KR20220123751A - 제어가능한 시야각을 가지는 디스플레이를 위한 서브픽셀 - Google Patents

제어가능한 시야각을 가지는 디스플레이를 위한 서브픽셀 Download PDF

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KR20220123751A
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페드래그 휴스
조셉 오키프
윌리엄 헨리
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메타 플랫폼즈 테크놀로지스, 엘엘씨
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Abstract

LED 디스플레이를 위한 서브픽셀로서, 서브픽셀은 제1 방출 빔 각도를 가지는 제1 발광 장치 및 제2 빔 각도를 가지는 제2 발광 장치를 포함하고, 제2 방출 빔 각도는 제1 방출 빔 각도와는 상이한 서브픽셀. 복수의 서브픽셀을 사용하는 디스플레이도 기술된다.

Description

제어가능한 시야각을 가지는 디스플레이를 위한 서브픽셀{SUB-PIXEL FOR A DISPLAY WITH CONTROLLABLE VIEWING ANGLE}
본 발명은 디스플레이 및 광학적 디스플레이 장치를 위한 픽셀과 서브픽셀에 관한 것이다.
ILED(Inorganic Light Emitting Diode) 디스플레이로 불리는 디스플레이 기술의 카테고리는 잘 알려진 LCD(Liquid Crystal Display) 및 OLED(Organic Light Emitting Diode) 디스플레이의 대안이다. 그 디스플레이 서브픽셀은 ILED 광원에 기반하고 이 클래스의 장치의 모든 장점을 가지므로 ILED 디스플레이는 LCD나 OLED 디스플레이의 많은 부정적인 품질을 가지지 않는다. 이것은 ILED 기술에 내재된 견고성, 긴 수명 및 안정성뿐만 아니라 OLED 타입의 직접 뷰 디스플레이보다 더 나은 성능 특성을 가지는 디스플레이로 이어진다.
ILED 장치는 많은 방법으로 제어 및 구동될 수 있다. 구동 방법의 예시는 장치의 TFT(thin-film technology)를 통합하는 액티브 매트릭스 상의 장착을 포함한다. TFT는 금속 산화물 및 비정질 실리콘 기반 트랜지스터를 포함한다. 이 액티브 매트릭스는 백플레인이라고도 한다. ILED 장치는 현재 구동되며 OLED 타입 TFT 드라이버와 호환된다. 다른 방법은 패시브 매트릭스 드라이버를 사용하거나 모놀리식 구동 회로를 가지는 광원의 패키징을 포함한다.
본 분야의 현재 상태는 단일 디스플레이 픽셀을 형성하기 위한 R, G 및 B 디스플레이 서브픽셀의 배열을 포함한다. ILED 디스플레이를 위한 일반적인 구성에서, R, G 및 B 칩은 함께 패킹되어 디스플레이의 각 픽셀을 위해 필요한 광을 제공한다. 이 예시에서, 각 R, G 및 B 칩은 칩당 한 발광 영역, 보다 일반적으로, 점등하여 발광하는 칩의 전체 활성 영역을 가진다. 이들은 SEC(Single Element Chip)으로 칭해진다.
ILED 장치의 효율적인 성능에서 가장 중요한 점은 LED 물질을 위해 생성된 광의 최대량을 주변으로 추출하는 능력이다. 대부분의 경우, 이것은 무작위 방식으로 장치를 떠나는 광을 초래한다. 이 방식으로 추출된 광은 60°의 반값반폭을 가지는 램버시안 발광 프로필(Lambertian emission profile)을 가지는 것으로 보일 수 있다. 더 좁은 빔 프로필로 광을 효율적으로 추출하는 것도 가능하다. 동일한 예가 US7518149에서 볼 수 있다.
ILED 장치가 ILED 타입 디스플레이에 사용될 때, 디스플레이의 시야각은 ILED 장치의 발광 프로필에 크게 좌우된다. 디스플레이 스택 내의 다양한 층(터치스크린, 원형 편광기, 커버 글래스 등과 같은)은 효과를 가지나 초기 발광각만큼 크지 않을 것이다.
일반적인 디스플레이 제품에서, 매우 좁은 시야각은 바람직하지 않고 많은 단점을 가진다. 예시는 다수의 시청자가 스크린을 동시에 보지 못하는 점과 최적의 위치로 이동하지 않고 스크린을 빠르게 볼 수 없는 점을 포함한다. 좁은 시야각은 프라이버시 디스플레이와 같은 응용례에 유용하다.
상기 이유로, 일반 디스플레이는 넓은 시야각을 가진다. 사실, 넓은 시야각을 가지는 디스플레이는 중요한 판매시 장점으로 간주된다. 하지만, 넓은 각도에 걸쳐 디스플레이에 요구되는 광량은 좁은 시야각을 가진 디스플레이보다 현저히 크다. 사실, 제일 먼저, 시야각은 디스플레이의 전력 소비량과 직접 관련된다. 디스플레이는 전력 소비의 주된 소스이기 때문에, 우수한 디스플레이를 위한 요구 사항은 넓은 시야각과 최소 전력 소비의 상반된 두 요구 사항을 가진다.
디스플레이의 시야각은 가장 중요한 특징 중 하나이다. 넓은 시야각은 대부분의 장치에, 특히 정기적으로 한 명 이상의 사람이 보는 경우 요구된다. 하지만, 넓은 각도에 걸쳐 광을 생성해야 하는 필요성은 증가된 전력 소비로 이어진다.
ILED 디스플레이는 ILED 요소의 어레이로 이루어진다. 디스플레이의 시야각은 ILED 요소의 발광각에 어느 정도 좌우된다. 넓은 시야각은 동일한 광 출력에 대해 좁은 시야각보다 더 큰 전력을 요구한다. 하지만, 좁은 시야각은 상업적으로 덜 매력적이다. 두 개의 다른 발광각을 가진 ILED 요소를 사용함으로써 디스플레이의 시야각은 동적으로 변화할 수 있다. 이것은 상업적으로 매력적인 시야각을 가지고 매우 전력 효율적인 모드로 구동될 수 있는 디스플레이를 위해 제공될 것이다.
제1 측면에 따르면, LED 디스플레이를 위한 서브픽셀로서, 서브픽셀은 제1 방출 빔 각도를 가지는 제1 발광 장치 및 제2 빔 각도를 가지는 제2 발광 장치를 포함하고, 제2 방출 빔 각도는 제1 방출 빔 각도와는 상이한 서브픽셀이 제공된다.
제1 및 제2 발광 장치는 디스플레이의 발광 프로필을 조정하기 위한 선택적 구동을 위해 구성될 수 있다. 디스플레이의 발광 프로필은 디스플레이의 시야각을 포함할 수 있다.
선택사항으로, 제1 및 제2 발광 장치는 LED, 무기 LED 및 유기 LED 중 임의의 것으로부터 선택된다.
선택사항으로, 제1 발광 장치는 제1 단일 요소 칩이고 제2 발광 장치는 제2 단일 요소 칩이다. 대안적으로, 제1 발광 장치는 어드레서블 어레이 칩 상의 제1 어드레서블 어레이 요소이고 제2 발광 장치는 어드레서블 어레이 칩 상의 제2 어드레서블 어레이 요소이다.
선택사항으로, 제1 및 제2 방출 빔 각도는:
코팅;
렌즈;
표면 텍스처;
메사 형상; 및
접점 중 임의의 것에 의하여 결정된다.
선택사항으로, 제1 및 제2 발광 장치 중 임의의 것의 방출 빔 프로필은 비-등방성이다.
제2 측면에 따르면, 제1 측면에 상술된 바와 같은 복수의 서브픽셀을 포함하는 디스플레이가 제공된다.
디스플레이는 선택적으로 디스플레이 상에 오버레이된 변경층을 더 포함하고, 변경층은 복수의 서브픽셀로부터의 광을 변경하도록 배열된다.
디스플레이는 선택적으로 복수의 서브픽셀 중 서브픽셀의 조명을 선택적으로 제어하도록 배열된 제어 장치를 더 포함한다. 제어 시스템은 패시브 매트릭스 및 액티브 매트릭스 중 임의의 것으로부터 선택적으로 선택된다. 제어 시스템은 사용자로부터 디스플레이로부터의 소정의 발광 프로필에 관한 입력을 수신하도록 구성된 사용자 입력 장치를 선택적으로 더 포함한다. 추가 선택사항으로, 제어 시스템은 입력을 수신하도록 구성된 센서를 더 포함하고, 제어 시스템은 센서 입력에 응답하여 디스플레이로부터의 소정의 발광 프로필을 조정하도록 구성된다. 추가 선택사항으로, 제어 시스템은 디스플레이의 사용자의 수에 따라서 디스플레이로부터의 소정의 발광 프로필을 조정하도록 구성된다. 추가 선택사항으로, 제어 시스템은 디스플레이의 컨텐츠의 타입에 따라서 디스플레이로부터의 소정의 발광 프로필을 조정하도록 구성된다. 추가 선택사항으로, 제어 시스템은 디스플레이의 위치 및 방향 중 임의의 것에 따라서 디스플레이로부터의 소정의 발광 프로필을 조정하도록 구성된다. 추가 선택사항으로, 제어 시스템은 주변광 조건에 따라서 디스플레이로부터의 소정의 발광 프로필을 조정하도록 구성된다.
제3 측면에 따르면 광학 디스플레이 장치를 제어하는 방법으로서, 광학 디스플레이 장치는 복수의 서브픽셀을 포함하고, 복수의 서브픽셀 중 각 서브픽셀은 제1 방출 빔 각도를 가지는 제1 발광 장치 및 제2 빔 각도를 가지는 제2 발광 장치를 포함하고, 제2 방출 빔 각도는 제1 방출 빔 각도와는 상이하고, 방법은 제1 발광 장치 및 제2 발광 장치로의 전력을 선택적으로 제어하는 단계를 포함하는 방법이 제공된다.
제4 측면에 따르면 컴퓨터 장치를 디스플레이에 연결하고 디스플레이로부터의 소정의 발광 프로필을 제어하도록 구성된 출력; 및
디스플레이로부터의 소정의 발광 프로필을 결정하도록 구성되는 프로세서를 포함하고, 결정된 발광 프로필은 디스플레이의 서브픽셀의 방출 빔 각도에 관한 것인 컴퓨터 장치가 제공된다.
선택사항으로, 프로세서는 서브픽셀의 제1 발광 장치 및 서브픽셀의 제2 발광 장치를 선택적으로 조명하도록 배열되고, 제1 발광 장치는 제1 방출 빔 각도를 가지고, 제2 발광 장치는 제2 빔 각도를 가지고, 제2 방출 빔 각도는 제1 방출 빔 각도와 상이하다.
제5 측면에 따르면, 컴퓨터 장치에 의해 실행될 때, 컴퓨터 장치로 하여금 소정의 디스플레이로부터의 발광 프로필을 결정하도록 야기하는 컴퓨터 판독가능한 코드를 포함하고, 발광 프로필은 디스플레이의 서브픽셀의 방출 빔 각도에 관한 것인 컴퓨터 프로그램이 제공된다.
제6 측면에 따르면, 컴퓨터 판독가능한 매체 및 청구항 20에 따른 컴퓨터 프로그램을 포함하고, 컴퓨터 프로그램은 컴퓨터 판독가능한 매체에 저장되는 컴퓨터 프로그램 제품이 제공된다.
선택사항으로, 컴퓨터 판독가능한 매체는 비-일시적 컴퓨터 판독가능한 매체이다.
본 발명의 내용 중에 포함되어 있다.
도 1은 복수의 픽셀을 포함하는 디스플레이를 개략적으로 도시한다.
도 2는 디스플레이의 다양한 구성요소를 개략적으로 도시한다.
도 3은 다양한 ILED칩 타입 간의 관계를 개략적으로 도시한다.
도 4는 예시적인 ILED 레이아웃을 개략적으로 도시한다.
도 5는 조명 영역 및 다양한 조명 각도에 대한 조명 영역의 비율을 도시하는 그래프이다.
도 6은 마이크로 LED의 예시를 도시한다.
도 7은 어드레서블 어레이 칩을 사용하여 복수의 디스플레이 픽셀에 걸친 어드레서블 어레이 요소의 공유를 개략적으로 도시한다.
도 8은 두 발광 장치를 포함하는 예시적인 서브픽셀의 단면도를 개략적으로 도시한다.
도 9는 예시적인 컴퓨터 장치를 블록도로 개략적으로 도시한다.
도 10은 두 발광 각도가 사용되는 SEC를 가지는 디스플레이 픽셀을 개략적으로 도시한다.
다음 약어와 정의가 다음 상세한 설명에서 사용된다.
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도 1을 참조하면, 각 디스플레이 서브픽셀(104)에 개별 단일 이미터 칩을 가지는 복수의 픽셀(102)을 포함하는 디스플레이(100)가 도시된다. 각 서브픽셀(104)은 두 발광 장치(도 1에 도시되지 않음)를 가져 한 발광 장치가 고장난 경우 중복을 제공할 수 있다.
도 2는 디스플레이의 다양한 구성요소를 개략적으로 도시한다. 디스플레이 이미지(200)는 디스플레이 픽셀(202)로 이루어지고, 디스플레이 픽셀(202)은 디스플레이 서브픽셀(204)(일반적으로 RGB)로 이루어진다.
도 3은 다양한 ILED칩 타입 간의 관계를 개략적으로 도시한다. 도 3에서, LED 칩(300)은 적어도 세 상이한 타입을 가질 수 있음을 알 수 있다: 복수의 어드레서블 어레이 요소(또는 이미터)(304)를 포함하는 어드레서블 어레이 칩(302), 개별적으로 어드레스 불가능한 복수의 어레이 요소(또는 이미터)(308)를 포함하는 논-어드레서블 어레이 칩(306), 및 SEC(310).
디스플레이의 시야각이 동적으로 변화될 수 있고 넓은 시야각이 필요하지 않을 때 디스플레이 전력 소비를 현저히 감소시킬 수 있는 ILED 칩의 디자인과 조립에 기반한 디스플레이 디자인이 도시된다.
디스플레이는 일반적으로 선택적으로 조명될 수 있는 개별 디스플레이 구성요소의 큰 어레이를 포함한다(도 1 참조). 이들 구성요소는 디스플레이 픽셀로 불린다. 다색상 디스플레이에서 상이한 색상에 대한 더 작은 구성요소는 디스플레이 서브픽셀로 불린다. 일반적으로 이들 상이한 색상은 적색, 녹색 및 청색이다(R, G 및 B).
LCD 디스플레이에서, 디스플레이 서브픽셀은 컬러 필터 및 액정 광학 소자에 의해 생성되어 픽셀 상태에 기반하여 백색 백라이트로부터의 광의 투과를 선택적으로 허용한다. ILED 디스플레이에서, 개별적으로 어드레스 가능한 R, G 및 B ILED가 수 있다.
ILED 소스로부터 더욱 시준된 방출 빔은 반사와 다른 인공물의 규모를 감소시킬 것이다. 하지만, 상술한 바와 같이, 디스플레이에서 이러한 좁은 시야각은 소비자의 관점에서 특정 응용례에서 덜 바람직하다.
디스플레이의 예시에서, 두 ILED 이미터가 각 디스플레이 서브픽셀(402, 404, 406)에 배치되는데, 하나는 넓은 빔 프로필을 가지고 다른 것은 좁은 빔 프로필을 가진다. 이들 장치 각각의 상대적인 구동 전류는 디스플레이의 시야각을 크게 좌우할 것이다. 이것은 전력 소비도 좌우할 것이다. 구체적으로, 녹색 서브픽셀(404)을 참조하면, 서브픽셀(404)은 두 이미터(408a, 408b)를 포함한다. 두 이미터(408a, 408b)는 단일 LED 장치에 위치할 수 있거나 상이한 LED 장치에 각각 위치할 수 있다. 두 이미터(408a, 408b)는 개별적으로 어드레스 가능하여 다른 이미터가 꺼진 동안 한 이미터가 켜질 수 있다. 유사한 배치가 적색(402)와 청색(406) 서브픽셀 각각에 존재할 수 있다. 나아가, 디스플레이의 복수의(그리고 특정 디스플레이의 예시에서는 모든) 나머지 픽셀은 동일하거나 유사한 배열의 서브픽셀을 가질 수 있다.
다수의 예시적인 방법 및 장치는 성능 이점, 즉 사용자 요구에 기반하여 및 디스플레이에 프라이버시 기능을 제공하기 위하여 낮은 전력 소비 또는 넓은 시야각을 제공하는 능력을 달성하기 위해 각 디스플레이 서브픽셀에 함께 배치된 두 ILED 요소를 포함한다. 일실시예에서, 각각이 상이한 빔 각도를 가지는 색상당 두 개별 ILED 칩이 각 디스플레이 서브픽셀을 위해 사용된다. 이러한 디자인을 위해서, 4개의 접점이 필요한데, 서브픽셀의 각 ILED 칩에 대해 하나의 p와 하나의 n이다.
도 4에 도시된 것은 ILED 디스플레이 픽셀(400)의 개관이다. 각 디스플레이 서브픽셀(402, 404, 406)은 적어도 하나의 개별 ILED 이미터를 포함한다. 디스플레이 픽셀(400) 및 따라서 디스플레이 서브픽셀(402, 404, 406)의 총 수는 디스플레이의 크기와 해상도에 좌우된다. 휴대 전화 장치를 위한 점점 더 보편적인 디스플레이 형식의 예시는 1920 x 1080이다. 이러한 형식에서 디스플레이 픽셀(400)의 총 수는 2,073,600개이다. 디스플레이 서브픽셀(402, 404, 406)의 총수는 6,220,800개이다. 따라서 일반적인 ILED 타입의 경우, 각 서브픽셀에 한 칩을 가정하면 6,220,800개의 개별적인 단일 요소 칩이 있을 것이다.
상술한 바와 같이, 다수의 기술이 ILED 장치의 광 추출 효율을 최대화하기 위해 사용된다. 이들 기술은 일반적으로 광 출사면에서 무작위화되는 광으로 이어진다. 이렇게 생성된 광은 모든 방향에서 균일하게 ILED 장치를 빠져나갈 수 있지만 일반적으로 후면(캐리어에 장착된)은 심하게 반사되고 5개의 표면(전면과 4개의 측면)에 걸쳐 공유된다. 이러한 장치의 전체 빔 프로필은 전면에 비해 장치의 측면에서 빠져나오는 전원에 의존한다.
일반적으로 전면으로부터의 광은 램버시안 프로필, 예컨대 60°의 반값전폭을 가질 것이다. 이러한 장치는 ILED 타입 디스플레이에서 사용될 때 제일 먼저, 60°의 시야각으로 이어질 것이다. ILED 칩의 측면에서 생성되는 전력은 ILED 칩 밖으로 직접 방출되지 않고 따라서 디스플레이로부터 직접 방출되지 않으므로 손실 또는 픽셀 크로스토크로 이어질 수 있다. 이러한 문제를 극복하는 방법의 예시는 특허 출원 US20140159064호와 같이 ILED 칩이 위치되는 캐리어 기판에 반사 뱅크의 사용을 포함한다. 이것은 일반적인 LED 장치에 2차 패키징을 사용하는 것과 유사하다. 이들 반사 뱅크는 TFT 패널 제조 프로세스의 일부로 통합된다. 반사 뱅크의 디자인에 기반하여 서브픽셀의 빔 각도/시야각을 변화시키는 일부 범위가 있다. 하지만, 실제로 반사 뱅크를 사용하여 빔 각도를 제어하는 능력은 TFT 패널 프로세싱과 연관된 제조 기술에 의해 제한된다.
본 명세서에 개시되는 방법 및 장치의 예시에서, ILED 이미터의 빔 각도는 제조되는 웨이퍼 상에서 측정될 수 있다. 이것은 ILED 장치를 사용하여 제조되는 디스플레이의 상대적인 시야각을 예측 가능하게 하는데, 현재의 방법을 사용해서는 달성할 수 없는 것이다.
예시적인 디스플레이에서, ILED 장치는 디스플레이의 시야각이 사용자의 요구에 기반하여 변화할 수 있도록 디스플레이 포맷으로 조립된다. 이것은 상이한 방출 빔 프로필을 가지는 복수의 ILED 장치를 서브픽셀 내에서 조립함으로써 달성될 수 있다. 이러한 조립체를 생산하는 여러 방법이 설명된다. 예시적인 디스플레이에서, 2차 광학 구성요소가 필요 없이 잘 정의되고, 좁고 및/또는 제어 가능한 빔 각도를 가지는 광을 생성할 수 있는 ILED 칩이 사용된다. 이러한 장치는 US7518149호에 설명되어 있다.
한 예시적인 디스플레이에서, 두 ILED 단일 요소 칩이 각 디스플레이 서브픽셀에 사용된다. 이들 ILED SEC 모두는 서로 다른 잘 정의된 방출 빔 각도 프로필을 가질 것이다. 예를 들어, 도 10을 참조하면, 한 ILED SEC(타입 A)는 60°의 빔 각도(반값반폭)를 가질 수 있다. 다른 것(타입 B)은 20°의 빔 각도를 가질 수 있다. 도 10의 예시적인 디스플레이(900)에서, 각 픽셀(1002)은 각 서브픽셀(1006)에 복수의 LED 이미터(1004a, b)를 포함한다. 제1 LED 이미터(1004a)는 타입 A 이미터이고 제2 LED 이미터(1004b)는 타입 B 이미터이다. 제1 LED 이미터(1004a)는 제2 LED 이미터(1004b)와 상이한 방출 각도를 가진다. 두 이미터(1004a, b)는 개별적으로 어드레스 가능하여 이미터(1004a, b) 중 하나는 다른 것이 조명되지 않는 동안 조명될 수 있다. 이 방식으로, 디스플레이(1000)는 제1 또는 제2 LED 이미터(1004a, b)를 사용하도록 구성될 수 있다. 만약 동일한 배열이 디스플레이의 복수의 픽셀(예컨대, 모든 픽셀)(1000)에 사용된다면 디스플레이의 시야각은 서브픽셀 이미터(1004a, b) 간에 스위칭함으로써 변화할 수 있다. 도 10이 서로 다른 빔 각도를 가지는 두 타입의 이미터를 도시하지만 더 많은 타입의 이미터가 사용될 수 있음을 유의하여야 한다.
디스플레이가 타입 A의 ILED SEC를 사용할 때, 제1 근사값으로, 시야각은 60°가 될 것이다. 타입 B의 ILED SEC가 사용될 때 시야각은 20°가 될 것이다. 타입 B 장치의 경우 목표 전방 휘도에 대한 디스플레이의 전력 소비가 타입 A 장치에 비해 현저히 감소할 것이다.
도 5에 도시된 것은 다양한 시야각에 요구되는 광 전력의 비교이다. 60°의 각도의 방출(반값반폭)을 가지는 장치는 목표 영역에 걸쳐 균일한 조명의 동일 수준을 제공하기 위하여 20° 반각 방출을 가지는 장치보다 8배 이상을 필요로 한다. 이것은 8배 이상의 전력 소비인 것으로, 또는 반대로 20°의 반각 방출을 사용하는 디스플레이는 8배 적은 전력을 소비할 것이다. 나아가, 감소된 시야각은 디스플레이 상에 디스플레이되는 정보를 시야각 밖의 제3자가 보는 것을 제한하여, 보안 향상을 제공한다. 게다가, 낮은 시야각 설정은 넓은 시야각을 사용하는 보다 낮은 밝기와 동일한 전력으로 증가된 밝기를 가능하게 한다. 이것은 햇빛과 같은 밝은 주변광 조건에서 유리할 수 있다.
다른 실시예에서, 색상/디스플레이 서브픽셀당 단일 칩만이 사용된다. 하지만, 이 칩은 어드레서블 어레이 칩일 것이고 독립적으로 켜지거나 꺼질 수 있는 둘 이상의 상이한 어드레서블 어레이 요소 - 발광 영역(또는 이미터)을 포함할 것이다. 이들 어드레서블 어레이 요소 각각은 상이한 빔 프로필을 가진 ILED 칩으로부터 광을 생성할 것이다. 이런 디스플레이에서, 셋 이상의 접점이 필요한데, 각 p 접점에 1개와 1개의 공유되는 n 접점이다.
다수의 방법이 두 상이한 빔 프로필을 가지는 어드레서블 어레이 칩으로부터 광을 생성하는데 사용될 수 있다. 상기 언급한 바와 같이, 좋은 추출 효율과 제어되는 빔 각도를 가진 ILED 장치로부터 광을 생성하는 것이 좋은 추출 효율과 넓거나 무작위 빔 각도보다 어렵다는 것이 일반적으로 인식되고 있다. 따라서, US 7518149호에 서술된 것과 같은 장치의 사용이 특정 방출 빔 각도를 제공하는데 사용될 수 있다. 이들 장치는 본 명세서에서 μLED 장치로 지칭되며 일반적으로 메사 구조체를 포함하며 ILED 타입일 수 있다. 본 명세서에서 ILED는 μLED로도 불린다.
도 6은 예시적인 μLED(600)를 도시한다. 도 6에 도시된 μLED(600)는 포물선 형상 때문에 높은 추출 효율을 가지고 준-콜리메이트된 광을 출력하는 WO2004/097947호(US7,518,149호로도 공개됨)에 제안된 것과 동일 또는 유사하다. 기판(602)은 그 위에 위치한 반도체 에피택셜 층(604)을 가진다. 에피택셜 층(604)은 메사(606)로 형상화된다. 액티브(또는 발광)층(608)은 메사 구조체(606) 내에 봉입된다. 메사(606)는 μLED(600)의 광 투과 또는 발광면(610) 반대측에 절삭된 정상을 가진다. 또한 메사(606)는 μLED(600) 내에서 생성된 광에 대한 반사 인클로저를 형성하기 위해 거의 포물선 형상을 가진다. 화살표(612)는 활성층(608)에서 방출된 광이 μLED 장치(600)를 탈출하기 충분한 각도(즉, 내부 전반사 각도 이내)로 메사(606)의 내부 벽으로부터 광 출사면(610)을 향해 어떻게 반사되는지를 나타낸다.
시준된(또는 부분적으로 시준된) 광원의 빔 각도를 증가시키는 다수의 방법이 있다 - 칩 상과 후속 모두. 일실시예에서, ILED 출사면은 거칠게 될 수 있다. 이로 인해 광이 칩을 떠남에 따라 더 넓은 각도로 산란하게 된다. 모놀리식 어레이의 경우 이러한 거칠게 하는 것이 빔 각도가 수정되는 이미터에 의해 조명되는 영역에 한정되는 것이 중요할 수 있다. 그러므로 선택적으로 ILED 칩의 발광면을 거칠게 하는 것이 요구될 수 있다.
다른 실시예에서, 광 출사면의 선택적 에칭/형상화가 사용될 수 있다. 이 선택적 에칭은 한 이미터의 빔 프로필을 좁히기 위하여 ILED의 광 출사면에 특정 형상(예컨대, 볼록하고 오목한)을 제공하기 위해 사용될 수 있고, 상이한 형상을 사용하여 다른 것의 빔 각도(그리고 추출 효율도 가능)을 증가시킬 수 있다. ILED 칩 내의 광을 제어하고, 따라서 선택적으로 빔 프로필을 변화시킬 수 있는 특징을 조명하는 능력은 어드레서블 어레이 칩의 성공적 기능에 있어 고려사항이다.
다른 실시예에서, 방출 표면의 구조화가 사용될 수 있다.
다른 실시예에서, ILED 장치는 광이 칩을 나갈 때 빔 프로필을 변화시키는 중합체 렌즈와 같은 광학 구성요소를 포함한다.
다른 실시예에서, 물질이 광 출사면에 증착되어 방출되는 빔 각도를 변화시킬 수 있다. 이들 물질은 반사 방지 코팅 또는 산화물 기반 재료를 포함할 수 있으나 이에 제한되지 않는다.
다른 실시예에서, ILED 이미터는 장치의 방출 프로필이 등방성이 아니도록 디자인될 수 있다.
다른 실시예에서, 방출되는 광이 더 이상 등방성이 아니도록 표면은 임의의 기술을 사용하여 수정될 수 있다.
다른 실시예에서, 둘 이상의 요소가 각 디스플레이 서브픽셀의 각 어드레서블 어레이 칩에 사용될 수 있다. 이들 각각은 상이한 빔 프로필을 제공할 수 있다. 이것은 디스플레이의 시야각을 추가적인 제어를 가능하게 한다.
다른 실시예에서, 디스플레이 서브픽셀은 상이한 어드레서블 어레이 칩 상의 요소(또는 이미터)를 사용하여 형성될 수 있다. 이들 어드레서블 어레이 칩 각각은 하나, 또는 하나 이상의 방출 빔 프로필을 가지는 요소(또는 이미터)를 포함할 수 있다. 각 모놀리식 어레이의 이미터는 하나 이상의 디스플레이 서브픽셀에 의해 공유될 수 있다. 이를 수행하기 위한 방식이 도 7에 도시된다.
다른 실시예에서, 어드레서블 어레이 칩 상의 모든 이미터는 좁은 방출 프로필을 생성한다. 그 후 어드레서블 어레이 칩의 일부가 아닌 제2 층이 이들 빔 프로필의 선택된 수의 빔 각도를 증가시키기 위해 사용된다. 그 후 디스플레이의 전체 시야각은 제2 층에 의해 수정되거나 영향받지 않는 요소(또는 이미터)를 선택함으로써 제어될 수 있다.
다른 실시예에서, 스크린의 상이한 부분이 상이한 시야각을 가질 수 있다. 이것은 컨텐츠에 기반하여 결정되거나 사용자에 의해 선택될 수 있다. 예를 들어, 사용자가 비공개로 유지하기 원하는 디스플레이의 영역은 좁은 시야각을 가질 수 있다.
다른 실시예에서, 상이한 빔 각도를 가지는 이미터의 상대적 전력이 제어되고 수정되어 넓은 수의 시야각에 걸쳐 시야각이 지속적으로 변화된다. 즉, 예를 들어 50도의 시야각을 얻기 위해 A(각도 20)를 10% B(각도 60)를 90% 구동하는 것이 가능하다. 또한, 예를 들어 40도의 시야각을 얻기 위해 A를 50% B를 50% 구동하는 것이 가능하다. 구동 전류의 다른 비율이 통상의 기술자에게 명백할 것이다.
다른 실시예에서, 어드레서블 어레이 칩으로부터의 광은 광학 필름과 결합되어 이 필름은 디스플레이 픽셀 내에서 광을 적절하게 위치시키고 장치의 빔 각도를 변화시키거나 변화시키지 않을 수 있다.
디스플레이 시야각의 선택은 사용자에 의해 또는 자동으로 디스플레이가 사용되는 장치의 운영체제에 의하여 이루어질 수 있다. 전자는 수동 시야각 제어(Manual Viewing Angle Control, m-vac)라 부르는 반면 후자는 자동 시야각 제어(Automatic Viewing Angle Control, a-vac)라 부른다. 제어 시스템이 자동으로 전력 소비 또는 시야각의 최적 균형을 위한 시야각을 선택할 수 있는 다수의 예가 있다. 이것은 디스플레이되는 정보의 타입, 장치의 위치에 기반하여 또는 시스템과 상호작용하는 사람의 수를 헤아리는 센서를 사용하여 결정될 수 있다.
a-vac의 한 예로, 카메라와 같은 시스템 센서는 디스플레이를 보거나 디스플레이를 보는 위치에 있는 사용자의 수를 측정하고 이에 따라 시야각을 조정할 수 있다.
a-vac의 다른 예로, 메시지나 발신자의 타입이 개인적인 것으로 표시되면 디스플레이의 바로 앞이 아닌 사람에 의해 쉽게 볼 수 없도록 시야각이 감소된다.
a-vac의 다른 예로, 영화나 비디오와 같이 복수의 사람들에 의해 보여질 수 있는 컨텐츠의 경우 시야각이 증가하지만 비즈니스 문서와 같이 한번에 복수의 사람들에 의해 소비되지 않는 다른 타입의 미디어의 경우 감소한다.
a-vac의 다른 예로, 시야각은 디스플레이의 위치나 장소에 좌우될 수 있다. 예를 들어, 만약 테이블의 왼쪽 바닥에 있으면 사용자가 직접 보지 않을 가능성이 있기 때문에 디스플레이는 자동으로 넓은 시야각을 사용한다.
a-vac의 다른 예로, 시야각은 디스플레이 방향, 즉 가로(landscape) 또는 세로(portrait)에 의해 결정될 수 있다.
다른 예로, a-vac는 m-vac에 의해 오버라이드될 수 있어서 사용자는 모든 컨텐츠에 대해 선호하는 시야각을 선택할 수 있다.
다른 예로, 디스플레이의 일부가 넓은 시야각을 가지는 한편 다른 부분은 좁은 시야각을 가질 수 있다.
디스플레이의 성공 가능성의 한 요소는 총 비용이다. 본 발명에서, 두 이미터가 각 디스플레이 서브픽셀에 사용된다. 이러한 디자인은 디스플레이의 비용을 증가시킬 가능성이 있다. 하지만, 장치 고장을 고려한 중복 수단과 같은 임의의 경우에 제2 이미터는 각 디스플레이 서브픽셀에 필요할 수 있음을 유의하여야 한다. 그러므로, 제2 픽셀(본 발명에서는 제1 픽셀과는 상이한 빔 각도를 가지는)이 디자인에 요구된다. 상기 특정한 실시예에서, 재료 요구 조건과 상호작용의 수는 단일 픽셀 장치의 두 배가 아니도록 디자인된다.
ILED 장치는 많은 방법으로 제어 및 구동될 수 있다. 구동 방법의 예시는 장치의 TFT(thin-film technology)를 통합하는 액티브 매트릭스 상의 장착을 포함한다. TFT는 금속 산화물 및 비정질 실리콘 기반 트랜지스터를 포함한다. 이 액티브 매트릭스는 백플레인이라고도 한다. ILED 장치는 현재 구동되며 OLED 타입 TFT 드라이버와 호환된다. 다른 방법은 패시브 매트릭스 드라이버를 사용하거나 모놀리식 구동 회로를 가지는 광원의 패키징을 포함한다.
사용자가 프라이버시 모드(좁은 시야각)과 일반 모드(넓은 시야각) 간에 토글하기 위한 방법이 운영체제에 의해 제공될 것이다.
도 8을 참조하면, 제1 발광 장치(802)와 제2 발광 장치(804)를 포함하는 서브픽셀(800)이 개략적으로 도시되어 있다. 제1 발광 장치(802)의 빔 각도는 제2 발광 장치(804)의 빔 각도보다 넓고, 즉 제1 발광 장치(802)는 전력을 더 소비하지만 디스플레이가 더 넓은 시야각에서 보일 수 있게 한다. 제2 발광 장치(804)의 좁은 빔 각도는 전력 소비를 감소시키고 또한 사용자가 디스플레이를 '프라이버시' 모드로 볼 수 있게 한다. 운영체제 또는 컴퓨터 프로그램은 각 발광 장치로의 전력량을 제어할 수 있고, 이로써 디스플레이의 시야각과 전력 소비를 제어할 수 있다. 상술한 바와 같이, 발광 장치는 개별 칩 또는 동일 칩 상에 있을 수 있다. 각 서브픽셀은 상이한 빔 각도를 가지는 둘 이상의 발광 장치가 제공되어, 디스플레이의 시야각에 있어 더 큰 정도의 제어를 가능하게 할 수 있다.
도 9는 컴퓨터 장치(900)의 예시의 블록도를 개략적으로 도시한다. 컴퓨터 장치는 도 8에 도시된 서브픽셀을 포함하는 디스플레이(902)에 연결된다. 프로세서(904)는 디스플레이를 제어하고 디스플레이의 서브픽셀에 선택적으로 전력을 제공하여 빔 각도, 따라서 디스플레이(902)의 시야각에 영향을 미친다. 입력(906)이 제공되어(예컨대, 사용자 입력 또는 주변광 센서) 프로세서(904)가 디스플레이(902)의 필요한 시야각을 결정하는 데이터를 제공한다. 메모리(908) 형태의 비-일시적 컴퓨터 판독가능한 매체가 제공되는데, 프로세서(904)에 의해 실행될 때 프로세서(904)로 하여금 상술한 바와 같이 행동하게 야기하는 프로그램(910)을 저장하는데 사용된다. 프로그램은 CD, 플래시 드라이브, 반송파 등과 같은 외부 컴퓨터 판독가능한 매체(912)로부터 제공될 수 있음을 유의하여야 한다.
본 발명의 특정 실시예가 상술되었지만, 첨부되는 청구항에 정의된 바와 같은 본 발명의 범위에서 벗어남 없이 다수의 수정과 변화가 만들어질 수 있음이 명백할 것이다.
번호 항목
1. 디스플레이로부터 방출되는 광의 방사상 분포가 변화할 수 있고 디스플레이의 시야각이 변경될 수 있는 ILED 타입 디스플레이.
2. 광의 방사상 분포가 변화할 수 있고 다음으로 이루어진 ILED 타입 디스플레이:
a. 복수의 ILED 칩
b. 복수의 ILED 칩의 일부는 다른 것과 실질적으로 상이한 방출 빔 프로필을 가지도록 디자인됨.
c. 선택적으로 ILED 칩을 어드레스하는 방법.
3. 2번에서, ILED 칩은 단일 방출 영역을 가지는 개별 장치이다.
4. 2번에서, ILED 칩은 어드레서블 어레이 칩이고 어레이의 요소는 상이한 빔 각도를 가지도록 디자인된다.
5. 2번에서, ILED 칩은 둘 이상의 요소를 포함하는 어드레서블 어레이 칩이고 모든 요소는 동일 디스플레이 서브픽셀을 조명한다.
6. 2번에서, ILED 칩은 어드레서블 어레이 칩이고 동일 어드레서블 어레이 칩 상의 요소는 상이한 디스플레이 서브픽셀을 조명할 수 있다.
7. 2번에서, ILED 칩은 코팅, 렌즈 또는 빔 각도를 변화시키도록 통합된 다른 타입의 구성요소를 가진다.
8. 2번에서, ILED 칩은 어드레서블 어레이 칩이고 코팅, 렌즈 또는 다른 광학적 구성요소는 선택된 요소의 빔 각도를 선택적으로 정정하는데 사용된다.
9. 2번에서, 칩의 광 출사면은 광의 빔 프로필이 선택적으로 정정되도록 텍스처화된다.
10. 2번에서, ILED 장치로부터의 방출 프로필은 디자인에 의하여 비-등방성이다.
11. 2번에서, 광이 디스플레이 내에 위치되거나 다른 방법으로 정정될 수 있도록 광학 필름 또는 시트가 ILED 칩 상에 통합된다.
12. 2번에서, ILED 장치로부터의 광이 선택적으로 정정되도록 광학 필름 또는 시트가 ILED 칩 상에 통합된다.
13. 2번에서, 메사 형상의 디자인 또는 접점 또는 크기가 기결정된 방식으로 변화되어 빔 프로필을 변경한다.
14. 1번에서, 디스플레이가 전자적 제어 시스템도 포함한다.
15. 14번에서, 전자적 제어는 패시브 매트릭스이다.
16. 14번에서, 전자적 제어는 액티브 매트릭스이다.
17. 디스플레이에서 나가는 광의 복사 분포는 사용자에 의해 동적으로 변화할 수 있는 디스플레이.
18. 디스플레이에서 나가는 광의 복사 분포는 운영체제에 의해 자동으로 변화할 수 있는 디스플레이.
19. 18번에서, 운영체제는 센서로부터 수신되는 정보에 기반하여 시야각을 변화시킬 수 있다.
20. 18번에서, 운영체제는 디스플레이를 보는 사람의 수에 기반하여 시야각을 변화시킬 수 있다.
21. 18번에서, 운영체제는 디스플레이 상의 컨텐츠의 타입에 기반하여 시야각을 변화시킬 수 있다.
22. 18번에서, 운영체제는 디스플레이의 위치, 예컨대 테이블의 바닥에 기반하여 시야각을 변화시킬 수 있다.
23. 18번에서, 운영체제는 디스플레이의 방향, 예컨대 세로 또는 가로에 기반하여 시야각을 변화시킬 수 있다.
24. 18번에서, 운영체제는 주변광 조건에 기반하여 시야각을 변화시킬 수 있다.

Claims (10)

  1. LED(light emitting diode) 디스플레이에 있어서
    복수의 ILED(Inorganic light emitting diode) 어레이 칩으로서, 각각의 ILED 어레이 칩은 서로 다른 방출 빔 각도 및 동일한 색상을 가지는 광을 방출하도록 구성되는 복수의 ILED 이미터를 포함하고, 복수의 ILED 어레이 칩에서의 각각의 ILED 이미터(emitter)는 LED 디스플레이의 디스플레이 서브픽셀을 제공하고, 복수의 ILED 어레이 칩 각각에서의 복수의 ILED 이미터는 서로 다른 색상의 디스플레이 서브픽셀을 제공하고, LED 디스플레이에서의 각각의 디스플레이 픽셀은 서로 다른 ILED 어레이 칩에서의 다수의 ILED 이미터에 의해 제공되는 디스플레이 서브픽셀을 포함하는, 복수의 ILED 어레이 칩; 및
    복수의 ILED 어레이 칩에 부착되는 백플레인(backplane)으로서, 백플레인은 복수의 ILED 어레이 칩에 구동 전류를 제공하도록 구성되는, 백플레인;을 포함하고,
    각각의 ILED 어레이 칩에 대하여, 서로 다른 방출 빔 각도를 가지는 광을 방출하도록 구성되는 복수의 ILED 이미터는 제 1 메사(mesa) 형상의 에피택셜 층(epitaxial layer)을 가지는 제 1 ILED 이미터 및 제 2 메사 형상의 에피택셜 층을 가지는 제2 ILED 이미터를 포함하며, 제1 메사 형상 및 제2 메사 형상은 서로 다른, LED 디스플레이.
  2. 제1항에 있어서, 복수의 ILED 어레이 칩은,
    적색(red color)를 가지는 광을 방출하도록 구성되는 제1 ILED 어레이 칩, 청색(blue color)을 가지는 광을 방출하도록 구성되는 제2 ILED 어레이 칩, 및 녹색(green color)을 가지는 광을 방출하도록 구성되는 제3 ILED 어레이 칩을 포함하는, LED 디스플레이.
  3. 제1항에 있어서, 구동 전류는,
    복수의 ILED 어레이 칩이 LED 디스플레이의 서로 다른 부분에 대해 서로 다른 시야각을 생성하게 하는, LED 디스플레이.
  4. 제1항에 있어서, 각각의 ILED 어레이 칩에 대하여,
    ILED 이미터의 방출 빔 각도는 렌즈 또는 코팅에 의해 수정되는, LED 디스플레이.
  5. 제1항에 있어서,
    복수의 ILED 어레이 칩 각각에서의 복수의 ILED 이미터는 개별적으로 어드레스 가능한, LED 디스플레이.
  6. 제1항에 있어서, 각각의 ILED 어레이 칩에 대하여,
    복수의 ILED 이미터에 의해 방출되는 광은 비-등방성인, LED 디스플레이.
  7. 컴퓨터 장치에 있어서:
    LED(lighting emitting diode) 디스플레이 - LED 디스플레이는:
    복수의 ILED(Inorganic light emitting diode) 어레이 칩으로서, 각각의 ILED 어레이 칩은 서로 다른 방출 빔 각도 및 동일한 색상을 가지는 광을 방출하도록 구성되는 복수의 ILED 이미터를 포함하고, 복수의 ILED 어레이 칩에서의 각각의 ILED 이미터(emitter)는 LED 디스플레이의 디스플레이 서브픽셀을 제공하고, 복수의 ILED 어레이 칩 각각에서의 복수의 ILED 이미터는 서로 다른 색상의 디스플레이 서브픽셀을 제공하고, LED 디스플레이에서의 각각의 디스플레이 픽셀은 서로 다른 ILED 어레이 칩에서의 다수의 ILED 이미터에 의해 제공되는 디스플레이 서브픽셀을 포함하는, 복수의 ILED 어레이 칩, 및
    복수의 ILED 어레이 칩에 부착되는 백플레인(backplane)으로서, 백플레인은 복수의 ILED 어레이 칩에 구동 전류를 제공하도록 구성되는, 백플레인을 포함함 - ; 및
    백플레인을 통해 복수의 ILED 어레이 칩을 제어하여 LED 디스플레이의 시야각을 조정하도록 구성되는 프로세서;를 포함하고,
    각각의 ILED 어레이 칩에 대하여, 서로 다른 방출 빔 각도를 갖는 광을 방출하도록 구성되는 복수의 ILED 이미터는 제1 메사 형상의 에피택셜 층(epitaxial layer)을 가지는 제1 ILED 이미터 및 제2 메사 형상의 에피택셜 층을 가지는 제2 ILED 이미터를 포함하며, 제1 메사 형상 및 제2 메사 형상은 서로 다른, 컴퓨터 장치.
  8. 제7항에 있어서, 복수의 ILED 어레이 칩은,
    적색(red color)를 가지는 광을 방출하도록 구성되는 제1 ILED 어레이 칩, 청색(blue color)을 가지는 광을 방출하도록 구성되는 제2 ILED 어레이 칩, 및 녹색(green color)을 가지는 광을 방출하도록 구성되는 제3 ILED 어레이 칩을 포함하는, 컴퓨터 장치.
  9. 제7항에 있어서, 각각의 ILED 어레이 칩에 대하여,
    ILED 이미터의 방출 빔 각도는 렌즈 또는 코팅에 의해 수정되는, 컴퓨터 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    복수의 ILED 어레이 칩 각각에서의 복수의 ILED 이미터는 개별적으로 어드레스 가능한, 컴퓨터 장치.
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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201413604D0 (en) * 2014-07-31 2014-09-17 Infiniled Ltd A colour inorganic LED display for display devices with a high number of pixel
CN107403819B (zh) * 2016-05-20 2020-06-16 群创光电股份有限公司 显示设备
CN109983392B (zh) 2016-12-09 2021-02-23 应用材料公司 准直led光场显示器
US10193018B2 (en) * 2016-12-29 2019-01-29 Intel Corporation Compact low power head-mounted display with light emitting diodes that exhibit a desired beam angle
CN110168629B (zh) * 2017-01-16 2022-02-01 三菱电机株式会社 质感显示装置、质感显示方法和记录介质
KR102406913B1 (ko) * 2017-03-27 2022-06-10 서울반도체 주식회사 발광 모듈
TWI626738B (zh) * 2017-04-06 2018-06-11 宏碁股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
US11164510B2 (en) 2017-04-14 2021-11-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Display screens
CN108735771B (zh) * 2017-04-17 2021-06-04 宏碁股份有限公司 显示设备及其制造方法
JP6841938B2 (ja) * 2017-06-23 2021-03-10 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー．Ｈｅｗｌｅｔｔ‐Ｐａｃｋａｒｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙ， Ｌ．Ｐ． ディスプレイでのプライバシー制御
US10338400B2 (en) 2017-07-03 2019-07-02 Holovisions LLC Augmented reality eyewear with VAPE or wear technology
US10859834B2 (en) 2017-07-03 2020-12-08 Holovisions Space-efficient optical structures for wide field-of-view augmented reality (AR) eyewear
US10490599B2 (en) 2017-07-13 2019-11-26 Applied Materials, Inc. Collimated, directional micro-LED light field display
CN111213198B (zh) 2017-10-13 2022-09-09 惠普发展公司，有限责任合伙企业 具有可移动隐私门的显示器
WO2019112574A1 (en) 2017-12-06 2019-06-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Grids for led displays
US10325791B1 (en) * 2017-12-13 2019-06-18 Facebook Technologies, Llc Formation of elastomeric layer on selective regions of light emitting device
US11009764B2 (en) * 2018-01-02 2021-05-18 Intel Corporation Head mounted display including variable beam divergence and/or beam direction
JP2019135512A (ja) * 2018-02-05 2019-08-15 シャープ株式会社 立体表示装置、及び空中立体表示装置
US20190333444A1 (en) * 2018-04-25 2019-10-31 Raxium, Inc. Architecture for light emitting elements in a light field display
US11100844B2 (en) * 2018-04-25 2021-08-24 Raxium, Inc. Architecture for light emitting elements in a light field display
US10951875B2 (en) * 2018-07-03 2021-03-16 Raxium, Inc. Display processing circuitry
DE102018119538A1 (de) * 2018-08-10 2020-02-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauteil und herstellungsverfahren für optoelektronische halbleiterbauteile
KR102663635B1 (ko) * 2018-09-19 2024-05-14 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
CN109188769B (zh) * 2018-09-30 2021-08-17 合肥京东方显示光源有限公司 一种背光源、显示面板和显示装置
US11017742B2 (en) 2019-05-02 2021-05-25 Dell Products L.P. Information handling system multiple display viewing angle brightness adjustment
CN110992915B (zh) * 2019-11-22 2021-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其显示方法
KR102613285B1 (ko) * 2019-12-09 2023-12-21 엘지디스플레이 주식회사 표시패널 및 이를 포함하는 표시장치
KR20210121933A (ko) * 2020-03-31 2021-10-08 삼성전자주식회사 디스플레이를 포함하는 전자 장치 및 그 디스플레이의 시야각을 제어하는 방법
CN113448112B (zh) * 2020-08-13 2022-05-20 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板和电子设备
WO2022032590A1 (zh) 2020-08-13 2022-02-17 重庆康佳光电技术研究院有限公司 显示面板和电子设备
CN112162422B (zh) * 2020-09-29 2022-09-23 海信视像科技股份有限公司 显示面板及显示装置
CN114815241B (zh) * 2021-12-16 2022-12-16 北京灵犀微光科技有限公司 抬头显示系统、方法及车载系统
US11869418B1 (en) * 2022-09-06 2024-01-09 PlayNitride Display Co., Ltd. Micro light emitting diode display panel
WO2024053902A1 (ko) * 2022-09-08 2024-03-14 삼성전자주식회사 광 제어 물질을 포함하는 디스플레이 패널 및 전자 장치
CN115620634A (zh) * 2022-09-29 2023-01-17 上海天马微电子有限公司 显示模组和显示装置
CN118033943A (zh) * 2022-11-02 2024-05-14 苏州佳世达电通有限公司 用于显示装置的直下式背光模组与显示装置
CN115831006A (zh) * 2022-11-29 2023-03-21 上海天马微电子有限公司 发光面板和显示装置

Family Cites Families (122)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08137413A (ja) 1994-11-08 1996-05-31 Hitachi Ltd 半導体発光素子表示装置
CN100568550C (zh) 1994-12-02 2009-12-09 日亚化学工业株式会社 氮化物半导体发光器件
EP0809420B1 (en) * 1995-02-06 2002-09-04 Idemitsu Kosan Company Limited Multi-color light emission apparatus and method for production thereof
US7091986B2 (en) 1997-09-13 2006-08-15 Gia Chuong Phan Dynamic pixel resolution, brightness and contrast for displays using spatial elements
JPH11340576A (ja) 1998-05-28 1999-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化ガリウム系半導体デバイス
JP2000352678A (ja) 1999-06-11 2000-12-19 Sharp Corp 投射型画像表示装置
KR20010004905A (ko) * 1999-06-30 2001-01-15 김영환 박막 트랜지스터-발광 다이오드 디스플레이
US6809470B2 (en) * 2000-12-29 2004-10-26 Intel Corporation Flat panel color display with enhanced brightness and preferential viewing angles
US7123277B2 (en) 2001-05-09 2006-10-17 Clairvoyante, Inc. Conversion of a sub-pixel format data to another sub-pixel data format
JP4055503B2 (ja) 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
JP2003271101A (ja) 2002-03-19 2003-09-25 Tdk Corp 無機ｅｌ表示装置及びその駆動回路及び駆動方法
US7068291B1 (en) * 2002-04-11 2006-06-27 Bellsouth Intellectual Property Corp. Video display screen segmentation
US20050030268A1 (en) * 2002-08-27 2005-02-10 Weixiao Zhang Full-color electronic device with separate power supply lines
IE20040308A1 (en) * 2003-05-02 2004-11-17 Univ College Cork Nat Univ Ie Light emitting diodes and the manufacture thereof
JP4357311B2 (ja) 2004-02-04 2009-11-04 シチズン電子株式会社 発光ダイオードチップ
JP4226503B2 (ja) 2004-03-23 2009-02-18 シャープ株式会社 液晶表示装置および電子機器
US20060012985A1 (en) 2004-07-15 2006-01-19 Eastman Kodak Company Flat panel lighting for enclosed space illumination
KR100634508B1 (ko) 2004-07-23 2006-10-16 삼성전자주식회사 평면표시장치의 화소구조
JP2006047679A (ja) 2004-08-04 2006-02-16 Matsushita Toshiba Picture Display Co Ltd 無機ｅｌ表示装置
US20060092644A1 (en) 2004-10-28 2006-05-04 Mok Thye L Small package high efficiency illuminator design
KR100600346B1 (ko) 2004-11-22 2006-07-18 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치
WO2006071986A1 (en) 2004-12-29 2006-07-06 University Of Florida Research Foundation, Inc. High intensity laser or diode-based lighting apparatus having integrated optics
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
CN101171452B (zh) 2005-03-12 2010-12-08 3M创新有限公司 照明设备及其制造方法
JP4411288B2 (ja) * 2005-03-23 2010-02-10 キヤノン株式会社 表示装置
US7965268B2 (en) * 2005-07-08 2011-06-21 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and liquid crystal display panel
JP2007027431A (ja) 2005-07-15 2007-02-01 Toshiba Corp 発光装置
JP4621610B2 (ja) * 2005-09-06 2011-01-26 東芝モバイルディスプレイ株式会社 液晶表示装置
GB2430069A (en) 2005-09-12 2007-03-14 Cambridge Display Tech Ltd Active matrix display drive control systems
KR100784547B1 (ko) * 2005-10-14 2007-12-11 엘지전자 주식회사 발광 소자
KR100739056B1 (ko) 2005-11-23 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법
JP2007163872A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Sharp Corp 液晶表示装置
KR101220205B1 (ko) * 2005-12-29 2013-01-09 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
TWI275052B (en) * 2006-04-07 2007-03-01 Ind Tech Res Inst OLED pixel structure and method of manufacturing the same
GB2437110B (en) 2006-04-12 2009-01-28 Cambridge Display Tech Ltd Optoelectronic display and method of manufacturing the same
KR100793557B1 (ko) * 2006-06-05 2008-01-14 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 구동방법
KR101332154B1 (ko) 2006-12-13 2014-01-08 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
TW200828203A (en) 2006-12-29 2008-07-01 Innolux Display Corp Six primary-color display
JP4529988B2 (ja) 2007-03-08 2010-08-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置ならびに電子機器
KR101388582B1 (ko) 2007-10-26 2014-04-23 삼성디스플레이 주식회사 전기 영동 표시 장치
JP2009122212A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
CN101465401B (zh) 2008-07-11 2010-08-25 厦门市三安光电科技有限公司 基于平面键合及暂时性基底转移技术的薄膜GaN LED制备方法
US20100079426A1 (en) * 2008-09-26 2010-04-01 Apple Inc. Spatial ambient light profiling
WO2010053193A1 (ja) 2008-11-10 2010-05-14 シャープ株式会社 発光装置、面光源、及び表示装置
TWI408831B (zh) * 2008-12-05 2013-09-11 私立中原大學 發光二極體及其製程
US8013525B2 (en) 2009-04-09 2011-09-06 Global Oled Technology Llc Flexible OLED display with chiplets
EP2430652B1 (en) * 2009-05-12 2019-11-20 The Board of Trustees of the University of Illionis Printed assemblies of ultrathin, microscale inorganic light emitting diodes for deformable and semitransparent displays
US20100321395A1 (en) * 2009-06-18 2010-12-23 Apple Inc. Display simulation system and method
WO2010149027A1 (en) * 2009-06-22 2010-12-29 Industrial Technology Research Institute Light-emitting unit array, method for fabricating the same and projection apparatus
WO2010151600A1 (en) * 2009-06-27 2010-12-29 Michael Tischler High efficiency leds and led lamps
KR101015332B1 (ko) 2009-07-14 2011-02-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치의 화소배열구조
US9000466B1 (en) 2010-08-23 2015-04-07 Soraa, Inc. Methods and devices for light extraction from a group III-nitride volumetric LED using surface and sidewall roughening
JP5493624B2 (ja) 2009-09-15 2014-05-14 ソニー株式会社 画像表示装置及び電子機器
US8040590B2 (en) 2009-10-29 2011-10-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulation devices having triangular subpixels
US8642363B2 (en) 2009-12-09 2014-02-04 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
US8368727B2 (en) 2010-01-18 2013-02-05 Sharp Kabushiki Kaisha Angular dependent pixels for trick view
US8632196B2 (en) * 2010-03-03 2014-01-21 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US8922480B1 (en) * 2010-03-05 2014-12-30 Amazon Technologies, Inc. Viewer-based device control
US8604498B2 (en) 2010-03-26 2013-12-10 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Single phosphor layer photonic device for generating white light or color lights
WO2011145174A1 (ja) * 2010-05-18 2011-11-24 キヤノン株式会社 表示装置
US8293551B2 (en) 2010-06-18 2012-10-23 Soraa, Inc. Gallium and nitrogen containing triangular or diamond-shaped configuration for optical devices
US9348160B2 (en) * 2010-06-24 2016-05-24 Microsoft Technology Licensing, Llc Display backlights with adjustable narrow viewing angle
KR101224462B1 (ko) * 2010-07-14 2013-01-22 엘지디스플레이 주식회사 영상표시장치 및 그 구동방법
US8704859B2 (en) * 2010-09-30 2014-04-22 Apple Inc. Dynamic display adjustment based on ambient conditions
RU2013129821A (ru) 2010-11-30 2015-01-10 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Модуль, перенаправляющий и рассеивающий свет, для светодиодов
WO2012077601A1 (ja) * 2010-12-08 2012-06-14 シャープ株式会社 画像処理装置、画像処理方法、および表示装置
KR20120079319A (ko) * 2011-01-04 2012-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 디스플레이 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
JP5779641B2 (ja) * 2011-02-28 2015-09-16 株式会社Pfu 情報処理装置、方法およびプログラム
JP2012247783A (ja) 2011-05-30 2012-12-13 Samsung Corning Precision Materials Co Ltd ディスプレイ装置
JP2013041014A (ja) * 2011-08-12 2013-02-28 Canon Inc 画像表示装置及びその制御方法
US20130075769A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Ledengin, Inc. Selection of phosphors and leds in a multi-chip emitter for a single white color bin
CN102354702A (zh) 2011-10-31 2012-02-15 友达光电股份有限公司 一种有机发光显示器的像素结构
CN103367552B (zh) 2012-03-27 2016-03-30 比亚迪股份有限公司 一种半导体发光器件的制作方法
CN103426978B (zh) * 2012-05-17 2016-09-07 泰州畅瑞照明有限公司 Led芯片的制造方法
US20130321477A1 (en) 2012-06-01 2013-12-05 Pixtronix, Inc. Display devices and methods for generating images thereon according to a variable composite color replacement policy
US8738826B2 (en) * 2012-06-08 2014-05-27 Apple Inc. System and method for display mirroring
US9887327B2 (en) * 2012-06-11 2018-02-06 Cree, Inc. LED package with encapsulant having curved and planar surfaces
US9818919B2 (en) 2012-06-11 2017-11-14 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces
US20140063853A1 (en) 2012-08-29 2014-03-06 Flex Lighting Ii, Llc Film-based lightguide including a wrapped stack of input couplers and light emitting device including the same
CN102840514A (zh) * 2012-08-31 2012-12-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种直下式背光模组及其led封装件
GB201215632D0 (en) * 2012-09-03 2012-10-17 Infiniled Ltd Optical device
TWI478412B (zh) 2012-09-06 2015-03-21 Ultimate Image Corp 有機電致發光裝置及其電源供應裝置
US9117382B2 (en) * 2012-09-28 2015-08-25 Intel Corporation Device and method for automatic viewing perspective correction
CN202855738U (zh) 2012-09-29 2013-04-03 Tcl集团股份有限公司 一种像素结构、显示面板及显示器
US8890812B2 (en) * 2012-10-25 2014-11-18 Jds Uniphase Corporation Graphical user interface adjusting to a change of user's disposition
CN103811593B (zh) 2012-11-12 2018-06-19 晶元光电股份有限公司 半导体光电元件的制作方法
US9029880B2 (en) 2012-12-10 2015-05-12 LuxVue Technology Corporation Active matrix display panel with ground tie lines
US9262648B2 (en) * 2013-02-22 2016-02-16 Fujitsu Limited Display device with automatic viewing angle control
US8791474B1 (en) 2013-03-15 2014-07-29 LuxVue Technology Corporation Light emitting diode display with redundancy scheme
US9252375B2 (en) 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US9711489B2 (en) * 2013-05-29 2017-07-18 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package
KR102070411B1 (ko) 2013-06-04 2020-01-28 삼성전자주식회사 색 변화 저감용 광학 필름 및 이를 채용한 유기 발광 표시 장치
US9111464B2 (en) 2013-06-18 2015-08-18 LuxVue Technology Corporation LED display with wavelength conversion layer
CN103366683B (zh) 2013-07-12 2014-10-29 上海和辉光电有限公司 像素阵列、显示器以及将图像呈现于显示器上的方法
US9532464B2 (en) 2013-07-22 2016-12-27 Rohm Co., Ltd. LED lighting apparatus
TWI511282B (zh) 2013-08-05 2015-12-01 Ye Xin Technology Consulting Co Ltd 有機發光二極體面板
JP2015092529A (ja) 2013-10-01 2015-05-14 ソニー株式会社 発光装置、発光ユニット、表示装置、電子機器、および発光素子
TWM474106U (zh) 2013-12-03 2014-03-11 yu-xuan Chen 發光二極體燈具
KR20150064414A (ko) 2013-12-03 2015-06-11 삼성전자주식회사 발광소자 및 이를 포함하는 조명 장치
US20150179873A1 (en) 2013-12-20 2015-06-25 Palo Alto Research Center Incorporated Small-sized light-emitting diode chiplets and method of fabrication thereof
CN103713415B (zh) 2013-12-27 2016-10-26 合肥京东方光电科技有限公司 一种像素单元、显示装置及其驱动方法
KR102142624B1 (ko) * 2013-12-30 2020-08-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN103811533B (zh) 2014-01-29 2017-02-15 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示面板及显示装置
US10833054B2 (en) * 2014-02-08 2020-11-10 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Smart pixel surface mount device package
CN103928594A (zh) * 2014-03-21 2014-07-16 京东方科技集团股份有限公司 一种发光装置
US10303269B2 (en) * 2014-04-30 2019-05-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Screen orientation adjustment
CN104050889B (zh) 2014-05-30 2015-04-29 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其驱动方法
WO2015183869A1 (en) * 2014-05-30 2015-12-03 3M Innovative Properties Company Variable viewing angle optical systems
US9741286B2 (en) * 2014-06-03 2017-08-22 Apple Inc. Interactive display panel with emitting and sensing diodes
CN104112824A (zh) 2014-07-09 2014-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示器件及其制备方法、蒸镀用掩模板
GB201413578D0 (en) * 2014-07-31 2014-09-17 Infiniled Ltd A colour iled display on silicon
GB201413604D0 (en) 2014-07-31 2014-09-17 Infiniled Ltd A colour inorganic LED display for display devices with a high number of pixel
CN104183606A (zh) * 2014-08-07 2014-12-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
US9691351B2 (en) * 2014-09-23 2017-06-27 X Development Llc Simulation of diffusive surfaces using directionally-biased displays
US10885827B2 (en) 2014-12-29 2021-01-05 Novatek Microelectronics Corp. Display panel for effectively dispersing specific sub-pixels
CN104617131B (zh) 2015-02-15 2019-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种像素排列结构及显示装置
US9818804B2 (en) 2015-09-18 2017-11-14 Universal Display Corporation Hybrid display
US10263050B2 (en) 2015-09-18 2019-04-16 Universal Display Corporation Hybrid display
KR20170059068A (ko) 2015-11-19 2017-05-30 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
US10217730B2 (en) 2016-02-25 2019-02-26 X-Celeprint Limited Efficiently micro-transfer printing micro-scale devices onto large-format substrates
CN107945738B (zh) 2017-11-30 2021-02-02 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板和电子设备

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