KR20010004905A - 박막 트랜지스터-발광 다이오드 디스플레이 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 디스플레이 장치에 있어서, 박막 트랜지스터와 발광 다이오드를 사용하여 화면을 디스플레이 시키는 장치에 관한 것이다.
본 발명은 박막 트랜지스터와 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 장치에 있어서, 제어 신호와 전원 전압을 전달하기 위한 커넥터와; 상기 커넥터에서 제공되는 제어 신호를 이용하여 게이트 구동 회로와 데이터 구동 회로의 타이밍을 조절하기 위한 제어기와; 상기 커넥터의 전원 전압을 입력으로 하여 상기 게이트 구동 회로의 구동 전압으로 변환하는 DC/DC 변환기와; 데이터 구동 회로에 데이터 신호를 인가하기 위한 변조부와; 박막 트랜지스터와 발광 다이오드를 이용하여 화면을 디스플레이하기 위한 패널과; 상기 패널에 게이트 구동 전압을 인가하기 위한 게이트 구동 회로; 및, 데이터 전압을 인가하기 위한 데이터 구동 회로를 포함한다.

Description

박막 트랜지스터-발광 다이오드 디스플레이{Thin Film Transistor-Light Emitting Diode display}
본 발명은 디스플레이(Display) 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: TFT)와 발광 다이오드(Light Emitting Diode)를 이용한 디스플레이 장치(TFT-LED)에 관한 것이다.
일반적으로 디스플레이 방식에는 음극선관(Cathod Ray Tube: 이하 CRT라 칭한다) 방식과 박막 트랜지스터-액정 표시 소자(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display: 이하 TFT-LCD라 칭한다) 방식, 그리고 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: 이하 PDP라 칭한다) 방식 및, EL(Electro Luminescent: 이하 EL이라 칭한다), 진공 형광 디스플레이(Vacuum Fluorescent Display: 이하 VFD라 칭한다)등이 있다.
CRT 방식은 전자 빔(Electron Beam)을 쏘아서 섀도우 마스크(Shadow Mask)를 통과시키고 화면에 부딪치는 전자 빔을 이용하여 색상을 실현하는 방식으로 고해상도에 유리하다. 그러나, CRT 방식의 경우는 중량이 많이 나가고, 두께가 두꺼우며 전력이 많이 소모된다는 문제가 있다.
PDP 방식은 전면과 배면의 유리 및 분리벽에 의해 밀폐된 유리에 애노드(Anode)와 캐소드(Cathode) 전극을 형성한 후에 전압을 인가하여 네온 발광을 발생시켜서 화면을 표시하는 방식으로서, 고해상도의 구현이 어려우며 구동 전압이 높은 단점이 있다.
EL 방식은 발광층에 전계를 인가하면 발광층의 전자에 의하여 충돌, 여기되었다가 기저 상태로 떨어지면서 발광층 재료 고유의 빛을 내고, 이러한 발광 요소들을 매트릭스(Matrix) 형태로 배열하여 표시하는 방식으로, 화면 품위 측면에서는 유리하나, 구동 전압이 높은 단점이 있다.
VFP 방식은 고진공의 용기에 캐소드(Cathodd), 그리드(Grid), 애노드(Anode) 전극을 형성하고, 캐소드에서 방출되는 열전자가 애노드에 도포한 형광체를 자극하여 발광시킨 소자들로 구성된 표시 장치로서, 화면 품위 및 응답 속도에는 유리하나, 대형화와 경량화 구현에 어려움이 있다.
TFT-LCD 방식은 상판과 하판 사이에 TFT 라는 소자를 삽입하고 하판 전극에 전류를 인가하여 상판과 하판 사이의 전압 차에 의해 액정이 기울어지는 것(Tilt)를 이용하여 후광(Back Light)에서 나오는 빛의 양을 조절하는 방식이다.
도 1에는 종래의 TFT-LCD의 패널의 단면도를 도시한 것이다. 도 1을 참조하면, 종래의 TFT-LCD는 기판(Substrate: 1)위에 게이트 전극(2)이 만들어지고, 그 위에 게이트 절연막(3)이 형성되며, 채널층(4)이 상기 게이트 절연막(3) 위에 형성되고 나서, 저항성 접합층(Ohmic Contact: 5)이 증착되고 드레인 전극(D)과 소오스 전극(S), 그리고 이를 보호하기 위한 보호막(6)을 형성한다. 이 때, 게이트 절연막(3) 위에 형성된 화소 전극(7)과 컬러 필터(Color Filter: 11)에 형성된 공통 전극(9) 사이에 전압이 형성되는데, 상기 화소 전극(7)과 공통 전극(9) 사이에 있는 액정(8)은 전압에 의해 배열이 달라지게 되어 상기 액정(8)을 지나서 화면에 전달되는 빛에 따라 화면의 디스플레이 상태가 바뀌는 것이다.
상기에서 패널(60)은 게이트 라인에 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터의 게이트 단자가 연결되고, 데이터 라인에 상기 박막 트랜지스터의 드레인 단자가 연결되며, 소오스 단자에는 화소 전극과 공통 전극 사이의 액정에 의해 전압이 인가되도록 구성된다.
그러나, 상기와 같은 TFT-LCD 방식의 경우에는 액정에 의해서 동일한 화상을 인식할 수 있는 시야각이 좁고, 패널의 면적을 크게하는 것이 어려우며 제작 비용이 많이 드는 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같이 여러 가지 디스플레이 방식에서 비롯되는 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 발광 다이오드를 사용하여 디스플레이하는 방식을 사용함으로써 패널의 중량 및 두께를 감소시키며, 시야각을 충분히 확보하고, 제품의 제조 비용을 줄이는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 박막 트랜지스터-액정 표시 소자의 패널의 단면도,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터-발광 다이오드 디스플레이의 블록도,
도 3은 상기 도 2의 패널을 상세히 도시한 도면,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터-발광 다이오드 디스플레이의 패널의 단면도,
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터-발광 다이오드 디스플레이 패널에 있어서, 상부의 글래스를 사용하지 않고 투명 소재를 도포한 경우를 나타낸 단면도,
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 박막 트랜지스터-발광 다이오드 디스플레이 패널에 있어서, 시야각을 개선하기 위하여 발광 다이오드를 유선형으로 구성한 단면도.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 명칭)
10: 커넥터 20: 제어기
30: DC/DC 변환기 40: 게이트 전극
50: 데이터 전극 70: 변조부
1: 기판 2: 게이트 전극
3: 게이트 절연막 4: 채널층
5: 저항성 접합층 6: 보호막
7: 화소 전극 8: 액정
9: 공통 전극 11: 컬러 필터
12: 블랙 매트릭스 13: 애노드
14: 캐소드 15: 밀폐막
16: 글래스 17: 투명 소재
상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 박막 트랜지스터와 발광 다이오드를 사용함으로써 화면을 디스플레이 시키는 장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 박막 트랜지스터-액정 표시 소자(TFT-LCD)의 구조에서 박막 트랜지스터의 소오스 단자에 투명 전극 대신에 발광 다이오드를 연결함으로써 액정에 의해 화면을 디스플레이하는 경우의 문제점을 해결하고, 디스플레이 성능을 향상시키려 한다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 자세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터-발광 다이오드(TFT-LED) 장치의 블록도를 도시한 것이다. 도 1을 참조하면, 제어 신호와 전원 전압(Vdd)을 모듈(Module)로 전달하기 위한 커넥터(10)와, 상기 커넥터(10)에서 제공되는 제어 신호를 이용하여 게이트 구동 회로(Gate Drive IC: 40)와 데이터 구동 회로(Data Drive IC: 50)의 타이밍(Timing)을 조절하기 위한 제어기(20)와, 상기 커넥터(10)의 전원 전압(Vdd)을 입력으로 하여 상기 게이트 구동 회로(40)의 구동 전압으로 변환하는 DC/DC 변환기(30)와, 데이터 구동 회로(50)에 데이터 신호를 인가하기 위한 변조부(70)와, 박막 트랜지스터와 발광 다이오드를 이용하여 화면을 디스플레이하기 위한 패널(60)과, 상기 패널(60)에 전압을 인가하기 위한 게이트 구동 회로(40) 및 데이터 구동 회로(50)로 이루어진다.
상기 패널(60)에서, 게이트 라인에는 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터(61)의 게이트 단자가 연결되고, 데이터 라인에는 상기 박막 트랜지스터의 드레인 단자가 연결되며, 소오스 단자에는 발광 다이오드(62)의 애노드가 연결되고, 발광 다이오드(62)의 캐소드가 공통 전극에 연결되도록 구성된다.
도 3은 본 발명에 따른 박막 트랜지스터-발광 다이오드(TFT-LED)에서, 상기 도 3의 패널(60)에서 박막 트랜지스터(61)에 LCD 대신에 발광 다이오드(LED)를 연결한 것이다. 도 3을 참조하면, 게이트 구동 회로(40)에서 패널(60)로 인가되는 게이트 라인에는 다수의 박막 트랜지스터(61)의 게이트 단자가 연결되고, 데이터 구동 회로(50)에서 패널(60)로 인가되는 데이터 라인에는 상기 다수의 박막 트랜지스터(61)의 드레인(Drain) 단자에 연결된다.
상기 다수의 박막 트랜지스터(61)의 소오스(Source)에는 각각 발광 다이오드(62)가 연결되고, 상기 다수의 발광 다이오드(62)의 캐소드는 모두 접지로 연결된다.
특정 게이트 라인에 신호가 인가되어 상기 게이트 라인에 연결된 박막 트랜지스터가 턴-온(Turn-On)되고, 데이터 라인을 통하여 상기 박막 트랜지스터에 데이터 신호가 인가되는 경우에 상기 박막 트랜지스터의 소오스에 연결된 발광 다이오드는 전기적 에너지를 광 에너지로 변화시켜 화면에 디스플레이하게 된다. TFT-LCD의 경우에는, 화소 전극과 공통 전극 사이의 액정에 의해 전압이 형성되어 화면을 디스플레이 하지만, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터-발광 다이오드는 발광 다이오드를 통하여 빛을 발생시킴으로써 화면을 디스플레이하는 것이다.
도 4에는 본 발명의 박막 트랜지스터-발광 다이오드(TFT-LED)의 패널의 단면도를 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 박막 트랜지스터-발광 다이오드는 먼저 유리(16)로 형성된 상판과 일정 간격을 유지하는 하판 사이에 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터를 TFT-LCD의 경우와 동일하게 제작한다. 상기 박막 트랜지스터의 소오스(S)에 발광 다이오드의 애노드(13)를 만들고, P 형 반도체와 N 형 반도체를 접합시킨 후에, N 형 반도체에 캐소드(14)를 만들어 발광 다이오드를 형성한다.
이 때, 박막 트랜지스터-발광 다이오드로 이루어진 화소를 각각 분리하기 위해 밀폐막(Seal: 15)를 형성한다.
상기와 같이 형성된 박막 트랜지스터-발광 다이오드에 게이트 라인과 데이터 라인을 통하여 전압이 인가되면, 상기 발광 다이오드에서 광 에너지가 발생되고, 상기 광 에너지는 상부 면에 설치된 글래스(16)를 통하여 화면에 디스플레이 된다.
도 5에는 상기 도 4에 도시된 본 발명의 박막 트랜지스터-발광 다이오드(TFT-LED)에 있어서 상판의 소재를 글래스(16) 대신에 빛을 통과시킬 수 있는 투명 소재(17)를 사용한 경우를 도시하였다. 도 5를 참조하면, 글래스(16) 대신에 투명 소재(17)를 사용한 경우는, 상기 도 4의 경우보다 중량이 가벼운 장점이 있다.
이 때, 상기 하판은 실리콘 계열의 웨이퍼(Wafer) 또는 트랜지스터 형성 공정을 지원할 수 있는 소재를 사용할 수도 있다.
도 6에는 도 5에 도시된 본 발명의 박막 트랜지스터-발광 다이오드(TFT-LED)에 있어서, 발광 다이오드의 모양을 타원형으로 구성한 경우를 도시하였다. 도 6을 참조하면, 발광 다이오드를 타원형으로 구성한 경우는 시야각을 개선할 수 있는 장점이 있다.
이상에서 자세히 설명된 바와 같이, 본 발명의 박막 트랜지스터-발광 다이오드 디스플레이에 따르면, 액정을 사용하지 않기 때문에 액정에 의해 나타나는 좁은 시야각이나 크로스-토크(Cross-talk) 문제 등을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터-발광 다이오드의 제조 방법에 따르면, 화소 전극이나 공통 전극, 컬러 필터 등을 사용하지 않음으로써 제조 비용을 줄이고, 중량 및 두께를 감소시킬 수 있는 이점이 있다.
이하, 본 발명은 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.

Claims (6)

  1. 박막 트랜지스터와 발광 다이오드를 이용한 디스플레이 장치에 있어서,
    제어 신호와 전원 전압을 전달하는 커넥터와;
    상기 커넥터에서 제공되는 제어 신호를 이용하여 게이트 구동 회로와 데이터 구동 회로의 타이밍을 조절하기 위한 제어기와;
    상기 커넥터의 전원 전압을 입력으로 하여 상기 게이트 구동 회로의 구동 전압으로 변환하는 DC/DC 변환기와;
    데이터 구동 회로에 데이터 신호를 인가하기 위한 변조부와;
    박막 트랜지스터와 발광 다이오드를 이용하여 화면을 디스플레이하기 위한 패널과;
    상기 패널에 게이트 구동 전압을 인가하기 위한 게이트 구동 회로; 및,
    데이터 전압을 인가하기 위한 데이터 구동 회로로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터-발광 다이오드 디스플레이 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 패널은
    게이트 구동 회로에서 패널로 인가되는 게이트 라인에는 다수의 박막 트랜지스터의 게이트 단자가 연결되고,
    데이터 구동 회로에서 패널로 인가되는 데이터 라인에는 상기 다수의 박막 트랜지스터의 드레인 단자가 연결되며,
    상기 다수의 박막 트랜지스터의 소오스에는 발광 다이오드가 각각 연결되어,
    상기 다수의 발광 다이오드의 캐소드가 공통 접지로 연결되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터-발광 다이오드 디스플레이 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터-발광 다이오드는
    글래스로 형성된 상판과,
    상기 상판과 일정 간격을 두고 배열되고, 한쪽 측면에는 스위칭 소자로서 박막 트랜지스터를 구비하며, 상기 박막 트랜지스터의 소오스에 발광 다이오드의 애노드가 형성되고, 상기 애노드에 PN 접합 다이오드가 배열되며, N형 반도체에 접하여 형성된 캐소드로 이루어지는 발광 다이오드가 배열된 하부 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터-발광 다이오드 디스플레이 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 상판은
    글래스 대신에 빛을 통과시킬 수 있는 투명 소재를 사용함으로써 중량을 감소시키는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터-발광 다이오드 디스플레이 장치.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 하판은
    실리콘 계열의 웨이퍼 또는 트랜지스터 형성 공정을 지원할 수 있는 소재를 사용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터-발광 다이오드 디스플레이 장치.
  6. 제 3 항에 있어서, 상기 발광 다이오드는
    시야각을 개선하기 위하여 타원형으로 구성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터-발광 다이오드 디스플레이 장치.
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