CN108735771B

CN108735771B - 显示设备及其制造方法

Info

Publication number: CN108735771B
Application number: CN201710250318.9A
Authority: CN
Inventors: 向瑞杰; 陈志强
Original assignee: Acer Inc
Current assignee: Acer Inc
Priority date: 2017-04-17
Filing date: 2017-04-17
Publication date: 2021-06-04
Anticipated expiration: 2037-04-17
Also published as: CN108735771A

Abstract

本发明的一些实施例提供一种显示设备，包括：基板；第一发光二极管组件，设于基板上，且具有第一发光路径；出光角度转换层，设于第一发光二极管组件上；以及第二发光二极管组件，设于基板上，且位于第一发光路径对应的区域以外的位置，其中第一发光二极管组件具有第一出光角度，第二发光二极管组件具有第二出光角度，且第二出光角度大于第一出光角度。

Description

显示设备及其制造方法

技术领域

本发明系有关于显示设备，且特别系有关于一种具有发光二极管组件的显示设备。

背景技术

随着数字科技的发展，显示设备已被广泛地应用在日常生活的各个层面中，例如其已广泛应用于电视、笔记本、计算机、移动电话、智能型手机等现代化信息设备，且此显示设备不断朝着轻、薄、短小及时尚化方向发展。而此显示设备包括发光二极管显示设备。

发光二极管(LEDs)系利用p-n接面中的电子-空穴对的再结合(recombination)来产生电磁辐射(例如光)。在例如GaAs或GaN的直接能隙材料(direct band gap material)形成的顺向偏压的P-N接面中，注入空乏区中的电子-空穴对的再结合产生电磁辐射。上述电磁辐射可位于可见光区或非可见光区，且具有不同能隙的材料会形成不同颜色的发光二极管。

在现今发光二极管显示设备被广泛应用的情况下，任何发光二极管显示设备功能的增进皆可带来巨大的经济效益。然而，目前的显示设备并非各方面皆令人满意。因此，业界仍须一种具备更多功能的发光二极管显示设备。

发明内容

本发明的一些实施例更提供一种显示设备的制造方法，包括：提供基板；形成或放置第一发光二极管组件于基板上，其中第一发光二极管组件具有第一发光路径；形成出光角度转换层于第一发光二极管组件上；以及放置第二发光二极管组件于基板上，其中第二发光二极管组件位于第一发光路径对应的区域以外的位置，其中第一发光二极管组件具有第一出光角度，第二发光二极管组件具有第二出光角度，且第二出光角度大于第一出光角度。

为让本发明的一些实施例的特征、和优点能更明显易懂，下文特举出一些实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

附图说明

图1A系根据本发明一些实施例的显示设备的剖面图。

图1B系根据本发明一些实施例的显示设备的等效电路图。

图1C系根据本发明另一些实施例的显示设备的剖面图。

图2A系根据本发明另一些实施例的显示设备的剖面图。

图2B系根据本发明另一些实施例的显示设备的剖面图。

图2C系根据本发明另一些实施例的显示设备的剖面图。

图3A系根据本发明另一些实施例的显示设备的剖面图。

图3B系根据本发明另一些实施例的显示设备的剖面图。

图4系根据本发明另一些实施例的显示设备的剖面图。

图5A系根据本发明另一些实施例的显示设备的剖面图。

图5B系根据本发明另一些实施例的显示设备的剖面图。

图6A系根据本发明另一些实施例的显示设备的剖面图。

图6B系根据本发明另一些实施例的显示设备的等效电路图。

图6C系根据本发明另一些实施例的显示设备的等效电路图。

图7A系根据本发明另一些实施例的显示设备的剖面图。

图7B系根据本发明另一些实施例的显示设备的等效电路图。

图7C系根据本发明另一些实施例的显示设备的等效电路图。

其中，附图标记说明如下：

1000A 显示设备；

1000C 显示设备；

100 基板；

102 第一发光二极管组件；

104A 第一半导体层；

104B 第一半导体层；

106A 主动层；

106B 主动层；

108A 第二半导体层；

108B 第二半导体层；

110A 下电极；

110B 下电极；

112 绝缘层；

114A 上电极；

114B 上电极；

116 第一发光路径；

118 绝缘层；

120 晶体管；

120G 栅极电极；

120S 源极电极；

120D 漏极电极；

120A 第一晶体管；

120AG 第一栅极电极；

124A 第一半导体层；

120AS 第一源极电极；

120AD 第一漏极电极；

120B 第二晶体管；

120BG 第二栅极电极；

124B 第二半导体层；

120BS 第二源极电极；

120BD 第二漏极电极；

122 栅极介电层；

124 半导体层；

126 绝缘层；

128 出光角度转换层128；

130A 第一开口；

130B 第二开口；

132 开口；

134 第二发光二极管组件；

136 第二发光路径；

138 绝缘层；

140 导孔；

142 绝缘层；

144G 栅极线；

144G1 第一栅极线；

144G2 第二栅极线；

144D 数据线；

144D1 第一数据线；

144D2 第二数据线；

146 绝缘层；

148 绝缘层；

150 导孔；

152 绝缘层；

154 绝缘层；

156 绝缘层；

158 绝缘层；

160 导孔；

162 绝缘层；

164 导孔；

166 绝缘层；

168 绝缘层；

402 绝缘层；

404 绝缘层；

406 导孔；

408 电极；

410 遮光组件；

412 绝缘层；

414 绝缘层；

502 绝缘层；

504 绝缘层；

506 导孔；

508 绝缘层；

510 导孔；

512 绝缘层；

602 绝缘层；

604 导孔；

606 绝缘层；

608 导孔；

610 绝缘层；

612 绝缘层；

2000A 显示设备；

2000B 显示设备；

2000C 显示设备；

3000A 显示设备；

3000B 显示设备；

4000 显示设备；

5000A 显示设备；

5000B 显示设备；

6000A 显示设备；

6000C 显示设备；

7000A 显示设备；

7000B 显示设备；

7000C 显示设备；

702 界面；

704 法线；

θ1 第一出光角度；

θ2 第二出光角度；

Vcom1 第一共同电压；

Vcom2 第二共同电压；

Vcom3 共同电压。

具体实施方式

以下针对本发明一些实施例的显示设备及其制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本发明一些实施例的不同样态。以下所述特定的组件及排列方式仅为简单清楚描述本发明一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本发明的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。

除非另外定义，在此使用的全部用语(包括技术及科学用语)具有与此篇发明所属技术领域的技术人员所通常理解的相同涵义。能理解的是，这些用语，例如在通常使用的字典中定义的用语，应被解读成具有与相关技术及本发明的背景或上下文一致的意思，而不应以一理想化或过度正式的方式解读，除非在本发明的一些实施例有特别定义。

本发明一些实施例可配合图式一并理解，本发明的一些实施例的图式亦被视为发明说明的一部分。需了解的是，本发明的一些实施例的图式并未以实际装置及组件的比例绘示。在图式中可能夸大实施例的形状与厚度以便清楚表现出本发明的一些实施例的特征。此外，图式中的结构及装置系以示意的方式绘示，以便清楚表现出本发明的一些实施例的特征。

本发明的一些实施例系通过于一显示设备中设置具有不同出光角度的两个发光二极管组件，可使本发明实施例的显示设备具有广窄视角切换功能。此外，通过将显示设备中的两发光二极管组件分别设置于不同的两层，本发明的实施例的显示设备更可具有三维影像(3D image)显示功能。

首先，参见图1A，该图系根据本发明一些实施例的显示设备的剖面图。如图1A所示，提供一基板100。在本发明的一些实施例中，此基板100可为蓝宝石基板，且后续的发光二极管组件可直接形成于此蓝宝石基板上。而在本发明其它一些实施例中，此基板100可为软性基板、玻璃基板、陶瓷基板、塑料基板或其它任何适合的基板。而后续的发光二极管组件可先于另一蓝宝石基板上形成，接着再将制得的发光二极管组件放置于此基板100上。

接着，继续参见图1A，将至少一个第一发光二极管组件102形成或放置于基板100上。如前段所述，当基板100为蓝宝石基板100时，此第一发光二极管组件102可形成于蓝宝石基板100上。而当基板100为其它基板时，此第一发光二极管组件102可先于另一蓝宝石基板上形成，再放置于此基板100上。

如图1A所示，第一发光二极管组件102包括设置于基板100上的第一半导体层104A，且此第一半导体层104A具有第一导电型态。第一半导体层104A可包括掺杂或未掺杂的GaN、InN、AlN、In_xGa_(1-x)N、Al_xIn_(1-x)N、Al_xIn_yGa_(1-x-y)N或其它类似的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1。第一半导体层104A可为P型半导体层或N型半导体层，且可通过分子束磊晶(MBE)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)、氢化物气相磊晶法(HVPE)、液相磊晶法(LPE)或其它类似方法的磊晶成长工艺形成。

继续参见图1A，第一发光二极管组件102更包括设置于第一半导体层104A上的主动层106A。此主动层106A可包括同质接面(homojunction)、异质接面(heterojunction)、单一量子井(single-quantum well(SQW))、多重量子井(multiple-quantum well(MQW))或其它类似的结构。在一实施例中，主动层106A可包括未掺杂的N型In_xGa_(1-x)N。在其它实施例中，主动层106A可包括例如Al_xIn_yGa_(1-x-y)N的其它常用的材料。在其它实施例中，主动层106A可为包括多重井层(例如为InGaN)和阻障层(例如为GaN)交错排列的多重量子井结构。再者，主动层106A的形成方式可包括金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)、分子束磊晶法(MBE)、氢化物气相磊晶法(HVPE)、液相磊晶法(LPE)或其它适当的CVD方式。在一实施例中，主动层106A覆盖部分第一半导体层104A。

继续参见图1A，第一发光二极管组件102更包括设置于主动层106A上的第二半导体层108A，且此第二半导体层108A具有第二导电型态，且此第二导电型态与第一导电型态不同。第二半导体层108A可包括掺杂或未掺杂的GaN、InN、AlN、In_xGa_(1-x)N、Al_xIn_(1-x)N、Al_xIn_yGa_(1-x-y)N或其它类似的材料，其中0≤x≤1，0≤y≤1且0≤(x+y)≤1。第二半导体层108A可为P型半导体层或N型半导体层，且可通过分子束磊晶(MBE)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)、氢化物气相磊晶法(HVPE)、液相磊晶法(LPE)或其它类似方法的磊晶成长工艺形成。

继续参见图1A，第一发光二极管组件102更包括下电极110A。此下电极110A与第一半导体层104A电性连接。此下电极110A可设于任何可与第一半导体层104A电性连接的位置。在一些实施例中，下电极110A系设于第一半导体层104A被主动层106A及第二半导体层108A暴露出的部分上。在本发明的一些实施例中，此下电极110A系耦接(或电性连接)至第一共同电压Vcom1。易言之，此第一发光二极管组件102的第一半导体层104A系耦接至第一共同电压Vcom1。此部分将于图1B中详细说明。

在本发明的一些实施例中，下电极110A可为单层或多层的金、铬、镍、铂、钛、铝、铱、铑、上述的组合或其它导电性佳的金属材料。下电极110A可通过沉积与图案化工艺形成。此沉积步骤可包括化学气相沉积法(CVD)、溅镀法、电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、或其它任何适合的沉积方式。

接着，继续参见图1A，于基板100上形成绝缘层112，此绝缘层112围绕第一发光二极管组件102。在本发明的一些实施例中，此绝缘层112可为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它适合的材料。绝缘层112可通过化学气相沉积法(CVD)或旋转涂布法形成，此化学气相沉积法例如可为低压化学气相沉积法(low pressure chemical vapor deposition，LPCVD)、低温化学气相沉积法(low temperature chemical vapor deposition，LTCVD)、快速升温化学气相沉积法(rapid thermal chemical vapor deposition，RTCVD)、电浆辅助化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)、原子层化学气相沉积法的原子层沉积法(atomic layer deposition，ALD)或其它常用的方法。

接着，继续参见图1A，于绝缘层112以及第二半导体层108A上形成第一发光二极管组件102的上电极114A。易言之，第一发光二极管组件102更包括此上电极114A，且此上电极114A与第二半导体层108A电性连接。此上电极114A可设于任何可与第二半导体层108A电性连接的位置。

在本发明的一些实施例中，通过对第一发光二极管组件102的下电极110A及/或上电极114A施加电压，可使第一发光二极管组件102发光。此外，如图1A所示，此第一发光二极管组件102所发出的光具有第一发光路径116。

接着，继续参见图1A，于绝缘层112上形成绝缘层118，且此绝缘层118覆盖第一发光二极管组件102。此绝缘层118可为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它适合的材料。绝缘层118可通过前述化学气相沉积法(CVD)或旋转涂布法形成。

接着，继续参见图1A，于绝缘层118上形成晶体管120。此晶体管120例如可为薄膜晶体管。此晶体管120包括设于绝缘层118上的栅极电极120G、设于绝缘层118上且覆盖栅极电极120G的栅极介电层122。晶体管120更包括设于栅极介电层122上的半导体层124、以及分别设于此半导体层124两侧的源极电极120S与漏极电极120D。此半导体层124与栅极电极120G重叠，且源极电极120S与漏极电极120D分别与半导体层124两侧的部分重叠。

此栅极电极120G可为非晶硅、复晶硅、一或多种金属、金属氮化物、导电金属氧化物、或上述的组合。上述金属可包括但不限于钼(molybdenum)、钨(tungsten)、钛(titanium)、钽(tantalum)、铂(platinum)或铪(hafnium)。上述金属氮化物可包括但不限于氮化钼(molybdenum nitride)、氮化钨(tungsten nitride)、氮化钛(titaniumnitride)以及氮化钽(tantalum nitride)。上述导电金属氧化物可包括但不限于钌金属氧化物(ruthenium oxide)以及铟锡金属氧化物(indium tin oxide)。此栅极电极120G可通过前述的化学气相沉积法(CVD)、溅镀法、电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、或其它任何适合的沉积方式形成。

此栅极介电层122可为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、高介电常数(high-k)介电材料、或其它任何适合的介电材料、或上述的组合。此高介电常数(high-k)介电材料的材料可为金属氧化物、金属氮化物、金属硅化物、过渡金属氧化物、过渡金属氮化物、过渡金属硅化物、金属的氮氧化物、金属铝酸盐、锆硅酸盐、锆铝酸盐。例如，此高介电常数(high-k)介电材料可为LaO、AlO、ZrO、TiO、Ta₂O₅、Y₂O₃、SrTiO₃(STO)、BaTiO₃(BTO)、BaZrO、HfO₂、HfO₃、HfZrO、HfLaO、HfSiO、HfSiON、LaSiO、AlSiO、HfTaO、HfTiO、HfTaTiO、HfAlON、(Ba,Sr)TiO₃(BST)、Al₂O₃、其它适当材料的其它高介电常数介电材料、或上述组合。此栅极介电层122可通过前述化学气相沉积法(CVD)或旋转涂布法形成。

此半导体层124可包括元素半导体，包括硅、锗(germanium)；化合物半导体，包括氮化镓(gallium nitride，GaN)、碳化硅(silicon carbide)、砷化镓(gallium arsenide)、磷化镓(gallium phosphide)、磷化铟(indium phosphide)、砷化铟(indium arsenide)及/或锑化铟(indium antimonide)；合金半导体，包括硅锗合金(SiGe)、磷砷镓合金(GaAsP)、砷铝铟合金(AlInAs)、砷铝镓合金(AlGaAs)、砷铟镓合金(GaInAs)、磷铟镓合金(GaInP)及/或磷砷铟镓合金(GaInAsP)或上述材料的组合。此半导体层124可通过前述化学气相沉积法(CVD)形成。

上述源极电极120S与漏极电极120D的材料可包括铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料。于其它实施例中，上述源极电极120S与漏极电极120D的材料可为一非金属材料，只要使用的材料具有导电性即可。此源极电极120S与漏极电极120D的材料可通过前述的化学气相沉积法(CVD)、溅镀法、电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、或其它任何适合的沉积方式形成。在一些实施例中，上述源极电极120S与漏极电极120D的材料可相同，且可通过同一道沉积步骤形成。然而，在其它实施例中，上述源极电极120S与漏极电极120D亦可通过不同的沉积步骤形成，且其材料可彼此不同。

接着，继续参见图1A，于绝缘层118上形成绝缘层126，且此绝缘层126覆盖晶体管120以与栅极介电层122。此绝缘层126可为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它适合的材料。绝缘层126可通过前述化学气相沉积法(CVD)或旋转涂布法形成。

接着，继续参见图1A，于绝缘层126上形成出光角度转换层128。在本发明的一些实施例中，如图1A所示，出光角度转换层128为可遮光的遮蔽层128(亦可称遮光层)，且此遮蔽层128系位于第一发光二极管组件102上。在本发明的一些实施例中，此遮蔽层128的材料可为金属材料、树脂材料、或其它适合的遮光材料。此金属材料可包括铬、铝、钼、铜、钨、金、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它可遮光的金属材料。此金属材料可通过前述的化学气相沉积法(CVD)、溅镀法、电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、或其它任何适合的沉积方式形成。上述树脂材料例如可为聚亚酰胺(polyimide)型树脂、环氧(epoxy)型树脂、聚酯(polyester)形树脂或其它任何适合的树脂材料。在本发明的一些实施例中，上述树脂材料可为绝缘树脂材料。此树脂材料可通过前述化学气相沉积法(CVD)或旋转涂布法形成。

此外，如图1A所示，遮蔽层128具有第一开口130A，且此第一开口130A对准第一发光二极管组件102的第一发光路径116设置。由于此遮蔽层128的第一开口130A对准第一发光二极管组件102的第一发光路径116设置，故此第一开口130A可用以控制第一发光二极管组件102所发出的光的出光角度，使此第一发光二极管组件102所发出的光具有第一出光角度θ1，如图1A所示。

此外，如图1A所示，在本发明一些实施例中，此遮蔽层128可具有另一开口132，此开口132对准后续的导孔140设置。在本发明的一些实施例中，上述第一开口130A以及开口132可通过对遮蔽层128进行微影工艺及蚀刻工艺形成。

接着，继续参见图1A，将至少一个第二发光二极管组件134放置于遮蔽层128上。在本发明的一些实施例中，可先于另一蓝宝石基板上形成第二发光二极管组件134，再将此第二发光二极管组件134放置于遮蔽层128上。

能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”等来叙述各种组件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些组件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一组件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本发明一些实施例的教示的情况下被称为一第二组件、组成成分、区域、层、及/或部分。

此外，如图1A所示，第二发光二极管组件134系位于基板100上，且位于遮蔽层128的第一开口130A所对应的区域以外的位置。或者，第二发光二极管组件134系位于第一发光二极管组件102的第一发光路径116对应的区域以外的位置。此外，如图1A所示，此第二发光二极管组件134包括第一半导体层104B、主动层106B、第二半导体层108B、下电极110B、以及于后续步骤中形成的上电极114B。此第二发光二极管组件134的结构、各层材料以及制造方法皆与前述第一发光二极管组件102相同或相似，故此部分将不再赘述。

此外，在本发明的一些实施例中，此第二发光二极管组件134的下电极110B系耦接(或电性连接)至第二共同电压Vcom2。易言之，此第二发光二极管组件134的第一半导体层104B系耦接至第二共同电压Vcom2。此部分将于图1B中详细说明。

如图1A所示，在本发明的一些实施例中，通过对第二发光二极管组件134的下电极110B及/或上电极114B施加电压，可使第二发光二极管组件134发光。此外，如图1A所示，此第二发光二极管组件134所发出的光具有第二发光路径136。此外，此第二发光二极管组件134所发出的光具有第二出光角度θ2，且此第二出光角度θ2大于第一发光二极管组件102的第一出光角度θ1。

在本发明的一些实施例中，第二发光二极管组件134的第二出光角度θ2为约160度至约180度，例如为约170度至约178度。而第一发光二极管组件102的第一出光角度θ1为约30度至约90度，例如为约45度至约60度。然而，应注意的是，本发明的第一出光角度θ1及第二出光角度θ2并不限于上述范围。在本发明其它一些实施例中，第一出光角度θ1及第二出光角度θ2可为任何适合的出光角度。

在此，“约”、“大约”、“大抵”的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，例如是10％之内，且例如是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明“约”、“大约”、“大抵”的情况下，仍可隐含“约”、“大约”、“大抵”的含义。

参见图1A，本发明的一些实施例通过于显示设备中设置具有不同出光角度的两个发光二极管组件，可使本发明实施例的显示设备具有广窄视角切换功能。藉此，本发明实施例可大幅增进显示设备的可应用性。

例如，在本发明的一些实施例中，当显示设备为窄视角模式时，可控制显示设备中的第一发光二极管组件以及第二发光二极管组件，使具有较小出光角度的第一发光二极管组件发光，而具有较大出光角度的第二发光二极管组件不发光，藉此缩小显示设备的视角。

此外，当显示设备为广视角模式时，可控制显示设备中的第一发光二极管组件以及第二发光二极管组件，使具有较大出光角度的第二发光二极管组件发光，而具有较小出光角度的第一发光二极管组件不发光，藉此增加显示设备的视角。

又或者，在本发明其它一些实施例中，当显示设备为广视角模式时，可控制显示设备中的第一发光二极管组件以及第二发光二极管组件，使第一发光二极管组件以及第二发光二极管组件皆发光，藉此可增加显示设备于广视角模式的发光亮度。

此外，如图1A所示，在本发明的一些实施例中，第一发光二极管组件系设于基板上，而第二发光二极管组件系设于较上层的绝缘层上(或设于遮蔽层上)。因此，两发光二极管组件系设于不同的两层。本发明实施例通过将显示设备中的两发光二极管组件分别设置于不同的两层，可使显示设备更具有三维影像(3D image)显示的功能。藉此，本发明实施例可更进一步增进显示设备的可应用性。

接着，继续参见图1A，于绝缘层126及遮蔽层128上形成绝缘层138，此绝缘层138围绕第二发光二极管组件134。在本发明的一些实施例中，此绝缘层138可为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它适合的材料。绝缘层138可通过前述化学气相沉积法(CVD)或旋转涂布法形成。

接着，继续参见图1A，形成导孔140。此导孔140穿过绝缘层138、绝缘层126、栅极介电层122、绝缘层118，并连接第一发光二极管组件102的上电极114A以及晶体管120的漏极电极120D。此外，此导孔140穿过遮蔽层128的开口132，且不接触此遮蔽层128。在本发明的一些实施例中，导孔140的材料包括铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料。

接着，继续参见图1A，于绝缘层138以及第二半导体层108B上形成第二发光二极管组件134的上电极114B。此上电极114B与第二半导体层108B电性连接，且可设于任何可与第二半导体层108B电性连接的位置。此外，此上电极114B亦与导孔140电性连接。因此，如图1A所示，晶体管120的漏极电极120D通过导孔140电性连接第二发光二极管组件134的上电极114B(或第二半导体层108B)以及第一发光二极管组件102的上电极114A(或第二半导体层108A)。

在本发明的一些实施例中，此上电极114B的材料包括铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料。

在本发明的一些实施例中，上述导孔140与上电极114B可通过以下步骤形成。首先，通过微影工艺及蚀刻工艺形成一开孔(未绘示)，此开孔穿过绝缘层138、绝缘层126、栅极介电层122、绝缘层118，并露出第一发光二极管组件102的上电极114A以及晶体管120的漏极电极120D。此外，此开孔穿过遮蔽层128的开口132，且不接触此遮蔽层128。

接着，进行一沉积工艺形成一金属层(未绘示)，此金属层覆盖绝缘层138以及第二发光二极管组件134的第二半导体层108B，且填入上述开孔中。此金属层的材料包括铜、铝、钼、钨、金、铬、镍、铂、钛、铱、铑、上述的合金、上述的组合或其它导电性佳的金属材料。此沉积步骤可包括前述化学气相沉积法(CVD)、溅镀法、电阻加热蒸镀法、电子束蒸镀法、或其它任何适合的沉积方式。

接着，进行微影工艺及蚀刻工艺以移除一部分位于绝缘层138以及第二半导体层108B上的金属层。此金属层留下于绝缘层138以及第二半导体层108B上的部分则形成上述上电极114B，而此金属层留下于开孔中的部分则形成导孔140。因此，在一些实施例中，上述导孔140以及上电极114B的材料可相同，且可通过同一道沉积步骤形成。

然而，本发明的实施例并不限于此，在其它实施例中，上述导孔140以及上电极114B亦可通过不同的沉积步骤形成，且其材料亦可彼此不同。

接着，继续参见图1A，于绝缘层138上形成绝缘层142以形成显示设备1000A。此绝缘层142覆盖第二发光二极管组件134。此绝缘层142可为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它适合的材料。绝缘层142可通过前述化学气相沉积法(CVD)或旋转涂布法形成。

参见图1A，本发明实施例提供一显示设备1000A。此显示设备1000A包括基板100、设于基板100上的至少一个第一发光二极管组件102、设于基板100上且围绕第一发光二极管组件102的绝缘层112。此显示设备1000A更包括设于绝缘层112上的绝缘层118、设于绝缘层118上的晶体管120、设于绝缘层118上且覆盖晶体管120以与栅极介电层122的绝缘层126、以及设于绝缘层126上的遮蔽层128。

此显示设备1000A更包括设于遮蔽层128上的至少一个第二发光二极管组件134，此第二发光二极管组件134系位于遮蔽层128的第一开口130A对应的区域以外的位置。此显示设备1000A更包括设于绝缘层126及遮蔽层128上且围绕第二发光二极管组件134的绝缘层138、以及设于绝缘层138上且覆盖第二发光二极管组件134的绝缘层142。

在本发明一些实施例中，相对性的用语例如“下”、“上”、“水平”、“垂直”、“之下”、“之上”、“顶部”、“底部”等等应被理解为该段以及相关图式中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作。而关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构系直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。且此关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。

如图1A所示，晶体管120的漏极电极120D通过导孔140耦接至第一发光二极管组件102的上电极114A(或第二半导体层108A)以及第二发光二极管组件134的上电极114B(或第二半导体层108B)。此外，在本发明的一些实施例中，第一发光二极管组件102的下电极110A(或第一半导体层104A)系耦接至第一共同电压Vcom1。第二发光二极管组件134的下电极110B(或第一半导体层104B)系耦接至第二共同电压Vcom2。

图1B系根据本发明一些实施例的显示设备1000A的等效电路图。如图1B所示，显示设备1000A包括至少一条栅极线144G以及至少一条数据线144D。此栅极线144G与数据线144D系设于基板100(未绘示于图1B)之上。而晶体管120的栅极电极120G系耦接至栅极线144G，而晶体管120的源极电极120S系耦接至数据线144D。此外，晶体管120的漏极电极120D系同时耦接至第一发光二极管组件102的一端以及第二发光二极管组件134的一端。此第一发光二极管组件102的一端例如为第一发光二极管组件102的上电极114A或第二半导体层108A，此第二发光二极管组件134的一端例如为第二发光二极管组件134的上电极114B或第二半导体层108B。

此外，此第一发光二极管组件102的另一端(例如为下电极110A或第一半导体层104A)耦接至第一共同电压Vcom1，而第二发光二极管组件134的另一端(例如为下电极110B或第一半导体层104B)耦接至第二共同电压Vcom2。

在本发明的一些实施例中，通过控制第一共同电压Vcom1以及第二共同电压Vcom2，可独立地控制第一发光二极管组件102以及第二发光二极管组件134是否发光。

应注意的是，图1A所示的实施例仅为说明之用，本发明一些实施例的范围并不以此为限。除上述图1A所示的实施例以外，本发明一些实施例的显示设备亦可有其它配置方式，如图1C的实施例所示，此部分将于后文详细说明。故本发明一些实施例的范围并不以图1A所示的实施例为限。

应注意的是，后文中与前文相同或相似的组件或膜层将以相同或相似的标号表示，其材料、制造方法与功能皆与前文所述相同或相似，故此部分在后文中将不再赘述。

此外，后文中所述的基板、绝缘层、导孔、遮蔽层，其材料、制造方法与功能皆与前文所述相同或相似。而后文中所述的发光二极管组件以及晶体管，其结构、各层材料、制造方法与功能皆与前文所述相同或相似。故此部分在后文中将不再赘述。

图1C系根据本发明另一些实施例的显示设备1000C的剖面图。如图1C所示，显示设备1000C包括基板100、设于基板100上的至少一个第一发光二极管组件102、设于基板100上且覆盖第一发光二极管组件102的绝缘层146。此显示设备1000C更包括设于绝缘层146上的晶体管120、设于绝缘层146上且覆盖晶体管120以与栅极介电层122的绝缘层148、以及设于绝缘层148上的遮蔽层128。

此显示设备1000C更包括穿过遮蔽层128、绝缘层148、栅极介电层122、绝缘层146的导孔150。此导孔150连接第一发光二极管组件102的第一半导体层104A以及晶体管120的漏极电极120D。此显示设备1000C更包括设于遮蔽层128上的至少一个第二发光二极管组件134，此第二发光二极管组件134系位于遮蔽层128的第一开口130A对应的区域以外的位置。此显示设备1000C更包括设于绝缘层148及遮蔽层128上且覆盖第二发光二极管组件134的绝缘层152。

在本发明的一些实施例中，如图1C所示，第二发光二极管组件134的下电极110B更进一步延伸至其第一半导体层104B的侧壁上，且电性连接导孔150。晶体管120的漏极电极120D通过导孔150耦接至第一发光二极管组件102的第一半导体层104A以及第二发光二极管组件134的下电极110B(或第一半导体层104B)。

此外，在本发明的一些实施例中，第一发光二极管组件102的上电极114A(或第二半导体层108A)系耦接至第一共同电压Vcom1。第二发光二极管组件134的上电极114B(或第二半导体层108B)系耦接至第二共同电压Vcom2。

此外，如图1C所示，可不单独形成第一发光二极管组件102的下电极(例如图1A的下电极110A)。而在此实施例中，图1C的导孔150亦可视为第一发光二极管组件102的下电极。

然而，本发明实施例不限于此。在本发明其它一些实施例中，显示设备1000C亦可单独形成第一发光二极管组件102的下电极(例如图1A的下电极110A)。

此外，如图1C所示，于显示设备1000C中，遮蔽层128可直接接触导孔150。在本发明的一些实施例中，若遮蔽层128的材料为金属材料，则此遮蔽层128系电性连接至此导孔150。

应注意的是，图1A-1C所示的实施例仅为说明之用，本发明一些实施例的范围并不以此为限。除上述图1A-1C所示的实施例以外，本发明一些实施例的显示设备亦可有其它配置方式，如图2A-2C的实施例所示，此部分将于后文详细说明。故本发明一些实施例的范围并不以图1A-1C所示的实施例为限。

图2A系根据本发明另一些实施例的显示设备2000A的剖面图。图2A所示的实施例与前述图1A的实施例的差别在于第二发光二极管组件134的下电极110B更进一步延伸至其第一半导体层104B的侧壁上，且接触遮蔽层128。在本发明的一些实施例中，若遮蔽层128的材料为金属材料，则此第二发光二极管组件134的下电极110B电性连接至此遮蔽层128。易言之，此下电极110B与遮蔽层128皆耦接至第二共同电压Vcom2。

图2B系根据本发明另一些实施例的显示设备2000B的剖面图。图2B所示的实施例与前述图1C的实施例的差别在于此显示设备2000B包括设于绝缘层148与遮蔽层128上的绝缘层154。第二发光二极管组件134系设于此绝缘层154上，且不接触遮蔽层128。接着，此显示设备2000B更包括设于绝缘层154上且围绕第二发光二极管组件134的绝缘层156、以及设于绝缘层156上且覆盖第二发光二极管组件134的绝缘层158。此外，此显示设备2000B更包括穿过绝缘层156以及绝缘层154的导孔160。此导孔160连接第二发光二极管组件134的上电极114B以及遮蔽层128。此外，此遮蔽层128不接触导孔150。

在本发明的一些实施例中，若遮蔽层128的材料为金属材料，则此第二发光二极管组件134的上电极114B电性连接至此遮蔽层128。易言之，此上电极114B与遮蔽层128皆耦接至第二共同电压Vcom2。

图2C系根据本发明另一些实施例的显示设备2000C的剖面图。图2C所示的实施例与前述图2A的实施例的差别在于遮蔽层128系设于晶体管120之下，而非设于晶体管120之上。

详细而言，显示设备2000C更包括一层绝缘层162于晶体管120以及绝缘层118之间，而遮蔽层128系设于此绝缘层162与绝缘层118之间。易言之，此遮蔽层128系设于绝缘层118之上，且被绝缘层162覆盖。

此外，此显示设备2000C更包括穿过绝缘层126、栅极介电层122以及绝缘层162的导孔164。此导孔164连接遮蔽层128。此外，此遮蔽层128不接触电晶体120的源极电极120S。在本发明的一些实施例中，若遮蔽层128的材料为金属材料，则此第二发光二极管组件134的下电极110B通过导孔164电性连接至此遮蔽层128。易言之，此下电极110B与遮蔽层128皆耦接至第二共同电压Vcom2。

应注意的是，图1A-2C所示的实施例仅为说明之用，本发明一些实施例的范围并不以此为限。除上述图1A-2C所示的实施例以外，本发明一些实施例的显示设备亦可有其它配置方式，如图3A-3B的实施例所示，此部分将于后文详细说明。故本发明一些实施例的范围并不以图1A-2C所示的实施例为限。

图3A系根据本发明另一些实施例的显示设备3000A的剖面图。图3A所示的实施例与前述图1A的实施例的差别在于此显示设备3000A包括设于绝缘层126与遮蔽层128上的绝缘层166。第二发光二极管组件134系设于此绝缘层166上，且不接触遮蔽层128。此外，遮蔽层128直接接触导孔140。在本发明的一些实施例中，若遮蔽层128的材料为金属材料，则此遮蔽层128通过导孔140电性连接晶体管120的漏极电极120D。

图3B系根据本发明另一些实施例的显示设备3000B的剖面图。图3B所示的实施例与前述图1A的实施例的差别在于遮蔽层128系设于晶体管120之下，而非设于晶体管120之上。

详细而言，显示设备3000B更包括一层绝缘层168设于晶体管120以及绝缘层118之间，而遮蔽层128系设于此绝缘层168与绝缘层118之间。易言之，此遮蔽层128系设于绝缘层118上，且被绝缘层168覆盖。此外，遮蔽层128直接接触导孔140。在本发明的一些实施例中，若遮蔽层128的材料为金属材料，则此遮蔽层128通过导孔140电性连接晶体管120的漏极电极120D。

应注意的是，图1A-3B所示的实施例仅为说明之用，本发明一些实施例的范围并不以此为限。除上述图1A-3B所示的实施例以外，本发明一些实施例的显示设备亦可有其它配置方式，如图4的实施例所示，此部分将于后文详细说明。故本发明一些实施例的范围并不以图1A-3B所示的实施例为限。

图4系根据本发明另一些实施例的显示设备4000的剖面图。图4所示的实施例与前述图1A-3B的实施例的差别在于第一发光二极管组件102与第二发光二极管组件134系设于同一层，而非分别设于不同的两层。详细而言，显示设备4000包括基板100、设于基板100上的晶体管120、设于基板100上且覆盖晶体管120以与栅极介电层122的绝缘层402。此显示设备4000更包括设于绝缘层402上的第一发光二极管组件102与第二发光二极管组件134，以及设于绝缘层402上且围绕第一发光二极管组件102与第二发光二极管组件134的绝缘层404。

如图4所示，此显示设备4000更包括穿过绝缘层404与绝缘层402的导孔406。此导孔406通过电极408电性连接第一发光二极管组件102的第二半导体层108A以及第二发光二极管组件134的第二半导体层108B。如图4所示，电极408可同时作为第一发光二极管组件102以及第二发光二极管组件134的上电极。

此外，如图4所示，在本发明的一些实施例中，可于第一发光二极管组件102的第二半导体层108A上形成遮光组件410。此遮光组件410可用以控制第一发光二极管组件102的出光角度。

在本发明的一些实施例中，此遮光组件410的材料为金属，且可为电极408的一部分。在此实施例中，若由上视图观察，此遮光组件410连接电极408。然而，本发明并不限于此。在本发明其它一些实施例中，遮光组件410与电极408为各自独立的金属图案。在这些实施例中，遮光组件410可不接触电极408。

接着，继续参见图4，显示设备4000更包括设于绝缘层404上且覆盖第一发光二极管组件102与第二发光二极管组件134的绝缘层412，以及设于绝缘层412上的遮蔽层128。

如图4所示，遮蔽层128具有第二开口130B，此第二开口130B对准第二发光二极管组件134的第二发光路径136设置。由于此遮蔽层128的第二开口130B对准第二发光二极管组件134的第二发光路径136设置，故此第二开口130B可用以控制第二发光二极管组件134所发出的光的第二出光角度θ2。接着，继续参见图4，显示设备4000更包括设于绝缘层412上且覆盖遮蔽层128的绝缘层414。

应注意的是，图4所示的实施例仅为说明之用，本发明一些实施例的范围并不以此为限。除上述图4所示的实施例以外，本发明一些实施例的显示设备亦可有其它配置方式，如图5A-5B的实施例所示，此部分将于后文详细说明。故本发明一些实施例的范围并不以图4所示的实施例为限。

图5A系根据本发明另一些实施例的显示设备5000A的剖面图。图5A所示的实施例与前述图4的实施例的差别在于晶体管120系设于第一发光二极管组件102与第二发光二极管组件134之上，而非设于第一发光二极管组件102与第二发光二极管组件134之下。

详细而言，如图5A所示，显示设备5000A包括设于基板100上的第一发光二极管组件102与第二发光二极管组件134，以及设于基板100上且围绕第一发光二极管组件102与第二发光二极管组件134的绝缘层502。此显示设备5000A更包括设于绝缘层502上的绝缘层504，以及设于绝缘层504上的遮蔽层128。

此显示设备5000A更包括穿过绝缘层504与绝缘层502的导孔506，此导孔506连接第二发光二极管组件134的第一半导体层104B以及遮蔽层128。在本发明的一些实施例中，若遮蔽层128的材料为金属材料，则此遮蔽层128通过导孔506电性连接第二发光二极管组件134的第一半导体层104B。在本发明的一些实施例中，第二发光二极管组件134的第一半导体层104B、导孔506以及遮蔽层128皆耦接至第二共同电压Vcom2。

此外，如图5A所示，可不单独形成第二发光二极管组件134的下电极(例如图1A的下电极110B)。而在此实施例中，图5A的导孔506亦可视为第二发光二极管组件134的下电极。

接着，继续参见图5A，显示设备5000A更包括设于绝缘层504上且覆盖遮蔽层128的绝缘层508，以及设于绝缘层508上的晶体管120。此晶体管120的漏极电极120D通过另一导孔510以及电极408电性连接第一发光二极管组件102的第二半导体层108A以及第二发光二极管组件134的第二半导体层108B。如图4所示，电极408可同时作为第一发光二极管组件102以及第二发光二极管组件134的上电极。继续参见图5A，显示设备5000A更包括设于绝缘层508上且覆盖晶体管120的绝缘层512。

图5B系根据本发明另一些实施例的显示设备5000B的剖面图。图5B所示的实施例与前述图5A的实施例的差别在于显示设备5000B包括单独形成的第二发光二极管组件134的下电极110B，且此下电极110B不接触遮蔽层128。

应注意的是，图1A-5B所示的实施例仅为说明之用，本发明一些实施例的范围并不以此为限。除上述图1A-5B所示的实施例以外，本发明一些实施例的显示设备亦可有其它配置方式，如图6A的实施例所示，此部分将于后文详细说明。故本发明一些实施例的范围并不以图1A-5B所示的实施例为限。

图6A系根据本发明另一些实施例的显示设备6000A的剖面图。图6A所示的实施例与前述图1A-5B的实施例的差别在于第一发光二极管组件102的下电极110A与第二发光二极管组件134的下电极110B皆耦接至相同的共同电压Vcom3。第一发光二极管组件102的上电极114A系耦接至第一晶体管120A的第一漏极电极120AD，而第二发光二极管组件134的上电极114B系耦接至第二晶体管120B的第二漏极电极120BD。

详细而言，显示设备6000A包括基板100、设于基板100上的第一发光二极管组件102、以及设于基板100上且覆盖第一发光二极管组件102的绝缘层602。此显示设备6000A更包括设于绝缘层602上的第一晶体管120A以及第二晶体管120B。

此第一晶体管120A包括第一栅极电极120AG、第一半导体层124A、第一源极电极120AS与第一漏极电极120AD。且第一晶体管120A的第一漏极电极120AD系通过导孔604电性连接第一发光二极管组件102的上电极114A(或第二半导体层108A)。

此外，如图6A所示，此第二晶体管120B包括第二栅极电极120BG、第二半导体层124B、第二源极电极120BS与第二漏极电极120BD。

继续参见图6A，显示设备6000A更包括设于绝缘层602上且覆盖第一晶体管120A以及第二晶体管120B的绝缘层606，以及设于绝缘层606上的遮蔽层128。此显示设备6000A更包括设于遮蔽层128上的第二发光二极管组件134，且此第二发光二极管组件134的上电极114B系通过导孔608电性连接第二晶体管120B的第二漏极电极120BD。

继续参见图6A，此显示设备6000A更包括设于绝缘层606及遮蔽层128上且围绕第二发光二极管组件134的绝缘层610、以及设于绝缘层610上且覆盖第二发光二极管组件134的绝缘层612。

如图6A所示，在本发明一些实施例中，第一发光二极管组件102与第二发光二极管组件134系分别通过两个不同且独立地晶体管控制其是否发光。

图6B系根据本发明一些实施例的显示设备6000A的等效电路图。如图6B所示，在本发明一些实施例中，显示设备6000A包括一条第一栅极线144G1、一条第二栅极线144G2、以及一条数据线144D。而第一晶体管120A的第一栅极电极120AG系耦接至第一栅极线144G1，而第一晶体管120A的第一源极电极120AS系耦接至数据线144D。此外，第一晶体管120A的第一漏极电极120AD系耦接至第一发光二极管组件102的一端。此第一发光二极管组件102的一端例如为第一发光二极管组件102的上电极114A或第二半导体层108A。此外，此第一发光二极管组件102的另一端(例如为下电极110A或第一半导体层104A)耦接至共同电压Vcom3。

此外，如图6B所示，第二晶体管120B的第二栅极电极120BG系耦接至第二栅极线144G2，而第二晶体管120B的第二源极电极120BS系耦接至数据线144D。此外，第二晶体管120B的第二漏极电极120BD系耦接至第二发光二极管组件134的一端。此第二发光二极管组件134的一端例如为第二发光二极管组件134的上电极114B或第二半导体层108B。此外，此第二发光二极管组件134的另一端(例如为下电极110B或第二半导体层104B)耦接至共同电压Vcom3。

在本发明的一些实施例中，通过控制第一栅极线144G1与第二栅极线144G2的信号，可独立地控制第一发光二极管组件102以及第二发光二极管组件134是否发光。

图6C系根据本发明另一些实施例的显示设备6000C的等效电路图。如图6C所示，在本发明一些实施例中，显示设备6000C包括一条栅极线144G、一条第一数据线144D1、以及一条第二数据线144D2。而第一晶体管120A的第一栅极电极120AG系耦接至栅极线144G，而第一晶体管120A的第一源极电极120AS系耦接至第一数据线144D1。此外，第一晶体管120A的第一漏极电极120AD系耦接至第一发光二极管组件102的一端。此第一发光二极管组件102的一端例如为第一发光二极管组件102的上电极114A或第二半导体层108A。此外，此第一发光二极管组件102的另一端(例如为下电极110A或第一半导体层104A)耦接至共同电压Vcom3。

此外，如图6C所示，第二晶体管120B的第二栅极电极120BG系耦接至栅极线144G，而第二晶体管120B的第二源极电极120BS系耦接至第二数据线144D2。此外，第二晶体管120B的第二漏极电极120BD系耦接至第二发光二极管组件134的一端。此第二发光二极管组件134的一端例如为第二发光二极管组件134的上电极114B或第二半导体层108B。此外，此第二发光二极管组件134的另一端(例如为下电极110B或第二半导体层104B)耦接至共同电压Vcom3。

在本发明的一些实施例中，通过控制第一数据线144D1以及第二数据线144D2的信号，可独立地控制第一发光二极管组件102以及第二发光二极管组件134是否发光。

应注意的是，图1A-6C所示的实施例仅为说明之用，本发明一些实施例的范围并不以此为限。除上述图1A-6C所示的实施例以外，本发明一些实施例的显示设备亦可有其它配置方式，如图7A-7C的实施例所示，此部分将于后文详细说明。故本发明一些实施例的范围并不以图1A-6C所示的实施例为限。

图7A系根据本发明另一些实施例的显示设备7000A的剖面图。如图7A所示，根据本发明一些实施例，出光角度转换层128为可透光的膜层(或称透光层)。如图7A所示，此出光角度转换层128系设于第一发光二极管组件102上，且出光角度转换层128的位置系对应第一发光二极管组件102的第一发光路径116。

如图7A所示，此出光角度转换层128与绝缘层126直接接触，且出光角度转换层128与绝缘层126之间具有界面702。此外，此出光角度转换层128的折射率与绝缘层126的折射率不同。详细而言，出光角度转换层128具有第一折射率n1，而绝缘层126具有第二折射率n2，且第一折射率n1大于第二折射率n2。

此外，如图7A所示，于界面702上，第一发光二极管组件102所发出的光具有入射角θ3，以及折射角θ4。在本发明的一些实施例中，此入射角θ3为在绝缘层126中，界面702的法线704与第一发光二极管组件102所发出的光之间的夹角。而折射角θ4为在出光角度转换层128中，界面702的法线704与第一发光二极管组件102所发出的光之间的夹角。

根据司乃耳定律(Snell's Law)，第一折射率n1、第二折射率n2、入射角θ3，以及折射角θ4可由以下公式表示：

n1sinθ1＝n2sinθ2

由上述司乃耳定律(Snell's Law)可知，由于本发明实施例中出光角度转换层128的第一折射率n1大于绝缘层126的第二折射率n2，故折射角θ4会小于入射角θ3。因此，此出光角度转换层128可缩小第一发光二极管组件102的出光角度，并可藉此缩小显示设备的视角。在本发明的一些实施例中，此第一发光二极管组件102的第一出光角度系指两倍的折射角θ4。此外，第二发光二极管组件134的第二出光角度θ2大于此第一发光二极管组件102的第一出光角度(亦即两倍的折射角θ4)。

在本发明的一些实施例中，出光角度转换层128的底面为平面，且与基板100的表面平行。易言之，出光角度转换层128与绝缘层126之间的界面702为平面，且与基板100的表面平行。

在本发明的一些实施例中，此出光角度转换层128可为介电材料，例如为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其它适合的材料。此外，在本发明的一些实施例中，此出光角度转换层128可通过以下的方法制得。首先，于绝缘层126中蚀刻出一凹口，此凹口的底面为平面。接着，通过前文的沉积步骤沉积上述介电材料于此凹口中以形成出光角度转换层128。

或者，在本发明其它一些实施例中，此出光角度转换层128可通过其它方法制得。在本发明其它一些实施例中，绝缘层126可由双层或多层的绝缘层(未绘示)组成。可先形成较下层的绝缘层。之后，于此下层的绝缘层上形成出光角度转换层128。接着，再形成较上层的绝缘层，此上层的绝缘层环绕出光角度转换层128。

图7B系根据本发明另一些实施例的显示设备7000B的剖面图。图7B所示的实施例与前述图7A的实施例的差别在于出光角度转换层128的底面为曲面。易言之，出光角度转换层128与绝缘层126之间的界面702为曲面。

在本发明的一些实施例中，此出光角度转换层128可通过以下的方法制得。首先，于绝缘层126中蚀刻出一凹口，此凹口的底面为曲面。接着，通过前文的沉积步骤沉积上述介电材料于此凹口中以形成出光角度转换层128。

图7C系根据本发明另一些实施例的显示设备7000C的剖面图。图7C所示的实施例与前述图7A-7B的实施例的差别在于出光角度转换层128系形成于绝缘层126上，而非形成于绝缘层126中。

详细而言，于形成绝缘层126后，形成此出光角度转换层128于绝缘层126上。之后，于此出光角度转换层128上放置或形成第二发光二极管组件134。如图7C所示，此出光角度转换层128可缩小第一发光二极管组件102的出光角度，并可藉此缩小显示设备的视角。

综上所述，本发明的一些实施例通过于显示设备中设置具有不同出光角度的两个发光二极管组件，可使本发明实施例的显示设备具有广窄视角切换功能。藉此，本发明实施例可大幅增进显示设备的可应用性。

此外，在本发明的一些实施例中，通过将显示设备中的两发光二极管组件分别设置于不同的两层，可使显示设备更具有三维影像(3D image)显示的功能。藉此，本发明实施例可更进一步增进显示设备的可应用性。

此外，值得注意的是，本领域技术人员均深知，本发明的实施例所述的漏极与源极可互换，因其定义系与本身所连接的电压位准有关。

值得注意的是，以上所述的组件尺寸、组件参数、以及组件形状皆非为本发明的限制条件。本领域技术人员可以根据不同需要调整这些设定值。另外，本发明的实施例的显示设备及其制造方法并不仅限于图1A-6C所图示的状态。本发明一些实施例可以仅包括图1A-6C的任何一或多个实施例的任何一或多项特征。换言之，并非所有图标的特征均须同时实施于本发明一些实施例的显示设备及其制造方法中。

虽然本发明的一些实施例及其优点已揭露如上，但应该了解的是，任何本领域技术人员，在不脱离上述本发明的一些实施例的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰。此外，上述本发明的一些实施例的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何本领域技术人员可从本发明的一些实施例揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明的一些实施例使用。因此，本发明的一些实施例的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一申请专利范围构成个别的实施例，且本发明的一些实施例的保护范围也包括各个申请专利范围及实施例的组合。

Claims

1.一种显示设备，包括：

一基板；

一第一发光二极管组件，设于该基板上，且具有一第一发光路径；

一出光角度转换层，设于该第一发光二极管组件上；以及

一第二发光二极管组件，设于该基板上，且位于该第一发光路径对应的区域以外的位置，

其中该第一发光二极管组件具有一第一出光角度，该第二发光二极管组件具有一第二出光角度，且该第二出光角度大于该第一出光角度；且该第一发光二极管组件与该第二发光二极管组件分别设置于不同的两层，

其中该第一发光二极管组件包括一第一电极与一第二电极，且该第二发光二极管组件包括一第三电极与一第四电极，

其中该显示设备还包括：

一晶体管，设于该基板上，且具有一漏极电极，其中该漏极电极电性连接至该第一发光二极管组件的该第一电极以及该第二发光二极管组件的该第三电极，

其中该第一发光二极管组件的该第二电极电性连接至一第一电压，

其中该第二发光二极管组件的该第四电极电性连接至一第二电压；

一第一绝缘层，设于该基板上，且围绕该第一发光二极管组件；

一第二绝缘层，设于该第一绝缘层上，且覆盖该第一发光二极管组件，其中该晶体管设于该第二绝缘层上；

一第三绝缘层，设于该第二绝缘层上且覆盖该晶体管，其中该出光角度转换层设于该第三绝缘层上，且该第二发光二极管组件设于该出光角度转换层上，

其中该出光角度转换层为一遮蔽层，且具有一第一开口，该第一开口对准该第一发光二极管组件的该第一发光路径设置。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中该第二发光二极管组件具有一第二发光路径，其中该出光角度转换层具有一第二开口，其中该第二开口对准该第二发光二极管组件的该第二发光路径设置。

3.一种显示设备的制造方法，包括：

提供一基板；

形成或放置一第一发光二极管组件于该基板上，其中该第一发光二极管组件具有一第一发光路径；

形成一出光角度转换层于该第一发光二极管组件上；以及

放置一第二发光二极管组件于该基板上，其中该第二发光二极管组件位于该第一发光路径对应的区域以外的位置，

其中该制造方法还包括：

形成一晶体管于该基板上，其中该晶体管具有一漏极电极，且该漏极电极电性连接至该第一发光二极管组件的该第一电极以及该第二发光二极管组件的该第三电极，

形成一第一绝缘层于该基板上，其中该第一绝缘层围绕该第一发光二极管组件；

形成一第二绝缘层于该第一绝缘层上，其中该第二绝缘层覆盖该第一发光二极管组件，其中该晶体管设于该第二绝缘层上；

形成一第三绝缘层于该第二绝缘层上，其中该第三绝缘层覆盖该晶体管，其中该出光角度转换层设于该第三绝缘层上，而该第二发光二极管组件设于该出光角度转换层上，

4.根据权利要求3所述的显示设备的制造方法，其中该第二发光二极管组件具有一第二发光路径，其中该出光角度转换层具有一第二开口，其中该第二开口对准该第二发光二极管组件的该第二发光路径设置。