KR20220149871A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20220149871A
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방경남
김덕중
김은영
한혜윤
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 제1 방향으로 연장되며, 적어도 부분적으로 분리된 제1 서브 감지 전극과 제2 서브 감지 전극을 포함하는 제1 감지 전극, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되며, 적어도 부분적으로 분리된 제3 서브 감지 전극과 제4 서브 감지 전극을 포함하는 제2 감지 전극, 상기 제1 서브 감지 전극 및 상기 제2 서브 감지 전극과 연결되는 제1 터치 신호 배선, 및 상기 제3 서브 감지 전극 및 상기 제4 서브 감지 전극과 연결되는 제2 터치 신호 배선을 포함한다.

Description

표시 장치{Display device}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 네비게이션, 스마트 텔레비전, 및 스마트 워치(watch)와 같이 다양한 전자기기에 적용되고 있다.
표시 장치로서, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display, LCD), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display, OLED) 등과 같은 여러 종류의 표시 장치가 사용되고 있다. 그 중 유기 발광 표시 장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 소자를 이용하여 영상을 표시한다. 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자에 구동 전류를 제공하는 복수의 트랜지스터를 포함한다.
표시 장치는 영상을 생성하여 표시하는 표시 패널 및 다양한 입력 장치를 포함한다. 최근에는 스마트 폰, 태블릿 PC 및 스마트 워치 등을 중심으로 터치 입력을 인식하는 터치 패널이 표시 장치에 많이 적용되고 있다. 표시 장치가 다양한 전자기기에 적용됨에 따라, 터치 불량을 개선하려는 연구가 지속적으로 진행되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 터치 불량이 개선된 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제 해결을 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 방향으로 연장되며, 적어도 부분적으로 분리된 제1 서브 감지 전극과 제2 서브 감지 전극을 포함하는 제1 감지 전극, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되며, 적어도 부분적으로 분리된 제3 서브 감지 전극과 제4 서브 감지 전극을 포함하는 제2 감지 전극, 상기 제1 서브 감지 전극 및 상기 제2 서브 감지 전극과 연결되는 제1 터치 신호 배선, 및 상기 제3 서브 감지 전극 및 상기 제4 서브 감지 전극과 연결되는 제2 터치 신호 배선을 포함한다.
터치를 감지하는 터치 영역 및 상기 터치 영역 주변에 배치되는 비터치 영역을 더 포함하되, 상기 터치 영역은 원 형상을 포함할 수 있다.
상기 터치 영역은 상기 원 형상의 중심과 동일한 중심을 갖는 사각형 형상의 내측부, 상기 내측부의 외측에 배치되며 원 형상의 일부를 포함하는 외측부를 포함하고, 상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 각각은 상기 외측부에서 분리될 수 있다.
상기 제1 감지 전극은 상기 내측부에 배치되는 제5 서브 감지 전극을 더 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 내측부에 배치되는 제6 서브 감지 전극을 더 포함하되, 상기 외측부는 상기 내측부의 상기 제1 방향 일측에 배치되는 제1 외측부, 및 상기 내측부의 상기 제2 방향 일측에 배치되는 제2 외측부를 포함하고, 상기 제1 서브 감지 전극과 상기 제2 서브 감지 전극은 상기 제1 외측부에 배치되고, 상기 제3 서브 감지 전극과 상기 제4 서브 감지 전극은 상기 제2 외측부에 배치될 수 있다.
상기 내측부의 상기 제1 방향의 타측에 배치되는 제3 외측부, 및 상기 내측부의 상기 제2 방향의 타측에 배치되는 제4 외측부를 더 포함하되, 상기 내측부는 상기 제1 외측부, 상기 제2 외측부, 상기 제3 외측부 및 상기 제4 외측부에 의해 둘러싸일 수 있다.
상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극은 상기 터치 영역에 배치되고, 상기 제1 터치 신호 배선과 상기 제2 터치 신호 배선은 상기 비터치 영역에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극은 구동 전극이며, 상기 제2 감지 전극은 센싱 전극이고, 상기 제1 터치 신호 배선은 터치 구동 배선이며, 상기 제2 터치 신호 배선은 터치 센싱 배선일 수 있다.
상기 제1 서브 감지 전극과 상기 제2 서브 감지 전극은 전 영역에서 분리되고, 상기 제3 서브 감지 전극과 상기 제4 서브 감지 전극은 전 영역에서 분리될 수 있다.
상기 제1 감지 전극은 상기 제1 서브 감지 전극과 상기 제2 서브 감지 전극의 사이에 배치되며, 상기 제1 서브 감지 전극과 상기 제2 서브 감지 전극과 분리된 제5 서브 감지 전극을 더 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 제3 서브 감지 전극과 상기 제4 서브 감지 전극의 사이에 배치되며, 상기 제3 서브 감지 전극과 상기 제4 서브 감지 전극과 분리된 제6 서브 감지 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 감지 전극 및 상기 제2 서브 감지 전극 각각이 상기 제3 서브 감지 전극 및 상기 제4 서브 감지 전극과 교차하는 단위 감지 영역을 더 포함할 수 있다.
상기 과제 해결을 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 애노드 전극, 상기 애노드 전극 상에 배치되며, 상기 애노드 전극을 노출하는 화소 정의막, 상기 화소 정의막에 의해 노출되는 상기 애노드 전극 상에 배치되는 발광층, 상기 발광층 상에 배치되는 캐소드 전극, 상기 캐소드 전극 상에 배치되는 봉지층, 및 상기 봉지층 상에 배치되며, 제1 방향으로 연장되는 제1 감지 전극 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제2 감지 전극을 포함하는 제1 터치 도전층을 포함하되, 상기 제1 감지 전극은 적어도 부분적으로 분리된 제1 서브 감지 전극과 제2 서브 감지 전극을 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 적어도 부분적으로 분리된 제3 서브 감지 전극과 제4 서브 감지 전극을 포함한다.
상기 제1 서브 감지 전극 및 상기 제2 서브 감지 전극과 연결되는 제1 터치 신호 배선, 및 상기 제3 서브 감지 전극 및 상기 제4 서브 감지 전극과 연결되는 제2 터치 신호 배선을 더 포함할 수 있다.
원 형상을 포함하는 활성 영역을 더 포함하되, 상기 발광층, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극은 상기 활성 영역에 배치될 수 있다.
상기 활성 영역은 상기 원 형상의 중심과 동일한 중심을 갖는 사각형 형상의 내측부, 상기 내측부의 외측에 배치되며 원 형상의 일부를 포함하는 외측부를 포함하고, 상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 각각은 상기 외측부에서 분리될 수 있다.
상기 제1 감지 전극은 상기 내측부에 배치되는 제5 서브 감지 전극을 더 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 내측부에 배치되는 제6 서브 감지 전극을 더 포함하되, 상기 외측부는 상기 내측부의 상기 제1 방향 일측에 배치되는 제1 외측부, 및 상기 내측부의 상기 제2 방향 일측에 배치되는 제2 외측부를 포함하고, 상기 제1 서브 감지 전극과 상기 제2 서브 감지 전극은 상기 제1 외측부에 배치되고, 상기 제3 서브 감지 전극과 상기 제4 서브 감지 전극은 상기 제2 외측부에 배치될 수 있다.
상기 활성 영역은 상기 발광층과 중첩하는 발광 영역과 상기 화소 정의막과 중첩하는 비발광 영역을 포함하고, 상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극은 상기 비발광 영역에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극은 메쉬(mesh) 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 감지 전극과 상기 제2 서브 감지 전극은 전 영역에서 분리되고, 상기 제3 서브 감지 전극과 상기 제4 서브 감지 전극은 전 영역에서 분리될 수 있다.
상기 과제 해결을 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 원 형상을 포함하며, 터치를 감지하는 터치 영역, 상기 터치 영역에 배치되며, 제1 방향으로 연장되는 제1 감지 전극, 및 상기 터치 영역에 배치되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제2 감지 전극을 포함하되, 상기 터치 영역은 상기 원 형상의 중심과 동일한 중심을 갖는 사각형 형상의 내측부, 및 상기 내측부의 외측에 배치되며 원 형상의 일부를 포함하는 외측부를 포함하고, 상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 중 적어도 어느 하나는 상기 외측부에서 분리된다.
상기 제1 감지 전극은 서로 분리된 제1 서브 감지 전극과 제2 서브 감지 전극을 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 서로 분리된 제3 서브 감지 전극과 제4 서브 감지 전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 감지 전극 및 상기 제2 서브 감지 전극과 연결되는 제1 터치 신호 배선, 및 상기 제3 서브 감지 전극 및 상기 제4 서브 감지 전극과 연결되는 제2 터치 신호 배선을 더 포함할 수 있다.
상기 터치 영역의 주변에 배치되는 비터치 영역을 더 포함하되, 상기 제1 터치 신호 배선과 상기 제2 터치 신호 배선은 상기 비터치 영역에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극은 상기 내측부에 배치되는 제5 서브 감지 전극을 더 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 내측부에 배치되는 제6 서브 감지 전극을 더 포함하되, 상기 외측부는 상기 내측부의 상기 제1 방향 일측에 배치되는 제1 외측부, 및 상기 내측부의 상기 제2 방향 일측에 배치되는 제2 외측부를 포함하고, 상기 제1 서브 감지 전극과 상기 제2 서브 감지 전극은 상기 제1 외측부에 배치되고, 상기 제3 서브 감지 전극과 상기 제4 서브 감지 전극은 상기 제2 외측부에 배치될 수 있다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치에 의하면, 터치 불량이 개선될 수 있다.
실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 부분 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 패널의 예시적인 적층 구조를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 일 화소를 상세히 보여주는 회로도이다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소 주변의 단면도이다.
도 6은 일 실시예에 따른 터치 부재를 포함하는 표시 장치의 평면도이다.
도 7 및 도 8은 일 실시예에 따른 터치 부재의 개략적인 평면 배치도이다.
도 9는 A 영역의 확대도이다.
도 10은 B영역의 확대도이다.
도 11은 도 10의 XI-XI'선을 따라 자른 단면도이다.
도 12는 일 실시예에 다른 표시 영역의 부분 확대도이다.
도 13은 일 실시예에 따른 표시부의 화소와 터치 부재의 메쉬형 패턴의 상대적인 배치 관계를 나타낸 배치도이다.
도 14는 다른 실시예에 따른 터치층의 개략적인 평면도이다.
도 15는 도 14의 C 영역을 확대한 확대도이다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 터치층의 개략적인 평면도이다.
도 17은 도 16의 D 영역을 확대한 확대도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.
이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면 배치도이다. 도 2는 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 부분 단면도이다.
실시예들에서, 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)은 서로 다른 방향으로 상호 교차한다. 도 1의 평면도에서는 설명의 편의상 가로 방향인 제1 방향(DR1)과 세로 방향인 제2 방향(DR2)이 정의되어 있다. 이하의 실시예들에서 제1 방향(DR1) 일측은 평면도상 우측 방향을 제1 방향(DR1) 타측은 평면도상 좌측 방향을, 제2 방향(DR2) 일측은 평면도상 상측 방향을, 제2 방향(DR2) 타측은 평면도상 하측 방향을 각각 지칭하는 것으로 한다.
제3 방향(DR3)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)이 놓이는 평면에 교차하는 방향으로 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 모두 수직으로 교차한다. 다만, 실시예에서 언급하는 방향은 상대적인 방향을 언급한 것으로 이해되어야 하며, 실시예는 언급한 방향에 한정되지 않는다.
다른 정의가 없는 한, 본 명세서에서 제3 방향(DR3)을 기준으로 표현된 “상부”, “상면” 은 표시 패널(10)을 기준으로 표시면 측을 의미하고, “하부”, “하면” 은 표시 패널(10)을 기준으로 표시면의 반대측을 의미하는 것으로 한다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 화면을 제공하는 모든 전자 장치를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 표시 화면을 제공하는 모바일 폰, 스마트 폰, 태블릿 PC(Personal Computer), 전자 시계, 스마트 워치(Smart Watch), 워치 폰, 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(Portable Multimedia Player), 네비게이션, 게임기, 디지털 카메라 등과 같은 휴대용 전자 기기 뿐만 아니라 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷 등이 표시 장치(1)에 포함될 수 있다.
표시 장치(1)는 활성 영역(AAR)과 비활성 영역(NAR)을 포함한다. 표시 장치(1)에서, 화면을 표시하는 부분을 표시 영역으로, 화면을 표시하지 않는 부분을 비표시 영역으로 정의하고, 터치 입력의 감지가 이루어지는 영역을 터치 영역으로 정의하면, 표시 영역과 터치 영역은 활성 영역(AAR)에 포함될 수 있다. 표시 영역과 터치 영역은 중첩할 수 있다. 즉, 활성 영역(AAR)은 표시도 이루어지고 터치 입력의 감지도 이루어지는 영역일 수 있다.
활성 영역(AAR)은 평면상 원형 형상을 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 활성 영역(AAR)은 평면상 직사각형 또는 모서리가 둥근 직사각형이거나, 정 사각형, 기타 다각형 또는 타원형 등과 같은 다양한 형상을 가질 수 있다.
비활성 영역(NAR)은 활성 영역(AAR)의 주변에 배치된다. 비활성 영역(NAR)은 베젤 영역일 수 있다. 비활성 영역(NAR)은 활성 영역(AAR)의 모든 변(도면에서 4변)을 둘러쌀 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니며, 예컨대 활성 영역(AAR)의 주변 영역 중 적어도 일부 영역에서 비활성 영역(NAR)이 배치되지 않을 수도 있다.
비활성 영역(NAR)에는 활성 영역(AAR)(표시 영역이나 터치 영역)에 신호를 인가하기 위한 신호 배선이나 구동 회로들이 배치될 수 있다. 비활성 영역(NAR)은 표시 영역을 포함하지 않을 수 있다. 나아가, 비활성 영역(NAR)은 터치 영역을 포함하지 않을 수 있다. 다른 실시예에서, 비활성 영역(NAR)은 일부의 터치 영역을 포함할 수도 있고, 해당 영역에 압력 센서 등과 같은 센서 부재가 배치될 수도 있다. 몇몇 실시예에서, 활성 영역(AAR)은 화면이 표시되는 표시 영역과 완전히 동일한 영역이 되고, 비활성 영역(NAR)은 화면이 표시되지 않는 비표시 영역과 완전히 동일한 영역이 될 수 있다.
표시 장치(1)는 표시 화면을 제공하는 표시 패널(10)을 포함한다. 표시 패널(10)의 예로는 유기발광 표시 패널, 마이크로 LED 표시 패널, 나노 LED 표시 패널, 양자점 발광 표시 패널, 액정 표시 패널, 플라즈마 표시 패널, 전계방출 표시 패널, 전기 영동 표시 패널, 전기 습윤 표시 패널 등을 들 수 있다. 이하에서는 표시 패널(10)의 일 예로서, 유기발광 표시 패널이 적용된 경우를 예시하지만, 그에 제한되는 것은 아니며, 동일한 기술적 사상이 적용 가능하다면 다른 표시 패널에도 적용될 수 있다.
표시 패널(10)은 복수의 화소를 포함할 수 있다. 복수의 화소는 행렬 방향으로 배열될 수 있다. 각 화소의 형상은 평면상 직사각형 또는 정사각형일 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니고 각 변이 제2 방향(DR2) 또는 제1 방향(DR1)에 대해 기울어진 마름모 형상일 수도 있다. 각 화소는 발광 영역을 포함할 수 있다. 각 발광 영역은 화소의 형상과 동일할 수도 있지만, 상이할 수도 있다. 예를 들어, 화소의 형상이 직사각형 형상인 경우, 해당 화소의 발광 영역의 형상은 직사각형, 마름모, 육각형, 팔각형, 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 각 화소 및 발광 영역에 대한 구체적인 설명은 후술하기로 한다.
표시 장치(1)는 터치 입력을 감지하는 터치 부재를 더 포함할 수 있다. 터치 부재는 표시 패널(10) 상부에 터치층(TSL, 도 5 참조)의 형태로 제공될 수 있다. 이 경우, 터치층(TSL, 도 5 참조)은 표시 패널(10)과 일체로 제공될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 터치 부재는 표시 패널(10)과 별도의 패널이나 필름으로 제공되어 표시 패널(10) 상에 부착될 수도 있다. 이하의 실시예에서는 터치 부재가 터치층(TSL, 도 5 참조)의 형태로 제공되는 경우를 예시하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
표시 패널(10)은 폴리이미드 등과 같은 가요성 고분자 물질을 포함하는 플렉시블(flexible) 기판을 포함할 수 있다. 그에 따라, 표시 패널(10)은 휘어지거나, 절곡되거나, 접히거나, 말릴 수 있다.
표시 패널(10)은 패널이 벤딩되는 영역인 벤딩 영역(BR)을 포함할 수 있다. 벤딩 영역(BR)을 중심으로 표시 패널(10)은 벤딩 영역(BR)의 제2 방향(DR2) 일측에 위치하는 메인 영역(MR)과 벤딩 영역(BR)의 제2 방향(DR2) 타측에 위치하는 서브 영역(SR)으로 구분될 수 있다.
표시 패널(10)의 표시 영역은 메인 영역(MR) 내에 배치된다. 일 실시예에서 메인 영역(MR)에서 표시 영역의 주변 에지 부분, 벤딩 영역(BR) 전체 및 서브 영역(SR) 전체가 비표시 영역이 될 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 벤딩 영역(BR) 및/또는 서브 영역(SR)도 표시 영역을 포함할 수도 있다.
메인 영역(MR)은 대체로 표시 장치(1)의 평면상 외형과 유사한 형상을 가질 수 있다. 메인 영역(MR)은 일 평면에 위치한 평탄 영역일 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고, 메인 영역(MR)에서 벤딩 영역(BR)과 연결된 에지(변)를 제외한 나머지 에지들 중 적어도 하나의 에지가 휘어져 곡면을 이루거나 수직 방향으로 절곡될 수도 있다.
메인 영역(MR)에서 벤딩 영역(BR)과 연결된 에지(변)를 제외한 나머지 에지들 중 적어도 하나의 에지가 곡면을 이루거나 절곡되어 있는 경우, 해당 에지에도 표시 영역이 배치될 수 있다. 그러나, 이에 제한되지 않고 곡면 또는 절곡된 에지는 화면을 표시하지 않는 비표시 영역이 되거나, 해당 부위에 표시 영역과 비표시 영역이 혼재될 수도 있다.
벤딩 영역(BR)은 메인 영역(MR)의 제2 방향(DR2) 타측에 연결된다. 예를 들어, 벤딩 영역(BR)은 메인 영역(MR)의 하측 단변을 통해 연결될 수 있다. 벤딩 영역(BR)의 폭(제1 방향(DR1)의 폭)은 벤딩 영역(BR)과 인접한 메인 영역(MR)의 폭(제1 방향(DR1)의 폭)보다 작을 수 있다. 메인 영역(MR)과 벤딩 영역(BR)의 연결부는 L자 커팅 형상을 가질 수 있다.
벤딩 영역(BR)에서 표시 패널(10)은 두께 방향으로 하측 방향, 다시 말하면 표시면의 반대 방향으로 곡률을 가지고 벤딩될 수 있다. 벤딩 영역(BR)은 일정한 곡률 반경은 가질 수 있지만, 이에 제한되지 않고 구간별로 다른 곡률 반경을 가질 수도 있다. 표시 패널(10)이 벤딩 영역(BR)에서 벤딩됨에 따라 표시 패널(10)의 면이 반전될 수 있다. 즉, 상부를 향하는 표시 패널(10)의 일면이 벤딩 영역(BR)을 통해 외측을 향하였다가 다시 하부를 향하도록 변경될 수 있다.
서브 영역(SR)은 벤딩 영역(BR)으로부터 연장된다. 서브 영역(SR)은 벤딩이 완료된 이후부터 시작하여 메인 영역(MR)과 평행한 방향으로 연장될 수 있다. 서브 영역(SR)은 표시 패널(10)의 두께 방향으로 메인 영역(MR)과 중첩할 수 있다. 서브 영역(SR)의 폭(제1 방향(DR1)의 폭)은 벤딩 영역(BR)으로부터 멀어질수록 커질 수 있지만 이에 제한되는 것은 아니다.
서브 영역(SR)에는 구동칩(20)이 배치될 수 있다. 구동칩(20)은 표시 패널(10)을 구동하는 집적 회로를 포함할 수 있다. 상기 집적 회로는 디스플레이용 집적 회로 및/또는 터치 유닛용 집적 회로를 포함할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 디스플레이용 집적 회로와 터치 유닛용 집적 회로는 별도의 칩으로 제공될 수도 있고, 하나의 칩에 통합되어 제공될 수도 있다.
표시 패널(10)의 서브 영역(SR) 단부에는 패드부가 배치될 수 있다. 패드부는 복수의 디스플레이 신호 배선 패드 및 터치 신호 배선 패드를 포함할 수 있다. 표시 패널(10)의 서브 영역(SR) 단부의 패드부에는 구동 기판(30)이 연결될 수 있다. 구동 기판(30)은 연성 인쇄회로기판이나 필름일 수 있다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시 패널의 예시적인 적층 구조를 나타낸 개략적인 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 장치(1)는 순차 적층된 기판(SUB), 회로 구동층(DRL), 발광층(EML), 봉지층(ENL), 터치층(TSL), 반사 방지층(RPL) 및 보호층(WDL)을 포함할 수 있다. 표시 패널(10)은 기판(SUB), 회로 구동층(DRL), 발광층(EML) 및 봉지층(ENL)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 상부에 배치되는 구성들을 지지할 수 있다.
기판(SUB) 상부에는 회로 구동층(DRL)을 배치될 수 있다. 회로 구동층(DRL)은 화소의 발광층(EML)을 구동하는 회로를 포함할 수 있다. 회로 구동층(DRL)은 복수의 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
회로 구동층(DRL) 상부에는 발광층(EML)이 배치될 수 있다. 발광층(EML)은 유기 발광층을 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 회로 구동층(DRL)에서 전달하는 구동 신호에 따라 다양한 휘도로 발광할 수 있다.
발광층(EML) 상부에는 봉지층(ENL)이 배치될 수 있다. 봉지층(ENL)은 무기막 또는 무기막과 유기막의 적층막을 포함할 수 있다. 다른 예로 봉지층(ENL)으로 글래스나 봉지 필름 등이 적용될 수도 있다.
봉지층(ENL) 상부에는 터치층(TSL)이 배치될 수 있다. 터치층(TSL)은 터치 입력을 인지하는 층으로서, 터치 부재의 기능을 수행할 수 있다. 터치층(TSL)은 복수의 감지 영역과 감지 전극들을 포함할 수 있다.
터치층(TSL) 상부에는 반사 방지층(RPL)이 배치될 수 있다. 반사 방지층(RPL)은 외광 반사를 줄이는 역할을 할 수 있다. 반사 방지층(RPL)은 편광 필름의 형태로 부착될 수 있다. 이 경우, 반사 방지층(RPL)은 통과하는 빛을 편광시키며, 반사 방지층(RPL)은 점착층을 통해 터치층(TSL) 상부에 부착될 수 있다. 편광 필름의 형태인 반사 방지층(RPL)은 생략될 수도 있다. 반사 방지층(RPL)은 외광 반사를 감소시키는 역할을 할 수 있다.
다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 반사 방지층(RPL)은 컬러 필터층의 형태로 적층될 수도 있다. 이 경우, 반사 방지층(RPL)은 특정 파장의 빛을 선택적으로 투광하는 컬러 필터 등을 포함할 수도 있다.
반사 방지층(RPL) 상부에는 보호층(WDL)이 배치될 수 있다. 보호층(WDL)은 예컨대 윈도우 부재를 포함할 수 있다. 보호층(WDL)은 광학 투명 접착제 등에 의해 반사 방지층(RPL) 상에 부착될 수 있다.
도 4는 일 실시예에 따른 일 화소를 상세히 보여주는 회로도이다.
도 4를 참조하면, 화소(PX)의 회로는, 복수의 트랜지스터(T1 내지 T7), 커패시터(Cst) 및 발광 소자(Light Emitting Element, LE) 등을 포함한다. 일 화소(PX)의 회로에는 데이터 신호(DATA), 제1 주사(또는 스캔) 신호(GW), 제2 주사 신호(GI), 제3 주사 신호(GB), 발광 제어 신호(EM), 제1 전원 전압(ELVDD), 제2 전원 전압(ELVSS), 및 초기화 전압(VINT)이 인가된다.
발광 소자(LE)는 제1 전극(또는, 애노드 전극, 도 5의 ‘160’ 참조), 발광층(도 5의 ‘EML’ 참조), 및 제2 전극(또는, 캐소드 전극, 도 5의 ‘180’ 참조)을 포함하는 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode)일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 발광 소자(LE)는 제1 전극, 무기 발광층, 및 제2 전극을 포함하는 무기 발광 다이오드일 수도 있다.
복수의 트랜지스터는 제1 내지 제7 트랜지스터(T1 내지T7)를 포함할 수 있다. 각 트랜지스터(T1 내지 T7)는 게이트 전극, 제1 전극(또는, 제1 소스/드레인 전극) 및 제2 전극(또는, 제2 소스/드레인 전극)을 포함한다. 각 트랜지스터(T1~T7)의 제1 전극과 제2 전극 중 어느 하나는 소스 전극이 되고 다른 하나는 드레인 전극이 된다.
제1 트랜지스터(T1)는 구동 트랜지스터의 역할을 하며, 제2 내지 제7 트랜지스터(T2 내지 T7)는 스위칭 트랜지스터의 역할을 할 수 있다. 각 트랜지스터(T1 내지 T7)는 게이트 전극, 제1 전극 및 제2 전극을 포함한다. 각 트랜지스터(T1 내지 T7)의 제1 전극과 제2 전극 중 어느 하나는 소스 전극이 되고 다른 하나는 드레인 전극이 된다.
각 트랜지스터(T1 내지 T7)는 박막 트랜지스터일 수 있다. 각 트랜지스터(T1 내지 T7)는 PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터 중 어느 하나일 수 있다. 일 실시예에서, 구동 트랜지스터인 제1 트랜지스터(T1), 데이터 전달 트랜지스터인 제2 트랜지스터(T2), 보상 트랜지스터인 제3 트랜지스터(T3), 제1 초기화 트랜지스터인 제4 트랜지스터(T4), 제1 발광 제어 트랜지스터인 제5 트랜지스터(T5), 제2 발광 제어 트랜지스터인 제6 트랜지스터(T6) 및 제2 초기화 트랜지스터인 제7 트랜지스터(T7)는 모두 PMOS 트랜지스터이다.
다만, 이에 제한되는 것은 아니고, 예를 들어, 보상 트랜지스터인 제3 트랜지스터(T3) 및 제1 초기화 트랜지스터인 제4 트랜지스터(T4)는 NMOS 트랜지스터이며, 구동 트랜지스터인 제1 트랜지스터(T1), 데이터 전달 트랜지스터인 제2 트랜지스터(T2), 제1 발광 제어 트랜지스터인 제5 트랜지스터(T5), 제2 발광 제어 트랜지스터인 제6 트랜지스터(T6) 및 제2 초기화 트랜지스터인 제7 트랜지스터(T7)는 PMOS 트랜지스터일 수도 있다.
이 경우, 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4)의 액티브층과, 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6) 및 제7 트랜지스터(T7)의 액티브층은 서로 다른 물질을 포함할 수 있다. 이에 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어, 제3 트랜지스터(T3) 및 제4 트랜지스터(T4)의 액티브층은 산화물 반도체를 포함하고, 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 제5 트랜지스터(T5), 제6 트랜지스터(T6) 및 제7 트랜지스터(T7)의 액티브층은 다결정 실리콘을 포함할 수 있다.
이하, 각 구성에 대해 상세히 설명한다.
제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극은 커패시터(Cst)의 제1 전극과 연결된다. 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극은 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 제1 전원 전압 라인(ELVDDL)과 연결된다. 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극은 제6 트랜지스터(T6)를 경유하여 발광 소자(LE)의 애노드 전극과 연결된다. 제1 트랜지스터(T1)는 제2 트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터 신호(DATA)를 전달받아 발광 소자(LE)에 구동 전류를 공급한다.
제2 트랜지스터(T2)의 게이트 전극은 제1 주사 신호(GW) 라인과 연결된다. 제2 트랜지스터(T2)의 제1 전극은 데이터 신호(DATA) 라인과 연결된다. 제2 트랜지스터(T2)의 제2 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극과 연결되어 있으면서 제5 트랜지스터(T5)를 경유하여 제1 전원 전압 라인(ELVDDL)과 연결된다. 제2 트랜지스터(T2)는 제1 주사 신호(GW)에 따라 턴온되어 데이터 신호(DATA)를 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극으로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.
제3 트랜지스터(T3)는 제1 서브 트랜지스터(T3_1)와 제2 서브 트랜지스터(T3_2)를 포함하는 듀얼 트랜지스터로 형성될 수 있다. 제1 서브 트랜지스터(T3_1)의 게이트 전극은 제1 주사 신호(GW) 라인에 연결되고, 제1 전극은 제2 서브 트랜지스터(T3_2)의 제2 전극에 연결되며, 제2 전극은 커패시터(Cst)의 제1 전극, 제3 서브 트랜지스터(T4_1)의 제1 전극 및 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 함께 연결되어 있다. 제2 서브 트랜지스터(T3_2)의 게이트 전극은 제1 주사 신호(GW) 라인에 연결되고, 제1 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극에 연결되며, 제2 전극은 제1 서브 트랜지스터(T3_1)의 제1 전극에 연결될 수 있다.
제1 서브 트랜지스터(T3_1)와 제2 서브 트랜지스터(T3_2)는 제1 주사 신호(GW)에 의해 턴-온되어 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 제2 전극을 연결하여 제1 트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킨다. 그에 따라 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극과 게이트 전극 사이에 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압만큼 전압차가 발생하고, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 문턱 전압이 보상된 데이터 신호(DATA)를 공급함으로써 제1 트랜지스터(T1)의 문턱 전압 편차를 보상할 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 제3 서브 트랜지스터(T4_1)와 제4 서브 트랜지스터(T4_2)를 포함하는 듀얼 트랜지스터로 형성될 수 있다. 제3 서브 트랜지스터(T4_1)의 게이트 전극은 제2 주사 신호(GI) 라인에 연결되고, 제1 전극은 커패시터(Cst)의 제1 전극, 제1 서브 트랜지스터(T3_1)의 제2 전극 및 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 함께 연결되며, 제2 전극은 제4 서브 트랜지스터(T4_2)의 제1 전극에 연결될 수 있다. 제4 서브 트랜지스터(T4_2)의 게이트 전극은 제2 주사 신호(GI) 라인에 연결되고, 제1 전극은 제3 서브 트랜지스터(T4_1)의 제2 전극에 연결되며, 제2 전극은 초기화 전압(VINT)에 연결될 수 있다. 제3 서브 트랜지스터(T4_1)와 제4 서브 트랜지스터(T4_2)는 제2 주사 신호(GI)에 의해 턴-온되어 초기화 전압(VINT)을 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 전달하여 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극의 전압을 초기화시키는 동작을 수행한다.
제5 트랜지스터(T5)의 게이트 전극은 발광 제어 신호(EM) 라인에 연결되고, 제1 전극은 제1 전원 전압 라인(ELVDDL)에 연결되며, 제2 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극에 연결된다. 제5 트랜지스터(T5)는 발광 제어 신호(EM)에 의해 턴-온되어 제1 트랜지스터(T1)의 제1 전극과 제1 전원 전압 라인(ELVDDL)을 연결시킨다.
제6 트랜지스터(T6)는 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극과 발광 소자(LE)의 제1 전극 사이에 연결된다. 제6 트랜지스터(T6)의 게이트 전극은 발광 제어 신호(EM) 라인에 연결되고, 제1 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 제2 전극 및 제2 서브 트랜지스터(T3_2)의 제1 전극과 연결되며, 제2 전극은 발광 소자(LE)의 제1 전극에 연결된다.
제5 트랜지스터(T5)와 제6 트랜지스터(T6)는 발광 제어 신호(EM)에 따라 동시에 턴온되고, 그에 따라 발광 소자(LE)에 구동 전류가 흐르게 된다.
제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극은 제3 주사 신호(GB) 라인과 연결된다. 제7 트랜지스터(T7)의 제1 전극은 발광 소자(LE)의 애노드 전극과 연결된다. 제7 트랜지스터(T7)의 제2 전극은 초기화 전압(VINT) 라인과 연결된다. 제7 트랜지스터(T7)는 제3 주사 신호(GB)에 따라 턴온되어 유기 발광 소자(OLED)의 애노드 전극을 초기화시킨다.
본 실시예에서는 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극이 제3 주사 신호(GB)를 인가받는 경우를 예시하였지만, 다른 실시예로 제7 트랜지스터(T7)의 게이트 전극이 발광 제어 신호(EM)를 인가받거나, 제2 주사 신호(GI)를 인가받도록 화소(PX)의 회로를 구성하거나, 제1 주사 신호(GW)를 인가받도록 화소의 회로를 구성할 수도 있다.
커패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극과 제1 전원 전압 라인(ELVDDL) 사이에 형성되며, 제1 전극 및 제2 전극을 포함한다. 커패시터(Cst)의 제1 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극, 제3 트랜지스터(T3)의 제2 전극 및 제4 트랜지스터(T4)의 제1 전극에 함께 연결되고, 커패시터(Cst)의 제2 전극은 제1 전원 전압 라인(ELVDDL)에 연결될 수 있다. 커패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 전극에 인가된 데이터 전압을 일정하게 유지하는 역할을 할 수 있다.
발광 소자(LE)의 캐소드 전극은 제2 전원 전압 라인(ELVSSL)과 연결되고, 제2 전원 전압 라인(ELVSSL)으로부터 제2 전원 전압(ELVSS)을 인가받는다. 발광 소자(LE)는 제1 트랜지스터(T1)로부터 구동 전류를 전달받아 발광함으로써 화상을 표시한다.
이하, 상술한 화소(PX)의 단면 구조에 대해 상세히 설명한다.
도 5는 일 실시예에 따른 표시 장치의 일 화소 주변의 단면도이다. 도 5는 표시 패널(10) 및 터치층(TSL)의 단면도를 도시한다.
도 5를 참조하면, 표시 장치(1)는 기판(SUB), 회로 구동층(DRL), 회로 구동층(DRL) 상에 배치되는 애노드 전극(160), 애노드 전극(160)을 노출하는 개구부를 포함하는 화소 정의막(126), 화소 정의막(126)의 개구부 내에 배치된 발광층(EML), 발광층(EML)과 화소 정의막(126) 상에 배치된 캐소드 전극(180), 캐소드 전극(180) 상에 배치된 봉지층(ENL), 및 봉지층(ENL) 상에 배치되는 터치층(TSL)을 포함할 수 있다. 상술한 각 층들은 단일막으로 이루어질 수 있지만, 복수의 막을 포함하는 적층막으로 이루어질 수도 있다. 각 층들 사이에는 다른 층이 더 배치될 수도 있다.
회로 구동층(DRL)은 버퍼층(105), 반도체층(110), 제1 절연층(121), 제1 도전층(130), 제2 절연층(122), 제2 도전층(140), 제3 절연층(123), 제3 도전층(150) 및 제4 절연층(124)을 포함할 수 있다.
기판(SUB)은 그 위에 배치되는 각 층들을 지지할 수 있다. 기판(SUB)은 고분자 수지 등의 절연 물질 또는 유리나 석영 등과 같은 무기 물질로 이루어질 수도 있다. 이에 제한되는 것은 아니지만, 기판(SUB)은 플렉시블(flexible)한 기판일 수 있으며, 벤딩(bending), 롤링(rolling), 폴딩(folding) 등이 가능할 수 있다.
기판(SUB) 상에는 버퍼층(105)이 배치된다. 버퍼층(105)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다.
버퍼층(105) 상에는 반도체층(110)이 배치된다. 반도체층(110)은 화소의 박막 트랜지스터의 채널을 이룬다.
반도체층(110) 상에는 제1 절연층(121)이 배치된다. 제1 절연층(121)은 게이트 절연 기능을 갖는 제1 게이트 절연막일 수 있다.
제1 절연층(121) 상에는 제1 도전층(130)이 배치된다. 제1 도전층(130)은 화소(PX)의 박막 트랜지스터의 게이트 전극(GAT)과 그에 연결된 스캔 라인, 및 유지 커패시터 제1 전극(CE1)을 포함할 수 있다.
제1 도전층(130) 상에는 제2 절연층(122)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(122)은 층간 절연막 또는 제2 게이트 절연막일 수 있다.
제2 절연층(122) 상에는 제2 도전층(140)이 배치된다. 제2 도전층(140)은 유지 커패시터 제2 전극(CE2)을 포함할 수 있다.
제2 도전층(140) 상에는 제3 절연층(123)이 배치된다. 제3 절연층(123)은 층간 절연막일 수 있다.
제3 절연층(123) 상에는 제3 도전층(150)이 배치된다. 제3 도전층(150)은 화소의 박막 트랜지스터의 제1 전극(SD1)과 제2 전극(SD2), 및 그에 연결된 데이터 라인을 포함할 수 있다. 박막 트랜지스터의 제1 전극(SD1)과 제2 전극(SD2)은 제3 절연층(123), 제2 절연층(122) 및 제1 절연층(121)을 관통하는 컨택홀을 통해 반도체층(110)의 소스 영역 및 드레인 영역과 전기적으로 연결될 수 있다.
제3 도전층(150) 상에는 제4 절연층(124)이 배치된다. 제4 절연층(124)은 제3 도전층(150)을 덮는다. 제4 절연층(124)은 비아층일 수 있다. 제4 절연층(124)은 유기 절연막을 포함할 수 있고, 이 경우, 하부의 단차에도 불구하고, 제4 절연층(124)의 상면은 대체로 평탄할 수 있다.
제4 절연층(124) 상에는 애노드 전극(160)이 배치된다. 애노드 전극(160)은 화소마다 마련된 화소 전극일 수 있다. 애노드 전극(160)은 제4 절연층(124)을 관통하는 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터의 제2 전극(SD2)과 연결될 수 있다. 애노드 전극(160)은 발광 영역(EMA)과 적어도 부분적으로 중첩될 수 있다.
애노드 전극(160)은 이에 제한되는 것은 아니지만 인듐-주석-산화물(Indium-Tin-Oxide: ITO), 인듐-아연-산화물(Indium-Zinc-Oxide: IZO), 산화아연(Zinc Oxide: ZnO), 산화인듐(Indium Oxide: In2O3)의 일함수가 높은 물질층과 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 혼합물 등과 같은 반사성 물질층이 적층된 적층막 구조를 가질 수 있다. 일함수가 높은층이 반사성 물질층보다 위층에 배치되어 발광층(EML)에 가깝게 배치될 수 있다. 애노드 전극(160)은 ITO/Mg, ITO/MgF, ITO/Ag, ITO/Ag/ITO의 복수층 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
애노드 전극(160) 상에는 화소 정의막(126)이 배치될 수 있다. 화소 정의막(126)은 애노드 전극(160) 상에 배치되며, 애노드 전극(160)을 노출하는 개구부를 포함할 수 있다. 화소 정의막(126) 및 그 개구부에 의해 발광 영역(EMA)과 비발광 영역(NEM)이 구분될 수 있다.
화소 정의막(126)이 노출하는 애노드 전극(160) 상에는 발광층(EML)이 배치된다. 발광층(EML)은 유기 물질층을 포함할 수 있다. 발광층의 유기 물질층은 유기 발광층을 포함하며, 정공 주입/수송층 및/또는, 전자 주입/수송층을 더 포함할 수 있다.
발광층(EML) 상에는 캐소드 전극(180)이 배치될 수 있다. 캐소드 전극(180)은 화소의 구별없이 전면적으로 배치된 공통 전극일 수 있다. 애노드 전극(160), 발광층(EML) 및 캐소드 전극(180)은 각각 유기 발광 소자를 구성할 수 있다.
캐소드 전극(180)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg, Ag, Pt, Pd, Ni, Au Nd, Ir, Cr, BaF, Ba 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물 등)과 같은 일함수가 작은 물질층을 포함할 수 있다. 캐소드 전극(180)은 상기 일함수가 작은 물질층 상에 배치된 투명 금속 산화물층을 더 포함할 수 있다.
캐소드 전극(180) 상부에는 제1 무기 봉지막(191), 유기 봉지막(192) 및 제2 무기 봉지막(193)을 포함하는 봉지층(ENL)이 배치된다. 봉지층(ENL)의 단부에서 제1 무기 봉지막(191)과 제2 무기 봉지막(193)은 서로 접할 수 있다. 유기 봉지막(192)은 제1 무기 봉지막(191)과 제2 무기 봉지막(193)에 의해 밀봉될 수 있다.
제1 무기 봉지막(191) 및 제2 무기 봉지막(193)은 각각 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 실리콘 산질화물 등을 포함할 수 있다. 유기 봉지막(192)은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
터치층(TSL)은 봉지층(ENL) 상에 배치될 수 있다. 터치층(TSL)은 베이스층(205), 베이스층(205) 상의 제1 터치 도전층(210), 제1 터치 도전층(210) 상의 제1 터치 절연층(215), 제1 터치 절연층(215) 상의 제2 터치 도전층(220), 및 제2 터치 도전층(200)을 덮는 제2 터치 절연층(230)을 포함할 수 있다.
구체적으로 설명하면, 베이스층(205) 상에는 제1 터치 도전층(210)이 배치된다. 제1 터치 도전층(210)은 제1 터치 절연층(215)에 의해 덮인다. 제1 터치 절연층(215)은 제1 터치 도전층(210)과 제2 터치 도전층(220)을 절연한다. 제1 터치 절연층(215) 상에는 제2 터치 도전층(220)이 배치된다. 제2 터치 절연층(230)은 제2 터치 도전층(220)을 덮어 보호할 수 있다.
베이스층(205)은 무기 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스층(205)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄 옥사이드층, 또는 알루미늄 옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예에서, 베이스층(205)은 후술하는 박막 봉지층을 구성하는 제2 무기 봉지막(193)으로 대체될 수도 있다. 이 경우, 제1 터치 도전층(210)은 제2 무기 봉지막(193) 상에 바로 배치될 수 있다.
제1 터치 도전층(210) 및 제2 터치 도전층(220)은 각각 금속이나 투명 도전층을 포함할 수 있다. 상기 금속은 알루미늄, 티타늄, 구리, 몰리브덴, 은 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 상기 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등과 같은 투명한 전도성 산화물이나, PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다. 제1 터치 도전층(210)과 제2 터치 도전층(220)은 비발광 영역(NEM) 상에 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 터치 도전층(210)과 제2 터치 도전층(220)이 저저항의 불투명 금속으로 이루어지더라도 발광된 빛의 진행을 방해하지 않을 수 있다.
제1 터치 도전층(210) 및/또는 제2 터치 도전층(220)은 다층 구조의 도전층을 포함할 수도 있다. 예를 들어, 제1 터치 도전층(210) 및/또는 제2 터치 도전층(220)은 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다.
제1 터치 절연층(215)과 제2 터치 절연층(230)은 무기 물질 또는 유기 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 터치 절연층(215)은 무기 물질을 포함하고, 제2 터치 절연층(230)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 터치 절연층(215)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄 옥사이드층, 또는 알루미늄 옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 제2 터치 절연층(230)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 제2 터치 절연층(230)이 유기 물질을 포함하는 경우, 하부의 단차에도 불구하고 상면은 대체로 평탄할 수 있다.
도 6은 일 실시예에 따른 터치 부재를 포함하는 표시 장치의 평면도이다. 도 7 및 도 8은 일 실시예에 따른 터치 부재의 개략적인 평면 배치도이다. 도 9는 A 영역의 확대도이다. 도 10은 B영역의 확대도이다. 도 6 내지 도 8에서는 설명의 편의상 터치 부재의 전반적인 형상을 단순화하고, 비터치 영역을 상대적으로 넓게 도시하였지만, 터치 영역의 형상과 비터치 영역의 형상은 상술한 활성 영역(AAR) 및 비활성 영역(NAR)의 형상과 실질적으로 동일할 수 있다.
도 6 내지 도 10을 참조하면, 터치 부재는 터치 영역에 배치되는 복수의 제1 감지 전극(IE1)(또는 제1 터치 전극) 및 복수의 제2 감지 전극(IE2)(또는 제2 터치 전극)을 포함할 수 있다. 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2) 중 어느 하나는 구동 전극이고, 다른 하나는 센싱 전극일 수 있다. 본 실시예에서는 제1 감지 전극(IE1)이 구동 전극이고, 제2 감지 전극(IE2)이 센싱 전극인 경우를 예시한다.
제1 감지 전극(IE1)은 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제1 감지 전극(IE1)은 제1 서브 감지 전극(IE11) 및 제2 서브 감지 전극(IE12)을 포함할 수 있다. 제1 서브 감지 전극(IE11) 및 제2 서브 감지 전극(IE12)은 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제1 서브 감지 전극(IE11)과 제2 서브 감지 전극(IE12)은 적어도 부분적으로 분리되어 제1 방향(DR1)으로 이격될 수 있다. 적어도 부분적으로 분리된 제1 서브 감지 전극(IE11)과 제2 서브 감지 전극(IE12)은 제2 방향(DR2)을 기준으로 서로 인접하여 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 서브 감지 전극(IE11)과 제2 서브 감지 전극(IE12)은 전 영역에 걸쳐 분리될 수 있다.
복수의 제1 감지 전극(IE1) 각각은 터치 구동 배선(Tx) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다. 하나의 제1 감지 전극(IE1)의 제1 서브 감지 전극(IE11)과 제2 서브 감지 전극(IE12)은 동일한 터치 구동 배선(Tx)에 연결될 수 있다. 다시 말해서, 하나의 제1 감지 전극(IE1)의 제1 서브 감지 전극(IE11)과 제2 서브 감지 전극(IE12)은 복수의 터치 구동 배선(Tx) 중 선택된 어느 하나와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 서브 감지 전극(IE11) 및 제2 서브 감지 전극(IE12) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 배열된 복수의 제1 센서부(SP1) 및 서로 인접한 제1 센서부(SP1)를 전기적으로 연결하는 제1 연결부(CP1)를 포함할 수 있다. 복수의 제1 감지 전극(IE1)은 제1 방향(DR1)으로 배열될 수 있다.
제2 감지 전극(IE2)은 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다. 제1 감지 전극(IE1)은 제3 서브 감지 전극(IE21) 및 제4 서브 감지 전극(IE22)을 포함할 수 있다. 제3 서브 감지 전극(IE21) 및 제4 서브 감지 전극(IE22)은 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 제3 서브 감지 전극(IE21)과 제4 서브 감지 전극(IE22)은 적어도 부분적으로 분리되어 제2 방향(DR2)으로 이격될 수 있다. 적어도 부분적으로 분리된 제3 서브 감지 전극(IE21)과 제4 서브 감지 전극(IE22)은 제1 방향(DR1)을 기준으로 서로 인접하여 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제3 서브 감지 전극(IE21)과 제4 서브 감지 전극(IE22)은 전 영역에 걸쳐 분리될 수 있다.
복수의 제2 감지 전극(IE2) 각각은 터치 센싱 배선(Rx) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다. 하나의 제2 감지 전극(IE2)의 제3 서브 감지 전극(IE21)과 제4 서브 감지 전극(IE22)은 동일한 터치 센싱 배선(Rx)에 연결될 수 있다. 다시 말해서, 하나의 제2 감지 전극(IE2)의 제3 서브 감지 전극(IE21)과 제4 서브 감지 전극(IE22)은 복수의 터치 센싱 배선(Rx) 중 선택된 어느 하나와 전기적으로 연결될 수 있다.
제3 서브 감지 전극(IE21) 및 제4 서브 감지 전극(IE22) 각각은 제1 방향(DR1)으로 배열된 복수의 제2 센서부(SP2) 및 서로 인접한 제2 센서부(SP2)를 전기적으로 연결하는 제2 연결부(CP2)를 포함할 수 있다. 복수의 제2 감지 전극(IE2)은 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다.
도면에서는 7개의 제1 감지 전극(IE1)과 7개의 제2 감지 전극(IE2)이 배열된 경우를 예시하고 있지만, 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2)의 수가 상기 예시된 바에 제한되지 않음은 자명하다.
적어도 일부의 제1 센서부(SP1) 및 제2 센서부(SP2)는 마름모 형상일 수 있다. 몇몇 제1 센서부(SP1) 및 제2 센서부(SP2)는 마름모 형상으로부터 잘린 도형 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 연장 방향 양 단부를 제외한 제1 센서부(SP1)들 및 제2 센서부(SP2)들은 모두 마름모 형상이고, 연장 방향 양 단부에 위치하는 제1 센서부(SP1)들 및 제2 센서부(SP2)들은 각각 마름모의 일부 형상일 수 있다. 마름모 형상의 제1 센서부(SP1)들과 마름모 형상의 제2 센서부(SP2)들은 그 크기 및 형상이 실질적으로 서로 동일할 수 있다. 마름모의 일부 형상을 갖는 제1 센서부(SP1)들과 마름모의 일부 형상을 갖는 제2 센서부(SP2)들은 그 크기 및 형상이 실질적으로 서로 동일할 수 있다. 그러나, 실시예가 상기 예시된 것에 제한되는 것은 아니고, 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)의 형상 및 크기는 다양하게 변형 가능하다.
제1 감지 전극(IE1)의 제1 센서부(SP1)와 제2 감지 전극(IE2)의 제2 센서부(SP2)는 각각 면형 패턴 또는 메쉬형 패턴을 포함하여 이루어질 수 있다. 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)가 면형 패턴을 포함하여 이루어진 경우, 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)는 투명한 도전층으로 이루어질 수 있다. 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)가 도 12 및 도 13에 예시된 바와 같이 비발광 영역을 따라 배치된 메쉬형 패턴을 포함하여 이루어진 경우, 불투명한 저저항 금속을 적용하더라도 발광된 빛의 진행을 방해하지 않을 수 있다. 이하에서는 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)가 각각 메쉬형 패턴을 포함하여 이루어진 경우를 예로 하여 설명하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 연결부(CP1)는 이웃하는 제1 센서부(SP1)들의 마름모 또는 삼각형의 모서리 부위를 연결할 수 있다. 제2 연결부(CP2)는 이웃하는 제2 센서부(SP2)들의 마름모 또는 삼각형의 모서리 부위를 연결할 수 있다.
제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2)은 절연되어 교차할 수 있다. 서로 교차하는 영역에서 다른 층에 위치하는 도전층을 통해 연결됨으로써 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2) 간 절연을 확보할 수 있다. 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2)의 절연 교차는 제1 연결부(CP1) 및/또는 제2 연결부(CP2)에 의해 이루어질 수 있다. 절연 교차를 위해 제1 연결부(CP1)와 제2 연결부(CP2) 중 적어도 하나는 제1 감지 전극(IE1) 및 제2 감지 전극(IE2)과 다른 층에 위치할 수 있다.
일 예로 제1 감지 전극(IE1)의 제1 센서부(SP1)와 제2 감지 전극(IE2)의 제2 센서부(SP2)는 동일한 층에 위치하는 도전층으로 이루어지고, 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2) 자체는 서로 교차하거나 중첩하지 않을 수 있다. 인접한 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)는 물리적으로 상호 이격될 수 있다.
제2 연결부(CP2)는 제2 센서부(SP2)와 동일한 도전층으로 이루어져 인접한 제2 센서부(SP2)를 연결할 수 있다. 제2 연결부(CP2)가 지나는 영역을 중심으로 제1 감지 전극(IE1)의 인접한 제1 센서부(SP1)들은 물리적으로 이격된다. 제1 센서부(SP1)들을 연결하는 제1 연결부(CP1)는 제1 센서부(SP1)와 다른 도전층으로 이루어져 제2 감지 전극(IE2)의 영역을 가로지를 수 있다. 제1 연결부(CP1)는 컨택을 통해 인접한 각 제1 센서부(SP1)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 연결부(CP1)는 복수개일 수 있다. 예를 들어, 이에 제한되는 것은 아니지만, 제1 연결부(CP1)는 인접한 일측의 제2 감지 전극(IE2)을 중첩하여 지나는 하나의 제1 연결부(CP1_1)와 인접한 타측의 제2 감지 전극(IE2)을 중첩하여 지나는 다른 하나의 제1 연결부(CP1_2)를 포함할 수 있다. 인접한 2개의 제1 센서부(SP1)를 연결하는 제1 연결부(CP1)가 복수개 마련되면 어느 하나가 정전기 등에 의해 단선되더라도 해당 제1 감지 전극(IE1)의 단선이 방지될 수 있다.
활성 영역(AAR, 또는 터치 영역)은 행 영역(RW: RW1, RW2, RW3, RW4, RW5, RW6, RW7) 및 열 영역(CL: CL1, CL2, CL3, CL4, CL5, CL6, CL7)을 더 포함할 수 있다. 행 영역(RW)과 열 영역(CL) 각각은 복수로 제공될 수 있다. 행 영역(RW)은 활성 영역(AAR)이 실질적으로 동일한 제2 방향(DR2)의 폭을 갖도록 나눠진 영역으로, 각각이 제1 방향(DR1)으로 연장되며, 제2 방향(DR2)을 따라 나열될 수 있다. 열 영역(CL)은 활성 영역(AAR)이 실질적으로 동일한 제1 방향(DR1)의 폭을 갖도록 나눠진 영역으로, 각각이 제2 방향(DR2)으로 연장되며, 제1 방향(DR1)을 따라 나열될 수 있다.
행 영역(RW) 각각에는 하나의 제2 감지 전극(IE2)이 배치될 수 있다. 각각의 행 영역(RW)에는 하나의 제3 서브 감지 전극(IE21)과 하나의 제4 서브 감지 전극(IE22)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 행 영역(RW)이 제1 내지 제7 행 영역(RW1, RW2, RW3, RW4, RW5, RW6, RW7)을 포함할 수 있고, 이 경우, 제1 내지 제7 행 영역(RW1, RW2, RW3, RW4, RW5, RW6, RW7) 각각에는 하나의 제2 감지 전극(IE2)이 배치될 수 있다.
제1 내지 제7 행 영역(RW1, RW2, RW3, RW4, RW5, RW6, RW7) 각각이 제1 방향(DR1)으로 연장된 길이는 서로 다를 수 있다. 제1 내지 제7 행 영역(RW1, RW2, RW3, RW4, RW5, RW6, RW7) 각각의 제2 방향(DR2)의 폭은 서로 실질적으로 동일할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
열 영역(CL) 각각에는 하나의 제1 감지 전극(IE1)이 배치될 수 있다. 각각의 열 영역(CL)에는 하나의 제1 서브 감지 전극(IE11)과 하나의 제2 서브 감지 전극(IE12)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 열 영역(CL)이 제1 내지 제7 열 영역(CL1, CL2, CL3, CL4, CL5, CL6, CL7)을 포함할 수 있고, 이 경우, 제1 내지 제7 열 영역(CL1, CL2, CL3, CL4, CL5, CL6, CL7) 각각에는 하나의 제1 감지 전극(IE1)이 배치될 수 있다.
제1 내지 제7 열 영역(CL1, CL2, CL3, CL4, CL5, CL6, CL7) 각각이 제2 방향(DR2)으로 연장된 길이는 서로 다를 수 있다. 제1 내지 제7 열 영역(CL1, CL2, CL3, CL4, CL5, CL6, CL7) 각각의 제1 방향(DR1)의 폭은 서로 실질적으로 동일할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
단위 감지 영역(SUT)은 행 영역(RW)과 열 영역(CL)이 교차하는 영역(교차 영역(OA))에 배치될 수 있다. 다시 말해서, 단위 감지 영역(SUT)은 제1 내지 제7 행 영역(RW1, RW2, RW3, RW4, RW5, RW6, RW7) 중 어느 하나와 제1 내지 제7 열 영역(CL1, CL2, CL3, CL4, CL5, CL6, CL7) 중 어느 하나가 중첩하는 영역에 배치될 수 있다.
예를 들어, 단위 감지 영역(SUT)은 제4 행 영역(RW4)과 제4 열 영역(CL4)이 중첩하는 영역에 배치될 수 있다. 제4 행 영역(RW4)과 제4 열 영역(CL4)이 중첩하는 영역에서 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2)이 교차할 수 있다. 다시 말해서, 제4 행 영역(RW4)과 제4 열 영역(CL4)이 중첩하는 영역에서 제1 감지 전극(IE1)의 제1 서브 감지 전극(IE11) 및 제2 서브 감지 전극(IE12) 각각은 제2 감지 전극(IE2)의 제3 서브 감지 전극(IE21) 및 제4 서브 감지 전극(IE22)과 교차할 수 있다.
활성 영역(AAR)은 행 영역(RW)과 열 영역(CL)이 교차하는 영역에서 서로 다른 면적을 가질 수 있다. 이하에서, 교차 영역은, 행 영역(RW)과 열 영역(CL)이 교차하는 영역에 배치된 활성 영역(AAR)을 지칭한다.
예를 들어, 제2 내지 제6 행 영역(RW2, RW3, RW4, RW5, RW6) 각각과 제2 내지 제6 열 영역(CL2, CL3, CL4, CL5, CL6) 각각이 중첩하는 복수의 제1 교차 영역(OA1)은 서로 실질적으로 동일한 면적을 가질 수 있다.
제1 행 영역(RW1)과 제2 내지 제6 열 영역(CL2, CL3, CL4, CL5, CL6) 각각이 중첩하는 제12 교차 영역(OA12), 제13 교차 영역(OA13), 제14 교차 영역(OA14), 제15 교차 영역(OA15) 및 제16 교차 영역(OA16)은 평면상 서로 다른 면적을 가질 수 있으나, 제12 교차 영역(OA12)과 제16 교차 영역(OA16)은 평면상 서로 동일한 면적을 갖고, 제13 교차 영역(OA13)과 제15 교차 영역(OA15)은 평면상 서로 동일한 면적을 가질 수 있다.
제7 행 영역(RW7)과 제2 내지 제6 열 영역(CL2, CL3, CL4, CL5, CL6) 각각이 중첩하는 제72 교차 영역(OA72), 제73 교차 영역(OA73), 제74 교차 영역(OA74), 제75 교차 영역(OA75) 및 제76 교차 영역(OA76)은 평면상 서로 다른 면적을 가질 수 있으나, 제72 교차 영역(OA72)과 제76 교차 영역(OA76)은 평면상 서로 동일한 면적을 갖고, 제73 교차 영역(OA73)과 제75 교차 영역(OA75)은 평면상 서로 동일한 면적을 가질 수 있다.
제1 열 영역(CL1)과 제2 내지 제6 행 영역(RW2, RW3, RW4, RW5, RW6) 각각이 중첩하는 제21 교차 영역(OA21), 제31 교차 영역(OA31), 제41 교차 영역(OA41), 제51 교차 영역(OA51) 및 제61 교차 영역(OA61)은 평면상 서로 다른 면적을 가질 수 있으나, 제21 교차 영역(OA21)과 제61 교차 영역(OA61)은 평면상 서로 동일한 면적을 갖고, 제31 교차 영역(OA31)과 제51 교차 영역(OA51)은 평면상 서로 동일한 면적을 가질 수 있다.
제7 열 영역(CL7)과 제2 내지 제6 행 영역(RW2, RW3, RW4, RW5, RW6) 각각이 중첩하는 제27 교차 영역(OA27), 제37 교차 영역(OA37), 제47 교차 영역(OA47), 제57 교차 영역(OA57) 및 제67 교차 영역(OA67)은 평면상 서로 다른 면적을 가질 수 있으나, 제27 교차 영역(OA27)과 제67 교차 영역(OA67)은 평면상 서로 동일한 면적을 갖고, 제37 교차 영역(OA37)과 제57 교차 영역(OA57)은 평면상 서로 동일한 면적을 가질 수 있다.
제12 교차 영역(OA12)은 제72 교차 영역(OA72), 제21 교차 영역(OA21) 및 제27 교차 영역(OA27)과 실질적으로 동일한 면적을 가질 수 있다. 제13 교차 영역(OA13)은 제73 교차 영역(OA73), 제31 교차 영역(OA31) 및 제37 교차 영역(OA37)과 실질적으로 동일한 면적을 가질 수 있다. 제14 교차 영역(OA14)은 제74 교차 영역(OA), 제41 교차 영역(OA41) 및 제47 교차 영역(OA47)과 실질적으로 동일한 면적을 가질 수 있다.
제12 교차 영역(OA12)의 평면상 면적은 제1 교차 영역(OA1)의 평면상 면적의 20% 내지 50%의 범위 내에 있거나, 38%일 수 있다. 제13 교차 영역(OA13)의 평면상 면적은 제1 교차 영역(OA1)의 평면상 면적의 75% 내지 95%의 범위 내에 있거나, 87%일 수 있다. 제14 교차 영역(OA14)의 평면상 면적은 제1 교차 영역(OA1)의 평면상 면적의 95% 내지 110%의 범위 내에 있거나, 101%일 수 있다.
활성 영역(AAR)은 제1 행 영역(RW1)과 제1 열 영역(CL1) 및 제7 열 영역(CL7)이 중첩하는 영역, 및 제7 행 영역(RW7)과 제1 열 영역(CL1) 및 제7 열 영역(CL7)이 중첩하는 영역에 배치되지 않을 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
활성 영역(AAR)은 내측부(IS) 및 외측부(OS: OS1, OS2, OS3, OS4)를 더 포함할 수 있다. 활성 영역(AAR)이 원형 형상을 포함하는 경우, 내측부(IS)는 활성 영역(AAR)의 원형에서 형성될 수 있는 가장 큰 사각형 형상을 포함할 수 있다. 다시 말해서, 내측부(IS)는 평면상 사각형 형상을 포함하며, 내측부(IS)의 모서리가 만나는 꼭지점은 활성 영역(AAR)의 원형의 테두리 상에 위치할 수 있다. 활성 영역(AAR)이 원형 형상을 포함하고 내측부(IS)가 사각형 형상을 포함하는 경우, 내측부(IS)의 대각선의 길이는 활성 영역(AAR)의 원형 형상의 지름의 길이와 실질적으로 동일할 수 있다. 또한, 이 경우, 내측부(IS)의 두 대각선이 교차하는 중심점은 활성 영역(AAR)의 중심점과 실질적으로 동일할 수 있다. 내측부(IS)는 정사각형 형상을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
외측부(OS)는 내측부(IS)의 제1 방향(DR1) 일측 및 타측에 각각 배치되는 제1 외측부(OS1)와 제2 외측부(OS2), 및 제2 방향(DR2) 일측 및 타측에 각각 배치되는 제3 외측부(OS3)와 제4 외측부(OS4)를 포함할 수 있다. 각각의 외측부(OS1, OS2, OS3, OS4)는 원 형상의 일부를 포함할 수 있다. 각각의 외측부(OS1, OS2, OS3, OS4)는 내측부(IS)의 외측(또는 표시 패널(10)의 외측)으로 볼록한 형상을 포함할 수 있다. 각각의 외측부(OS1, OS2, OS3, OS4) 평면상 실질적으로 동일한 형상을 포함할 수 있다. 외측부(OS)는 내측부(IS)를 둘러쌀 수 있다. 각각의 외측부(OS1, OS2, OS3, OS4)는 내측부(IS)에 의해 분리될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
내측부(IS)는 복수의 제1 교차 영역(OA1)을 포함할 수 있다. 제1 외측부(OS1)는 제27 교차 영역(OA27), 제37 교차 영역(OA37), 제47 교차 영역(OA47), 제57 교차 영역(OA57) 및 제67 교차 영역(OA67)을 포함할 수 있다. 제2 외측부(OS2)는 제22 교차 영역(OA22), 제32 교차 영역(OA32), 제42 교차 영역(OA42), 제52 교차 영역(OA52) 및 제62 교차 영역(OA62)을 포함할 수 있다. 제3 외측부(OS3)는 제12 교차 영역(OA12), 제13 교차 영역(OA13), 제14 교차 영역(OA14), 제15 교차 영역(OA15) 및 제16 교차 영역(OA16)을 포함할 수 있다. 제4 외측부(OS4)는 제72 교차 영역(OA72), 제73 교차 영역(OA73), 제74 교차 영역(OA74), 제75 교차 영역(OA75) 및 제76 교차 영역(OA76)을 포함할 수 있다.
교차 영역(OA)의 크기는 상이할 수 있다. 다시 말해서, 내측부(IS)에 배치된 복수의 교차 영역(OA)의 크기는 실질적으로 동일할 수 있으나, 외측부(OS)에 배치된 교차 영역(OA)의 크기는 서로 상이하며, 내측부(IS)에 배치된 교차 영역(OA)의 크기와 상이할 수 있다. 외측부(OS)에서 양 끝단으로 갈수록 교차 영역(OA)의 크기는 작아질 수 있다.
단위 감지 영역(SUT)은 각 중첩 영역(OA)마다 위치할 수 있다. 서로 인접한 제1 센서부(SP1)들과 제2 센서부(SP2)들은 단위 감지 영역(SUT)을 구성할 수 있다. 각 교차 영역(OA)에 배치된 단위 감지 영역(SUT)의 크기는 각 교차 영역(OA)의 크기에 상응할 수 있다.
예를 들어, 제1 중첩 영역(OA1)에서 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2)이 교차하는 영역을 중심으로 인접한 4개의 제1 센서부(SP1)의 절반과 인접한 4개의 제2 센서부(SP2)의 절반은 하나의 정사각형 또는 직사각형을 구성할 수 있다. 이와 같이 인접한 4개의 제1 센서부(SP1) 및 제2 센서부(SP2)의 절반 영역에 의해 정의된 영역은 하나의 단위 감지 영역(SUT)이 될 수 있다.
다시 말해서, 내측부(IS)에서 복수의 단위 감지 영역(SUT) 각각은 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2)이 교차하는 영역을 중심으로, 2개의 인접한 제1 서브 감지 전극(IE11)의 제1 센서부(SP1)의 절반, 2개의 인접한 제2 서브 감지 전극(IE12)의 제1 센서부(SP1)의 절반, 2개의 인접한 제3 서브 감지 전극(IE21)의 제2 센서부(SP2)의 절반, 2개의 인접한 제4 서브 감지 전극(IE22)의 제2 센서부(SP2)의 절반, 1개의 온전한 제1 서브 감지 전극(IE11)의 제1 센서부(SP1), 1개의 온전한 제2 서브 감지 전극(IE12)의 제1 센서부(SP1), 1개의 온전한 제3 서브 감지 전극(IE21)의 제2 센서부(SP2), 및 1개의 온전한 제4 서브 감지 전극(IE22)의 제2 센서부(SP2)를 포함할 수 있다.
외측부(OS)에 위치하는 단위 감지 영역(SUT)의 평면 형상은 내측부(IS)에 배치된 단위 감지 영역(SUT)의 평면 형상과 상이할 수 있다. 내측부(IS)에 위치하는 단위 감지 영역(SUT)의 평면 형상은 내측부(IS)에 위치하는 중첩 영역(OA)에 상응할 수 있다. 외측부(OS)에 위치하는 단위 감지 영역(SUT)의 평면 형상은 외측부(OS)에 위치하는 중첩 영역(OA)에 상응할 수 있다. 외측부(OS)에 위치하는 단위 감지 영역(SUT)의 평면 형상은 내측부(IS)에 위치하는 단위 감지 영역(SUT)의 평면 형상을 외측부(OS)의 형상에 따라 절단한 형상을 포함할 수 있다.
각 단위 감지 영역(SUT)에서는 인접한 제1 센서부(SP1)와 제2 센서부(SP2)들 사이의 정전 용량의 변화를 감지함으로써, 터치 입력 여부를 판단하고, 해당 위치를 터치 입력 좌표로 산출할 수 있다. 터치 감지는 뮤추얼 캡(상호 커패시턴스, Mutual capacitance, Cm) 방식으로 이루어질 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 각 단위 감지 영역(SUT)은 화소의 크기보다 클 수 있다. 예를 들어, 단위 감지 영역(SUT)은 복수개의 화소에 대응할 수 있다. 복수의 단위 감지 영역(SUT)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다.
제1 감지 전극(IE1)이 서로 적어도 부분적으로 분리된 제1 서브 감지 전극(IE11)과 제2 서브 감지 전극(IE12)을 포함하고, 제2 감지 전극(IE2)이 서로 적어도 부분적으로 분리된 제3 서브 감지 전극(IE21)과 제4 서브 감지 전극(IE22)을 포함함에 따라, 터치 부재의 터치 감도가 향상될 수 있고, 외측부(OS)에서 발생할 수 있는 터치 불량을 억제 또는 방지할 수 있다.
다시 말해서, 제1 감지 전극(IE1) 및 제2 감지 전극(IE2) 각각이 적어도 부분적으로 분리되고, 제1 서브 감지 전극(IE11)과 제2 서브 감지 전극(IE12) 및 제3 서브 감지 전극(IE21)과 제4 서브 감지 전극(IE22)이 서로 교차함에 따라, 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2) 사이의 경계가 증가할 수 있다. 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2) 사이의 경계가 증가하는 경우, 제1 감지 전극(IE1) 및 제2 감지 전극(IE2) 사이의 상호 커패시턴스가 증가할 수 있고, 터치 감도가 향상되어, 터치 부재의 성능이 향상될 수 있다.
특히, 활성 영역(AAR)이 원형 형상을 포함하는 경우, 외측부(OS)에 배치되는 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2)의 면적은 내측부(IS)에 배치되는 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2)보다 작을 수 있고, 외측부(OS)에 배치되는 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2) 사이의 경계가 상대적으로 적을 수 있다. 외측부(OS)에서 제1 감지 전극(IE1) 및 제2 감지 전극(IE2) 각각이 적어도 부분적으로 분리됨에 따라, 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2) 사이의 경계가 증가할 수 있어, 외측부(OS)에 배치된 활성 영역(AAR)의 터치 감도가 향상될 수 있다. 따라서, 활성 영역(AAR)이 원형 형상을 포함하더라도, 외측부(OS)에서 발생할 수 있는 터치 불량이 억제 또는 방지될 수 있다.
비교예 실시예
교차 영역 OA1 OA16 OA1 OA16
상호 커패시턴스(femto farad, fF) 563 79 1095 358
표 1을 참조하면, 비교예는 제1 감지 전극(IE1) 및 제2 감지 전극(IE2) 각각이 적어도 부분적으로 분리되지 않으며, 일체로 형성된 경우를 나타낸다. 이 경우, 각 단위 감지 영역(SUT)에서 하나의 제1 감지 전극(IE1)과 하나의 제2 감지 전극(IE2)이 교차한다. 비교예는 제1 교차 영역(OA1)과 제16 교차 영역(OA16) 각각에서 제1 감지 전극(IE1) 및 제2 감지 전극(IE2)은 각각 일체로 형성되어 배치된다. 실시예는 상술한 본 발명의 실시예와 같이, 제1 감지 전극(IE1)이 서로 분리된 제1 서브 감지 전극(IE11) 및 제2 서브 감지 전극(IE12)을 포함하고, 제2 감지 전극(IE2)이 서로 분리된 제3 서브 감지 전극(IE21) 및 제4 서브 감지 전극(IE22)을 포함하는 경우를 나타낸다. 실시예는 제1 교차 영역(OA1)과 제16 교차 영역(OA16) 각각에서, 제1 서브 감지 전극(IE11), 제2 서브 감지 전극(IE12), 제3 서브 감지 전극(IE21), 및 제4 서브 감지 전극(IE22)을 포함한다.
제1 영역(OA1)에서 비교예와 실시예를 비교하면, 비교예의 제1 영역(OA1)에서 측정된 상호 커패시턴스는 563fF이고, 실시예의 제1 영역(OA1)에서 측정된 상호 커패시턴스는 1095fF이다. 즉, 실시예의 경우, 비교예의 경우보다 상호 커패시턴스가 크다.
제16 영역(OA16)에서 비교예와 실시예를 비교하면, 비교예의 제16 영역(OA16)에서 측정된 상호 커패시턴스는 79fF이고, 실시예의 제16 영역(OA16)에서 측정된 상호 커패시턴스는 358fF이다. 즉, 실시예의 경우, 비교예의 경우보다 상호 커패시턴스가 크다.
따라서, 제1 감지 전극(IE1)이 서로 적어도 부분적으로 분리된 제1 서브 감지 전극(IE11)과 제2 서브 감지 전극(IE12)을 포함하고, 제2 감지 전극(IE2)이 서로 적어도 부분적으로 분리된 제3 서브 감지 전극(IE21)과 제4 서브 감지 전극(IE22)을 포함함에 따라, 상호 커패시턴스가 증가한다.
터치 영역의 외측인 비활성 영역(NAR)에는 복수의 터치 신호 배선이 배치된다. 터치 신호 배선은 터치 패드부(TPA)로부터 연장될 수 있다. 터치 패드부(TPA)는 서브 영역(SR, 도 1 참조)에 위치할 수 있다. 즉, 터치 신호 배선은 서브 영역(SR, 도 1 참조)에 위치하는 터치 패드부(TPA)로부터 벤딩 영역(BR, 도 1 참조)을 거쳐 메인 영역(MR, 도 1 참조)의 비활성 영역(NAR)으로 연장될 수 있다.
터치 부재는 비터치 영역에 배치되는 복수의 터치 신호 배선을 더 포함할 수 있다. 복수의 터치 신호 배선은 복수의 터치 구동 배선(Tx) 및 복수의 터치 센싱 배선(Rx)을 포함한다. 다른 몇몇 실시예에서, 복수의 터치 신호 배선은 터치 접지 배선 및/또는 터치 정전기 방지 배선을 더 포함할 수 있다.
터치 구동 배선(Tx)은 제1 감지 전극(IE1)과 연결된다. 일 실시예에서, 하나의 제1 감지 전극(IE1)에는 복수의 터치 구동 배선이 연결될 수 있다. 예를 들어, 터치 구동 배선은 제1 감지 전극(IE1)의 하측 단부에 연결되는 제1 터치 구동 배선(Tx1_1, Tx2_1, Tx3_1, Tx4_1, Tx5_1, Tx6_1, Tx7_1) 및 제1 감지 전극(IE1)의 상측 단부에 연결되는 제2 터치 구동 배선(Tx1_2, Tx2_2, Tx3_2, Tx4_2, Tx5_2, Tx6_2, Tx7_2)을 포함할 수 있다. 제1 터치 구동 배선(Tx1_1, Tx2_1, Tx3_1, Tx4_1, Tx5_1, Tx6_1, Tx7_1)은 터치 패드부(TPA)로부터 제2 방향(DR2) 일측으로 연장되어 제1 감지 전극(IE1)의 하측 단부와 연결될 수 있다. 제2 터치 구동 배선(Tx1_2, Tx2_2, Tx3_2, Tx4_2, Tx5_2, Tx6_2, Tx7_2)은 터치 패드부(TPA)로부터 제2 방향(DR2) 일측으로 연장되고 터치 영역의 좌측을 우회하여 제1 감지 전극(IE1)의 상측 단부와 연결될 수 있다.
제1 감지 전극(IE1) 각각의 제1 서브 감지 전극(IE11)과 제2 서브 감지 전극(IE12)은 동일한 터치 구동 배선(Tx)에 연결될 수 있다. 다시 말해서, 하나의 제1 감지 전극(IE1)의 제1 서브 감지 전극(IE11)과 제2 서브 감지 전극(IE12)은 함께, 제1 터치 구동 배선(Tx1_1, Tx2_1, Tx3_1, Tx4_1, Tx5_1, Tx6_1, Tx7_1) 중 어느 하나에 연결되며, 제2 터치 구동 배선(Tx1_2, Tx2_2, Tx3_2, Tx4_2, Tx5_2, Tx6_2, Tx7_2) 중 어느 하나에 연결될 수 있다.
터치 센싱 배선(Rx)은 제2 감지 전극(IE2)과 연결된다. 일 실시예에서, 하나의 제2 감지 전극(IE2)에는 하나의 터치 센싱 배선(Rx)이 연결될 수 있다. 각 터치 센싱 배선(Rx1, Rx2, Rx3, Rx4, Rx5, Rx6, Rx7)은 터치 패드부(TPA)로부터 제2 방향(DR2) 일측으로 연장되고 터치 영역의 우측 에지 측으로 연장하여 제2 감지 전극(IE2)의 우측 단부와 연결될 수 있다. 각 터치 센싱 배선(Rx1, Rx2, Rx3, Rx4, Rx5, Rx6, Rx7)은 제1 방향(DR1)을 따라 상호 이격될 수 있다.
제2 감지 전극(IE2) 각각의 제3 서브 감지 전극(IE21)과 제4 서브 감지 전극(IE22)은 동일한 터치 센싱 배선(Rx)에 연결될 수 있다. 다시 말해서, 하나의 제2 감지 전극(IE2) 각각의 제3 서브 감지 전극(IE21)과 제4 서브 감지 전극(IE22)은 함께, 터치 센싱 배선(Rx1, Rx2, Rx3, Rx4, Rx5, Rx6, Rx7) 중 어느 하나에 연결될 수 있다.
도 11은 도 10의 XI-XI'선을 따라 자른 단면도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 제1 연결부(CP1)는 제1 터치 도전층(210)으로 이루어지고, 제1 센서부(SP1), 제2 센서부(SP2) 및 제2 연결부(CP2)는 제2 터치 도전층(220)으로 이루어질 수 있다. 제1 연결부(CP1)와, 제1 센서부(SP1), 제2 센서부(SP2) 및 제2 연결부(CP2) 사이에는 제1 터치 절연층(215)이 배치될 수 있다. 제1 센서부(SP1)는 제1 연결부(CP1)와 중첩할 수 있고, 상기 교차 영역에서 제1 센서부(SP1)는 제1 터치 절연층(215)을 두께 방향으로 관통하여 제1 연결부(CP1)를 노출하는 컨택홀(CNT_T)을 통해 제1 연결부(CP1)와 컨택할 수 있다. 이에 따라, 서로 인접하는 제1 센서부(SP1)들은 전기적으로 연결될 수 있다.
그러나, 이에 제한되는 것은 아니고, 예시된 바와 반대로 제1 연결부(CP1)가 제2 터치 도전층(220)으로 이루어지고, 센서부(SP1, SP2)와 제2 연결부(CP2)가 제1 터치 도전층(210)으로 이루어질 수도 있다. 터치 신호 배선은 제1 터치 도전층(210)으로 이루어지거나, 제2 터치 도전층(220)으로 이루어질 수 있고, 컨택으로 연결된 제1 터치 도전층(210)과 제2 터치 도전층(220)으로 이루어질 수도 있다. 기타, 감지 전극이나 신호 배선의 각 부재를 구성하는 터치 도전층은 다양하게 변형 가능하다.
도 12는 일 실시예에 따른 터치 영역의 부분 확대도이다. 도 13은 일 실시예에 따른 표시부의 화소와 터치 부재의 메쉬형 패턴의 상대적인 배치 관계를 나타낸 배치도이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 활성 영역(AAR)의 표시 영역은 복수의 화소를 포함한다. 각 화소는 발광 영역(EMA)을 포함한다. 화소는 제1 색 화소(예컨대, 적색 화소), 제2 색 화소(예컨대, 청색 화소) 및 제3 색 화소(예컨대, 녹색 화소)를 포함할 수 있다. 발광 영역(EMA)은 각 색 화소의 발광 영역(EMA_R, EMA_B, EMA_G: EMA_G1, EMA_G2)를 포함할 수 있다. 각 색 화소의 발광 영역(EMA)의 형상은 대체로 팔각형 또는 모서리가 둥근 사각형이나 마름모 형상일 수 있다. 그러나, 이에 제한되는 것은 아니다.
각 화소의 발광 영역(EMA) 사이에는 비발광 영역(NEM)이 배치된다. 비발광 영역(NEM)은 발광 영역(EMA)을 둘러쌀 수 있다. 비발광 영역(NEM)은 평면도상 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 교차하는 대각선 방향을 따라 배치된 격자 형상 또는 메쉬 형상을 갖는다.
메쉬형 패턴(MSP)은 비발광 영역(NEM)에 배치된다. 메쉬형 패턴(MSP)은 도 6 내지 도 10에서 설명한 제1 터치 도전층(210) 및 제2 터치 도전층(220) 중 적어도 어느 하나와 실질적으로 동일할 수 있다.
메쉬형 패턴(MSP)은 비발광 영역(NEM)에서 화소의 경계를 따라 배치될 수 있다. 메쉬형 패턴(MSP)은 발광 영역(EMA)과는 비중첩할 수 있다. 메쉬형 패턴(MSP)의 폭은 비발광 영역(NEM)의 폭보다 작을 있다. 일 실시예에서, 메쉬형 패턴(MSP)이 노출하는 메쉬홀(MHL)은 실질적인 마름모 형상일 수 있다. 각 메쉬홀(MHL)의 크기는 동일할 수도 있지만, 해당 메쉬홀(MHL)이 노출하는 발광 영역(EMA)의 크기에 따라 상이할 수도 있고, 그와 무관하게 상이할 수도 있다. 도면에서는 하나의 메쉬홀(MHL)이 하나의 발광 영역(EMA)에 대응된 경우가 예시되어 있지만, 이에 제한되는 것은 아니며, 하나의 메쉬홀(MHL)이 2 이상의 발광 영역(EMA)에 대응될 수도 있다.
이하, 다른 실시예들에 대해 설명한다. 이하의 실시예에서, 이미 설명한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 그 설명을 생략하거나 간략화하며, 차이점을 위주로 설명하기로 한다.
도 14는 다른 실시예에 따른 터치층의 개략적인 평면도이다. 도 15는 도 14의 C 영역을 확대한 확대도이다.
도 14 및 도 15를 참조하면, 본 실시예에 따른 터치층(TSL_1)에서, 하나의 제1 감지 전극(IE1)과 하나의 제2 감지 전극(IE2) 각각은 외측부(OS)에서 분리될 수 있다는 점에서, 도 8의 실시예와 차이가 있다.
구체적으로 설명하면, 터치층(TSL_1)의 제1 감지 전극(IE1)은 내측부(IS)에 배치되는 제5 서브 감지 전극(IE13_1)을 더 포함하고, 제2 감지 전극(IE2)은 내측부(IS)에 배치되는 제6 서브 감지 전극(IE23_1)을 더 포함할 수 있다. 제1 서브 감지 전극(IE11)과 제2 서브 감지 전극(IE12)은 외측부(OS)에 배치되고, 제5 서브 감지 전극(IE13_1)과 연결될 수 있다. 제3 서브 감지 전극(IE21)과 제4 서브 감지 전극(IE22)은 외측부(OS)에 배치되고, 제6 서브 감지 전극(IE23_1)과 연결될 수 있다.
제1 서브 감지 전극(IE11)과 제2 서브 감지 전극(IE12)은 제5 서브 감지 전극(IE13_1)으로부터 동일한 방향(예를 들어, 제2 방향(DR2) 일측 및/또는 타측)으로 돌출될 수 있다. 제3 서브 감지 전극(IE21)과 제4 서브 감지 전극(IE22)은 제6 서브 감지 전극(IE23_1)으로부터 동일한 방향(예를 들어, 제1 방향(DR1) 일측 및/또는 타측)으로 돌출될 수 있다.
제1 서브 감지 전극(IE11)과 제2 서브 감지 전극(IE12)은 제1 서브 센서부(SP11_1)를 포함하고, 제5 서브 감지 전극(IE13_1)은 제2 서브 센서부(SP12_1)를 포함할 수 있다. 제1 서브 센서부(SP11_1)는 일 실시예의 제1 센서부(SP1, 도 7 참조)와 실질적으로 동일할 수 있다.
제1 서브 센서부(SP11_1)는 외측부(OS)에 배치되며, 제2 서브 센서부(SP12_1)는 내측부(IS)에 배치될 수 있다. 제1 서브 센서부(SP11_1)의 크기는 제2 서브 센서부(SP12_1)의 크기보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 센서부(SP11_1)의 크기는 제2 서브 센서부(SP12_1)의 크기의 1/2 내지 1/10의 범위 내에 있거나, 1/4일 수 있다.
외측부(OS)와 내측부(IS)의 경계에서, 제1 서브 센서부(SP11_1)와 제2 서브 센서부(SP12_1)는 연결될 수 있다. 예를 들어, 제3 외측부(OS3)와 내측부(IS) 사이의 경계, 및 제4 외측부(OS4)와 내측부(IS) 사이의 경계에서, 두개의 제1 서브 센서부(SP11_1) 각각의 절반과 하나의 제2 서브 센서부(SP12_1)의 절반이 연결될 수 있다. 내측부(IS)에서 각 제1 감지 전극(IE1)의 서로 인접한 제2 서브 센서부(SP12_1)는 제4 연결부(CP4)에 의해 상호 연결될 수 있다.
외측부(OS)에 배치되는 각 제1 감지 전극(IE1)의 제1 서브 센서부(SP11_1)와 제2 서브 센서부(SP12_1)는 동일한 터치 센싱 배선(Rx, 도 7 참조)에 연결될 수 있다.
터치층(TSL_1)의 제2 감지 전극(IE2)은 제3 서브 센서부(SP21_1) 및 제4 서브 센서부(SP22_1)를 포함할 수 있다. 제3 서브 센서부(SP21_1)는 일 실시예의 제2 센서부(SP2, 도 7 참조)와 실질적으로 동일할 수 있다. 제3 서브 센서부(SP21_1)는 외측부(OS)에 배치되며, 제4 서브 센서부(SP22_1)는 내측부(IS)에 배치될 수 있다. 제3 서브 센서부(SP21_1)의 크기는 제4 서브 센서부(SP22_1)의 크기보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제3 서브 센서부(SP21_1)의 크기는 제4 서브 센서부(SP22_1)의 크기의 1/2 내지 1/10의 범위 내에 있거나, 1/4일 수 있다.
외측부(OS)와 내측부(IS)의 경계에서, 제3 서브 센서부(SP21_1)와 제4 서브 센서부(SP22_1)는 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 외측부(OS1)와 내측부(IS) 사이의 경계, 및 제2 외측부(OS2)와 내측부(IS) 사이의 경계에서, 두개의 제3 서브 센서부(SP21_1) 각각의 절반과 하나의 제4 서브 센서부(SP22_1)의 절반이 연결될 수 있다. 내측부(IS)에서 각 제2 감지 전극(IE2)의 서로 인접한 제4 서브 센서부(SP22_1)는 제3 연결부(CP3: CP3_1, CP3_2)에 의해 상호 연결될 수 있다.
외측부(OS)에 배치되는 각 제2 감지 전극(IE2)의 제3 서브 센서부(SP21_1)와 제4 서브 센서부(SP22_1)는 동일한 터치 구동 배선(Tx, 도 7 참조)에 연결될 수 있다.
이 경우에도, 외측부(OS)에서의 터치 감도가 향상될 수 있으며, 외측부(OS)(특히, 제12 교차 영역(OA12), 제16 교차 영역(OA16), 제27 교차 영역(OA27), 제76 교차 영역(OA76), 제72 교차 영역(OA12), 제76 교차 영역(OA16), 제22 교차 영역(OA22), 및 제26 교차 영역(OA26))에서 발생할 수 있는 터치 불량을 억제 또는 방지할 수 있다. 아울러, 내측부(IS)와 외측부(OS)에 배치된 제1 감지 전극(IE1)과 제2 감지 전극(IE2)의 설계를 다르게 할 수 있어, 필요에 따라 다양한 설계가 가능하다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 터치층의 개략적인 평면도이다. 도 17은 도 16의 D 영역을 확대한 확대도이다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 본 실시예에 따른 터치층(TSL_2)의 제1 감지 전극(IE1_2)은 제5 서브 감지 전극(IE13_2)을 더 포함하고, 제2 감지 전극(IE2_2)은 제6 서브 감지 전극(IE23_2)을 더 포함한다는 점에서 도 8의 실시예와 차이가 있다. 제5 서브 감지 전극(IE13_2)은 제1 서브 감지 전극(IE11)과 제2 서브 감지 전극(IE12) 사이에 배치되며, 제1 서브 감지 전극(IE11)과 제2 서브 감지 전극(IE12)과 적어도 일부 분리될 수 있다. 제6 서브 감지 전극(IE23_2)은 제3 서브 감지 전극(IE21)과 제4 서브 감지 전극(IE22) 사이에 배치되며, 제3 서브 감지 전극(IE21)과 제4 서브 감지 전극(IE32)과 적어도 일부 분리될 수 있다.
이 경우에도, 외측부(OS)에서의 터치 감도가 향상될 수 있으며, 외측부(OS)(특히, 제12 교차 영역(OA12), 제16 교차 영역(OA16), 제27 교차 영역(OA27), 제76 교차 영역(OA76), 제72 교차 영역(OA12), 제76 교차 영역(OA16), 제22 교차 영역(OA22), 및 제26 교차 영역(OA26))에서 발생할 수 있는 터치 불량을 억제 또는 방지할 수 있다. 아울러, 내측부(IS)와 외측부(OS)에 배치된 제1 감지 전극(IE1_2)과 제2 감지 전극(IE2_2)의 설계를 다르게 할 수 있어, 필요에 따라 다양한 설계가 가능하다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1: 표시 장치 10: 표시 패널
TSL: 터치층 Rx: 터치 센싱 배선
Tx: 터치 구동 배선 IE1: 제1 감지 전극
IE11: 제1 서브 감지 전극 IE12: 제2 서브 감지 전극
IE2: 제2 감지 전극 IE21: 제3 서브 감지 전극
IE22: 제4 서브 감지 전극 SP1: 제1 센서부
SP2: 제2 센서부

Claims (23)

  1. 제1 방향으로 연장되며, 적어도 부분적으로 분리된 제1 서브 감지 전극과 제2 서브 감지 전극을 포함하는 제1 감지 전극;
    상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되며, 적어도 부분적으로 분리된 제3 서브 감지 전극과 제4 서브 감지 전극을 포함하는 제2 감지 전극;
    상기 제1 서브 감지 전극 및 상기 제2 서브 감지 전극과 연결되는 제1 터치 신호 배선; 및
    상기 제3 서브 감지 전극 및 상기 제4 서브 감지 전극과 연결되는 제2 터치 신호 배선을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    터치를 감지하는 터치 영역 및 상기 터치 영역 주변에 배치되는 비터치 영역을 더 포함하되,
    상기 터치 영역은 원 형상을 포함하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 터치 영역은 상기 원 형상의 중심과 동일한 중심을 갖는 사각형 형상의 내측부, 상기 내측부의 외측에 배치되며 원 형상의 일부를 포함하는 외측부를 포함하고,
    상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 각각은 상기 외측부에서 분리되는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제1 감지 전극은 상기 내측부에 배치되는 제5 서브 감지 전극을 더 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 내측부에 배치되는 제6 서브 감지 전극을 더 포함하되,
    상기 외측부는 상기 내측부의 상기 제1 방향 일측에 배치되는 제1 외측부, 및 상기 내측부의 상기 제2 방향 일측에 배치되는 제2 외측부를 포함하고,
    상기 제1 서브 감지 전극과 상기 제2 서브 감지 전극은 상기 제1 외측부에 배치되고, 상기 제3 서브 감지 전극과 상기 제4 서브 감지 전극은 상기 제2 외측부에 배치되는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 내측부의 상기 제1 방향의 타측에 배치되는 제3 외측부, 및 상기 내측부의 상기 제2 방향의 타측에 배치되는 제4 외측부를 더 포함하되,
    상기 내측부는 상기 제1 외측부, 상기 제2 외측부, 상기 제3 외측부 및 상기 제4 외측부에 의해 둘러싸이는 표시 장치.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극은 상기 터치 영역에 배치되고, 상기 제1 터치 신호 배선과 상기 제2 터치 신호 배선은 상기 비터치 영역에 배치되는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 감지 전극은 구동 전극이며, 상기 제2 감지 전극은 센싱 전극이고,
    상기 제1 터치 신호 배선은 터치 구동 배선이며, 상기 제2 터치 신호 배선은 터치 센싱 배선인 표시 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 서브 감지 전극과 상기 제2 서브 감지 전극은 전 영역에서 분리되고,
    상기 제3 서브 감지 전극과 상기 제4 서브 감지 전극은 전 영역에서 분리되는 표시 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 감지 전극은 상기 제1 서브 감지 전극과 상기 제2 서브 감지 전극의 사이에 배치되며, 상기 제1 서브 감지 전극과 상기 제2 서브 감지 전극과 분리된 제5 서브 감지 전극을 더 포함하고,
    상기 제2 감지 전극은 상기 제3 서브 감지 전극과 상기 제4 서브 감지 전극의 사이에 배치되며, 상기 제3 서브 감지 전극과 상기 제4 서브 감지 전극과 분리된 제6 서브 감지 전극을 더 포함하는 표시 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 서브 감지 전극 및 상기 제2 서브 감지 전극 각각이 상기 제3 서브 감지 전극 및 상기 제4 서브 감지 전극과 교차하는 단위 감지 영역을 더 포함하는 표시 장치.
  11. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 애노드 전극;
    상기 애노드 전극 상에 배치되며, 상기 애노드 전극을 노출하는 화소 정의막;
    상기 화소 정의막에 의해 노출되는 상기 애노드 전극 상에 배치되는 발광층;
    상기 발광층 상에 배치되는 캐소드 전극;
    상기 캐소드 전극 상에 배치되는 봉지층; 및
    상기 봉지층 상에 배치되며, 제1 방향으로 연장되는 제1 감지 전극 및 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제2 감지 전극을 포함하는 제1 터치 도전층을 포함하되,
    상기 제1 감지 전극은 적어도 부분적으로 분리된 제1 서브 감지 전극과 제2 서브 감지 전극을 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 적어도 부분적으로 분리된 제3 서브 감지 전극과 제4 서브 감지 전극을 포함하는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 서브 감지 전극 및 상기 제2 서브 감지 전극과 연결되는 제1 터치 신호 배선, 및 상기 제3 서브 감지 전극 및 상기 제4 서브 감지 전극과 연결되는 제2 터치 신호 배선을 더 포함하는 표시 장치.
  13. 제11 항에 있어서,
    원 형상을 포함하는 활성 영역을 더 포함하되,
    상기 발광층, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극은 상기 활성 영역에 배치되는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 활성 영역은 상기 원 형상의 중심과 동일한 중심을 갖는 사각형 형상의 내측부, 상기 내측부의 외측에 배치되며 원 형상의 일부를 포함하는 외측부를 포함하고,
    상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 각각은 상기 외측부에서 분리되는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 감지 전극은 상기 내측부에 배치되는 제5 서브 감지 전극을 더 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 내측부에 배치되는 제6 서브 감지 전극을 더 포함하되,
    상기 외측부는 상기 내측부의 상기 제1 방향 일측에 배치되는 제1 외측부, 및 상기 내측부의 상기 제2 방향 일측에 배치되는 제2 외측부를 포함하고,
    상기 제1 서브 감지 전극과 상기 제2 서브 감지 전극은 상기 제1 외측부에 배치되고, 상기 제3 서브 감지 전극과 상기 제4 서브 감지 전극은 상기 제2 외측부에 배치되는 표시 장치.
  16. 제13 항에 있어서,
    상기 활성 영역은 상기 발광층과 중첩하는 발광 영역과 상기 화소 정의막과 중첩하는 비발광 영역을 포함하고,
    상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극은 상기 비발광 영역에 배치되는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극은 메쉬(mesh) 패턴을 포함하는 표시 장치.
  18. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 서브 감지 전극과 상기 제2 서브 감지 전극은 전 영역에서 분리되고,
    상기 제3 서브 감지 전극과 상기 제4 서브 감지 전극은 전 영역에서 분리되는 표시 장치.
  19. 원 형상을 포함하며, 터치를 감지하는 터치 영역;
    상기 터치 영역에 배치되며, 제1 방향으로 연장되는 제1 감지 전극; 및
    상기 터치 영역에 배치되며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장되는 제2 감지 전극을 포함하되,
    상기 터치 영역은 상기 원 형상의 중심과 동일한 중심을 갖는 사각형 형상의 내측부, 및 상기 내측부의 외측에 배치되며 원 형상의 일부를 포함하는 외측부를 포함하고,
    상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극 중 적어도 어느 하나는 상기 외측부에서 분리되는 표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제1 감지 전극은 서로 분리된 제1 서브 감지 전극과 제2 서브 감지 전극을 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 서로 분리된 제3 서브 감지 전극과 제4 서브 감지 전극을 포함하는 표시 장치.
  21. 제20 항에 있어서,
    상기 제1 서브 감지 전극 및 상기 제2 서브 감지 전극과 연결되는 제1 터치 신호 배선, 및 상기 제3 서브 감지 전극 및 상기 제4 서브 감지 전극과 연결되는 제2 터치 신호 배선을 더 포함하는 표시 장치.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 터치 영역의 주변에 배치되는 비터치 영역을 더 포함하되,
    상기 제1 터치 신호 배선과 상기 제2 터치 신호 배선은 상기 비터치 영역에 배치되는 표시 장치.
  23. 제20 항에 있어서,
    상기 제1 감지 전극은 상기 내측부에 배치되는 제5 서브 감지 전극을 더 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 상기 내측부에 배치되는 제6 서브 감지 전극을 더 포함하되,
    상기 외측부는 상기 내측부의 상기 제1 방향 일측에 배치되는 제1 외측부, 및 상기 내측부의 상기 제2 방향 일측에 배치되는 제2 외측부를 포함하고,
    상기 제1 서브 감지 전극과 상기 제2 서브 감지 전극은 상기 제1 외측부에 배치되고, 상기 제3 서브 감지 전극과 상기 제4 서브 감지 전극은 상기 제2 외측부에 배치되는 표시 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101726623B1 (ko) * 2010-03-16 2017-04-14 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널
CN104199583B (zh) 2010-12-03 2018-04-27 联胜（中国）科技有限公司 电容式触控感应器及电容式触控面板
US20160085334A1 (en) * 2014-09-23 2016-03-24 Innolux Corporation Touch-sensing device
KR20170014658A (ko) 2015-07-30 2017-02-08 엘지이노텍 주식회사 터치 윈도우
KR20180029178A (ko) * 2016-09-09 2018-03-20 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
CN108054193B (zh) 2018-02-09 2020-11-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及柔性显示装置
KR20200135634A (ko) 2019-05-23 2020-12-03 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 이를 구비한 표시 장치
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