KR20230002018A - 표시 장치, 표시 패널 및 이의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 표시 장치, 표시 패널 및 이의 제조 방법을 제공하고, 상기 표시 패널은 기판(1), 제1 절연층(2). 제1 전극층(3). 픽셀 정의층(4). 발광 기능층(5) 및 제2 전극(6)을 포함하고, 제1 절연층(2)은 기판(1)의 일측에 설치되고, 제1 절연층(2)은 어레이 형태로 분포된 복수의 픽셀 영역(202)과 픽셀 영역(202)을 분리하는 분리 영역(201)을 구비하고, 제1 전극층(3)은 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 설치되고 복수의 제1 전극(31)을 포함하며, 제1 절연층(2) 상의 각 제1 전극(31)의 정투영은 각 픽셀 영역(202) 내에 위치하고, 픽셀 정의층(4)은 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 설치되고 각 제1 전극(31)을 노출시키며, 픽셀 정의층(4)은 분리 영역(201)에 대응하는 영역에 픽셀 정의홈(41)이 형성되며, 픽셀 정의홈(41)의 중앙부는 기판(1)에서 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 제1 돌기(42)를 구비하며, 제1 돌기(42)의 측벽과 픽셀 정의홈(41)의 측벽 사이에 서브 홈(40)이 형성되어 있다. 발광 기능층(5)은 픽셀 정의층(4)과 픽셀 정의층(4)에 의해 노출된 제1 전극(31) 및 제1 절연층(2)을 덮고, 제2 전극(6)은 발광 기능층(5)을 덮는다.

Description

표시 장치, 표시 패널 및 이의 제조 방법

본 출원은 출원일이 2020년 4월 21일이고, 출원 번호가 PCT/CN2020/085955이며, 발명의 명칭이 「표시 장치, 표시 패널 및 이의 제조 방법」인 PCT 출원에 기초하여 우선권을 주장하고, 당해 PCT 출원의 내용의 전부를 본 출원에 원용한다.

본 발명은 표시 기술 분야에 관한 것으로, 특히 표시 장치, 표시 패널 및 표시 패널의 제조 방법에 관한 것이다.

현재 OLED(Organic Light-Emitting Diode, 유기 발광 다이오드) 표시 패널이 점점 널리 사용되고 있다. OLED 표시 패널에 있어서, 발광 소자는 일반적으로 어레이 형태로 분포된 복수의 OLED 발광 소자를 포함한다. 각 발광 소자는 화상을 표시하기 위하여 독립적으로 발광할 수 있다. 그러나, 제조 프로세스 상에서의 원인으로 인해 OLED 발광 소자의 발광 안정성을 개선할 필요가 있다.

또한, 상기 배경 기술에 공개된 정보는 본 발명의 배경에 대한 이해를 높이기 위한 목적으로만 사용되는 것이므로， 당업자에게 알려진 종래 기술을 구성하지 않는 정보를 포함할 수 있다.

본 발명은 상기의 종래 기술의 결합을 극복하기 위한 것으로, 표시 장치, 표시 패널 및 표시 패널의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 표시 패널이 제공된다. 상기 표시 패널은,

기판;

상기 기판의 일측에 설치되는 제1 절연층;

상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 형성되고, 또한, 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전극층;

상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 형성되고, 또한, 상기 각 제1 전극을 노출시키는 픽셀 정의층;

상기 픽셀 정의층 및 상기 픽셀 정의층에 의해 노출된 상기 제1 전극을 덮는 발광 기능층; 및

상기 발광 기능층을 덮는 제2 전극을 포함하고, 여기서, 상기 제1 절연층은 어레이 형태로 분포된 복수의 픽셀 영역 및 상기 픽셀 영역을 분리하는 분리 영역을 구비하고, 상기 제1 절연층 상의 상기 각 제1 전극의 정투영은 상기 각 픽셀 영역 내에 위치하며, 상기 픽셀 정의층은 상기 분리 영역에 대응하는 영역에 픽셀 정의홈이 형성되고, 상기 픽셀 정의홈의 중앙부는 상기 기판에서 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 제1 돌기를 구비하며, 상기 제1 돌기의 측벽과 상기 픽셀 정의홈의 측벽 사이에 서브 홈이 형성된다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 상기 제1 돌기의 2개의 측벽은 상기 기판을 향하여 확장되는 경사면이고, 상기 픽셀 정의홈의 2개의 측벽은 상기 기판을 향하여 축소되는 경사면이다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 상기 제1 돌기의 측벽 기울기는 상기 픽셀 정의홈의 측벽의 기울기와 부동하다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 상기 제1 돌기의 두께는 상기 픽셀 정의홈의 깊이보다 작다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 상기 제1 절연층에 상기 픽셀 정의홈의 중앙부의 정투영은 상기 분리 영역 내에 위치한다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 상기 픽셀 정의층은 이격부 및 연장부를 포함하고, 상기 이격부는 상기 제1 전극 이외의 영역에 위치하고, 상기 픽셀 정의홈의 적어도 일부가 상기 이격부에 설치되며, 상기 연장부는 상기 이격부에 연결되고, 상기 기판에서 떨어진 상기 제1 전극의 표면까지 연장되고, 또한 상기 제1 전극을 완전히 덮지 않는다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 임의의 하나의 상기 제1 전극을 덮는 연장부의 폭은, 인접하는 2개의 상기 제1 전극 사이에 위치하는 이격부의 폭보다 작다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 적어도 2개의 상기 제1 전극의 두께는 부동하다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 상기 픽셀 정의홈의 최대 깊이는, 상기 발광 기능층과 상기 제1 전극의 두께의 합의 60% 이하이다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 표시 패널이 제공된다. 상기 표시 패널은,

기판;

상기 기판의 일측에 설치되는 제1 절연층;

상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 형성되고, 또한, 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전극층;

상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 형성되고, 또한, 상기 각 제1 전극을 노출시키는 픽셀 정의층;

상기 픽셀 정의층과, 상기 픽셀 정의층에 의해 노출된 상기 제1 전극을 덮는 발광 기능층; 및

상기 발광 기능층을 덮고, 또한 오목부와, 상기 오목부에 의해 분리된 복수의 평탄부를 포함하는 제2 전극을 포함하고, 여기서, 상기 제1 절연층 상의 상기 각 평탄부의 정투영은 상기 각 제1 전극 내에 위치하고, 상기 오목부의 적어도 일부 영역은 상기 기판에 접근하는 상기 평탄부의 일측을 향하여 함몰되며, 상기 제1 절연층 상의 상기 오목부의 정투영의 적어도 일부가 상기 제1 전극의 밖에 위치하고, 상기 오목부의 중앙부는 제2 돌기를 구비하며, 상기 제2 돌기의 측면과 상기 오목부의 측면 사이에 서브 오목이 형성된다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 상기 제1 절연층은 어레이 형태로 분포된 복수의 픽셀 영역 및 상기 픽셀 영역을 분리하는 분리 영역을 구비하고, 상기 제1 절연층 상의 상기 각 제1 전극의 정투영은 상기 각 제1 전극 내에 위치하고,

상기 픽셀 정의층은 상기 각 제1 전극을 노출시키고, 또한, 상기 분리 영역에 대응하는 영역에 픽셀 정의홈이 형성되고, 상기 픽셀 정의홈의 중앙부는 상기 기판에서 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 제1 돌기를 구비하며, 상기 제1 돌기의 측벽과 상기 픽셀 정의홈의 측벽 사이에 서브 홈이 형성되고,

상기 제1 절연층 상의 상기 오목부의 정투영은, 적어도 일부가 상기 픽셀 정의홈 내에 위치한다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 상기 기판으로부터 가장 가까운 상기 서브 오목의 지점은, 상기 제1 절연층에 정투영에서 상기 서브 홈 내에 위치한다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 상기 오목부는 제1 측면 및 제2 측면을 포함하고, 상기 제1 측면 및 제2 측면은 대향되게 상기 제2 돌기의 양측에 연결되고, 또한, 상기 제1 측면 및 제2 측면은 상기 기판을 향하여 축소된다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 상기 제2 돌기는 제1 경사면, 제2 경사면 및 상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면 사이에 연결되는 연결면을 포함하고, 상기 연결면은 상기 제1 측면 및 제2 측면의 저변(底邊)에서, 상기 기판에서 떨어진 일측에 위치하며, 상기 제1 경사면은 상기 제1 측면의 저변에 연결되고, 상기 제2 경사면은 상기 제2 측면의 저변에 연결된다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 상기 제1 측면 및 제2 측면에 대응하는 상기 제2 전극의 영역의 최소 두께는, 상기 제1 경사면 및 상기 제2 경사면에 대응하는 상기 제2 전극의 영역의 최소 두께보다 크다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 상기 픽셀 정의층은 이격부 및 연장부를 포함하고, 상기 이격부는 상기 제1 전극 이외의 영역에 위치하고, 상기 픽셀 정의홈은 상기 이격부에 설치되고, 상기 연장부는 상기 이격부에 연결되며, 상기 기판에서 떨어진 상기 제1 전극의 표면까지 연장되고, 또한 상기 제1 전극을 완전히 덮는 않으며,

상기 제2 전극은, 상기 기판으로부터 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 돌출부를 더 구비하고, 상기 평탄부는 상기 돌출부를 통하여 상기 오목부와 연결되고, 상기 기판 상의 상기 돌출부의 정투영과 상기 기판 상의 상기 연장부의 정투영은 적어도 부분적으로 중첩된다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 상기 오목부의 양측에 연결되는 2개의 상기 돌출부 중, 상기 기판으로부터 가장 먼 하나의 상기 돌출부의 지점과 상기 기판 사이의 거리는, 상기 기판으로부터 가장 먼 다른 하나의 상기 돌출부의 지점과 상기 기판 사이의 거리와 다르다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 상기 표시 패널은,

상기 제2 전극을 덮고, 또한 상기 오목부에 대응하는 영역에 피트를 형성하는 제1 봉지층(encapsulation layer)을 더 포함한다.

본 발명의 일 예시적인 실시예에서, 상기 피트의 2개의 측벽은 상기 기판에 접근하는 방향을 향하여 축소되고 연결된다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 표시 패널의 제조 방법이 제공된다. 상기 제조 방법은,

기판의 일측에 제1 절연층을 형성하는 단계;

상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에, 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전극층을 형성하는 단계;

상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 픽셀 정의층을 형성하고, 또한 상기 각 제1 전극을 노출시키는 단계;

발광 기능층을 형성하는 단계; 및

상기 발광 기능층을 덮는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 여기서, 상기 제1 절연층은 어레이 형태로 분포된 복수의 픽셀 영역 및 상기 픽셀 영역을 분리하는 분리 영역을 구비하고, 상기 제1 절연층 상의 상기 각 제1 전극의 정투영은 상기 각 픽셀 영역 내에 위치하며, 상기 분리 영역에 대응하는 상기 픽셀 정의층의 영역은 픽셀 정의홈이 형성되고, 상기 픽셀 정의홈의 중앙부는 상기 기판에서 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 제1 돌기를 구비하며, 상기 제1 돌기의 측벽과 상기 픽셀 정의홈의 측벽 사이에 서브 홈이 형성되고, 상기 발광 기능층은 상기 픽셀 정의층 및 상기 픽셀 정의층에 의해 노출된 상기 제1 전극을 덮는다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 표시 패널의 제조 방법이 제공된다. 상기 제조 방법은,

기판의 일측에 제1 절연층을 형성하는 단계;

상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 제1 전극층을 형성하는 단계;

상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 픽셀 정의층을 형성하는 단계;

발광 기능층을 형성하는 단계; 및

상기 발광 기능층을 덮는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 여기서, 상기 제1 전극층은 복수의 제1 전극을 포함하고, 상기 화소 정의층은 상기 각 제1 전극을 노출시키고, 상기 발광 기능층은 상기 픽셀 정의층 및 상기 픽셀 정의층에 의해 노출된 상기 제1 전극을 덮으며, 상기 제2 전극은 오목부 및 상기 오목부에 의해 분리된 복수의 평탄부를 포함하고, 상기 제1 절연층 상의 상기 각 평탄부의 정투영은 상기 각 제1 전극 내에 위치하고, 상기 오목부의 적어도 일부 영역은 상기 기판에 접근하는 상기 평탄부의 일측을 향하여 함몰되고, 상기 제1 절연층 상의 상기 오목부의 정투영의 적어도 일부가 상기 제1 전극의 밖에 위치하고, 상기 오목부의 중앙부는 제2 돌기를 구비하며, 상기 제2 돌기의 측면과 상기 오목부의 측면 사이에 서브 오목이 형성된다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 상기의 어느 한 실시예에 기재된 표시 패널을 포함하는 표시 장치가 제공된다.

또한, 상기 일반적인 설명 및 후술하는 상세한 설명은 단지 예시적이고 해석적인 설명이며, 본 발명을 한정하지 않는다.

하기의 도면은 명세서에 포함되어 본 명세서의 일부분을 구성하고, 본 발명에 해당하는 실시예를 예시하는 동시에, 명세서와 함께 본 발명의 원리를 해석한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 도면은 단지 본 발명의 일부 실시예에 불과하며, 당업자의 경우, 창조적인 노동을 부여하지 않는 전제하에서 이러한 도면을 통하여 다른 도면을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태의 제1 표시 패널의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태의 제1 표시 패널의 부분 전자 현미경 사진이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 형태의 제1 표시 패널의 개략도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시 형태의 제1 표시 패널의 개략도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태의 제1 표시 패널의 픽셀 정의층의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 형태의 제1 표시 패널의 픽셀 정의층 및 제1 전극의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 형태의 제2 표시 패널의 개략도이다.
도 8은 도 7의 A 부분의 확대도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 형태의 제2 표시 패널의 부분 전자 현미경 사진이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 형태의 제3 표시 패널의 개략도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시 형태의 제3 표시 패널의 개략도이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시 형태의 제4 표시 패널의 개략도이다.
도 13은 도 12의 B 부분의 확대도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시 형태의 제1 표시 패널의 제조 방법의 개략도이다.
도 15는 본 발명의 다른 실시 형태의 제1 표시 패널의 제조 방법의 개략도이다.
도 16은 본 발명의 일 실시 형태의 제2 표시 패널의 제조 방법의 개략도이다.
도 17은 본 발명의 일 실시 형태의 제3 표시 패널의 제조 방법의 개략도이다.
도 18은 본 발명의 일 실시 형태의 제4 표시 패널의 제조 방법의 개략도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하면서 예시적인 실시 형태를 보다 완전하게 설명한다. 그러나 예시적인 실시예는 다양한 형태로 실시될 수 있으며, 또한, 본 명세서에 기재된 실시예에 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다. 반대로, 이러한 실시 형태는 본 발명이 포괄적이고 완전적이며, 예시적인 실시 형태의 개념을 당업자에게 완전히 전달하도록 제공된다. 도면에서의 동일한 부호는 동일하거나 유사한 구조를 나타내고 있으므로, 이의 상세한 설명을 생략한다. 또한, 도면은 본 발명의 개략도에 불과할 뿐, 반드시 일정한 축척으로 그려져 있는 것은 아니다.

[하나], [일], [이의], 「상기」및 「적어도 하나」라는 용어는 하나 또는 복수의 요소/부품 등의 존재를 나타내기 위하여 사용되고, [포함] 및 「구비한다」라는 용어는 제한없는 포함을 의미하는데 사용되며, 열거된 요소/부품 등에 더하여 다른 요소/부품 등이 존재할 가능성이 있음을 의미한다 [제1], [제2] 및 [제3] 등의 용어는 기호로만 사용되며, 개체의 수를 제한하는 것은 아니다.

관련 기술에 있어서, OLED 표시 패널은 구동 백플레인, 복수의 제1 전극, 픽셀 정의층, 발광 기능층, 제2 전극 및 컬러 필터층을 포함한다. 여기서, 제1 전극은 구동 백플레인 상에 어레이 형태로 분포되고, 픽셀 정의층은 제1 전극이 설치된 구동 백플레인의 표면에 설치되며, 또한, 각 제1 전극을 노출시켜고, 발광 기능층은 픽셀 정의층 및 구동 백플레인에서 떨어진 제1 전극의 표면을 덮으며, 제2 전극은 구동 백플레인에서 떨어진 발광 기능층의 표면을 덮으므로, 픽셀 정의층에 의하여 복수의 발광 소자를 정의할 수 있다. 구동 신호의 구동을 통하여, 제1 전극에 의해 주입된 정공 및 제2 전극에 의해 주입된 전자는 발광 기능층에 진입하여 여기자를 형성하고, 여기자의 방출 전이가 광자를 방출하여 전계 발광을 형성한다. 컬러 필터층은 구동 백플레인에서 떨어진 제2 전극의 일측에 설치되고, 또한, 각 발광 소자와 1 대 1로 대응하는 복수의 필터 영역을 구비하며, 각 필터 영역 및 이에 대응되는 발광 소자는 서브 픽셀로 사용할 수 있다.

픽셀 정의층의 두께는 제1 전극의 두께보다 크기 때문에, 증착 프로세스에 의해 발광 기능층을 형성하는 경우, 제1 전극과 픽셀 정의층의 접합부, 즉 발광 소자의 에지(edge)에서 발광 기능층이 오목하게 들어가게 때문에, 이에 대응하여 제2 전극에 함몰 영역이 형성되고, 제2 전극의 함몰 영역과 제1 전극 사이의 거리가 가까워지며, 선단 방전이 발생하기 쉽고 또한 단락까지 발생하기 쉽고, 발광 소자의 안정성에 영향을 주게 되므로, 표시 패널이 안정하게 발광하기 어렵게 된다. 동시에, 제2 전극의 함몰 영역은 제1 전극에 대응하므로, 마찬가지로 빛을 방출하지만, 함몰 영역의 형태는 평면 구조가 아닌 구동 백플레인을 향하여 오목하게 들어가는 구조이기 때문에, 이 함몰 영역의 범위 내에서 방출되는 빛이 산란 상태로 되고, 또한, 적어도 일부의 빛이 인접하는 서브 픽셀에 치우치게 되므로, 인접하는 서브 픽셀의 발광이 서로 간섭되어 표시 효과에 영향을 주게된다.

발광 기능층은, 제1 전극과 픽셀 정의층 사이의 접합부에 함몰되므로, 제2 전극은 이 요홈에 대응하는 영역에 함몰 영역을 형성하고, 이 함몰 영역은 제1 전극에 직접 마주하고, 즉 구동 백플레인 상의 함몰 영역의 정투영은 제1 전극 내에 위치하는 것을 통하여, 양자 사이에 선단 방전이 발생하고, 또한 단락마저 발생할 수 있다. 동시에, 함몰 영역은 발광하고, 또한, 함몰 영역의 형태가 곡선 형상이므로, 이로부터 방출되는 빛이 산란 상태을 형성한다. 따라서, 인접하는 서브 픽셀의 발광을 방해한다.

또한, 발광 기능층은 전체적으로 연속되는 필름층이므로, 서브 픽셀이 서로 연결되고 발광 기능층의 필름층(정공 주입층을 포함하되, 이에 한정되지 않는다.)의 적어도 일부는 인접하는 서브 픽셀 사이의 크로스 토크를 일으킨다. 특히, 직렬형 OLED 표시 패널의 경우, 발광 기능층은 복수의 발광유닛층을 포함하고, 인접하는 두 개의 발광유닛층은 전하 발생층을 통하여 직렬로 연결된다. 다만, 전하 발생층은 우수한 전하 전도 특성을 가지고 있으므로, 인접하는 서브 픽셀 사이의 크로스 토크를 일으켜 발광 효과에 영향을 미친다.

상기의 관련 기술의 적어도 하나의 기술적인 문제를 해결하기 위하여, 본 발명의 실시 형태는 다양한 표시 패널을 제공한다.

제1 표시 패널

도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 표시 패널은 기판(1), 제1 절연층(2) 제1 전극층(3), 픽셀 정의층(4) 발광 기능층(5) 및 제2 전극(6)을 포함할 수 있다.

여기서, 제1 절연층(2)은 기판(1)의 일측에 설치되고, 또한, 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에는 제1 절연층(2) 상에서 복수의 픽셀 영역(202)을 분할하기 위한 복수의 분리홈(201)이 설치되며, 또한, 각 픽셀 영역(202)은 어레이 형태로 분포된다.

제1 전극층(3)은 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 설치되고, 또한, 어레이 형태로 분포된 복수의 제1 전극(31)을 포함한다. 제1 절연층(2) 상의 각 제1 전극(31)의 정투영은 1 대 1로 대응되게 각 픽셀 영역(202) 내에 위치한다. 제1 전극(31)은 평탄한 중간부(310)와 중간부(310)를 둘러싸는 에지부(311)를 포함한다. 에지부(311)는 중간부(310)를 둘러싸는 평탄부(3110) 및 중간부(310)와 평탄부(3110) 사이에 연결되는 경사부(3111)를 포함한다. 평탄부(3110)의 두께는 중간부(310)의 두께보다 작다.

픽셀 정의층(4)은 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 설치되고, 또한 중간부(310)의 적어도 일부 영역을 노출시킨다.

발광 기능층(5)은 픽셀 정의층(4)과 픽셀 정의층(4)에 의해 노출된 중간부(310) 및 제1 절연층(2)을 덮는다.

제2 전극(6)은 발광 기능층(5)을 덮는다.

본 발명의 실시 형태의 표시 패널에 있어서, 픽셀 정의층(4)에 의해 노출된 각 제1 전극(31)의 중간부(310)의 영역과 이에 대응하는 발광 기능층(5) 및 제2 전극(6)은, 발광하기 위한 발광 소자를 구성할 수 있다.

제1 절연층(2) 상의 제1 전극(31)의 정투영은, 1 대 1로 대응되게 각 픽셀 영역(202) 내에 위치하기 때문에, 분리홈(201)이 제1 전극(31)의 밖에 위치한다. 발광 기능층(5)을 형성하는 경우, 발광 기능층(5)은 분리홈(201)의 위치에서 기판(1)을 향하여 함몰되어 들어갈 수 있으므로, 제2 전극(6)이 당해 함몰 부분에 오목부(61)를 형성한다. 또한, 제1 절연층(2) 상의 오목부(61)의 정투영은, 적어도 일부가 제1 전극(31)의 중간부(310)의 밖에 위치하고, 즉 발광 소자의 밖에 위치한다. 따라서, 제2 전극(6)의 오목부(61)의 위치는 분리홈(201)에 의해 제한되므로, 오목부(61)와 중간부(310) 사이의 선단 방전뿐만 아니라 단락까지도 방지할 수 있어 발광 소자의 안정된 발광을 확보하는데 유리하다. 동시에, 오목부(61)의 범위 내의 발광을 저감하고, 또한 방지할 수도 있어 인접하는 발광 소자의 발광의 상호 간섭을 저감할 수 있다.

도 2에 도시한 바와 같이, 도 2는 본 발명의 일 실시 형태의 제1 표시 패널의 부분 전자 현미경 사진이다. 제1 절연층(2) 상의 오목부(61)의 정투영은, 적어도 일부가 제1 전극(31)의 밖에 위치하고 있으므로, 제1 전극(31)와의 사이의 선단 방전의 리스크를 줄일 수 있음을 알 수 있다. 동시에, 오목부(61)의 발광을 저감하고, 또한 방지할 수도 있어 인접하는 서브 픽셀에의 간섭을 방지할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시 형태의 제1 표시 패널의 각 부분을 상세하게 설명한다.

도 1에 나타낸 바와 같이, 기판(1)의 재료는 단결정 실리콘 또는 폴리 실리콘 등의 반도체 재료일 수 있고, 유리 등의 기타 다른 경질 또는 연질 재료일 수 있다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 기판(1) 상에는 각 발광 소자를 구동하여 발광시킴으로써 화상을 표시하기 위한 복수의 구동 트랜지스터가 설치되어 있다. 탑 게이트 구조의 하나의 구동 트랜지스터를 일례로 할 경우, 표시 패널은 게이트 절연층(7), 게이트 전극(8), 제2 절연층(9) 및 제1 배선층(10)을 더 포함한다. 여기서, 기판(1)의 재료는 단결정 실리콘 또는 폴리 실리콘 등의 반도체 재료일 수 있다. 또한, 기판(1)은 활성 영역(101), 활성 영역(101)의 양단에 위치하는 소스 전극(1011) 및 드레인 전극(1012)을 포함한다. 게이트 절연층(7)은 활성 영역(101)을 덮고, 게이트 전극(8)은 기판(1)에서 떨어진 게이트 절연층(7)의 표면에 형성되며, 게이트 전극(8)의 재료는 폴리 실리콘 재료를 포함할 수 있다. 제2 절연층(9)은 게이트 전극(8) 및 기판(1)을 덮고, 이의 재료는 산화 규소 및 질화규소 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 배선층(10)은 기판(1)에서 떨어진 제2 절연층(9)의 표면에 형성되고, 또한, 게이트 전극(8), 소스 전극(1011) 및 드레인 전극(1012)은 모두 텅스텐 또는 기타 다른 금속으로 충진된 비아홀을 통하여 제1 배선층(10)에 연결된다.

또한, 표시 패널은 제3 절연층(11) 및 제2 배선층(12)을 더 포함할 수 있다. 제3 절연층(11)은 제1 배선층(10) 및 제2 절연층(9)을 덮는다. 제2 배선층(12)은 기판(1)에서 떨어진 제3 절연층(11)의 표면에 설치된다. 제2 배선층(12)의 구체적인 패턴은, 텅스텐 또는 기타 다른 금속으로 충진된 비아홀을 통하여 제1 배선층(10)에 연결되지만, 여기서는 특별히 한정하지 않는다.

제1 절연층(2)은 도 1에 나타낸 바와 같이, 기판(1)의 일측에 설치된다. 본 발명의 일부 실시 형태에서, 제1 절연층(2)은 제2 배선층(12)을 덮을 수 있다. 제1 전극(31)은 텅스텐 또는 기타 다른 금속으로 충진된 비아홀을 통하여 제2 배선층(12)에 연결될 수 있다. 제1 절연층(2)의 재료는 실리콘 질화물 및 산화 규소 중의 적어도 하나를 포함할 수 있고, 물론 기타 다른 절연 재료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(2)은 연마 공정에 의해 평탄화를 실현할 수 있다.

기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에는, 복수의 분리홈(201)이 개구될 수 있다. 분리홈(201)의 깊이는 제1 절연층(2)의 두께보다 작다. 즉, 분리홈(201)은 깊이 방향으로 제1 절연층(2)을 관통하지 않는다. 분리홈(201)에 의해, 제1 절연층(2) 상에서 복수의 픽셀 영역(202)을 분할할 수 있다. 또한, 각 픽셀 영역(202)은 어레이 형태로 분포된다.

기판(1) 상의 픽셀 영역(202)의 정투영은 사각형, 오각형, 육각형 또는 기타 다른 다각형일 도 있다. 물론, 원형 또는 기타 다른 형상일 수도 있고, 여기에서는 특별히 한정하지 않는다. 동시에, 부동한 픽셀 영역(202)의 형상 및 크기는 다를 수 있다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 예를 들어, 분리홈(201)은 제1 분리홈 및 제2 분리홈을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 분리홈의 수량은 복수개이며, 또한, 각 제1 분리홈은 제1 방향을 따라서 직선으로 연장되고, 제2 방향을 따라서 이격되어 분포된다. 제2 분리홈의 수량은 복수개이며, 또한, 각 제2 분리홈은 제2 방향을 따라서 직선으로 연장되고, 제1 방향을 따라서 이격되어 분포된다. 제1 방향과 제2 방향은 서로 교차하는 방향이다. 예를 들어, 제1 방향과 제2 방향은 서로 수직되는 방향이다. 따라서, 교차되는 제1 분리홈 및 제2 분리홈에 의하여, 제1 절연층(2) 상에서 어레이 형태로 분포된 복수의 픽셀 영역(202)을 분할할 수 있다.

본 발명의 다른 실시 형태에서, 제1 분리홈 및 제2 분리홈은 곡선 또는 점선의 궤적을 따라서 연장될 수도 있고, 이에 따라 다른 형태의 픽셀 영역(202)을 분할할 수 있다.

각 분리홈(201)은 대향하는 2개의 측벽(2011) 및 2개의 측벽(2011) 사이에 연결되는 바닥벽(2012)을 포함할 수 있다. 여기서, 2개의 측벽(2011)은 평행되게 설치될 수도 있고, 즉 기판(1)에 수직되는 방향에서, 2개의 측벽(2011)과 이의 연장면은 교차되지 않는다. 또는, 2개의 측벽(2011)은 소정의 각도로 설치되어 있다.

도 3에 나타낸 바와 같이, 바닥벽(2012)은 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 대략 평행될 수 있다. 또는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 바닥벽(2012)은 기판(1)으로부터 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 곡면일 수도 있고, 여기서는 당해 곡면의 곡률 및 형태를 특별히 한정하지 않는다. 또한, 기판(1)에 수직되는 단면에서, 바닥벽(2012)의 윤곽은, 대략 원호 형상, 포물선 형상 또는 물결선 형상을 이룰 수 있다. 물론, 기타 다른 규칙적 또는 불규칙적인 형상일 수도 있고, 기판(1)으로부터 멀어지는 방향을 향하여 돌출되면 된다.

본 발명의 일부 실시예에서, 2개의 측벽(2011)은 바닥벽(2012)에 접근하는 방향으로 축소한다. 즉, 2개의 측벽(2011) 사이의 간격은 바닥벽(2012)에 접근하는 방향을 향하여 점차적으로 감소된다. 이에 따라, 측벽(2011)은 기판(1)에서 멀어지는 제1 절연층(2)의 표면에 대하여 기울기를 형성한다. 이 기울기는, 측벽(2011)과 기판(1)에서 멀어지는 제1 절연층(2)의 표면 사이의 각도이다. 또한, 이 기울기는 70° 이상이고, 90° 이하이다. 예를 들어, 이 기울기는 70°, 80° 및 90° 등 일 수 있다.

본 발명의 일부 실시예에서, 분리홈(201)의 2개의 측벽(2011) 사이의 최대 간격(S)은, 0.2 μm ~ 0.7 μm일 수도 있고, 예를 들어, 0.2 μm, 0.3 μm, 0.5 μm 또는 0.7 μm 등 일 수도 있다.

도 1에 나타낸 바와 같이, 제1 전극층(3)은 기판(1)에서 멀어지는 제1 절연층(2)의 표면에 형성되고, 또한, 어레이 형태로 분포된 복수의 제1 전극(31)을 포함한다. 제1 절연층(2) 상의 각 제1 전극(31)의 정투영은, 1 대 1로 대응되게 각 픽셀 영역(202) 내에 위치한다. 즉, 기판(1) 상의 각 제1 전극(31)의 정투영의 경계는, 1 대 1로 대응되게 기판(1) 상의 각 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계 내에 위치한다. 각 픽셀 영역(202) 상에는, 하나의 제1 전극(31)만이 설치된다. 픽셀 영역(202)은 분리홈(201)에 의해 분리되고, 제1 전극(31)은 픽셀 영역(202) 위에 위치하므로, 분리홈(201)은 제1 전극(31)의 밖에 위치한다. 제1 절연층(2) 상의 각 제1 전극(31)의 정투영은, 이가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 형상과 동일할 수 있다. 제1 전극(31)의 경계는, 이가 위치하고 있는 픽셀 영역(202) 내에 위치한다.

기판(1)에 평행되는 방향에 있어서, 적어도 하나의 제1 전극(31)은 중간부(310) 및 중간부(310)를 둘러싸는 에지부(311)를 포함할 수 있다. 여기서, 중간부(310)는 평탄한 구조이다. 즉, 중간부(310)는 기판(1)에서 멀어지는 제1 절연층(2)의 표면에 평행된다.

본 발명의 일부 실시예에서, 기판(1) 상의 각 제1 전극(31)의 중간부(310)의 정투영의 경계는, 기판(1) 상의 상기 중간부(310)가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계에 위치할 수 있다. 즉, 기판(1) 상의 중간부(310)의 정투영의 경계와 기판(1) 상의 상기 중간부(310)가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계 사이는, 0이 아닌 간격(L)을 가진다. 또한, 이 간격(L)은 0.15 μm 이상이다. 예를 들어, 이 간격은 0.15 μm, 0.2 μm, 0.25 μm 등 일 수 있다.

에지부(311)는 평탄부(3110) 및 경사부(3111)를 포함할 수 있다. 여기서, 평탄부(3110)는 기판(1)에서 멀어지는 제1 절연층(2)의 표면에 위치하고, 중간부(310)를 둘러싸도록 설치된다. 또한, 평탄부(3110)는 기판(1)에서 멀어지는 제1 절연층(2)의 표면에 평행된다. 동시에, 평탄부(3110)의 두께는 중간부(310)의 두께보다 작다. 본 발명의 일부 실시예에서, 기판(1) 상의 평탄부(3110)의 정투영의 경계와 기판(1) 상의 상기 평탄부(3110)가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계 사이는 0이 아닌 간격을 가진다. 물론, 기판(1) 상의 평탄부(3110)의 정투영의 경계와 기판(1) 상의 상기 평탄부(3110)가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계는 중첩된다.

경사부(3111)는 중간부(310)와 평탄부(3110) 사이에 연결된다. 즉, 경사부(3111)는 중간부(310)를 둘러싸고, 평탄부(3110)는 경사부(3111)를 둘러싸도록 설치된다. 본 발명의 일부 실시예에서, 기판(1)에서 멀어지는 제1 절연층(2)의 표면에 대한 경사부(3111)의 기울기는 30° 이상이다. 이 기울기는 경사부(3111)의 표면과 기판(1)에서 멀어지는 제1 절연층(2)의 표면 사이의 각도이다.

제1 전극(31)은 제1 도전층(320), 제2 도전층(321) 및 제3 도전층(322)을 포함한다. 제1 도전층(320)은 기판(1)에서 멀어지는 제1 절연층(2)의 표면에 설치된다. 제2 도전층(321)은 기판(1)에서 멀어지는 제1 도전층(320)의 표면에 설치된다. 제3 도전층(322)은 기판(1)에서 멀어지는 제2 도전층(321)의 표면에 형성되고, 소정의 기울기로 제1 절연층(2)까지 연장된다. 따라서, 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)을 피복하기 때문에, 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)을 보호할 수 있다.

제1 전극(31)의 중간부(310)는, 기판(1)에서 멀어지는 제2 도전층(321)의 표면에 제3 도전층(322)을 위치시키기 위한 영역, 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)을 포함하고, 에지부(311)는 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)의 에지가 제3 도전층(322)에 의해 피복되는 영역, 즉 제1 절연층(2)을 향해 연장되는 영역을 포함한다. 예시적으로, 제1 도전층(320)의 재료는 티타늄(Ti)을 포함하고, 제2 도전층(321)의 재료는 은(Ag)을 포함하며, 제3 도전층(322)의 재료는 산화 인듐 주석(ITO)을 포함할 수도 있고, 물론 기타 다른 재료를 사용할 수도 있다.

도 1에 도시한 바와 같이, 픽셀 정의층(4)은 절연 재료이고, 또한, 제1 전극층(3)과 같이 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 설치된다. 동시에, 픽셀 정의층(4)은 제1 전극(31)의 중간부(310)의 적어도 일부 영역을 노출시킨다. 픽셀 정의층(4)에 의해 노출된 중간부(310)는, 대응되는 발광 기능층(5) 및 제2 전극(6)과 함께 발광 소자를 구성할 수 있다.

본 발명의 일부 실시예에서, 각 제1 전극(31)은， 이가 위치하는 픽셀 영역(202)을 완전히 덮지 않는다. 또한, 기판(1) 상의 제1 전극(31)의 평탄부(3110)의 정투영의 경계와 기판(1) 상의 상기 평탄부(3110)가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계 사이는 소정의 간격을 가지고 있다. 픽셀 정의층(4)은 분리홈(201)의 측벽(2011) 및 바닥벽(2012)까지 연장된다. 즉, 픽셀 정의층(4)은 제1 전극(31)에 의해 덮여 있지 않은 픽셀 영역(202)에 딱 맞추어 결합된다. 이에 따라, 픽셀 정의층(4)은 분리홈(201)에 대응하는 영역에서 함몰된다. 픽셀 정의층(4)에는, 각 중간부(310)의 적어도 일부 영역을 1 대 1로 대응하게 노출시키는 복수의 개구(401)가 설치된다. 따라서, 픽셀 정의층(4)에 의해 발광 소자의 발광 범위를 한정할 수 있다.

도 5 및 도 6에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예에서, 픽셀 정의층(4)의 개구(401)는 육각형 또는 기타 다른 다각형 구조일 수 있다. 제1 전극(31)도 다각형 구조이며, 개구(401)의 형상과 같을 수 있다. 물론, 제1 전극(31)은 기타 다른 형상일 수도 있다.

도 1에 도시한 바와 같이, 발광 기능층(5)은 연속되는 필름층이고, 이의 적어도 일부가 각 제1 전극(31)의 중간부(310)를 덮을 수 있다. 즉, 개구(401)에 의해 노출된 영역을 덮는다. 동시에, 발광 기능층(5)은 픽셀 정의층(4)과 픽셀 정의층(4) 및 제1 전극(31)에 의해 덮여 있지 않은 제1 절연층(2)의 영역을 더 덮는다. 증착 또는 기타 다른 프로세스를 통하여 발광 기능층(5)을 형성하는 경우, 발광 기능층(5)은 분리홈(201)에 대응하는 영역에서 기판(1)에 접근하는 방향을 향하여 함몰된다.

본 발명의 실시예에서, 도 4에 나타낸 바와 같이, 발광 기능층(5)은 복수의 발광유닛층(501)을 포함한다. 각 발광유닛층(501)의 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층의 분포 방식은 동일하다. 동시에, 인접하는 2개의 발광유닛층(501) 사이에는 전하 발생층(502)이 설치되어 있다. 따라서, 전하 발생층(502)에 의해 각 발광유닛층(501)을 직렬로 연결시켜 직렬형 OLED 발광 소자를 형성할 수 있다.

본 발명의 다른 일부 실시 형태에서, 발광 기능층(5)은 하나의 발광유닛층을 포함한다. 발광유닛층은, 기판(1)에서 떨어지는 방향을 따라서, 제1 전극(31)으로부터 순차적으로 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함한다.

전하 발생층(502)은 분리홈(201)의 측벽(2011)을 덮을 수 없다. 따라서, 분리홈(201)에 의해 발광 소자의 전하 발생층(502)을 차단함으로써, 인접하는 2개의 발광 소자 사이의 크로스 토크를 방지할 수 있다. 물론, 분리홈(201)은 정공 주입층 또는 기타 다른 필름층도 차단할 수 있으므로, 마찬가지로 크로스 토크를 방지할 수 있다.

도 1에 나타낸 바와 같이, 제2 전극(6)은 발광 기능층(5)을 덮고, 제1 전극(31) 및 제2 전극(6)에 구동 신호를 인가할 수 있다. 이에 따라, 제1 전극(31)과 제2 전극(6) 사이에 위치하는 발광 기능층(5)의 부분이 발광하게 된다.

제2 전극(6)의 형태는 발광 기능층(5)과 일치한다. 발광 기능층(5)의 함몰 부분에서 함몰됨으로써 오목부(61)를 형성하고, 제1 전극(31)의 중간부(310)에 대응하는 영역에 평탄부(62)를 형성한다. 따라서, 제1 절연층(2) 상의 오목부(61)의 정투영은, 적어도 일부가 제1 전극(31)의 중간부(310)의 밖에 위치함으로써, 제1 전극(31)과 제2 전극(6)의 오목부(61)의 사이의 선단 방전을 저감하거나 또는 방지할 수 있다. 제2 전극(6)의 재료는 합금 재료일 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(6)의 재료는 Mg와 Ag를 포함할 수 있고, 또는 제2 전극(6)은 Al 및 Li 합금을 사용할 수도 있다. 물론, 제2 전극(6)은 기타 다른 합금 또는 원소 금속을 사용할 수도 있지만, 여기서는 일일이 열거하지 않는다.

또한, 픽셀 정의층(4)이 중간부(310)의 에지를 덮는 경우, 중간부(310)를 덮는 픽셀 정의층(4)에 대응하는 평탄부(62)의 영역은 기판(1)에서 멀어지는 방향을 향하여 돌출될 수 있다. 다만, 돌출되는 높이는 제1 중간부(310)의 두께보다 작게 형성함으로써, 평탄부(62)가 대략 평탄된 상태를 유지한다.

또한, 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예에서, 기판(1)에 수직되는 단면에서의 제2 전극(6)의 오목부(61)의 최저 지점은, 제1 절연층(2) 상의 정투영에서 완전히 분리홈(201) 내에 위치하고, 즉 완전히 중간부(310)의 밖에 위치한다.

분리홈(201)이 정공 주입층, 전하 발생층(502) 또는 기타 다른 필름층을 차단할 수 있는 것을 보장하기 위하여, 분리홈(201)은 소정의 깊이를 가져야 하지만, 분리홈(201)이 너무 깊게 형성되어 제1 절연층(2)을 관통하고 구동 소자에 영향을 미치는 것을 방지해야 한다. 따라서, 본 발명의 일부 실시예에서, 기판(1)에 수직되는 방향에 있어서 분리홈(201)의 최대 깊이(H)는 발광 기능층(5)과 제1 전극(31)의 두께의 합의 30% 이상이다. 동시에, 분리홈(201)의 최대 깊이(H)는 발광 기능층(5)과 제1 전극(31)의 두께의 합의 60% 이하이다. 여기서, 분리홈(201)의 최대 깊이(H)는, 기판(1)에 수직되는 방향에 있어서 기판(1)에서 멀어지는 제1 절연층(2)의 표면으로부터의 거리가 가장 큰 분리홈(201)의 바닥벽(2012)의 지점과 기반(1)에서 멀어지는 제1 절연층(2)의 표면 사이의 거리이다. 예를 들어, 본 발명의 일부 실시예에서, 분리홈(201)의 최대 깊이(H)는 1000Å ~ 3000Å이다.

또한, 본 발명의 일부 실시예에서, 도 1에 나타낸 바와 같이 제1 표시 패널은 제1 봉지층(13), 컬러 필터층(14), 제2 봉지층(15) 및 투명 커버 플레이트(16)를 더 포함할 수 있다.

여기서, 제1 봉지층(13)은 제2 전극(6)을 덮을 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(13)은 2개의 무기층 및 2개의 무기층 사이에 위치하는 유기층을 포함할 수 있다.

본 발명의 일부 실시예에서, 오목부(61)에 대응하는 제1 봉지층(13)의 영역은, 함몰됨으로써 피트(1301)를 형성할 수 있다. 물론, 제1 봉지층(13)의 두께가 두꺼운 경우, 기판(1)에서 멀어지는 제1 봉지층(13)의 표면은 대략 평탄된 상태를 유지할 수 있다.

컬러 필터층(14)은, 제2 전극(6)에서 떨어진 제1 봉지층(13)의 일측에 설치된다. 또한, 컬러 필터층(14)은 각 제1 전극(31)과 1 대 1로 대응하는 필터 영역을 포함한다. 필터 영역의 컬러는 예를 들어, 적색, 청색 및 녹색 등이 있다.

제2 봉지층(15)은 컬러 필터층(14)을 덮을 수 있으며, 이의 구조는 제1 봉지층(13)의 구조와 같을 수 있다.

투명 커버 플레이트(16)는 제2 봉지층(15)을 덮을 수 있으며, 이의 재료는 유리 또는 기타 다른 재료일 수 있다.

또한, 본 발명의 일부 실시예에서, 도 1에 나타낸 바와 같이, 제1 표시 패널은 광 추출층(17)을 더 포함할 수 있다. 광 추출층(17)은 기판(1)에서 떨어진 제2 전극(6)의 표면에 덮어지고, 또한, 오목부(61)에 대응하는 영역에서 함몰된다. 제1 봉지층(13)은 기판(1)에서 떨어진 광 추출층(17)의 일측에 설치된다. 광 추출층(17)의 굴절률은 제2 전극(6)의 굴절률보다 크게 형성되기 때문에, 출광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 광 추출층(17)의 굴절률이 높을수록 출광 효율이 높아진다.

제2 표시 패널

도 7 내지 도 9에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제2 표시 패널은 기판(1), 제1 절연층(2), 제1 전극층(3), 발광 기능층(5) 및 제2 전극(6)을 포함 할 수 있다.

여기서, 제1 절연층(2)은 기판(1)의 일측에 설치되고,

제1 전극층(3)은 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 설치되고, 또한, 복수의 제1 전극(31)을 포함한다. 제1 전극(31)은 평탄한 중간부(310) 및 중간부(310)를 둘러싸는 에지부(311)를 포함한다. 에지부(311)는 중간부(310)를 둘러싸는 평탄부(3110) 및 중간부(310)와 평탄부(3110) 사이에 연결되는 경사부(3111)를 포함한다. 평탄부(3110)의 두께는 중간부(310)의 두께보다 작다.

발광 기능층(5)은 중간부(310)의 적어도 일부 영역을 덮는다.

제2 전극(6)은 발광 기능층(5)을 덮고, 또한 오목부(61) 및 오목부(61)에 의해 분리된 복수의 평탄부(62)를 포함한다. 제1 절연층(2) 상의 각 평탄부(62)의 정투영은 1 대 1로 대응되게 각 제1 전극(31) 내에 위치한다. 오목부(61)는 기판(1)에 가까운 평탄부(62)의 측면을 향하여 함몰된다. 제1 절연층(2) 상의 오목부(61)의 정투영은, 적어도 일부가 중간부(310)의 밖에 위치한다.

본 발명의 실시예의 표시 패널에 있어서, 각 제1 전극(31) 및 이에 대응하는 발광 기능층(5) 및 제2 전극(6)은 발광 가능한 발광 소자를 구성할 수 있다. 제1 절연층(2) 상의 제2 전극(6)의 오목부(61)의 정투영은, 적어도 일부가 두께가 두꺼운 중간부(310)의 밖에 위치하고, 중간부(310)에 직접 마주하지 않음으로써, 오목부(61)와 제1 전극(31) 사이의 선단 방전의 리스크를 저감할 수 있으므로, 발광 소자의 안정된 발광을 확보하는데 유리하다. 동시에, 오목부(61)의 범위 내에서 발광을 저감할 수 있으므로, 인접하는 발광 소자의 발광의 상호 간섭을 저감할 수 있다.

이하, 본 발명의 제2 표시 패널의 각 부분을 상세하게 설명한다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 도 7에 나타낸 바와 같이, 기판(1) 상에는 각 발광 소자를 구동하여 발광시킴으로써 화상을 표시하기 위한 복수의 구동 트랜지스터가 설치될 수 있다. 탑 게이트 구조의 하나의 구동 트랜지스터를 일례로 할 경우, 표시 패널은 게이트 절연층(7), 게이트 전극(8), 제2 절연층(9) 및 제1 배선층(10)을 더 포함한다. 여기서, 기판(1)의 재료는 단결정 실리콘 또는 폴리 실리콘 등의 반도체 재료일 수 있다, 또한, 기판(1)은 활성 영역(101), 활성 영역(101)의 양단에 위치하는 소스 전극(1011) 및 드레인 전극(1012)을 포함할 수 있다. 게이트 절연층(7)은 활성 영역(101)을 덮고, 게이트 전극(8)은 기판(1)에서 떨어진 게이트 절연층(7)의 표면에 설치된다. 제2 절연층(9)은 게이트 전극(8) 및 기판(1)을 덮고, 이의 재료는 산화 규소 및 질화규소 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 배선층(10)은 기판(1)에서 떨어진 제2 절연층(9)의 표면에 설치된다. 또한, 게이트 전극(8), 소스 전극(1011) 및 드레인 전극(1012)은 모두 텅스텐 또는 기타 다른 금속으로 충진된 비아홀을 통하여 제1 배선층(10)에 연결된다.

또한, 표시 패널은 제3 절연층(11) 및 제2 배선층(12)을 더 포함할 수 있다. 제3 절연층(11)은 제1 배선층(10) 및 제2 절연층(9)을 덮는다. 제2 배선층(12)은 기판(1)에서 떨어진 제3 절연층(11)의 표면에 설치되고, 제2 배선층(12)의 구체적인 패턴은 텅스텐 또는 기타 다른 금속으로 충진된 비아홀을 통하여 제1 배선층(10)에 연결되지만, 여기서는 특별히 한정하지 않는다.

도 7에 나타낸 바와 같이, 제1 절연층(2)은 기판(1)의 일측에 설치된다. 본 발명의 일부 실시 형태에서, 제1 절연층(2)은 제2 배선층(12)을 덮을 수 있으며, 제1 전극(31)은 텅스텐 또는 기타 다른 금속으로 충진된 비아홀을 통하여 제2 배선층(12)에 연결될 수 있다. 제1 절연층(2)의 재료는 실리콘 질화물 및 산화 규소 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 물론 기타 다른 절연 재료를 더 포함할 수 있다.

도 7에 나타낸 바와 같이, 제1 전극층(3)은 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 형성되고, 또한, 복수의 제1 전극(31)을 포함한다. 제1 전극(31)은 어레이 형태로 분포되고, 인접하는 제1 전극(31)은 이격되어 설치된다.

기판(1)에 평행되는 방향에서, 각 제1 전극(31)은 중간부(310) 및 중간부(310)를 둘러싸는 에지부(311)를 포함할 수 있다. 여기서, 중간부(310)는 평면 구조이다. 즉, 중간부(310)는 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 평행된다.

에지부(311)는 평탄부(3110) 및 경사부(3111)를 포함할 수 있다. 여기서, 평탄부(3110)는 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 위치하고, 중간부(310)를 둘러싸도록 설치된다. 또한, 평탄부(3110)는 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 평행된다. 동시에, 평탄부(3110)의 두께는 중간부(310)의 두께보다 작다. 본 발명의 일부 실시 형태에서, 평탄부(3110)와 이가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 경계의 사이는 0이 아닌 간격을 가진다. 물론, 평탄부(3110)의 경계는 픽셀 영역(202)의 경계와 중첩될 수 있다.

경사부(3111)는 중간부(310)와 평탄부(3110) 사이에 연결된다. 즉, 경사부(3111)는 중간부(310)를 둘러싸고, 평탄부(3110)는 경사부(3111)를 둘러싸도록 설치된다. 본 발명의 일부 실시 형태에서, 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 대한 경사부(3111)의 기울기는 30° 이상이다. 당해 기울기는 경사부(3111)의 표면과 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면 사이의 각도이다.

제1 전극(31)은 제1 도전층(320), 제2 도전층(321) 및 제3 도전층(322)을 포함한다. 제1 도전층(320)은 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 설치된다. 제2 도전층(321)은 기판(1)에서 떨어진 제1 도전층(320)의 표면에 설치된다. 제3 도전층(322)은 기판(1)에서 떨어진 제2 도전층(321)의 표면에 설치되고, 이가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 기판(1)에서 떨어진 표면까지 소정의 기울기로 연장된다. 이에 따라, 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)을 피복하므로, 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)을 보호할 수 있다.

제1 전극(31)의 중간부(310)는 기판(1)에서 떨어진 제2 도전층(321)의 표면에 제3 도전층(322)을 위치시키기 위한 영역, 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)을 포함하고, 에지부(311)는 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)의 에지가 제3 도전층(322)에 의해 피복되는 영역, 즉 제1 절연층(2)을 향하여 연장되는 영역을 포함한다. 예시적으로, 제1 도전층(320)의 재료는 티타늄(Ti)을 포함하고, 제2 도전층(321)의 재료는 은(Ag)을 포함하고, 제3 도전층(322)의 재료는 산화 인듐 주석(ITO)을 포함할 수도 있고, 물론 기타 다른 재료를 사용할 수도 있다.

도 7에 나타낸 바와 같이, 발광 기능층(5)은 연속되는 필름층이고, 각 제1 전극(31)의 적어도 일부 영역을 동시에 덮을 수 있다. 본 발명의 일부 실시 형태에서, 발광 기능층(5)은 하나의 발광유닛층을 포함한다. 발광유닛층은 기판(1)에서 떨어진 방향을 따라서 제1 전극(31)으로부터 순차적으로 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함한다.

본 발명의 다른 실시 형태에서, 발광 기능층(5)은 복수의 발광유닛층을 포함한다. 각 발광유닛층의 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층의 분포 방식이 동일하다. 동시에, 인접하는 2개의 발광유닛층 사이에는 전하 발생층이 형성되어 있으므로, 전하 발생층에 의해 각 발광유닛층을 직렬로 연결시켜 직렬형 OLED 발광 소자를 형성한다.

도 7에 나타낸 바와 같이, 제2 전극(6)은 발광 기능층(5)을 덮고, 제1 전극(31) 및 제2 전극(6)에 구동 신호를 인가함으로써, 제1 전극(31)과 제2 전극(6) 사이에 위치하는 발광 기능층(5)의 부분이 발광할 수 있다. 제2 전극(6)은 복수의 오목부(61) 및 복수의 평탄부(62)를 포함한다.

여기서, 각 평탄부(62)는 어레이 형태로 분포되고, 또한 각 제1 전극(31)의 중간부(310)와 1 대 1로 대응되도록 설치된다. 즉, 제1 절연층(2) 상의 각 평탄부(62)의 정투영은, 1 대 1로 대응되게 각 제1 전극(31) 내에 위치한다. 평탄부(62)는 중간부(310)에 평행되거나 대략 평행된다.

오목부(61)는 중간부(310)에 의해 덮여 있지 않은 제1 절연층(2)의 영역에 대응하고, 평탄부(62)를 분리하기 위하여 사용된다. 오목부(61)는 기판(1)에 접근한 평탄부(62)의 일측을 향하여 함몰된다. 오목부(61)는 링 구조이고, 또한 이의 수량은 복수개이다. 각 오목부(61)는 각 평탄부(62)를 1 대 1로 대응되게 둘러싼다. 즉, 오목부(61)는 인접하는 2개의 평탄부(62)의 천이 영역이다.

기판(1) 상의 오목부(61)의 정투영은, 적어도 일부가 제1 전극(31)의 중간부(310)의 밖에 위치하므로, 두께가 두꺼운 중간부(310)에 직접 마주하지 않고, 제1 전극(31) 이외의 영역 또는 두께가 얇은 에지부(311)에 직접 마주하기 때문에, 오목부(61)와 제1 전극(31) 사이의 선단 방전 및 단락의 리스크를 줄일 수 있고, 발광 소자의 발광 안정성을 향상시킬 수 있다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 기판(1)에 수직되는 단면에서 제1 절연층(2) 상의 오목부(61)의 최저 지점의 정투영은, 중간부(310)의 밖에 위치한다. 예를 들어, 당해 최저 지점은 중간부(310)와 사이의 선단 방전을 방지하기 위하여, 경사부(3111) 및 평탄부(3110) 중의 하나에 대응된다. 기판(1)에 수직되는 단면에서의 오목부(61)의 최저 지점은, 기판(1)에 수직되는 단면에서 제1 전극(31)과 가장 가까운 지점이고, 즉 평탄부(62)와 가장 멀리 떨어진 지점이다.

또한, 기판(1)에 수직되는 단면에서의 오목부(61)의 수량은 복수개일 수 있고, 부동한 단면에서의 최저 지점은 다를 수 있다. 예를 들어, 최저 지점은, 깊이 방향에서 제1 전극(31)의 중간부(310)와 가장 가까운 지점일 수 있고, 깊이 방향에서의 다른 지점일 수도 있고, 구체적으로 기판(1)에 수직되는 단면의 위치에 의해 결정된다.

도 7 내지 도 9에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일부 실시 형태에서, 오목부(61)는 두 개의 측면을 구비하며, 제1 측면(611), 제2 측면(612) 및 바닥면(613)을 포함한다. 여기서, 제1 측면(611) 및 제2 측면(612)은 대향하게 설치되고, 각각 바닥면(613)의 양측에 연결된다. 동시에, 제1 측면(611) 및 제2 측면(612)은 기판(1)에 접근하는 방향을 향하여 축소되도록 연장될 수 있다. 제1 측면(611) 및 제2 측면(612)은 곡면 또는 평면일 수도 있지만, 여기서는 특별히 한정하지 않는다.

바닥면(613)은 기판(1)으로부터 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 곡면일 수 있다. 본 발명의 일부 실시 형태에서, 오목부(61)의 바닥면(613)은 제1 경사면(6131), 제2 경사면(6132) 및 연결면(6133)을 포함한다. 여기서, 제1 경사면(6131) 및 제2 경사면(6132)은 모두 곡면 또는 평면일 수도 있다. 연결면(6133)은 기판(1)에서 떨어진 제1 측면(611) 및 제2 측면(612)의 저변(底邊)의 일측에 위치한다. 또한, 연결면(6133)은 제1 경사면(6131)과 제2 경사면(6132) 사이에 연결된다. 제1 경사면(6131)은 제1 측면(611)의 저변에 연결되고, 제2 경사면(6132)은 제2 측면(612)의 저변에 연결된다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 중간부(310)에 대한 제1 경사면(6131)의 기울기는 중간부(310)에 대한 제1 측면(611)의 기울기보다 작지 않다. 동시에, 중간부(310)에 대한 제2 경사면(6132)의 기울기는 중간부(310)에 대한 제2 측면(612)의 기울기보다 작지 않다.

또한, 제1 경사면(6131)과 제2 경사면(6132)은 기판(1)에 수직되는 단면에서 연결면(6133)에 대하여 대칭된다. 즉, 기판(1)에 수직되는 방향에서의 제1 경사면(6131)의 단면과 기판(1)에 수직되는 방향에서의 제2 경사면(6132)의 단면은, 기판(1)에 수직되는 방향에서의 연결면(6133)의 단면에 대하여 대칭된다. 동시에, 제1 측면(611) 및 제2 측면(612)은 기판(1)에 수직되는 단면에서 바닥면(613)에 대하여 대칭된다. 즉, 기판(1)에 수직하는 방향에서의 제1 측면(611)의 단면과 기판(1)에 수직되는 방향에서의 제2 측면(612)의 단면은, 기판(1)에 수직하는 방향에서의 바닥면(613)의 단면에 대하여 대칭된다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 제1 측면(611) 및 제2 측면(612)에 대응하는 제2 전극(6)의 영역의 최소 두께는, 제1 경사면(6131) 및 제2 경사면(6132)에 대응하는 제2 전극(6)의 영역의 최소 두께보다 크다.

또한, 도 7에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일부 실시 형태에서, 오목부(61)의 깊이는 제2 전극(6)의 최대 두께의 2배보다 작다. 예를 들어, 제2 전극(6)의 최대 두께는 90 nm이고 오목부(61)의 깊이는 180nm보다 작고, 예를 들어, 120 nm, 100 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm 등이다. 오목부(61)의 깊이는 오목부(61)의 최대 깊이를 의미한다. 즉, 기판(1)에 수직되는 방향에서, 기판(1)으로부터 가장 가까운 오목부(61)의 지점과 기판(1)에서 떨어진 평탄부(62)의 표면 사이의 거리를 의미한다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 도 7 및 도 8에 나타낸 바와 같이, 제1 절연층(2) 상의 각 오목부(61)의 정투영은, 하나의 제1 전극(31)의 중간부(310)의 밖을 둘러싼다. 인접하는 제1 전극(31)의 중간부(310)와 오목부(61)의 바닥면(613) 사이의 거리의 최소값(기판(1)에 수직되는 방향에서, 중간부(310)로부터 가장 가까운 오목부(61)의 지점과 중간부(310) 사이의 거리)는 평탄부(62)와 발광 기능층(5)의 두께의 합의 70% 이상이다. 평탄부(62)와 발광 기능층(5)의 두께의 합은 평탄부(62)와 발광 기능층(5)의 두께의 합이다. 예를 들어, 평탄부(62)와 발광 기능층(5)의 두께의 합이 약 365nm일 경우, 기판(1)에 수직되는 방향에서, 인접하는 제1 전극(31)의 중간부(310)와 오목부(61)의 저부 사이의 거리 최소값은 최대 약 255nm이다.

또한, 인접하는 제1 전극(31)의 중간부(310)와 오목부(61)의 저부 사이의 거리의 최대값(기판(1)에 수직되는 방향에서, 중간부(310)와 중간부(310)로부터 가장 가까운 오목부(61)의 지점 사이의 거리)는 최대로 400nm 이상이며, 또한 이의 최대값은 450nm 이하이다.

도 7에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일부 실시 형태에서, 상기 제2 전극(6)을 용이하게 형성하기 위하여, 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2) 표면에는 복수의 분리홈(201)이 설치될 수 있다. 분리홈(201)의 깊이는 제1 절연층(2)의 두께보다 작다. 즉, 분리홈(201)은 깊이 방향으로 제1 절연층(2)을 관통하지 않는다. 분리홈(201)을 이용하여, 제1 절연층(2) 상에서 복수의 픽셀 영역(202)을 분할할 수 있다. 또한, 각 픽셀 영역(202)은 어레이 형태로 분포된다. 분리홈(201)의 구체적인 구조는, 상기 제1 표시 패널의 실시 형태를 참조할 수 있으므로, 여기서는 자세한 설명을 생략한다. 동시에, 본 발명의 제2 표시 패널은 픽셀 정의층(4)을 더 포함한다. 픽셀 정의층(4)은 절연 재료이고, 제1 전극층(3)과 같이 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 설치된다. 동시에, 픽셀 정의층(4)은 제1 전극(31)의 중간부(310)의 적어도 일부 영역을 노출시키고, 분리홈(201)에 대응하는 영역에서 함몰된다. 픽셀 정의층(4)에 의해 노출된 중간부(310)는, 대응되는 발광 기능층(5) 및 제2 전극(6)과 함께 발광 소자를 구성할 수 있다. 픽셀 정의층(4)의 구조에 관하여, 상기의 제1 표시 패널의 실시 형태를 참조할 수 있으므로, 여기서는 자세한 설명을 생략한다.

발광 기능층(5)은 픽셀 정의층(4), 픽셀 정의층(4) 및 제1 전극(31)에 의해 덮여 있지 않은 제1 절연층(2)의 영역을 더 덮는다. 증착 또는 기타 다른 프로세스를 통하여 발광 기능층(5)을 형성하는 경우, 발광 기능층(5)은 분리홈(201)에 대응하는 영역에서, 기판(1)에 접근하는 방향을 향하여 함몰된다. 제1 절연층(2) 상의 제2 전극(6)의 오목부(61)의 정투영은, 적어도 일부가 분리홈(201)의 범위 내에 위치한다.

또한, 도 7에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제1 표시 패널은 제1 봉지층(13)을 더 포함할 수 있다. 제1 봉지층(13)은 제2 전극(6)을 덮을 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(13)은 2개의 무기층 및 2개의 무기층 사이에 위치하는 유기층을 포함할 수 있다. 제1 봉지층(13)은 오목부(61)에 대응하는 영역에서 피트(1301)를 형성한다. 피트(1301)의 2개의 측벽은, 기판(1)에 접근하는 방향을 향하여 축소하도록 연장하고, 그리고 2개의 측벽은 연결된다.

또한, 당해 표시 패널은 컬러 필터층(14), 제2 봉지층(15) 및 투명 커버 플레이트(16)를 더 포함할 수 있다.

여기서, 컬러 필터층(14)은 제2 전극(6)에서 떨어진 제1 봉지층(13)의 일측에 설치된다. 또한, 컬러 필터층(14)은 각 제1 전극(31)과 1 대 1로 대응하는 필터 영역을 포함한다. 필터 영역의 컬러는, 예를 들어 적색, 청색 및 녹색 등이 있다.

제2 봉지층(15)은 컬러 필터층(14)을 덮을 수 있으며, 이의 구조는 제1 봉지층(13)의 구조와 같을 수 있다.

투명 커버 플레이트(16)는 제2 봉지층(15)을 덮을 수 있으며, 이의 재료는 유리 또는 기타 다른 재료일 수 있다.

또한, 본 발명의 일부 실시 형태에서, 도 7에 나타낸 바와 같이, 제2 표시 패널은 광 추출층(17)을 더 포함할 수 있다. 광 추출층(17)은 기판(1)에서 떨어진 제2 전극(6)의 표면에 덮어지고, 또한, 오목부(61)에 대응하는 영역에서 함몰된다. 제1 봉지층(13)은 기판(1)에서 떨어진 광 추출층(17)의 일측에 설치된다. 광 추출층(17)의 굴절률은 제2 전극(6)의 굴절률보다 크게 형성되기 때문에, 출광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 광 추출층(17)의 굴절률이 높을수록 출광 효율이 높아진다.

제3 표시 패널

도 10 및 도 11에 도시한 바와 같이, 표시 패널은 기판(1), 제1 절연층(2), 제1 전극층(3), 픽셀 정의층(4), 발광 기능층(5) 및 제2 전극(6)을 포함할 수 있다.

여기서, 제1 절연층(2)은 기판(1)의 일측에 설치된다. 또한, 제1 절연층(2)은 어레이 형태로 분포된 복수의 픽셀 영역(202) 및 픽셀 영역(202)을 분리하는 분리 영역(201)을 구비한다.

제1 전극층(3)은 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 형성되고, 또한, 어레이 형태로 분포된 복수의 제1 전극(31)을 포함한다. 제1 절연층(2) 상의 각 제1 전극(31)의 정투영은, 각 픽셀 영역(202) 내에 위치한다.

픽셀 정의층(4)은, 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 설치되는 동시에, 각 제1 전극(31)을 노출시킨다. 분리 영역(201)에 대응되는 픽셀 정의층(4)의 영역에는, 픽셀 정의홈(41)이 형성되어 있다. 픽셀 정의홈(41)의 중앙부는, 기판(1)으로부터 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 제1 돌기(42)를 구비한다. 제1 돌기(42)의 측벽과 픽셀 정의홈(41)의 측벽 사이에는 서브 홈(40)이 형성되어 있다.

발광 기능층(5)은 픽셀 정의층(4) 및 픽셀 정의층(4)에 의해 노출된 제1 전극(31)을 덮는다.

제2 전극(6)은 발광 기능층(5)을 덮는다.

또한, 본 명세서에서의 픽셀 정의홈(41)의 중앙부는, 픽셀 정의홈(41)의 2개의 측벽 사이의 바닥면에서의 임의의 영역을 의미하며, 픽셀 정의홈(41)의 2개의 측벽 사이에서의 당해 2개의 측벽까지의 거리가 동일한 영역에 한정되지 않는다.

본 발명의 실시 형태의 표시 패널에서, 픽셀 정의층(4)에 의해 노출된 각 제1 전극(31)의 영역 및 이에 대응되는 발광 기능층(5) 및 제2 전극(6)은, 발광 가능하도록 발광 소자를 구성하는데 사용될 수 있다.

제1 절연층(2) 상의 제1 전극(31)의 정투영은, 각 픽셀 영역(202) 내에 위치하므로, 픽셀 정의홈(41)은 제1 전극(31)의 밖에 위치한다. 발광 기능층(5)을 형성하는 경우, 발광 기능층(5)은 픽셀 정의홈(41)의 위치에서 기판(1)을 향하여 함몰되어 들어갈 수 있다. 이에 따라, 제2 전극(6)은, 당해 함몰 부분에 오목부(61)을 형성한다. 또한, 제1 절연층(2) 상의 오목부(61)의 정투영은, 적어도 일부가 픽셀 정의층(4)의 범위 내에 위치하고, 적어도 다른 일부가 발광 소자의 밖에 위치한다. 따라서, 제2 전극(6)의 오목부(61)의 위치가 픽셀 정의홈(41)에 의해 제한되므로, 오목부(61)와 제1 전극(31) 사이의 선단 방전뿐만 아니라 단락마저도 방지할 수 있어 발광 소자의 안정된 발광을 확보하는데 유리하다. 동시에, 오목부(61)의 범위 내에서의 발광을 저감하고 또한 방지할 수도 있어, 인접하는 발광 소자의 발광의 상호 간섭을 저감할 수 있다.

또한. 픽셀 정의홈(41)의 중앙부의 제1 돌기(42)와 픽셀 정의홈(41)의 측벽 사이에는 서브 홈(40)이 형성되어 있으므로, 픽셀 정의홈(41)의 중앙부가 요철 형태를 이룬다. 발광 기능층(5)이 전하 발생층을 포함하는 경우, 2개의 서브 홈(40)의 측벽에 전하 발생층을 형성하는 것이 곤란하므로, 전하 발생층을 픽셀 정의홈(41) 내에서 차단하는데 유리하며, 인접하는 2개의 발광 소자 사이의 크로스 토크의 형성을 방지할 수 있다. 물론, 픽셀 정의홈(41)의 서브 홈(40)은, 정공 주입층 또는 기타 다른 필름층도 차단할 수 있어, 마찬가지로 크로스 토크를 방지할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시 형태의 제3 표시 패널의 각 부분을 상세하게 설명한다.

도 10에 나타낸 바와 같이, 기판(1)의 재료는 단결정 실리콘 또는 폴리 실리콘 등의 반도체재료일 수도 있고, 유리 등의 기타 다른 경질 또는 연질 재료일 수 있다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 기판(1) 상에는 각 발광 소자를 구동하여 발광시킴으로써 화상을 표시하기 위한 복수의 구동 트랜지스터가 설치되어 있다. 탑 게이트 구조의 하나의 구동 트랜지스터를 일례로 할 경우, 표시 패널은 게이트 절연층(7), 게이트 전극(8), 제2 절연층(9) 및 제1 배선층(10)을 더 포함한다. 여기서, 기판(1)의 재료는 단결정 실리콘 또는 폴리 실리콘 등의 반도체 재료일 수 있다. 또한, 기판(1)은 활성 영역(101), 활성 영역(101)의 양단에 위치하는 소스 전극(1011) 및 드레인 전극(1012)을 포함한다. 게이트 절연층(7)은 활성 영역(101)을 덮고, 게이트 전극(8)은 기판(1)에서 떨어진 게이트 절연층(7)의 표면에 설치된다. 게이트 전극(8)의 재료는 폴리 실리콘 재료를 포함할 수 있다. 제2 절연층(9)은 게이트 전극(8) 및 기판(1)을 덮고. 이의 재료는 산화 규소 및 질화규소 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 배선층(10)은 기판(1)에서 떨어진 제2 절연층(9)의 표면에 설치된다. 또한, 게이트 전극(8), 소스 전극(1011) 및 드레인 전극(1012)은 모두 텅스텐 또는 기타 다른 금속으로 충진된 비아홀을 통하여 제1 배선층(10)에 연결된다.

또한, 표시 패널은 제3 절연층(11) 및 제2 배선층(12)을 더 포함할 수 있다. 제3 절연층(11)은 제1 배선층(10) 및 제2 절연층(9)을 덮는다. 제2 배선층(12)은 기판(1)에서 떨어진 제3 절연층(11)의 표면에 설치된다. 제2 배선층(12)의 구체적인 패턴은 텅스텐 또는 기타 다른 금속으로 충진된 비아홀을 통하여 제1 배선층(10)에 연결될 수 있지만, 여기서는 특별히 한정하지 않는다.

도 10에 나타낸 바와 같이, 제1 절연층(2)은 기판(1)의 일측에 설치된다. 본 발명의 일부 실시 형태에서, 제1 절연층(2)은 제2 배선층(12)을 덮을 수 있다. 제1 전극(31)은 텅스텐 또는 기타 다른 금속으로 충진된 비아홀을 통하여 제2 배선층(12)에 연결될 수 있다. 제1 절연층(2)의 재료는 실리콘 질화물 및 산화 규소 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 물론 기타 다른 절연 재료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(2)은 연마 공정에 의해 평탄화를 실현할 수 있다.

제1 절연층(2)은 복수의 픽셀 영역(202)으로 분할될 수 있다. 각 픽셀 영역(202)은 어레이 형태로 분포되는 동시에, 이격되어 설치된다. 구동 영역(201) 이외의 영역은 분리 영역(201)이므로, 분리 영역(201)에 의해 픽셀 영역(202)을 분리한다.

기판(1) 상의 픽셀 영역(202)의 정투영은, 사각형, 오각형, 육각형 또는 기타 다른 다각형일 수도 있다. 물론, 원형 또는 기타 다른 형상일 수도 있지만, 여기서는 특별히 한정하지 않는다. 동시에, 부동한 픽셀 영역(202)의 형상 및 크기는 다를 수 있다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 예를 들어, 분리 영역(201)은 제1 분리 영역 및 제2 분리 영역을 포함할 수 있다. 여기서, 제1 분리 영역의 수량은 복수개이고, 또한 각 제1 분리 영역은 제1 방향을 따라서 직선으로 연장되고, 제2 방향을 따라서 이격되어 분포된다. 제2 분리 영역의 수량은 복수개이고, 또한 각 제2 분리 영역은 제2 방향을 따라서 직선으로 연장되고, 제1 방향을 따라서 이격되어 분포된다. 제1 방향과 제2 방향은 서로 교차하는 방향이다. 예를 들어, 제1 방향과 제2 방향은 서로 수직되는 방향이다. 따라서, 교차되는 제1 분리 영역 및 제2 분리 영역에 의하여. 제1 절연층(2) 상에서 어레이 형태로 분포된 복수의 픽셀 영역(202)을 분할할 수 있다.

본 발명의 다른 실시 형태에서, 제1 분리 영역 및 제2 분리 영역은 곡선 또는 점선의 궤적에 따라서 연장될 수 있으므로 기타 다른 형상의 픽셀 영역(202)을 분할할 수 있다.

도 10에 나타낸 바와 같이, 제1 전극층(3)은 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 설치되고, 또한 어레이 형태로 분포된 복수의 제1 전극(31)을 포함한다. 제1 절연층(2) 상의 각 제1 전극(31)의 정투영은, 1 대 1로 대응되게 각 픽셀 영역(202) 내에 위치한다. 즉, 기판(1) 상의 각 제1 전극(31)의 정투영의 경계는, 1 대 1로 대응되게 기판(1) 상의 각 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계 내에 위치한다. 각 픽셀 영역(202) 상에는, 하나의 제1 전극(31)만이 설치된다. 픽셀 영역(202)은 분리 영역(201)에 의해 분리되고, 제1 전극(31)은 픽셀 영역(202) 위에 위치하므로, 분리 영역(201)은 제1 전극(31)의 밖에 위치한다. 제1 절연층(2) 상의 각 제1 전극(31)의 정투영은. 이가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 형상과 동일할 수 있으며, 제1 전극(31)의 경계는 이가 위치하고 있는 픽셀 영역(202) 내에 위치한다.

기판(1)에 평행되는 방향에서, 적어도 하나의 제1 전극(31)은 중간부(310) 및 중간부(310)를 둘러싸는 에지부(311)를 포함할 수 있다. 여기서, 중간부(310)는 평탄한 구조이다. 즉, 중간부(310)는 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 평행된다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 기판(1) 상의 각 제1 전극(31)의 중간부(310)의 정투영의 경계는, 기판(1) 상의 상기 중간부(310)가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계 내에 위치할 수 있다. 즉, 기판(1) 상의 중간부(310)의 정투영의 경계와 기판(1) 상의 상기 중간부(310)가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계 사이는 0이 아닌 간격(L)을 가진다. 또한, 이 간격(L)은 0.15 μm 이상이다. 예를 들어, 이 간격(L)은 0.15 μm, 0.2 μm, 0.25 μm 등 일 수 있다.

에지부(311)는 평탄부(3110) 및 경사부(3111)를 포함할 수 있다. 여기서, 평탄부(3110)는 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 위치하고, 중간부(310)를 둘러싸도록 설치된다. 또한, 평탄부(3110)는 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면과 대략 평행된다. 동시에, 평탄부(3110)의 두께는 중간부(310)의 두께보다 작다. 본 발명의 일부 실시 형태에서, 기판(1) 상의 평탄부(3110)의 정투영의 경계와 기판(1) 상의 상기 평탄부(3110)가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계 사이는 0이 아닌 간격을 가진다. 물론, 기판(1) 상의 평탄부(3110)의 정투영의 경계와 기판(1) 상의 상기 평탄부(3110)가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계가 중첩된다.

경사부(3111)는 중간부(310)와 평탄부(3110) 사이에 연결된다. 즉, 경사부(3111)는 중간부(310)를 둘러싼다. 평탄부(3110)는 경사부(3111)를 둘러싸도록 설치된다. 본 발명의 일부 실시 형태에서, 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 대한 경사부(3111)의 기울기는 30° 이상이다. 이 기울기는 경사부(3111)의 표면과 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면 사이의 각도이다.

제1 전극(31)은 제1 도전층(320), 제2 도전층(321) 및 제3 도전층(322)을 포함할 수 있다. 제1 도전층(320)은, 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 설치된다. 제2 도전층(321)은, 기판(1)에서 떨어진 제1 도전층(320)의 표면에 설치된다. 제3 도전층(322)은, 기판(1)에서 떨어진 제2 도전층(321)의 표면에 형성되고, 소정의 기울기로 제1 절연층(2)까지 연장된다. 이에 따라, 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)을 피복하여 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)을 보호할 수 있다.

제1 전극(31)의 중간부(310)는 기판(1)에서 떨어진 제2 도전층(321)의 표면에 제3 도전층(322)을 위치시키기 위한 영역, 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)을 포함하고, 에지부(311)는 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)의 에지를 제3 도전층(322)에 의해 피복되는 영역, 즉 제1 절연층(2)을 향하여 연장되는 영역을 포함한다. 예시적으로, 제1 도전층(320)의 재료는 티타늄(Ti)을 포함하고, 제2 도전층(321)의 재료는 은(Ag)을 포함하고, 제3 도전층(322)의 재료는 산화 인듐 주석(ITO)을 포함할 수 있고, 물론, 기타 다른 재료를 사용할 수도 있다.

도 10에 나타낸 바와 같이, 픽셀 정의층(4)은 절연 재료이고, 또한, 제1 전극층(3)과 함께 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 설치되고, 제1 전극(31)의 적어도 일부 영역을 노출시킨다.

예를 들어, 픽셀 정의층(4)에는, 각 중간부(310)의 적어도 일부 영역을 1 대 1로 대응되게 노출시키는 복수의 개구(401)가 설치된다. 픽셀 정의층(4)에 의해 노출된 제1 전극(31)은, 대응되는 발광 기능층(5) 및 제2 전극(6)과 함께 발광 소자를 구성할 수 있다. 본 발명의 일부 실시 형태에서, 픽셀 정의층(4)의 개구(401)는 육각형 또는 기타 다른 다각형 구조일 수 있다. 제1 전극(31)도, 다각형 구조이고, 개구(401)의 형상과 동일할 수 있다. 물론, 제1 전극(31)은 기타 다른 형상일 수도 있다. 구체적으로, 도 5 및 도 6의 제1 표시 패널의 실시 형태를 참조할 수 있다.

도 10에 나타낸 바와 같이, 픽셀 정의층(4)은, 분리 영역(201)과 대응하는 영역에 픽셀 정의홈(41)이 형성된다. 픽셀 정의층(4)의 형성 시, 포토리소그래피 공정을 통하여 픽셀 정의홈(41)을 형성할 수 있다. 물론, 제1 절연층(2)의 분리 영역(201)에 분리홈을 설치하는 것을 통하여 분리홈에서 픽셀 정의층(4)을 함몰되게 함으로써, 픽셀 정의홈(41)을 형성할 수도 있다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 픽셀 정의층(4)은 이격부(400) 및 연장부(410)를 포함할 수 있다. 여기서, 이격부(400)는 제1 전극(31)에 의해 덮여 있지 않은 제1 절연층(2)의 영역에 위치하고, 즉 제1 전극(31) 이외의 영역에 위치한다. 픽셀 정의홈(41)은 이격부(400)에 설치된다. 연장부(410)는 이격부(400)에 연결되고, 기판(1)에서 떨어진 제1 전극(31)의 표면까지 연장되고, 또한 제1 전극(31)을 완전히 덮지 않는다. 예를 들어, 연장부(410)는 제1 전극(31)의 원주 방향을 따라서 기판(1)에서 떨어진 중간부(310)의 원주 방향 표면까지 연장되며, 개구(401)가 형성되도록 중간부(310)를 완전히 덮지 않는다.

또한, 임의 하나의 제1 전극(31)을 덮는 연장부(410)의 폭은, 인접하는 2개의 제1 전극(31) 사이에 위치하는 이격부(400)의 폭보다 작다. 즉, 임의 하나의 제1 전극(31)은, 기판(1)에서 떨어진 상기 제1 전극(31)의 표면 상에 위치하는 연장부(410)의 영역이 링 구조를 이룬다. 상기 링 구조의 폭은, 상기 제1 전극(31)과 인접하는 이격부(400)의 폭보다 작다. 상기 링 구조의 폭은 2개의 측벽 사이의 거리이다.

상기의 픽셀 정의층(4)에 있어서, 픽셀 정의홈(41)의 중앙부는 기판(1)에서 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 제1 돌기(42)를 구비할 수 있다. 제1 돌기(42)의 측벽과 픽셀 정의홈(41)의 측벽 사이에는 서브 홈(40)이 형성되어 있다. 픽셀 정의홈(41)의 중앙부가 편평한 경우에 비하여, 제1 돌기(42)는 픽셀 정의홈(41)의 중앙부의 형태를 더 복잡하게 할 수 있으므로, 상부의 발광 기능층(5)의 전하 발생층 또는 기타 다른 필름층을 차단하는데 유리하며, 이에 따라 인접하는 발광 소자 사이의 크로스 토크를 방지한다.

또한, 본 명세서에서의 서브 홈(40)의 중앙부는, 서브 홈(40)의 2개의 측벽 사이의 바닥면의 임의의 영역을 가리키며, 서브 홈(40)의 2개의 측벽 사이에서의 두 개의 측벽까지 거리가 동일한 영역에 한정되지 않는다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 제1 돌기(42)의 2개의 측벽은 기판(1)을 향하여 확장되는 경사면이고, 픽셀 정의홈(41)의 2개의 측벽은 기판(1)을 향하여 축소되는 경사면이다. 즉, 제1 돌기(42)의 2개의 측벽 사이의 간격은 기판(1)을 향하여 점차적으로 증가하고, 픽셀 정의홈(41)의 2개의 측벽 사이의 간격은 기판(1)을 향하여 점차적으로 감소된다. 따라서, 서브 홈(40)은 2개의 측벽이 기판(1)을 향하여 축소되는 홈이다.

또한, 제1 돌기(42)의 측벽의 기울기는, 픽셀 정의홈(41)의 측벽의 기울기와 부동하다. 제1 돌기(42)의 측벽의 기울기는, 제1 돌기(42)의 측벽과 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면 사이의 각도이다. 픽셀 정의홈(41)의 측벽의 기울기는, 픽셀 정의홈(41)의 측벽과 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면 사이의 각도이다. 여기서, 제1 돌기(42)의 측벽 및 픽셀 정의홈(41)의 측벽이 원호면을 형성할 경우, 양자의 기울기는 원호면의 각 단면과 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면 사이의 각도의 최대값 또는 평균값이다.

또한, 제1 돌기(42)의 두께는 픽셀 정의홈(41)의 깊이보다 작을 수 있다. 따라서, 제1 돌기(42)는 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 돌출되지 않으며, 완전히 픽셀 정의홈(41)에 위치한다.

도 10에 나타낸 바와 같이, 발광 기능층(5)은 연속되는 필름층이고, 적어도 일부가 각 제1 전극(31)의 중간부(310)를 덮는다. 즉, 발광 기능층(5)은 개구(401)에 의해 노출된 영역을 덮는 동시에, 픽셀 정의층(4)의 적어도 일부 영역을 더 덮을 수 있다. 증착 또는 기타 다른 프로세스에 의해 발광 기능층(5)을 형성하는 경우, 발광 기능층(5)은 픽셀 정의홈(41)에 대응하는 영역에서 기판(1)에 접근하는 방향을 향하여 함몰된다.

본 발명의 실시 형태에서, 도 11에 나타낸 바와 같이, 발광 기능층(5)은 복수의 발광유닛층(501)을 포함한다. 각 발광유닛층(501)에 있어서, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층의 분포 방식은 동일하다. 동시에, 인접하는 2개의 발광유닛층(501) 사이에는 전하 발생층(502)이 설치되므로, 전하 발생층(502)에 의해 각 발광유닛층(501)을 직렬로 연결시켜 직렬형 OLED 발광 소자를 형성한다.

본 발명의 다른 일부 실시 형태에서, 발광 기능층(5)은 하나의 발광유닛층을 포함한다. 발광유닛층은, 기판(1)에서 멀어지는 방향을 따라서 제1 전극(31)으로부터 순차적으로 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함한다.

전하 발생층(502)은 픽셀 정의홈(41)의 서브 홈(40)의 측벽을 덮기 어렵기 때문에, 픽셀 정의홈(41)을 통하여 발광 소자의 전하 발생층(502)을 차단할 수 있고, 인접하는 2개의 발광 소자 사이의 크로스 토크를 방지할 수 있다. 물론, 픽셀 정의홈(41)은 정공 주입층 또는 기타 다른 필름층을 차단할 수 있으므로, 마찬가지로 크로스 토크를 방지할 수 있다.

또한, 발광 기능층(5)은 연속되는 필름층이지만, 이의 필름층의 각각이 모두 연속되는 필름층인 것은 아니다. 예를 들어, 본 발명의 일부 실시 형태에서, 발광 기능층(5)의 발광층은 이격되어 분포된 복수의 발광부를 포함할 수 있다. 각 발광부는 하나의 개구(401) 내에 위치함으로써, 각 발광 소자가 독립된 발광부를 구비한다. 부동한 발광부의 재료는 다를 수 있으므로, 부동한 발광 소자의 발광 색상이 다르다. 발광 기능층(5)의 기타 다른 필름층은, 전술한 연속되는 필름층일 수도 있다. 즉, 각 발광 소자는 이러한 연속되는 필름층을 공유할 수 있다.

도 10에 나타낸 바와 같이, 제2 전극(6)은 발광 기능층(5)을 덮고, 제1 전극(31) 및 제2 전극(6)에 구동 신호를 인가할 수 있다. 따라서, 제1 전극(31)과 제2 전극(6) 사이에 위치하는 발광 기능층(5)의 부분이 발광할 수 있다.

제2 전극(6)과 제1 전극(31) 사이에는 소정의 거리가 있으므로, 마이크로 캐비티를 형성할 수 있다. 발광 기능층(5)에 의해 방출된 빛은, 제1 전극(31) 및 제2 전극(6)에서 어느 정도 반사된다. 빛의 파장 및 마이크로 캐비티의 깊이가 공진 조건을 만족할 경우, 빛은 팽창 간섭의 원리에 따라 강화되므로, 발광 소자의 휘도를 향상하는데 유리하다. 그러나, 부동한 컬러의 빛의 파장이 다르기 때문에, 부동한 발광색을 가지는 발광 소자의 마이크로 캐비티의 깊이가 다를 수 있다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 부동한 발광 소자의 발광층의 발광 색상은 다를 수 있다. 마이크로 캐비티가 부동한 색상의 빛에 대하여 동일한 증강 효과를 가지게 하기 위하여, 부동한 발광색의 발광 소자의 제1 전극(31)의 두께를 다르게 할 수 있다. 이에 따라, 마이크로 캐비티의 깊이와 빛의 파장이 일치하게 되고, 발광의 파장이 길면 길수록 마이크로 캐비티의 깊이가 크게 된다. 또한, 제1 전극(31)은 제1 도전층(320), 제2 도전층(321) 및 제3 도전층(322)을 포함한다. 제1 도전층(320)은 반사 재료일 수 있다. 마이크로 캐비티의 깊이는 제1 도전층(320)과 제2 전극(6) 사이의 거리일 수 있다. 2개의 제1 전극(31)은. 제1 도전층(320)의 두께를 다르게 하고 제2 도전층(321)의 두께를 동일하게 하며 제3 도전층(322)의 두께도 동일하게 하는 것을 통하여, 2개의 제1 전극(31)의 두께를 다르게 할 수 있다.

제2 전극(6)의 형태는 발광 기능층(5)과 일치하고, 발광 기능층(5)의 함몰 부분에서 함몰됨으로써 오목부(61)를 형성하고, 제1 전극(31)의 중간부(310)에 대응하는 영역에 평탄부(62)를 형성함으로써, 제1 절연층(2) 상의 오목부(61)의 정투영의 적어도 일부가 제1 전극(31)의 중간부(310)의 밖에 위치하게 되기 때문에, 제1 전극(31)과 제2 전극(6)의 오목부(61) 사이의 선단 방전을 저감하거나 방지할 수 있다. 제2 전극(6)의 재료는 합금 재료일 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(6)의 재료는 Mg와 Ag를 포함할 수 있다. 또는, 제2 전극(6)은 Al 및 Li 합금을 사용할 수 있다. 물론, 제2 전극(6)은 기타 다른 합금 또는 원소 금속을 사용할 수 있고, 여기서는 일일이 열거하지 않는다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 픽셀 정의층(4)의 연장부(410)는 중간부(310)의 에지를 덮는다. 제2 전극(6)은 연장부(410)에 대응하는 영역에서 기판(1)으로부터 멀어지는 방향을 향하여 돌출될 수 있다. 다만, 제2 전극(6)의 돌출되는 높이는, 평탄부(62)와 오목부(61) 사이의 접합부가 대략 평탄된 상태를 유지하도록 중간부(310)의 두께보다 작게 형성된다.

또한, 도 10 및 도 11에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일부 실시 형태에서, 기판(1)에 수직되는 단면에서의 제2 전극(6)의 오목부(61)의 최저 지점은, 제1 절연층(2) 상의 정투영에서 완전히 픽셀 정의홈(41)에 위치하고, 즉 완전히 중간부(310)의 밖에 위치한다.

또한, 본 발명의 일부 실시 형태에서, 도 10 및 도 11에 나타낸 바와 같이, 제1 표시 패널은 제1 봉지층(13), 컬러 필터층(14), 제2 봉지층(15) 및 투명 커버 플레이트(16)를 더 포함할 수 있다.

여기서, 제1 봉지층(13)은 제2 전극(6)을 덮을 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(13)은 2개의 무기층과 2개의 무기층 사이에 위치하는 유기층을 포함할 수 있다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 제1 봉지층(13)은 오목부(61)에 대응하는 영역에서 함몰됨으로써 피트(1301)를 형성할 수 있다. 물론, 제1 봉지층(13)의 두께가 두꺼운 경우, 기판(1)에서 떨어진 제1 봉지층(13)의 표면은 대략 평평한 상태를 유지할 수 있다.

또한, 컬러 필터층(14)은, 제2 전극(6)에서 떨어진 제1 봉지층(13)의 일측에 설치된다. 또한, 컬러 필터층(14)은 각 제1 전극(31)과 1 대 1로 대응하는 필터 영역을 포함한다. 필터 영역의 컬러는 예를 들어, 적색, 청색 및 녹색 등이 있다.

제2 봉지층(15)은 컬러 필터층(14)을 덮을 수 있으며, 이의 구조는 제1 봉지층(13)의 구조와 같을 수 있다.

투명 커버 플레이트(16)는 제2 봉지층(15)을 덮을 수 있으며, 이의 재료는 유리 또는 기타 다른 재료일 수 있다.

또한, 본 발명의 일부 실시 형태에서, 도 10 및 도 11에 나타낸 바와 같이, 제3 표시 패널은 광 추출층(17)을 더 포함할 수 있다. 광 추출층(17)은 기판(1)에서 떨어진 제2 전극(6)의 표면에 덮어지고, 또한 오목부(61)에 대응하는 영역에서 함몰된다. 제1 봉지층(13)은 기판(1)에서 떨어진 광 추출층(17)의 일측에 설치된다. 광 추출층(17)의 굴절률은 제2 전극(6)의 굴절률보다 크게 형성되기 때문에, 출광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 광 추출층(17)의 굴절률이 높을수록 출광 효율이 높아진다.

제4 표시 패널

도 12 및 도 13에 나타내 바와 같이, 표시 패널은 기판(1), 제1 절연층(2), 제1 전극층(3), 픽셀 정의층(4), 발광 기능층(5) 및 제2 전극(6)을 포함할 수 있다.

여기서, 제1 절연층(2)은 기판(1)의 일측에 설치된다.

제1 전극층(3)은 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 형성되고, 또한 어레이 형태로 분포된 복수의 제1 전극(31)을 포함한다.

픽셀 정의층(4)은 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 설치되는 동시에, 각 제1 전극(31)을 노출시킨다.

발광 기능층(5)은 픽셀 정의층(4) 및 픽셀 정의층(4)에 의해 노출된 제1 전극(31)과 제1 절연층(2)을 덮는다.

제2 전극(6)은 발광 기능층(5)을 덮고, 또한 오목부(61) 및 오목부(61)에 의해 분리된 복수의 평탄부(62)를 포함한다. 제1 절연층(2) 상의 각 평탄부(62)의 정투영은 각 제1 전극(31) 내에 위치하고, 오목부(61)의 적어도 일부 영역은 기판(1)에 접근하는 평탄부(62)의 측면을 향하여 함몰된다. 제1 절연층(2) 상의 오목부(61)의 정투영은, 적어도 일부가 픽셀 정의홈(41)에 위치한다. 제1 돌기(42)에 대응하는 오목부(61)의 중앙부는, 제2 돌기(600)를 구비한다. 제2 돌기(600)의 측면과 오목부(61)의 측면 사이에는 서브 오목(610)이 형성되어 있다.

또한, 본 명세서에서의 오목부(61)의 중앙부는 오목부(61)의 2개의 측벽 사이의 바닥면에서의 임의의 영역을 의미하고, 오목부(61)위 2개의 측벽 사이에서의 당해 2개의 측벽까지의 거리가 동일한 영역에 한정되지 않는다.

본 발명의 실시 형태의 표시 패널에 있어서, 픽셀 정의층(4)에 의해 노출된 각 제1 전극(31)의 영역 및 이에 대응되는 발광 기능층(5) 및 제2 전극(6)은 발광 가능한 발광 소자를 구성할 수 있다. 제1 절연층(2) 상의 제2 전극(6)의 오목부(61)의 정투영은, 적어도 일부가 제1 전극의 밖에 위치하기 때문에, 오목부(61)와 제1 전극(31) 사이의 선단 방전뿐만 아니라, 단락마저도 방지할 수 있어, 발광 소자의 안정된 발광을 확보하는데 유리하다. 동시에, 오목부(61)의 범위 내에서의 발광을 저감하고, 또한 방지할 수도 있어, 인접하는 발광 소자의 발광의 상호 간섭을 저감할 수 있다.

이하, 본 발명의 실시 형태의 제4 표시 패널의 각 부분을 상세하게 설명한다.

도 12 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일부 실시 형태에서, 기판(1) 상에는 각 발광 소자를 구동하여 발광시킴으로써 화상을 표시하기 위한 복수의 구동 트랜지스터가 설치되어 있다. 탑 게이트 구조의 하나의 구동 트랜지스터를 일례로 할 경우, 표시 패널은 게이트 절연층(7), 게이트 전극(8) 제2 절연층(9) 및 제1 배선층(10)을 더 포함한다. 여기서, 기판(1)의 재료는 단결정 실리콘 또는 폴리 실리콘 등의 반도체 재료일 수 있다. 또한, 기판(1)은 활성 영역(101), 활성 영역(101)의 양단에 위치하는 소스 전극(1011) 및 드레인 전극(1012)을 포함한다. 게이트 절연층(7)은 활성 영역(101)을 덮는다. 게이트 전극(8)은 기판(1)에서 떨어진 게이트 절연층(7)의 표면에 설치된다. 게이트 전극(8)의 재료는 폴리 실리콘 재료를 포함할 수 있다. 제2 절연층(9)은 게이트 전극(8) 및 기판(1)을 덮고, 이의 재료는 산화 규소 및 질화규소 중의 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 배선층(10)은 기판(1)에서 떨어진 제2 절연층(9)의 표면에 설치된다. 또한, 게이트 전극(8), 소스 전극(1011) 및 드레인 전극(1012)은 모두 텅스텐 또는 기타 다른 금속으로 충진된 비아홀을 통하여 제1 배선층(10)에 연결된다.

또한 표시 패널은 제3 절연층(11) 및 제2 배선층(12)을 더 포함할 수 있다. 제3 절연층(11)은 제1 배선층(10) 및 제2 절연층(9)을 덮는다. 제2 배선층(12)은 기판(1)에서 떨어진 제3 절연층(11)의 표면에 설치된다. 제2 배선층(12)의 구체적인 패턴은 텅스텐 또는 기타 다른 금속으로 충진된 비아홀을 통하여 제1 배선층(10)에 연결되지만, 여기서는 특별히 한정하지 않는다.

도 12 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 제1 절연층(2)은 기판(1)의 일측에 설치된다. 본 발명의 일부 실시 형태에서, 제1 절연층(2)은 제2 배선층(12)을 덮을 수 있다. 제1 전극(31)은 텅스텐 또는 기타 다른 금속으로 충진된 비아홀을 통하여 제2 배선층(12)에 연결될 수 있다. 제1 절연층(2)의 재료는 실리콘 질화물 및 산화 규소 중의 적어도 하나를 포함할 수 있고, 물론 기타 다른 절연 재료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 절연층(2)은 연마 공정에 의해 평탄화를 실현할 수 있다.

제1 절연층(2)은 분리 영역(201)을 구비한다. 분리 영역(201)을 통하여, 제1 절연층(2) 상에서 복수의 픽셀 영역(202)을 분할할 수 있으며, 또한, 각 픽셀 영역(202)을 어레이 형태로 분포시킬 수 있다.

도 12 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 제1 전극층(3)은 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 형성되고, 또한 어레이 형태로 분포된 복수의 제1 전극(31)을 포함한다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 제1 절연층(2)의 각 제1 전극(31)의 정투영은 1 대 1로 대응되게 각 픽셀 영역(202) 내에 위치한다. 즉, 기판(1) 상의 각 제1 전극(31)의 정투영의 경계는 1 대 1로 대응되게 기판(1) 상의 각 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계 내에 위치한다. 각 픽셀 영역(202) 상에는 하나의 제1 전극(31) 만이 설치되어 있다. 픽셀 영역(202)은 분리 영역(201)에 의해 분리되고, 제1 전극(31)은 픽셀 영역(202) 상에 위치하기 때문에, 분리 영역(201)은 제1 전극(31)의 밖에 위치한다. 제1 절연층(2) 상의 각 제1 전극(31)의 정투영은, 이가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 형상과 동일할 수 있다. 제1 전극(31)의 경계는 이가 위치하고 있는 픽셀 영역(202) 내에 위치한다.

기판(1)에 평행되는 방향에 있어서, 적어도 하나의 제1 전극(31)은 중간부(310) 및 중간부(310)를 둘러싸는 에지부(311)를 포함할 수 있다. 여기서, 중간부(310)는 평면 구조이다. 즉, 중간부(310)는 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면과 대략 평행된다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 기판(1) 상의 각 제1 전극(31)의 중간부(310)의 정투영의 경계는 기판(1) 상의 상기 중간부(310)가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계에 위치할 수 있다. 즉, 기판(1) 상의 중간부(310)의 정투영의 경계와 기판(1) 상의 상기 중간부(310)가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계 사이는 0이 아닌 간격(L)을 가진다. 또한, 이 간격(L)은 0.15 μm 이상이다. 예를 들어, 이 간격(L)은 0.15 μm, 0.2 μm, 0.25 μm 등 일 수 있다.

에지부(311)는 평탄부(3110) 및 경사부(3111)를 포함할 수 있다. 여기서, 평탄부(3110)는 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 위치하고, 중간부(310)를 둘러싸도록 설치된다. 또한, 평탄부(3110)는 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면과 대략 평행된다. 동시에, 평탄부(3110)의 두께는 중간부(310)의 두께보다 작다. 본 발명의 일부 실시 형태에서, 기판(1) 상의 평탄부(3110)의 정투영의 경계와 기판(1) 상의 상기 평탄부(3110)가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계 사이는 0이 아닌 간격을 가진다. 물론, 기판(1) 상의 평탄부(3110)의 정투영의 경계와 기판(1) 상의 상기 평탄부(3110)가 위치하고 있는 픽셀 영역(202)의 정투영의 경계가 중첩될 수 있다.

경사부(3111)는 중간부(310)와 평탄부(3110) 사이에 연결된다. 즉, 경사부(3111)는 중간부(310)를 둘러싸고, 평탄부(3110)는 경사부(3111)를 둘러싸도록 설치된다. 본 발명의 일부 실시 형태에서, 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2) 표면에 대한 경사부(3111)의 기울기는 30° 이상이다. 이 기울기는 경사부(3111)의 표면과 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면 사이의 각도이다.

도 12 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 제1 전극(31)은 제1 도전층(320), 제2 도전층(321) 및 제3 도전층(322)을 포함할 수 있다. 제1 도전층(320)은, 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 설치된다. 제2 도전층(321)은, 기판(1)에서 떨어진 제1 도전층(320)의 표면에 설치된다. 제3 도전층(322)은, 기판(1)에서 떨어진 제2 도전층(321)의 표면에 형성되고, 소정의 기울기로 제1 절연층(2)까지 연장된다. 이에 따라, 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)을 피복하여 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)을 보호할 수 있다.

제1 전극(31)의 중간부(310)는 기판(1)에서 떨어진 제2 도전층(321)의 표면에 제3 도전층(322)을 위치시키기 위한 영역, 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)을 포함하고, 에지부(311)는 제1 도전층(320) 및 제2 도전층(321)의 에지가 제3 도전층(322)에 의해 피복되는 영역, 즉 제1 절연층(2)을 향하여 연장되는 영역을 포함한다. 예시적으로, 제1 도전층(320)의 재료는 티타늄(Ti)을 포함하고, 제2 도전층(321)의 재료는 은(Ag)을 포함하고, 제3 도전층(322)의 재료는 산화 인듐 주석(ITO)을 포함할 수 있고, 물론 기타 다른 재료를 사용할 수도 있다.

도 12 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 픽셀 정의층(4)은 절연 재료이고, 또한, 제1 전극층(3)과 함께 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면에 형성된 제1 전극(31)의 적어도 일부 영역을 노출시킨다.

예를 들어, 픽셀 정의층(4)에는 각 중간부(310)의 적어도 일부 영역을 1 대 1로 대응하게 노출시키는 복수의 개구(401)가 설치되어 있다. 픽셀 정의층(4)에 의해 노출된 제1 전극(31)은, 대응되는 발광 기능층(5) 및 제2 전극(6)과 함께 발광 소자를 구성할 수 있다. 본 발명의 일부 실시 형태에서, 픽셀 정의층(4)의 개구(401)는 육각형 또는 기타 다른 다각형 구조일 수 있다. 제1 전극(31)도, 다각형 구조일 수도 있고, 또한 개구(401)의 형상과 동일할 수도 있으며, 물론 제1 전극(31)은 기타 다른 형상일 수도 있다. 구체적으로, 도 5 및 도 6에 도시한 제1 표시 패널을 참조할 수 있다.

도 12 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 픽셀 정의층(4)은 분리 영역(201)에 대응하는 영역에 픽셀 정의홈(41)이 형성되어 있다.

상기의 픽셀 정의층(4)에 있어서, 픽셀 정의홈(41)의 중앙부는 기판(1)에서 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 제1 돌기(42)를 구비할 수 있다. 제1 돌기(42)의 측벽과 픽셀 정의홈(41)의 측벽 사이에는 서브 홈(40)이 형성되어 있다. 픽셀 정의홈(41)의 중앙부가 편평한 경우에 비하여, 제1 돌기(42)는 픽셀 정의홈(41)의 중앙부의 형태를 더 복잡하게 할 수 있으므로, 상부의 발광 기능층(5)의 전하 발생층 또는 기타 다른 필름층을 차단하는데 유리하며, 이에 따라 인접하는 발광 소자 사이의 크로스 토크를 방지한다. 또한, 픽셀 정의홈(41)의 충분한 깊이를 확보하는 것을 통하여 상부의 일부의 필름층을 차단하기 위하여, 픽셀 정의홈(41)의 중앙부를 분리 영역(201) 내에 위치시켜, 즉 기판(1)에서 떨어진 제1 절연층(2)의 표면 중 기판(1)에 접근하는 일 측에, 기판(1)으로부터 가장 가까운 픽셀 정의홈(41)의 하나 또는 복수의 지점을 위치시킬 수 있다. 이에 대응하여, 서브 홈(40)의 중앙부는 분리 영역(201) 내에 위치한다.

픽셀 정의층(4) 및 이의 픽셀 정의홈(41)의 상세한 구조는 상기의 제3 표시 패널의 실시 형태를 참조할 수 있으므로, 여기서는 자세한 설명을 생략한다.

도 12 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 발광 기능층(5)은 연속되는 필름층일 수 있고, 또한 적어도 일부가 각 제1 전극(31)의 중간부(310)를 덮고, 즉 개구(401)에 의해 노출된 영역을 덮는다. 동시에, 발광 기능층(5)은 픽셀 정의층(4)과 픽셀 정의층(4) 및 제1 전극(31)에 의해 덮여 있지 않은 제1 절연층(2)의 영역도 덮는다. 증착 또는 기타 다른 프로세스를 통하여 발광 기능층(5)을 형성하는 경우, 발광 기능층(5)은 픽셀 정의홈(41)에 대응하는 영역에서 기판(1)과 접근하는 방향을 향하여 함몰된다.

본 발명의 실시 형태에서, 제3 표시 패널의 발광 기능층(5)을 참조하면, 도 10에 나타낸 바와 같이, 발광 기능층(5)은 복수의 발광유닛층(501)을 포함하고, 각 발광유닛층(501)에서의 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층의 분포 방식이 동일하다. 동시에, 인접하는 2개의 발광유닛층(501) 사이에는 전하 발생층(502)이 설치되어 있으므로, 전하 발생층(502)에 의해 각 발광유닛층(501)을 직렬로 연결시켜 직렬형 OLED 발광 소자를 형성한다.

본 발명의 다른 일부 실시 형태에서, 발광 기능층(5)은 하나의 발광유닛층을 포함한다. 발광유닛층은 기판(1)에서 멀어지는 방향을 따라서 제1 전극(31)으로부터 순차적으로 적층된 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함한다.

전하 발생층(502)은 픽셀 정의홈(41)의 서브 홈(40)의 측벽을 덮기 어렵기 때문에, 픽셀 정의홈(41)을 통하여 발광 소자의 전하 발생층(502)을 차단할 수 있고, 인접하는 2개의 발광 소자 사이의 크로스 토크를 피면할 수 있다. 물론, 픽셀 정의홈(41)은 정공 주입층 또는 기타 다른 필름층을 차단할 수 있으므로, 마찬가지로 크로스 토크를 방지할 수 있다.

도 12 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 제2 전극(6)은 발광 기능층(5)을 덮고, 또한 오목부(61) 및 오목부(61)에 의해 분리된 복수의 평탄부(62)를 포함한다. 제1 절연층(2) 상의 각 평탄부(62)의 정투영은 1 대 1로 대응되게 각 제1 전극(31) 내에 위치한다. 오목부(61)는 기판(1)과 접근하는 평탄부(62)의 측면을 향하여 함몰된다. 제1 절연층(2) 상의 오목부(61)의 정투영은, 적어도 일부가 제1 전극(31)의 밖에 위치한다. 오목부(61)의 중앙부는 제2 돌기(600)를 구비한다. 제2 돌기(600)의 측면과 오목부(61)의 측면 사이에는 서브 오목(610)이 형성되어 있다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 제1 절연층(2)의 오목부(61)의 정투영은, 적어도 일부가 픽셀 정의홈(41) 내에 위치한다. 또한, 제1 돌기(42)에 대응하는 오목부(61)의 중앙부는 제2 돌기(600)를 구비한다. 제2 돌기(600)의 측면과 오목부(61)의 측면 사이에는 서브 오목(610)이 형성되어 있다. 기판(1)으로부터 가장 가까운 서브 오목(610)의 지점은 제1 절연층(2) 상의 정투영에서 서브 홈(40) 내에 위치한다.

각 평탄부(62)는 어레이 형태로 분포되고, 또한 각 제1 전극(31)의 중간부(310)와 1 대 1로 대응되게 설치된다. 즉, 제1 절연층(2) 상의 각 평탄부(62)의 정투영은 1 대 1로 대응되게 각 제1 전극(31) 내에 위치한다. 평탄부(62)는 중간부(310)에 평행되거나 대략 평행된다.

오목부(61)는 중간부(310)에 의해 덮여 있지 않은 제1 절연층(2) 영역에 대응되고, 평탄부(62)를 분리하는데 사용된다. 오목부(61)는 기판(1)에 접근하는 평탄부(62)의 일측을 향하여 함몰된다. 오목부(61)는 링 구조이고, 또한 이의 수량은 복수개이다. 각 오목부(61)는 1 대 1로 대응되게 각 평탄부(62)를 둘러싼다. 즉, 오목부(61)는 인접하는 2개의 평탄부(62)의 천이 영역이다.

기판(1)의 오목부(61)의 정투영은, 적어도 일부가 제1 전극(31)의 중간부(310)의 밖에 위치함으로써, 두께의 두꺼운 중간부(310)와 직접 마주하지 않고, 제1 전극(31) 이외의 영역 또는 두께의 얇은 에지부(311)에 직접 마주하기 때문에, 오목부(61)와 제1 전극(31) 사이의 선단 방전 및 단락의 리스크를 저감할 수 있고, 발광 소자의 발광 안정성을 향상시킬 수 있다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 기판(1)에 수직되는 단면에 있어서 제1 절연층(2) 상의 오목부(61)의 최저 지점의 정투영은, 중간부(310)의 밖에 위치한다. 예를 들어, 당해 최저 지점은 중간부(310)와의 사이의 선단 방전을 방지하기 위하여, 경사부(3111) 및 평탄부(3110) 중의 하나와 대응된다. 기판(1)에 수직되는 단면에서의 오목부(61)의 최저 지점은, 기판(1)에 수직되는 단면에 있어서 제1 전극(31)으로부터 가장 가까운 오목부(61)의 지점이고, 즉 평탄부(62)와 가장 먼 지점이다.

또한, 기판(1)에 수직되는 단면에서의 오목부(61)의 수량은 복수개일 수 있고, 부동한 단면에서의 최저 지점은 다를 수 있다. 예를 들어, 최저 지점은, 깊이 방향에서 제1 전극(31)의 중간부(310)와 가장 가까운 지점일 수 있고, 깊이 방향에서의 다른 지점일 수도 있고, 구체적으로 기판(1)에 수직되는 단면의 위치에 의해 결정된다.

도 12 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일부 실시 형태에서, 오목부(61)는 두 개의 측면을 구비하며, 제1 측면(611), 제2 측면(612) 및 제2 돌기(600)를 포함한다. 여기서, 제1 측면(611) 및 제2 측면(612)은 대향하게 설치되는 동시에, 제2 돌기(600)의 양측에 연결된다. 동시에, 제1 측면(611) 및 제2 측면(612)은 기판(1)에 접근하는 방향을 향하여 축소되도록 연장될 수 있다. 제1 측면(611) 및 제2 측면(612)은 곡면 또는 평면일 수 있지만, 여기서는 특별히 한정하지 않는다.

제2 돌기(600)는 기판(1)으로부터 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 곡면일 수 있다. 본 발명의 일부 실시 형태에서, 오목부(61)의 제2 돌기(600)는 제1 경사면(6131), 제2 경사면(6132) 및 연결면(6133)을 포함한다. 여기서, 제1 경사면(6131) 및 제2 경사면(6132)은 모두 곡면 또는 평면일 수도 있다. 연결면(6133)은 제1 측면(611) 및 제2 측면(612)의 저변(底邊)에서 기판(1)과 떨어진 일측에 위치한다. 연결면(6133)은 제1 경사면(6131)과 제2 경사면(6132) 사이에 연결된다. 제1 경사면(6131)은 제1 측면(611)의 저변에 연결되고, 하나의 서브 오목(610)을 형성한다. 제2 경사면(6132)은 제2 측면(612)의 저변에 연결되고, 다른 하나의 서브 오목(610)을 형성한다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 중간부(310)에 대한 제1 경사면(6131)의 기울기는, 중간부(310)에 대한 제1 측면(611)의 기울기보다 작지 않다. 동시에, 중간부(310)에 대한 제2 경사면(6132)의 기울기는, 중간부(310)에 대한 제2 측면(612)의 기울기보다 작지 않다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 제1 측면(611) 및 제2 측면(612)에 대응하는 제2 전극(6)의 영역의 최소 두께는, 제1 경사면(6131) 및 제2 경사면(6132)에 대응하는 제2 전극(6)의 영역의 최소 두께보다 크다.

또한, 도 12 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일부 실시 형태에서, 오목부(61)의 깊이는 제2 전극(6)의 최대 두께의 2배보다 작다. 예를 들어, 제2 전극(6)의 최대 두께는 90nm이고 오목부(61)의 깊이는 180nm보다 작고, 예를 들어, 120 nm, 100 nm, 80 nm, 70 nm, 60 nm, 50 nm, 40 nm 등이다. 오목부(61)의 깊이는 오목부(61)의 최대 깊이를 의미한다. 즉, 기판(1)에 수직되는 방향에서, 기판(1)으로부터 가장 가까운 오목부(61)의 지점과 기판(1)에서 떨어진 평탄부(62)의 표면 사이의 거리를 의미한다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 도 12 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 제1 절연층(2) 상의 각 오목부(61)의 정투영은, 하나의 제1 전극(31)의 중간부(310)의 밖을 둘러싼다. 인접하는 제1 전극(31)의 중간부(310)와 오목부(61)의 제2 돌기(600) 사이의 거리의 최소값(기판(1)에 수직되는 방향에서, 중간부(310)로부터 가장 가까운 오목부(61)의 지점과 중간부(310) 사이의 거리)은 평탄부(62)와 발광 기능층(5)의 두께의 합의 70% 이상이다. 평탄부(62)와 발광 기능층(5)의 두께의 합은 평탄부(62)와 발광 기능층(5)의 두께의 합이다. 예를 들어, 평탄부(62)와 발광 기능층(5)의 두께의 합이 약 365nm일 경우, 기판(1)에 수직되는 방향에서, 인접하는 제1 전극(31)의 중간부(310)와 오목부(61)의 중앙부 사이의 거리 최소값은 최대 약 255nm이다.

또한, 인접하는 제1 전극(31)의 중간부(310)와 오목부(61)의 중앙부 사이의 거리의 최대값(기판(1)에 수직되는 방향에서, 중간부(310)와 가장 가까운 오목부(61)의 지점과 중간부(310) 사이의 거리)은 최대 400nm 이상이며, 또한 이 최대값은 450nm 이하이다.

도 12 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 일부 실시 형태에서, 픽셀 정의층(4)은 이격부(400) 및 연장부(410)를 포함할 수 있다. 여기서, 이격부(400)는 제1 전극(31)에 의해 덮여 있지 않은 제1 절연층(2)의 영역에 위치하고, 즉 제1 전극(31) 이외의 영역에 위치한다. 픽셀 정의홈(41)은 이격부(400)에 설치된다. 연장부(410)는 이격부(400)에 연결되고, 기판(1)에서 떨어진 제1 전극(31)의 표면까지 연장하고, 제1 전극(31)을 완전히 덮지 않는다. 예를 들어, 연장부(410)는 제1 전극(31)의 원주 방향을 따라서 기판(1)에서 떨어진 중간부(310)의 원주 방향 표면까지 연장되되, 중간부(310)를 완전히 덮지 않는다.

연장부(410)가 제1 전극(31)의 경계를 덮기 때문에, 연장부(410)에 대응하는 제2 전극(6)의 영역은 기판(1)과 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 돌출부(63)를 더 구비한다. 평탄부(62)는 돌출부(63)를 통하여 오목부(61)에 연결된다. 기판(1) 상의 돌출부(63)의 정투영 및 기판(1) 상의 연장부(410)의 정투영은 적어도 부분적으로 중첩된다.

인접하는 2개의 제1 전극(31)의 두께가 부동하게 되면, 기판(1)에서 떨어진 상기 2개의 제1 전극(31)의 연장부(410)의 표면과 기판(1) 사이의 거리가 달라진다. 오목부(61)의 양측에 연결되는 2개의 돌출부(63)에 있어서, 기판(1)으로부터 가장 먼 하나의 돌출부(63)의 지점과 기판(1) 사이의 거리는 기판(1)으로부터 가장 먼 다른 하나의 돌출부(63)의 지점과 기판(1) 사이의 거리와 부동하다.

또한, 도 12 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 이 표시 패널은 제1 봉지층(13), 컬러 필터층(14), 제2 봉지층(15) 및 투명 커버 플레이트(16)를 더 포함할 수 있다.

여기서, 제1 봉지층(13)은 제2 전극(6)을 덮을 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(13)은 2개의 무기층과 2개의 무기층 사이에 위치하는 유기층을 포함할 수 있다.

본 발명의 일부 실시 형태에서, 제1 봉지층(13)은 오목부(61)에 대응하는 영역이 함몰됨으로써 피트(1301)를 형성할 수 있다. 물론, 제1 봉지층(13)의 두께가 두꺼울 경우, 기판(1)에서 떨어진 제1 봉지층(13)의 표면은 대략 평탄된 상태를 유지할 수 있다.

컬러 필터층(14)은, 제2 전극(6)에서 떨어진 제1 봉지층(13)의 일측에 설치되어 있다. 또한, 컬러 필터층(14)은 각 제1 전극(31)과 1 대 1로 대응하는 필터 영역을 포함한다. 필터 영역의 컬러는 예를 들어, 적색, 청색 및 녹색 등이 있다.

제2 봉지층(15)은 컬러 필터층(14)을 덮을 수 있으며, 이의 구조는 제1 봉지층(13)의 구조와 같을 수 있다.

투명 커버 플레이트(16)는 제2 봉지층(15)을 덮을 수 있으며, 이의 재료는 유리 또는 기타 다른 재료일 수 있다.

또한, 본 발명의 일부 실시 형태에서, 도 12 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 제4 표시 패널은 광 추출층(17)을 더 포함할 수 있다. 광 추출층(17)은 기판(1)에서 떨어진 제2 전극(6)의 표면에 덮어지고, 또한 오목부(61)에 대응하는 영역에서 함몰된다. 제1 봉지층(13)은 기판(1)에서 떨어진 광 추출층(17)의 일측에 설치되어 있다. 광 추출층(17)의 굴절률은 제2 전극(6)의 굴절률보다 크게 형성되기 때문에 출광 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 광 추출층(17)의 굴절률이 높을수록 출광 효율이 높아진다. 상기 어느 한 항에 기재된 표시 패널에 있어서, 상기 피트의 2개의 측벽은 상기 기판에 접근하는 방향으로 축소되도록 연장되는 동시에 연결된다.

본 발명의 실시예에 따르면, 표시 패널의 제조 방법이 또한, 제공된다. 이 표시 패널은 상기의 제1 표시 패널일 수 있다. 도 14에 나타낸 바와 같이, 이 제조 방법은 단계 S110 ~ 단계 S160을 포함한다.

여기서, 단계 S110에 있어서, 기판의 일측에 제1 절연층을 형성한다.

단계 S120에 있어서, 상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에, 어레이 형태로 분포된 복수의 픽셀 영역을 분할하도록 복수의 분리홈을 형성한다.

단계 S130에 있어서, 상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에, 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전극층을 형성하고, 상기 제1 절연층 상의 상기 각 제1 전극의 정투영은 1 대 1로 대응되게 상기 각 픽셀 영역 내에 위치하며, 상기 제1 전극은 평탄한 중간부 및 상기 중간부를 둘러싸는 에지부를 포함하고, 상기 에지부는 상기 중간부분을 둘러싸는 평탄부 및 상기 중간부와 상기 평탄부 사이에 연결되는 경사부를 포함하고, 상기 평탄부의 두께는 상기 중간부의 두께보다 작다.

단계 S140에 있어서, 상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 픽셀 정의층을 형성하고, 상기 픽셀 정의층은 상기 중간부의 적어도 일부 영역을 노출시킨다.

단계 S150에 있어서, 발광 기능층을 형성하고, 상기 발광 기능층은 상기 픽셀 정의층 및 상기 픽셀 정의층에 의해 노출된 상기 중간부와 상기 제1 절연층을 덮는다.

단계 S160에 있어서, 상기 발광 기능층을 덮는 제2 전극을 형성한다.

본 발명의 실시 형태의 제조 방법의 각 층의 구조에 대한 설명과 유익한 효과는 상기 제1 표시 패널의 실시 형태에서 설명되었으므로, 여기서는 상세한 설명을 생략한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 표시 패널의 제조 방법이 더 제공된다. 상기 표시 패널은 상기의 제1 표시 패널일 수 있다. 도 15에 나타낸 바와 같이, 상기 제조 방법은 단계 S210 ~ 단계 S250을 포함한다.

여기서, 단계 S210에 있어서, 기판의 일측에 제1 절연층을 형성한다.

단계 S220에 있어서, 상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에, 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전극층 및 분리홈을 형성하고, 상기 제1 전극은 평탄한 중간부 및 상기 중간부를 둘러싼 에지부를 포함하고, 상기 에지부는 상기 중간부분을 둘러싸는 평탄부 및 상기 중간부와 상기 평탄부 사이에 연결되는 경사부를 포함하고, 상기 평탄부의 두께는 상기 중간부의 두께보다 작고, 상기 분리홈은 상기 제1 절연층에서 어레이 형태로 분포된 복수의 픽셀 영역을 분할하고, 상기 제1 절연층 상의 상기 각 제1 전극의 정투영은 1 대 1로 대응되게 상기 각 픽셀 영역에 위치한다.

단계 S230에 있어서, 상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 픽셀 정의층을 형성하고, 상기 픽셀 정의층은 상기 중간부의 적어도 일부 영역을 노출시킨다.

단계 S240에 있어서, 발광 기능층을 형성하고, 상기 발광 기능층은 상기 픽셀 정의층과 상기 픽셀 정의층에 의해 노출된 상기 중간부 및 상기 제1 절연층을 덮는다.

단계 S250에 있어서, 상기 발광 기능층을 덮는 제2 전극을 형성한다.

본 실시 형태의 제조 방법은, 기판에서 떨어진 제1 절연층의 표면에 먼저 도전층을 형성할 수 있고, 1회의 그레이 스케일 마스크 공정을 통하여 도전층을 패턴화하여 제1 전극층을 얻고, 동시에, 당해 1회의 그레이 스케일 마스크 공정을 통하여 분리홈도 함께 형성할 수 있다. 2회의 마스킹 공정을 통하여 제1 전극층 및 분리홈을 별도로 형성하는 방식에 비하여, 표시 패널의 제조 공정을 간소화할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 표시 패널의 제조 방법이 더 제공된다. 상기 표시 패널은 상기의 제2 표시 패널일 수 있다. 도 16에 나타낸 바와 같이, 상기 제조 방법은 단계 S310 ~ 단계 S340을 포함한다.

여기서, 단계 S310에 있어서, 기판의 일측에 제1 절연층을 형성한다.

단계 S320에 있어서, 상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전극층을 형성하고, 상기 제1 전극은 평탄한 중간부 및 상기 중간부 둘러싸는 에지부를 포함하고, 상기 에지부는 상기 중간부를 둘러싸는 평탄부 및 상기 중간부와 상기 평탄부 사이에 연결되는 경사부를 포함하고, 상기 평탄부의 두께는 상기 중간부의 두께보다 작다.

단계 S330에 있어서, 상기 중간부의 적어도 일부 영역을 덮는 발광 기능층을 형성한다.

단계 S340에 있어서, 상기 발광 기능층을 덮는 제2 전극을 형성하고, 상기 제2 전극은 오목부 및 상기 오목부에 의해 분리된 복수의 평탄부를 포함하고, 상기 제1 절연층 상의 상기 각 평탄부의 정투영은 1 대 1로 대응되게 상기 각 제1 전극 내에 위치하고, 상기 오목부는 상기 기판에 접근하는 상기 평탄부의 일측을 향하여 함몰되며, 상기 제1 절연층 상의 상기 오목부의 정투영은 적어도 일부가 상기 중간부의 밖에 위치한다.

본 발명의 실시예의 제조 방법의 각 층의 구조에 대한 설명과 유익한 효과는 상기 제2 표시 패널의 실시 형태에서 설명되었으므로, 여기서는 상세한 설명을 생략한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 표시 패널의 제조 방법이 더 제공된다. 상기 표시 패널은 상기의 제3 표시 패널일 수 있다. 도 17에 나타낸 바와 같이, 표시 패널의 제조 방법은 단계 S410 ~ 단계 S450을 포함한다.

여기서, 단계 S410에 있어서, 기판의 일측에 제1 절연층을 형성하고, 상기 제1 절연층은 어레이 형태로 분포된 복수의 픽셀 영역 및 상기 픽셀 영역을 분리하는 분리 영역을 구비한다.

단계 S420에 있어서, 상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전극층을 형성하고, 상기 제1 절연층 상의 상기 각 제1 전극의 정투영은 상기 각 픽셀 영역 내에 위치한다.

단계 S430에 있어서, 상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 픽셀 정의층을 형성하고, 또한 상기 각 제1 전극을 노출시키며, 상기 픽셀 정의층은 상기 분리 영역에 대응하는 영역에 픽셀 정의홈이 형성되고, 상기 픽셀 정의홈의 중앙부는 상기 기판으로부터 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 제1 돌기를 구비하며, 상기 제1 돌기의 측벽과 상기 픽셀 정의홈의 측벽 사이에 서브 홈이 형성된다.

단계 S440에 있어서, 발광 기능층을 형성하고, 상기 발광 기능층은 상기 픽셀 정의층 및 상기 픽셀 정의층에 의해 노출된 상기 제1 전극을 덮는다.

단계 S450에 있어서, 상기 발광 기능층을 덮는 제2 전극을 형성한다.

본 발명의 실시예의 제조 방법의 각 층의 구조에 대한 설명과 유익한 효과는 상기의 제3 표시 패널의 실시 형태에서 설명되었으므로, 여기서는 상세한 설명을 생략한다.

본 발명의 실시예에 따르면, 표시 패널의 제조 방법이 더 제공된다. 상기 표시 패널은 상기의 제4 표시 패널일 수 있다. 도 18에 도시한 바와 같이, 표시 패널의 제조 방법은 단계 S510 ~ 단계 S550을 포함한다.

여기서, 단계 S510에 있어서, 기판의 일측에 제1 절연층을 형성한다.

단계 S520에 있어서, 상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 제1 전극층을 형성하고, 상기 제1 전극층은 복수의 제1 전극을 포함한다.

단계 S530에 있어서, 상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 픽셀 정의층을 형성하고, 상기 픽셀 정의층은 상기 각 제1 전극을 노출시킨다.

단계 S540에 있어서, 발광 기능층을 형성하고, 상기 발광 기능층은 상기 픽셀 정의층 및 상기 픽셀 정의층에 의해 노출된 상기 제1 전극을 덮는다.

단계 S550에 있어서, 상기 발광 기능층을 덮는 제2 전극을 형성하고, 상기 제2 전극은 오목부 및 상기 오목부에 의해 분리된 복수의 평탄부를 포함하고, 상기 제1 절연층 상의 상기 각 평탄부의 정투영은 상기 각 제1 전극 내에 위치하고, 상기 오목부의 적어도 일부 영역은 상기 평탄부의 상기 기판에 접근하는 일측을 향하여 함몰되며, 상기 제1 절연층 상의 상기 오목부의 정투영은 적어도 일부가 상기 제1 전극의 밖에 위치하고, 상기 오목부의 중앙부는 제2 돌기를 구비하며, 상기 제2 돌기의 측면과 상기 오목부의 측면 사이에 서브 오목이 형성된다.

본 발명의 실시예의 제조 방법의 각 층의 구조에 대한 설명과 유익한 효과는 상기의 제4 표시 패널의 실시 형태에서 설명되었으므로, 여기서는 상세한 설명을 생략한다.

또한, 도면에 있어서, 본 발명의 제조 방법의 다양한 단계는 특정된 순서로 설명되었지만, 이것은 희망하는 결과를 달성하기 위하여, 이러한 단계가 당해 특정된 순서로 실행되어야 하는 것, 또는 표시된 모든 단계가 실행되어야 한다는 것을 필요로 하지 아니하고, 또는 암시하지 않는다. 추가적인 또는 대체적으로, 몇개의 단계를 생략하거나 복수의 단계를 조합하여 하나의 단계로 실행하고, 및/또는 하나의 단계를 복수의 단계로 분해하여 수행하거나 할 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 표시 장치가 더 제공된다. 상기 표시 장치는 상기의 제1 표시 패널, 제2 표시 패널, 제3 표시 패널 및 제4 표시 패널의 다양한 실시 형태의 어느 하나를 포함할 수 있고, 구체적인 구조 및 유익한 효과에 관하여, 상기의 실시 형태를 참조할 수 있으므로, 여기서는 자세한 설명을 생략한다. 본 발명의 표시 장치는 휴대 전화, 태블릿 PC, TV 등의 전자 장치에 사용할 수 있으며, 여기서는 일일이 열거하지 않는다.

당업자는 명세서에 대한 이해 및 명세서에 기재된 발명에 대한 실시를 통하여, 본 발명의 다른 실시예를 용이하게 얻을 수 있다. 본 발명은, 본 발명에 대한 임의의 변형, 용도 또는 적응적인 변화를 포함하고, 이러한 변형, 용도 또는 적응적 변화는 본 발명의 일반적인 원리에 따르고, 본 발명에서 공개되지 않은 본 기술 분야의 공지 기술 또는 통상의 기술 수단을 포함한다. 명세서 및 실시예는 단지 예시적인 것일 뿐, 본 발명의 진정한 범위와 취지는 다음의 특허 청구 범위에 의해 표시된다.

1 기판, 101 활성 영역, 1011 소스 전극, 1012 드레인 전극, 2 평탄층, 201 분리홈, 2011 측벽, 2012 바닥벽, 202 픽셀 영역, 3 제1 전극층, 31 제1 전극, 310 중간부, 311 에지부, 3110 평탄부, 3111 경사부, 320 제1 도전층, 321 제2 도전층, 322 제3 도전층, 4 픽셀 정의층, 401 개구, 41 픽셀 정의홈, 42 제1 돌기, 40 서브 홈, 400 이격부, 410 연장부, 5 발광 기능층, 501 발광유닛층, 502 전하 발생층, 6 제2 전극, 61 오목부, 611 제1 측면, 612 제2 측면, 613 바닥면, 6131 제1 경사면, 6132 제2 경사면, 6133 연결면, 600 제2 돌기, 62 평탄부, 63 돌출부, 7 게이트 절연층, 8 게이트 전극, 9 제2 절연층, 10 제1 배선층, 11 제3 절연층, 12 제2 배선층, 13 제1 봉지층, 1301 피트, 14 컬러 필터층, 15 제2 봉지층, 16 투명 커버 플레이트, 17 광 추출층.

Claims (22)

1. 표시 패널에 있어서,
   기판;
   상기 기판의 일측에 설치되는 제1 절연층;
   상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 형성되고, 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전극층;
   상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 형성되고, 상기 각 제1 전극을 노출시키는 픽셀 정의층;
   상기 픽셀 정의층 및 상기 픽셀 정의층에 의해 노출된 상기 제1 전극을 덮는 발광 기능층; 및
   상기 발광 기능층을 덮는 제2 전극을 포함하고,
   상기 제1 절연층은 어레이 형태로 분포된 복수의 픽셀 영역 및 상기 픽셀 영역을 분리하는 분리 영역을 구비하고,
   상기 제1 절연층 상의 상기 각 제1 전극의 정투영은 상기 각 픽셀 영역에 위치하며,
   상기 픽셀 정의층은, 상기 분리 영역에 대응하는 영역에 픽셀 정의홈이 형성되고,
   상기 픽셀 정의홈의 중앙부는 상기 기판으로부터 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 제1 돌기를 구비하며,
   상기 제1 돌기의 측벽과 상기 픽셀 정의홈의 측벽 사이에 서브 홈이 형성되는
   표시 패널.
2. 제1항에 있어서,
   상기 제1 돌기의 2개의 측벽은 상기 기판을 향하여 확장되는 경사면이고,
   상기 픽셀 정의홈의 2개의 측벽은 상기 기판을 향하여 축소되는 경사면인
   표시 패널.
3. 제1항에 있어서,
   상기 제1 돌기의 측벽의 기울기는 상기 픽셀 정의홈의 측벽의 기울기와 다른
   표시 패널.
4. 제1항에 있어서,
   상기 제1 돌기의 두께는 상기 픽셀 정의홈의 깊이보다 작은
   표시 패널.
5. 제1항에 있어서,
   상기 제1 절연층 상의 상기 픽셀 정의홈의 중앙부의 정투영은, 상기 분리 영역 내에 위치하는
   표시 패널.
6. 제1항에 있어서,
   상기 픽셀 정의층은 이격부 및 연장부를 포함하고,
   상기 이격부는 상기 제1 전극 이외의 영역에 위치하고, 상기 픽셀 정의홈이 상기 이격부에 설치되며,
   상기 연장부는 상기 이격부에 연결되고, 상기 기판에서 떨어진 상기 제1 전극의 표면까지 연장하는 동시에 상기 제1 전극을 완전히 덮지 않는
   표시 패널.
7. 제6항에 있어서,
   임의의 하나의 상기 제1 전극을 덮는 연장부의 폭은, 인접하는 2개의 상기 제1 전극 사이에 위치하는 이격부의 폭보다 작은
   표시 패널.
8. 제1항에 있어서,
   적어도 2개의 상기 제1 전극의 두께가 다른
   표시 패널.
9. 제1항에 있어서,
   상기 픽셀 정의홈의 최대 깊이는 상기 발광 기능층과 상기 제1 전극의 두께의 합의 60%보다 크지 않은
   표시 패널.
10. 표시 패널에 있어서,
    기판;
    상기 기판의 일측에 설치되는 제1 절연층;
    상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 형성되고, 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전극층;
    상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 형성되고, 상기 각 제1 전극을 노출시키는 픽셀 정의층;
    상기 픽셀 정의층 및 상기 픽셀 정의층에 의해 노출된 상기 제1 전극을 덮는 발광 기능층; 및
    상기 발광 기능층을 덮고, 오목부 및 상기 오목부에 의해 분리된 복수의 평탄부를 포함하는 제2 전극을 포함하고,
    상기 제1 절연층 상의 상기 각 평탄부의 정투영은 상기 각 제1 전극 내에 위치하고,
    상기 오목부의 적어도 일부 영역은 상기 기판에 접근하는 상기 평탄부의 일측을 향하여 함몰되며,
    상기 제1 절연층 상의 상기 오목부의 정투영은, 적어도 일부가 상기 제1 전극의 밖에 위치하고,
    상기 오목부의 중앙부는 제2 돌기를 구비하며,
    상기 제2 돌기의 측면과 상기 오목부의 측면 사이에 서브 오목이 형성되는
    표시 패널.
11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 절연층은,
    어레이 형태로 분포된 복수의 픽셀 영역; 및
    상기 픽셀 영역을 분리하는 분리 영역을 구비하고,
    상기 제1 절연층 상의 상기 각 제1 전극의 정투영은, 상기 각 제1 전극에 위치하고,
    상기 픽셀 정의층은 상기 각 제1 전극을 노출시키고, 상기 분리 영역에 대응하는 영역에 픽셀 정의홈이 형성되며,
    상기 픽셀 정의홈의 중앙부는 상기 기판에서 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 제1 돌기를 구비하고,
    상기 제1 돌기의 측벽과 상기 픽셀 정의홈의 측벽 사이에 서브 홈이 형성되며,
    상기 제1 절연층 상의 상기 오목부의 정투영은, 적어도 일부가 상기 픽셀 정의홈 내에 위치하는
    표시 패널.
12. 제11항에 있어서,
    상기 기판으로부터 가장 가까운 상기 서브 오목의 지점은, 상기 제1 절연층 상의 정투영에서 상기 서브 홈 내에 위치하는
    표시 패널.
13. 제11항에 있어서,
    상기 오목부는 제1 측면 및 제2 측면을 포함하고,
    상기 제1 측면 및 제2 측면은 대향되게 상기 제2 돌기의 양측에 연결되며,
    상기 제1 측면 및 제2 측면은 상기 기판을 향하여 축소되는
    표시 패널.
14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 돌기는 제1 경사면, 제2 경사면 및 상기 제1 경사면과 상기 제2 경사면 사이에 연결되는 연결면을 포함하고,
    상기 연결면은, 상기 제1 측면 및 상기 제2 측면의 저변(底邊)에서 상기 기판에서 떨어진 일측에 위치하며,
    상기 제1 경사면은 상기 제1 측면의 저변에 연결되고,
    상기 제2 경사면은 상기 제2 측면의 저변에 연결되는
    표시 패널.
15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 측면 및 상기 제2 측면에 대응되는 상기 제2 전극의 영역의 최소 두께는, 상기 제1 경사면 및 상기 제2 경사면에 대응하는 상기 제2 전극 영역의 최소 두께보다 큰
    표시 패널.
16. 제11항에 있어서,
    상기 픽셀 정의층은 이격부 및 연장부를 포함하고,
    상기 이격부는 상기 제1 전극 이외의 영역에 위치하고, 상기 픽셀 정의홈의 적어도 일부가 상기 이격부에 설치되고,
    상기 연장부는 상기 이격부에 연결되고, 상기 기판에서 떨어진 상기 제1 전극의 표면까지 연장하는 동시에 상기 제1 전극을 완전히 덮지 않으며,
    상기 제2 전극은 상기 기판에서 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 돌출부를 더 구비하고,
    상기 평탄부는 상기 돌출부를 통하여 상기 오목부에 연결되며,
    상기 기판 상의 상기 돌출부의 정투영과 상기 기판 상의 상기 연장부의 정투영은 적어도 부분적으로 중첩되는
    표시 패널.
17. 제16항에 있어서,
    상기 오목부의 양측에 연결되는 2개의 상기 돌출부 중, 상기 기판으로부터 가장 먼 하나의 상기 돌출부의 지점과 상기 기판 사이의 거리는 상기 기판으로부터 가장 먼 다른 하나의 상기 돌출부의 지점과 상기 기판 사이의 거리와 다른
    표시 패널.
18. 제10항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    상기 제2 전극을 덮고, 상기 오목부에 대응하는 영역에 피트를 형성하는 제1 봉지층을 더 포함하는
    표시 패널.
19. 제18항에 있어서,
    상기 피트의 2개의 측벽은 상기 기판에 접근하는 방향을 향하여 축소되고 연결되는
    표시 패널.
20. 표시 패널의 제조 방법에 있어서,
    기판의 일측에 제1 절연층을 형성하는 단계;
    상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에, 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전극층을 형성하는 단계;
    상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에 픽셀 정의층을 형성하고, 상기 각 제1 전극을 노출시키는 단계;
    발광 기능층을 형성하는 단계; 및
    상기 발광 기능층을 덮는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 절연층은 어레이 형태로 분포된 복수의 픽셀 영역 및 상기 픽셀 영역을 분리하는 분리 영역을 구비하고,
    상기 제1 절연층 상의 상기 각 제1 전극의 정투영은 상기 각 픽셀 영역 내에 위치하며,
    상기 픽셀 정의층은, 상기 분리 영역에 대응하는 영역에 픽셀 정의홈이 형성되고,
    상기 픽셀 정의홈의 중앙부는 상기 기판에서 멀어지는 방향을 향하여 돌출된 제1 돌기를 구비하며,
    상기 제1 돌기의 측벽과 상기 픽셀 정의홈의 측벽 사이에 서브 홈이 형성되고,
    상기 발광 기능층은 상기 픽셀 정의층 및 상기 픽셀 정의층에 의해 노출된 상기 제1 전극을 덮는
    표시 패널의 제조 방법.
21. 표시 패널의 제조 방법에 있어서,
    기판의 일측에 제1 절연층을 형성하는 단계;
    상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에, 복수의 제1 전극을 포함하는 제1 전극층을 형성하는 단계;
    상기 기판에서 떨어진 상기 제1 절연층의 표면에, 상기 각 제1 전극을 노출시키는 픽셀 정의층을 형성하는 단계;
    발광 기능층을 형성하는 단계; 및
    상기 발광 기능층을 덮는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 발광 기능층은 상기 픽셀 정의층 및 상기 픽셀 정의층에 의해 노출된 상기 제1 전극을 덮으며,
    상기 제2 전극은 오목부 및 상기 오목부에 의해 분리된 복수의 평탄부를 포함하고,
    상기 제1 절연층 상의 상기 각 평탄부의 정투영은 상기 각 제1 전극 내에 위치하며,
    상기 오목부의 적어도 일부 영역은 상기 기판에 접근하는 상기 평탄부의 일측을 향하여 함몰되고,
    상기 제1 절연층 상의 상기 오목부의 정투영은, 적어도 일부가 상기 제1 전극의 밖에 위치하며,
    상기 오목부의 중앙부는 제2 돌기를 구비하고,
    상기 제2 돌기의 측면과 상기 오목부의 측면 사이에 서브 오목이 형성되는
    표시 패널의 제조 방법.
22. 제1항 내지 제19항 중 어느 한 항에 기재된 표시 패널을 포함하는
    표시 장치.

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