KR20230142382A - 표시모듈, 표시패널 및 그 제조방법 - Google Patents

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KR20230142382A
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김준우
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고경현
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Abstract

표시모듈은 베이스 기판 및 평면 상에서 상기 베이스 기판에 중첩하며 투과영역이 정의된 베젤패턴을 포함하는 윈도우 및 표시패널을 포함한다. 상기 베젤패턴은 상기 베이스 기판의 엣지를 따라 연장된 제1 베젤패턴 및 상기 제1 베젤패턴으로부터 연장되며 적어도 일부분이 상기 투과영역을 정의하는 제2 베젤패턴을 포함한다. 상기 표시패널은 유리 기판, 상기 유리 기판 상에 배치된 봉지 기판, 상기 유리 기판과 상기 봉지 기판을 결합하고, 평면 상에서 상기 제1 베젤패턴에 중첩하는 실링부재, 상기 유리 기판 상에 배치되고, 트랜지스터를 포함하는 회로 소자층, 및 상기 회로 소자층 상에 배치되고, 발광소자들을 포함하며, 하측에 배치된 층의 상기 투과영역에 대응하는 일부 영역을 노출시키는 표시 소자층을 포함한다.

Description

표시모듈, 표시패널 및 그 제조방법{DISPLAY MODULE, DISPLAY PANEL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DISPLAY PANEL}
본 발명은 표시모듈 및 이에 포함된 표시패널 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 광 신호가 이동되는 투과영역을 포함하는 표시모듈, 이에 포함된 표시패널 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
근래, 휴대용 전자 장치가 널리 보급되고 있고, 그 기능이 점점 더 다양해지고 있다. 사용자는 더 넓은 면적의 표시영역 및 더 좁은 면적의 베젤영역을 갖는 전자 장치를 선호한다.
베젤영역의 면적을 감소시키기 위해 다양한 형태의 전자 장치가 개발되고 있다.
본 발명의 목적은 넓은 표시영역 및 좁은 베젤영역을 갖는 표시모듈을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 넓은 표시영역 및 좁은 비표시영역을 포함하는 표시패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 불량률이 감소된 표시패널의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈은 베이스 기판 및 평면 상에서 상기 베이스 기판에 중첩하는 베젤패턴을 포함하는 윈도우 및 표시패널을 포함한다. 상기 베젤패턴은 상기 베이스 기판의 엣지를 따라 연장된 제1 베젤패턴 및 평면 상에서 상기 윈도우의 중심을 향해 볼록한 형상을 갖도록 상기 제1 베젤패턴으로부터 연장되며 적어도 일부분이 투과영역을 정의하는 제2 베젤패턴을 포함한다.
상기 표시패널은 유리 기판, 상기 유리 기판 상에 배치된 봉지 기판, 상기 유리 기판과 상기 봉지 기판을 결합하고, 평면 상에서 상기 제1 베젤패턴에 중첩하는 실링부재, 상기 유리 기판 상에 배치되고, 트랜지스터를 포함하는 회로 소자층 및 상기 회로 소자층 상에 배치되고, 발광소자들을 포함하며, 하측에 배치된 층의 상기 투과영역에 대응하는 일부 영역을 노출시키는 표시 소자층을 포함한다.
상기 회로 소자층은 상기 투과영역에 대응하는 상기 유리 기판의 일부 영역을 노출하고, 상기 유리 기판의 상기 일부 영역은 기체에 노출될 수 있다.
상기 회로 소자층은 상기 베젤패턴에 비중첩하는 회로영역 및 상기 제2 베젤패턴에 중첩하는 경계영역을 포함하고, 상기 경계영역은 상기 회로영역보다 작은 두께를 가질 수 있다.
평면 상에서 상기 제2 베젤패턴에은 상기 실링부재에 비 중첩할 수 있다.
상기 하측에 배치된 층은 상기 회로 소자층의 절연층이거나 상기 유리 기판일 수 있다.
상기 표시 소자층은 상기 베젤패턴에 비중첩하는 소자영역 및 상기 제2 베젤패턴에 중첩하는 경계영역을 포함하고, 상기 경계영역은 상기 소자영역보다 작은 두께를 가질 수 있다.
상기 발광소자들은 상기 제2 베젤패턴에 비 중첩할 수 있다.
상기 회로 소자층과 상기 표시 소자층의 상기 제2 베젤패턴에 중첩하는 영역은 경계영역으로 정의되고, 상기 경계영역의 두께는 상기 유리 기판의 상기 일부 영역에 인접할수록 작아질 수 있다.
상기 봉지 기판은 유리 기판을 포함할 수 있다.
상기 봉지 기판은 상기 제2 베젤패턴 및 상기 투과영역에 중첩할 수 있다.
상기 윈도우와 상기 표시패널 사이에 배치된 반사방지유닛을 더 포함하고, 상기 반사방지유닛은 상기 투과영역에 대응하는 개구부를 포함할 수 있다.
상기 개구부에 충진된 레진을 더 포함하고, 상기 레진의 굴절률은 1.4 내지 1.6 일 수 있다.
상기 반사방지유닛은 편광자 및 리타더를 포함할 수 있다.
상기 윈도우와 상기 반사방지유닛을 결합하는 접착부재를 더 포함하고, 상기 접착부재는 상기 반사방지유닛의 상기 개구부에 대응하는 개구부를 포함할 수 있다.
상기 접착부재의 상기 개구부와 상기 반사방지유닛의 상기 개구부에 충진된 레진을 더 포함하고, 상기 레진의 굴절률은 1.4 내지 1.6 일 수 있다.
상기 접착부재는의 상기 개구부와 상기 반사방지유닛의 상기 개구부에 충진된 레진을 더 포함하고, 상기 레진은 상기 윈도우의 베이스 기판과 접촉하고, 상기 레진의 굴절률은 상기 윈도우의 상기 베이스 부재의 굴절률과 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 윈도우와 상기 표시패널 사이에 배치된 입력감지유닛을 더 포함하고, 상기 입력감지유닛은 상기 봉지 기판 상에 직접 배치된 감지전극들 및 상기 감지전극들을 커버하는 절연층을 포함할 수 있다.
상기 제2 베젤패턴은 평면 상에서 곡선 영역을 포함할 수 있다.
상기 제2 베젤패턴의 너비는 상기 제1 베젤패턴의 너비의 70% 이하일 수 있다.
상기 제1 베젤패턴의 일부 영역은 상기 제2 베젤패턴과 함께 상기 투과영역을 정의하며, 상기 제1 베젤패턴의 상기 일부 영역은 상기 제1 베젤패턴의 다른 영역보다 작은 너비를 가질 수 있다.
상기 투과영역을 정의하는 상기 제1 베젤패턴과 상기 제2 베젤패턴의 내측 라인은 원을 정의할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시기판은 유리 기판, 상기 유리 기판의 상면 상에 배치되고, 트랜지스터를 포함하는 회로 소자층, 상기 회로 소자층 상에 배치되고, 발광소자들을 포함하는 표시 소자층, 상기 표시 소자층 상에 배치된 봉지 기판, 상기 유리 기판과 상기 봉지 기판을 결합하고, 평면 상에서 상기 회로 소자층의 외측에 배치된 실링부재를 포함할 수 있다. 상기 트랜지스터에 접촉하는 상기 회로 소자층의 절연층은 외측 엣지를 갖고, 상기 외측 엣지는 평면 상에서 상기 절연층의 중심을 향하여 오목한 오목 영역을 포함하고, 상기 오목 영역에 대응하는 상기 유리 기판의 상기 상면의 일부 영역은 상기 절연층으로부터 노출될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시기판의 제조방법은 제1 작업기판의 복수 개의 유닛셀 영역들에 트랜지스터를 포함하는 회로 소자층을 형성하는 단계, 상기 복수 개의 유닛셀 영역들에 발광소자를 포함하는 표시 소자층을 형성하는 단계, 상기 제1 작업기판에 제2 작업기판을 결합하여 작업패널을 형성하는 단계, 및 상기 작업패널을 복수 개의 유닛셀 영역들에 대응하는 부분들로 절단하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 회로 소자층을 형성하는 단계는 상기 복수 개의 유닛셀 영역들 각각에 절연층을 증착하는 단계를 포함하고, 상기 절연층은 외측 엣지를 갖고, 상기 외측 엣지는 평면 상에서 상기 절연층의 중심을 향하여 오목한 오목 영역을 포함하고, 상기 오목 영역에 대응하는 상기 제1 작업기판의 상면의 일부 영역은 상기 절연층으로부터 노출될 수 있다.
상기 절연층을 증착하는 단계는 제1 마스크 조립체를 이용하여 수행되고, 상기 제1 마스크 조립체는, 개구부가 정의된 프레임, 상기 개구부에 중첩하도록 상기 프레임에 결합되고, 제1 방향으로 연장되며 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 나열된 복수 개의 제1 스틱들 및 상기 복수 개의 제1 스틱들과 교차하게 배치된 복수 개의 제2 스틱들을 포함할 수 있다.
상기 제1 스틱들 각각은 직선 형상의 스틱부 및 상기 스틱부에 결합되고 평면 상에서 스틱부의 외측으로 돌출된 마스크부를 포함할 수 있다.
상기 마스크부의 엣지는 평면상에서 곡선을 포함할 수 있다.
상술한 바에 따르면, 넓은 표시영역 및 좁은 비표시영역을 제공할 수 있다. 특히, 평면 상에서 표시영역의 중심을 향해 돌출된 제2 베젤패턴의 너비가 감소될 수 있다.
투과영역에 대응하는 표시패널을 관통하는 개구부가 형성되지 않기 때문에 표시패널의 불량이 감소될 수 있다. 강한 내충격성을 갖는 표시모듈을 제공할 수 있다.
투과영역에 대응하는 표시패널에 있어서, 상측의 절연층들이 하측의 구조물을 밀봉하므로 수분으로부터 회로소자 또는 발광소자를 보호할 수 있다.
마스크의 형상 변형만으로 비전형적인 형상의 표시영역을 갖는 표시패널을 제조할 수 있다. 제조 비용이 증가하지 않는다. 표시패널은 전형적인 형상을 가지므로 제조방법에 있어서 작업패널의 절단 공정이 단순해진다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자장치의 분해 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자장치의 블럭도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈의 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 확대된 단면도이다.
도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층의 단면도이다.
도 5e는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층의 평면도이다.
도 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층의 부분 단면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈의 부분 평면도이다.
도 6b 및 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈의 단면도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 7b 및 도 7c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 작업기판의 평면도이다.
도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 증착설비의 단면도이다.
도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 마스크 조립체의 분해 사시도이다.
도 8d는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 마스크 조립체의 평면도이다.
도 8e는 본 발명의 일 실시예에 따른 작업기판의 평면도이다.
도 8f는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 증착설비의 단면도이다.
도 8g는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 마스크 조립체의 분해 사시도이다.
도 8h는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 마스크 조립체의 평면도이다.
도 8i는 본 발명의 일 실시예에 따른 작업패널의 평면도이다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈의 단면도이다.
도 10a 내지 도 10h는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈의 부분 평면도이다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자장치(ED)의 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자장치(ED)의 분해 사시도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자장치(ED)의 블럭도이다.
도 1에 도시된 것과 같이, 전자장치(ED)는 표시면(ED-IS)을 통해 이미지(IM)를 표시할 수 있다. 표시면(ED-IS)은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 표시면(ED-IS)의 법선 방향, 즉 전자장치(ED)의 두께 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다.
이하에서 설명되는 각 부재들 또는 유닛들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향축(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 본 실시예에서 도시된 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3)은 예시에 불과하다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향축들(DR1, DR2, DR3) 각각 이 지시하는 방향으로써 정의되고, 동일한 도면 부호를 참조한다.
표시면(ED-IS)은 표시영역(DA) 및 표시영역(DA)에 인접한 비표시영역(NDA)을 포함한다. 비표시영역NDA)은 이미지가 표시되지 않는 영역이다. 비표시영역(DD-NDA)은 베젤영역(BZA)과 투과영역(TA)을 포함할 수 있다. 베젤영역(BZA)은 광신호를 차단하는 영역이고, 투과영역(TA)은 광신호를 전송할 수 있는 영역이다. 3개의 투과영역(TA)을 예시적으로 도시하였다. 여기서 광신호는 외부의 자연광이거나, 발광소자(LS, 도 2 참조)에서 생성된 예컨대 적외선 일수 있다.
본 실시예에서 표시영역(DA)을 에워싸는 비표시영역(NDA)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)의 일측에 배치되면 충분하다. 본 실시예에서 평탄한(flat) 표시면(ED-IS)을 예시적으로 도시하였으나, 일 실시예에 따르면 표시면(ED-IS)의 제2 방향(DR2)에서 마주하는 양측에는 제1 방향(DR1)으로 연장된 엣지를 따라서 곡면 영역이 배치될 수도 있다.
본 실시예에서 휴대폰이 예시적으로 도시되어 있으나, 본 발명에 따른 전자장치는 이에 한정되지 않고, 텔레비전, 네비게이션, 컴퓨터 모니터, 게임기 등 다양한 정보 제공장치로 변형되어 실시될 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 것과 같이, 전자장치(ED)는 표시모듈(DM), 전자모듈(EM), 전자광학모듈(ELM), 전원모듈(PSM) 및 하우징(HM)을 포함할 수 있다.
표시모듈(DM)은 이미지를 생성한다. 표시모듈(DM)은 표시패널(DP), 기능성부재(FM), 및 윈도우(WM)을 포함한다.
표시패널(DP)은 특별히 한정되는 것은 아니며 예를 들어, 유기발광표시패널(organic light emitting display panel) 또는 퀀텀닷 발광표시패널과 같은 발광형 표시패널일 수 있다.
기능성부재(FM)의 구성에 따라 표시모듈(DM)은 외부입력, 외부압력을 감지할 수도 있다. 기능성부재(FM)는 표시모듈(DM)의 기능 향상을 위한 다양한 부재들을 포함할 수 있다.
기능성부재(FM)는 반사방지유닛 및 입력감지유닛을 포함할 수 있다. 반사방지유닛은 편광자 및/또는 리타더를 포함할 수 있다. 편광자 및 리타더는 연신형 또는 코팅형일 수 있다. 입력감지유닛은 정전용량 방식의 터치패널 또는 압력감지방식의 터치패널 또는 전자기 유도방식 터치패널을 포함할 수 있다.
윈도우(WM)은 전자장치(ED)의 외면을 제공한다. 윈도우(WM)은 베이스 기판을 포함하고, 반사 방지층, 지문 방지층과 같은 기능층들을 더 포함할 수 있다. 별도로 도시되지 않았으나, 표시모듈(DM)은 적어도 하나의 접착부재를 포함할 수 있다. 접착부재는 광학투명접착부재 또는 감압접착부재일 수 있다.
전자모듈(EM)은 제어 모듈(10), 무선통신 모듈(20), 영상입력 모듈(30), 음향입력 모듈(40), 음향출력 모듈(50), 메모리(60), 및 외부 인터페이스 모듈(70) 등을 포함할 수 있다. 상기 모듈들은 상기 회로기판에 실장되거나, 플렉서블 회로기판을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 전자모듈(EM)은 전원모듈(PSM)과 전기적으로 연결된다.
제어 모듈(10)은 전자장치(ED)의 전반적인 동작을 제어한다. 예를 들어 제어 모듈(10)은 사용자 입력에 부합하게 표시모듈(DM)을 활성화 시키거나, 비활성화 시킨다. 제어 모듈(10)은 사용자 입력에 부합하게 영상입력 모듈(30), 음향입력 모듈(40), 음향출력 모듈(50) 등을 제어할 수 있다. 제어 모듈(10)은 적어도 하나의 마이크로 프로세서를 포함할 수 있다.
무선통신 모듈(20)은 블루투스 또는 와이파이 회선을 이용하여 다른 단말기와 무선 신호를 송/수신할 수 있다. 무선통신 모듈(20)은 일반 통신회선을 이용하여 음성신호를 송/수신할 수 있다. 무선통신 모듈(20)은 송신할 신호를 변조하여 송신하는 송신회로(22)와, 수신되는 신호를 복조하는 수신회로(24)를 포함한다.
영상입력 모듈(30)은 영상 신호를 처리하여 표시모듈(DM)에 표시 가능한 영상 데이터로 변환한다. 음향입력 모듈(40)은 녹음 모드, 음성인식 모드 등에서 마이크로폰(Microphone)에 의해 외부의 음향 신호를 입력받아 전기적인 음성 데이터로 변환한다. 음향출력 모듈(50)은 무선통신 모듈(20)로부터 수신된 음향 데이터 또는 메모리(60)에 저장된 음향 데이터를 변환하여 외부로 출력한다.
외부 인터페이스 모듈(70)은 외부 충전기, 유/무선 데이터 포트, 카드 소켓(예를 들어, 메모리 카드(Memory card), SIM/UIM card) 등에 연결되는 인터페이스 역할을 한다.
전자광학모듈(ELM)은 카메라 모듈(CM)을 포함할 수 있다. 카메라 모듈(CM)은 외부이미지를 촬영한다. 전자광학모듈(ELM)은 발광소자(LS) 및 포토센서(PS)를 포함할 수 있다. 발광소자(LS)은 적외선을 출광하고, 포토센서(PS)는 외부물체에 의해 반사된 적외선을 수신할 수 있다. 이들은 근접센서의 기능을 수행한다. 카메라 모듈(CM), 발광소자(LS), 및 포토센서(PS)는 회로기판에 실장되거나, 플렉서블 회로기판을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
전원모듈(PSM)은 전자장치(ED)의 전반적인 동작에 필요한 전원을 공급한다. 전원모듈(PSM)은 통상의 베터리 장치를 포함할 수 있다.
하우징(HM)은 표시모듈(DM), 특히 윈도우(WM)와 결합되어 상기 다른 모듈들을 수납한다. 도 2에는 1개의 부재로 구성된 하우징(HM)이 예시적으로 도시되었다. 그러나, 하우징(HM)은 서로 조립되는 2개 이상의 부품들을 포함할 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)의 단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세란 설명은 생략한다.
도 4a에 도시된 것과 같이, 표시모듈(DM)은 표시패널(DP), 입력감지유닛(FM-1), 반사방지유닛(FM-2), 윈도우(WM)을 포함한다. 입력감지유닛(FM-1)은 "층 타입"으로써 표시패널(DP)이 제공하는 베이스 면상에 직접배치 될 수 있다. 본 명세서에서 "B의 구성이 A의 구성 상에 직접 배치된다"는 것은 A의 구성과 B의 구성 사이에 별도의 접착층/접착부재이 배치되지 않는 것을 의미한다. B 구성은 A 구성이 형성된 이후에 A구성이 제공하는 베이스면 상에 연속공정을 통해 형성된다.
반사방지유닛(FM-2)은 적어도 편광필름을 포함할 수 있다. 편광필름은 연신형 편광자일 수 있다. 반사방지유닛(FM-2)은 λ/4 리타더 필름을 포함할 수 있다. 반사방지유닛(FM-2)은 λ/2 리타더 필름을 더 포함할 수 있다. λ/4 리타더 필름과 λ/2 리타더 필름 역시 연신형 리타더일 수 있다. 편광자와 리타더는 접착부재에 의해 결합될 수 있다.
입력감지유닛(FM-1), 반사방지유닛(FM-2), 윈도우(WM)는 접착부재(OCA)를 통해서 결합될 수 있다.
도 4b에 도시된 것과 같아, 입력감지유닛(FM-1)은 "패널 타입"으로써 접착부재를 통해서 표시패널(DP)에 연결될 수 있다. "패널 타입"은 베이스면을 제공하는 베이스층, 예컨대 합성수지 필름, 복합재료 필름, 유리 기판 등을 포함하지만, "층 타입"은 상기 베이스층이 생략될 수 있다. 다시 말해, "층"으로 표현되는 상기 유닛들은 다른 유닛이 제공하는 베이스면 상에 배치된다.
윈도우(WM)은 베이스 기판(WM-BS)과 베젤패턴(WM-BZ)을 포함할 수 있다. 베이스 기판(WM-BS)은 유리 기판과 같은 투명 기판을 포함한다. 이에 제한되지 않고, 베이스 기판(WM-BS)은 강화플라스틱을 포함할 수 있다. 베젤패턴(WM-BZ)은 유색의 유기층을 포함하고, 실질적으로 도 1의 비표시영역(NDA)을 정의할 수 있다. 베젤패턴(WM-BZ)은 다층구조를 가질 수 있다. 다층구조는 유색의 컬러층과 검정의 차광층을 포함할 수 있다.
별도로 도시하지 않았으나, 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)의 입력감지유닛(FM-1), 반사방지유닛(FM-2)은 생략될 수 있다. 연속된 공정을 통해 형성함으로써 윈도우층이 표시패널(DP) 상에 직접 배치될 수도 있다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 단면도이다. 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 평면도이다. 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 확대된 단면도이다. 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층(FM-1)의 단면도이다. 도 5e는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층(FM-1)의 평면도이다. 도 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층(FM-1)의 부분 단면도이다.
도 5a에 도시된 것과 같이, 도 2a에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)은 베이스층(BL), 베이스층(BL) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL), 회로 소자층(DP-CL) 상에 배치된 표시 소자층(DP-OLED), 봉지 기판(EC) 및 실링부재(SM)을 포함한다.
베이스층(BL)은 유리 기판을 포함할 수 있다. 그밖에 베이스층(BL)은 가시광 파장 범위에서 실질적으로 굴절률이 일정한 기판을 포함할 수 있다.
회로 소자층(DP-CL)은 적어도 하나의 절연층과 회로 소자를 포함한다. 이하, 회로 소자층(DP-CL)에 포함된 절연층은 중간 절연층으로 지칭된다. 중간 절연층은 적어도 하나의 중간 무기막 및/또는 적어도 하나의 중간 유기막을 포함한다. 회로 소자는 신호라인, 화소의 구동회로 등을 포함한다.
표시 소자층(DP-OLED)은 발광소자를 포함한다. 표시 소자층(DP-OLED)은 발광소자로써 유기발광 다이오드들을 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-OLED)은 화소 정의막을, 예컨대 유기물질을 포함, 포함한다.
보호층(PIL)이 표시 소자층(DP-OLED) 상에 배치될 수 있다. 보호층(PIL)은 유기발광 다이오드들의 제2 전극(CE)을 보호할 수 있다. 보호층(PIL)은 무기물 예컨대, 실리콘 옥사이드 또는 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘 옥시나이트라이드를 포함할 수 있다.
봉지 기판(EC)은 투명한 기판일 수 있다. 봉지 기판(EC)은 유리 기판을 포함할 수 있다. 그밖에 봉지 기판(EC)은 가시광 파장 범위에서 실질적으로 굴절률이 일정한 기판을 포함할 수 있다.
상기 베이스층(BL) 내지 표시 소자층(DP-OLED)의 적층구조는 하부 표시기판으로 정의될 수 있다. 실링부재(SM)는 상기 하부 표시기판과 봉지 기판(EC)을 결합시킬 수 있다. 실링부재(SM)는 봉지 기판(EC)의 엣지를 따라 연장될 수 있다.
실링부재(SM)는 표시패널(DP)의 비표시영역(DP-NDA)에 중첩한다. 표시패널(DP)의 비표시영역(DP-NDA)은 후술하는 화소(PX)가 형성되지 않은 영역이다. 표시패널(DP)의 비표시영역(DP-NDA)은 도 1에 도시된 전자장치(ED)의 비표시영역(NDA)에 중첩할 수 있다. 비표시영역(DP-NDA)의 너비는 약 0.5mm 내지 약 2mm 일 수 있다. 표시영역(DP-DA)의 좌측과 우측 각각에서 제2 방향(DR2)을 따라 측정된 너비일 수 있다. 실링부재(SM)의 너비는 비표시영역(DP-NDA)의 너비보다 작은 약 200㎛ 내지 700㎛ 일 수 있다.
실링부재(SM)는 하부 표시기판과 봉지 기판(EC) 사이에 갭(GP)을 형성할 수 있다. 갭(GP)에는 공기 또는 비활성 기체들(이하, 외부 기체)이 충전될 수 있다. 봉지 기판(EC)와 실링부재(SM)는 하부 표시기판에 습기가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 실링부재(SM)는 베이스층(BL)의 상면과 봉지 기판(EC)의 하면을 직접 결합할 수 있다.
실링부재(SM)는 플릿과 같은 무기물 접착부재를 포함할 수 있다. 이에 제한되지 않고 실링부재(SM)는 유기물 접착부재를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 표시패널(DP)은 외부로부터 완전히 밀봉될 수 있기 때문에 강도가 향상되고, 발광소자의 불량을 방지할 수 있다.
도 5b에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)은 구동회로(GDC), 복수 개의 신호라인들(SGL, 이하 신호라인들) 및 복수 개의 화소들(PX, 이하 화소들)을 포함할 수 있다. 화소들(PX)은 표시영역(DP-DA)에 배치된다. 화소들(PX) 각각은 발광소자와 그에 연결된 화소 구동회로를 포함한다. 구동회로(GDC), 신호라인들(SGL), 및 화소 구동회로는 도 5a에 도시된 회로 소자층(DP-CL)에 포함될 수 있다.
구동회로(GDC)는 주사 구동회로를 포함할 수 있다. 주사 구동회로는 복수 개의 주사 신호들(이하, 주사 신호들)을 생성하고, 주사 신호들을 후술하는 복수 개의 주사 라인들(GL, 이하 주사 라인들)에 순차적으로 출력한다.　주사 구동회로는 화소들(PX)의 구동회로에 또 다른 제어 신호를 더 출력할 수 있다.
주사 구동회로는 화소들(PX)의 구동회로와 동일한 공정, 예컨대 LTPS(Low Temperature Polycrystaline Silicon) 공정 또는 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide) 공정을 통해 형성된 복수 개의 박막 트랜지스터들을 포함할 수 있다.
신호라인들(SGL)은 주사 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어신호 라인(CSL)을 포함한다. 주사 라인들(GL)은 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결되고, 데이터 라인들(DL)은 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결된다. 전원 라인(PL)은 화소들(PX)에 연결된다. 제어신호 라인(CSL)은 주사 구동회로에 제어신호들을 제공할 수 있다.
신호라인들(SGL)은 미도시된 회로기판과 연결될 수 있다. 회로기판에 실장된 집적 칩 형태의 타이밍 제어회로와 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 이러한 집적 칩은 비표시영역(DP-NDA)에 배치되어 신호라인들(SGL)과 연결될 수도 있다.
도 5c에 도시된 것과 같이, 회로 소자층(DP-CL)은 무기막인 버퍼막(BFL), 제1 중간 무기막(CL1) 및 제2 중간 무기막(CL2)을 포함하고, 유기막인 중간 유기막(CL3)을 포함할 수 있다. 도 5c에는 구동 트랜지스터(T-D)를 구성하는 반도체 패턴(OSP), 제어전극(GE), 입력전극(DE), 출력전극(SE)의 배치관계가 예시적으로 도시되었다. 제1 내지 제2 관통홀(CH1 내지 CH2) 역시 예시적으로 도시되었다.
표시 소자층(DP-OLED)은 발광소자를 포함한다. 표시 소자층(DP-OLED)은 발광소자로써 유기발광 다이오드들(OLED)을 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-OLED)은 화소 정의막을 포함한다. 예컨대, 화소 정의막은 유기층일 수 있다
중간 유기막(CL3) 상에 제1 전극(AE)이 배치된다. 제1 전극(AE)은 중간 유기막(CL3)을 관통하는 제3 관통홀(CH3)을 통해 제2 출력전극(SE2)에 연결된다. 화소 정의막(PDL)에는 개구부(OP)가 정의된다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다. 화소 정의막(PDL)의 개구부(OP)는 다른 개구부들과 구분하기 위해 발광 개구부로 명명된다.
표시패널(DP)의 표시영역(DP-DA)은 발광영역(PXA)과 발광영역(PXA)에 인접한 비발광영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 비발광영역(NPXA)은 발광영역(PXA)을 에워싸을수 있다. 본 실시예에서 발광영역(PXA)은 발광 개구부(OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부영역에 대응하게 정의되었다.
정공 제어층(HCL)은 발광영역(PXA)과 비발광영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층(HCL)은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층(HCL) 상에 발광층(EML)이 배치된다. 발광층(EML)은 발광 개구부(OP)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EML)은 화소들 각각에 분리되어 형성될 수 있다. 발광층(EML)은 유기물질 및/또는 무기물질을 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 소정의 유색 컬러광을 생성할 수 있다.
발광층(EML) 상에 전자 제어층(ECL)이 배치된다. 전자 제어층(ECL)은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층(HCL)과 전자 제어층(ECL)은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다. 전자 제어층(ECL) 상에 제2 전극(CE)이 배치된다. 제2 전극(CE)은 복수 개의 화소들에 공통적으로 배치된다.
도 5d는 입력감지층(FM-1)의 적층관계를 설명하기 위해 봉지 기판(EC) 이하의 표시패널(DP)의 구성은 미도시되었다. 봉지 기판(EC)의 상면은 입력감지층(FM-1)이 직접 형성되기 위한 베이스 면을 제공한다.
입력감지층(FM-1)은 적어도 감지전극들 및 적어도 하나의 절연층을 포함한다. 입력감지층(FM-1)은 감지전극에 연결된 신호라인 및 적어도 하나의 절연층을 더 포함할 수 있다. 입력감지층(FM-1)은 예컨대, 정전용량 방식으로 외부입력을 감지할 수 있다.
도 5d에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층(FM-1)은 제1 도전층(IS-CL1), 제1 절연층(IS-IL1), 제2 도전층(IS-CL2), 및 제2 절연층(IS-IL2)을 포함할 수 있다. 제1 도전층(IS-CL1) 및 제2 도전층(IS-CL2) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층구조를 가질 수 있다. 단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등과 같은 투명한 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층구조의 도전층은 다층의 금속층들을 포함할 수 있다. 다층의 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
제1 도전층(IS-CL1) 및 제2 도전층(IS-CL2) 각각은 복수 개의 패턴들을 포함한다. 이하, 제1 도전층(IS-CL1)은 제1 도전패턴들을 포함하고, 제2 도전층(IS-CL2)은 제2 도전패턴들을 포함하는 것으로 설명된다. 제1 도전패턴들과 제2 도전패턴들 각각은 감지전극들 및 신호라인들을 포함할 수 있다.
제1 절연층(IS-IL1) 및 제2 절연층(IS-IL2) 각각은 무기물 또는 유기물 또는 복합재료를 포함할 수 있다. 제1 절연층(IS-IL1) 및 제2 절연층(IS-IL2) 중 적어도 어느 하나는 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 옥사이드 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄 옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 절연층(IS-IL1) 및 제2 절연층(IS-IL2) 중 적어도 어느 하나는 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 5e에 도시된 것과 같이, 입력감지층(FM-1)은 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5), 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)에 연결된 제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5), 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4), 및 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)에 연결된 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4)을 포함할 수 있다. 도시되지 않았으나, 입력감지층(FM-1)은 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)과 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4) 사이의 경계영역에 배치된 광학적 더미전극을 더 포함할 수 있다.
제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)과 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)은 서로 교차한다. 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)은 제1 방향(DR1)으로 나열되며, 각각이 제2 방향(DR2)으로 연장된 형상이다. 뮤추얼 캡 방식 및/또는 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다. 제1 구간 동안에 뮤추얼 캡 방식 외부 입력의 좌표를 산출한 후 제2 구간 동안에 셀프 캡 방식으로 외부 입력의 좌표를 재 산출할 수도 있다.
제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5) 각각은 제1 센서부들(SP1) 및 제1 연결부들(CP1)을 포함한다. 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4) 각각은 제2 센서부들(SP2) 및 제2 연결부들(CP2)을 포함한다.
도 5e에는 일 실시예에 따른 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)과 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)을 도시하였으나, 그 형상은 제한되지 않는다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)과 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)은 센서부와 연결부의 구분이 없는 형상(예컨대 바 형상)을 가질 수 있다. 마름모 형상의 제1 센서부들(SP1)과 제2 센서부들(SP2)을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되지 않고, 1 센서부들(SP1)과 제2 센서부들(SP2)또 다른 다각형상을 가질 수 있다.
하나의 제1 감지전극 내에서 제1 센서부들(SP1)은 제2 방향(DR2)을 따라 나열되고, 하나의 제2 감지전극 내에서 제2 센서부들(SP2)은 제1 방향(DR1)을 따라 나열된다. 제1 연결부들(CP1) 각각은 인접한 제1 센서부들(SP1)을 연결하고, 제2 연결부들(CP2) 각각은 인접한 제2 센서부들(SP2)을 연결한다.
제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5)은 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)의 일단에 각각 연결된다. 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4)은 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)의 양단에 연결된다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5) 역시 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5)의 양단에 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4)은 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)의 일단에만 각각 연결될 수도 있다.
본 실시예에 따르면, 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)의 일단에만 각각 연결된 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4)을 포함하는 입력감지층(FM-1)에 대비하여 센싱 감도가 향상될 수 있다. 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)은 제1 감지전극들(IE1-1 내지 IE1-5) 대비 길이가 크기 때문에 검출신호(또는 송신신호)의 전압강하가 발생하고, 이에 따라 센싱 감도가 저하될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)의 양단에 연결된 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4)을 통해 검출신호(또는 전송신호)를 제공하므로, 검출신호(또는 송신신호)의 전압 강하을 방지하여 센싱 감도의 저하를 방지할 수 있다.
제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5) 및 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4)은 라인부(SL-L)와 패드부(SL-P)를 포함할 수 있다. 패드부(SL-P)는 패드영역에 정렬될 수 있다.
한편, 본 발명의 일 실시예에서 제1 신호라인들(SL1-1 내지 SL1-5) 및 제2 신호라인들(SL2-1 내지 SL2-4)은 별도로 제조되어 결합되는 회로기판 등에 의해 대체될 수도 있다.
도 5f에 도시된 것과 같이, 제1 도전층(IS-CL1)은 제1 연결부들(CP1)을 포함한다. 제2 도전층(IS-CL2)은 제1 센서부들(SP1) 및 제2 연결부들(CP2)을 포함한다. 제2 도전층(IS-CL2)은 미도시된 제2 센서부들(SP2)을 더 포함한다. 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4) 각각은 일체의 형상을 가질 수 있다. 제1 센서부들(SP1)은 제2 감지전극들(IE2-1 내지 IE2-4)과 이격된다.
동일한 층 상에 배치된 도전패턴들은 동일한 공정을 통해 형성될 수 있고, 동일한 재료를 포함할 수 있고, 동일한 적층 구조를 가질 수 있다. 상술한 입력감지층(FM-1)의 구성들의 적층순서는 변경될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 봉지 기판(EC) 상에 제1 센서부들(SP1) 및 제2 연결부(CP2)이 직접 배치될 수 있다. 봉지 기판(EC) 상에 제1 센서부들(SP1) 및 제2 연결부(CP2)을 커버하는 제1 절연층(IS-IL1)이 배치된다. 제1 절연층(IS-IL1) 상에 배치된 제1 연결부(CP1)는 제1 연결 컨택홀들(CNT-I)을 통해 제1 센서부들(SP1)에 전기적으로 연결될 수 있다. 본 실시예에서 2 layer 구조의 입력감지층(FM-1)을 일예로 설명하였으나, 입력감지층(FM-1)은 셀프 캡 방식으로 구동되는 1 layer 구조로 변경될 수 있다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)의 부분 평면도이다. 도 6b 및 도 6c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)의 단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 5e를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 6a에 도시되 것과 같이, 베젤패턴(WM-BZ)은 베이스 기판(WM-BS)의 엣지를 따라 연장된 제1 베젤패턴(WM-BZ1) 및 제1 베젤패턴(WM-BZ1)으로부터 연장되며 적어도 일부분이 투과영역(TA)을 정의하는 제2 베젤패턴(WM-BZ2)을 포함한다. 도 6a에서 투과영역(TA)은 제2 베젤패턴(WM-BZ2)에 의해 정의되었으나, 다른 실시예에 있어서, 투과영역(TA)은 제1 베젤패턴(WM-BZ1)과 제2 베젤패턴(WM-BZ2)의 조합으로 정의될 수도 있다. 이에 대해서는 도 10a 내지 도 10h를 참조한다.
베젤패턴(WM-BZ)은 투과영역(TA)에 대응하는 개구부가 정의될 수 있다. 개구부는 제2 베젤패턴(WM-BZ2)에 의해서 정의되거나, 제1 베젤패턴(WM-BZ1)과 제2 베젤패턴(WM-BZ2)의 조합으로 정의될 수도 있다.
제1 베젤패턴(WM-BZ1)은 평면상에서 실링부재(SM)에 중첩한다. 실질적으로 제1 베젤패턴(WM-BZ1)은 실링부재(SM)를 완전히 커버할 수 있다.
도 6a에 도시된 것과 같이, 제2 베젤패턴(WM-BZ2)은 평면 상에서 곡선 영역을 포함할 수 있다. 제2 베젤패턴(WM-BZ2)의 너비(W2)는 제1 베젤패턴(WM-BZ1)의 너비(W1)의 70% 이하일 수 있다. 제1 베젤패턴(WM-BZ1)의 너비(W1)는 약 0.5mm 내지 약 2mm 일 수 있고, 제2 베젤패턴(WM-BZ2)의 너비(W2)는 약 0.2mm 내지 약 0.8mm 일 수 있다.
투과영역(TA)을 정의하는 제2 베젤패턴(WM-BZ2)의 내측 라인(BE)은 실질적으로 원을 정의할 수 있다. 제2 베젤패턴(WM-BZ2)의 외측 라인(OE)은 실질적으로 원의 일부를 정의할 수 있다.
도 6b에 도시된 것과 같이, 회로 소자층(DP-CL)의 일부는 제1 베젤패턴(WM-BZ1)에 중첩할 수 있다. 제1 베젤패턴(WM-BZ1)에 중첩하는 회로 소자층(DP-CL)에는 신호라인들이 배치될 수 있다. 제1 베젤패턴(WM-BZ1)에 중첩하는 회로 소자층(DP-CL)에는 도 5b에 도시된 구동회로(GDC)를 구성하는 회로패턴들이 배치될 수 있다. 이러한 회로패턴은 트랜지스터, 커패시터 및 신호라인을 포함한다. 표시 소자층(DP-OLED), 특히 발광소자들은 제1 베젤패턴(WM-BZ1)에 비중첩한다.
도 6c에 도시된 것과 같이, 베젤패턴(WM-BZ)의 개구부(BZ-OP)는 내측 라인(BE)에 의해 정의된다.
회로 소자층(DP-CL)은 투과영역(TA)에 비중첩한다. 회로 소자층(DP-CL)의 일부 영역은 제2 베젤패턴(WM-BZ2)에 중첩할 수 있다. 제2 베젤패턴(WM-BZ2)에 중첩하는 회로 소자층(DP-CL)의 영역에는 신호라인들이 배치될 수 있다.
표시 소자층(DP-OLED)은 투과영역(TA)에 비중첩한다. 표시 소자층(DP-OLED)의 일부는 제2 베젤패턴(WM-BZ2)에 중첩할 수도 있다.
반사방지유닛(FM-2)에는 적어도 투과영역(TA)에 대응하는 개구부(FM-OP)가 형성될 수 있다. 광신호의 세기가 편광자에 의해 낮아지는 것을 방지하기 위함이다.
별도로 도시하지 않았으나, 윈도우(WM)와 표시패널(DP) 사이에 배치된 다른 부재들, 예컨대, 입력감지유닛(FM-1), 접착부재들(OCA)에도 개구부가 형성될 수 있다.
봉지 기판(EC)은 제2 베젤패턴(WM-BZ2) 및 투과영역(TA)에 중첩할 수 있다. 봉지 기판(EC)에 개구가 미형성됨으로써 표시 소자층(DP-OLED)이 외부의 습기로부터 더 견고하게 보호될 수 있다.
전자광학모듈(ELM), 예컨대 카메라 모듈(CM)은 투과영역(TA)을 통해 외부의 광을 수신할 수 있다. 투과영역(TA)에 대응하는 영역에 광투과율을 낮추는 구조물들이 제거됨으로써 전자광학모듈(ELM)의 동작 신뢰성이 향상된다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 평면도이다. 도 7b 및 도 7c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 6c를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 7a 및 도 7b에 도시된 것과 같이, 회로 소자층(DP-CL)은 투과영역(TA, 도 6a 내지 도 6c 참고)에 대응하는 유리 기판(BL)의 일부 영역(TA-G, 이하 미 증착 영역)을 노출시킨다. 표시 소자층(DP-OLED) 역시 투과영역(TA)에 대응하는 유리 기판(BL)의 미증착 영역(TA-G)을 노출시킨다.
회로 소자층(DP-CL)은 베젤패턴(WM-BZ, 도 6c 참고)에 비중첩하는 회로영역(CA1) 및 제2 베젤패턴(WM-BZ2)에 중첩하는 경계영역(BA1)을 포함한다. 평면상에서 트랜지스터(T-D)를 직접 커버하는 제3 절연층(CL3)의 엣지는 제2 베젤패턴(WM-BZ2)에 중첩한다.
제3 절연층(CL3)의 외측 엣지(CL3-E)는 평면 상에서 제3 절연층(CL3)의 중심을 향하여 오목한 오목 영역을 포함한다. 해당 오목 영역은 미증착 영역(TA-G)을 둘러싼다. 미증착 영역(TA-G)은 갭(GP)에 충전된 외부 기체에 노출될 수 있다.
경계영역(BA1)에 인접하게 신호라인(CL)이 배치될 수도 있다. 신호라인(CL)은 주사 라인(GL, 도 5b 참고) 또는 데이터 라인들(DL, 도 5b 참고)을 포함할 수 있다. 별도로 도시하지 않았으나, 일 실시예에서 신호라인(CL)은 경계영역(BA1)에 배치될 수도 있다.
경계영역(BA1), 특히 경계영역(BA1)의 신호라인(CL)에 비중첩하는 영역은 회로영역(CA1)보다 작은 두께를 갖는다. 이는 경계영역(BA1)이 증착공정에 있어서 쉐도우 현상에 따라 형성된 것이기 때문이다. 이에 대한 상세한 설명은 후술한다.
표시 소자층(DP-OLED)은 베젤패턴(WM-BZ, 도 6c 참고)에 비중첩하는 소자영역(CA2) 및 제2 베젤패턴(WM-BZ2)에 중첩하는 경계영역(BA2)을 포함한다. 평면상에서 보호층(PIL)의 엣지는 제2 베젤패턴(WM-BZ2)에 중첩할 수 있다.
보호층(PIL)의 외측 엣지(CL3-E)는 평면 상에서 보호층(PIL)의 중심을 향하여 오목한 오목 영역을 포함한다. 해당 오목 영역은 미증착 영역(TA-G)을 둘러싼다.
경계영역(BA2)은 소자영역(CA2)보다 작은 두께를 갖는다. 표시 소자층(DP-OLED)의 경계영역(BA2)은 회로 소자층(DP-CL)의 경계영역(BA1)을 커버할 수 있다.
도 7b에 도시된 것과 같이, 미증착 영역(TA-G) 주변에서 늦게 형성된 상측의 절연층들이 하측의 절연층들을 밀봉한다. 예컨대, 제2 중간 무기막(CL2)이 제1 중간 무기막(CL1)을 밀봉한다. 보호층(PIL)이 미증착 영역(TA-G) 주변에서 하측의 절연층들을 모두 밀봉할 수 있다.
도 7c에 도시된 것과 같이, 투명한 절연막은 투과영역(TA)에 중첩될 수 있다. 신호라인과 같은 금속 패턴은 투과영역(TA)에 비 중첩한다. 도 7c에 도시된 것과 같이, 회로 소자층(DP-CL)의 일부 절연막은 투과영역(TA)에 중첩할 수 있다. 투명한 무기막인 버퍼막(BFL)과 제1 중간 무기막(CL1)을 예시적으로 도시하였다.
도 7c를 참조하면, 표시 소자층(DP-OLED)은 여전히 유리 기판(BL)의 미 증착 영역(TA-G)에 대응하는 영역을 노출시킨다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 작업기판(WS1)의 평면도이다. 도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 증착설비(DAA1)의 단면도이다. 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 마스크 조립체(MSA1)의 분해 사시도이다. 도 8d는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 마스크 조립체(MSA1)의 평면도이다. 도 8e는 본 발명의 일 실시예에 따른 작업기판(WS1)의 평면도이다. 도 8f는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 증착설비(DAA2)의 단면도이다. 도 8g는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 마스크 조립체(MSA2)의 분해 사시도이다. 도 8h는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 마스크 조립체(MSA2)의 평면도이다. 도 8i는 본 발명의 일 실시예에 따른 작업패널(WP)의 평면도이다.
도 8a에 도시된 제1 작업기판(WS1)은 복수 개의 유닛셀 영역들(US)을 포함한다. 유닛셀 영역들(US) 각각은 표시패널(DP, 도 7a 참고)에 대응하는 영역이다.
도 8a에 도시된 제1 작업기판(WS1)은 유닛셀 영역들(US) 마다 회로 소자층(DP-CL)이 형성된 상태이다. 회로 소자층(DP-CL)은 코팅 또는 증착 등에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층 형성공정과 포토리소그래피 공정 및 에칭 공정에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층층의 패터닝 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 8a에 도시된 것과 같이, 유닛셀 영역들(US)마다 3개의 미증착 영역(TA-G)이 정의되었다. 이러한 유닛셀 영역들(US)은 도 8b 내지 도 8d에 도시된 제1 증착설비(DAA1)에 의해 형성된다.
도 8b에 도시된 것과 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 증착설비(DAA1)는 증착 챔버(CB), 증착 챔버(CB)의 내측에 배치된 증착 소스(DS), 증착 챔버(CB)의 내측에 배치된 제1 마스크 조립체(MSA1)를 포함한다. 제1 마스크 조립체(MSA1)는 제1 작업기판(WS1)을 지지한다. 증착 챔버(CB)의 바닥면은 제1 방향축(DR1) 및 제2 방향축(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 증착 챔버(CB)의 바닥면의 법선 방향은 제3 방향축(DR3)이 지시한다.
증착 챔버(CB)는 증착조건을 진공으로 설정할 수 있다. 증착 소스(DS)는 증착 물질, 예컨대 무기물질을 증발시켜, 증착 증기로써 분출할 수 있다.
도 8b에는 미 도시되었으나, 제1 증착설비(DAA1)는 제1 마스크 조립체(MSA1)를 홀딩하는 지그 또는 로봇암을 더 포함할 수 있다. 또한, 제1 증착설비(DAA1)는 인라인 시스템을 구현하기 위한 추가 기계장치를 더 포함할 수 있다.
도 8a에는 평면상에서 직사각형상의 회로 소자층(DP-CL)이 아닌, 3개의 미증착 영역(TA-G)을 포함하는 비정형적인 회로 소자층(DP-CL)을 도시하였다. 이러한 회로 소자층(DP-CL)은 도 8c 및 도 8d에 도시된 유닛셀 개구영역(A-OPU)에 의해 형성된 것이다.
도 8c 및 도 8d에 도시된 것과 같이, 제1 마스크 조립체(MSA1)는 프레임(FLM), 복수 개의 제1 스틱들(ST1), 및 복수 개의 제2 스틱들(ST2)을 포함한다.
프레임(FLM)에는 내측에 개구부(OP-F)가 정의된다. 프레임(FLM)은 평면 상에서 직사각형상을 가질 수 있다. 프레임(FLM)은 그 재료로써 금속 물질로 구성될 수 있다. 예컨대, 열팽창계수가 작은 인바를 포함할 수 있다. 프레임(FLM)은 예컨대 니켈(Ni), 니켈-코발트 합금, 니켈-철 합금 등을 포함할 수 있다.
프레임(FLM)은 4개의 연장 부분들(FLM-1 내지 FLM-4)을 포함할 수 있다. 프레임(FLM)에는 복수 개의 결합홈들이 정의될 수 있다. 예컨대, 제1 연장 부분(FLM-1) 및 제2 연장 부분(FLM-2) 각각에는 제1 스틱들(ST1)이 결합되는 결합홈들(CGV)이 정의될 수 있다.
제1 스틱들(ST1) 각각은 스틱부(STP)와 마스크부(MP)를 포함한다. 스틱부(STP)는 제2 방향(DR2)의 너비가 실질적으로 일정한, 제1 방향(DR1)으로 연장된 직선 형상이다. 마스크부(MP)는 유닛셀 개구영역(A-OPU) 마다 균일하게 배치된다. 마스크부(MP)는 미증착 영역(TA-G)을 커버한다. 마스크부(MP)는 스틱부(STP)로부터 돌출된다. 마스크부(MP)는 곡선의 엣지(MP-E)를 가질 수 있다. 마스크부(MP)의 형상은 평면상에서 원(circle)이거나, 원을 1개의 직선으로 분할한 2개의 조각 중 어느 하나와 같을 수 있다.
마스크부(MP)는 스틱부(STP)와 일체의 형상을 갖거나, 용접 등의 방식으로 스틱부(STP)에 결합될 수 있다.
제1 스틱들(ST1)은 용접에 의해 프레임(FLM)의 결합홈들(CGV)에 결합될 수 있다. 제1 스틱들(ST1)은 그 재료로써 서스를 포함할 수 있다. 도 8c 및 도 8d에는 5개의 제1 스틱들(ST1-1 내지 ST1-5)이 예시적으로 도시되었다.
제2 스틱들(ST2)은 제1 개구부(OP-F)에 중첩하도록 프레임(FLM)에 결합된다. 제2 스틱들(ST2)은 제2 방향(DR2)으로 연장되며 제1 방향(DR1)으로 나열된다. 제2 스틱들(ST2) 각각의 양쪽 단부들은 제3 연장 부분(FLM-3) 및 제4 연장 부분(FLM-4)에 정의된 결합홈들(CGV)에 삽입될 수 있다. 제2 스틱들(ST2)은 제1 방향(DR1)의 너비가 실질적으로 일정한 직선 형상일 수 있다.
도 8b 내지 도 8d에 도시된 제1 증착설비(DAA1)를 이용하여 유닛셀 영역들(US)마다 절연층들(BFL, CL1, CL2, CL3, 도 7b 참조)을 형성할 수 있다. 제1 증착설비(DAA1)를 이용하여 유닛셀 영역들(US)마다 도전층 또는 반도체층을 형성하고, 도전층과 반도체층을 패터닝할 수 있다. 그에 따라 도 7b에 도시된 회로 소자층(DP-CL)의 패턴들이 형성될 수 있다. 도전패턴 및 반도체 패턴의 제조방법은 특별히 제한되지 않는다.
본 실시예 따르면, 제1 스틱들(ST1)을 이용해 미증착 영역(TA-G)을 확보함으로써 증착 후 패턴을 제거하는 방법 대비 제조 공정이 단순하고, 불량률이 감소될 수 있다
도 8e에 도시된 제1 작업기판(WS1)은 유닛셀 영역들(US)마다 표시 소자층(DP-OLED)이 형성된 상태이다. 표시 소자층(DP-OLED)의 구성들 중 발광층(EML)을 제외한 층들은 도 8b 내지 도 8d에 도시된 제1 증착설비(DAA1)를 이용하여 형성될 수 있다.
발광층(EML)은 도 8f 내지 도 8h에 도시된 제2 증착설비(DAA2)를 이용하여 형성될 수 있다. 제2 증착설비(DAA2)는 제1 마스크 조립체(MSA1)와 다른 제2 마스크 조립체(MSA2)를 포함한다. 제2 마스크 조립체(MSA2)는 제1 마스크 조립체(MSA1) 대비 마스크들(MSK)을 더 포함한다.
마스크들(MSK) 각각에는 복수 개의 개구부들(OP-M)이 정의된다. 개구부들(OP-M)은 균일하게 배치된다. 개구부들(OP-M)의 패턴이 다른 복수 개 종류의 마스크들(MSK)을 이용하여 서로 다른 종류의 발광층들(EML)을 형성할 수 있다.
도 8e에 도시된 제1 작업기판(WS1)과 같이, 유닛셀 영역들(US) 마다 표시 소자층(DP-OLED)이 형성된 이후에 제1 작업기판(WS1)과 제2 작업기판(WS2)을 결합한다. 유닛셀 영역들(US) 마다 실링부재(SM)가 배치된다. 이하, 결합된 제1 작업기판(WS1)과 제2 작업기판(WS2)을 작업패널(WP)로 정의한다.
도 8i에 도시된 것과 같이, 작업패널(WP)을 유닛셀 영역들(US) 마다 분리한다. 컷팅 휠(CH)을 이용하여 제1 컷팅라인(CL1-1) 및 제2 컷팅라인(CL1-2)을 따라 작업패널(WP)을 절단한다. 절단된 유닛셀 스틱을 제3 컷팅라인(CL2-1) 및 제4 컷팅라인(CL2-2)을 따라 절단할 수 있다.
절단된 작업패널(WP)의 조각들(예비 표시패널)의 측면을 연마하여 도 1 내지 도 7b를 참조하여 설명한 표시패널(DP)을 형성할 수 있다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)의 단면도이다. 이하, 도 1 내지 도 8i를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 9a에 도시된 것과 같이, 표시패널(DP)의 하측에 탄성부재(EMM)가 더 배치될 수 있다. 탄성부재(EMM)는 표시패널(DP)을 외부충격으로부터 보호한다. 탄성부재(EMM)는 소정의 탄성을 갖는 합성수지시트일 수 있다. 탄성부재(EMM)는 우레탄 시트 또는 다공성 시트 또는 스폰지 시트를 포함할 수 있다. 탄성부재(EMM)에는 투과영역(TA)에 대응하는 개구부(EMM-OP)가 형성될 수 있다.
불투명한 탄성부재(EMM)가 배치되더라도 광신호(OL)은 개구부(EMM-OP)를 통해 카메라 모듈(CM)과 같은 전자광학모듈에 수신 또는 송신될 수 있다.
도 9b에 도시된 것과 같이, 윈도우(WM)와 반사방지유닛(FM-2)를 결합하는 접착부재(OCA)에 개구부(OCA-OP)가 형성될 수 있다. 접착부재(OCA)에 개구부(OCA-OP)와 반사방지유닛(FM-2)의 개구부(FM-OP)에 레진(RS)이 충전될 수 있다. 레진(RS)은 베이스 기판(WM-BS)의 하면에 접촉할 수 있다. 레진(RS)은 90% 이상의 광 투과율을 갖는 것이 바람직하다. 레진(RS)은 표시모듈(DM)의 내구성을 향상시킨다.
레진(RS)의 굴절률은 1.4 내지 1.6인 것이 바람직하다. 레진(RS)의 굴절률은 베이스 기판(WM-BS)의 굴절률와 실질적으로 동일한 것이 바람직하다. 레진(RS)의 굴절률은 베이스 기판(WM-BS)의 굴절률 대비 5% 정도의 오차를 가질 수 있다. 광학적으로 레진(RS)은 베이스 기판(WM-BS)의 일부분으로 취급되고 그에 따라 광신호(OL, 도 9a 참조)의 투과율은 향상될 수 있다.
도 10a 내지 도 10h는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)의 부분 평면도이다. 도 10a 내지 도 10h는 도 6a에 대응하는 평면을 도시하되 1개의 투과영역(TA)을 갖는 표시모듈(DM)을 도시하였다. 이하, 도 1 내지 도 9b를 참조하여 설명한 구성과 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 10a에는 도 6a의 우측에 배치된 투과영역(TA)이 중앙에 배치된 것을 도시하였다. 도 10b에 도시된 것과 같이, 제2 베젤패턴(WM-BZ2)의 내측 라인(BE)과 외측 라인(OE)은 실질적으로 사각형을 정의할 수 있다.
도 10c 내지 도 10f에 도시된 것과 같이, 제1 베젤패턴(WM-BZ1)의 일부 영역은 제2 베젤패턴(WM-BZ2)과 함께 투과영역(TA)을 정의한다. 제1 베젤패턴(WM-BZ1)의 일부 영역의 너비(W1-2)는 다른 영역의 너비(W1-1)보다 작다.
도 10g에 도시된 것과 같이, 제1 베젤패턴(WM-BZ1)의 외측 에지(BZ1-E)는 평면상에서 제2 베젤패턴(WM-BZ2)을 향하여 오목한 영역(BZ1-EC)을 포함할 수 있다. 오목한 영역(BZ1-EC)에는 대응하도록 베이스 기판(WM-BS, 도 cckarh) 역시 오목한 영역이 정의될 수 있다.
도 10h에 도시된 것과 같이, 제2 베젤패턴(WM-BZ2)의 외측 에지(BZ2-OE)는 평면상에서 곡선인 부분(OE-C)과 직선인 부분(OE-L)을 포함할 수 있다. 직선인 부분(OE-L)은 제1 베젤패턴(WM-BZ1)과 곡선인 부분(OE-C)을 연결시켜주는 영역에 배치될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
BA1:경계영역
BA2:경계영역
BE:내측 라인
BL:베이스층
BZA:베젤영역
CA1:회로영역
CA2:소자영역
CB:증착 챔버
CM:카메라 모듈
DA:표시영역
DM:표시모듈
DP-OLED:표시 소자층
ED:전자장치
ELM:전자광학모듈
EM:전자모듈
FM-1:입력감지유닛
FM-2:반사방지유닛
FM-OP:개구부
HM:하우징
LS:발광소자
MP:마스크부
MSK:마스크
PS:포토센서
PSM:전원모듈
RS:레진
SM:실링부재
STP:스틱부
TA-G:미증착 영역
TA:투과영역
WM-BZ:베젤패턴
WM:윈도우
WP:작업패널
WS:작업기판

Claims (1)

  1. 베이스 기판 및 평면 상에서 상기 베이스 기판에 중첩하는 베젤패턴을 포함하는 윈도우; 및
    표시패널을 포함하고,
    상기 베젤패턴은,
    상기 베이스 기판의 엣지를 따라 연장된 제1 베젤패턴; 및
    평면 상에서 상기 윈도우의 중심을 향해 볼록한 형상을 갖도록 상기 제1 베젤패턴으로부터 연장되며 적어도 일부분이 투과영역을 정의하는 제2 베젤패턴을 포함하고,
    상기 표시패널은,
    유리 기판;
    상기 유리 기판 상에 배치된 봉지 기판;
    상기 유리 기판과 상기 봉지 기판을 결합하고, 평면 상에서 상기 제1 베젤패턴에 중첩하는 실링부재;
    상기 유리 기판 상에 배치되고, 트랜지스터를 포함하는 회로 소자층; 및
    상기 회로 소자층 상에 배치되고, 발광소자들을 포함하며, 하측에 배치된 층의 상기 투과영역에 대응하는 일부 영역을 노출시키는 표시 소자층을 포함하는 표시모듈.
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD888701S1 (en) 2018-06-01 2020-06-30 Samsung Display Co., Ltd. Display module
USD945987S1 (en) * 2018-07-23 2022-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Display panel
USD912652S1 (en) * 2018-07-23 2021-03-09 Samsung Display Co., Ltd. Cover window for display device
USD971211S1 (en) 2018-07-23 2022-11-29 Samsung Display Co., Ltd. Display module
JP1661305S (ko) * 2018-08-24 2020-06-08
USD914632S1 (en) 2018-08-24 2021-03-30 Huawei Technologies Co., Ltd. Mobile phone
JP1661384S (ko) * 2018-08-24 2020-06-08
JP1643704S (ko) * 2018-09-30 2019-10-21
KR20200046222A (ko) * 2018-10-23 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CA188001S (en) * 2018-12-14 2021-03-01 Huawei Tech Co Ltd Mobile phone
USD888683S1 (en) * 2018-12-25 2020-06-30 Shenzhen Youmi Intelligent Technology Co., Ltd. Smart phone
CN111370446B (zh) * 2018-12-26 2022-01-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及oled显示装置
KR20200131396A (ko) * 2019-05-13 2020-11-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200136548A (ko) * 2019-05-27 2020-12-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN110379933B (zh) * 2019-05-30 2021-12-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示基板的制备工艺
KR20210024292A (ko) * 2019-08-21 2021-03-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
USD933066S1 (en) * 2019-11-27 2021-10-12 Beijing Xiaomi Mobile Software Co., Ltd. Smartwatch
KR20210084766A (ko) 2019-12-27 2021-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210086284A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20210086888A (ko) * 2019-12-31 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
KR20210118313A (ko) * 2020-03-20 2021-09-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210120177A (ko) * 2020-03-25 2021-10-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비한 전자 기기
KR20210155428A (ko) * 2020-06-15 2021-12-23 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체
KR20220023927A (ko) 2020-08-21 2022-03-03 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그것의 제조설비
KR20220027357A (ko) * 2020-08-26 2022-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN112750885B (zh) * 2020-12-30 2023-05-12 厦门天马微电子有限公司 显示面板、显示面板单元、显示装置及显示面板制作方法
KR20230097288A (ko) * 2021-12-23 2023-07-03 삼성디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리 및 이를 포함한 증착 설비

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101532590B1 (ko) 2008-03-28 2015-06-30 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 유기발광표시장치
KR101406129B1 (ko) 2012-03-28 2014-06-13 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20140090366A (ko) * 2013-01-08 2014-07-17 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 부재, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치
KR102086792B1 (ko) 2013-09-02 2020-03-09 삼성전자주식회사 착탈 가능한 장치를 포함하는 전자 장치
KR102465379B1 (ko) 2015-12-02 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102495325B1 (ko) * 2016-01-11 2023-02-03 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 부재 및 이의 제조 방법
KR20170111827A (ko) 2016-03-29 2017-10-12 삼성전자주식회사 디스플레이 및 카메라를 포함하는 전자 장치
KR102526110B1 (ko) 2016-04-12 2023-04-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US9911942B2 (en) * 2016-05-04 2018-03-06 Samsung Display Co., Ltd. Electronic device and display module provided therein
KR102632168B1 (ko) * 2016-09-27 2024-02-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20180057821A (ko) * 2016-11-22 2018-05-31 삼성디스플레이 주식회사 윈도우 패널, 이를 포함하는 표시장치 및 제조방법
KR20180061483A (ko) 2016-11-28 2018-06-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치 제조방법

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