마성 및 투명성이 보다 우수하다는 이유에서, In2O3의 함유량은 5.0몰% 이하가 바람직하고, 3.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 1.0몰% 이하가 더욱 바람직하다.
In2O3의 함유량의 하한은, 제로가 바람직하다.
<a: SiO2, B2O3, P2O5 및 GeO2의 합계>
본 유리 블록의 SiO2, B2O3, P2O5 및 GeO2의 함유량의 합계(a)는, 10.0몰% 이상 59.5몰% 이하이다.
본 유리 블록의 투명성이 우수하다는 이유에서, SiO2, B2O3, P2O5 및 GeO2의 함유량의 합계 (a)는 10.0몰% 이상이고, 17.0몰% 이상이 바람직하고, 22.0몰% 이상이 보다 바람직하고, 27.0몰% 이상이 더욱 바람직하고, 32.0몰% 이상이 보다 더 바람직하고, 35.0몰% 이상이 특히 바람직하고, 37.0몰% 이상이 특히 더 바람직하고, 39.0몰% 이상이 매우 바람직하고, 41.0몰% 이상이 가장 바람직하다.
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, SiO2, B2O3, P2O5 및 GeO2의 함유량의 합계 (a)는 59.5몰% 이하이고, 57.0몰% 이하가 바람직하고, 55.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 53.0몰% 이하가 더욱 바람직하고, 51.0몰% 이하가 보다 더 바람직하고, 49.0몰% 이하가 특히 바람직하고, 47.0몰% 이하가 매우 바람직하고, 45.0몰% 이하가 가장 바람직하다.
<a+Al2O3: SiO2, B2O3, P2O5, GeO2 및 Al2O3의 합계>
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, SiO2, B2O3, P2O5, GeO2 및 Al2O3의 함유량의 합계(a+Al2O3)는 66.5몰% 이하이고, 63.0몰% 이하가 바람직하고, 60.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 57.0몰% 이하가 더욱 바람직하고, 54.0몰% 이하가 보다 더 바람직하고, 51.0몰% 이하가 특히 바람직하고, 48.0몰% 이하가 가장 바람직하다.
한편, 본 유리 블록의 투명성이 보다 우수하다는 이유에서, SiO2, B2O3, P2O5, GeO2 및 Al2O3의 함유량의 합계(a+Al2O3)는 10.0몰% 이상이 바람직하고, 17.0몰% 이상이 보다 바람직하고, 22.0몰% 이상이 더욱 바람직하다.
즉, SiO2, B2O3, P2O5, GeO2 및 Al2O3의 함유량의 합계(a+Al2O3)는 10.0몰% 이상 66.5몰% 이하의 범위가 바람직하다.
<비(b/a)>
본 유리 블록의 투명성이 우수하다는 이유에서, Al2O3, Ga2O3 및 In2O3의 함유량(단위: 몰%)의 합계 b와, SiO2, B2O3, P2O5 및 GeO2의 함유량(단위: 몰%)의 합계 a의 비(b/a)는 0.44 이하이고, 0.36 이하가 바람직하고, 0.29 이하가 보다 바람직하고, 0.22 이하가 더욱 바람직하고, 0.16 이하가 보다 더 바람직하고, 0.12 이하가 특히 바람직하고, 0.09 이하가 가장 바람직하다.
비(b/a)의 하한은, 제로가 바람직하다.
<R2>
본 유리 블록은, 알칼리 토류 금속 원소(R2)를 함유해도 된다.
알칼리 토류 금속 원소(R2)로서는, 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 및 라듐(Ra)을 들 수 있다.
단, 본 유리 블록은, 필수 원소로서, Mg 및 Ca의 적어도 어느 것을 함유한다.
《R2O》
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, R2O의 함유량은 20.0몰% 이상이고, 29.0몰% 이상이 바람직하고, 36.0몰% 이상이 보다 바람직하고, 40.0몰% 이상이 보다 더 바람직하고, 43.0몰% 이상이 특히 바람직하고, 46.0몰% 이상이 매우 바람직하고, 49.0몰% 이상이 가장 바람직하다.
R2O의 함유량의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 80.0몰% 이하이고, 70.0몰% 이하가 바람직하고, 65.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 60.0몰% 이하가 더욱 바람직하고, 56.0몰% 이하가 특히 바람직하고, 52.0몰% 이하가 가장 바람직하다.
즉, 본 유리 블록의 R2O의 함유량은, 0.0몰% 이상 80.0몰% 이하의 범위인 것이 바람직하다.
《MgO》
본 유리 블록의 투명성이 우수하다는 이유에서, MgO의 함유량은 50.0몰% 이하이고, 40.0몰% 이하가 바람직하고, 35.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 30.0몰% 이하가 더욱 바람직하고, 25.0몰% 이하가 보다 더 바람직하고, 20.0몰% 이하가 특히 바람직하고, 15.0몰% 이하가 매우 바람직하고, 10.0몰% 이하가 가장 바람직하다.
한편, 본 유리 블록의 내플라스마성이 보다 우수하다는 이유에서, MgO의 함유량은 1.0몰% 이상이 바람직하고, 3.0몰% 이상이 보다 바람직하고, 5.0몰% 이상이 더욱 바람직하다.
즉, 본 유리 블록의 MgO의 함유량은, 1.0몰% 이상 50.0몰% 이하의 범위인 것이 바람직하다.
《CaO》
본 유리 블록의 CaO의 함유량은, 20.0몰% 이상 69.0몰% 이하의 범위인 것이 바람직하다.
본 유리 블록의 내플라스마성이 보다 우수하다는 이유에서, CaO의 함유량은 20.0몰% 이상이 바람직하고, 29.0몰% 이상이 보다 바람직하고, 36.0몰% 이상이 더욱 바람직하고, 40.0몰% 이상이 보다 더 바람직하고, 43.0몰% 이상이 특히 바람직하고, 46.0몰% 이상이 매우 바람직하고, 49.0몰% 이상이 가장 바람직하다.
한편, 본 유리 블록의 투명성이 보다 우수하다는 이유에서, CaO의 함유량은, 69.0몰% 이하가 바람직하고, 66.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 63.0몰% 이하가 더욱 바람직하고, 60.0몰% 이하가 보다 더 바람직하고, 57.0몰% 이하가 특히 바람직하고, 54.0몰% 이하가 매우 바람직하고, 51.0몰% 이하가 가장 바람직하다.
《MgO 및 CaO의 합계》
본 유리 블록의 MgO 및 CaO의 합계의 함유량은, 20.0몰% 이상 69.0몰% 이하의 범위인 것이 바람직하다.
본 유리 블록의 내플라스마성이 보다 우수하다는 이유에서, MgO 및 CaO의 함유량의 합계는, 20.0몰% 이상이 바람직하고, 29.0몰% 이상이 보다 바람직하고, 36.0몰% 이상이 더욱 바람직하고, 40.0몰% 이상이 보다 더 바람직하고, 43.0몰% 이상이 특히 바람직하고, 46.0몰% 이상이 매우 바람직하고, 49.0몰% 이상이 가장 바람직하다.
한편, 본 유리 블록의 투명성이 보다 우수하다는 이유에서, MgO 및 CaO의 함유량의 합계는, 69.0몰% 이하가 바람직하고, 66.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 63.0몰% 이하가 더욱 바람직하고, 60.0몰% 이하가 보다 더 바람직하고, 57.0몰% 이하가 특히 바람직하고, 54.0몰% 이하가 매우 바람직하고, 51.0몰% 이하가 가장 바람직하다.
《SrO》
본 유리 블록의 투명성이 우수하다는 이유에서, SrO의 함유량은 60.0몰% 이하가 바람직하고, 30.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 10.0몰% 이하가 더욱 바람직하고, 5.0몰% 이하가 특히 바람직하고, 1.0몰% 이하가 가장 바람직하다.
SrO의 함유량의 하한은, 제로가 바람직하다.
《BaO》
본 유리 블록의 투명성이 보다 우수하다는 이유에서, BaO의 함유량은 30.0몰% 이하가 바람직하고, 25.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 20.0몰% 이하가 더욱 바람직하고, 15.0몰% 이하가 보다 더 바람직하고, 10.0몰% 이하가 특히 바람직하고, 5.0몰% 이하가 매우 바람직하고, 1.0몰% 이하가 가장 바람직하다.
BaO의 함유량의 하한은, 제로가 바람직하다.
《MgO≥BaO, CaO≥BaO 및 SrO≥BaO》
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, MgO의 함유량(단위: 몰%)는 BaO의 함유량(단위: 몰%) 이상이고, BaO의 함유량(단위: 몰%)보다도 큰 것이 바람직하다.
마찬가지의 이유에서, CaO의 함유량(단위: 몰%)은 BaO의 함유량(단위: 몰%) 이상이고, BaO의 함유량(단위: 몰%)보다도 큰 것이 바람직하다.
마찬가지의 이유에서, SrO의 함유량(단위: 몰%)은 BaO의 함유량(단위: 몰%) 이상이고, BaO의 함유량(단위: 몰%)보다도 큰 것이 바람직하다.
《MgO≥SrO 및 CaO≥SrO》
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, MgO의 함유량(단위: 몰%)은 SrO의 함유량(단위: 몰%) 이상이고, SrO의 함유량(단위: 몰%)보다도 큰 것이 바람직하다.
마찬가지의 이유에서, CaO의 함유량(단위: 몰%)은 SrO의 함유량(단위: 몰%) 이상이고, SrO의 함유량(단위: 몰%)보다도 큰 것이 바람직하다.
<Y>
본 유리 블록은, 이트륨(Y)을 함유해도 된다.
본 유리 블록의 Y2O3의 함유량은, 5.0몰% 이하가 바람직하고, 3.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 1.0몰% 이하가 더욱 바람직하다.
Y2O3의 함유량의 합계의 하한은, 제로가 바람직하다.
<R1>
본 유리 블록은, 알칼리 금속 원소(R1)를 함유해도 된다.
알칼리 금속 원소(R1)로서는, 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K), 루비듐(Rb), 세슘(Cs) 및 프란슘(Fr)을 들 수 있다. 이들 중, 실질적으로는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K)이 바람직하다.
《R1 2O》
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, R1 2O의 함유량은 1.2몰% 이하이고, 0.8몰% 이하가 바람직하고, 0.4몰% 이하가 보다 바람직하고, 0.1몰% 이하가 보다 더 바람직하고, 0.05몰% 이하가 특히 바람직하고, 0.01몰% 이하가 매우 바람직하고, 0.002몰% 이하가 가장 바람직하다.
R1 2O의 함유량의 하한은, 제로가 바람직하다.
<Ti, Zr, Mn, Zn 및 Ta>
본 유리 블록은, 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 아연(Zn) 및 탄탈(Ta)을 함유해도 된다.
《TiO2 또는 ZrO2》
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, TiO2 또는 ZrO2의 함유량은 4.8몰% 이하이고, 3.5몰% 이하가 바람직하고, 2.5몰% 이하가 보다 바람직하고, 1.0몰% 이하가 더욱 바람직하다.
TiO2 또는 ZrO2의 함유량의 하한은, 제로가 바람직하다.
《TiO2》
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, TiO2의 함유량은 4.8몰% 이하가 바람직하고, 3.5몰% 이하가 보다 바람직하고, 2.5몰% 이하가 더욱 바람직하고, 1.0몰% 이하가 특히 바람직하다.
TiO2의 함유량의 하한은, 제로가 바람직하다.
《ZrO2》
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, ZrO2의 함유량은 4.8몰% 이하가 바람직하고, 3.5몰% 이하가 보다 바람직하고, 2.5몰% 이하가 더욱 바람직하고, 1.0몰% 이하가 특히 바람직하다.
ZrO2의 함유량의 하한은, 제로가 바람직하다.
《MnO2》
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, MnO2의 함유량은 9.5몰% 이하이고, 6.0몰% 이하가 바람직하고, 3.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 1.0몰% 이하가 더욱 바람직하다.
MnO2의 함유량의 하한은, 제로가 바람직하다.
《ZnO》
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, ZnO의 함유량은 11.8몰% 이하이고, 7.0몰% 이하가 바람직하고, 4.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 1.0몰% 이하가 더욱 바람직하다.
ZnO의 함유량의 하한은, 제로가 바람직하다.
《Ta2O5》
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, Ta2O5의 함유량은 6.0몰% 이하가 바람직하고, 3.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 1.0몰% 이하가 더욱 바람직하다.
Ta2O5의 함유량의 하한은, 제로가 바람직하다.
<비(Ta2O5/SiO2)>
본 유리 블록의 투명성이 우수하다는 이유에서, Ta2O5의 함유량(단위: 몰%)과 SiO2의 함유량(단위: 몰%)의 비(Ta2O5/SiO2)는 0.067 이하이고, 0.060 이하가 바람직하고, 0.050 이하가 보다 바람직하고, 0.040 이하가 더욱 바람직하고, 0.030 이하가 보다 더 바람직하고, 0.020 이하가 특히 바람직하고, 0.010 이하가 가장 바람직하다.
비(Ta2O5/SiO2)의 하한은, 제로가 바람직하다.
<불순물 원소>
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, 불순물 원소의 산화물 환산의 함유량은, 15.0몰% 이하이고, 12.5몰% 이하가 바람직하고, 10.0몰% 이하가 보다 바람직하고, 7.5몰% 이하가 더욱 바람직하고, 5.0몰% 이하가 보다 더 바람직하고, 1.0몰% 이하가 특히 바람직하고, 0.5몰% 이하가 매우 바람직하고, 0.05몰% 이하가 가장 바람직하다.
하한은, 제로가 바람직하다.
불순물 원소는, 규소(Si), 붕소(B), 인(P), 게르마늄(Ge), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 인듐(In), 알칼리 토류 금속 원소(R2), 이트륨(Y), 알칼리 금속 원소(R1), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 망간(Mn), 아연(Zn) 및 탄탈(Ta)을 제외한 금속 원소이다.
불순물 원소로서는, 구체적으로는, 예를 들어 Cu, Fe, Ni, Cr, Sn, Co, V, Bi, Se, Ce, Er 및 Nd를 들 수 있다.
산화물 환산한 Cu의 함유량이란, 구체적으로는, CuO의 함유량을 의미한다.
산화물 환산한 Fe의 함유량이란, 구체적으로는, Fe2O3의 함유량을 의미한다.
산화물 환산한 Ni의 함유량이란, 구체적으로는, NiO의 함유량을 의미한다.
산화물 환산한 Cr의 함유량이란, 구체적으로는, Cr2O3의 함유량을 의미한다.
산화물 환산한 Sn의 함유량이란, 구체적으로는, SnO2의 함유량을 의미한다.
산화물 환산한 Co의 함유량이란, 구체적으로는, Co3O4의 함유량을 의미한다.
산화물 환산한 V의 함유량이란, 구체적으로는, V2O5의 함유량을 의미한다.
산화물 환산한 Bi의 함유량이란, 구체적으로는, Bi2O3의 함유량을 의미한다.
산화물 환산한 Se의 함유량이란, 구체적으로는, SeO2의 함유량을 의미한다.
산화물 환산한 Ce의 함유량이란, 구체적으로는, CeO2의 함유량을 의미한다.
산화물 환산한 Er의 함유량이란, 구체적으로는, Er2O3의 함유량을 의미한다.
산화물 환산한 Nd의 함유량이란, 구체적으로는, Nd2O3의 함유량을 의미한다.
유리 블록에 있어서의 상술한 각 원소(단, Si는 제외함)의 함유량(산화물 기준의 몰 백분율 표시)은, 형광 X선 장치(XRF)(리가쿠사제, ZSX100e)를 사용하여 측정한다. 즉, 유리 블록의 표면에 있어서의 각 원소의 X선 강도를 측정하여 정량 분석하고, 각 원소의 함유량을 구한다.
유리 블록에 있어서의 SiO2의 함유량은, 다음과 같이 하여 구한다.
먼저, 유리 블록의 중앙부로부터 연마에 의해 분상 시료를 채취하고, 산소·수소 분석 장치(LECO사제 ROH-600)를 사용한 적외선 흡수법에 의해, 유리 블록 중의 전체 산소량 Z1을 구한다.
유리 블록 중의 전체 산소량 Z1로부터, 유리 블록 중에 포함되는 원소(Si를 제외함)와 화학량론 조성으로 결합하고 있는 산소량 Z2를 차감하여, 산소량 Z3을 산출한다(산소량 Z3=전체 산소량 Z1-산소량 Z2).
산소량 Z3의 전량이 규소 원자와의 결합에 사용된 것으로 가정하여, 산소량 Z3을 SiO2양으로 환산한다. 이와 같이 하여 얻어진 SiO2양을, 그 유리 블록에 있어서의 SiO2의 함유량으로 한다.
<비(F/O)>
본 유리 블록의 내플라스마성이 우수하다는 이유에서, 불소의 함유량 F와 산소의 함유량 O의 비(F/O)는 0.20 이하이고, 0.15 이하가 바람직하고, 0.10 이하가 보다 바람직하고, 0.05 이하가 더욱 바람직하다.
비(F/O)의 하한은, 제로가 바람직하다.
유리 블록에 있어서의 비(F/O)는, 다음과 같이 구한다.
먼저, 유리 블록의 임의의 일면에 대해서, X선 광전자 분광 장치(니혼덴시사제, JPS-9000MC)를 사용하여, F 원자 농도(단위: 원자%) 및 O 원자 농도(단위: 원자%)를 구한다. 구한 F 원자 농도와 O 원자 농도의 비를, 그 유리 블록의 비(F/O)로 한다.
<N 함유량>
본 유리 블록의 투명성이 보다 우수하다는 이유에서, 본 유리 블록의 질소(N)의 함유량(N 함유량)은 적은 것이 바람직하다.
구체적으로는, N 함유량은 9.0질량% 이하가 바람직하고, 7.0질량% 이하가 보다 바람직하고, 5.0질량% 이하가 더욱 바람직하고, 4.0질량% 이하가 보다 더 바람직하고, 3.0질량% 이하가 특히 바람직하고, 2.0질량% 이하가 매우 바람직하고, 1.0질량% 이하가 가장 바람직하다.
N 함유량의 하한은, 제로가 바람직하다.
N 함유량은, 2차 이온 질량 분석법(SIMS)에 의해 측정한다. 측정에는, 질량 분석계(ION-TOF사제, TOF.SIMS5)를 사용한다.
<팽창 계수>
본 유리 블록의 제조 시의 균열을 억제하는 관점에서, 본 유리 블록의 50 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수(이하, 단순히 「팽창 계수」라고도 함)는, 9.0ppm/℃ 이하가 바람직하고, 8.0ppm/℃ 이하가 보다 바람직하고, 7.0ppm/℃ 이하가 더욱 바람직하고, 6.0ppm/℃ 이하가 보다 더 바람직하고, 5.5ppm/℃ 이하가 특히 바람직하고, 5.0ppm/℃ 이하가 매우 바람직하고, 4.5ppm/℃ 이하가 가장 바람직하다.
팽창 계수는, JIS R 3102-1995에 기재되어 있는 방법에 준거하여, 시차열 팽창계를 사용하여 측정한다.
<가시광 투과율>
본 유리 블록은, 투명성이 우수하다. 구체적으로는, 예를 들어 본 유리 블록의 가시광 투과율은, 75% 이상이다.
본 유리 블록의 가시광 투과율은, 78% 이상이 바람직하고, 81% 이상이 보다 바람직하고, 84% 이상이 더욱 바람직하고, 87% 이상이 보다 더 바람직하고, 90% 이상이 특히 바람직하고, 93% 이상이 가장 바람직하다. 상한은, 100%가 바람직하다.
가시광 투과율은, JIS R 3106(1998)에 준거하는 방법에 의해 측정한다.
가시광 투과율을 상기 범위로 하기 위해서는, 각 성분을 상술한 함유량으로 하고, 또한, 후술하는 방법(본 제조 방법)에 의해 유리 블록을 제조하는 것이 바람직하다.
<기공률>
본 유리 블록의 기공률은, 예를 들어 3.0체적% 이하이다. 이에 의해, 본 유리 블록은, 내플라스마성이 보다 우수하다.
본 유리 블록의 내플라스마성이 더 우수하다는 이유에서, 본 유리 블록의 기공률은 2.5체적% 이하가 바람직하고, 2.0체적% 이하가 보다 바람직하고, 1.5체적% 이하가 더욱 바람직하고, 1.0체적% 이하가 보다 더 바람직하고, 0.5체적% 이하가 특히 바람직하고, 0.1체적% 이하가 가장 바람직하다. 하한은, 제로가 바람직하다.
기공률은, JIS R 1634: 1998 「파인 세라믹스의 소결체 밀도·개방 기공률의 측정 방법」에 기재된 개방 기공률의 산출 방법에 준거하여 구한다.
기공률을 상기 범위로 하기 위해서는, 각 성분을 상술한 함유량으로 하고, 또한, 후술하는 방법(본 제조 방법)에 의해 유리 블록을 제조하는 것이 바람직하다.
<형상>
본 유리 블록의 형상으로서는, 판상(예를 들어, 원판상, 평판상), 구상, 긴 구상 등을 들 수 있고, 용도에 따라서 적절히 선택된다.
또한, 「유리 블록」은, 어떠한 형상으로 해도, 적어도, 유리 프릿, 유리 분말 및 유리 파이버를 포함하지 않는 개념이다.
본 유리 블록이 판상인 경우, 본 유리 블록의 적어도 일면(예를 들어, 주면)의 면적은, 25㎟ 이상이 바람직하고, 100㎟ 이상이 보다 바람직하고, 500㎟ 이상이 더욱 바람직하고, 1,000㎟ 이상이 보다 더 바람직하고, 5,000㎟ 이상이 특히 바람직하고, 10,000㎟ 이상이 특히 더 바람직하고, 40,000㎟ 이상이 매우 바람직하고, 90,000㎟ 이상이 가장 바람직하다.
본 유리 블록이 판상인 경우, 본 유리 블록의 두께(가장 얇은 부분의 두께)는 0.3㎜ 이상이 바람직하고, 0.5㎜ 이상이 보다 바람직하고, 1㎜ 이상이 더욱 바람직하고, 3㎜ 이상이 보다 더 바람직하고, 6㎜ 이상이 특히 바람직하고, 10㎜ 이상이 특히 더 바람직하고, 15㎜ 이상이 매우 바람직하고, 20㎜ 이상이 가장 바람직하다.
한편, 본 유리 블록의 결정화가 억제되어서, 투명성이 보다 우수하다는 이유에서, 본 유리 블록의 두께는 500㎜ 이하가 바람직하고, 100㎜ 이하가 보다 바람직하고, 80㎜ 이하가 더욱 바람직하고, 60㎜ 이하가 보다 더 바람직하고, 50㎜ 이하가 매우 바람직하고, 40㎜ 이하가 특히 바람직하고, 30㎜ 이하가 가장 바람직하다.
즉, 본 유리 블록의 두께는 0.3㎜ 이상 500㎜ 이하의 범위인 것이 바람직하다.
<용도>
본 유리 블록은, 예를 들어 반도체 제조 장치의 창재로서 적합하게 사용할 수 있다. 단, 본 유리 블록의 용도는, 이것에 한정되지 않는다. 본 유리 블록은, 예를 들어 플라스마 에칭 장치에 탑재되는 부재로서 사용할 수 있고, 이 부재로서는, 천장판, 마이크로파 도입 튜브, 리프트 핀, 노즐, 에지 링, 정전 척, 샤워 플레이트 및 챔버 내 센서의 보호 커버 등을 들 수 있다.
[유리 블록의 제조 방법]
이어서, 본 유리 블록을 제조하는 방법(이하, 「본 제조 방법」이라고도 함)을 설명한다. 본 제조 방법에서는, 개략적으로는, 유리 원료를 가열함으로써 용융시켜, 얻어진 용융 유리를 성형하고, 서랭한다.
보다 상세하게는, 먼저, 얻어지는 유리 블록의 조성이 상술한 유리 조성이 되도록, 각종 유리 원료를 칭량하고, 혼합한다.
이어서, 혼합한 유리 원료를, 유리 용융 가마 등을 사용하여, 가열하고, 용융시킨다. 이때, 적절히, 용융물에 대하여 공지된 방법에 의해 탈포, 균질화 등을 실시한다. 이렇게 해서, 용융 유리를 얻는다.
그 후, 얻어진 용융 유리를, 원하는 형상으로 성형하고, 서랭한다. 성형법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 플로트법, 프레스법, 퓨전법, 다운드로우법 등을 들 수 있다. 또한, 얻어진 용융 유리를 임시 형상으로 성형하고 나서, 서랭하고, 얻어진 임시 형상체에 절단 등의 가공을 실시해도 된다. 이렇게 해서, 소망 형상의 유리 블록이 얻어진다.
얻어진 유리 블록에 대해서는, 필요에 따라, 연삭, 연마 등의 처리를 실시해도 된다.
유리 원료를 가열하여 용융시킬 때의 온도(이하, 「용융 온도」라고도 함)는, 제조 특성이 우수하다는 이유에서, 1650℃ 이하가 바람직하고, 1600℃ 이하가 보다 바람직하고, 1550℃ 이하가 더욱 바람직하다.
또한, 유리 자체의 내열성을 높이는 관점에서, 용융 온도는, 1200℃ 이상이 바람직하고, 1300℃ 이상이 보다 바람직하고, 1400℃ 이상이 특히 바람직하다.
즉, 용융 온도는, 1200℃ 이상 1650℃ 이하의 범위가 바람직하다.
유리 원료를 가열하여 용융시키는 시간(이하, 「용융 시간」이라고도 함)은 청징성의 관점에서, 24시간 이하가 바람직하고, 12시간 이하가 보다 바람직하고, 10시간 이하가 더욱 바람직하고, 8시간 이하가 보다 더 바람직하고, 6시간 이하가 특히 바람직하고, 4시간 이하가 가장 바람직하다.
또한, 유리의 균질성의 관점에서, 용융 시간은, 1시간 이상이 바람직하고, 2시간 이상이 보다 바람직하고, 3시간 이상이 특히 바람직하다.
즉, 용융 시간은, 1시간 이상 24시간 이하의 범위가 바람직하다.
용융 유리를 냉각시킬 때의 냉각 속도는, 결정 가속성의 관점에서, 0.5℃/분 이상이 바람직하고, 1℃/분 이상이 보다 바람직하고, 5℃/분 이상이 더욱 바람직하고, 10℃/분 이상이 특히 바람직하다.
또한, 유리가 균열되는 것을 방지하는 관점에서, 냉각 속도는 30℃/분 이하가 바람직하고, 20℃/분 이하가 보다 바람직하고, 15℃/분 이하가 특히 바람직하다.
즉, 냉각 속도는, 0.5℃/분 이상 30℃/분 이하의 범위가 바람직하다.
또한, 반도체 제조 장치에 있어서, 플라스마에 노출되는 환경에서 사용되는 종래의 부재로서는, 예를 들어 사파이어제의 부재를 들 수 있다.
그러나, 사파이어는, 단결정 육성법에 의해 제조되기 때문에, 제조 특성이 떨어지는 데다, 제조 가능한 사이즈에도 한계가 있다. 또한, 사파이어는, 난가공성 재료이기 때문에, 매우 고비용이다.
이에 비해서는, 본 유리 블록은, 상술한 본 제조 방법에 의해 얻어지기 때문에, 제조 특성을 양호하게 할 수 있는 것 외에, 사이즈도 적절히 변경할 수 있다. 또한, 사파이어와 비교하여 가공하기 쉽기 때문에, 저비용이다.
이상과 같이, 본 명세서에는 다음의 구성이 개시되어 있다.
<1> 규소와, 마그네슘 및 칼슘의 적어도 어느 것을 함유하고,
알칼리 금속 원소를 R1, 알칼리 토류 금속 원소를 R2라 했을 때에, 산화물 기준의 몰 백분율 표시로,
B2O3의 함유량이 49.0몰% 이하이고,
P2O5의 함유량이 11.5몰% 이하이고,
SiO2, B2O3, P2O5 및 GeO2의 함유량의 합계가 10.0몰% 이상 59.5몰% 이하이고,
SiO2, B2O3, P2O5, GeO2 및 Al2O3의 함유량의 합계가 66.5몰% 이하이고,
Ga2O3의 함유량이 7.0몰% 이하이고,
Al2O3, Ga2O3 및 In2O3의 함유량의 합계 b와, SiO2, B2O3, P2O5 및 GeO2의 함유량의 합계 a의 비 b/a가 0.44 이하이고,
R2O의 함유량이 20.0몰% 이상이고,
MgO의 함유량이 50.0몰% 이하이고,
MgO의 함유량이 BaO의 함유량 이상이고, CaO의 함유량이 BaO의 함유량 이상이고, 또한, SrO의 함유량이 BaO의 함유량 이상이고,
MgO의 함유량이 SrO의 함유량 이상이고, 또한, CaO의 함유량이 SrO의 함유량 이상이고,
R1 2O의 함유량이 1.2몰% 이하이고,
TiO2 또는 ZrO2의 함유량이 4.8몰% 이하이고,
MnO2의 함유량이 9.5몰% 이하이고,
ZnO의 함유량이 11.8몰% 이하이고,
Ta2O5의 함유량과 SiO2의 함유량의 비 Ta2O5/SiO2가 0.067 이하이고,
불순물 원소의 산화물 환산의 함유량이 15.0몰% 이하이고, 단, 상기 불순물 원소는 규소, 붕소, 인, 게르마늄, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 알칼리 토류 금속 원소, 이트륨, 알칼리 금속 원소, 티타늄, 지르코늄, 망간, 아연 및 탄탈을 제외한 금속 원소이고,
불소의 함유량 F와 산소의 함유량 O의 비 F/O가 0.20 이하인, 유리 블록.
<2> SiO2의 함유량이 17.0몰% 이상인, 상기 <1>에 기재된 유리 블록.
<3> SiO2의 함유량이 59.5몰% 이하인, 상기 <1> 또는 <2>에 기재된 유리 블록.
<4> Al2O3의 함유량이 27.5몰% 이하인, 상기 <1> 내지 <3>의 어느 하나에 기재된 유리 블록.
<5> MgO 및 CaO의 함유량의 합계가 20.0몰% 이상인, 상기 <1> 내지 <4>의 어느 하나에 기재된 유리 블록.
<6> MgO 및 CaO의 함유량의 합계가 69.0몰% 이하인, 상기 <1> 내지 <5>의 어느 하나에 기재된 유리 블록.
<7> CaO의 함유량이 20.0몰% 이상 69.0몰% 이하인, 상기 <1> 내지 <6>의 어느 하나에 기재된 유리 블록.
<8> BaO의 함유량이 30.0몰% 이하인, 상기 <1> 내지 <7>의 어느 하나에 기재된 유리 블록.
<9> 50 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수가 9.0ppm/℃ 이하인, 상기 <1> 내지 <8>의 어느 하나에 기재된 유리 블록.
<10> 가시광 투과율이 75% 이상인, 상기 <1> 내지 <9>의 어느 하나에 기재된 유리 블록.
<11> 기공률이 3.0체적% 이하인, 상기 <1> 내지 <10>의 어느 하나에 기재된 유리 블록.
<12> 상기 <1> 내지 <11>의 어느 하나에 기재된 유리 블록을 제조하는 방법이며, 유리 원료를 가열함으로써 용융시켜, 얻어진 용융 유리를 성형하고, 서랭하는, 유리 블록의 제조 방법.
<13> 상기 유리 원료를 가열하여 용융시킬 때의 온도가 1650℃ 이하인, 상기 <12>에 기재된 유리 블록의 제조 방법.
<14> 상기 <1> 내지 <11>의 어느 하나에 기재된 유리 블록을 포함하는, 반도체 제조 장치용 부재.
<15> 플라스마 에칭 장치에 탑재되는 부재이며, 천장판, 마이크로파 도입 튜브, 리프트 핀, 노즐, 에지 링, 정전 척, 샤워 플레이트, 또는, 챔버 내 센서의 보호 커버인, 상기 <14>에 기재된 반도체 제조 장치용 부재.
실시예
이하에, 실시예를 들어서 본 발명을 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
이하, 예 1 내지 예 33이 실시예이고, 예 34 내지 예 53이 비교예이다.
<예 1 내지 예 53>
이하와 같이 하여, 각 예의 유리 블록을 얻었다.
얻어지는 유리 블록이 하기 표 1 내지 표 6에 나타내는 조성(산화물 기준의 몰 백분율 표시)을 갖고, 또한, 400g이 되도록, 유리 원료를 칭량하고, 혼합하였다.
혼합한 유리 원료를, 백금 도가니에 넣어서 전기로에 투입하고, 1500 내지 1700℃의 온도에서 3시간 정도 가열함으로써 용융시켜, 탈포 및 균질화를 하여, 용융 유리를 얻었다.
얻어진 용융 유리의 일부를, 금속형에 유입하고, 유리 전이점보다 50℃ 정도 높은 온도에 1시간 유지한 후, 0.5℃/분의 속도로 실온까지 냉각하고, 판상의 유리 블록(주면의 면적: 10000㎟, 두께: 10㎜)을 얻었다.
단, 예 47 내지 예 49에서는, 유리 블록이 아닌, 각각, 시판품의 사파이어, 실리콘 및 석영의 블록을 사용하였다.
이하에서는, 편의적으로, 예 47 내지 예 49의 블록도 「유리 블록」이라고 칭한다.
<각 원소의 함유량>
각 예의 유리 블록에 대해서, 각 원소의 함유량(산화물 기준의 몰 백분율 표시)을 상술한 방법에 의해 구하였다. 결과를 하기 표 1 내지 표 6에 나타낸다.
또한, 불순물 원소는, Cu, Fe, Ni, Cr, Sn, Co, V, Bi, Se, Ce, Er 및 Nd였다.
예 48(실리콘)에 대해서는, 편의적으로, 불순물 원소(산화물 환산)의 함유량을 100몰%로 표기하고 있다.
<팽창 계수>
각 예의 유리 블록에 대해서, 팽창 계수를, 상술한 방법에 의해 구하였다. 결과를 하기 표 1 내지 표 6에 나타낸다.
<가시광 투과율>
각 예의 유리 블록에 대해서, 가시광 투과율을, 상술한 방법에 의해 구하였다. 결과를 하기 표 1 내지 표 6에 나타낸다.
<기공률>
각 예의 유리 블록에 대해서, 기공률을, 상술한 방법에 의해 구하였다. 그 결과, 적어도 예 1 내지 예 33의 유리 블록은, 모두 기공률이 0.5체적% 이하였다.
<제조 특성>
각 예에 있어서, 유리 원료를 용융시킬 때의 온도(용융 온도)가 1600℃ 이하인 경우에는 「A」를, 1600℃ 초과 1650℃ 이하인 경우에는 「B」를, 1650℃ 초과였던 경우에는 「C」를 기재하였다.
「A」 또는 「B」이면 제조 특성이 우수한다고 평가하였다.
<에칭양>
각 예의 유리 블록에 대해서, 에칭양을 구하고, 내플라스마성을 평가하였다.
구체적으로는, 유리 블록으로부터 10㎜×5㎜×4㎜의 사이즈의 시험편을 잘라내고, 10㎜×5㎜의 면을 경면 가공하였다. 경면 가공한 면의 일부에 캡톤 테이프를 붙여서 마스킹하고, 플라스마 가스로 에칭하였다. 그 후, 촉침식 표면 형상 측정기(알박사제, Dectak150)를 사용하여, 에칭부와 비에칭부 사이에 생긴 단차를 측정함으로써, 에칭양을 구하였다.
플라스마 에칭 장치로서는, EXAM(신코 세이끼사제, 형식: POEM형)을 사용하였다. RIE 모드(리액티브·이온·에칭 모드)에서, 10Pa의 압력, 350W의 출력 하, CF4 가스로 195분간 에칭하였다.
에칭양(단위: ㎚)이 작을수록, 내플라스마성이 우수하다고 평가할 수 있다.
구체적으로는, 에칭양이 1600㎚ 이하이면 내플라스마성이 우수하다고 평가하였다. 내플라스마성이 보다 우수하다는 이유에서, 에칭양은 1000㎚ 이하가 바람직하다.
<이상의 유무>
각 예의 유리 블록을 눈으로 보아 관찰하고, 이상(결정상, 콜로이드상 금속, 세라믹스 입자 등)의 유무를 확인하였다.
이상이 없는 경우에는 「A」를, 이상이 유리 블록의 주면의 면적의 10% 이하인 경우에는 「B」를, 이상이 유리 블록의 주면의 면적의 10% 초과인 경우에는 「C」를 하기 표 1 내지 표 6에 기재하였다.
「A」 또는 「B」이면 투명성이 우수하다고 평가하였다. 투명성이 보다 우수하다는 이유에서 「A」인 것이 바람직하다.
<평가 결과 정리>
상기 표 1 내지 표 6에 나타내는 바와 같이, 예 1 내지 예 33의 유리 블록은, 내플라스마성 및 투명성이 모두 우수하였다.
이에 비해, 예 34 내지 예 53의 유리 블록은, 내플라스마성 및 투명성의 적어도 어느 것이 불충분하였다.
본 발명을 상세하게 또한 특정한 실시 형태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고 다양한 변경이나 수정을 가할 수 있는 것은 당업자에게 있어서 명확하다. 본 출원은, 2021년 9월 14일 출원의 일본 특허 출원(일본 특허 출원 제2021-149104), 2021년 10월 12일 출원의 일본 특허 출원(일본 특허 출원 제2021-167594) 및 2021년 11월 26일 출원의 일본 특허 출원(일본 특허 출원 제2021-192308)에 기초하는 것이고, 그 내용은 여기에 참조로서 도입된다.
Claims (15)
- 규소와, 마그네슘 및 칼슘의 적어도 어느 것을 함유하고,
알칼리 금속 원소를 R1, 알칼리 토류 금속 원소를 R2라 했을 때에, 산화물 기준의 몰 백분율 표시로,
B2O3의 함유량이 49.0몰% 이하이고,
P2O5의 함유량이 11.5몰% 이하이고,
SiO2, B2O3, P2O5 및 GeO2의 함유량의 합계가 10.0몰% 이상 59.5몰% 이하이고,
SiO2, B2O3, P2O5, GeO2 및 Al2O3의 함유량의 합계가 66.5몰% 이하이고,
Ga2O3의 함유량이 7.0몰% 이하이고,
Al2O3, Ga2O3 및 In2O3의 함유량의 합계 b와, SiO2, B2O3, P2O5 및 GeO2의 함유량의 합계 a의 비 b/a가 0.44 이하이고,
R2O의 함유량이 20.0몰% 이상이고,
MgO의 함유량이 50.0몰% 이하이고,
MgO의 함유량이 BaO의 함유량 이상이고, CaO의 함유량이 BaO의 함유량 이상이고, 또한, SrO의 함유량이 BaO의 함유량 이상이고,
MgO의 함유량이 SrO의 함유량 이상이고, 또한, CaO의 함유량이 SrO의 함유량 이상이고,
R1 2O의 함유량이 1.2몰% 이하이고,
TiO2 또는 ZrO2의 함유량이 4.8몰% 이하이고,
MnO2의 함유량이 9.5몰% 이하이고,
ZnO의 함유량이 11.8몰% 이하이고,
Ta2O5의 함유량과 SiO2의 함유량의 비 Ta2O5/SiO2가 0.067 이하이고,
불순물 원소의 산화물 환산의 함유량이 15.0몰% 이하이고, 단, 상기 불순물 원소는 규소, 붕소, 인, 게르마늄, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 알칼리 토류 금속 원소, 이트륨, 알칼리 금속 원소, 티타늄, 지르코늄, 망간, 아연 및 탄탈을 제외한 금속 원소이고,
불소의 함유량 F와 산소의 함유량 O의 비 F/O가 0.20 이하인, 유리 블록. - 제1항에 있어서, SiO2의 함유량이 17.0몰% 이상인, 유리 블록.
- 제1항에 있어서, SiO2의 함유량이 59.5몰% 이하인, 유리 블록.
- 제1항에 있어서, Al2O3의 함유량이 27.5몰% 이하인, 유리 블록.
- 제1항에 있어서, MgO 및 CaO의 함유량의 합계가 20.0몰% 이상인, 유리 블록.
- 제1항에 있어서, MgO 및 CaO의 함유량의 합계가 69.0몰% 이하인, 유리 블록.
- 제1항에 있어서, CaO의 함유량이 20.0몰% 이상 69.0몰% 이하인, 유리 블록.
- 제1항에 있어서, BaO의 함유량이 30.0몰% 이하인, 유리 블록.
- 제1항에 있어서, 50 내지 350℃에서의 평균 열팽창 계수가 9.0ppm/℃ 이하인, 유리 블록.
- 제1항에 있어서, 가시광 투과율이 75% 이상인, 유리 블록.
- 제1항에 있어서, 기공률이 3.0체적% 이하인, 유리 블록.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 유리 블록을 제조하는 방법이며,
유리 원료를 가열함으로써 용융시켜, 얻어진 용융 유리를 성형하고, 서랭하는, 유리 블록의 제조 방법. - 제12항에 있어서, 상기 유리 원료를 가열하여 용융시킬 때의 온도가 1650℃ 이하인, 유리 블록의 제조 방법.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 유리 블록을 포함하는, 반도체 제조 장치용 부재.
- 제14항에 있어서, 플라스마 에칭 장치에 탑재되는 부재이며,
천장판, 마이크로파 도입 튜브, 리프트 핀, 노즐, 에지 링, 정전 척, 샤워 플레이트, 또는, 챔버 내 센서의 보호 커버인, 반도체 제조 장치용 부재.
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2021-149104 | 2021-09-14 | ||
JP2021149104 | 2021-09-14 | ||
JPJP-P-2021-167594 | 2021-10-12 | ||
JP2021167594 | 2021-10-12 | ||
JPJP-P-2021-192308 | 2021-11-26 | ||
JP2021192308 | 2021-11-26 | ||
PCT/JP2022/033485 WO2023042717A1 (ja) | 2021-09-14 | 2022-09-06 | ガラスブロックおよびその製造方法ならびに半導体製造装置用部材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20240066162A true KR20240066162A (ko) | 2024-05-14 |
Family
ID=85602206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020247008437A KR20240066162A (ko) | 2021-09-14 | 2022-09-06 | 유리 블록 및 그의 제조 방법 그리고 반도체 제조 장치용 부재 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2023042717A1 (ko) |
KR (1) | KR20240066162A (ko) |
TW (1) | TW202317492A (ko) |
WO (1) | WO2023042717A1 (ko) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09295863A (ja) | 1996-02-29 | 1997-11-18 | Kyocera Corp | 耐食性部材 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS608985B2 (ja) * | 1979-08-10 | 1985-03-07 | 富士写真フイルム株式会社 | 結晶化ガラスおよびその製造方法 |
FR2530235A1 (fr) * | 1982-07-16 | 1984-01-20 | Corning Glass Works | Verres a haut indice de refraction, faible dispersion et faible densite |
JP3950203B2 (ja) * | 1996-09-04 | 2007-07-25 | Hoya株式会社 | 高い比弾性率を有するガラス |
JPH11157867A (ja) * | 1997-11-21 | 1999-06-15 | Sec Kk | 情報記録ディスク基板用ガラス |
JP2000044279A (ja) * | 1998-07-24 | 2000-02-15 | Shoei Material Kk | 情報記録ディスク基板 |
JP2002173334A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Minolta Co Ltd | 光学ガラス |
JP4439192B2 (ja) * | 2002-03-11 | 2010-03-24 | 東ソー株式会社 | 高耐久性石英ガラス、製造方法、これを用いた部材及び装置 |
EP2017236A4 (en) * | 2006-05-02 | 2009-12-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | GLASS COMPOSITION AND GLASS SPACE USING THE SAME |
JP2015027932A (ja) * | 2013-06-27 | 2015-02-12 | 旭硝子株式会社 | 磁気記録媒体用無アルカリガラス、および、これを用いた磁気記録媒体用ガラス基板 |
JP6802966B2 (ja) * | 2014-12-17 | 2020-12-23 | 日本電気硝子株式会社 | 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体 |
-
2022
- 2022-09-06 WO PCT/JP2022/033485 patent/WO2023042717A1/ja active Application Filing
- 2022-09-06 JP JP2023548425A patent/JPWO2023042717A1/ja active Pending
- 2022-09-06 KR KR1020247008437A patent/KR20240066162A/ko unknown
- 2022-09-08 TW TW111134026A patent/TW202317492A/zh unknown
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09295863A (ja) | 1996-02-29 | 1997-11-18 | Kyocera Corp | 耐食性部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202317492A (zh) | 2023-05-01 |
WO2023042717A1 (ja) | 2023-03-23 |
JPWO2023042717A1 (ko) | 2023-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7115479B2 (ja) | 結晶化ガラスおよび化学強化ガラス | |
US20200123043A1 (en) | Glass substrate for high-frequency device and circuit board for high-frequency device | |
US8563453B2 (en) | High zirconia fused cast refractory | |
CN103402939B (zh) | 传导锂离子的玻璃陶瓷以及所述玻璃陶瓷的用途 | |
JP2021505503A (ja) | 黒色ケイ酸リチウムガラスセラミック | |
US9359244B2 (en) | Alumina-rich glasses and methods for making the same | |
Goel et al. | Sintering behavior of lanthanide-containing glass-ceramic sealants for solid oxide fuel cells | |
JPWO2012046785A1 (ja) | 高ジルコニア質電鋳耐火物 | |
EP1711445B1 (en) | Fusion - cast zirconia refractory with high electrical resistivity | |
KR20220038335A (ko) | 유리, 화학 강화 유리 및 커버 유리 | |
JP5473537B2 (ja) | リチウムイオン伝導性ガラスセラミックスおよびその製造方法 | |
KR100984753B1 (ko) | 유리의 용융방법 | |
KR20070070058A (ko) | 고지르코니아 주조 내화물 | |
US7084084B2 (en) | Highly durable silica glass, process for producing same, member comprised thereof, and apparatus provided therewith | |
JP5751744B2 (ja) | ガラス | |
KR20240066162A (ko) | 유리 블록 및 그의 제조 방법 그리고 반도체 제조 장치용 부재 | |
CN117940385A (zh) | 玻璃块及其制造方法和半导体制造装置用部件 | |
JPH1025130A (ja) | 基板用ガラス | |
WO2023189779A1 (ja) | ガラスブロックおよびその製造方法ならびに耐プラズマ性部材 | |
WO2007077680A1 (ja) | ガラス組成物 | |
JP2008088021A (ja) | ガラス組成物 | |
JP2006143585A (ja) | ビスマス系ガラス混合物 | |
JP2021178766A (ja) | ガラス板及びその製造方法 | |
Sears et al. | Physical properties of stannosilicate glasses | |
JP5252364B2 (ja) | ガラス溶融設備及びガラスの溶融方法 |