KR20230160790A - 적층체의 제조 방법 - Google Patents
적층체의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230160790A KR20230160790A KR1020237027933A KR20237027933A KR20230160790A KR 20230160790 A KR20230160790 A KR 20230160790A KR 1020237027933 A KR1020237027933 A KR 1020237027933A KR 20237027933 A KR20237027933 A KR 20237027933A KR 20230160790 A KR20230160790 A KR 20230160790A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- copper
- copper member
- resin substrate
- manufacturing
- insulating base
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 93
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 235
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 179
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 173
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 35
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 131
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 131
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 83
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 43
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 38
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 claims description 35
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 19
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 claims description 17
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- -1 3-hydroxy-2, 2'-iminodisuccinic acid sodium Chemical compound 0.000 claims description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 9
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 claims description 9
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 claims description 7
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical group [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 claims description 5
- AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 2,3,9,10-tetramethoxy-6,8,13,13a-tetrahydro-5H-isoquinolino[2,1-b]isoquinoline Chemical compound C1CN2CC(C(=C(OC)C=C3)OC)=C3CC2C2=C1C=C(OC)C(OC)=C2 AEQDJSLRWYMAQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021555 Chromium Chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N N,N-bis(2-hydroxyethyl)glycine Chemical compound OCCN(CCO)CC(O)=O FSVCELGFZIQNCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MLDWGLQSBBCMMO-UHFFFAOYSA-N [Na].[Na].[Na].CNCC(=O)O Chemical compound [Na].[Na].[Na].CNCC(=O)O MLDWGLQSBBCMMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 4
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000005102 attenuated total reflection Methods 0.000 claims description 4
- QSWDMMVNRMROPK-UHFFFAOYSA-K chromium(3+) trichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cr+3] QSWDMMVNRMROPK-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000000176 sodium gluconate Substances 0.000 claims description 4
- 235000012207 sodium gluconate Nutrition 0.000 claims description 4
- 229940005574 sodium gluconate Drugs 0.000 claims description 4
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 claims description 4
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 claims description 4
- ZVRFJQNFBZALQD-OUTKXMMCSA-N [Na].[Na].[Na].[Na].OC(=O)CC[C@H](N(CC(O)=O)CC(O)=O)C(O)=O Chemical compound [Na].[Na].[Na].[Na].OC(=O)CC[C@H](N(CC(O)=O)CC(O)=O)C(O)=O ZVRFJQNFBZALQD-OUTKXMMCSA-N 0.000 claims description 3
- DAPUDVOJPZKTSI-UHFFFAOYSA-L ammonium nickel sulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DAPUDVOJPZKTSI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims description 3
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims description 3
- YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N triammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O YWYZEGXAUVWDED-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DCCWEYXHEXDZQW-BYPYZUCNSA-N (2s)-2-[bis(carboxymethyl)amino]butanedioic acid Chemical compound OC(=O)C[C@@H](C(O)=O)N(CC(O)=O)CC(O)=O DCCWEYXHEXDZQW-BYPYZUCNSA-N 0.000 claims description 2
- QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N Disodium Chemical compound [Na][Na] QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CC(O)=O JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 149
- 239000002585 base Substances 0.000 description 73
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 59
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 33
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 31
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 26
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 24
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 21
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 15
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 11
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 10
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 7
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 7
- 235000011181 potassium carbonates Nutrition 0.000 description 7
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 5
- UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M sodium chlorite Chemical compound [Na+].[O-]Cl=O UKLNMMHNWFDKNT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 229960002218 sodium chlorite Drugs 0.000 description 5
- 101001134276 Homo sapiens S-methyl-5'-thioadenosine phosphorylase Proteins 0.000 description 4
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 102100022050 Protein canopy homolog 2 Human genes 0.000 description 4
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 4
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 4
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 description 4
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000015497 potassium bicarbonate Nutrition 0.000 description 3
- 229910000028 potassium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011736 potassium bicarbonate Substances 0.000 description 3
- TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M potassium hydrogencarbonate Chemical compound [K+].OC([O-])=O TYJJADVDDVDEDZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 1H-tetrazole Chemical compound C=1N=NNN=1 KJUGUADJHNHALS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VKZRWSNIWNFCIQ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(1,2-dicarboxyethylamino)ethylamino]butanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)NCCNC(C(O)=O)CC(O)=O VKZRWSNIWNFCIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LVACOMKKELLCHJ-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropylurea Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC(N)=O LVACOMKKELLCHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- ZTVCAEHRNBOTLI-UHFFFAOYSA-L Glycine, N-(carboxymethyl)-N-(2-hydroxyethyl)-, disodium salt Chemical compound [Na+].[Na+].OCCN(CC([O-])=O)CC([O-])=O ZTVCAEHRNBOTLI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXJLGCBCRCSXQF-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](CC)(OC(C)=O)OC(C)=O KXJLGCBCRCSXQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229940009098 aspartate Drugs 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- JEZFASCUIZYYEV-UHFFFAOYSA-N chloro(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](Cl)(OCC)OCC JEZFASCUIZYYEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 2
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 2
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris(2-methoxyethoxy)silane Chemical compound COCCO[Si](OCCOC)(OCCOC)C=C WOXXJEVNDJOOLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate Chemical compound [Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O KERTUBUCQCSNJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N octyltriethoxysilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229920006259 thermoplastic polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- VCVKIIDXVWEWSZ-YFKPBYRVSA-N (2s)-2-[bis(carboxymethyl)amino]pentanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC[C@@H](C(O)=O)N(CC(O)=O)CC(O)=O VCVKIIDXVWEWSZ-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- JHPBZFOKBAGZBL-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)=C JHPBZFOKBAGZBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAIPHJJURHTUIC-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazol-2-amine Chemical compound NC1=NC=CS1 RAIPHJJURHTUIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical compound C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEJFADGISRFLFO-UHFFFAOYSA-N 1H-indazol-6-amine Chemical compound NC1=CC=C2C=NNC2=C1 KEJFADGISRFLFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVVRJMXHNUAPHW-UHFFFAOYSA-N 1h-pyrazol-5-amine Chemical compound NC=1C=CNN=1 JVVRJMXHNUAPHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFFMQGGZCLEMCI-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethyl-1h-pyrrole Chemical compound CC1=CNC(C)=C1 MFFMQGGZCLEMCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDELSWXIAJLWOU-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethyl-4h-pyrazol-3-one Chemical compound CN1N=C(C)CC1=O NDELSWXIAJLWOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMIFEDVGGQMJQD-UHFFFAOYSA-N 2-(1,2-dicarboxyethylamino)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)CC(C(O)=O)NC(O)(C(O)=O)CC(O)=O XMIFEDVGGQMJQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGZDWVZMOMDGBN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylthiazole Chemical compound CCC1=NC=CS1 CGZDWVZMOMDGBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLLDUURXGMDOCY-UHFFFAOYSA-N 2-butyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCC1=NC=CN1 SLLDUURXGMDOCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRPDDDRNQJNHLQ-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1h-pyrrole Chemical compound CCC1=CC=CN1 XRPDDDRNQJNHLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZWOXDYRBDIHMA-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1,3-thiazole Chemical compound CC1=NC=CS1 VZWOXDYRBDIHMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCKJFOHZLXIAAT-UHFFFAOYSA-N 2-methylsulfanyl-1h-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC(SC)=NC2=C1 OCKJFOHZLXIAAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSFHICWNEBCMNN-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazol-5-amine Chemical compound NC1=CC=C2NN=NC2=C1 XSFHICWNEBCMNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEKWWZCCJDUWLY-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-1h-pyrrole Chemical compound CC=1C=CNC=1 FEKWWZCCJDUWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRZMXADUXZADTF-UHFFFAOYSA-N 4-aminoimidazole Chemical compound NC1=CNC=N1 QRZMXADUXZADTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZBGOTVBHYKUDS-UHFFFAOYSA-N 5-amino-1,2-dihydropyrazol-3-one Chemical compound NC1=CC(=O)NN1 QZBGOTVBHYKUDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUABFMPMKJGSBQ-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1,3-thiazol-2-amine Chemical compound CC1=CN=C(N)S1 GUABFMPMKJGSBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C=CC2=NNN=C21 LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2h-tetrazole Chemical compound CC=1N=NNN=1 XZGLNCKSNVGDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAPNRQCYSFBWDI-UHFFFAOYSA-N DMP Natural products CC1=CC=C(C)N1 PAPNRQCYSFBWDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003286 Ni-Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018605 Ni—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J dicopper;phosphonato phosphate Chemical compound [Cu+2].[Cu+2].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O PEVJCYPAFCUXEZ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- AXZAYXJCENRGIM-UHFFFAOYSA-J dipotassium;tetrabromoplatinum(2-) Chemical compound [K+].[K+].[Br-].[Br-].[Br-].[Br-].[Pt+2] AXZAYXJCENRGIM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- RIKMMFOAQPJVMX-UHFFFAOYSA-N fomepizole Chemical compound CC=1C=NNC=1 RIKMMFOAQPJVMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004285 fomepizole Drugs 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000358 iron sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L iron(2+) sulfate (anhydrous) Chemical compound [Fe+2].[O-]S([O-])(=O)=O BAUYGSIQEAFULO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940099596 manganese sulfate Drugs 0.000 description 1
- 239000011702 manganese sulphate Substances 0.000 description 1
- 235000007079 manganese sulphate Nutrition 0.000 description 1
- SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L manganese(II) sulfate Chemical compound [Mn+2].[O-]S([O-])(=O)=O SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013642 negative control Substances 0.000 description 1
- UQPSGBZICXWIAG-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);dibromide;trihydrate Chemical compound O.O.O.Br[Ni]Br UQPSGBZICXWIAG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004968 peroxymonosulfuric acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 208000017983 photosensitivity disease Diseases 0.000 description 1
- 231100000434 photosensitization Toxicity 0.000 description 1
- 238000001637 plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- VKJKEPKFPUWCAS-UHFFFAOYSA-M potassium chlorate Chemical compound [K+].[O-]Cl(=O)=O VKJKEPKFPUWCAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001487 potassium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCOC(=O)C(C)=C NHARPDSAXCBDDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MILMJAFFMWCPLL-UHFFFAOYSA-J sodium;chromium(3+);disulfate Chemical compound [Na+].[Cr+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O MILMJAFFMWCPLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- DTXLBRAVKYTGFE-UHFFFAOYSA-J tetrasodium;2-(1,2-dicarboxylatoethylamino)-3-hydroxybutanedioate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)C(O)C(C([O-])=O)NC(C([O-])=O)CC([O-])=O DTXLBRAVKYTGFE-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- IUTCEZPPWBHGIX-UHFFFAOYSA-N tin(2+) Chemical compound [Sn+2] IUTCEZPPWBHGIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZNAASVAJNXPPW-UHFFFAOYSA-M tin(4+) chloride dihydrate Chemical compound O.O.[Cl-].[Sn+4] GZNAASVAJNXPPW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FWPIDFUJEMBDLS-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride dihydrate Substances O.O.Cl[Sn]Cl FWPIDFUJEMBDLS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-methylpropyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC(C)C)(OCC)OCC ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGXLJXZOBXXTBA-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate decahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O AGXLJXZOBXXTBA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
- H05K3/384—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
- C25D5/56—Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1635—Composition of the substrate
- C23C18/1639—Substrates other than metallic, e.g. inorganic or organic or non-conductive
- C23C18/1641—Organic substrates, e.g. resin, plastic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/32—Alkaline compositions
- C23F1/34—Alkaline compositions for etching copper or alloys thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
- C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/108—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by semi-additive methods; masks therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
- H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
- H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/389—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a coupling agent, e.g. silane
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0703—Plating
- H05K2203/072—Electroless plating, e.g. finish plating or initial plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0703—Plating
- H05K2203/0723—Electroplating, e.g. finish plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
본 발명은, 신규 적층체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고, 해당 제조 방법은, 상기 절연 기재층과 표면에 볼록부를 갖는 구리 부재를 부착시키는 공정; 상기 구리 부재를 떼어냄으로써, 상기 볼록부를 상기 절연 기재층 표면에 전이시켜, 시드층을 형성하는 공정; 상기 시드층의 표면 상의 소정 장소에 레지스트를 형성하는 공정; 상기 시드층의 표면으로서 상기 레지스트가 적층되지 않은 영역을 구리 도금 처리함으로써, 상기 구리를 적층하는 공정; 상기 레지스트를 제거하는 공정; 및, 상기 레지스트의 제거에 의해 노출된 상기 시드층을 제거하는 공정;을 포함한다.
Description
본 발명은 적층체의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 배선의 미세화의 요구가 높아지고 있고, 종래의 구리박이 부착된 절연 수지를 이용하여 불필요한 구리 부분을 에칭 제거하는 서브트랙티브법(일본 특허공개공보 2005-223226호; 일본 특허공개공보 2010-267891호; 일본 특허공개공보 2002-176242호)에 의한 배선화로는 미세화의 요구를 만족할 수 없다. 그러므로, 세미애디티브(SAP)법이나 모디파이드 세미애디티브(MSAP)법과 같은 배선화 기술이 이용되고 있다. MSAP법은, 서브트랙티브법과 비교하여, 공법상 에칭하는 구리막 두께가 얇기 때문에 배선의 미세화가 가능하다.
SAP법에서는 수지 기판 상에 구리로 이루어지는 시드층을 형성하는 것이 일반적이지만, 수지 기판과 시드층의 밀착을 얻기 위해, 절연 수지층의 표면을, 과망간산법 등에 의한 디스미어 처리에 의해 조면화한다. 이 때의 절연 수지층의 조화면의 표면 조도(Ra)는 300 nm 이상이 된다. 계속해서, 무전해 도금 등에 의해 절연 수지층 상에 구리로 이루어지는 시드층을 형성한다. 이어서, 시드층 위의, 배선층이 배치되지 않는 부분에, 레지스트를 형성한다. 또한, 레지스트가 형성되지 않은 부분에는, 전해 도금에 의해, 구리 도금층을 두껍게 형성한다. 마지막으로, 레지스트를 제거한 후에, 노출되어 있는 시드층을 에칭한다. 이것에 의해, 시드층 및 금속 도금층으로 이루어지는 배선 패턴이 수지 기판 상에 형성된다(도 1a 참조).
본 발명에서는, 신규 적층체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시 양태는, 절연 기재층과 구리의 적층체의 제조 방법으로서, 상기 절연 기재층과 표면에 볼록부를 갖는 구리 부재를 부착시키는 공정; 상기 구리 부재를 떼어냄으로써, 상기 볼록부를 상기 절연 기재층 표면에 전이시켜, 시드층을 형성하는 공정; 상기 시드층의 표면 상의 소정 장소에 레지스트를 형성하는 공정; 상기 시드층의 표면으로서 상기 레지스트가 적층되지 않은 영역을 구리 도금 처리하는 것에 의해, 상기 구리를 적층하는 공정; 상기 레지스트를 제거하는 공정; 및, 상기 레지스트의 제거에 의해 노출된 상기 시드층을 제거하는 공정;을 포함하는, 제조 방법이다. 상기 구리 부재의 상기 표면의 상기 볼록부는, 화학 처리에 의해, 상기 구리 부재의 표면에 형성될 수도 있다. 상기 절연 기재층의 표면에는, 디스미어 처리에 의해 볼록부가 형성되지 않을 수도 있다. 상기 구리 도금 처리가 전해 구리 도금 처리일 수도 있다. 상기 시드층을 형성하는 공정과 상기 레지스트를 형성하는 공정 사이에, 상기 시드층의 표면을 무전해 도금 처리하는 공정을 수행할 수도 있다. 열압착에 의해, 상기 절연 기재층과 상기 구리 부재가 서로 부착될 수도 있다. 상기 절연 기재층으로부터 떼어낸 상기 구리 부재의 표면을, 감쇠 전반사 흡수 푸리에 변환 적외 분광법(FT-IR/ATR법)을 이용하여 해석했을 때, 파장 범위 700-4000 cm-1에 있어서, 검출되는 수지 기재 유래의 물질에 대응하는 피크의 S/N비가 10 이하 또는 7 이하일 수도 있다. 상기 구리 부재가 떼내진 상기 수지 기재의 표면에 대해, X선 광전자 분광법(XPS)에 의해, Survey spectrum 분석을 수행했을 때, 얻어진 X선 광전자 분광 스펙트럼에 있어서, 상기 구리 부재에 포함되는 금속 원자가, 상기 구리 부재가 떼내진 상기 수지 기재의 표면으로부터 검출될 수도 있다. 상기 구리 부재가 떼내진 상기 수지 기재의 표면으로부터 검출되는 금속 원소의 메인 피크의 강도의 합계가 C1s의 피크 강도보다 커도 된다. 상기 XPS에 의한 측정으로부터 산출되는
[금속 원소의 표면 원자 조성 백분율(Atom%)의 합계]/[C1s의 표면 원자 조성 백분율(Atom%)]
이 0.03 이상, 또는 0.04 이상일 수도 있다. 상기 구리 부재가 떼내진 상기 수지 기재의 표면에 대해, X선 광전자 분광법(XPS)에 의해, Survey spectrum 분석을 수행했을 때, Cu2p3과 Ni2p3의 표면 원자 조성 백분율의 합계가 3.0 atom% 이상 또는 1.5 atom% 이상일 수도 있다. 상기 구리 부재가 떼내진 상기 수지 기재의 표면에 대해, X선 광전자 분광법(XPS)에 의해, Survey spectrum 분석을 수행했을 때, Cu2p3의 표면 원자 조성 백분율이 2.8 atom% 이상 또는 1.0 atom% 이상일 수도 있다. 상기 표면에 볼록부를 갖는 구리 부재가, 1) 재료가 되는 구리 부재의 표면을 실란 커플링제 또는 방부제로 부분 코팅하는 공정, 및, 2) 상기 부분 코팅된 상기 표면을 산화 처리함으로써 구리 산화물을 포함하는 층을 형성하는 공정에 의해 형성될 수도 있다. 상기 표면에 볼록부를 갖는 구리 부재가, 1) 재료가 되는 구리 부재의 표면을 산화 처리함으로써 구리 산화물을 포함하는 층을 형성하는 공정, 및, 2) 상기 산화 처리된 상기 표면을, 상기 구리 산화물을 용해시키는 용해제로 처리하는 공정에 의해 형성될 수도 있다. 상기 용해제가, 염화Ni, 염화아연, 염화철, 염화크롬, 구연산 암모늄, 염화암모늄, 염화칼륨, 황산암모늄, 황산니켈암모늄, 에틸렌디아민4아세트산, 디에탄올글리신, L-글루탐산2아세트산·4나트륨, 에틸렌디아민-N, N'-디숙신산, 3-하이드록시-2, 2'-이미노디숙신산나트륨, 메틸글리신2아세트산3나트륨, 아스파르트산디아세트산4나트륨, N-(2-하이드록시에틸)이미노2아세트산디나트륨 및 글루콘산나트륨으로 이루어지는 군에서 선택될 수도 있다.
==관련 문헌과의 크로스 레퍼런스==
본 출원은, 2021년 3월 25 일자로 출원한 일본 특허 출원 제2021-052381호에 근거하는 우선권을 주장하는 것으로, 해당 기초 출원을 인용함으로써, 본 명세서에 포함시키는 것으로 한다.
도 1a는, 본 발명의 일 실시 양태에서의, 적층체의 제조 방법을, 종래 기술의 SAP법과 비교하여 나타낸 모식도이다.
도 1b는, 본 발명의 일 실시 양태에서의, 시드층의 모식도이다. 회색 부분은 절연 기재층, 검은색 부분은 절연 기재층에 전이된 구리 부재의 부분을 나타낸다. 구리 부재를 절연 기재층으로부터 떼어냈을 때, (A) 절연 기재층의 정확히 표면에서, 구리 부재가 떼내졌을 경우의 일례 (B) 절연 기재층의 표면으로부터 떨어져, 구리 부재의 볼록부로부터 구리 부재의 내측에서 구리 부재가 떼내졌을 경우의 일례를 나타낸다. 2개의 직선은, 각각, 떼내진 구리 부재의 표면과, 구리 부재의 볼록부에 의해 절연 기재층에 형성된 오목부의 최저부를 포함하도록 구성되는 면의 위치에 상당한다. 이 2개의 직선에 끼워진 부분이 시드층으로서, 화살표로 표시된 2개의 직선의 간격이 시드층의 두께가 된다.
도 2는, 실시예 1~8 및 비교예 2~4의 복합 구리박을 수지 기재에 압착 후, 떼어낸 후의 육안 관찰에 의한 결과(구리박의 표면이 수지측으로 전이된 경우는 ○, 전이되지 않은 경우는 ×라고 기재), 및 양측의 표면의 대표적인 사진을 나타낸 도면이다.
도 3은, 실시예 1~3 및 비교예 1~4의 수지 기재의 XPS 해석의 결과를 나타내는 도면이다.
도 4는, 실시예 1~3 및 비교예 2~4의 복합 구리박을, 수지 기재(R5670KJ)에 열압착 후, 떼어낸 후, 그 표면을 FT-IR/ATR법으로 측정한 결과이다.
도 5는, 실시예 3 및 비교예 3의 복합 구리박을, 수지 기재(R1551GG)에 열압착 후, 떼어낸 후, 그 표면을 FT-IR/ATR법으로 측정한 결과이다.
도 6은, 실시예 4~8의 복합 구리박을, 수지 기재(R5680J)에 열압착 후, 떼어낸 후, 그 표면을 FT-IR/ATR법으로 측정한 결과이다.
도 7은, 실시예 3 및 비교예 3의 복합 구리박을, 수지 기재(NX9255)에 열압착 후, 떼어낸 후, 그 표면을 FT-IR/ATR법으로 측정한 결과이다.
도 8은, 실시예 3 및 비교예 3의 복합 구리박을, 수지 기재(CT-Z)에 열압착 후, 떼어낸 후, 그 표면을 FT-IR/ATR법으로 측정한 결과이다.
도 9는, 본 발명의 일 실시예에 있어서 제조한 적층 배선 회로판이다.
도 1b는, 본 발명의 일 실시 양태에서의, 시드층의 모식도이다. 회색 부분은 절연 기재층, 검은색 부분은 절연 기재층에 전이된 구리 부재의 부분을 나타낸다. 구리 부재를 절연 기재층으로부터 떼어냈을 때, (A) 절연 기재층의 정확히 표면에서, 구리 부재가 떼내졌을 경우의 일례 (B) 절연 기재층의 표면으로부터 떨어져, 구리 부재의 볼록부로부터 구리 부재의 내측에서 구리 부재가 떼내졌을 경우의 일례를 나타낸다. 2개의 직선은, 각각, 떼내진 구리 부재의 표면과, 구리 부재의 볼록부에 의해 절연 기재층에 형성된 오목부의 최저부를 포함하도록 구성되는 면의 위치에 상당한다. 이 2개의 직선에 끼워진 부분이 시드층으로서, 화살표로 표시된 2개의 직선의 간격이 시드층의 두께가 된다.
도 2는, 실시예 1~8 및 비교예 2~4의 복합 구리박을 수지 기재에 압착 후, 떼어낸 후의 육안 관찰에 의한 결과(구리박의 표면이 수지측으로 전이된 경우는 ○, 전이되지 않은 경우는 ×라고 기재), 및 양측의 표면의 대표적인 사진을 나타낸 도면이다.
도 3은, 실시예 1~3 및 비교예 1~4의 수지 기재의 XPS 해석의 결과를 나타내는 도면이다.
도 4는, 실시예 1~3 및 비교예 2~4의 복합 구리박을, 수지 기재(R5670KJ)에 열압착 후, 떼어낸 후, 그 표면을 FT-IR/ATR법으로 측정한 결과이다.
도 5는, 실시예 3 및 비교예 3의 복합 구리박을, 수지 기재(R1551GG)에 열압착 후, 떼어낸 후, 그 표면을 FT-IR/ATR법으로 측정한 결과이다.
도 6은, 실시예 4~8의 복합 구리박을, 수지 기재(R5680J)에 열압착 후, 떼어낸 후, 그 표면을 FT-IR/ATR법으로 측정한 결과이다.
도 7은, 실시예 3 및 비교예 3의 복합 구리박을, 수지 기재(NX9255)에 열압착 후, 떼어낸 후, 그 표면을 FT-IR/ATR법으로 측정한 결과이다.
도 8은, 실시예 3 및 비교예 3의 복합 구리박을, 수지 기재(CT-Z)에 열압착 후, 떼어낸 후, 그 표면을 FT-IR/ATR법으로 측정한 결과이다.
도 9는, 본 발명의 일 실시예에 있어서 제조한 적층 배선 회로판이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시의 형태에 대하여, 첨부 도면을 이용하여 상세하게 설명하지만, 반드시 이것에 한정하는 것은 아니다. 그리고 본 발명의 목적, 특징, 이점, 및 그 아이디어는, 본 명세서의 기재에 의해, 당업자에게는 명백한 것으로, 본 명세서의 기재로부터, 당업자라면, 용이하게 본 발명을 재현할 수 있다. 아래에 기재된 발명의 실시의 형태 및 구체적인 실시예 등은, 본 발명의 바람직한 실시 양태를 나타내는 것으로, 예시 또는 설명을 위해 나타나 있는 것이지, 본 발명을 그들에 한정하는 것은 아니다. 본 명세서에서 개시되어 있는 본 발명의 의도 및 범위 내에서, 본 명세서의 기재를 바탕으로, 각종 개변 및 수식이 가능한 것은, 당업자에게 있어 명백하다.
<절연 기재층과 구리의 적층체의 제조 방법>
본 명세서에 개시된 일 실시 형태는, 절연 기재층과 구리의 적층체의 제조 방법으로서, 절연 기재층과 표면에 볼록부를 갖는 구리 부재를 부착시키는 공정; 구리 부재를 떼어냄으로써, 볼록부를 절연 기재층 표면에 전이시켜, 시드층을 형성하는 공정; 시드층의 표면 상의 소정 장소에 레지스트를 형성하는 공정; 시드층의 표면으로서 레지스트가 적층되지 않은 영역을 구리 도금 처리함으로써, 구리를 적층하는 공정; 레지스트를 제거하는 공정; 및, 레지스트의 제거에 의해 노출된 시드층을 제거하는 공정;을 포함하는, 제조 방법이다. 그리고 본 명세서에서, 시드층이란, 떼내진 구리 부재의 표면과, 구리 부재의 볼록부에 의해 절연 기재층에 형성된 오목부의 최저부를 포함하도록 구성되는 면 사이에 형성되는 층을 말하며(도 1b), 따라서, 그 오목부, 및 오목부에 전이된 구리 부재 유래의 금속은, 그 층 안에 포함된다. 오목부의 최저부는, 복수의 오목부의 저부 중, 떼내진 구리 부재의 표면으로부터 가장 먼 저부를 말하고, 오목부의 최저부를 포함하도록 구성되는 면은, 떼내진 구리 부재의 표면과 평행이다.
[1] 절연 기재층과 구리 부재를 부착시키는 공정
<구리 부재>
구리 부재의 표면은, 미세한 볼록부를 갖는다.
구리 부재의 표면의 산술 평균 조도(Ra)는 0.03 μm 이상이 바람직하고, 0.05 μm 이상이 보다 바람직하고, 또한, 0.3 μm 이하인 것이 바람직하고, 0.2 μm 이하인 것이 보다 바람직하다.
구리 부재의 표면의 최대 높이 조도(Rz)는 0.2 μm 이상이 바람직하고, 1.0 μm 이상이 보다 바람직하고, 또한, 2.0 μm 이하인 것이 바람직하고, 1.7 μm 이하인 것이 보다 바람직하다.
Ra, Rz가 너무 작으면 수지 기재와의 밀착성이 부족하고, 너무 크면 미세 배선 형성성이나 고주파 특성이 떨어지게 된다.
여기서, 산술 평균 조도(Ra)란 기준 길이(l)에 있어서, 아래의 식으로 나타나는 윤곽 곡선(y=Z(x))에서의 Z(x)(즉 볼록부의 높이와 오목부의 깊이)의 절대치의 평균을 나타낸다.
[수식 1]
최대 높이 조도(Rz)란 기준 길이(l)에 있어서, 윤곽 곡선(y=Z(x))의 볼록부의 높이(Zp)의 최대치와 오목부의 깊이(Zv)의 최대치의 합을 나타낸다.
Ra, Rz는 JIS B 0601: 2001(국제 기준 ISO4287-1997 준거)에 규정된 방법에 의해 산출할 수 있다.
구리 부재의 표면의 조도 곡선 요소의 평균 길이(RSm)는, 특별히 한정하지 않지만, 1500 nm 이하, 1400 nm 이하, 1300 nm 이하, 1200 nm 이하, 1100 nm 이하, 1000 nm 이하, 900 nm 이하, 800 nm 이하, 750 nm 이하, 700 nm 이하, 650 nm 이하, 600 nm 이하, 550 nm 이하, 450 nm 이하, 또는 350 nm 이하가 바람직하고, 100 nm 이상, 200 nm 이상 또는 300 nm 이상이 바람직하다. 여기서, RSm이란, 어느 기준 길이(lr)에서의 조도 곡선에 포함되는 1주기분의 요철이 생긴 길이(즉 윤곽 곡선 요소의 길이: Xs1~Xsm)의 평균을 나타내고, 아래의 식으로 산출된다.
[수식 2]
여기서 산술 평균 조도(Ra)의 10%를 요철에서의 최소의 높이로 하고, 기준 길이(lr)의 1%를 최소의 길이로 하여 1주기분의 요철을 정의한다. 일례로 RSm은 「원자간력 현미경에 의한 파인세라믹 박막의 표면 조도 측정 방법(JIS R 1683: 2007)」에 준하여 측정 산출할 수 있다.
구리 부재는, 적어도 일부의 표면에 구리 산화물을 포함하는 층이 형성되어 있는 복합 구리 부재인 것이 바람직하다. 구리 부재는, 구체적으로, 전해 구리박이나 압연 구리박 및 캐리어 부착 구리박 등의 구리박, 구리선, 구리판, 구리제 리드 프레임이지만, 이들에 한정되지 않는다. 구리 부재에는, 구조의 일부가 되는, Cu가 주성분으로 포함되지만, Cu 순도가 99.9질량% 이상인 순동으로 이루어지는 재료가 바람직하고, 터프 피치 구리, 탈산 구리, 무산소 구리로 형성되어 있는 것이 보다 바람직하고, 함유 산소량이 0.001질량%~0.0005질량%의 무산소구리로 형성되어 있는 것이 보다 더 바람직하다.
구리 부재가 구리박인 경우, 그 두께는 특별히 한정되지 않지만, 0.1 μm 이상 100 μm 이하가 바람직하고, 0.5 μm 이상 50 μm 이하가 보다 바람직하다.
<구리 부재의 제조 방법>
구리 산화물을 포함하는 층은, 구리 부재의 표면에 형성되어 산화구리(CuO) 및/또는 아산화구리(Cu2O)를 포함한다. 이 구리 산화물을 포함하는 층은, 구리 부재 표면을 산화 처리함으로써, 형성할 수 있다. 이 산화 처리에 의해, 구리 부재 표면이 조면화된다.
이 산화 공정 이전에, 소프트 에칭 또는 에칭 등의 조면화 처리 공정은 필요없지만, 수행해도 된다. 또한, 산화 처리 이전에, 탈지 처리, 자연 산화막 제거에 의해 표면을 균일화하기 위한 산세정, 또는 산세정 후에 산화 공정에 대한 산의 반입을 방지하기 위한 알칼리 처리를 수행할 수도 있다. 알칼리 처리의 방법은 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 0.1~10 g/L, 보다 바람직하게는 1~2 g/L의 알칼리 수용액, 예를 들어 수산화나트륨 수용액으로, 30~50℃, 0.5~2분간 정도 처리하면 된다.
산화제는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 아염소산나트륨, 차아염소산나트륨, 염소산 칼륨, 과염소산 칼륨 등의 수용액을 이용할 수 있다. 산화제에는, 각종 첨가제(예를 들어, 인산3나트륨12수화물과 같은 인산염)나 표면 활성 분자를 첨가할 수도 있다. 표면 활성 분자로는, 포르피린, 포르피린 대원환, 확장 포르피린, 환축소 포르피린, 직쇄 포르피린 폴리머, 포르피린 샌드위치 배위 착체, 포르피린 배열, 실란, 테트라오르가노실란, 아미노에틸아미노프로필트리메톡시실란, (3-아미노프로필)트리메톡시실란, (1-[3-(트리메톡시실릴)프로필]우레아)((l-[3-(Trimethoxysilyl) propyl]urea)), (3-아미노프로필)트리에톡시실란, ((3-글리시딜옥시프로필)트리메톡시실란), (3클로로프로필)트리메톡시실란, (3-글리시딜옥시프로필)트리메톡시실란, 디메틸디클로로실란, 3-(트리메톡시실릴)프로필메타크릴레이트, 에틸트리아세톡시실란, 트리에톡시(이소부틸)실란, 트리에톡시(옥틸)실란, 트리스(2-메톡시에톡시)(비닐)실란, 클로로트리메틸실란, 메틸트리클로로실란, 4염화규소, 테트라에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 클로로트리에톡시실란, 에틸렌-트리메톡시실란, 아민, 당 등을 예시할 수 있다. 산화 반응 조건은 특별히 한정되지 않지만, 산화용 약액의 액체 온도는 40~95℃인 것이 바람직하고, 45~80℃인 것이 보다 바람직하다. 반응 시간은 0.5~30분인 것이 바람직하고, 1~10분인 것이 보다 바람직하다.
구리 산화물을 포함하는 층에 대하여, 용해제를 이용하여, 산화된 구리 부재 표면의 볼록부가 조정되어 있을 수도 있다. 이 용해 공정에서 이용하는 용해제는 특별히 한정되지 않지만, 킬레이트 제품, 특히 생분해성 킬레이트제인 것이 바람직하고, 에틸렌디아민4아세트산, 디에탄올글리신, L-글루탐산2아세트산·4나트륨, 에틸렌디아민-N, N'-디숙신산, 3-하이드록시-2, 2'-이미노디숙신산나트륨, 메틸글리신2아세트산3나트륨, 아스파르트산디아세트산4나트륨, N-(2-하이드록시에틸)이미노2아세트산디나트륨, 글루콘산나트륨 등을 예시할 수 있다. 용해용 약액의 pH는 특별히 한정되지 않지만, 알칼리성인 것이 바람직하고, pH 8~10.5인 것이 보다 바람직하고, pH 9.0~10.5인 것이 보다 더 바람직하고, pH 9.8~10.2인 것이 보다 더 바람직하다.
또한, 이 구리 산화물을 포함하는 층의 표면을 환원제에 의해 환원 처리할 수도 있고, 그 경우, 구리 산화물을 포함하는 층의 표면에 아산화구리가 형성될 수도 있다. 이 환원 공정에서 이용하는 환원제로는, 디메틸아민보란(DMAB), 디보란, 수소화붕소나트륨, 하이드라진 등을 예시할 수 있다.
순동의 비저항치가 1.7×10-8(Ωm)인데 반해, 산화구리는 1~10(Ωm), 아산화구리는 1×106~1×107(Ωm)이므로, 구리 산화물을 포함하는 층은 도전성이 낮고, 가령, 수지 기재에 전이된 구리 산화물을 포함하는 층의 양이 많아도, 본 발명에 따른 구리 부재를 이용하여 프린트 배선 기판이나 반도체 패키지 기판의 회로를 형성할 때, 표피 효과에 의한 전송 손실이 잘 일어나지 않는다.
구리 산화물을 포함하는 층은 구리 이외의 금속을 포함하고 있을 수도 있다. 포함되는 금속은 특별히 한정되지 않지만, Sn, Ag, Zn, Al, Ti, Bi, Cr, Fe, Co, Ni, Pd, Au 및 Pt로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종의 금속이 포함되어 있을 수도 있다. 특히 내산성 및 내열성을 갖기 위해서는, 구리보다 내산성 및 내열성이 높은 금속, 예를 들어 Ni, Pd, Au 및 Pt가 포함되는 것이 바람직하다.
구리 산화물을 포함하는 층의 위에 구리 이외의 금속을 포함하는 층을 형성시킬 수도 있다. 이 층은, 도금에 의해 구리 부재의 최표면에 형성시킬 수 있다. 도금의 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 구리 이외의 금속으로, Sn, Ag, Zn, Al, Ti, Bi, Cr, Fe, Co, Ni, Pd, Au, Pt, 혹은 각종 합금을 이용하여, 전해 도금, 무전해 도금, 진공 증착, 화성 처리 등으로 도금할 수 있지만, 균일하고 얇은 도금층을 형성하는 것이 바람직하기 때문에, 전해 도금이 바람직하다.
전해 도금의 경우는 니켈 도금 및 니켈 합금 도금이 바람직하다. 니켈 도금 및 니켈 합금 도금으로 형성되는 금속은, 예를 들어, 순니켈, Ni-Cu 합금, Ni-Cr 합금, Ni-Co 합금, Ni-Zn 합금, Ni-Mn 합금, Ni-Pb 합금, Ni-P 합금 등을 들 수 있다.
도금에 이용하는 금속염으로, 예를 들어, 황산니켈, 술팜산니켈, 염화니켈, 브롬화니켈, 산화아연, 염화아연, 디아민디클로로파라듐, 황산철, 염화철, 무수 크롬산, 염화크롬, 황산크롬 나트륨, 황산구리, 피로인산구리, 황산코발트, 황산망간 등을 들 수 있다.
니켈 도금에 있어서, 그 욕(浴) 조성은, 예를 들어, 황산니켈(100 g/L 이상 350 g/L이하), 술팜산니켈(100 g/L 이상 600 g/L이하), 염화니켈(0 g/L 이상 300 g/L이하) 및 이들의 혼합물을 포함하는 것이 바람직하지만, 첨가제로 구연산나트륨(0 g/L 이상 100 g/L이하)이나 붕산(0 g/L 이상 60 g/L이하)이 포함되어 있을 수도 있다.
산화 처리된 구리박 표면에 전해 도금을 실시하는 경우, 우선 표면의 산화구리가 환원되어 아산화구리 또는 순동이 되는데 전하가 사용되기 때문에, 도금될 때까지 시간의 랙이 생기고, 그 후, 금속층을 형성하는 금속이 석출되기 시작한다. 그 전하량은 도금액 종류나 구리 산화물의 양에 따라 상이하지만, 예를 들어, Ni 도금을 구리 부재에 실시하는 경우, 그 두께를 바람직한 범위에 두기 위해서는 전해 도금 처리하는 구리 부재의 면적 dm2당, 10 C 이상 90 C 이하의 전하를 주는 것이 바람직하고, 20 C 이상 65 C 이하의 전하를 주는 것이 보다 바람직하다.
도금에 의해 구리 부재의 최표면에 형성된 금속의 부착량은 특별히 한정되지 않지만, 0.8~6.0 mg/dm2인 것이 바람직하다. 그리고 금속의 부착량은, 예를 들어 산성 용액으로 용해하여, ICP 분석에 의해 금속량을 측정하고, 구조체의 평면 시야 면적으로 나누어 산출할 수 있다.
구리 산화물을 포함하는 층이 구리 부재로부터 잘 파단되게 하기 위해서, 1) 산화 처리 전에 실란 커플링제 또는 방부제 등의 코팅제로 구리 부재 표면을 부분 코팅하고, 2) 산화 처리 후에, 구리 산화물을 포함하는 층을 용해제로 처리하는, 등의 공정을 수행할 수도 있다. 실란 커플링제 또는 방부제 등의 코팅제로 구리 부재 표면을 부분적으로 코팅함으로써, 그 부분이 산화 처리되는 것을 피하고, 구리 산화물을 포함하는 층에 공극이 생겨, 구리 부재로부터 구리 산화물을 포함하는 층이 파단되기 쉬워진다. 여기서, 용해제란, 구리 산화물을 용해하는 약제로서, 용해제로 처리함으로써, 구리 부재와 구리 산화물을 포함하는 층의 계면 부근의 구리 산화물이 부분적으로 용해되어, 구리 산화물을 포함하는 층이 구리 부재로부터 파단되기 쉬워진다.
실란 커플링제는 특별히 한정하지 않지만, 실란, 테트라오르가노실란, 아미노에틸-아미노프로필트리메톡시실란, (3-아미노프로필)트리메톡시실란, (1-[3-(트리메톡시실릴)프로필]우레아)((l-[3-(Trimethoxysilyl) propyl]urea)), (3-아미노프로필)트리에톡시실란, ((3-글리시딜옥시프로필)트리메톡시실란), (3-클로로프로필)트리메톡시실란, (3-글리시딜옥시프로필)트리메톡시실란, 디메틸디클로로실란, 3-(트리메톡시실릴)프로필메타크릴레이트, 에틸트리아세톡시실란, 트리에톡시(이소부틸)실란, 트리에톡시(옥틸)실란, 트리스(2-메톡시에톡시)(비닐) 실란, 클로로트리메틸실란, 메틸트리클로로실란, 4염화규소, 테트라에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 클로로트리에톡시실란, 및 에틸렌-트리메톡시실란에서 선택될 수도 있다.
방부제는 특별히 한정하지 않지만, 1H-테트라졸, 5-메틸-1H-테트라졸, 5-아미노-1H-테트라졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 1, 2, 3-트리아졸, 1, 2, 4-트리아졸, 1, 2, 3-벤조트리아졸, 5-메틸-1H-벤조트리아졸, 5-아미노-1H-벤조트리아졸, 2-머캅토벤조티아졸, 1, 3-디메틸-5-피라졸론, 피롤, 3-메틸피롤, 2, 4-디메틸피롤, 2-에틸피롤, 피라졸, 3-아미노피라졸, 4-메틸피라졸, 3-아미노-5-하이드록시피라졸, 티아졸, 2-아미노티아졸, 2-메틸티아졸, 2-아미노-5-메틸티아졸, 2-에틸티아졸, 벤조티아졸, 이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸이미다졸, 2-부틸이미다졸, 5-아미노이미다졸, 6-아미노이미다졸, 벤조이미다졸, 2-(메틸티오)벤조이미다졸에서 선택될 수도 있다.
실란 커플링제 또는 방부제에 의한 처리는, 산화 처리 전이면 언제 수행되어도 되고, 탈지 처리, 자연 산화막 제거를 수행하여 균일 처리하기 위한 산세정, 또는 산세정 후에 산화 공정에 대한 산의 반입을 방지하기 위한 알칼리 처리와 함께 수행되어도 된다.
실란 커플링제 또는 방부제에 의한 처리는, 구리 부재 표면을 부분적으로(예를 들어, 1%, 5%, 10%, 20%, 30%, 40%, 50%, 60%, 70%, 80%또는 90% 이상, 100% 미만) 코팅하는 것이 바람직하고, 그러기 위해서는, 0.1%, 0.5%, 1% 또는 2% 이상의 농도로, 실온에서 30초, 1분 또는 2분 이상 반응시키는 것이 바람직하다.
구리 산화물을 포함하는 층을 구리 부재로부터 쉽게 파단시키기 위한 용해제는, 구리 산화물을 용해하는 성분이 포함되어 있으면 되고, 염화Ni에 한정되지 않고, 염화물(염화칼륨, 염화아연, 염화철, 염화크롬 등), 암모늄염(구연산암모늄, 염화암모늄, 황산암모늄, 황산니켈암모늄 등), 킬레이트제(에틸렌디아민4아세트산, 디에탄올글리신, L-글루탐산2아세트산·4 나트륨, 에틸렌디아민-N, N'-디숙신산, 3-하이드록시-2, 2'-이미노디숙신산나트륨, 메틸글리신2아세트산3나트륨, 아스파르트산디아세트산4나트륨, N-(2-하이드록시에틸)이미노2아세트산디나트륨, 글루콘산나트륨 등), 염화주석(II), 및 구연산에서 선택될 수도 있다.
염화Ni로 처리하는 경우는, 특별히 한정하지 않지만, 염화Ni 용액(농도 45 g/L 이상)에 실온 또는 실온보다 높은 온도에서 5초 이상, 구리 산화물을 포함하는 층이 형성된 구리 부재를 침지하는 것이 바람직하다. 또한, 염화Ni 단독으로 처리하는 것뿐 아니라, 산화 처리와 동시에 수행해도 되고, 산화 처리 후, 도금 처리와 동시에 수행해도 된다. 예를 들어, 도금액 안에 염화Ni을 함유시키고, 도금 전에 5초, 10초, 15초, 20초, 30초, 1분, 또는 2분간 도금액 안에, 구리 산화물을 포함하는 층이 형성된 구리 부재를 침지할 수도 있다. 침지하는 시간은, 산화막 두께에 따라 적절히 변경 가능하다.
<절연 기재층>
절연 기재층의 기재는, 요철이 형성된 구리 부재의 표면을 절연 기재층에 부착시켰을 때, 구리 부재의 요철 형상을 포함하는 표면 프로파일이 수지 기재에 전사되는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 수지 기재가 바람직하다. 수지 기재는, 수지를 주성분으로 함유하는 재료이지만, 수지의 종류는 특별히 한정되지 않고, 열가소성 수지일 수도, 열경화성 수지일 수도 있고, 폴리페닐렌에테르(PPE), 에폭시, 폴리페닐렌옥사이드(PPO), 폴리벤조옥사졸(PBO), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 액정 폴리머(LCP), 열가소성 폴리이미드(TPI), 불소 수지, 폴리에테르이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리사이클로올레핀, 비스말레이미드 수지, 저유전율 폴리이미드, 시아네이트 수지, 또는 이들의 혼합 수지를 예시할 수 있다. 수지 기재는 추가로 무기 필러나 유리 섬유를 포함하고 있을 수도 있다. 사용되는 절연 기재층의 비유전율은 5.0 이하가 바람직하고, 4.0 이하가 보다 바람직하고, 3.8 이하가 보다 더 바람직하다.
<부착>
요철이 형성된 구리 부재의 표면을 절연 기재층에 부착시키면, 구리 부재의 요철 형상을 포함하는 표면 프로파일이 수지 기재에 전사된다. 따라서, 절연 기재층 표면에는, 구리 부재 표면의 볼록부에 상보하는 오목부, 또 오목부에 상보하는 볼록부가 형성된다.
부착시키는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 열압착(thermal press fitting)인 것이 바람직하다. 수지 기재를 구리 부재의 표면에 열압착하려면, 예를 들어, 수지 기재와 구리 부재를 밀착시켜 적층한 후, 소정 조건으로 열처리하면 된다. 소정 조건(예를 들어, 온도, 압력, 시간 등)으로 각 기재 제조사의 추천 조건을 이용할 수도 있다. 소정 조건이란, 예를 들어 아래와 같은 조건을 생각할 수 있다.
1) 수지 기재가 에폭시 수지를 포함하거나, 또는 에폭시 수지로 이루어지는 경우, 50℃~300℃의 온도에서 0~20 MPa의 압력을 1분~5시간 가함으로써, 수지 기재에 구리 부재를 열압착하는 것이 바람직하다.
예를 들어,
1-1) 수지 기재가, R-1551(Panasonic 제품)인 경우,
1 MPa의 압력하에서 가열하고, 100℃에 도달 후, 그 온도에서 5~10분 유지하고;
그 후 3.3 MPa의 압력하에서 추가로 가열하고, 170~180℃에 도달 후, 그 온도에서 50분간 유지함으로써 열압착한다.
1-2) 수지 기재가, R-1410 A(Panasonic 제품)인 경우,
1 MPa의 압력하에서 가열하고, 130℃ 도달 후, 그 온도에서 10분 유지하고; 그 후 2.9 MPa의 압력하에서 추가로 가열하고, 200℃ 도달 후, 그 온도에서 70분간 유지함으로써 열압착한다.
1-3) 수지 기재가, EM-285(EMC 제품)인 경우,
0.4 MPa의 압력하에서 가열하고, 100℃ 도달 후, 압력을 2.4~2.9 MPa로 올려 추가로 가열하고, 195℃ 도달 후, 그 온도에서 50분간 유지함으로써 열압착한다.
1-4) 수지 기재가, GX13(아지노모토파인테크노 제품)인 경우, 1.0 MPa로 가압하면서 가열하고, 180℃에서 60분간 유지함으로써 열압착한다.
2) 수지 기재가, PPE 수지를 포함하거나, 또는 PPE 수지로 이루어지는 경우, 50℃~350℃의 온도에서 0~20 MPa의 압력을 1분~5시간 가함으로써, 수지 기재에 구리 부재를 열압착하는 것이 바람직하다.
예를 들어,
2-1) 수지 기재가, R5620(Panasonic 제품)인 경우,
0.5 MPa의 압력하에서 100℃가 될 때까지 가열하면서 열압착한 후, 온도와 압력을 올려 2.0~3.0 MPa, 200~210℃에서, 120분간 유지함으로써 추가로 열압착한다.
2-2) 수지 기재가, R5670(Panasonic 제품)인 경우,
0.49 MPa의 압력하에서 110℃가 될 때까지 가열하면서 열압착한 후, 온도와 압력을 올려 2.94 MPa, 210℃에서 120분간 유지함으로써 열압착한다.
2-3) 수지 기재가, R5680(Panasonic 제품)인 경우, 0.5 MPa의 압력하에서 110℃가 될 때까지 가열하면서 열압착한 후, 온도와 압력을 올려 3.0~4.0 MPa, 195℃에서, 75분간 유지함으로써 열압착한다.
2-4) 수지 기재가, N-22(Nelco 제품)인 경우, 1.6~2.3 MPa로 가압하면서 가열하고, 177℃에서 30분간 유지 후, 추가로 가열하고, 216℃에서 60분간 유지함으로써 열압착한다.
3) 수지 기재가, PTFE 수지를 포함하거나, PTFE 수지로 이루어지는 경우, 50℃~400℃의 온도에서 0~20 MPa의 압력을 1분~5시간 가함으로써, 수지 기재에 구리 부재열을 압착하는 것이 바람직하다.
예를 들어,
3-1) 수지 기재가, NX9255(파크일렉트로케미컬 제품)인 경우, 0.69 MPa로 가압하면서 260℃가 될 때까지 가열하고, 1.03~1.72 MPa로 압력을 주어 385℃가 될 때까지 가열하고, 385℃에서 10분간 유지함으로써 열압착한다.
3-2) 수지 기재가, RO3003(로저스 제품)인 경우, 프레스 개시 50분 (대략 220℃) 이후, 2.4 MPa로 가압하고, 371℃에서 30~60분간 유지함으로써 열압착한다.
4) 수지 기재가, 액정 폴리머(LCP)를 포함하거나, LCP로 이루어지는 경우, 50℃~400℃의 온도에서 0~20 MPa의 압력을 1분~5시간 가함으로써, 수지 기재에 구리 부재열을 압착하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 수지 기재가 CT-Z(구라레 제품)인 경우, 0 MPa의 압력하에서 가열하고, 260℃에서 15분간 유지 후, 4 MPa로 가압하면서 추가로 가열하고, 300℃에서 10분간 유지함으로써 열압착한다.
[2] 구리 부재를 떼어내는 공정
절연 기재층에 구리 부재를 부착시킨 후에, 절연 기재층으로부터 구리 부재를 소정 조건으로 떼어내면, 구리 부재의 표면의 볼록부가 절연 기재층에 전이하여, 절연 기재층의 표면에 시드층을 형성한다. 따라서, 절연 기재층의 표면은 평탄해진다.
시드층의 두께는, 2.50 μm 이하이면 되지만, 2.00 μm 이하가 보다 바람직하고, 1.70 μm 이하가 보다 더 바람직하다. 또한, 0.01 μm 이상인 것이 바람직하고, 0.10 μm 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.36 μm 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 두께가 0.01 μm 미만이면, 도금 형성성이 나쁜 동시에, 절연 기재와의 밀착성이 저하된다. 2.50 μm 초과이면, 배선 형성성이 나빠진다. 그리고 시드층의 두께를 측정하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, SEM 화상에 있어서, 시드층의 두께를 실측하면 된다.
본 개시 방법에서는, 이렇게 만들어진 시드층을, 그대로 회로의 일부로 이용한다. 절연 기재층에 전이된 구리 부재의 표면의 볼록부를 제거하는 공정을 거치지 않음으로써, 구리와 절연 기재층의 밀착성이 양호해진다.
절연 기재층으로부터 구리 부재를 떼어내는 조건은, 특별히 한정하지 않지만, 90° 박리 시험(일본 공업 규격(JIS) C5016 「연성 프린트 배선판 시험 방법」; 대응 국제 규격 IEC249-1:1982, IEC326-2:1990)을 바탕으로, 수행할 수 있다. 절연 기재층으로부터 구리 부재를 떼어내는 방법도 특별히 한정하지 않지만, 기계를 이용할 수도 있고, 손으로, 즉, 인력으로 수행할 수도 있다.
구리 부재를 떼어낸 후의 절연 기재층의 표면에 전이된 금속은, 여러가지 방법(예를 들어, X선 광전자 분광법(XPS), 에너지 분산형 X선 분광법(EDS), ICP 발광 분광 분석법(고주파 유도 결합 플라즈마 발광 분광 분석법, ICP-OES/ICP-AES))을 이용하여 검출할 수 있다. 예를 들어, 표면에 구리 산화물을 포함하는 층을 갖는 구리 부재를 떼어낸 후의 절연 기재층에는, 구리 산화물을 포함하는 층에 포함되는 금속이 전이되어 있다.
XPS는 X선을 물체에 조사하여, 물체의 이온화에 따라 방출되는 광전자 e-를 포착함으로써 에너지 분석을 수행하는 수법이다. XPS에 의해, 시료 표면, 혹은 표면으로부터 소정 깊이까지(예를 들어, 6 nm 깊이까지) 존재하는 원소의 종류, 존재량, 화학 결합 상태 등을 조사할 수 있다. 분석 스팟 지름(즉, 분석 가능한 원기둥형 부분을 단면이 원이 되도록 잘랐을 때의 단면의 직경)으로는, 1 μm 이상~1 mm 이하가 적합하다. 여기에서는, XPS의 Survey spectrum 분석에 의해, 구리 산화물을 포함하는 층에 포함되는 금속 원자가, 구리 부재가 떼내진 절연 기재의 표면으로부터 검출되면 된다.
구리 부재의 볼록부에 포함되는 금속은, 전사된 표면 프로파일의 오목부의 70% 이상, 80% 이상, 90% 이상, 95% 이상, 99% 이상, 또는 99. 9% 이상을 매립하도록 절연 기재층에 전이하는 것이 바람직하다. 금속이 절연 기재층의 오목부의 대부분을 매립하면, XPS로 절연 기재층 표면을 측정했을 때에, 금속 원자의 스펙트럼의 메인 피크의 피크 강도의 합계가 C1s의 스펙트럼의 메인 피크의 피크 강도보다 커진다. 메인 피크란, 금속 원소의 여러종의 피크 중, 가장 강도가 큰 피크를 말한다. 예를 들어, Cu는 2p3 궤도, Sn은 3d5 궤도, Ag는 3d5 궤도, Zn은 2p3 궤도, Al은 2p 궤도, Ti는 2p3 궤도, Bi는 4f7 궤도, Cr은 2p3 궤도, Fe는 2p3 궤도, Co는 2p3 궤도, Ni는 2p3 궤도, Pd는 3d5 궤도, Au는 4f7 궤도, Pt는 4f7 궤도의 피크가 메인 피크이다. 그리고 여기서 말하는 스펙트럼의 피크의 강도란, XPS의 스펙트럼 데이터의 세로축 방향의 높이를 의미한다.
X선 광전자 분광법(XPS)에 의해 측정된, 구리 부재를 떼어낸 절연 기재층의 표면에서의 원자 전체에 대한 Cu2p3의 비율이 1.0 atom% 이상, 1.8 atom% 이상, 2.8 atom% 이상, 3.0 atom% 이상, 4.0 atom% 이상, 5.0 atom% 이상, 또는 6.0 atom%인 것이 바람직하다. 혹은, XPS에 의해, 전사 후의 구리 부재 표면을 측정했을 때의, Cu2p3의 표면 원자 조성 백분율/C1s의 표면 원자 조성 백분율의 비율이, 0.010 이상, 0.015 이상, 0.020 이상, 0.025 이상, 0.030 이상, 0.035 이상, 0.040 이상, 0.045 이상, 0.050 이상 또는 0.10 이상인 것이 바람직하다.
구리 부재의 볼록부가 구리 이외의 금속을 포함하는 경우는, X선 광전자 분광법(XPS)에 의해 측정된 떼내진 절연 기재층의 표면에서의 금속 원자의 원자 조성 백분율의 합계가 1.0 atom% 이상, 1.5 atom% 이상, 1.8 atom% 이상, 2.8 atom% 이상, 3.0 atom% 이상, 4.0 atom% 이상, 5.0 atom% 이상, 또는 6.0 atom%인 것이 바람직하다. 혹은, (떼내진 절연 기재층의 표면에서의 금속 원자의 원자 조성 백분율의 합계):(떼내진 절연 기재층의 표면에서의 C1s의 원자 조성 백분율)의 비의 값이 0.010 이상, 0.015 이상, 0.020 이상, 0.025 이상, 0.030 이상, 0.035 이상, 0.040 이상, 0.045 이상, 0.050 이상 또는 0.10 이상인 것이 바람직하다.
절연 기재층으로부터 떼내진 구리 부재의 표면으로부터 검출되는, 절연 기재층 유래의 물질의 양은, 검출 한계 이하이거나, 검출되어도 소량인 것이 바람직하다. 그 경우, 구리 부재를 떼어냈을 때에, 절연 기재층에서의 파단을 충분히 억제가능했기 때문이다. 절연 기재층 유래의 물질의 검출 방법은 특별히 한정되지 않고, 목적의 물질에 맞는 방법을 이용하면 되지만, 예를 들어 유기물의 경우, 감쇠 전반사 흡수 푸리에 변환 적외 분광법(FT-IR법)에 의한 절연 기재층 유래의 피크의 검출에 의해 실시할 수 있다(「Infrared and Raman Spectroscopy: Principles and Spectral Interpretation (Peter Larkin 저)」). FT-IR법이란, 측정 대상의 물질에 적외선을 조사하고, 적외선 흡수 스펙트럼을 이용하여 화합물을 동정 및/또는 정량하는 적외 분광법으로, 파장 범위 700-4000 cm-1에 있어서, S/N비가 10 이하, 9 이하가 바람직하고, 8 이하, 7 이하가 보다 바람직하고, 수지 기재 유래의 피크가 검출되지 않는 것이 바람직하다.
볼록부를 갖는 층이 형성된 구리 부재의 표면의 부착 전의 Ra에 대한 떼어낸 후의 Ra의 비율이 100% 미만, 96% 미만, 95% 미만, 94% 미만, 93% 미만, 92% 미만, 91% 미만, 90% 미만, 80% 미만, 70% 미만, 65% 미만 또는 60% 미만인 것이 바람직하다. 이 비율이 작을수록, 볼록부를 갖는 층을 형성하는 금속이 절연 기재층에 전이된 것을 의미한다.
볼록부를 갖는 층이 형성된 구리 부재의 부착 전의 표면적에 대한 떼어낸 후의 표면적의 비율이, 100% 미만, 98% 미만, 97% 미만, 96% 미만, 95% 미만, 94% 미만, 93% 미만, 92% 미만, 91% 미만, 90% 미만, 80% 미만 또는 75% 미만인 것이 바람직하다. 이 비율이 작을수록, 볼록부를 갖는 층을 형성하는 금속이 절연 기재층에 전이된 것을 의미한다. 그리고, 표면적은, 공초점 현미경이나 원자간력 현미경을 이용하여 측정할 수 있다.
열압착 전의 구리 부재의 표면과 떼내진 후의 구리 부재의 표면의 △E*ab가 13 이상, 15 이상, 20 이상, 25 이상, 30 이상, 또는 35 이상인 것이 바람직하다. 이 차가 클수록, 볼록부를 형성하는 금속이 절연 기재층에 전이된 것을 의미한다.
종래의 SAP법에서는, 위에서 설명한 바와 같이, 수지에 앵커가 되는 요철을 형성시킴으로써, 수지 기판과 시드층의 밀착성을 높이고 있다. 그 때, 밀착을 확보하기 위해 표면에 비교적 큰 요철을 형성하고 있었지만, 그로 인해 수지 표층으로부터 깊게까지 구리가 석출되기 때문에, 시드층을 에칭하여 제거할 때에 미량의 구리가 잔존하기 쉬웠다. 이 잔존하는 미량의 구리가, 배선 간의 단락을 일으키는 원인이 될 수 있기 때문에, 깊은 에칭 처리가 필요했다. 또한, 요철 형성 처리와 무전해 구리 도금 피막에 의한 밀착성 증가의 효과는, 수지 기재 선택성이 높고, 충분히 밀착 효과를 얻을 수 있는 것은, ABF(Ajinomoto Build-Up Film) 등 일부의 수지 기재뿐이다.
종래의 MSAP법에서는, 캐리어 부착 극박 구리박이 이용되지만, 극박 구리박층의 두께는 취급 등의 관점에서 1.5 μm 이상이 필요하고, 게다가 1 μm 이상의 조화 처리가 실시되어 있다. 이 조화 처리가 실시된 시드층을 수지 상에 형성함으로써, 수지 기판과 시드층의 밀착성을 높이고 있다. 그 때, 극박 구리박층과 조화 처리 부분을 포함하는 수 μm 두께의 구리층을 제거할 필요가 있으므로, 깊은 에칭 처리가 필요했다.
그러나, 최근의 미세 패턴에서는, 다량의 구리의 에칭 처리를 수행하면, 사이드 에칭에 의해 패턴 날림이 발생하여, 패턴이 소실되는 경우가 있다. 또한, 배선층은 수지 기판의 조화면이나 조화 처리 부분을 포함하는 시드층 상에 형성되므로, 요철이 크면 고주파 신호의 전송 손실이 발생하기 쉬워진다. 또한, 요철 형성 처리와 무전해 구리 도금 피막에 의한 밀착성 증가의 효과는, 수지 기재 선택성이 높고, 충분히 밀착 효과를 얻을 수 있는 것은, ABF(Ajinomoto Build-Up Film) 등 일부의 수지 기재뿐이다.
본 개시 방법에 의해 얻어진 시드층은, 종래의 SAP법에서의 디스미어 처리에 의해 조면화한 경우나, 종래의 MSAP법에서의 캐리어 부착 극박 구리박을 조화한 경우보다 표면 조도가 작기 때문에, 에칭 후의 구리의 잔존, 미세 패턴에서의 사이드 에칭에 의한 패턴 날림, 요철의 영향에 의한 고주파 신호의 전송 손실 발생 등의 문제를 회피하는 것이 가능해진다. 또한, 표면 조도는 작지만, 미세한 요철이 치밀하게 존재하기 때문에, 절연 기재와 구리가 충분히 밀착한다.
[3] 시드층의 표면 상의 소정 장소에 레지스트를 형성하는 공정
구리 부재를 떼어낸 후, 시드층의 표면 상의 소정 장소에 레지스트를 형성한다. 레지스트가 형성되는 위치는, 이후에, 회로가 되는 구리가 적층되지 않는 부분이다.
레지스트는, 예를 들어, 감광에 의해 경화 또는 용해하는 재료를 포함할 수도 있고, 특별히 한정하지 않지만, 드라이 필름 레지스트(DFR), 포지티브형 액상 레지스트, 또는 네거티브형 액상 레지스트로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
DFR에는, 필름 형성성에 기여하는 바인더 폴리머, 및 UV 조사에 의해 광중합 반응을 일으키는 모노머(예를 들어, 아크릴에스테르계 또는 메타크릴에스테르계 모노머)와 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다. DFR의 형성에는, 커버 필름/포토레지스트/캐리어 필름의 3층 구조를 갖는 드라이 필름을 이용하는 것이 바람직하다. 커버 필름을 벗기면서, 포토레지스트를 구조체에 열압착하여 적층하고, 적층 후 캐리어 필름을 벗김으로써, 구조체에 레지스트인 DFR를 형성할 수 있다.
액상 레지스트로는, 유기 용제에 가용화된 노볼락 수지 등을 들 수 있다. 액상 레지스트에 대해서는, 구조체 표면에 도포 후, 건조시킨 후, 광조사함으로써 레지스트를 용해, 또는 경화시켜, 레지스트를 형성할 수 있다.
레지스트의 두께는 특별히 한정하지 않지만, 1 μm~200 μm가 바람직하다.
시드층을 형성한 후, 레지스트를 형성하기 전에, 시드층의 표면을 도금 처리하여, 제2 시드층을 형성해도 된다. 도금 처리의 방법은, 특별히 한정되지 않고, 전해 도금일 수도 무전해 도금일 수도 있지만, 예를 들어 Ni, Sn, Al, Cr, Co, Cu 중에서 선택된 1종의 금속을 이용하여 공지된 무전해 도금 방법으로 성막할 수도 있다. 여기서, 제2 시드층이란, 도금 처리로 형성된 금속의 박막을 말한다. 제2 시드층의 두께는 특별히 한정되지 않고, 0.02~2 μm 정도일 수도 있지만, 절연 기재층의 표면의 시드층과 합하여 전체 2.5 μm 이하가 되는 것이 바람직하다.
[4] 구리의 적층 공정
그 다음, 시드층의 표면으로서 레지스트가 적층되지 않은 영역을 구리 도금 처리함으로써, 구리를 적층한다. 이 적층된 구리가, 이후에 회로로 기능한다.
구리 도금 처리의 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 이용하여, 도금 처리를 할 수 있다.
[5] 레지스트의 제거 공정
레지스트의 제거 방법은, 특별히 한정되지 않고, 발연 질산이나 황산과수를 이용하는 방법이나, O2 플라즈마 등을 이용하는 드라이 에싱법(dry ashing) 등, 공지된 방법을 이용할 수 있다.
[6] 시드층의 제거 공정
시드층의 제거 방법은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 황산-과산화수소계 에칭제를 이용한 퀵 에칭이나 플래시 에칭 등, 공지된 방법을 이용할 수 있다.
실시예
(제1 실시예) 복합 구리박의 제조
실시예 1~9, 비교예 2~3은, 후루카와덴키코교 가부시키가이샤 제품인 구리박(DR-WS, 두께: 18 μm)의 샤이니면(광택면. 반대면과 비교했을 때에 평탄한 면.)을 이용했다. 비교예 4는, 후루카와덴키코교 가부시키가이샤 제품인 구리박(FV-WS, 두께: 18 μm)의 매트면을 이용하여, 미처리 상태로 시험편으로 했다.
(1) 전처리
우선, 구리박을 아래에 기재된 용액으로, 25℃ 1분간 침지했다. 즉,
실시예 1 및 2는, 탄산칼륨 10 g/L; KBE-903(3-아미노프로필트리에톡시실란; 신에츠실리콘사 제품) 1vol%,
실시예 3은, 탄산칼륨 10 g/L; 탄산수소칼륨 0.06 g/L,
실시예 4~6은, 수산화칼륨 10 g/L,
실시예 7은, 수산화칼륨 10 g/L; KBM-603(N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란; 신에츠실리콘사 제품) 5vol%,
실시예 8은, 수산화칼륨 10 g/L; BTA(벤조트리아졸) 1 wt%,
비교예 2는, 탄산칼륨 10 g/L의 용액,
비교예 3은, 탄산칼륨 10 g/L의 용액; 탄산수소칼륨 0.06g/L, 를 이용했다.
(2) 산화 처리
전처리를 수행한 구리박을, 산화제에 침지하여 산화 처리를 수행했다.
실시예 1, 2, 7, 8 및 비교예 2는, 산화제로 아염소산나트륨 60 g/L; 수산화칼륨 20.6 g/L; 탄산칼륨 40.2 g/L의 용액을 이용했다.
실시예 3~6은, 산화제로 아염소산나트륨 46.3 g/L; 수산화칼륨 12.3 g/L; KBM-403(3-글리시독시프로필트리메톡시실란; 신에츠실리콘사 제품) 2.1 g/L의 용액을 이용했다.
비교예 3은, 산화제로 아염소산나트륨 60.5 g/L; 수산화칼륨 9. 1 g/L; 탄산칼륨 3.1 g/L; KBM-403(3-글리시독시프로필트리메톡시실란; 신에츠실리콘사 제품) 2.1 g/L의 용액을 이용했다.
실시예 1, 2, 7, 및 8은 산화제에 73℃에서 6분간 침지하고, 실시예 3~6, 비교예 2 및 3은 산화제에 73℃에서 2분간 침지했다.
(3) 도금 전처리
산화 처리 후, 실시예 4~6은, 아래와 같이 용해제를 이용하여 도금 전처리를 수행했다.
실시예 4는, 염화주석(II)·이수화물 47.2 g/L; 염산 1 mL/L의 용액을 이용하여 45℃에서 10초 처리했다.
실시예 5는, 염화암모늄 47.2 g/L의 용액을 이용하여 45℃에서 60초 처리했다.
실시예 6은, 50% 구연산 용액 6.5 mL/L의 용액을 이용하여 45℃에서 60초 처리했다.
(4) 전해 도금 처리
산화 처리 후, 실시예 2, 3 및 비교예 3은, 제1 Ni 전해 도금액(황산니켈 255 g/L; 염화니켈 49 g/L; 구연산나트륨 20 g/L)을 이용하여 전해 도금을 수행했다. 실시예 4~6은, 도금 전처리 후, 제2 Ni 전해 도금액(황산니켈 255 g/L; 구연산나트륨 20 g/L)을 이용하여 전해 도금을 수행했다. 실시예 3은 전해 도금전에 Ni 전해 도금액에 1분간 침지시켰다. 실시예 2는 50℃에서 전류 밀도 0.5 A/dm2×116초(=58 C/dm2 구리박 면적)로 전해 도금을 수행했다. 실시예 3~6, 및 비교예 3은 50℃에서 전류 밀도 0.5 A/dm2×45초(=22.5C/dm2 구리박 면적)로 전해 도금을 수행했다.
실시예 및 비교예에 대하여, 각각 동일한 상기 조건으로 복수의 시험편을 제작했다. 표 1에 상기 조건을 정리했다.
[표 1]
<2. 수지 기재의 압착 및 떼어냄>
(1) 방법
실시예 1~8 및 비교예 2~4의 시험편에 있어서, 프리프레그로, R5670KJ(Panasonic 제품), R5680J(Panasonic 제품), CT-Z(구라레 제품), NX9255(파크일렉트로케미컬 제품), 및 R1551GG(Panasonic 제품)를 이용하여, 수지 기재의 박리 시험을 수행했다.
우선, 시험편에 있어서, 프리프레그를 적층하고, 진공 고압 프레스기를 이용하여 진공중에서 열압착함으로써, 적층체 시료를 얻었다. 그리고, 수지 기재가 R5670KJ(Panasonic 제품)인 경우는, 0.49 MPa의 압력하에서 110℃가 될 때까지 가열하면서 열압착한 후, 온도와 압력을 올려 2.94 MPa, 210℃에서 120분간 유지함으로써 열압착했다. 수지 기재가 R5680J(Panasonic 제품)인 경우는, 0.5 MPa의 압력하에서 110℃가 될 때까지 가열하면서 열압착한 후, 온도와 압력을 올려 3.5 MPa, 195℃에서, 75분간 유지함으로써 열압착했다. 수지 기재가 NX9255(파크일렉트로케미컬 제품)인 경우는, 0.69 MPa로 가압하면서 260℃가 될 때까지 가열하고, 1.5 MPa로 압력을 주어 385℃가 될 때까지 가열하고, 385℃에서 10분간 유지함으로써 열압착했다. 수지 기재가 R1551GG(Panasonic 제품)인 경우는, 1 MPa의 압력하에서 가열하고, 100℃에 도달 후, 그 온도에서 10분 유지하고, 그 후 3.3 MPa의 압력하에서 추가로 가열하고, 180℃에 도달 후, 그 온도에서 50분간 유지함으로써 열압착했다. 수지 기재가 CT-Z(구라레 제품)인 경우는, 0 MPa의 압력하에서 가열하고, 260℃에서 15분간 유지 후, 4 MPa로 가압하면서 추가로 가열하고, 300℃에서 10분간 유지함으로써 열압착했다. 이들 적층체 시료에 대하여 90˚ 박리 시험(일본 공업 규격(JIS) C5016)에 준하여, 구리 부재를 수지 기재로부터 떼어냈다. 육안에 의한 관찰 결과를 도 2-1에 나타낸다. 또한, 대표적인 조합에 대하여, 떼어낸 후의 수지측 및 구리박측의 표면의 사진을 도 2-2에 나타낸다.
도 2로부터, 실시예에서는, 구리박의 표면이 수지측으로 전이하고 있는 것을 용이하게 관찰할 수 있는데 반해, 비교예에서는, 구리박의 표면은 수지측으로 전이하고 있지 않았다. 이것을 물질로 증명하기 위해, 아래와 같이 표면 해석을 수행했다.
<3. 떼어낸 후의 수지 기재의 표면 해석>
떼어낸 후의 수지 기재의 표면의 원소 분석을 수행했다. 구체적으로, 얻어진 수지 기재를, QuanteraSXM(ULVAC-PHI 제품)을 이용하여 아래의 조건으로 분석을 수행했다. 음성 대조로 아무것도 처리하지 않은 수지 기재(R5670KJ; MEGTRON6)를 분석했다(비교예 1).
(1) Survey spectrum
우선, 아래의 조건으로 원소를 검출했다.
X선 광원: 단색화 Al Kα(1486.6 eV)
X선 빔 지름: 100 μm(25w15 kV)
패스 에너지: 280 eV, 1 eV 스텝
포인트 분석: φ100 μm
적산 회수 8회
결과를 표 2 및 도 3에 나타낸다.
(2) 결과
실시예에 있어서, 전이된 구리 원자에 유래하는 Cu2p3의 스펙트럼의 피크 강도가 수지 기재에 기인하는 C1s의 스펙트럼의 피크 강도보다 큰데 반해, 비교예는 Cu2p3의 스펙트럼의 피크가 검출되지 않거나, 그 강도가 C1s의 스펙트럼의 피크 강도보다 작았다. 이것은, 비교예에 있어서는, 구리 원자가, 수지 기재에 거의 전이하지 않았거나, XPS로 검출 가능한 수지 기재 표층 부분에는 거의 존재하지 않은 것을 나타낸다.
실시예 1에서는 복합 구리박이 도금 처리되어 있지 않았으므로, Cu 원자만이 전이되어, 수지 기재측에서 검출되었다. 실시예 2 및 3에서는, Ni 도금 처리가 되어 있으므로, Cu 원자와 Ni 원자가 전이하여, 수지측에서 검출되었다.
또한, 비교예에 비해 실시예는 모두 C1s의 비율이 작았다. 실시예에서는, 산화구리 또는 아산화구리가 전사됨으로써, 표면에서의 C1s의 비율이 상대적으로 작아졌다고 생각할 수 있다.
[표 2]
<4. 열압착 전과 떼어낸 후의 복합 구리박의 Ra 및 표면적 측정>
(1) 방법
실시예 1~8 및 비교예 2~4의 복합 구리박 시험편에 있어서, 열압착 전과 떼어낸 후의 표면적을, 공초점 현미경 OPTELICS H1200(레이저테크 가부시키가이샤 제품)을 이용하여 산출했다. 측정 조건으로, 모드는 공초점 모드, 스캔 에리어는 100 μm×100 μm, Light source는 Blue, 절단치는 1/5로 했다. 오브젝트 렌즈는 ×100, 콘택트 렌즈는 ×14, 디지털 줌은 ×1, Z 피치는 10 nm의 설정으로 하여, 3군데의 데이터를 취득하고, 표면적은 3군데의 평균치로 했다.
(2) 결과
표 3에 기재와 같이, 열압착 전과 떼어낸 후에는, 실시예에서는 Ra 및 표면적이 감소한 것에 반해, 비교예에서는 반대로 증가했다. 이것은 실시예에서는, 복합 구리박의 볼록부 전부 또는 일부가 수지측으로 전이된 것에 반해, 비교예에서는 반대로 수지의 일부가 복합 구리박에 전이된 것을 나타내고 있다.
[표 3]
<5. 열압착 전과 떼어낸 후의 복합 구리박의 △E*ab 산출>
(1) 방법
열압착 전과 떼어낸 후의 각 복합 구리박 시험편의 구리박 표면의 색차(L*, a*, b*)를 측정하고, 얻어진 값으로부터, 아래의 식에 따라, △E*ab를 산출했다.
ΔE*ab=[(△L*)2+(△a*)2+(△b*)2]1/2
(2) 결과
표 4에 기재된대로, 열압착 전과 떼어낸 후에, 실시예에서는 △E*ab가 15 이상인데 반해, 비교예에서는 15 미만이었다. 이것은, 실시예에서는 구리 산화물을 포함하는 층에 포함되는 금속이 수지 기재에 전이되기 때문에, 구리 부재의 색 변화가 커지는데 반해, 비교예에서는 구리 산화물을 포함하는 층은 그대로 구리 부재에 남기 때문에, 구리 부재의 색 변화는 작아지므로, 구리 산화물을 포함하는 층에 포함되는 금속이 많이 전이될수록, 그들의 차가 커지기 때문이다. 실제로, 도 2의 사진에 있어서도, 떼어낸 후에, 실시예에서는 수지측의 착색이 크지만, 비교예에서는 수지측은 거의 흰 상태이다.
[표 4]
<5. 감쇠 전반사 흡수 푸리에 변환 적외 분광법(FT-IR/ATR법)에 의한 전이 후의 복합 구리박 표면의 해석>
(1) 방법
수지 기재로, R1551GG(에폭시계), R5670KJ, R5680J(이상, PPE계), NX9255(PTFE계), 또는 CT-Z(LCP계)를 이용하여 열압착하고, 떼어낸 후의 각 복합 구리박 시험편을 FT-IR/ATR법에 의해 아래의 측정 조건으로 해석했다.
측정 조건
Parkin Elmer 제품 Specrtum100
ATR법
크리스탈: 게르마늄
분해능: 4
스캔수: 4회
압력(포스 게이지): 40±5 [N]
스펙트럼 표시: 흡광도
(2) S/N(시그널/노이즈) 비의 산출
복합 구리박과 열압착할 때와 동일한 조건으로 수지 기재만을 가열 및 가압 처리 후, 수지 기재를 FT-IR로 측정하고, 수지 유래의 피크가 없는 임의의 파장을 50 cm-1의 범위에서 선정했다. 본 실시예에서는, 3800-3850 cm-1을 수지 유래의 피크가 없는 파장으로 했다. 또한, 파장 범위 700-4000 cm-1에 있어서, 최대 피크를 검출한 파장을 동정했다. 수지 기재로 R1551GG를 이용했을 경우는 1200 cm-1 부근, R5670KJ 및 R5680J를 이용했을 경우는 1190 cm-1 부근, NX9255를 이용했을 경우는 1232 cm-1 부근, CT-Z를 이용했을 경우는, 1741 cm-1 부근을 최대 피크 검출 파장으로 했다(도 4~8의 화살표가 최대 피크 검출 파장을 나타낸다).
전이 후의 구리 부재 표면을 FT-IR로 측정하고, 최대 피크 검출 파장에서의 피크의 양단의 극점간을 직선으로 연결한 베이스라인을 그려, 베이스라인과 피크의 최대 높이의 차이를 시그널치(S)로 했다. 파장 3800-3850 cm-1에 있어서, 검출되는 피크의 최대치와 최소치의 차를 노이즈치(N)로 하여 S/N비를 산출했다.
(3) 결과
결과를 도 4~8 및 표 5에 나타낸다.
[표 5]
표 5에 나타내는 바와 같이, 실시예에서는 복합 구리박측에 수지 유래의 유기물에 대응하는 S/N비가 10 이상인 피크는 검출되지 않았지만, 비교예에서는, 복합 구리박측에 수지 유래의 유기물에 대응하는 S/N비가 10 이상인 피크가 검출되었다.
이것은, 비교예에서는, 복합 구리박 표면의 금속은 거의 전이하지 않고, 수지 기재로부터 복합 구리박을 떼어낼 때에 수지의 응집 파괴가 생겨, 파괴된 수지가 복합 구리박 표면에 부착되므로 수지 유래의 유기물에 대응하는 피크가 검출되었기 때문이다. 한편, 실시예에서는 복합 구리박 표면의 금속은 수지 기재에 전이했기 때문에, 수지 기재로부터 복합 구리박을 떼어낸 후의 복합 구리박에는 수지의 부착은 거의 없고, 수지 유래의 유기물에 대응하는 S/N비가 10 이상인 피크는 검출되지 않았다.
즉, 비교예는 수지 기재의 강도보다, 구리 산화물을 포함하는 층이 형성하는 볼록부의 강도가 크기 때문에, 복합 구리박 표면의 금속은 전이하지 않고 수지의 응집 파괴가 생긴다. 한편, 실시예는 구리 산화물을 포함하는 층이 형성하는 볼록부의 강도가 수지 기재의 강도보다 작기 때문에, 복합 구리박 표면의 금속이 전이하므로 수지의 부착은 거의 없다.
(제2 실시예) 회로의 형성
제1 실시예에서의 실시예 3의 복합 구리박을 이용하여, 회로의 형성을 수행했다.
우선, 후루카와덴키코교 가부시키가이샤 제품인 구리박(DR-WS, 두께: 18 μm)의 샤이니면(광택면. 반대면과 비교했을 때에 평탄한 면.)을 이용하여, 하기 조건으로 처리를 수행함으로써 복합 구리박을 제작했다.
(1) 전처리
구리박을 탄산칼륨 10 g/L; 탄산수소칼륨 0.06 g/L의 용액을 이용하여 25℃ 1분간 침지했다.
(2) 산화 처리
전처리를 수행한 구리박을, 산화제에 침지하여 산화 처리를 수행했다.
산화제로 아염소산나트륨 46.3 g/L; 수산화칼륨 12.3 g/L; KBM-403(3-글리시독시프로필트리메톡시실란; 신에츠실리콘사 제품) 2.1 g/L의 용액을 이용하여 용액에 73℃에서 2분간 침지했다.
(3) 전해 도금 처리
산화 처리 후, Ni 전해 도금액(황산 니켈 255 g/L; 염화니켈 49 g/L; 구연산 나트륨 20 g/L)을 이용하여 전해 도금을 수행했다. 전해 도금전에 Ni 전해 도금액에 1분간 침지시켰다. 50℃에서 전류 밀도 0.5 A/dm2×45초(=22.5 C/dm2 구리박 면적)로 전해 도금을 수행했다.
그 다음, 코어 기판으로, 두께 0.5 mm의 기판의 양면에 18 μm의 구리박이 라미네이트되어 있는 동박적층판 R-5775(Panasonic 제품), 수지 기재로 GX13(아지노모토파인테크노 제품)을 이용하여 코어 기재, 수지 기재, 복합 구리박의 차례로 겹쳐 진공 라미네이트한 후, 180℃에서 30분간 유지함으로써 적층 기판을 얻었다.
그 후, 복합 구리박을 손으로 떼어내고, 복합 구리박 상에 형성된 미세한 요철부를 수지 기재 상에 전이시킴으로써, 수지 기재에 시드층을 형성했다. 형성된 시드층 상에 시판의 감광성 드라이 필름을 부착하고, 마스크를 통하여 노광을 수행하고, 0.8% 탄산수소나트륨으로 현상 처리를 수행함으로써 도금 레지스트를 형성했다.
그리고, 시판의 전해 구리 도금액을 이용하고, 전류 밀도 1 A/dm2, 30℃에서 30분간 전해 구리 도금을 수행함으로써 두께 15 μm의 전해 구리 도금막을 형성했다.
또한, 도금 레지스트를 5% 수산화칼륨으로 박리 제거한 후, 그 도금 레지스트 하의 시드층을 황산과 과산화수소의 혼합액을 이용하는 에칭으로 용해 제거함으로써 적층 배선 회로판을 얻었다(도 9). 이와 같이, 표면에 볼록부를 갖는 구리 부재와 절연 기재층을 부착시키고, 상기 구리 부재를 떼어냄으로써, 상기 볼록부를 상기 절연 기재층 표면에 전이시켜, 시드층을 형성하는 공정을 거치는 것에 의해 적층 배선 회로판을 얻을 수 있다.
Claims (19)
- 절연 기재층과 구리의 적층체의 제조 방법으로서,
상기 절연 기재층과 표면에 볼록부를 갖는 구리 부재를 부착시키는 공정;
상기 구리 부재를 떼어냄으로써, 상기 볼록부를 상기 절연 기재층 표면에 전이시켜, 시드층을 형성하는 공정;
상기 시드층의 표면 상의 소정 장소에 레지스트를 형성하는 공정;
상기 시드층의 표면으로서 상기 레지스트가 적층되지 않은 영역을 구리 도금 처리하는 것에 의해, 상기 구리를 적층하는 공정;
상기 레지스트를 제거하는 공정; 및,
상기 레지스트의 제거에 의해 노출된 상기 시드층을 제거하는 공정;을 포함하는, 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 구리 부재의 상기 표면의 상기 볼록부는, 화학 처리에 의해, 상기 구리 부재의 표면에 형성된, 제조 방법. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 절연 기재층의 표면에는, 디스미어 처리에 의해 볼록부가 형성되지 않는, 제조 방법. - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 구리 도금 처리가 전해 구리 도금 처리인, 제조 방법. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 시드층을 형성하는 공정과 상기 레지스트를 형성하는 공정 사이에, 상기 시드층의 표면을 무전해 도금 처리하는 공정을 수행하는, 제조 방법. - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
열압착에 의해, 상기 절연 기재층과 상기 구리 부재가 서로 부착되는, 제조 방법. - 제6항에 있어서,
상기 절연 기재층으로부터 떼어낸 상기 구리 부재의 표면을, 감쇠 전반사 흡수 푸리에 변환 적외 분광법(FT-IR/ATR법)을 이용하여 해석했을 때, 파장 범위 700-4000 cm-1에 있어서, 검출되는 수지 기재 유래의 물질에 대응하는 피크의 S/N비가 10 이하인, 제조 방법. - 제7항에 있어서,
상기 피크의 S/N비가 7 이하인, 제조 방법. - 제6항에 있어서,
상기 구리 부재가 떼내진 상기 수지 기재의 표면에 대해, X선 광전자 분광법(XPS)에 의해, Survey spectrum 분석을 수행했을 때, 얻어진 X선 광전자 분광 스펙트럼에 있어서, 상기 구리 부재에 포함되는 금속 원자가, 상기 구리 부재가 떼내진 상기 수지 기재의 표면으로부터 검출되는, 제조 방법. - 제9항에 있어서,
상기 구리 부재가 떼내진 상기 수지 기재의 표면으로부터 검출되는 금속 원소의 메인 피크의 강도의 합계가 C1s의 피크 강도보다 큰, 제조 방법. - 제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 XPS에 의한 측정으로부터 산출되는
[금속 원소의 표면 원자 조성 백분율(Atom%)의 합계]/[C1s의 표면 원자 조성 백분율(Atom%)]
이 0.03 이상인, 수지 기재의 제조 방법. - 제8항 또는 제9항에 있어서,
상기 XPS에 의한 측정으로부터 산출되는
[금속 원소의 표면 원자 조성 백분율(Atom%)의 합계]/[C1s의 표면 원자 조성 백분율(Atom%)]
이 0.04 이상인, 수지 기재의 제조 방법. - 제6항에 있어서,
상기 구리 부재가 떼내진 상기 수지 기재의 표면에 대해, X선 광전자 분광법(XPS)에 의해, Survey spectrum 분석을 수행했을 때, Cu2p3과 Ni2p3의 표면 원자 조성 백분율의 합계가 3.0 atom% 이상인, 수지 기재의 제조 방법. - 제6항에 있어서,
상기 구리 부재가 떼내진 상기 수지 기재의 표면에 대해, X선 광전자 분광법(XPS)에 의해, Survey spectrum 분석을 수행했을 때, Cu2p3과 Ni2p3의 표면 원자 조성 백분율의 합계가 1.5 atom% 이상인, 수지 기재의 제조 방법. - 제6항에 있어서,
상기 구리 부재가 떼내진 상기 수지 기재의 표면에 대해, X선 광전자 분광법(XPS)에 의해, Survey spectrum 분석을 수행했을 때, Cu2p3의 표면 원자 조성 백분율이 2.8 atom% 이상인, 수지 기재의 제조 방법. - 제6항에 있어서,
상기 구리 부재가 떼내진 상기 수지 기재의 표면에 대해, X선 광전자 분광법(XPS)에 의해, Survey spectrum 분석을 수행했을 때, Cu2p3의 표면 원자 조성 백분율이 1.0 atom% 이상인, 수지 기재의 제조 방법. - 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표면에 볼록부를 갖는 구리 부재가,
1) 재료가 되는 구리 부재의 표면을 실란 커플링제 또는 방부제로 부분 코팅하는 공정, 및,
2) 상기 부분 코팅된 상기 표면을 산화 처리함으로써 구리 산화물을 포함하는 층을 형성하는 공정에 의해 형성되는, 제조 방법. - 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표면에 볼록부를 갖는 구리 부재가,
1) 재료가 되는 구리 부재의 표면을 산화 처리함으로써 구리 산화물을 포함하는 층을 형성하는 공정, 및,
2) 상기 산화 처리된 상기 표면을, 상기 구리 산화물을 용해시키는 용해제로 처리하는 공정에 의해 형성되는, 제조 방법. - 제18항에 있어서,
상기 용해제가, 염화칼륨, 염화Ni, 염화아연, 염화철, 염화크롬, 구연산암모늄, 염화암모늄, 황산암모늄, 황산니켈암모늄, 에틸렌디아민4아세트산, 디에탄올글리신, L-글루탐산2아세트산·4나트륨, 에틸렌디아민-N, N'-디숙신산, 3-하이드록시-2, 2'-이미노디숙신산나트륨, 메틸글리신2아세트산3나트륨, 아스파르트산디아세트산4나트륨, N-(2-하이드록시에틸)이미노2아세트산디나트륨 및 글루콘산나트륨으로 이루어지는 군에서 선택되는, 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021052381 | 2021-03-25 | ||
| JPJP-P-2021-052381 | 2021-03-25 | ||
| PCT/JP2022/013645 WO2022202921A1 (ja) | 2021-03-25 | 2022-03-23 | 積層体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230160790A true KR20230160790A (ko) | 2023-11-24 |
Family
ID=83395781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237027933A KR20230160790A (ko) | 2021-03-25 | 2022-03-23 | 적층체의 제조 방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240179848A1 (ko) |
| EP (1) | EP4317532A1 (ko) |
| JP (1) | JPWO2022202921A1 (ko) |
| KR (1) | KR20230160790A (ko) |
| CN (1) | CN116745462A (ko) |
| TW (1) | TW202248460A (ko) |
| WO (1) | WO2022202921A1 (ko) |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000036660A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Hitachi Chem Co Ltd | ビルドアップ多層配線板の製造方法 |
| JP4592936B2 (ja) | 2000-12-05 | 2010-12-08 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 電子回路用銅箔及び電子回路の形成方法 |
| JP4432517B2 (ja) | 2004-02-06 | 2010-03-17 | 株式会社村田製作所 | 複合多層基板 |
| JP5298347B2 (ja) | 2009-05-18 | 2013-09-25 | 株式会社フジクラ | プリント配線基板及びその製造方法 |
| JP2015078422A (ja) * | 2012-11-20 | 2015-04-23 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付き銅箔 |
| WO2015040998A1 (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-26 | 三井金属鉱業株式会社 | 銅箔、キャリア箔付銅箔及び銅張積層板 |
| WO2017056534A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
| JP6985745B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2021-12-22 | ナミックス株式会社 | 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
| JP2021052381A (ja) | 2019-09-20 | 2021-04-01 | 株式会社リコー | シート搬送装置、画像読取装置及び画像形成装置 |
| JP6806405B1 (ja) * | 2020-04-27 | 2021-01-06 | ナミックス株式会社 | 複合銅部材 |
-
2022
- 2022-03-23 CN CN202280009670.2A patent/CN116745462A/zh active Pending
- 2022-03-23 JP JP2023509261A patent/JPWO2022202921A1/ja active Pending
- 2022-03-23 EP EP22775703.6A patent/EP4317532A1/en active Pending
- 2022-03-23 US US18/551,955 patent/US20240179848A1/en active Pending
- 2022-03-23 WO PCT/JP2022/013645 patent/WO2022202921A1/ja active Application Filing
- 2022-03-23 KR KR1020237027933A patent/KR20230160790A/ko unknown
- 2022-03-25 TW TW111111394A patent/TW202248460A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022202921A1 (ja) | 2022-09-29 |
| JPWO2022202921A1 (ko) | 2022-09-29 |
| EP4317532A1 (en) | 2024-02-07 |
| US20240179848A1 (en) | 2024-05-30 |
| CN116745462A (zh) | 2023-09-12 |
| TW202248460A (zh) | 2022-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101268145B1 (ko) | 구리의 표면 처리 방법 및 구리 | |
| TWI587757B (zh) | Copper foil, copper foil with carrier foil, and copper clad laminate | |
| US11781236B2 (en) | Composite copper foil | |
| WO2022224684A1 (ja) | 銅部材 | |
| WO2021172096A1 (ja) | 空隙を有する複合銅部材 | |
| US20230142375A1 (en) | Composite copper components | |
| KR20230160790A (ko) | 적층체의 제조 방법 | |
| WO2022201563A1 (ja) | 配線基板用積層体 | |
| WO2022138682A1 (ja) | 銅部材、プリント配線板用導体、プリント配線板用部材、プリント配線板、プリント回路板およびそれらの製造方法 | |
| WO2022224683A1 (ja) | 複合銅部材の製造システム | |
| WO2021193470A1 (ja) | 複合銅配線及びレジスト層を有する積層体 | |
| JP7479617B2 (ja) | 複合銅部材 | |
| JP7352939B2 (ja) | 複合銅部材 | |
| WO2022138681A1 (ja) | 金属部材 | |
| JP2023145211A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP2023145243A (ja) | プリント配線板の製造方法 |