KR20220068953A - 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물 - Google Patents

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미카 사사노
지즈루 김
유키 니시우미
도쿠시게 시치리
겐 시타시마
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Abstract

본 발명은, 도포성 및 경화성이 우수하며, 또한, 낮은 유전율을 갖는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 경화성 수지와 중합 개시제를 함유하는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물로서, 상기 경화성 수지는, 단관능 중합성 화합물과 다관능 카티온 중합성 화합물을 포함하고, 상기 단관능 중합성 화합물은, 치환되어 있어도 되는 디시클로펜테닐기를 갖는 단관능 중합성 화합물, 치환되어 있어도 되는 디시클로펜타닐기를 갖는 단관능 중합성 화합물, 및 치환되어 있어도 되는 노르보르네닐기를 갖는 단관능 중합성 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하고, 25 ℃, 100 ㎑ 의 조건에서 측정한 유전율이, 3.5 이하인 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물이다.

Description

전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물
본 발명은, 도포성 및 경화성이 우수하며, 또한, 낮은 유전율을 갖는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물에 관한 것이다.
최근, 터치 패널용 접착제나 회로 기판용 솔더 레지스트 등에 사용되는 전자 디바이스용 경화성 수지 조성물로서, 적당한 점도를 갖고 도포성이 우수하며, 또한, 광 경화성을 갖는 재료가 요구되고 있다.
터치 패널은, 휴대 전화, 스마트 폰, 카 내비게이션, 퍼스널 컴퓨터 등의 전자 기기에 사용되고 있다. 그 중에서도, 정전 용량식의 터치 패널은, 기능성이 우수한 점에서, 급속히 보급되고 있다.
정전 용량식의 터치 패널은, 일반적으로, 커버 패널과, 접착제층과, 기판이 적층되어 구성되어 있다. 상기 접착제층에는, 투명성, 및 피착체에 대한 접착력이 우수한 것이 요구되고 있다. 이와 같은 접착제층으로서, 예를 들어, 특허문헌 1 에는, 특정한 모노머 성분을 중합함으로써 얻어진 (메트)아크릴계 폴리머를 포함하는 점착제층이 개시되어 있다.
한편, 회로 기판은, 일반적으로, 절연 재료로 이루어지는 기재 상에 형성된 배선 패턴에 의한 회로를 갖고, 최표면은, 회로의 보호, 회로 외부와의 절연 등의 목적으로 솔더 레지스트로 불리는 보호막으로 피복되어 있다. 또, 솔더 레지스트를 사용함으로써, 부품을 실장하거나 외부 배선에 대한 접속을 실시하거나 할 때에, 땜납이 배선 사이에 부착되어 단락되는 땜납 브릿지를 방지할 수 있다. 솔더 레지스트에는, 예를 들어, 특허문헌 2 에 개시되어 있는 바와 같이, 패턴을 형성하기 위해서 감광성을 갖는 경화성 수지 조성물이 사용되고 있다.
일본 공개특허공보 2014-034655호 일본 공개특허공보 평08-259663호
최근, 정전 용량식의 터치 패널의 박형화 및 대형화에 수반하여, 터치 패널의 응답 속도를 저하시키지 않기 위해, 상기 서술한 접착제층에 사용되는 경화성 수지 조성물에는, 추가로, 저유전율, 저유전 정접과 같은 유전 특성을 갖는 것이 요구되고 있다.
한편, 특허문헌 2 에 개시되어 있는 바와 같은 경화성 수지 조성물에 사용되는 경화성 수지는, 감광성을 부여하기 위해서 산기 등의 극성기를 갖는 점에서, 유전율 및 유전 정접이 높아지고, 그 결과, 고주파의 전압을 회로에 인가한 경우에 전달 지연이나 신호 손실이 생기거나 한다는 문제가 있었다. 또, 미세한 솔더 레지스트 패턴을 용이하게 또한 효율적으로 형성하는 방법으로서, 인쇄 방식에 의해 솔더 레지스트 패턴을 형성하는 방법이 실시되고 있지만, 종래의 경화성 수지 조성물을 특히 잉크젯법 등에 의한 인쇄 방식에 적절한 도포성을 갖는 것으로 한 경우, 유전율 및 유전 정접을 낮게 하는 것이 곤란해진다는 문제가 있었다.
본 발명은, 도포성 및 경화성이 우수하며, 또한, 낮은 유전율을 갖는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 경화성 수지와 중합 개시제를 함유하는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물로서, 상기 경화성 수지는, 단관능 중합성 화합물과 다관능 카티온 중합성 화합물을 포함하고, 상기 단관능 중합성 화합물은, 치환되어 있어도 되는 디시클로펜테닐기를 갖는 단관능 중합성 화합물, 치환되어 있어도 되는 디시클로펜타닐기를 갖는 단관능 중합성 화합물, 및 치환되어 있어도 되는 노르보르네닐기를 갖는 단관능 중합성 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하고, 25 ℃, 100 ㎑ 의 조건에서 측정한 유전율이, 3.5 이하인 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물이다.
이하에 본 발명을 상세히 서술한다.
본 발명자들은, 경화성 수지로서, 특정한 구조를 갖는 단관능 중합성 화합물과, 다관능 카티온 중합성 화합물을 조합하여 사용함으로써, 도포성 및 경화성이 우수하며, 또한, 낮은 유전율을 갖는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물을 얻을 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 경화성 수지를 함유한다.
상기 경화성 수지는, 단관능 중합성 화합물을 포함한다.
상기 단관능 중합성 화합물은, 치환되어 있어도 되는 디시클로펜테닐기를 갖는 단관능 중합성 화합물, 치환되어 있어도 되는 디시클로펜타닐기를 갖는 단관능 중합성 화합물, 및 치환되어 있어도 되는 노르보르네닐기를 갖는 단관능 중합성 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함한다. 이하, 상기 치환되어 있어도 되는 디시클로펜테닐기를 갖는 단관능 중합성 화합물을「디시클로펜테닐기 함유 단관능 중합성 화합물」이라고도 한다. 또, 이하, 상기 치환되어 있어도 되는 디시클로펜타닐기를 갖는 단관능 중합성 화합물을「디시클로펜타닐기 함유 단관능 중합성 화합물」이라고도 한다. 또한, 이하, 상기 치환되어 있어도 되는 노르보르네닐기를 갖는 단관능 중합성 화합물을「노르보르네닐기 함유 단관능 중합성 화합물」이라고도 한다. 상기 디시클로펜테닐기 함유 단관능 중합성 화합물, 상기 디시클로펜타닐기 함유 단관능 중합성 화합물, 및 상기 노르보르네닐기 함유 단관능 중합성 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 함유함으로써, 본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 도포성이 우수하며, 또한, 낮은 유전율을 갖는 것이 된다.
상기 단관능 중합성 화합물은, 1 분자 중에 1 개의 카티온 중합성 기 또는 1 분자 중에 1 개의 라디칼 중합성 기를 갖는다.
상기 단관능 중합성 화합물이 갖는 카티온 중합성 기로는, 예를 들어, 에폭시기, 옥세타닐기, 비닐에테르기 등을 들 수 있고, 라디칼 중합성 기로는, 예를 들어, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 비닐기, 알릴기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 에폭시기, 옥세타닐기, 아크릴로일기가 바람직하다.
상기 단관능 중합성 화합물은, 구체적으로는, 하기 식 (1-1) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (1-2) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (1-3) 으로 나타내는 화합물, 하기 식 (1-4) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (1-5) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (1-6) 으로 나타내는 화합물, 및 하기 식 (1-7) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 것이 바람직하다.
[화학식 1]
Figure pct00001
상기 경화성 수지 100 중량부 중에 있어서의 상기 단관능 중합성 화합물의 함유량의 바람직한 하한은 20 중량부, 바람직한 상한은 90 중량부이다. 상기 단관능 중합성 화합물의 함유량이 이 범위임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물이 우수한 경화성을 유지하면서, 보다 도포성이 우수하며, 또한, 보다 유전율이 낮은 것이 된다. 상기 단관능 중합성 화합물의 함유량의 보다 바람직한 하한은 30 중량부, 보다 바람직한 상한은 70 중량부이다.
상기 경화성 수지는, 다관능 카티온 중합성 화합물을 포함한다.
상기 다관능 카티온 중합성 화합물을 함유함으로써, 본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 경화성이 우수한 것이 된다.
상기 다관능 카티온 중합성 화합물은, 1 분자 중에 2 개 이상의 카티온 중합성 기를 갖는다.
상기 다관능 카티온 중합성 화합물이 갖는 카티온 중합성 기로는, 상기 서술한 단관능 중합성 화합물이 갖는 카티온 중합성 기와 동일한 것을 들 수 있다. 그 중에서도, 에폭시기, 옥세타닐기가 바람직하다.
상기 다관능 카티온 중합성 화합물은, 얻어지는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물이, 낮은 유전율을 유지하면서, 경화성이 보다 우수한 것이 되는 점에서, 실리콘 골격을 갖지 않는 다관능 지환식 에폭시 화합물, 실리콘 골격을 갖지 않는 다관능 지방족 글리시딜에테르 화합물, 실리콘 골격을 갖지 않는 다관능 옥세탄 화합물, 및 2 이상의 카티온 중합성 기를 갖는 실리콘 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 실리콘 골격을 갖지 않는 다관능 지환식 에폭시 화합물 (이하, 간단히「다관능 지환식 에폭시 화합물」이라고도 한다) 은, 지환식 에폭시기를 갖는다.
상기 다관능 지환식 에폭시 화합물은, 1 분자 중에 상기 지환식 에폭시기를 2 개 이상 갖는 것이어도 되고, 1 분자 중에 1 개의 상기 지환식 에폭시기와 1 개 이상의 지환식이 아닌 에폭시기를 갖는 것이어도 된다.
상기 지환식 에폭시기로는, 에폭시시클로헥실기 등을 들 수 있다.
상기 다관능 지환식 에폭시 화합물로는, 구체적으로는 예를 들어, 하기 식 (2-1) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (2-2) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (2-3) 으로 나타내는 화합물, 하기 식 (2-4) 로 나타내는 화합물, 1,2,8,9-디에폭시리모넨 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 하기 식 (2-1) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (2-2) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (2-3) 으로 나타내는 화합물, 및 하기 식 (2-4) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하고, 하기 식 (2-1) 로 나타내는 화합물이 보다 바람직하고, 3,4,3',4'-디에폭시비시클로헥산이 더욱 바람직하다.
[화학식 2]
Figure pct00002
식 (2-1) 중, R1 ∼ R18 은, 수소 원자, 할로겐 원자, 산소 원자, 산소 원자 혹은 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄화수소기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 알콕시기를 나타내고, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
식 (2-2) 중, R19 ∼ R30 은, 수소 원자, 할로겐 원자, 산소 원자, 산소 원자 혹은 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄화수소기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 알콕시기를 나타내고, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
식 (2-3) 중, R31 ∼ R48 은, 수소 원자, 할로겐 원자, 산소 원자, 산소 원자 혹은 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄화수소기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 알콕시기를 나타내고, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
식 (2-4) 중, R49 ∼ R66 은, 수소 원자, 할로겐 원자, 산소 원자, 산소 원자 혹은 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄화수소기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 알콕시기를 나타내고, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
상기 식 (2-1) 로 나타내는 화합물, 상기 식 (2-2) 로 나타내는 화합물, 상기 식 (2-3) 으로 나타내는 화합물, 및 상기 식 (2-4) 로 나타내는 화합물은, 예를 들어, 특허 제5226162호, 특허 제5979631호 등에 개시되어 있는 방법에 의해 제조할 수 있다.
상기 식 (2-1) 로 나타내는 화합물 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, 셀록사이드 8000 (다이셀사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 식 (2-2) 로 나타내는 화합물 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, THI-DE (JXTG 에너지사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 식 (2-3) 으로 나타내는 화합물 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, DE-102 (JXTG 에너지사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 식 (2-4) 로 나타내는 화합물 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, DE-103 (JXTG 에너지사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 실리콘 골격을 갖지 않는 다관능 지방족 글리시딜에테르 화합물 (이하, 간단히「다관능 지방족 글리시딜에테르 화합물」이라고도 한다) 은, 지방족 골격을 갖는다.
상기 다관능 지방족 글리시딜에테르 화합물은, 상기 지방족 골격으로서, 직사슬형 또는 분기사슬형의 지방족 골격만을 갖는 것이어도 되고, 고리형의 지방족 골격을 갖는 것이어도 된다.
상기 다관능 지방족 글리시딜에테르 화합물로는, 구체적으로는 예를 들어, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 시클로헥산디메탄올디글리시딜에테르, 트리시클로데칸디올디글리시딜에테르 등을 들 수 있다.
상기 실리콘 골격을 갖지 않는 다관능 옥세탄 화합물 (이하, 간단히「다관능 옥세탄 화합물」이라고도 한다) 로는, 구체적으로는 예를 들어, 3-에틸-3-(((3-에틸옥세탄-3-일)메톡시)메틸)옥세탄, 1,4-비스(((3-에틸옥세탄-3-일)메톡시)메틸)벤젠, 이소프탈산비스((3-에틸옥세탄-3-일)메틸) 등을 들 수 있다.
상기 2 이상의 카티온 중합성 기를 갖는 실리콘 화합물로는, 예를 들어, 하기 식 (3) 으로 나타내는 화합물, 하기 식 (4) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (5) 로 나타내는 화합물 등을 들 수 있다.
[화학식 3]
Figure pct00003
식 (3) 중, R67 은, 각각 독립적으로, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기를 나타내고, R68 은, 각각 독립적으로, 결합손 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, X 는, 에폭시기를 포함하는 기, 옥세타닐기를 포함하는 기, 또는 비닐에테르기를 포함하는 기를 나타내고, n 은, 0 이상 1000 이하의 정수를 나타낸다.
[화학식 4]
Figure pct00004
식 (4) 중, R69 는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기를 나타내고, R70 은, 결합손 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, R71 은, 각각 독립적으로, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 에폭시기를 포함하는 기, 옥세타닐기를 포함하는 기, 또는 비닐에테르기를 포함하는 기를 나타내고, X 는, 에폭시기를 포함하는 기, 옥세타닐기를 포함하는 기, 또는 비닐에테르기를 포함하는 기를 나타낸다. l 은, 0 이상 1000 이하의 정수를 나타내고, m 은, 1 이상 100 이하의 정수를 나타낸다. 단, R71 이 모두 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기인 경우, m 은, 2 이상 100 이하의 정수를 나타낸다.
[화학식 5]
Figure pct00005
식 (5) 중, R72 는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 에폭시기를 포함하는 기, 옥세타닐기를 포함하는 기, 또는 비닐에테르기를 포함하는 기를 나타내고, 2k 개의 R72 중, 적어도 2 개의 R72 는, 에폭시기를 포함하는 기, 옥세타닐기를 포함하는 기, 또는 비닐에테르기를 포함하는 기를 나타낸다. k 는, 3 이상 6 이하의 정수를 나타낸다.
상기 식 (3) 중의 X, 상기 식 (4) 중의 R71 및 X, 그리고, 상기 식 (5) 중의 R72 에 있어서의 상기 에폭시기를 포함하는 기로는, 하기 식 (6-1) 또는 (6-2) 로 나타내는 기가 바람직하다.
상기 식 (3) 중의 X, 상기 식 (4) 중의 R71 및 X, 그리고, 상기 식 (5) 중의 R72 에 있어서의 상기 옥세타닐기를 포함하는 기로는, 하기 식 (7) 로 나타내는 기가 바람직하다.
상기 식 (3) 중의 X, 상기 식 (4) 중의 R71 및 X, 그리고, 상기 식 (5) 중의 R72 에 있어서의 상기 비닐에테르기를 포함하는 기로는, 하기 식 (8) 로 나타내는 기가 바람직하다.
[화학식 6]
Figure pct00006
식 (6-1) 및 (6-2) 중, R73 은, 결합손, 또는 산소 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, * 는, 결합 위치를 나타낸다.
[화학식 7]
Figure pct00007
식 (7) 중, R74 는, 결합손, 또는 산소 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, R75 는, 수소 원자 또는 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기를 나타내고, * 는, 결합 위치를 나타낸다.
[화학식 8]
Figure pct00008
식 (8) 중, R76 은, 결합손, 또는 산소 원자를 갖고 있어도 되는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, * 는, 결합 위치를 나타낸다.
상기 다관능 카티온 중합성 화합물은, 상기 식 (2-1) 로 나타내는 화합물, 상기 식 (2-2) 로 나타내는 화합물, 상기 식 (2-3) 으로 나타내는 화합물, 상기 식 (2-4) 로 나타내는 화합물, 상기 식 (3) 으로 나타내는 화합물, 상기 식 (4) 로 나타내는 화합물, 및 상기 식 (5) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 것이 바람직하다. 특히, 얻어지는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물이, 보다 유전율을 낮게 할 수 있고, 또한, 저아웃 가스성도 보다 우수한 것이 되는 점에서, 상기 다관능 카티온 중합성 화합물은, 상기 식 (3) 으로 나타내는 화합물, 상기 식 (4) 로 나타내는 화합물, 및 상기 식 (5) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 경화성 수지 100 중량부 중에 있어서의 상기 다관능 카티온 중합성 화합물의 함유량의 바람직한 하한은 10 중량부, 바람직한 상한은 80 중량부이다. 상기 다관능 카티온 중합성 화합물의 함유량이 이 범위임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물이 우수한 도포성 및 낮은 유전율을 유지하면서, 경화성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 다관능 카티온 중합성 화합물의 함유량의 보다 바람직한 하한은 30 중량부, 보다 바람직한 상한은 70 중량부이다.
상기 단관능 중합성 화합물과 상기 다관능 카티온 중합성 화합물의 비율 (단관능 중합성 화합물 : 다관능 카티온 중합성 화합물) 은, 중량비로, 1 : 9 내지 9 : 1 인 것이 바람직하다. 상기 단관능 중합성 화합물과 상기 다관능 카티온 중합성 화합물의 비율이 이 범위임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 수지 조성물이 낮은 유전율을 유지하면서, 부재 등에 대한 데미지나 아웃 가스의 발생을 억제하여 보다 신뢰성이 우수한 것이 된다. 상기 단관능 중합성 화합물과 상기 다관능 카티온 중합성 화합물의 비율은, 3 : 7 내지 7 : 3 인 것이 보다 바람직하다.
상기 경화성 수지는, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 점도 조정에 의한 도포성의 향상 등을 목적으로 하여, 상기 단관능 중합성 화합물 및 상기 다관능 카티온 중합성 화합물에 더하여, 그 밖의 경화성 수지를 함유해도 된다.
상기 그 밖의 경화성 수지로는, (메트)아크릴 화합물 등을 들 수 있다.
또한, 본 명세서에 있어서 상기「(메트)아크릴」이란, 아크릴 또는 메타크릴을 의미하고,「(메트)아크릴 화합물」이란, (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물을 의미하고,「(메트)아크릴로일」이란, 아크릴로일 또는 메타크릴로일을 의미한다.
상기 (메트)아크릴 화합물로는, 예를 들어, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메트)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아릴레이트, 1,12-도데칸디올디(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴 변성 실리콘 오일 등을 들 수 있다.
이들의 (메트)아크릴 화합물은, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 조합되어 사용되어도 된다.
또한, 본 명세서에 있어서 상기「(메트)아크릴레이트」란, 아크릴레이트 또는 메타크릴레이트를 의미한다.
상기 경화성 수지 100 중량부 중에 있어서의 상기 그 밖의 경화성 수지의 함유량의 바람직한 하한은 5 중량부, 바람직한 상한은 30 중량부이다. 상기 그 밖의 경화성 수지의 함유량이 이 범위임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물의 유전 특성 등을 악화시키지 않고, 도포성을 향상시키거나 하는 효과가 보다 우수한 것이 된다. 상기 그 밖의 경화성 수지의 함유량의 보다 바람직한 하한은 10 중량부, 보다 바람직한 상한은 20 중량부이다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 중합 개시제를 함유한다.
상기 중합 개시제로는, 광 카티온 중합 개시제가 바람직하게 사용된다. 또, 상기 그 밖의 경화성 수지로서 상기 (메트)아크릴 수지를 함유하는 경우, 상기 중합 개시제로서 상기 광 카티온 중합 개시제와 광 라디칼 중합 개시제를 병용해도 된다. 또한, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 열 카티온 중합 개시제나 열 라디칼 중합 개시제를 사용해도 된다.
상기 광 카티온 중합 개시제는, 광 조사에 의해 프로톤산 또는 루이스산을 발생하는 것이면 특별히 한정되지 않고, 이온성 광산 발생형이어도 되고, 비이온성 광산 발생형이어도 된다.
상기 이온성 광산 발생형의 광 카티온 중합 개시제의 아니온 부분으로는, 예를 들어, BF4 -, PF6 -, SbF6 -, (BX4)- (단, X 는, 적어도 2 개 이상의 불소 또는 트리플루오로메틸기로 치환된 페닐기를 나타낸다) 등을 들 수 있다. 또, 상기 아니온 부분으로는, PFm(CnF2n＋1)6-m - (단, m 은 0 이상 5 이하의 정수이고, n 은 1 이상 6 이하의 정수이다) 등도 들 수 있다.
상기 이온성 광산 발생형의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, 상기 아니온 부분을 갖는, 방향족 술포늄염, 방향족 요오드늄염, 방향족 디아조늄염, 방향족 암모늄염, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)((1-메틸에틸)벤젠)-Fe 염 등을 들 수 있다.
상기 방향족 술포늄염으로는, 예를 들어, 비스(4-(디페닐술포니오)페닐)술파이드비스헥사플루오로포스페이트, 비스(4-(디페닐술포니오)페닐)술파이드비스헥사플루오로안티모네이트, 비스(4-(디페닐술포니오)페닐)술파이드비스테트라플루오로보레이트, 비스(4-(디페닐술포니오)페닐)술파이드테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 디페닐-4-(페닐티오)페닐술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로포스페이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트, 트리페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 트리페닐술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 비스(4-(디(4-(2-하이드록시에톡시))페닐술포니오)페닐)술파이드비스헥사플루오로포스페이트, 비스(4-(디(4-(2-하이드록시에톡시))페닐술포니오)페닐)술파이드비스헥사플루오로안티모네이트, 비스(4-(디(4-(2-하이드록시에톡시))페닐술포니오)페닐)술파이드비스테트라플루오로보레이트, 비스(4-(디(4-(2-하이드록시에톡시))페닐술포니오)페닐)술파이드테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 트리스(4-(4-아세틸페닐)티오페닐)술포늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
상기 방향족 요오드늄염으로는, 예를 들어, 디페닐요오드늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐요오드늄헥사플루오로안티모네이트, 디페닐요오드늄테트라플루오로보레이트, 디페닐요오드늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 비스(도데실페닐)요오드늄헥사플루오로포스페이트, 비스(도데실페닐)요오드늄헥사플루오로안티모네이트, 비스(도데실페닐)요오드늄테트라플루오로보레이트, 비스(도데실페닐)요오드늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 4-메틸페닐-4-(1-메틸에틸)페닐요오드늄헥사플루오로포스페이트, 4-메틸페닐-4-(1-메틸에틸)페닐요오드늄헥사플루오로안티모네이트, 4-메틸페닐-4-(1-메틸에틸)페닐요오드늄테트라플루오로보레이트, 4-메틸페닐-4-(1-메틸에틸)페닐요오드늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
상기 방향족 디아조늄염으로는, 예를 들어, 페닐디아조늄헥사플루오로포스페이트, 페닐디아조늄헥사플루오로안티모네이트, 페닐디아조늄테트라플루오로보레이트, 페닐디아조늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
상기 방향족 암모늄염으로는, 예를 들어, 1-벤질-2-시아노피리디늄헥사플루오로포스페이트, 1-벤질-2-시아노피리디늄헥사플루오로안티모네이트, 1-벤질-2-시아노피리디늄테트라플루오로보레이트, 1-벤질-2-시아노피리디늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄헥사플루오로포스페이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄헥사플루오로안티모네이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄테트라플루오로보레이트, 1-(나프틸메틸)-2-시아노피리디늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
상기 (2,4-시클로펜타디엔-1-일)((1-메틸에틸)벤젠)-Fe 염으로는, 예를 들어, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)((1-메틸에틸)벤젠)-Fe(II)헥사플루오로포스페이트, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)((1-메틸에틸)벤젠)-Fe(II)헥사플루오로안티모네이트, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)((1-메틸에틸)벤젠)-Fe(II)테트라플루오로보레이트, (2,4-시클로펜타디엔-1-일)((1-메틸에틸)벤젠)-Fe(II)테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트 등을 들 수 있다.
상기 비이온성 광산 발생형의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, 니트로벤질에스테르, 술폰산 유도체, 인산에스테르, 페놀술폰산에스테르, 디아조나프토퀴논, N-하이드록시이미드술포네이트 등을 들 수 있다.
상기 광 카티온 중합 개시제 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, 미도리 화학사 제조의 광 카티온 중합 개시제, 유니온 카바이드사 제조의 광 카티온 중합 개시제, ADEKA 사 제조의 광 카티온 중합 개시제, 3M 사 제조의 광 카티온 중합 개시제, BASF 사 제조의 광 카티온 중합 개시제, 로디아사 제조의 광 카티온 중합 개시제 등을 들 수 있다.
상기 미도리 화학사 제조의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, DTS-200 등을 들 수 있다.
상기 유니온 카바이드사 제조의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, UVI6990, UVI6974 등을 들 수 있다.
상기 ADEKA 사 제조의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, SP-150, SP-170 등을 들 수 있다.
상기 3M 사 제조의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, FC-508, FC-512 등을 들 수 있다.
상기 BASF 사 제조의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, IRGACURE261, IRGACURE290 등을 들 수 있다.
상기 로디아사 제조의 광 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, PI2074 등을 들 수 있다.
상기 광 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조페논계 화합물, 아세토페논계 화합물, 아실포스핀옥사이드계 화합물, 티타노센계 화합물, 옥심에스테르계 화합물, 벤조인에테르계 화합물, 벤질, 티오크산톤계 화합물 등을 들 수 있다.
상기 광 라디칼 중합 개시제 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, BASF 사 제조의 광 라디칼 중합 개시제, 도쿄 화성 공업사 제조의 광 라디칼 중합 개시제 등을 들 수 있다.
상기 BASF 사 제조의 광 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, IRGACURE184, IRGACURE369, IRGACURE379, IRGACURE651, IRGACURE819, IRGACURE907, IRGACURE2959, IRGACURE OXE01, 루시린 TPO 등을 들 수 있다.
상기 도쿄 화성 공업사 제조의 광 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등을 들 수 있다.
상기 열 카티온 중합 개시제로는, 아니온 부분이 BF4 -, PF6 -, SbF6 -, 또는 (BX4)- (단, X 는, 적어도 2 이상의 불소 또는 트리플루오로메틸기로 치환된 페닐기를 나타낸다) 로 구성되는, 술포늄염, 포스포늄염, 암모늄염 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 술포늄염, 암모늄염이 바람직하다.
상기 술포늄염으로는, 트리페닐술포늄테트라플루오로보레이트, 트리페닐술포늄헥사플루오로안티모네이트 등을 들 수 있다.
상기 포스포늄염으로는, 에틸트리페닐포스포늄헥사플루오로안티모네이트, 테트라부틸포스포늄헥사플루오로안티모네이트 등을 들 수 있다.
상기 암모늄염으로는, 예를 들어, 디메틸페닐(4-메톡시벤질)암모늄헥사플루오로포스페이트, 디메틸페닐(4-메톡시벤질)암모늄헥사플루오로안티모네이트, 디메틸페닐(4-메톡시벤질)암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 디메틸페닐(4-메틸벤질)암모늄헥사플루오로포스페이트, 디메틸페닐(4-메틸벤질)암모늄헥사플루오로안티모네이트, 디메틸페닐(4-메틸벤질)암모늄헥사플루오로테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 메틸페닐디벤질암모늄헥사플루오로포스페이트, 메틸페닐디벤질암모늄헥사플루오로안티모네이트, 메틸페닐디벤질암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 페닐트리벤질암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, 디메틸페닐(3,4-디메틸벤질)암모늄테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트, N,N-디메틸-N-벤질아닐리늄헥사플루오로안티모네이트, N,N-디에틸-N-벤질아닐리늄테트라플루오로보레이트, N,N-디메틸-N-벤질피리디늄헥사플루오로안티모네이트, N,N-디에틸-N-벤질피리디늄트리플루오로메탄술폰산 등을 들 수 있다.
상기 열 카티온 중합 개시제 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, 산신 화학 공업사 제조의 열 카티온 중합 개시제, King Industries 사 제조의 열 카티온 중합 개시제 등을 들 수 있다.
상기 산신 화학 공업사 제조의 열 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, 산에이드 SI-60, 산에이드 SI-80, 산에이드 SI-B3, 산에이드 SI-B3A, 산에이드 SI-B4 등을 들 수 있다.
상기 King Industries 사 제조의 열 카티온 중합 개시제로는, 예를 들어, CXC1612, CXC1821 등을 들 수 있다.
상기 열 라디칼 중합 개시제로는, 예를 들어, 아조 화합물, 유기 과산화물 등으로 이루어지는 것을 들 수 있다.
상기 아조 화합물로는, 예를 들어, 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 아조비스이소부티로니트릴 등을 들 수 있다.
상기 유기 과산화물로는, 예를 들어, 과산화벤조일, 케톤퍼옥사이드, 퍼옥시케탈, 하이드로퍼옥사이드, 디알킬퍼옥사이드, 퍼옥시에스테르, 디아실퍼옥사이드, 퍼옥시디카보네이트 등을 들 수 있다.
상기 열 라디칼 중합 개시제 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, VPE-0201, VPE-0401, VPE-0601, VPS-0501, VPS-1001, V-501 (모두 후지 필름 와코 순약사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 중합 개시제의 함유량은, 상기 경화성 수지 100 중량부에 대하여, 바람직한 하한이 0.01 중량부, 바람직한 상한이 10 중량부이다. 상기 중합 개시제의 함유량이 0.01 중량부 이상임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물이 경화성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 중합 개시제의 함유량이 10 중량부 이하임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물의 경화 반응이 지나치게 빨라지지 않고, 작업성이 보다 우수한 것이 되며, 경화물을 보다 균일한 것으로 할 수 있다. 상기 중합 개시제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.05 중량부, 보다 바람직한 상한은 5 중량부이다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 증감제 또는 증감 보조제를 함유해도 된다. 상기 증감제 또는 증감 보조제는, 상기 중합 개시제의 중합 개시 효율을 보다 향상시키고, 본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물의 경화 반응을 보다 촉진시키는 역할을 갖는다.
상기 증감제로는, 예를 들어, 티오크산톤계 화합물이나, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 벤조페논, 2,4-디클로로벤조페논, o-벤조일벤조산메틸, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4-벤조일-4'-메틸디페닐술파이드 등을 들 수 있다.
상기 티오크산톤계 화합물로는, 예를 들어, 2,4-디에틸티오크산톤 등을 들 수 있다.
상기 증감제의 함유량은, 상기 경화성 수지 100 중량부에 대하여, 바람직한 하한이 0.01 중량부, 바람직한 상한이 3 중량부이다. 상기 증감제의 함유량이 0.01 중량부 이상임으로써, 증감 효과가 보다 발휘된다. 상기 증감제의 함유량이 3 중량부 이하임으로써, 흡수가 지나치게 커지지 않아, 심부까지 광을 전달할 수 있다. 상기 증감제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.1 중량부, 보다 바람직한 상한은 1 중량부이다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 열 경화제를 함유해도 된다.
상기 열 경화제로는, 예를 들어, 히드라지드 화합물, 이미다졸 유도체, 산 무수물, 디시안디아미드, 구아니딘 유도체, 변성 지방족 폴리아민, 각종 아민과 에폭시 수지의 부가 생성물 등을 들 수 있다.
상기 히드라지드 화합물로는, 예를 들어, 1,3-비스(히드라지노카르보노에틸)-5-이소프로필히단토인, 세바크산디히드라지드, 이소프탈산디히드라지드, 아디프산디히드라지드, 말론산디히드라지드 등을 들 수 있다.
상기 이미다졸 유도체로는, 예를 들어, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, N-(2-(2-메틸-1-이미다졸릴)에틸)우레아, 2,4-디아미노-6-(2'-메틸이미다졸릴-(1'))-에틸-s-트리아진, N,N'-비스(2-메틸-1-이미다졸릴에틸)우레아, N,N'-(2-메틸-1-이미다졸릴에틸)-아디파마이드, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸 등을 들 수 있다.
상기 산 무수물로는, 예를 들어, 테트라하이드로 무수 프탈산, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트) 등을 들 수 있다.
이들의 열 경화제는, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 조합되어 사용되어도 된다.
상기 열 경화제 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, 오오츠카 화학사 제조의 열 경화제, 아지노모토 파인 테크노사 제조의 열 경화제 등을 들 수 있다.
상기 오오츠카 화학사 제조의 열 경화제로는, 예를 들어, SDH, ADH 등을 들 수 있다.
상기 아지노모토 파인 테크노사 제조의 열 경화제로는, 예를 들어, 아미큐어 VDH, 아미큐어 VDH-J, 아미큐어 UDH 등을 들 수 있다.
상기 열 경화제의 함유량은, 상기 경화성 수지 100 중량부에 대하여, 바람직한 하한이 0.5 중량부, 바람직한 상한이 30 중량부이다. 상기 열 경화제의 함유량이 이 범위임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물이 우수한 보존 안정성을 유지한 채로, 열 경화성이 보다 우수한 것이 된다. 상기 열 경화제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 1 중량부, 보다 바람직한 상한은 15 중량부이다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 추가로, 실란 커플링제를 함유해도 된다. 상기 실란 커플링제는, 본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물과 기판 등의 접착성을 향상시키는 역할을 갖는다.
상기 실란 커플링제로는, 예를 들어, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-이소시아네이트프로필트리메톡시실란 등을 들 수 있다. 이들의 실란 화합물은 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
상기 실란 커플링제의 함유량은, 상기 경화성 수지 100 중량부에 대하여, 바람직한 하한이 0.1 중량부, 바람직한 상한이 10 중량부이다. 상기 실란 커플링제의 함유량이 이 범위임으로써, 잉여의 실란 커플링제에 의한 블리드 아웃을 억제하면서, 얻어지는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물의 접착성을 향상시키는 효과가 보다 우수한 것이 된다. 상기 실란 커플링제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.5 중량부, 보다 바람직한 상한은 5 중량부이다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 경화 지연제를 함유해도 된다. 상기 경화 지연제를 함유함으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물의 포트 라이프를 길게 할 수 있다.
상기 경화 지연제로는, 예를 들어, 폴리에테르 화합물 등을 들 수 있다.
상기 폴리에테르 화합물로는, 예를 들어, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리테트라메틸렌글리콜, 크라운에테르 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 크라운에테르 화합물이 바람직하다.
상기 경화 지연제의 함유량은, 상기 경화성 수지 100 중량부에 대하여, 바람직한 하한이 0.05 중량부, 바람직한 상한이 5.0 중량부이다. 상기 경화 지연제의 함유량이 이 범위임으로써, 얻어지는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물을 경화시킬 때의 아웃 가스의 발생을 억제하면서, 지연 효과를 보다 발휘할 수 있다. 상기 경화 지연제의 함유량의 보다 바람직한 하한은 0.1 중량부, 보다 바람직한 상한은 3.0 중량부이다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 추가로, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에 있어서, 표면 개질제를 함유해도 된다. 상기 표면 개질제를 함유함으로써, 본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물에 도막의 평탄성을 부여할 수 있다.
상기 표면 개질제로는, 예를 들어, 계면 활성제나 레벨링제 등을 들 수 있다.
상기 표면 개질제로는, 예를 들어, 실리콘계, 아크릴계, 불소계 등의 것을 들 수 있다.
상기 표면 개질제 중 시판되고 있는 것으로는, 예를 들어, 빅케미·재팬사 제조의 표면 개질제, AGC 세이미 케미칼사 제조의 표면 개질제 등을 들 수 있다.
상기 빅케미·재팬사 제조의 표면 개질제로는, 예를 들어, BYK-340, BYK-345 등을 들 수 있다.
상기 AGC 세이미 케미칼사 제조의 표면 개질제로는, 예를 들어, 서프론 S-611 등을 들 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서, 조성물 중에 발생한 산과 반응하는 화합물 또는 이온 교환 수지를 함유해도 된다.
상기 조성물 중에 발생한 산과 반응하는 화합물로는, 산과 중화하는 물질, 예를 들어, 알칼리 금속 혹은 알칼리 토금속의 탄산염 또는 탄산수소염 등을 들 수 있다. 구체적으로는 예를 들어, 탄산칼슘, 탄산수소칼슘, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨 등이 사용된다.
상기 이온 교환 수지로는, 양이온 교환형, 음이온 교환형, 양쪽 이온 교환형 중 어느 것도 사용할 수 있지만, 특히 염화물 이온을 흡착할 수 있는 양이온 교환형 또는 양쪽 이온 교환형이 바람직하다.
또, 본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 필요에 따라, 보강제, 연화제, 가소제, 점도 조정제, 자외선 흡수제, 산화 방지제 등의 공지된 각종 첨가제를 함유해도 된다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물을 제조하는 방법으로는, 예를 들어, 호모디스퍼, 호모믹서, 만능 믹서, 플래너터리 믹서, 니더, 3 본 롤 등의 혼합기를 사용하여, 경화성 수지와, 중합 개시제와, 필요에 따라 첨가하는 실란 커플링제 등의 첨가제를 혼합하는 방법 등을 들 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 25 ℃, 100 ㎑ 의 조건에서 측정한 유전율의 상한이 3.5 이다. 상기 유전율이 3.5 이하임으로써, 본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 터치 패널용 접착제나 회로 기판용 솔더 레지스트 등의 전자 디바이스용 접착제나 전자 디바이스용 코팅제 등에 바람직하게 사용할 수 있다. 상기 유전율의 바람직한 상한은 3.3, 보다 바람직한 상한은 3.0 이다.
또, 상기 유전율의 바람직한 하한은 특별히 없지만, 실질적인 하한은 2.2 이다.
또한, 상기「유전율」은, 유전율 측정 장치를 사용하여 측정할 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 잉크젯법에 의한 도포에 바람직하게 사용할 수 있다.
상기 잉크젯법으로는, 비가열식 잉크젯법이어도 되고, 가열식 잉크젯법이어도 된다.
또한, 본 명세서에 있어서, 상기「비가열식 잉크젯법」은, 28 ℃ 미만의 도포 헤드 온도에서 잉크젯 도포하는 방법이고, 상기「가열식 잉크젯법」은, 28 ℃ 이상의 도포 헤드 온도에서 잉크젯 도포하는 방법이다.
상기 가열식 잉크젯법에는, 가열 기구를 탑재한 잉크젯용 도포 헤드가 사용된다. 잉크젯 도포 헤드가 가열 기구를 탑재하고 있음으로써, 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물을 토출할 때에 점도와 표면 장력을 저하시킬 수 있다.
상기 가열 기구를 탑재한 잉크젯용 도포 헤드로는, 예를 들어, 코니카 미놀타사 제조의 KM1024 시리즈나, 후지 필름 Dimatix 사 제조의 SG1024 시리즈 등을 들 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물을 상기 가열식 잉크젯법에 의한 도포에 사용하는 경우, 도포 헤드의 가열 온도는, 28 ℃ ∼ 80 ℃ 의 범위인 것이 바람직하다. 상기 도포 헤드의 가열 온도가 이 범위임으로써, 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물의 시간 경과적인 점도 상승이 더욱 억제되어, 토출 안정성이 보다 우수한 것이 된다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 25 ℃ 에 있어서의 점도의 바람직한 하한이 5 mPs·s, 바람직한 상한이 50 mPs·s 이다. 상기 25 ℃ 에 있어서의 점도가 이 범위임으로써, 잉크젯법에 의해 바람직하게 도포할 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물의 25 ℃ 에 있어서의 점도의 보다 바람직한 하한은 8 mPs·s 이고, 더욱 바람직한 하한은 10 mPs·s 이다. 또, 본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물의 25 ℃ 에 있어서의 점도의 보다 바람직한 상한은 40 mPs·s 이고, 더욱 바람직한 상한은 30 mPs·s 이다.
또한, 본 명세서에 있어서 상기「점도」는, E 형 점도계를 사용하여, 25 ℃, 100 rpm 의 조건에서 측정되는 값을 의미한다. 상기 E 형 점도계로는, 예를 들어, VISCOMETER TV-22 (토키 산업사 제조) 등을 들 수 있고, CP1 형의 콘 플레이트를 사용할 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 25 ℃ 에 있어서의 표면 장력의 바람직한 하한이 15 mN/m, 바람직한 상한이 35 mN/m 이다. 상기 25 ℃ 에 있어서의 표면 장력이 이 범위임으로써, 잉크젯법에 의해 바람직하게 도포할 수 있다. 상기 25 ℃ 에 있어서의 표면 장력의 보다 바람직한 하한은 20 mN/m, 보다 바람직한 상한은 30 mN/m, 더욱 바람직한 하한은 22 mN/m, 더욱 바람직한 상한은 28 mN/m 이다.
또한, 상기 표면 장력은, 동적 젖음성 시험기에 의해 Wilhelmy 법에 의해 측정된 값을 의미한다. 상기 동적 젖음성 시험기로는, 예를 들어, WET-6100 형 (레스카사 제조) 등을 들 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 300 ㎚ 이상 400 ㎚ 이하의 파장 및 300 mJ/㎠ 이상 3000 mJ/㎠ 이하의 적산 광량의 광을 조사함으로써 바람직하게 경화시킬 수 있다.
상기 광 조사에 사용하는 광원으로는, 예를 들어, 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 엑시머 레이저, 케미컬 램프, 블랙 라이트 램프, 마이크로 웨이브 여기 수은등, 메탈 할라이드 램프, 나트륨 램프, 할로겐 램프, 크세논 램프, LED 램프, 형광등, 태양광, 전자선 조사 장치 등을 들 수 있다. 이들의 광원은, 단독으로 사용되어도 되고, 2 종 이상이 병용되어도 된다.
이들의 광원은, 상기 광 카티온 중합 개시제나 상기 광 라디칼 중합 개시제의 흡수 파장에 맞춰 적절히 선택된다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물에 대한 광의 조사 수단으로는, 예를 들어, 각종 광원의 동시 조사, 시간차를 둔 축차 조사, 동시 조사와 축차 조사의 조합 조사 등을 들 수 있고, 어느 조사 수단을 사용해도 된다.
본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 터치 패널용 접착제나 회로 기판용 솔더 레지스트 등의 전자 디바이스용 접착제나 전자 디바이스용 코팅제로서 바람직하게 사용된다. 또, 본 발명의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물은, 유기 EL 표시 소자 등의 표시 소자용 봉지제로서도 바람직하게 사용된다.
본 발명에 의하면, 도포성 및 경화성이 우수하며, 또한, 낮은 유전율을 갖는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물을 제공할 수 있다.
이하에 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되지 않는다.
(실시예 1 ∼ 19, 비교예 1 ∼ 4)
표 1 ∼ 3 에 기재된 배합비에 따라, 각 재료를, 호모디스퍼형 교반 혼합기를 사용하여, 교반 속도 3000 rpm 으로 균일하게 교반 혼합함으로써, 실시예 1 ∼ 19 및 비교예 1 ∼ 4 의 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물을 제작하였다. 호모디스퍼형 교반 혼합기로는, 호모디스퍼 L 형 (프라이믹스사 제조) 을 사용하였다.
표 1 ∼ 3 중,「X-22-169」는, 상기 식 (3) 중의 R67 이 메틸기, R68 이 결합손, X 가 상기 식 (6-2) 로 나타내는 기 (R73 은 에틸렌기), n 이 0 (평균값) 인 화합물이다.
표 1 ∼ 3 중,「X-22-163」은, 상기 식 (3) 중의 R67 이 메틸기, R68 이 n-프로필렌기, X 가 상기 식 (6-1) 로 나타내는 기 (R73 은 옥시메틸렌기), n 이 0 (평균값) 인 화합물이다.
표 1 ∼ 3 중,「X-40-2678」은, 상기 식 (5) 중의 R72 중 2 개의 R72 가 상기 식 (6-2) 로 나타내는 기 (R73 은 에틸렌기), 다른 R72 가 메틸기, k 가 4 (평균값) 인 화합물이다.
얻어진 각 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물을 PET 필름 상에 100 ㎛ 의 두께로 도포하고, LED UV 램프를 사용하여 395 ㎚ 의 자외선을 3000 mJ/㎠ 조사하여 경화시켰다. LED UV 램프로는, SQ 시리즈 (쿼크 테크놀로지사 제조) 를 사용하였다. 그 후, 경화한 막의 양면에, 대향하도록 금 전극을 직경 2 ㎝ 의 원형으로 0.1 ㎛ 두께로 진공 증착하고, 유전율 측정용 시험편을 제작하였다. 얻어진 시험편에 대하여, 유전율 측정 장치를 사용하여, 25 ℃, 100 ㎒ 의 조건에서 유전율을 측정하였다. 유전율 측정 장치로는, 1260 형 임피던스 애널라이저 (솔라트론사 제조) 및 1296 형 유전율 측정 인터페이스 (솔라트론사 제조) 를 사용하였다. 결과를 표 1 ∼ 3 에 나타냈다.
＜평가＞
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물에 대해 이하의 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 ∼ 3 에 나타냈다.
(1) 점도
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물에 대하여, E 형 점도계를 사용하고, CP1 형의 콘 플레이트에서, 25 ℃, 100 rpm 의 조건에 있어서의 점도를 측정하였다. E 형 점도계로는, VISCOMETER TV-22 (토키 산업사 제조) 를 사용하였다.
(2) 도포성
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물을, 잉크젯 프린터를 사용하여, 알칼리 세정한 무알칼리 유리 상에 10 피코리터의 액적량으로 25 ㎛ 피치로 격자상으로 인쇄하는 도포 시험을 실시하였다. 잉크젯 프린터로는, 머티리얼 프린터 DMP-2831 (후지 필름사 제조) 을 사용하고, 무알칼리 유리로는, AN100 (AGC 사 제조) 을 사용하였다.
인쇄 영역에 미도포 부분 및 얼룩이 없고 균일하게 인쇄되어 있는 경우를「○」, 미도포 부분은 없지만 줄무늬상의 얼굴이 보인 경우를「△」, 미도포 부분이 있는 경우를「×」로 하여, 도포성을 평가하였다.
(3) 경화성
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물에 대하여, LED UV 램프를 사용하여 395 ㎚ 의 자외선을 3000 mJ/㎠ 조사하여 경화시켰다. LED UV 램프로는, SQ 시리즈 (쿼크 테크놀로지사 제조) 를 사용하였다. 경화 전의 조성물과 경화물에 대하여, 푸리에 변환 적외 분광 광도계로 FT-IR 분석을 실시하였다. 푸리에 변환 적외 분광 광도계로는, iS-5 (니콜레사 제조) 를 사용하였다. 에폭시기의 경우에는 915 ㎝-1 의 피크의 경화 후의 감소율, 또, 옥세타닐기의 경우에는 980 ㎝-1 의 피크의 경화 후의 감소율을 각각 경화율 (카티온 중합성 기의 반응률) 로서 산출하였다.
경화율이 90 ％ 이상인 경우를「○」, 70 ％ 이상 90 ％ 미만인 경우를「△」, 70 ％ 미만인 경우를「×」로 하여, 경화성을 평가하였다.
(4) 유기 EL 표시 소자의 신뢰성
(4-1) 유기 발광 재료층을 갖는 적층체가 배치된 기판의 제작
길이 25 ㎜, 폭 25 ㎜, 두께 0.7 ㎜ 의 유리에 ITO 전극을 1000 Å 의 두께가 되도록 성막한 것을 기판으로 하였다. 상기 기판을 아세톤, 알칼리 수용액, 이온 교환수, 및 이소프로필알코올에서 각각 15 분간 초음파 세정한 후, 자비시킨 이소프로필알코올에서 10 분간 세정하고, 추가로, UV-오존 클리너로 직전 처리를 실시하였다. UV-오존 클리너로는, NL-UV253 (니혼 레이저 전자사 제조) 을 사용하였다.
다음으로, 직전 처리 후의 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 고정시키고, 초벌구이의 도가니에 N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘 (α-NPD) 을 200 mg 넣고, 다른 초벌구이 도가니에 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄 (Alq3) 을 200 mg 넣고, 진공 챔버 내를, 1 × 10-4 Pa 까지 감압하였다. 그 후, α-NPD 가 들어간 도가니를 가열하고, α-NPD 를 증착 속도 15 Å/s 로 기판에 퇴적시켜, 막두께 600 Å 의 정공 수송층을 성막하였다. 이어서, Alq3 이 들어간 도가니를 가열하고, 15 Å/s 의 증착 속도로 막두께 600 Å 의 유기 발광 재료층을 성막하였다. 그 후, 정공 수송층 및 유기 발광 재료층이 형성된 기판을, 텅스텐제 저항 가열 보트를 갖는 다른 진공 증착 장치로 옮겨, 진공 증착 장치 내의 텅스텐제 저항 가열 보트의 하나에 불화리튬 200 mg 을 넣고, 다른 텅스텐제 저항 가열 보트에 알루미늄선 1.0 g 을 넣었다. 그 후, 진공 증착 장치의 증착기 내를 2 × 10-4 Pa 까지 감압하여 불화리튬을 0.2 Å/s 의 증착 속도로 5 Å 성막한 후, 알루미늄을 20 Å/s 의 속도로 1000 Å 성막하였다. 질소에 의해 증착기 내를 상압으로 되돌리고, 10 ㎜ × 10 ㎜ 의 유기 발광 재료층을 갖는 적층체가 배치된 기판을 취출하였다.
(4-2) 무기 재료막 A 에 의한 피복
얻어진 적층체가 배치된 기판에 13 ㎜ × 13 ㎜ 의 개구부를 갖는 마스크를 설치하고, 플라즈마 CVD 법으로 그 적층체 전체를 덮도록 무기 재료막 A 를 형성하였다.
플라즈마 CVD 법은, 원료 가스로서 SiH4 가스 및 질소 가스를 사용하고, 각각의 유량을 SiH4 가스 10 sccm, 질소 가스 200 sccm 으로 하고, RF 파워를 10 W (주파수 2.45 GHz), 챔버 내 온도를 100 ℃, 챔버 내 압력을 0.9 Torr 로 하는 조건에서 실시하였다.
형성된 무기 재료막 A 의 두께는, 약 1 ㎛ 였다.
(4-3) 수지 보호막의 형성
얻어진 기판에 대하여, 실시예 및 비교예에서 얻어진 각 유기 EL 표시 소자용 봉지제를, 잉크젯 토출 장치를 사용하여 기판에 패턴 도포하였다. 잉크젯 토출 장치로는, NanoPrinter500 (마이크로제트사 제조) 을 사용하였다.
그 후, LED 램프를 사용하여 파장 365 ㎚ 의 자외선을 3000 mJ/㎠ 조사하여 유기 EL 표시 소자용 봉지제를 경화시켜 수지 보호막을 형성하였다.
(4-4) 무기 재료막 B 에 의한 피복
수지 보호막을 형성한 후, 12 ㎜ × 12 ㎜ 의 개구부를 갖는 마스크를 설치하고, 플라즈마 CVD 법으로 그 수지 보호막의 전체를 덮도록 무기 재료막 B 를 형성하여 유기 EL 표시 소자를 얻었다.
플라즈마 CVD 법은, 상기「(4-2) 무기 재료막 A 에 의한 피복」과 동일한 조건에서 실시하였다.
형성된 무기 재료막 B 의 두께는, 약 1 ㎛ 였다.
(4-5) 유기 EL 표시 소자의 발광 상태
얻어진 유기 EL 표시 소자를, 온도 85 ℃, 습도 85 ％ 의 환경하에서 100 시간 노출한 후, 3 V 의 전압을 인가하고, 유기 EL 표시 소자의 발광 상태 (다크 스폿 및 화소 주변 소광의 유무) 를 육안으로 관찰하였다.
다크 스폿이나 주변 소광이 없고 균일하게 발광한 경우를「○」, 다크 스폿이나 주변 소광은 없지만 휘도에 약간의 저하가 확인된 경우를「△」, 다크 스폿이나 주변 소광이 확인된 경우를「×」로 하여, 유기 EL 표시 소자의 신뢰성을 평가하였다.
(5) 저아웃 가스성
실시예 및 비교예에서 얻어진 각 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물에 대하여, 경화물의 가열시에 발생하는 아웃 가스를 이하에 나타내는 헤드 스페이스법에 의한 가스 크로마토그래프에 의해 측정하였다.
먼저, 각 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물 100 mg 을 어플리케이터로 300 ㎛ 의 두께로 도공한 후에, LED 램프로 파장 365 ㎚ 의 자외선을 3000 mJ/㎠ 조사하여 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물을 경화시켰다. 이어서, 얻어진 경화물을 헤드 스페이스용 바이알에 넣어 바이알을 봉지하고, 100 ℃ 에서 30 분간 가열하고, 헤드 스페이스법에 의해 발생 가스를 측정하였다.
발생한 가스가 400 ppm 미만인 경우를「◎」, 400 ppm 이상 600 ppm 미만인 경우를「○」, 600 ppm 이상 800 ppm 미만인 경우를「△」, 800 ppm 이상인 경우를「×」로 하여, 저아웃 가스성을 평가하였다.
Figure pct00009
Figure pct00010
Figure pct00011
본 발명에 의하면, 도포성 및 경화성이 우수하며, 또한, 낮은 유전율을 갖는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물을 제공할 수 있다.

Claims (7)

  1. 경화성 수지와 중합 개시제를 함유하는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물로서,
    상기 경화성 수지는, 단관능 중합성 화합물과 다관능 카티온 중합성 화합물을 포함하고,
    상기 단관능 중합성 화합물은, 치환되어 있어도 되는 디시클로펜테닐기를 갖는 단관능 중합성 화합물, 치환되어 있어도 되는 디시클로펜타닐기를 갖는 단관능 중합성 화합물, 및 치환되어 있어도 되는 노르보르네닐기를 갖는 단관능 중합성 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하고,
    25 ℃, 100 ㎑ 의 조건에서 측정한 유전율이, 3.5 이하인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 단관능 중합성 화합물은, 하기 식 (1-1) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (1-2) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (1-3) 으로 나타내는 화합물, 하기 식 (1-4) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (1-5) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (1-6) 으로 나타내는 화합물, 및 하기 식 (1-7) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물.
    Figure pct00012
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 다관능 카티온 중합성 화합물은, 실리콘 골격을 갖지 않는 다관능 지환식 에폭시 화합물, 실리콘 골격을 갖지 않는 다관능 지방족 글리시딜에테르 화합물, 실리콘 골격을 갖지 않는 다관능 옥세탄 화합물, 및 2 이상의 카티온 중합성 기를 갖는 실리콘 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 다관능 카티온 중합성 화합물은, 하기 식 (2-1) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (2-2) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (2-3) 으로 나타내는 화합물, 하기 식 (2-4) 로 나타내는 화합물, 하기 식 (3) 으로 나타내는 화합물, 하기 식 (4) 로 나타내는 화합물, 및 하기 식 (5) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물.
    Figure pct00013

    식 (2-1) 중, R1 ∼ R18 은, 수소 원자, 할로겐 원자, 산소 원자, 산소 원자 혹은 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄화수소기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 알콕시기를 나타내고, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
    식 (2-2) 중, R19 ∼ R30 은, 수소 원자, 할로겐 원자, 산소 원자, 산소 원자 혹은 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄화수소기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 알콕시기를 나타내고, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
    식 (2-3) 중, R31 ∼ R48 은, 수소 원자, 할로겐 원자, 산소 원자, 산소 원자 혹은 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄화수소기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 알콕시기를 나타내고, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
    식 (2-4) 중, R49 ∼ R66 은, 수소 원자, 할로겐 원자, 산소 원자, 산소 원자 혹은 할로겐 원자를 갖고 있어도 되는 탄화수소기, 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 알콕시기를 나타내고, 각각 동일해도 되고, 상이해도 된다.
    Figure pct00014

    식 (3) 중, R67 은, 각각 독립적으로, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기를 나타내고, R68 은, 각각 독립적으로, 결합손 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, X 는, 에폭시기를 포함하는 기, 옥세타닐기를 포함하는 기, 또는 비닐에테르기를 포함하는 기를 나타내고, n 은, 0 이상 1000 이하의 정수를 나타낸다.
    Figure pct00015

    식 (4) 중, R69 는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기를 나타내고, R70 은, 결합손 또는 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬렌기를 나타내고, R71 은, 각각 독립적으로, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 에폭시기를 포함하는 기, 옥세타닐기를 포함하는 기, 또는 비닐에테르기를 포함하는 기를 나타내고, X 는, 에폭시기를 포함하는 기, 옥세타닐기를 포함하는 기, 또는 비닐에테르기를 포함하는 기를 나타낸다. l 은, 0 이상 1000 이하의 정수를 나타내고, m 은, 1 이상 100 이하의 정수를 나타낸다. 단, R71 이 모두 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기인 경우, m 은, 2 이상 100 이하의 정수를 나타낸다.
    Figure pct00016

    식 (5) 중, R72 는, 각각 독립적으로, 탄소수 1 이상 10 이하의 알킬기, 에폭시기를 포함하는 기, 옥세타닐기를 포함하는 기, 또는 비닐에테르기를 포함하는 기를 나타내고, 2k 개의 R72 중, 적어도 2 개의 R72 는, 에폭시기를 포함하는 기, 옥세타닐기를 포함하는 기, 또는 비닐에테르기를 포함하는 기를 나타낸다. k 는, 3 이상 6 이하의 정수를 나타낸다.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 다관능 카티온 중합성 화합물은, 상기 식 (3) 으로 나타내는 화합물, 상기 식 (4) 로 나타내는 화합물, 및 상기 식 (5) 로 나타내는 화합물로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종을 포함하는 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물.
  6. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 단관능 카티온 중합성 화합물과 상기 다관능 카티온 중합성 화합물의 비율 (단관능 카티온 중합성 화합물 : 다관능 카티온 중합성 화합물) 이, 중량비로, 1 : 9 내지 9 : 1 인 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물.
  7. 제 1 항, 제 2 항, 제 3 항, 제 4 항, 제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,
    25 ℃ 에 있어서의 점도가 5 mPa·s 이상 50 mPa·s 이하인 전자 디바이스용 광 경화성 수지 조성물.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08259663A (ja) 1995-03-24 1996-10-08 Dainippon Ink & Chem Inc 活性エネルギ−線硬化型エポキシアクリレ−ト樹脂組成物
JP2014034655A (ja) 2012-08-09 2014-02-24 Nitto Denko Corp 粘着剤、粘着剤層、および粘着シート

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5526511B2 (ja) * 2008-09-04 2014-06-18 Ｄｉｃ株式会社 エポキシ樹脂組成物、その硬化物、硬化物の製造方法、光半導体封止用樹脂組成物、及び光半導体装置
JP5812993B2 (ja) * 2010-08-12 2015-11-17 株式会社ダイセル 低透湿性樹脂組成物及びその硬化物
JP2015172132A (ja) * 2014-03-11 2015-10-01 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 活性エネルギー線重合性樹脂組成物及び積層体
JP6545968B2 (ja) * 2015-01-29 2019-07-17 岡本化学工業株式会社 レジンアクセサリー用の感光性樹脂組成物及びこれを用いたレジンアクセサリー
JP6696117B2 (ja) * 2015-04-28 2020-05-20 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 活性エネルギー線硬化性樹脂組成物。
JP6616201B2 (ja) * 2016-01-27 2019-12-04 京セラ株式会社 半導体接着用樹脂組成物及び半導体装置
EP3434709A4 (en) * 2016-03-23 2019-10-30 JXTG Nippon Oil & Energy Corporation HARDENED COMPOSITION AND CURED PRODUCT MADE BY HARDENING
CN111567143B (zh) * 2017-12-15 2023-11-07 积水化学工业株式会社 电子设备用密封剂及有机el显示元件用密封剂

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08259663A (ja) 1995-03-24 1996-10-08 Dainippon Ink & Chem Inc 活性エネルギ−線硬化型エポキシアクリレ−ト樹脂組成物
JP2014034655A (ja) 2012-08-09 2014-02-24 Nitto Denko Corp 粘着剤、粘着剤層、および粘着シート

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