KR20210149610A - 다이싱 테이프용의 기재 필름 및 다이싱 테이프 - Google Patents

Abstract

[과제] 다이싱 공정에 있어서의 절삭 부스러기의 발생의 억제와 픽업 공정에 있어서의 픽업성의 향상의 양립을 가능하게 하는, 다이싱 테이프용의 기재 필름 및 다이싱 테이프를 제공하는 것.
[해결 수단] 점착제층이 그 위에 형성되는 제 1 면과 이것에 대향하는 제 2 면을 가지고, 방향족 디카르본산과 지방족 디올 또는 지환식 디올로 이루어지는 폴리에스테르로 이루어지는 하드 세그먼트 (A)와, 지방족 폴리에테르로 이루어지는 소프트 세그먼트 (B)로 이루어지는 블록 공중합체인, 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머를 포함하는 수지에 의해 구성되는, 다이싱 테이프용의 기재 필름으로서, 당해 기재 필름은, 양팔보 굽힘 모드에서, 주파수 1Hz, 승온 속도 0.5℃/분의 조건에서 동적 점탄성을 측정했을 때에, 10MPa 이상 135MPa 이하의 범위의 23℃에 있어서의 굴곡 탄성률(G')을 가지는 기재 필름.

Description

다이싱 테이프용의 기재 필름 및 다이싱 테이프{BASE FILM FOR DICING TAPE AND DICING TAPE}

본 발명은, 반도체 웨이퍼를 칩 형상의 소자로 다이싱할 때, 당해 반도체 웨이퍼를 고정하기 위해 이용하는 다이싱 테이프용의 기재(基材) 필름 및 당해 기재 필름을 이용한 다이싱 테이프에 관한 것이다.

종래, 반도체 장치의 제조에 있어서는, 다이싱(이하, 단지 「절삭」 또는 「절단」이라고 하는 경우가 있음) 공정에 의해 반도체 웨이퍼를 반도체칩으로 개편화(個片化)하기 위해, 다이싱 테이프나, 당해 다이싱 테이프와 다이본드 필름이 일체화된 다이싱 다이본드 필름이 이용되는 경우가 있다. 다이싱 테이프는, 기재 필름 상에 점착제층이 마련된 형태를 하고 있고, 점착제층 상에 반도체 웨이퍼를 배치하여, 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에 개편화된 반도체칩이 비산하지 않도록 고정 보지(保持)하는 용도로 이용된다. 그 후, 반도체칩을 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 박리하고, 별도 준비한 접착제나 접착 필름을 개재하여 리드 프레임이나 배선 기판 등의 피착체에 고착시킨다.

다이싱 다이본드 필름은, 다이싱 테이프의 점착제층 상에 다이본드 필름(이하, 「접착 필름」 또는 「접착제층」이라고 하는 경우가 있음)을 박리 가능하게 마련한 것이다. 반도체 장치의 제조에 있어서는, 다이싱 다이본드 필름의 다이본드 필름 상에 반도체 웨이퍼를 보지하여, 반도체 웨이퍼를 다이본드 필름과 함께 다이싱하여 개개의 접착 필름을 가지는 반도체칩을 얻기 위해 이용된다. 그 후, 반도체칩을 다이본드 필름과 함께 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 다이본드 필름을 가지는 반도체칩으로서 박리하고, 다이본드 필름을 개재하여 반도체칩을 리드 프레임이나 배선 기판 등의 피착체에 고착시킨다.

상술과 같은 반도체칩 또는 다이본드 필름을 가지는 반도체칩을 얻음에 있어서, 다이싱 테이프의 점착제층면 상이나 다이싱 다이본드 필름의 다이본드 필름면 상에 보지된 상태에 있는 반도체 웨이퍼에 대하여, 블레이드 다이싱이 행해지는 경우가 있다. 이 블레이드 다이싱에서는, 반도체 웨이퍼, 또는 반도체 웨이퍼와 이것을 보지하는 다이싱 다이본드 필름의 다이본드 필름이, 고속 회전하는 다이싱 블레이드에 의해 절삭 가공되어, 소정의 사이즈의 반도체칩 또는 접착 필름을 가지는 반도체칩으로 개편화된다. 이 블레이드 다이싱 공정에서는, 불가피적으로 생기는 절삭 부스러기의 제거 등의 목적으로 다이싱 블레이드나 반도체 웨이퍼를 향해 유수(流水)를 공급하면서 절삭 가공을 진행한다.

이와 같은 블레이드 다이싱 공정에 있어서, 대경(大徑)의 반도체 웨이퍼의 워크로부터 반도체칩 또는 접착 필름을 가지는 반도체칩을 확실하게 얻기 위해서는, 그들을 완전히 절단·분단하는, 소위 풀 커트 방식에 의한 것이 바람직하지만, 실제로는, 장치의 동작 정밀도나 이용되는 다이싱 테이프, 다이본드 필름 및 반도체 웨이퍼의 두께 정밀도를 고려하면, 반도체 웨이퍼 등에 대하여 다이싱 테이프와는 반대의 면측으로부터 자르는 다이싱 블레이드의 칼집 깊이가 다이싱 테이프의 기재 필름에까지 이르는 경우가 있다. 이 경우, 다이싱 시에 실밥 형상의 절삭 부스러기가 발생하는 경우가 있다. 이것은, 기재에 있어서, 고속 회전하는 다이싱 블레이드와 접촉하는 개소에서는 마찰열이 발생하고, 이 마찰열에 의해 연화 용융된 기재 구성 재료가, 고속 회전하는 다이싱 블레이드로부터 받는 인장 작용에 의해 연신되어, 실밥 형상의 절삭 부스러기가 발생하는 것이라고 생각되고 있다.

이 실밥 형상의 절삭 부스러기는, 유수 공급 하에서의 블레이드 다이싱 공정을 거친 반도체칩에 부착된 채인 경우가 많다. 실밥 형상의 절삭 부스러기가 반도체칩에 부착된 채이면, 반도체 소자의 신뢰성이 저하하거나, 픽업 공정 시에 인식 에러가 발생하여 반도체칩을 확실하게 픽업할 수 없거나, 반도체칩이 깨져서 픽업할 수 없거나, 또는 픽업된 반도체칩을 올바른 방향으로 또한 고정밀도로 실장할 수 없다 등의 문제가 생긴다. 따라서, 블레이드 다이싱 공정에 있어서는, 이와 같은 실밥 형상의 절삭 부스러기의 발생량은, 보다 적은 것이 요망된다.

절삭 부스러기의 발생을 억제하는 종래 기술로서, 인용문헌 1에는, 풀 커트 다이싱 방식에 있어서 절삭 부스러기의 반도체 웨이퍼 표면에의 잔류를 방지할 수 있는 다이싱용 점착 테이프를 제공하는 것을 목적으로, 시험 온도 190℃에 있어서의 MFR(멜트 매스 플로우 레이트)이 3 이하이고, 또한 중합체의 구성 성분으로서 카르복실기를 가지는 구성 성분을 포함하는 수지층과 점착제층이 적층되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프가 개시되어 있다. 또한, 인용문헌 2에는, 반도체 웨이퍼 등의 다이싱 공정에 있어서의 절삭 부스러기가 거의 발생하지 않는, 다이싱용 기체(基體) 필름, 및 다이싱 필름을 제공하는 것을 목적으로, 방향족 폴리아미드를 포함하는 수지를 함유하는 층을 가지는 다이싱용 기체 필름이 개시되어 있다.

한편, 근래에는, IC 카드의 보급이나 USB 메모리의 급격한 용량 업이 진척되어, 반도체칩을 포개는 매수의 증가에 따라, 반도체칩의 가일층의 박형화가 요망되고 있다. 이 때문에, 종래에는 두께가 200∼350㎛ 정도였던 반도체칩을, 두께 50∼100㎛ 또는 그 이하까지 얇게 할 필요가 생기고 있다. 또한, 가일층의 비용 삭감을 실현하기 위해, 반도체칩을 가능한 한 높은 생산성으로 또한 높은 수율로 생산하는 것이 강하게 요구되고 있어, 반도체 장치의 제조 공정의 각 공정에 있어서도 궁극의 효율화가 요구되고 있다.

그런데, 반도체칩으로서 이용되는 실리콘이나 유리 등은 취성(脆性) 재료로서, 상기와 같이 반도체칩의 두께가 얇아지면, 운반이나 가공 시에 파손될 리스크는 보다 높아진다. 예를 들면, 반도체 장치의 제조 공정의 하나로, 개편화된 반도체칩이나 접착 필름을 가지는 반도체칩을 픽업하는 공정이 있지만, 반도체칩의 두께가 얇아지면, 픽업 시에 반도체칩이 깨지기 쉬워진다. 픽업 공정에서는, 다이싱 후의 반도체칩 또는 접착 필름을 가지는 반도체칩을 다이싱 테이프의 기재 필름측으로부터 밀어올림 핀(니들) 등으로 밀어올려, 반도체칩이나 접착 필름을 가지는 반도체칩의 점착제층으로부터의 박리를 조장하면서, 위로부터 흡착 콜렛트로 반도체칩 또는 접착 필름을 가지는 반도체칩을 흡착함으로써 다이싱 테이프의 점착제층으로부터 픽업하는 방법이 주류로 되어 있다. 이 경우, 반도체칩이나 접착 필름을 가지는 반도체칩이 밀어올려졌을 때에, 반도체칩이나 접착 필름을 가지는 반도체칩의 점착제층으로부터의 박리가 조장되기 어려우면, 밀어올림 높이(밀어올림량)를 보다 크게 하여 박리의 조장을 촉구할 필요가 생기고, 그 결과, 반도체칩이 받는 응력이 보다 커져서 반도체칩의 휨이 커지는 것에 의해 깨지는 것이라고 생각할 수 있다.

따라서, 현상(現狀)은, 예를 들면, 밀어올림 핀(니들)의 밀어올림 속도를 작게 한 다음에, 또는 적절한 속도로 조정한 다음에, 밀어올림 높이를 조절하면서 신중하게 박막 반도체칩을 픽업하는 방법을 취하는 것에 의해 대응하고 있다. 그러나, 여전히, 픽업 공정에 있어서의 반도체칩의 깨짐에 기인하는 수율 저하는 충분히 해소되어 있다고는 할 수 없고, 다이싱 테이프의 종류에 의존하는 바가 큰 점에서, 픽업 기구와 함께 다이싱 테이프에 대해서도, 한층 더의 개선이 갈망되고 있다. 구체적으로는, 실용상, 허용할 수 있는 범위 내의 밀어올림 속도로, 보다 작은 밀어올림 높이에서 박막 반도체칩을 손상하지 않고 픽업할 수 있는 다이싱 테이프가 요망된다.

픽업성을 향상하는 종래 기술로서, 인용문헌 3에는, 다이싱 공정 후의 픽업 공정에 있어서, 박형의 반도체칩을 효율적으로 픽업할 수 있는 다이싱 테이프를 제공하는 것을 목적으로, 소정의 조건 하에서 측정한 루프 스티프니스가 3∼25mN인 기재 필름 상에 점착제층을 가지는 다이싱 테이프가 개시되어 있다. 또한, 인용문헌 4에는, 양호한 익스팬드 특성과 픽업성을 겸비한 반도체 디바이스의 제조 시에 이용되는 대전 방지성 필름을 제공하는 것을 목적으로, 특정한 하드 세그먼트 성분과 소프트 세그먼트 성분을 조합한 폴리에스테르 블록 공중합체로 이루어지는 필름이 개시되어 있다.

일본공개특허 특개평9-8111호 공보 일본공개특허 특개2016-31996호 공보 일본공개특허 특개2010-225753호 공보 일본공개특허 특개2006-152072호 공보

인용문헌 1의 반도체 웨이퍼 고정용 점착 테이프에 있어서는, 기재 필름에 용융 점도가 높은 수지를 이용하는 것에 의해, 확실히 다이싱 공정에 있어서의 절삭 부스러기의 발생은 억제되어 있지만, 박막 반도체칩의 픽업 특성에 관해서는 특별히 언급되어 있지 않다. 실시예에 예시된 기재 필름의 재질인 에틸렌-메타크릴산 공중합체나 에틸렌-메타크릴산-(아크릴산 2-메틸-프로필) 3원(元) 공중합체 수지는, 용융 점도가 높기 때문에, 약간 딱딱한 재질로 되어 있어, 반도체칩 두께가 얇은 경우에는, 픽업 특성이 불충분해질 우려가 있었다.

또한, 인용문헌 2의 다이싱 필름에 있어서도, 확실히 다이싱 공정에 있어서의 절삭 부스러기의 발생은 억제되어 있지만, 박막 반도체칩의 픽업 특성에 관해서는 특별히 언급되어 있지 않다. 실시예에 예시된 기재 필름의 재질의 주성분인 방향족 폴리아미드는, 융점이 높고, 약간 딱딱한 재질인 점에서, 반도체칩 두께가 얇은 경우에는, 픽업 특성이 불충분해질 우려가 있었다.

한편, 인용문헌 3의 다이싱 테이프에 있어서는, 실시예에서 100㎛ 두께의 반도체칩의 픽업성에 관하여 일정한 향상 효과가 인정되지만, 픽업 시의 밀어올림 높이(핀 하이트)에 있어서, 아직 개선(저감)의 여지가 있었다. 다이싱 공정에 있어서의 절삭 부스러기의 발생의 억제에 관해서는 특별히 언급되어 있지 않지만, 실시예에 예시된 기재 필름의 재질인 에틸렌-아세트산 비닐이나 MFR이 큰 에틸렌-메타크릴산 공중합체 등의 수지는 융점이 약간 낮아, 다이싱 공정에 있어서의 절삭 부스러기의 발생의 억제에 관해서는 불충분해질 우려가 있었다.

또한, 인용문헌 4의 반도체 웨이퍼 고정용 필름에 있어서는, 실시예에서 350㎛ 두께의 반도체칩의 픽업성에 관하여 양호한 것이 인정되지만, 100㎛ 이하의 두께의 반도체칩에 적용한 경우의 픽업 특성이나 그 구체적인 내용에 관해서는 불명하다. 또한, 다이싱 공정에 있어서의 절삭 부스러기의 발생의 억제에 관해서는 특별히 언급되어 있지 않다.

이와 같이, 종래 기술의 다이싱 테이프는, 두께가 100㎛ 이하인 반도체 웨이퍼에 적용하는 경우에 있어서, 다이싱 공정에 있어서의 절삭 부스러기의 발생의 억제와 픽업 공정에 있어서의 픽업성의 향상의 양립이라는 관점에서는 충분히 만족하고 있다고는 말하기 어려워, 아직 개선의 여지가 있었다.

본 발명은, 상기 문제·상황을 감안하여 이루어진 것으로서, 두께가 100㎛ 이하인 반도체 웨이퍼에 적용하는 경우에 있어서도, 다이싱 공정에 있어서의 절삭 부스러기의 발생의 억제와 픽업 공정에 있어서의 픽업성의 향상의 양립을 실용상 문제가 되지 않는 범위에서 가능하게 하는, 다이싱 테이프용의 기재 필름의 제공 및 그 기재 필름을 이용한 다이싱 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다.

즉, 본 발명은,

점착제층이 그 위에 형성되는 제 1 면과 이것에 대향하는 제 2 면을 가지고,

방향족 디카르본산과 지방족 디올 또는 지환식 디올로 이루어지는 폴리에스테르를 주성분으로 하는 하드 세그먼트 (A)와, 지방족 폴리에테르를 주성분으로 하는 소프트 세그먼트 (B)로 이루어지는 블록 공중합체인, 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머를 포함하는 수지에 의해 구성되는, 다이싱 테이프용의 기재 필름으로서,

당해 기재 필름은, 양팔보 굽힘 모드에서, 주파수 1Hz, 승온 속도 0.5℃/분의 조건에서 동적 점탄성을 측정했을 때에, 10MPa 이상 135MPa 이하의 범위의 23℃에 있어서의 굴곡 탄성률(G')을 가지는 것을 특징으로 하는 기재 필름을 제공한다.

어떤 일 형태에 있어서는, 상기 기재 필름은, 17MPa 이상 115MPa 이하의 범위의 상기 23℃에 있어서의 굴곡 탄성률(G')을 가진다.

어떤 일 형태에 있어서는, 소프트 세그먼트 (B)는, 하드 세그먼트 (A)와 소프트 세그먼트 (B)의 총 질량에 대하여 51질량% 이상 73질량% 이하의 범위의 함유량(공중합량)을 가진다.

어떤 일 형태에 있어서는, 소프트 세그먼트 (B)는, 하드 세그먼트 (A)와 소프트 세그먼트 (B)의 총 질량에 대하여 55질량% 이상 70질량% 이하의 범위의 함유량(공중합량)을 가진다.

어떤 일 형태에 있어서는, 하드 세그먼트 (A)는, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT)이다.

어떤 일 형태에 있어서는, 소프트 세그먼트 (B)는, 폴리(테트라메틸렌옥사이드)글리콜(PTMG) 및/또는 폴리(프로필렌옥사이드)글리콜의 에틸렌옥사이드 부가 중합체(PPG-EO 부가 중합체)이다.

어떤 일 형태에 있어서는, 상기 기재 필름은, 단일의 수지층으로 이루어지고, 당해 층을 구성하는 상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머를 포함하는 수지는, 160℃ 이상 200℃ 이하의 범위의 결정 융점을 가진다.

어떤 일 형태에 있어서는, 상기 기재 필름은, 복수의 적층된 수지층으로 이루어지고, 제 1 면을 가지는 층을 구성하는 상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머를 포함하는 수지는, 160℃ 이상 200℃ 이하의 범위의 결정 융점을 가진다.

어떤 일 형태에 있어서는, 상기 기재 필름은, 70㎛ 이상 155㎛ 이하의 범위의 두께를 가진다.

어떤 일 형태에 있어서는, 상기 기재 필름은, 신장률이 300% 이상 700% 이하의 범위이다.

또한, 본 발명은, 상기 어느 것인가의 기재 필름과, 그 표면에 형성된 점착제층을 가지는 다이싱 테이프를 제공한다.

본 발명에 의하면, 두께가 100㎛ 이하인 반도체 웨이퍼에 적용하는 경우에 있어서도, 다이싱 공정에 있어서의 절삭 부스러기의 발생의 억제와 픽업 공정에 있어서의 픽업성의 향상의 양립을 실용상 문제가 되지 않는 범위에서 가능하게 하는, 다이싱 테이프용의 기재 필름을 제공할 수 있다. 또한, 그 기재 필름을 이용한 다이싱 테이프를 제공할 수 있다.

도 1의 (a)∼(d)는, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프용의 기재 필름의 구성의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 2는, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프용의 기재 필름을 이용한 다이싱 테이프의 구성의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 3은, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프용의 기재 필름을 이용한 다이싱 테이프를 다이본드 필름과 첩합(貼合)한 구성의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 4는, 다이싱 테이프의 제조 방법에 관하여 설명한 플로우 차트이다.
도 5는, 반도체칩의 제조 방법에 관하여 설명한 플로우 차트이다.
도 6은, 다이싱 테이프(또는 다이싱 다이본드 필름)의 외연부(外緣部)에 링 프레임(웨이퍼 링), 중심부에 반도체 웨이퍼가 첩부(貼付)된 상태를 나타낸 사시도이다.
도 7의 (a)∼(f)는, 다이싱 테이프를 사용한 반도체칩의 제조예를 나타낸 단면도이다.
도 8의 (a)∼(f)는, 다이싱 다이본드 필름를 사용한 반도체칩의 제조예를 나타낸 단면도이다.

이하, 필요에 따라 도면을 참조하여, 본 발명의 적합한 실시형태에 관하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은, 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.

≪기재 필름 및 다이싱 테이프의 구성≫

도 1의 (a)∼(d)는, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프용의 기재 필름(1)의 구성의 일례를 나타낸 단면도이다. 본 실시형태의 기재 필름(1)은 단일의 수지의 단층(도 1의 (a) 1-A 참조)이어도 되고, 동일 수지의 복수층으로 이루어지는 적층체(도 1의 (b) 1-B 참조)여도 되며, 상이한 수지의 복수층으로 이루어지는 적층체(도 1의 (c) 1-C, (d) 1-D 참조)여도 된다. 복수층으로 이루어지는 적층체로 하는 경우, 층수는 특별히 한정되지 않지만, 2층 이상 5층 이하의 범위인 것이 바람직하다.

도 2는, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프용의 기재 필름(1)을 이용한 다이싱 테이프의 구성의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(10)는, 기재 필름(1)의 제 1 면의 위에 점착제층(2)을 구비한 구성을 가지고 있다. 또한, 도시는 하지 않지만, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 표면(기재 필름(1)에 대향하는 면과는 반대측의 면)에는, 이형성을 가지는 기재 시트(박리 라이너)를 구비하고 있어도 된다. 점착제층(2)을 형성하는 점착제로서는, 예를 들면, 자외선(UV) 등의 활성 에너지선을 조사하는 것에 의해 경화·수축하여 피착체에 대한 점착력이 저하하는 활성 에너지선 경화성의 아크릴계 점착제 등이 사용된다.

반도체 제조 공정에 있어서는, 이하와 같이 사용된다. 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 상에 반도체 웨이퍼를 보지(가고정(假固定))하고, 반도체 웨이퍼를 다이싱(절삭)하여 개개의 반도체칩으로 한 후, 반도체칩을 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 박리한다. 얻어진 반도체칩을, 별도 준비한 접착제를 개재하여 리드 프레임이나 배선 기판 등의 피착체에 고착시킨다.

도 3은, 본 실시형태가 적용되는 다이싱 테이프용의 기재 필름(1)을 이용한 다이싱 테이프(10)를 다이본드 필름(접착제층)(3)과 첩합하여 일체화한 구성, 소위 다이싱 다이본드 필름의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 다이싱 다이본드 필름(20)은, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 위에 다이본드 필름(접착제층)(3)이 박리 가능하게 밀착, 적층된 구성을 가지고 있다.

반도체 제조 공정에 있어서는, 이하와 같이 사용된다. 다이싱 다이본드 필름(20)의, 다이본드 필름(3) 상에 반도체 웨이퍼를 보지(접착)하고, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 개개의 반도체칩으로 한 후, 반도체칩을 다이본드 필름(접착제층)(3)과 함께 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 박리한다. 얻어진 다이본드 필름(접착제층)(3)을 가지는 반도체칩을, 다이본드 필름(접착제층)(3)을 개재하여 리드 프레임이나 배선 기판 등의 피착체에 고착시킨다. 또한, 도시는 하지 않지만, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 표면(기재 필름(1)에 대향하는 면과는 반대측의 면) 및 다이본드 필름(3)의 표면(점착제층(2)에 대향하는 면과는 반대측의 면)에는, 각각 이형성을 가지는 기재 시트(박리 라이너)를 구비하고 있어도 된다.

≪기재 필름≫

본 실시형태의 기재 필름(1)은, 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머를 포함하는 수지로 구성된다. 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머는, 기재 필름(1)을 구성하는 수지의 총량 중, 80질량% 이상 함유하는 것이 바람직하고, 90질량% 이상 함유하는 것이 보다 바람직하다. 먼저, 기재 필름(1)을 구성하는 수지의 주성분인 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머에 관하여 이하 설명한다.

<열가소성 폴리에스테르 엘라스토머>

상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머는, 방향족 디카르본산과 지방족 디올 또는 지환식 디올로 구성된 폴리에스테르를 주성분으로 하는 하드 세그먼트 (A), 및 지방족 폴리에테르를 주성분으로 하는 소프트 세그먼트 (B)를 공중합체의 구성 성분으로 하는 블록 공중합체, 즉, 폴리에스테르·폴리에테르형의 열가소성 엘라스토머이다. 여기서, 「∼를 주성분으로 한다」란, 상기 「방향족 디카르본산과 지방족 디올 또는 지환식 디올로 구성된 폴리에스테르」가 상기 하드 세그먼트 (A)의 총량 중, 75질량% 이상 차지하는 것을 의미하고, 바람직하게는 80질량% 이상, 특히 바람직하게는 90질량% 이상이다. 마찬가지로, 상기 「지방족 폴리에테르」가 상기 소프트 세그먼트 (B)의 총량 중, 75질량% 이상 차지하는 것을 의미하고, 바람직하게는 80질량% 이상, 특히 바람직하게는 90질량% 이상이다.

상술한 바와 같이, 다이싱 시의 실밥 형상의 절삭 부스러기의 발생을 억제하기 위한 바람직한 특성의 하나로서 기재 필름(1)의 융점의 높이를 들 수 있다. 한편, 박막 반도체칩의 픽업성을 향상하기 위한 바람직한 특성의 하나로서 기재 필름(1)의 유연성을 들 수 있다. 그러나, 이러한 양 특성은, 일반적으로는 트레이드 오프의 관계가 되는 경우가 많다. 즉, 기재 필름(1)의 융점을 높게 하려고 하면 유연성을 잃어 버리고, 반면에, 기재 필름(1)에 유연성을 부여하려고 하면 융점은 낮아지는 경향이 있다. 이와 같은 서로 대립하는 트레이드 오프의 관계를 해소할 수 있는 재질로서, 융점의 높이와 유연성을 겸비한 상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머는 적합하다. 특히, 기재 필름(1)을 융점이 높은 층과 유연성이 우수한 층을 적층한 구성으로 하여 융점과 유연성을 제어하는 방법에 의하지 않아도, 단일층으로서 양 특성을 발현할 수 있는 점에서 기재 필름(1)의 재질로서 적합하다.

(하드 세그먼트 (A))

상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머의 하드 세그먼트 (A)는, 상술한 바와 같이 방향족 디카르본산과 지방족 디올 또는 지환식 디올로 구성된 폴리에스테르를 주된 성분으로 한다. 이와 같이 구성된 방향족 폴리에스테르는 결정성이고 고융점이다. 당해 결정성 폴리에스테르(하드 세그먼트)로 이루어지는 하드 도메인은, 후술하는 고무상(狀))의 소프트 세그먼트에 결절점을 부여하는 것에 의해 실질상, 가교점의 역할을 담당하고 있다. 이에 의해, 상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머를 다이싱 테이프(10)의 기재 필름(1)의 재질로서 이용한 경우, 다이싱 시에는 용융되기 어렵고, 가령 용융되었다고 해도 결정화 속도가 빠르므로, 실 형상이 되기는 어렵기 때문에, 실밥 형상의 절삭 부스러기의 발생이 억제된다.

상기 하드 세그먼트 (A)의 주성분인 폴리에스테르를 구성하는 방향족 디카르본산으로서는, 특별히 한정되지 않고, 통상의 방향족 디카르본산을 이용할 수 있다. 방향족 디카르본산으로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 테레프탈산, 이소프탈산, 5-나트륨술포이소프탈산, 2,6-나프탈렌디카르본산, 디페닐디카르본산 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 방향족 디카르본산으로서는, 테레프탈산 또는 2,6-나프탈렌디카르본산 등이 적합하게 이용된다. 자외선 투과성의 관점에서, 바람직하게는, 테레프탈산이 이용된다. 이들 방향족 디카르본산의 사용량은, 그 밖의 산성분을 포함시킨 전체 산성분의 75질량% 이상이 바람직하고, 80질량% 이상이 보다 바람직하며, 90질량% 이상이 특히 바람직하다. 또한, 상기 방향족 디카르본산 대신에, 이들 방향족 카르본산의 에스테르 형성성 유도체를 이용하여, 이에 의해 상기 폴리에스테르 중에 산성분으로서 도입할 수도 있다. 예를 들면, 이러한 산의 알킬에스테르가 대표적이고, 특히 메틸에스테르가 적합하게 이용된다. 구체적으로는, 테레프탈산 메틸이 적합하게 이용된다.

상기 그 밖의 산성분으로서는, 시클로헥산디카르본산, 테트라히드로 무수 프탈산 등의 지환식 디카르본산, 숙신산, 글루타르산, 아디프산, 아젤라산, 세바스산, 도데칸 2산, 다이머산, 수첨(水添) 다이머산 등의 지방족 디카르본산 등을 들 수 있다. 그 밖의 산성분은, 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머의 결정 융점을 크게 저하시키지 않는 범위에서 이용되고, 그 사용량은 전체 산성분의 25질량% 이하가 바람직하며, 보다 바람직하게는 20질량% 이하, 특히 바람직하게는 10질량% 이하이다. 또한, 이들 산의 에스테르 형성성 유도체를 상기와 마찬가지로 이용할 수도 있다.

또한, 상기 하드 세그먼트 (A)의 주성분인 폴리에스테르를 구성하는 지방족 또는 지환식 디올로서는, 특별히 한정되지 않고, 통상의 지방족 또는 지환식 디올을 이용할 수 있다. 지방족 디올로서는, 예를 들면, 탄소수 2∼8의 알킬렌글리콜류를 들 수 있고, 구체적으로는, 에틸렌글리콜, 1,3-프로필렌글리콜, 1,4-부탄디올, 1,6-헥산디올 등을 이용할 수 있다. 지환식 디올로서는, 1,4-시클로헥산디올, 1,4-시클로헥산디메탄올 등을 이용할 수 있다. 그 중에서도, 1,4-부탄디올 또는 1,4-시클로헥산디메탄올이 적합하게 이용된다. 범용성, 제막성의 관점에서, 바람직하게는, 지방족 디올인 1,4-부탄디올이 이용된다.

상기 하드 세그먼트 (A)의 주성분인 폴리에스테르를 구성하는 성분으로서는, 테레프탈산과 1,4-부탄디올로 이루어지는 부틸렌테레프탈레이트 단위로 이루어지는 것(폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT)라고 하는 경우도 있음), 또는 2,6-나프탈렌디카르본산과 1,4-부탄디올로 이루어지는 부틸렌나프탈레이트 단위로 이루어지는 것(폴리부틸렌나프탈레이트(PBN)라고 하는 경우도 있음)이, 물성, 성형성, 코스트 퍼포먼스의 점에서 바람직하고, 자외선 투과성의 관점에서, 부틸렌테레프탈레이트 단위로 이루어지는 것(PBT)이 특히 바람직하다.

또한, 본 발명에 관련되는 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머에 있어서의 하드 세그먼트 (A)를 구성하는 폴리에스테르로서 적합한 방향족 폴리에스테르를 사전에 제조하고, 그 후 소프트 세그먼트 (B) 성분과 공중합시키는 경우, 당해 방향족 폴리에스테르는, 통상의 폴리에스테르의 제조 방법에 의해 얻을 수 있다. 또한, 당해 방향족 폴리에스테르는, 수평균 분자량(Mn)이 10,000 이상 40, 000 이하의 범위인 것이 바람직하다.

(소프트 세그먼트 (B))

상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머의 소프트 세그먼트 (B)는, 상술한 바와 같이 지방족 폴리에테르를 주된 성분으로 한다. 상기 지방족 폴리에테르는 유리 전이 온도(Tg)가 낮고, 고무상 성질이며, 상기 하드 세그먼트 (A)와의 밸런스의 제어에 의해, 상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머에 적당한 유연성을 부여하는 역할을 담당하고 있다. 이에 의해, 상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머를 다이싱 테이프(10)의 기재 필름(1)의 재질로서 이용한 경우, 기재 필름(1)의 23℃에 있어서의 굴곡 탄성률(G')을 박막 반도체칩의 픽업성을 최대한으로까지 향상시킬 수 있는 범위, 즉 10MPa 이상 135MPa 이하의 범위로 제어할 수 있다. 상기 기재 필름(1)의 23℃에 있어서의 굴곡 탄성률(G')이 10MPa 이상 135MPa 이하의 범위이면, 반도체칩의 픽업 시에, 다이싱 테이프(10)를 밀어올림 핀에 의해 밀어올렸을 때에, 다이싱 테이프(10)가 핀의 선단을 지지점으로 하여 만곡하기 쉬워지기 때문에, 밀어올림 핀의 밀어올림 높이가 작아도, 즉, 작은 힘으로 밀어올려도, 반도체칩의 사방 단부의 점착제층(2)으로부터의 박리가 조장되기 쉬워진다.

그 결과, 100㎛ 이하의 박막의 반도체 웨이퍼를 사용하는 경우라도, 박막 반도체칩의 점착제층(2)으로부터의 박리가 빠르게 진행되어, 종래의 힘보다 작은 힘으로 용이하게 박막 반도체칩을 파손하지 않고 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 픽업할 수 있어, 종래보다 더 반도체칩의 픽업 성공률을 향상시킬 수 있다.

상기 소프트 세그먼트 (B)의 주성분인 지방족 폴리에테르로서는, 특별히 한정되지 않고, 구체적으로는, 예를 들면, 폴리(에틸렌옥사이드)글리콜, 폴리(프로필렌옥사이드)글리콜, 폴리(테트라메틸렌옥사이드)글리콜, 폴리(헥사메틸렌옥사이드)글리콜, 에틸렌옥사이드와 프로필렌옥사이드의 공중합체, 폴리(프로필렌옥사이드)글리콜의 에틸렌옥사이드 부가 중합체, 에틸렌옥사이드와 테트라히드로푸란의 공중합체 등의 폴리(알킬렌옥사이드)글리콜 등을 들 수 있다.

상기 지방족 폴리에테르 중에서도, 폴리(테트라메틸렌옥사이드)글리콜(PTMG), 폴리(프로필렌옥사이드)글리콜의 에틸렌옥사이드 부가 중합체(PPG-EO 부가 중합체), 에틸렌옥사이드와 테트라히드로푸란의 공중합체 글리콜(EO/THF 공중합 글리콜)이 바람직하고, 범용성, 제막성의 관점에서, 보다 바람직하게는, 폴리(테트라메틸렌옥사이드)글리콜(PTMG), 폴리(프로필렌옥사이드)글리콜의 에틸렌옥사이드 부가 중합체(PPG-EO 부가 중합체)이다. 또한, 이러한 소프트 세그먼트의 수평균 분자량(Mn)은, 공중합된 상태에 있어서 300 이상 6,000 이하 정도인 것이 바람직하다. 구체적으로는, PTMG850(수평균 분자량(Mn):850), PTMG1000(수평균 분자량(Mn):1,000), PTMG1500(수평균 분자량(Mn):1,500), PTMG2000(수평균 분자량(Mn):2,000), PTMG3000(수평균 분자량(Mn):3,000), PPG(부가 몰수 2)-EO(부가 몰수 9) 부가 중합체, PPG(동(同) 7)-EO(동 14) 부가 중합체, PPG(동 41)-EO(동 36) 부가 중합체 등을 들 수 있다.

상기 지방족 폴리에테르의 사용량은, 지방족 폴리에테르 이외의 그 밖의 소프트 세그먼트 성분도 포함시킨 전체 소프트 세그먼트 성분의 75질량% 이상이 바람직하고, 80질량% 이상이 보다 바람직하며, 90질량% 이상이 특히 바람직하다.

상기 지방족 폴리에테르와 병용 가능한 그 밖의 소프트 세그먼트 성분으로서는, 예를 들면, 폴리카프로락톤, 폴리부틸렌아디페이트 등의 지방족 폴리에스테르, 지방족 폴리카보네이트 등을 들 수 있다. 그 밖의 소프트 세그먼트 성분은, 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머의 유연성을 손상하지 않는 범위에서 이용되고, 그 사용량은 전체 소프트 세그먼트 성분의 25질량% 이하가 바람직하며, 보다 바람직하게는 20질량% 이하, 특히 바람직하게는 10질량% 이하이다.

본 실시형태의 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머의 바람직한 양태로서는, 하드 세그먼트 (A)에 PBT 또는 PBN을, 소프트 세그먼트 (B)에 PTMG 또는 PPG-EO 부가 중합체를 이용한 블록 공중합체를 들 수 있다. 구체적으로는, PBT-PTMG-PBT로 구성되는 블록 공중합체, PBT-(PPG-EO 부가 중합체)-PBT로 구성되는 블록 공중합체, PBN-PTMG-PBN으로 구성되는 블록 공중합체, PBN-(PPG-EO 부가 중합체)-PBN으로 구성되는 블록 공중합체가 바람직하다. 자외선 투과성의 관점에서, 보다 바람직하게는, PBT-PTMG-PBT로 구성되는 블록 공중합체 또는 PBT-(PPG-EO 부가 중합체)-PBT로 구성되는 블록 공중합체이고, 범용성, 제막성의 관점에서, 특히 바람직하게는, PBT-PTMG-PBT로 구성되는 블록 공중합체이다. 이들 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머는, 필요에 따라, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에서, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있지만, 제막성의 관점에서는, 단독으로 사용하는 것이 바람직하다.

상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머의 소프트 세그먼트 (B)의 함유량(공중합량)은, 구성 성분인 하드 세그먼트 (A)와 소프트 세그먼트 (B)의 총 질량에 대하여 51질량% 이상 73질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 55질량% 이상 70질량% 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 또한, 기재 필름(1)이 복수층으로 이루어지는 적층체인 경우, 상기 소프트 세그먼트 (B)의 함유량이란, 각 층에 있어서의 소프트 세그먼트 (B)의 함유량과 층 전체에 있어서의 각 층의 질량 비율로부터 계산되는 적층체 전체에 있어서의 값을 의미한다. 하드 세그먼트 (A)와 소프트 세그먼트 (B)의 질량비는, NMR 측정 장치를 이용하여 측정할 수 있다. 소프트 세그먼트 (B)의 함유량이 51질량% 미만인 경우에는, 기재 필름(1)의 굴곡 탄성률(G')이 지나치게 커져서, 반도체 제조 공정에 있어서, 반도체칩의 픽업 공정에 있어서 박막 웨이퍼의 칩이 파손될 우려나, 픽업 특성이 나빠질 우려가 있다. 한편, 소프트 세그먼트 (B)의 함유량이 73질량%를 넘는 경우에는, 기재 필름(1)의 제막 자체가 곤란해질 우려가 있다. 또한, 기재 필름(1)의 결정 융점이 낮아지고, 신장·점도도 커지기 때문에, 반도체 제조 공정에 있어서, 블레이드에 의해 웨이퍼를 다이싱했을 때에, 다이싱 테이프(10)의 기재 필름(1)까지 자르는 결과로서, 기재 필름(1)이 용융·연신되어 실밥 형상으로 된 절삭 부스러기가 발생하고, 당해 절삭 부스러기가 반도체칩에 부착되어 반도체 소자의 신뢰성을 저하시킬 우려나, 픽업 공정 시에 인식 에러를 일으킬 우려가 있다. 상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머의 소프트 세그먼트 (B)의 함유량(공중합량)이 상기의 범위에 있으면, 상술한 기재 필름(1)의 23℃에 있어서의 굴곡 탄성률(G')을 10MPa 이상 135MPa 이하의 적절한 범위로 하는 것이 용이해진다.

상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머는, 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 디카르본산의 저급 알코올디에스테르, 과잉량의 저분자량 글리콜, 및 소프트 세그먼트 성분을 유기산염이나 유기 금속 화합물 등의 촉매의 존재 하에서 에스테르 교환 반응하게 하고, 얻어지는 반응 생성물을 안티몬 화합물, 티탄 화합물이나 게르마늄 화합물 등의 촉매 하에서 중축합하는 방법, 디카르본산과 과잉량의 글리콜 및 소프트 세그먼트 성분을 유기산염이나 유기 금속 화합물 등의 촉매의 존재 하에서 에스테르화 반응을 하게 하고, 얻어지는 반응 생성물을 안티몬 화합물, 티탄 화합물이나 게르마늄 화합물 등의 촉매 하에서 중축합하는 방법, 방향족 디카르본산과 저분자량 글리콜 성분으로부터 얻어진 적합한 방향족 폴리에스테르에 대하여 지방족 폴리에테르폴리올을 가열 혼합하여, 당해 방향족 폴리에스테르의 일부를 해중합(解重合)시키고, 지방족 폴리에테르폴리올과 반응시켜 중축합하는 방법, 미리 하드 세그먼트를 만들어 두고, 이것에 소프트 세그먼트 성분을 첨가하여 에스테르 교환 반응에 의해 랜덤화하게 하는 방법, 하드 세그먼트와 소프트 세그먼트를 사슬 연결제로 연결하는 방법 등을 들 수 있다. 미리 하드 세그먼트를 만들어 두고, 이것에 소프트 세그먼트 성분을 첨가하여 에스테르 교환 반응에 의해 랜덤화하게 하는 방법의 경우, 하드 세그먼트와 소프트 세그먼트의 에스테르 교환 반응이 과잉이 되지 않도록, 즉 과잉의 랜덤화가 일어나, 엘라스토머 특성이 소실되지 않도록, 미리 하드 세그먼트를 만들어 두고, 이것에 미리 고분자량화한 소프트 세그먼트 성분을 첨가하여 랜덤화하게 하는 방법이 바람직하다. 구체적으로는, 일본특허 제4244067호 공보에 기재된 방법이 바람직하다.

<그 밖의 열가소성 수지>

기재 필름(1)을 구성하는 수지는, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에 있어서, 상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머 이외에 그 밖의 성분으로서 이하에 예시하는 열가소성 수지를 함유할 수 있다. 이러한 열가소성 수지로서는, 예를 들면, 폴리올레핀계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 방향족 비닐 단량체 유래 성분 함유의 호모폴리머 및 코폴리머 수지 등의 열가소성 수지, 본 실시형태의 폴리에스테르·폴리에테르형 블록 공중합체 이외의 열가소성 엘라스토머, 및 폴리에스테르·폴리에테르형 블록 공중합체에 공중합되지 않는 폴리(알킬렌옥사이드)글리콜 등을 들 수 있다. 상기 폴리올레핀계 수지로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌 및 프로필렌의 공중합체, 및 이들과 탄소수 4∼10의 α-올레핀과의 공중합체 등을 들 수 있다. 이러한 폴리머는 무수 말레산 등의 산 화합물로 변성되어 있어도 된다. 또한 폴리올레핀계 수지는 금속염계 아이오노머를 포함한다. 이러한 다른 열가소성 수지의 함유량으로서는, 기재 필름(1)에 함유되는 상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머의 총량 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상 10질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.

<기타>

기재 필름(1)은, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에 있어서, 미끄러짐성 부여(블로킹 방지)에 의한 취급성의 관점에서, 기재 필름(1)을 구성하는 수지에, 입자를 함유할 수 있다. 상기 입자는, 기재 필름(1)이 단층 구성인 경우는 당해 단층 중에, 기재 필름(1)이 적층 구성인 경우는 적어도 편측의 최표층에 함유시키는 것이 바람직하다. 상기 입자로서는, 특별히 한정되지 않고, 무기 입자나 유기 입자를 단독 또는 조합하여 사용할 수 있다. 무기 입자로서는, 실리카, 알루미나, 티타니아, 지르코니아 등의 금속 산화물이나, 황산바륨, 탄산칼슘, 규산알루미늄, 인산칼슘, 마이카, 카올린, 클레이, 및 제올라이트 등을 들 수 있다. 유기 입자로서는, 폴리메톡시실란계 화합물의 가교 입자, 폴리에틸렌계 화합물의 가교 입자, 폴리스티렌계 화합물의 가교 입자, 아크릴계 화합물의 가교 입자, 폴리우레탄계 화합물의 가교 입자, 폴리에스테르계 화합물의 가교 입자, 불소계 화합물의 가교 입자, 또는 이들의 혼합물을 들 수 있다. 상기 입자의 평균 입자경은, 특별히 한정되지 않지만, 0.5㎛ 이상 15.0㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한 상기 입자의 함유량으로서는, 기재 필름(1)에 함유되는 상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머와 상기 열가소성 수지의 총량 100질량부에 대하여, 1질량부 이상 20질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.

또한, 기재 필름(1)을 구성하는 수지는, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에 있어서, 착색제, 난연제, 가소제, 대전 방지제, 노화 방지제 등의 각종 첨가제를 함유해도 된다. 이러한 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않지만, 기재 필름(1)이 원하는 기능을 발휘하고, 유연성을 잃지 않는 범위에 그쳐야 한다.

<기재 필름의 굴곡 탄성률>

본 실시형태의 기재 필름(1)은, 양팔보 굽힘 모드에서, 주파수 1Hz, 승온 속도 0.5℃/분의 조건에서 동적 점탄성을 측정했을 때의 23℃에 있어서의 굴곡 탄성률(G')이, 10MPa 이상 135MPa 이하의 범위이다. 상기의 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머를 포함하는 수지로 구성되는 기재 필름(1)의 23℃에 있어서의 굴곡 탄성률(G')이 상기의 범위 내이면, 기재 필름(1)의 고융점화와 적절한 유연성의 부여를 동시에 만족시킬 수 있으므로, 기재 필름(1)을 다이싱 테이프에 적용하는 경우, 다이싱 시의 실밥 형상의 절삭 부스러기 발생의 억제 및 반도체칩의 픽업성 향상의 양립을 도모할 수 있다. 양 특성의 가일층의 향상의 관점에서, 상기 기재 필름(1)의 23℃에 있어서의 굴곡 탄성률(G')은, 17MPa 이상 115MPa 이하의 범위인 것이 바람직하다.

상기 기재 필름(1)의 굴곡 탄성률(G')의 구체적인 측정 방법은 하기와 같다.

(1) 측정 기기

주식회사히타치하이테크사이언스사제의 동적 점탄성 측정 장치 "DMA6100"(제품명)

(2) 측정 샘플

· 샘플 제작 방법 : 제막된 기재 필름(1)의 원반(原反)으로부터 하기 샘플 사이즈의 시료를 복수매 잘라내고, 이들을 포개어, 열 프레스기를 이용하여 총두께가 1.5㎜가 되도록 가압 밀착시킨 적층체

· 샘플 사이즈 : 10㎜(폭)×50㎜(길이)×1.5㎜(두께)

여기서, 미리 준비하는 복수매의 기재 필름(1)의 시료는, 각각, 상기 샘플 사이즈에 있어서의 10㎜의 폭 방향이 기재 필름(1)의 제막 시에 있어서의 MD 방향(흐름 방향), 상기 샘플 사이즈에 있어서의 50㎜의 길이 방향이 기재 필름(1)의 제막 시에 있어서의 TD 방향(MD 방향에 대하여 수직한 방향)에 합치하도록, 기재 필름(1)을 다이싱 테이프(10)의 원반으로 가공했을 때의 폭 방향 중앙부에 상당하는 위치로부터 잘라내어진 것이다.

(3) 측정 조건

· 측정 모드 : 양팔보 굽힘

· 측정 주파수 : 1Hz

· 측정 온도 범위 : -40∼40℃

· 승온 속도 : 0.5℃/분

· 측정 분위기 가스 : 질소

상기 측정 방법에 의해 얻어진 동적 점탄성 스펙트럼에 있어서의 23℃의 저장 탄성률의 값을 그 기재 필름(1)의 굴곡 탄성률(G')로 했다. 상기 기재 필름(1)의 23℃에 있어서의 굴곡 탄성률(G')이 10MPa 미만인 경우, 기재 필름(1)이나 당해 기재 필름을 이용한 다이싱 테이프(10) 자체의 반송성이나 취급성이 나빠질 우려가 있다. 또한, 당해 기재 필름(1)을 이용한 다이싱 테이프(10)에 의해 반도체 장치를 제조할 때에, 반도체칩의 픽업 공정에 있어서, 다이싱 테이프(10)의 기재 필름(1)의 제 2 면측으로부터 밀어올림 핀에 의해 밀어올려진 반도체칩의 굽힘의 움직임에 지나치게 추종하여, 반도체칩의 사방 단부에 점착제층(2)으로부터의 박리의 계기를 부여하기 어려워져, 오히려 픽업성이 나빠질 우려가 있다. 한편, 상기 기재 필름(1)의 23℃에 있어서의 굴곡 탄성률(G')이 135MPa를 넘는 경우, 당해 기재 필름(1)을 이용한 다이싱 테이프(10)에 의해 반도체 장치를 제조할 때에, 반도체칩의 픽업 공정에 있어서, 다이싱 테이프(10)를 밀어올림 핀에 의해 밀어올려도 다이싱 테이프(10)의 만곡이 작아, 반도체칩의 사방 단부의 점착제층(2)으로부터의 박리가 조장되기 어렵기 때문에, 밀어올림 높이를 더 크게 할 필요가 생기고, 그 결과 반도체칩이 깨질 리스크가 높아질 우려가 있다.

<기재 필름의 두께>

본 실시형태의 기재 필름(1)의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 다이싱 테이프에 적용되는 경우는, 70㎛ 이상 155㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 80㎛ 이상 100㎛ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 또한, 기재 필름(1)이 적층 구성인 경우, 당해 두께는, 각 층의 두께를 합계한 총두께를 의미한다. 상기 기재 필름(1)의 두께가 70㎛ 미만인 경우, 당해 기재 필름(1)을 이용한 다이싱 테이프(10)에 의해 반도체 장치를 제조할 때에, 다이싱 시에 다이싱 블레이드에 의해 일부 칼집이 내어진 기재 필름(1)이, 그 후의 익스팬드 공정에 있어서 파단할 우려가 있다. 한편, 상기 기재 필름(1)의 두께가 155㎛를 넘는 경우는, 기재 필름(1)을 이용하여 다이싱 테이프(10)를 제작하여 권취했을 때에 권심부(卷芯部)에 품질 불량으로 연결되는 단차 자국이 발생할 우려나, 점착제층(2)의 경화에 필요한 자외선(UV) 등의 활성 에너지선의 투과성이 나빠질 우려가 있다. 또한, 기재 필름(1)의 제막 시의 잔류 응력의 개방에 의한 휨이 커질 우려가 있다.

본 실시형태의 기재 필름(1)을 상이한 수지의 복수층으로 구성되는 적층체로 하여, 후술하는 다이싱 테이프(10)의 기재 필름으로서 적용하는 경우, 기재 필름(1)에 있어서 점착제층(2)과 접하는 제 1 면을 가지는 층의 두께는, 다이싱 블레이드에 의해 기재 필름(1)이 잘려지는 깊이보다 두껍게 하고, 추가로 당해 층에 포함되는 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머의 소프트 세그먼트 (B)의 함유량을 다른 층에 포함되는 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머의 소프트 세그먼트 (B)의 함유량보다 작게 해 두는 것이 바람직하다. 이에 의해, 당해 기재 필름(1)을 다이싱 테이프(10)의 기재 필름으로서 적용한 경우, 기재 필름(1)에 있어서 점착제층(2)과 접하는 제 1 면을 가지는 층을 구성하는 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머를 포함하는 수지의 결정 융점을 보다 높게 유지할 수 있으므로, 기재 필름(1)의 다이싱 시의 실밥 형상의 절삭 부스러기의 발생을 안정적으로 억제할 수 있다.

<기재 필름의 결정 융점>

본 실시형태의 기재 필름(1)의 결정 융점은, 기재 필름(1)이 동일 수지만으로 구성되는 경우는, 당해 수지의 결정 융점을 의미한다. 또한, 기재 필름(1)이 상이한 수지의 복수층으로 구성되는 적층체의 경우는, 점착제층에 접하는 제 1 면을 가지는 층을 구성하는 수지의 결정 융점을 의미한다. 상세하게는, 상기 적층체의 기재 필름(1)을 후술하는 다이싱 테이프(10)의 기재 필름에 적용할 때에, 기재 필름(1)에 있어서 점착제층(2)과 접하는 제 1 면을 가지는 층, 즉 다이싱 블레이드에 의해 칼집이 나는 층을 구성하는 수지의 결정 융점을 의미한다. 상기 기재 필름(1)의 결정 융점은, 160℃ 이상 200℃ 이하가 바람직하고, 170℃ 이상 195℃ 이하가 보다 바람직하다. 기재 필름(1)의 결정 융점이 160℃ 미만이면, 반도체 웨이퍼를 다이서에 의해 풀 커트 다이싱했을 때에, 기재 필름(1)의 실밥 형상의 절삭 부스러기가 발생하기 쉬워지고, 기재 필름(1)의 결정 융점이 200℃를 넘으면, 기재 필름(1)의 굴곡 탄성률(G')이 커지는 경향이 되기 때문에, 픽업 공정에 있어서, 다이싱 테이프(10)를 밀어올림 핀에 의해 밀어올렸을 때에, 다이싱 테이프(10)의 만곡성이 저하하여, 반도체칩의 픽업 공정에 있어서, 밀어올림 높이를 크게 할 필요가 생기고, 그 결과 반도체칩이 깨지기 쉬워진다.

기재 필름(1)을 상이한 수지의 복수층으로 구성되는 적층체로 하여, 후술하는 다이싱 테이프(10)의 기재 필름으로서 적용하는 경우, 기재 필름(1)에 있어서 점착제층(2)과 접하는 제 1 면을 가지는 층을 구성하는 수지의 결정 융점을 다른 층을 구성하는 수지의 결정 융점보다 높게 해 두는 것이 바람직하다. 이에 의해, 상기 기재 필름(1)을 후술하는 다이싱 테이프(10)의 기재 필름으로서 적용한 경우, 기재 필름(1)의 다이싱 시의 실밥 형상의 절삭 부스러기의 발생을 안정적으로 억제할 수 있다.

수지의 결정 융점은, 예를 들면, 주식회사리가쿠사제의 시차열 주사 열량계 "DSC-8321"(제품명)을 사용하여 측정할 수 있다. 구체적으로는, 먼저, 수지 시료 10㎎을 알루미늄제의 팬에 충전하고, 질소 분위기 하, 10℃/분의 승온 속도로 290℃까지 승온하여, 동온도에서 3분간 보지한 후, 알루미늄팬을 액체 질소 중에 넣어 급랭한다. 급랭한 알루미늄팬을 재차, 상기 시차열 주사 열량계 "DSC-8321"에 세팅하고, 10℃/분의 승온 속도로 승온했을 때에 출현하는 흡열 피크의 피크 온도를 당해 수지의 결정 융점으로 한다.

<기재 필름의 신장률>

본 실시형태의 기재 필름(1)은, JIS Z 0237(2009)에서 규정되는 방법에 기초하여 측정되는 MD 방향 및 TD 방향에 있어서의 신장률이 모두 300% 이상 700% 이하의 범위인 것이 바람직하다. 여기서, 신장률 100%란, 원래의 길이의 2배의 길이까지 신장한 것을 의미한다. 또한, MD 방향이란, 상술한 바와 같이, 기재 필름(1)의 제막 시에 있어서의 흐름 방향을 말하고, TD 방향이란, MD 방향에 대하여 수직한 방향을 말한다. 상기 기재 필름(1)의 신장률이 300% 미만인 경우, 기재 필름(1)이 딱딱해지는 경향이 되기 때문에, 다이싱 테이프로서의 익스팬드성이나 반도체칩의 픽업성이 떨어질 우려가 있다. 한편, 상기 기재 필름(1)의 신장률이 700%를 넘는 경우는, 기재 필름(1)의 신장·점도가 커지기 때문에, 다이싱 시에 실밥 형상의 절삭 부스러기가 발생하기 쉬워질 우려가 있다.

<기재 필름의 자외선 투과율>

본 실시형태의 기재 필름(1)은, 점착제층(2)으로서 후술하는 활성 에너지선 경화성의 점착제 조성물을 적용하는 경우, 활성 에너지선이 투과할 필요가 있다. 이 경우, 구체적으로는, 예를 들면, 활성 에너지선으로서 자외선(UV)을 이용한 경우, 기재 필름(1)의 분광 광도계로 측정한 자외선의 평행 광선 투과율은, 파장 365㎚에 있어서 1% 이상인 것이 바람직하고, 5% 이상이 보다 바람직하다. 상기 기재 필름(1)의 자외선의 평행 광선 투과율이 1% 미만인 경우, 다이싱 테이프(10)의 기재 필름(1)측으로부터 자외선을 조사해도, 활성 에너지선 경화성의 점착제 조성물을 포함하는 점착제층(2)에 자외선이 충분히 도달하지 않기 때문에, 점착제층(2)이 충분히 경화·수축하지 않아, 피착체에 대한 점착력이 충분히 저하하지 않을 우려가 있다. 그 결과, 점착제층(2)으로부터 반도체칩 또는 접착제층을 가지는 반도체칩을 박리하는 공정(픽업 공정)에 있어서, 반도체칩 또는 접착제층을 가지는 반도체칩의 픽업 불량이 발생할 우려가 있다. 기재 필름(1)의 자외선의 평행 광선 투과율이 1% 이상인 경우, 활성 에너지선 경화성의 점착제 조성물을 포함하는 점착제층(2)은 충분히 경화·수축할 수 있으므로, 피착체에 대한 점착력을 충분히 저하시킬 수 있다. 그 결과, 반도체칩 또는 접착제층을 가지는 반도체칩의 픽업성이 양호한 것이 된다.

<기재 필름의 제막 방법>

본 실시형태의 기재 필름(1)의 제막 방법으로서는, 캐스트법, T다이법, 인플레이션법, 캘린더법 등의 종래의 제조 방법을 들 수 있다. 그 중에서도, 기재 필름(1)의 제막 시에 전단 응력이 걸리지 않기 때문에 폴리머 분자의 배향이 일어나지 않아, 기재 필름(1)의 익스팬드 시에 분단되지 않고 균일하게 연신 가능한 점에서, 캐스트법으로 제막하는 것이 바람직하다.

구체적으로는, 예를 들면, 기재 필름(1)의 재료가 되는 수지의 펠릿을 필요에 따라 건조한 후, T다이 등의 압출기에 의해 190∼300℃의 온도에서 압출된 용융 수지를, 협지(狹持) 가압 또는 편면 터치 방식으로, 단일 또는 복수의 30∼70℃의 온도의 캐스팅 드럼에서 냉각하여, 실질적으로 연신하지 않고 제막하여 무연신의 필름이 제조된다. 캐스팅 시에는, 정전 밀착법, 에어나이프법 또는 흡인 챔버법 등을 사용하는 것에 의해, 두께 불균일이 적은 기재 필름(1)을 얻을 수 있다.

또한, 기재 필름(1)을 적층 구성으로 하는 경우, 그 기재 필름(1)의 제막 방법으로서는, 예를 들면 공압출법, 드라이 라미네이트법 등의 관용의 필름 적층법을 이용할 수 있다.

또한, 기재 필름(1)의 제막 시의 권취 안정화나 제막 후의 블로킹의 방지를 목적으로 하여, 점착제층(2)을 마련하는 측(제 1 면)과 반대면측의 표면(제 2 면)을 엠보스 가공하여 권취하는 방법이나 기재 필름(1)을 공정 이형지에 적층하여 권취하는 방법도 이용할 수 있다. 공정 이형지로서는, 통상 O-PET라고 불리는 연신 폴리에스테르 시트, 및 통상 OPP라고 불리는 연신 폴리프로필렌 시트, 종이로 이루어지는 공정 이형지, 또는 종이 상에 올레핀계 수지나 실리콘계 수지가 도공(塗工)된 공정 이형지 등을 적합하게 사용할 수 있다. 공정 이형지는, 기재 필름(1)을 다이싱 테이프(10)의 형태로 한 후에, 다이싱 테이프(10)를, 예를 들면, 다이싱 공정에 제공할 때에 박리하면 된다.

≪다이싱 테이프≫

본 발명의 다이싱 테이프(10)는, 상술한 기재 필름(1)의 제 1 면의 위에 반도체 웨이퍼(30)를 보지(가고정)하기 위한 점착제층(2)을 구비하고 있다. 또한, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 표면에는, 이형성을 가지는 기재 시트(박리 라이너)를 구비하고 있어도 된다. 상기 점착제층(2)을 형성하는 점착제에는, 다이싱 테이프(10)의 점착제로서 종래 공지의 점착제를 사용할 수 있다. 이와 같은 점착제로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 아크릴계, 실리콘계, 폴리에스테르계, 폴리아세트산 비닐계, 폴리우레탄계, 고무계 등의 각종 점착제 조성물이 이용된다. 이들 중에서도, 범용성, 실용성의 관점에서, 아크릴계 점착제 조성물을 적합하게 이용할 수 있다.

<점착제층>

본 실시형태의 점착제층(2)에 적용하는 아크릴계 점착제 조성물로서는, 공지 내지 관례의 활성 에너지선 비경화성 아크릴계 점착제 조성물 및 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물의 어느 것이나 사용할 수 있다. 여기서, 「활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물」이란, 자외선, 가시광선, 적외선, 전자선, β선, γ선 등의 활성 에너지선을 조사하는 것에 의해, 가교·경화되어, 점착력이 저하하는 점착제 조성물, 즉 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 아크릴계 점착제 조성물을 의미한다. 또한, 「활성 에너지선 비경화성 아크릴계 점착제 조성물」이란, 활성 에너지선을 조사해도, 점착력이 저하하지 않는 점착제 조성물, 즉 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖지 않는 아크릴계 점착제 조성물을 의미한다. 반도체칩의 픽업 공정에 있어서, 반도체칩을 파손하지 않고 용이하게 픽업할 수 있다는 픽업 성공률 향상(픽업성 향상)의 관점에서는, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물을 이용하는 것이 바람직하다.

(활성 에너지선 비경화성 아크릴계 점착제 조성물)

활성 에너지선 비경화성 아크릴계 점착제 조성물로서는, 전형적으로는, 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머 및 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함하여 이루어지는, 소위 일반적인 아크릴계 점착제 조성물을 들 수 있지만, 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 여기서 말하는 관능기란, 열반응성 관능기를 말한다. 이러한 관능기의 예는, 히드록실기, 카르복실기 및 아미노기 등의 활성 수소기, 및 글리시딜기 등의 활성 수소기와 열반응하는 관능기이다. 활성 수소기란, 탄소 이외의 질소, 산소 또는 유황 등의 원소와 그것에 직접 결합한 수소를 가지는 관능기를 말한다.

[관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머]

상기 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머의 주골격은, (메타)아크릴산 알킬에스테르 단량체와 활성 수소기 함유 단량체, 및 또는 글리시딜기 함유 단량체를 포함하는 공중합체로 구성된다. (메타)아크릴산 알킬에스테르 단량체로서는, 탄소수 6∼18의 헥실(메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 이소노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 이소데실(메타)아크릴레이트, 운데실(메타)아크릴레이트, 도데실(메타)아크릴레이트, 트리데실(메타)아크릴레이트, 테트라데실(메타)아크릴레이트, 펜타데실(메타)아크릴레이트, 헥사데실(메타)아크릴레이트, 헵타데실(메타)아크릴레이트, 옥타데실(메타)아크릴레이트, 또는 탄소수 5 이하의 단량체인, 펜틸(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 메틸(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한, 활성 수소기 함유 단량체로서는, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 6-히드록시헥실(메타)아크릴레이트 등의 수산기 함유 단량체, (메타)아크릴산, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이소크로톤산 등의 카르복실기 함유 단량체, 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물기 함유 단량체, (메타)아크릴아미드, N,N-디메틸(메타)아크릴아미드, N-부틸(메타)아크릴아미드, N-메틸올(메타)아크릴아미드, N-메틸올프로판(메타)아크릴아미드, N-메톡시메틸(메타)아크릴아미드, N-부톡시메틸(메타)아크릴아미드 등의 아미드계 모노머; (메타)아크릴산 아미노에틸, (메타)아크릴산 N,N-디메틸아미노에틸, (메타)아크릴산 t-부틸아미노에틸 등의 아미노기 함유 단량체 등을 들 수 있다. 이들 활성 수소기 함유 단량체 성분은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 또한, 글리시딜기 함유 단량체로서는, (메타)아크릴산 글리시딜 등을 들 수 있다. 상기 열반응성 관능기의 함유량은, 특별히 한정은 되지 않지만, 공중합 단량체 성분 전량에 대하여 0.5질량% 이상 50질량% 이하의 범위인 것이 바람직하다.

상기의 단량체를 공중합한 적합한 공중합체로서는, 구체적으로는, 아크릴산 2-에틸헥실과 아크릴산과의 공중합체, 아크릴산 2-에틸헥실과 아크릴산 2-히드록시에틸과의 공중합체, 아크릴산 2-에틸헥실과 메타크릴산과 아크릴산 2-히드록시에틸과의 3원 공중합체, 아크릴산 n-부틸과 아크릴산과의 공중합체, 아크릴산 n-부틸과 아크릴산 2-히드록시에틸과의 공중합체, 아크릴산 n-부틸과 메타크릴산과 아크릴산 2-히드록시에틸과의 3원 공중합체 등을 들 수 있지만, 특히 이들에 한정되는 것은 아니다.

상기 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 응집력 및 내열성 등을 목적으로 하여, 필요에 따라 다른 공중합 단량체 성분을 함유해도 된다. 이와 같은 다른 공중합 단량체 성분으로서는, 구체적으로는, 예를 들면, (메타)아크릴로니트릴 등의 시아노기 함유 단량체, 에틸렌, 프로필렌, 이소프렌, 부타디엔, 이소부틸렌 등의 올레핀계 단량체, 스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔 등의 스티렌계 단량체, 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐 등의 비닐에스테르계 단량체, 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르 등의 비닐에테르계 단량체, 염화비닐, 염화비닐리덴 등의 할로겐 원자 함유 단량체, (메타)아크릴산 메톡시에틸, (메타)아크릴산 에톡시에틸 등의 알콕시기 함유 단량체, N-비닐-2-피롤리돈, N-메틸비닐피롤리돈, N-비닐피리딘, N-비닐피페리돈, N-비닐피리미딘, N-비닐피페라진, N-비닐피라진, N-비닐피롤, N-비닐이미다졸, N-비닐옥사졸, N-비닐모르폴린, N-비닐카프로락탐, N-(메타)아크릴로일모르폴린 등의 질소 원자 함유환을 가지는 단량체를 들 수 있다. 이들의 다른 공중합 단량체 성분은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 상기 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 유리 전이 온도(Tg)가 -70℃ 이상 15℃ 이하의 범위인 것이 바람직하고, -60℃ 이상 -10℃ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.

[가교제]

본 실시형태의 활성 에너지선 비경화성 아크릴계 점착제 조성물은, 상술한 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머의 고분자량화를 위해 추가로 가교제를 함유한다. 이와 같은 가교제로서는, 특별히 제한되지 않고, 상기 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 관능기인 히드록실기, 카르복실기 및 글리시딜기 등과 반응 가능한 관능기를 가지는 공지의 가교제를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 폴리이소시아네이트계 가교제, 에폭시계 가교제, 아지리딘계 가교제, 멜라민 수지계 가교제, 요소 수지계 가교제, 산 무수 화합물계 가교제, 폴리아민계 가교제, 카르복실기 함유 폴리머계 가교제 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 반응성, 범용성의 관점에서 폴리이소시아네이트계 가교제 또는 에폭시계 가교제를 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 가교제는, 단독으로 또는 2종 이상 병용해도 된다. 가교제의 배합량은, 아크릴계 점착성 폴리머의 고형분 100질량부에 대하여, 0.01질량부 이상 15질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.

상기 폴리이소시아네이트계 가교제로서는, 예를 들면, 이소시아누레이트환을 가지는 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 헥사메틸렌디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 톨릴렌디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 크실릴렌디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물, 트리메틸올프로판과 이소포론디이소시아네이트를 반응시킨 어덕트 폴리이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.

상기 에폭시계 가교제로서는, 예를 들면, 비스페놀 A·에피클로르히드린형의 에폭시 수지, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 글리세린디글리시딜에테르, 글리세린트리글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판트리글리시딜에테르, 소르비톨폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤폴리글리시딜에테르, 펜타에리스리톨폴리글리시딜에리스리톨, 디글리세롤폴리글리시딜에테르, 1,3'-비스(N,N-디글리시딜아미노메틸)시클로헥산, N,N,N',N'-테트라글리시딜-m-크실렌디아민 등을 들 수 있다. 이들은 1종 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.

상기 활성 에너지선 비경화성 수지 조성물에 의해 점착제층(2)을 형성한 후에, 상기 가교제와 상기 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머를 반응시키기 위한 에이징의 조건으로서는, 특별히 한정은 되지 않지만, 예를 들면, 온도는 23℃ 이상 80℃ 이하의 범위, 시간은 24시간 이상 168시간 이하의 범위에서 적절히 설정하면 된다.

[기타]

본 실시형태의 활성 에너지선 비경화성 아크릴계 점착제 조성물은, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에 있어서, 필요에 따라, 그 밖에, 점착 부여제, 충전제, 노화 방지제, 착색제, 난연제, 대전 방지제, 계면 활성제, 실란 커플링제, 레벨링제 등의 첨가제를 첨가해도 된다.

(활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물)

활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물로서는, 전형적으로는, 광감응성의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 광중합 개시제, 및, 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물 (A), 또는, 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머, 활성 에너지선 경화성 화합물, 광중합 개시제, 및, 당해 관능기와 반응하는 가교제를 포함하여 이루어지는 점착제 조성물 (B) 등을 들 수 있지만, 특별히 이들에 한정되는 것은 아니다. 그 중에서도, 반도체 웨이퍼에의 점착제 잔류 억제의 관점에서는, 전자의 양태의 점착제 조성물 (A)가 바람직하다.

(점착제 조성물 (A))

[탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머]

상기 점착제 조성물 (A)의 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 분자 측쇄에 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 것을 사용한다. 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 아크릴계 점착성 폴리머를 제조하는 방법으로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 통상, (메타)아크릴산 에스테르와 관능기 함유 불포화 화합물을 공중합하여 공중합체를 얻고, 그 공중합체가 가지는 관능기에 대하여 부가 반응하는 것이 가능한 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물을 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다. 여기서, 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 화합물을 부가 반응시키기 전의 상기 공중합체로서는, 상술의 활성 에너지선 비경화성 아크릴계 점착제 조성물의 설명에 있어서 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머로서 예시한 것과 동일한 것을 이용할 수 있다.

여기서 말하는 관능기란, 탄소-탄소 이중 결합과 공존 가능한 열반응성 관능기를 말한다. 이러한 관능기의 예는, 히드록실기, 카르복실기 및 아미노기 등의 활성 수소기, 및 글리시딜기 등의 활성 수소기와 열반응하는 관능기이다. 활성 수소기란, 탄소 이외의 질소, 산소 또는 유황 등의 원소와 그것에 직접 결합한 수소를 가지는 관능기를 말한다.

상기 부가 반응으로서는, 예를 들면, 상기 공중합체(아크릴계 점착성 폴리머)의 측쇄에 있는 히드록실기를 (메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물(예를 들면, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 4-메타크릴로일옥시-n-부틸이소시아네이트 등)과 반응시키는 방법, 상기 공중합체의 측쇄에 있는 카르복실기를 (메타)아크릴산 글리시딜과 반응시키는 방법이나, 상기 공중합체의 측쇄에 있는 글리시딜기를 (메타)아크릴산과 반응시키는 방법 등이 있다. 또한, 이러한 반응을 행할 때에는, 폴리이소시아네이트계 가교제나 에폭시계 가교제 등의 가교제에 의해 상기 아크릴계 점착성 폴리머를 가교시켜, 추가로 고분자량화하기 위해, 히드록실기, 카르복실기나 글리시딜기 등의 관능기가 잔존하도록 해 두는 것이 바람직하다. 예를 들면, 히드록실기를 측쇄에 가지는 공중합체에 대하여, (메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물을 반응시키는 경우, 상기 공중합체의 측쇄에 있는 히드록실기(-OH)에 대한 (메타)아크릴로일옥시기를 가지는 이소시아네이트 화합물의 이소시아네이트기(-NCO)의 당량비[(NCO)/(OH)]가 1.0 미만이 되도록 양자의 배합비를 조정하면 된다. 이와 같이 하여, (메타)아크릴로일옥시기 등의 활성 에너지선 반응성기(탄소-탄소 이중 결합) 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머를 얻을 수 있다.

상기 부가 반응에 있어서는, 탄소-탄소 이중 결합의 활성 에너지선 반응성이 유지되도록, 중합 금지제를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 중합 금지제로서는, 히드로퀴논·모노메틸에테르 등의 퀴논계의 중합 금지제가 바람직하다. 중합 금지제의 양은, 특별히 제한되지 않지만, 베이스 폴리머와 방사선 반응성 화합물의 합계량에 대하여, 통상, 0.01질량부 이상 0.1질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다.

상기 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머(활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머라고 하는 경우도 있음)는, 바람직하게는 10만 이상 200만 이하의 범위의 중량 평균 분자량(Mw)을 가진다. 아크릴계 점착성 폴리머의 중량 평균 분자량(Mw)이 10만 미만인 경우에는, 도공성 등을 고려하여, 수천 cP 이상 수만 cP 이하의 고점도의 활성 에너지선 경화성 수지 조성물의 용액을 얻는 것이 어려워 바람직하지 않다. 또한, 활성 에너지선 조사 전의 점착제층(2)의 응집력이 작아져, 반도체 웨이퍼를 다이싱할 때에, 반도체칩의 어긋남이 생기기 쉬워져, 화상 인식이 곤란해지는 경우가 있다. 한편, 중량 평균 분자량(Mw)이 200만을 넘는 경우에는, 점착제로서의 특성상, 특별히 문제는 없지만, 아크릴계 점착성 폴리머를 양산적으로 제조하는 것이 어렵고, 예를 들면, 합성 시에 아크릴계 점착성 폴리머가 겔화하는 경우가 있어, 바람직하지 않다. 아크릴계 점착성 폴리머의 중량 평균 분자량(Mw)은, 보다 바람직하게는 30만 이상 150만 이하이다. 여기서, 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔 침투 크로마토그래피에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값을 의미한다.

상기 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머의 탄소-탄소 이중 결합 함유량은, 활성 에너지선 조사 후에 점착제층(2)에 있어서 충분한 점착력의 저감 효과가 얻어지는 양이면 되고, 활성 에너지선의 조사량 등의 사용 조건 등에 따라 상이하여 일의적이지 않지만, 당해 탄소-탄소 이중 결합 함유량으로서는, 0.10meq/g 이상 2.00meq/g 이하의 범위인 것이 바람직하며, 0.50meq/g 이상 1.50meq/g 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 탄소-탄소 이중 결합 함유량이 0.10meq/g 미만인 경우는 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)에 있어서의 점착력 저감 효과가 작아져, 반도체칩의 픽업 불량이 증대할 우려가 있다. 한편, 탄소-탄소 이중 결합 함유량이 2.00meq/g을 넘는 경우는, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)에 있어서 점착제의 유동성이 불충분해져, 다이싱 테이프(10), 또는 다이싱 다이본드 필름(20)의 익스팬드 후의 반도체칩 간극이 충분히 넓어지지 않아, 픽업 시에 각 반도체칩의 화상 인식이 곤란해진다는 문제가 발생할 우려가 있다. 또한, 아크릴계 점착성 폴리머의 공중합 조성에 따라서는 합성할 때의 중합 또는 반응 시에 겔화하기 쉬워져, 합성이 곤란해지는 경우가 있다. 또한, 아크릴계 점착성 폴리머의 탄소-탄소 이중 결합 함유량을 확인하는 경우, 아크릴계 점착성 폴리머의 요오드가를 측정함으로써, 탄소-탄소 이중 결합 함유량을 산출할 수 있다.

또한, 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머는, 상술한 바와 같이 폴리이소시아네이트계 가교제나 에폭시계 가교제 등의 가교제에 의해 상기 아크릴계 점착성 폴리머를 가교시켜, 추가로 고분자량화하기 위해, 히드록실기, 카르복실기나 글리시딜기 등의 관능기가 잔존하도록 해 두는 것이 바람직하다. 그 중에서도, 히드록실기나 카르복실기가 보다 바람직하다. 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머의 수산기가로서는, 특별히 한정되지 않지만, 5㎎KOH/g 이상 100㎎KOH/g 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머의 산가로서는, 특별히 한정되지 않지만, 0.5㎎KOH/g 이상 30㎎KOH/g 이하의 범위인 것이 바람직하다. 탄소-탄소 이중 결합 및 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머의 수산기가 및 산가가 각각 상기 범위 내이면, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)의 점착력이 안정적으로 저감하므로, 그 결과, 반도체칩의 픽업 불량을 보다 저감할 수 있으므로 바람직하다.

[광중합 개시제]

본 실시형태의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (A))은, 활성 에너지선의 조사에 의해 라디칼을 발생하는 광중합 개시제를 포함한다. 광중합 개시제는, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물에 대한 활성 에너지선의 조사를 감수(感受)하여, 라디칼을 발생시키고, 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머가 가지는 탄소-탄소 이중 결합의 가교 반응을 개시시킨다.

상기 광중합 개시제로서는, 특별히 한정되지 않고, 종래 공지의 것을 사용할 수 있다. 예를 들면, 알킬페논계 라디칼 중합 개시제, 아실포스핀옥사이드계 라디칼 중합 개시제, 옥심에스테르계 라디칼 중합 개시제 등을 들 수 있다. 알킬페논계 라디칼 중합 개시제로서는, 벤질메틸케탈계 라디칼 중합 개시제, α-히드록시알킬페논계 라디칼 중합 개시제, 아미노알킬페논계 라디칼 중합 개시제 등을 들 수 있다. 벤질메틸케탈계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2,2'-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온(예를 들면, 상품명 Omnirad651, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다. α-히드록시알킬페논계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온(상품명 Omnirad1173, IGM Resins B.V.사제), 1-히드록시시클로헥실페닐케톤(상품명 Omnirad184, IGM Resins B.V.사제), 1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온(상품명 Omnirad2959, IGM Resins B.V.사제), 2-히드록시-1-{4-[4-(2-히드록시-2-메틸프로피오닐)벤질]페닐}-2-메틸프로판-1-온(상품명 Omnirad127, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다. 아미노알킬페논계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2-메틸-1-(4-메틸티오페닐)-2-모르폴리노프로판-1-온(상품명 Omnirad907, IGM Resins B.V.사제) 또는 2-벤질메틸 2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-1-부탄온(상품명 Omnirad369, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다. 아실포스핀옥사이드계 라디칼 중합 개시제로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀옥사이드(상품명 OmniradTPO, IGM Resins B.V.사제), 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드(상품명 Omnirad819, IGM Resins B.V.사제), 옥심에스테르계 라디칼 중합 개시제로서는, (2E)-2-(벤조일옥시이미노)-1-[4-(페닐티오)페닐]옥탄-1-온(상품명 OmniradOXE-01, IGM Resins B.V.사제) 등을 들 수 있다. 이들 광중합 개시제는, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.

상기 광중합 개시제의 첨가량으로서는, 상기 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 고형분 100질량부에 대하여, 0.1질량부 이상 10.0질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다. 광중합 개시제의 첨가량이 0.1질량부 미만인 경우에는, 활성 에너지선에 대한 광반응성이 충분하지 않기 때문에 활성 에너지선을 조사해도 아크릴계 점착성 폴리머의 광 라디칼 가교 반응이 충분히 일어나지 않고, 그 결과, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)에 있어서의 점착력 저감 효과가 작아져, 반도체칩의 픽업 불량이 증대할 우려가 있다. 한편, 광중합 개시제의 첨가량이 10.0질량부를 넘는 경우에는, 그 효과는 포화되어, 경제성의 관점에서도 바람직하지 않다. 또한, 광중합 개시제의 종류에 따라서는, 점착제층(2)이 황변하여 외관 불량이 되는 경우가 있다.

또한, 이와 같은 광중합 개시제의 증감제로서, 디메틸아미노에틸메타크릴레이트, 4-디메틸아미노벤조산 이소아밀 등의 화합물을 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물에 첨가해도 된다.

[가교제]

본 실시형태의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (A))은, 상술한 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 고분자량화를 위해 추가로 가교제를 함유한다. 상기 가교제로서는, 상술의 활성 에너지선 비경화성 아크릴계 점착제 조성물의 설명에 있어서 가교제로서 예시한 것과 동일한 것을 이용할 수 있다. 또한, 가교제의 배합량 및 가교제와 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머를 반응시키기 위한 에이징의 조건에 관해서도 마찬가지로 하면 된다.

[기타]

본 실시형태의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (A))은, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에 있어서, 필요에 따라, 그 밖에, 다관능 아크릴 모노머, 다관능 아크릴 올리고머, 점착 부여제, 충전제, 노화 방지제, 착색제, 난연제, 대전 방지제, 계면 활성제, 실란 커플링제, 레벨링제 등의 첨가제를 첨가해도 된다.

(점착제 조성물 (B))

[관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머]

상기 점착제 조성물 (B)의 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머로서는, 상술의 활성 에너지선 비경화성 아크릴계 점착제 조성물의 설명에 있어서 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머로서 예시한 것과 동일한 것을 이용할 수 있다.

[활성 에너지선 경화성 화합물]

상기 점착제 조성물 (B)의 활성 에너지선 경화성 화합물로서는, 예를 들면, 활성 에너지선의 조사에 의해 3차원 그물 형상화할 수 있는, 분자 내에 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 가지는 저분자량 화합물이 널리 이용된다. 활성 에너지선 경화성 화합물로서는, 구체적으로는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨트리(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산과 다가 알코올과의 에스테르 화물; 2-프로페닐-디-3-부테닐시아누레이트, 2-히드록시에틸비스(2-아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, 트리스(2-메타크릴옥시에틸)이소시아누레이트 등의 이소시아누레이트 또는 이소시아누레이트 화합물 등을 들 수 있다. 이들 활성 에너지선 경화성의 화합물은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.

또한, 활성 에너지선 경화성 화합물로서, 상기와 같은 화합물 외에, 에폭시아크릴레이트계 올리고머, 우레탄아크릴레이트계 올리고머, 폴리에스테르아크릴레이트계 올리고머 등의 활성 에너지선 경화성 올리고머를 이용할 수도 있다. 에폭시아크릴레이트는, 에폭시 화합물과 (메타)아크릴산과의 부가 반응에 의해 합성된다. 우레탄아크릴레이트는, 예를 들면, 폴리올과 폴리이소시아네이트와의 부가 반응물에, 말단에 남는 이소시아네이트기를 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트와 반응시켜 (메타)아크릴기를 분자 말단에 도입하여 합성된다. 폴리에스테르아크릴레이트는, 폴리에스테르폴리올과 (메타)아크릴산의 반응에 의해 합성된다. 상기 활성 에너지선 경화성 올리고머는, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)의 점착력의 저감 효과의 관점에서, 분자 중에 탄소-탄소 이중 결합을 3개 이상 가지는 것이 바람직하다. 이러한 활성 에너지선 경화성 올리고머는, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.

상기 활성 에너지선 경화성 올리고머의 중량 평균 분자량(Mw)은, 특별히 한정되지 않지만, 100 이상 30,000 이하의 범위인 것이 바람직하고, 반도체칩의 오염 억제 및 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)의 점착력의 저감 효과의 양 관점에서, 500 이상 6,000 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.

상기 활성 에너지선 경화성 올리고머의 수산기가는, 특별히 한정되지 않지만, 다이싱 테이프(10)를 반도체 웨이퍼의 연삭 직후에 첩부하여 사용하는 경우에 있어서는, 3㎎KOH/g 이하인 것이 바람직하다. 즉, 연삭 직후의 반도체 웨이퍼에의 표면은 극히 활성으로, 당해 활성면의 활성 원자와 결합하는 수산기(활성 에너지선 경화성 올리고머의 수산기)가 점착제층(2) 중에 적으면 적을수록, 활성 에너지선 조사 후의 점착제층(2)의 점착력이 과도하게 커지는 것이 억제되기 때문에, 반도체칩을 점착제층(2)으로부터 떼어내기 쉬워진다. 활성 에너지선 경화성 올리고머의 수산기가로서는, 0㎎KOH/g이 보다 바람직하다.

상기 활성 에너지선 경화성 화합물의 함유량은, 관능기를 가지는 아크릴계 점착성 폴리머 100질량부에 대하여, 5질량부 이상 500질량부 이하, 바람직하게는 50질량부 이상 180질량부 이하의 범위인 것이 바람직하다. 상기 활성 에너지선 경화성 화합물의 함유량이 상기 범위 내인 경우, 활성 에너지선 조사 후에 점착제층(2)의 점착력을 적정하게 저하시켜, 반도체칩을 파손시키지 않고, 픽업을 용이하게 할 수 있다.

[광중합 개시제]

본 실시형태의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (B))은, 활성 에너지선의 조사에 의해 라디칼을 발생하는 광중합 개시제를 포함한다. 상기 광중합 개시제로서는, 상술의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (A))의 설명에 있어서 예시한 것과 동일한 것을 이용할 수 있다. 또한, 광중합 개시제의 첨가량에 관해서도 마찬가지로 하면 된다.

[가교제]

본 실시형태의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (B))은, 상술한 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머의 고분자량화를 위해 추가로 가교제를 함유한다. 상기 가교제로서는, 상술의 활성 에너지선 비경화성 아크릴계 점착제 조성물의 설명에 있어서 가교제로서 예시한 것과 동일한 것을 이용할 수 있다. 또한, 가교제의 배합량 및 가교제와 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착성 폴리머를 반응시키기 위한 에이징의 조건에 관해서도 마찬가지로 하면 된다.

[기타]

본 실시형태의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(점착제 조성물 (B)는, 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위에 있어서, 필요에 따라, 그 밖에, 점착 부여제, 충전제, 노화 방지제, 착색제, 난연제, 대전 방지제, 계면 활성제, 실란 커플링제, 레벨링제 등의 첨가제를 첨가해도 된다.

(점착제층의 두께)

본 실시형태의 점착제층(2)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 3㎛ 이상 50㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 5㎛ 이상 20㎛ 이하의 범위가 보다 바람직하다. 점착제층(2)의 두께가 3㎛ 미만인 경우에는, 다이싱 테이프(10)의 점착력이 과도하게 저하할 우려가 있다. 이 경우, 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 다이싱 시에, 다이싱 테이프(10)가 반도체칩을 충분히 보지할 수 없어, 반도체칩이 비산할 우려가 있다. 또한, 다이싱 다이본드 필름으로서 사용할 때에, 점착제층(2)과 다이본드 필름(3)의 밀착 불량이 생기는 경우가 있다. 한편, 점착제층(2)의 두께가 50㎛를 넘는 경우에는, 다이싱 시의 진동이 점착제층(2)에 전해지기 쉽고, 진동 폭이 커져, 반도체 웨이퍼의 다이싱 중에 이 반도체 웨이퍼가 기준 위치로부터 어긋날 우려가 있다. 이 경우, 반도체칩에 깨짐(칩핑)이 생길 우려나, 개개의 반도체칩마다 크기의 어긋남이 생길 우려가 있다.

<앵커 코트층>

본 실시형태의 다이싱 테이프(10)에서는, 다이싱 테이프(10)의 제조 조건이나 제조 후의 다이싱 테이프(10)의 사용 조건 등에 따라, 기재 필름(1)과 점착제층(2)의 사이에, 기재 필름(1)의 조성에 맞춘 앵커 코트층을 마련해도 된다. 앵커 코트층을 마련하는 것에 의해, 기재 필름(1)과 점착제층(2)의 밀착력이 향상한다.

<박리 라이너>

또한, 점착제층(2)의 기재 필름(1)과는 반대의 표면측(일방의 표면측)에는, 필요에 따라 박리 라이너를 마련해도 된다. 박리 라이너로서 사용할 수 있는 것은, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 합성 수지나, 종이류 등을 들 수 있다. 또한, 박리 라이너의 표면에는, 점착제층(2)의 박리성을 높이기 위해, 실리콘계 박리 처리제, 장쇄(長鎖) 알킬계 박리 처리제, 불소계 박리 처리제 등에 의한 박리 처리를 실시해도 된다. 박리 라이너의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 10㎛ 이상 200㎛ 이하의 범위인 것을 적합하게 사용할 수 있다.

<다이싱 테이프의 제조 방법>

도 4는, 다이싱 테이프(10)의 제조 방법에 관하여 설명한 플로우 차트이다. 먼저, 박리 라이너를 준비한다(단계 S101:박리 라이너 준비 공정). 다음에, 점착제층(2)의 형성 재료인 점착제층(2)용의 도포 용액(점착제층 형성용 도포 용액)을 제작한다(단계 S102:도포 용액 제작 공정). 도포 용액은, 예를 들면, 점착제층(2)의 구성 성분인 아크릴계 점착성 폴리머와 가교제와 희석 용매를 균일하게 혼합 교반하는 것에 의해 제조할 수 있다. 용매로서는, 예를 들면, 톨루엔이나 아세트산 에틸 등의 범용의 유기 용제를 사용할 수 있다.

그리고, 단계 S102에서 제작한 점착제층(2)용의 도포 용액을 이용하여, 박리 라이너의 박리 처리면 상에 당해 도포 용액을 도포하고 건조하여, 소정 두께의 점착제층(2)을 형성한다(단계 S103:점착제층 형성 공정). 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 다이 코터, 콤마 코터(등록상표), 그라비아 코터, 롤 코터, 리버스 코터 등을 이용하여 도포할 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 건조 온도는 80℃ 이상 150℃ 이하의 범위 내, 건조 시간은 0.5분간 이상 5분간 이하의 범위 내에서 행하는 것이 바람직하다. 계속해서, 기재 필름(1)을 준비한다(단계 S104:기재 필름 준비 공정). 그리고, 박리 라이너의 위에 형성된 점착제층(2)의 위에, 기재 필름(1)을 첩합한다(단계 S105:기재 필름 첩합 공정). 여기서, 기재 필름(1)으로서 상이한 수지의 복수층으로 이루어지는 적층체의 기재 필름을 이용하는 경우, 결정 융점이 160℃ 이상 200℃ 이하의 범위인 수지로 구성된 층측의 면(제 1 면)을 점착제층(2)의 위에 첩합한다. 마지막으로, 형성한 점착제층(2)을 예를 들면 40℃의 환경 하에서 72시간 에이징하여 아크릴계 점착성 폴리머와 가교제를 반응시키는 것에 의해 가교·경화시킨다(단계 S106:열경화 공정). 이상의 공정에 의해 기재 필름(1)의 위에 기재 필름측으로부터 순서대로 점착제층(2), 박리 라이너를 구비한 다이싱 테이프(10)를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 점착제층(2)의 위에 박리 라이너를 구비하고 있는 적층체도 다이싱 테이프(10)라고 하는 경우가 있다.

또한, 상기 기재 필름(1) 상에 점착제층(2)을 형성하는 방법으로서, 박리 라이너의 위에 점착제층(2)용의 도포 용액을 도포하여 건조하고, 그 후, 점착제층(2)의 위에 기재 필름(1)을 첩합하는 방법을 예시했지만, 기재 필름(1) 상에 점착제층(2)용의 도포 용액을 직접 도포하여 건조하는 방법을 이용해도 된다. 안정 생산의 관점에서는, 전자의 방법이 적합하게 이용된다.

본 실시형태의 다이싱 테이프(10)는, 롤 형상으로 감긴 형태나, 폭이 넓은 시트가 적층되어 있는 형태여도 된다. 또한, 이러한 형태의 다이싱 테이프(10)를 미리 정해진 크기로 절단하여 형성된 시트 형상 또는 테이프 형상의 형태여도 된다.

≪다이싱 다이본드 필름≫

본 실시형태의 다이싱 테이프(10)는, 반도체 제조 공정에 있어서, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 위에 다이본드 필름(접착제층)(3)이 박리 가능하게 밀착, 적층된 다이싱 다이본드 필름(20)의 형태로서 사용할 수도 있다. 다이본드 필름(접착제층)(3)은, 다이싱 후에 개편화된 반도체칩을 리드 프레임이나 배선 기판에 접착·접속하기 위한 것이다. 또한, 반도체칩을 적층하는 경우는, 반도체칩끼리의 접착제층의 역할도 한다. 이하, 본 실시형태의 다이싱 테이프(10)를 다이싱 다이본드 필름(20)의 형태로서 사용하는 경우의 다이본드 필름(접착제층)(3)에 관하여 일례를 나타내지만, 특별히 이 예에 한정되는 것은 아니다.

<다이본드 필름(접착제층)>

상기 다이본드 필름(접착제층)(3)은, 열에 의해 경화하는 열경화형의 접착제 조성물로 이루어지는 층이다. 상기 접착제 조성물로서는, 특별히 한정되는 것이 아니고, 종래 공지의 재료를 사용할 수 있다. 상기 접착제 조성물의 바람직한 양태의 일례로서는, 예를 들면, 열가소성 수지로서 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 열경화성 수지로서 에폭시 수지, 및 경화제로서 에폭시 수지에 대한 경화제를 포함하는 열경화성 수지 조성물을 들 수 있다. 이와 같은 조성을 가지는 다이본드 필름(접착제층)(3)은, 반도체칩/지지 기판 사이, 반도체칩/반도체칩 사이의 접착성이 우수하고, 또한 전극 매립성 및/또는 와이어 매립성 등도 부여 가능하며, 또한 다이본딩 공정에서는 저온에서 접착할 수 있어, 단시간에 우수한 경화가 얻어지고, 밀봉제에 의해 몰드된 후에는 우수한 신뢰성을 가지는 등의 특징이 있어 바람직하다.

(글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체)

상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는, 공중합체 유닛으로서, 적어도, 탄소수 1∼8의 알킬기를 가지는 (메타)아크릴산 알킬에스테르 및 (메타)아크릴산 글리시딜을 포함하는 것이 바람직하다. 상기 (메타)아크릴산 글리시딜의 공중합체 유닛은, 적정한 접착력 확보의 관점에서, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체 전량 중에, 0.5질량% 이상 6.0질량% 이하의 범위에서 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체는, 필요에 따라, 유리 전이 온도(Tg)의 조정의 관점에서, 스티렌이나 아크릴로니트릴 등의 다른 단량체를 공중합체 유닛으로서 포함하고 있어도 된다.

상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 유리 전이 온도(Tg)로서는, -50℃ 이상 30℃ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 다이본드 필름으로서의 취급성의 향상(택성의 억제)의 관점에서, -10℃ 이상 30℃ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체를 이와 같은 유리 전이 온도로 하기 위해서는, 상기 탄소수 1∼8의 알킬기를 가지는 (메타)아크릴산 알킬에스테르로서는, 에틸(메타)아크릴레이트 및/또는 부틸(메타)아크릴레이트를 이용하는 것이 적합하다.

상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 중량 평균 분자량(Mw)은, 10만 이상 300만 이하의 범위인 것이 바람직하고, 50만 이상 200만 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량(Mw)이 상기 범위 내이면, 접착력, 내열성, 플로우성을 적절한 것으로 하기 쉽다. 여기서, 중량 평균 분자량(Mw)은, 겔 침투 크로마토그래피에 의해 측정되는 표준 폴리스티렌 환산값을 의미한다.

상기 다이본드 필름(접착제층)(3)에 있어서의 상기 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체의 함유 비율은, 50질량% 이상 95질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 50질량% 이상 90질량% 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.

(에폭시 수지)

에폭시 수지로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 지방족 쇄상 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 알킬페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비페놀의 디글리시딜에테르화물, 나프탈렌디올의 디글리시딜에테르화물, 페놀류의 디글리시딜에테르화물, 알코올류의 디글리시딜에테르화물, 및 이와 같은 알킬 치환체, 할로겐화물, 수소 첨가물 등의 2관능 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 또한, 다관능 에폭시 수지 및 복소환 함유 에폭시 수지 등, 일반적으로 알려져 있는 그 밖의 에폭시 수지를 사용해도 된다. 이들은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.

상기 다이본드 필름(접착제층)(3)에 있어서의 상기 에폭시 수지의 함유 비율은, 다이본드 필름(접착제층)(3)에 있어서 열경화형 접착제로서의 기능을 적절하게 발현시킨다는 관점에서, 5질량% 이상 60질량% 이하의 범위인 것이 바람직하고, 10질량% 이상 50질량% 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.

(에폭시 수지에 대한 경화제)

에폭시 수지에 대한 경화제로서는, 예를 들면, 페놀 화합물과 2가의 연결기인 크실릴렌 화합물을, 무촉매 또는 산촉매의 존재 하에 반응시켜 얻을 수 있는 페놀 수지를 들 수 있다. 상기 페놀 수지로서는, 예를 들면, 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 및, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 노볼락형 페놀 수지로서는, 예를 들면, 페놀 노볼락 수지, 페놀아랄킬 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-부틸페놀 노볼락 수지, 및 노닐페놀 노볼락 수지 등을 들 수 있다. 이들 페놀 수지는, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 이러한 페놀 수지 중에서도, 페놀 노볼락 수지나 페놀아랄킬 수지는, 다이본드 필름(접착제층)(3)의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있는 경향이 있으므로, 적합하게 이용된다.

상기 열경화성 수지 조성물에 있어서의 에폭시 수지와 페놀 수지의 경화 반응을 충분히 진행시킨다는 관점에서는, 페놀 수지는, 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당, 당해 페놀 수지 중의 수산기가 바람직하게는 0.5당량 이상 2.0당량 이하, 보다 바람직하게는 0.8당량 이상 1.2당량 이하의 범위가 되는 양으로, 배합하는 것이 바람직하다.

(기타)

또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 필요에 따라, 제3급 아민, 이미다졸류, 제4급 암모늄염류 등의 경화 촉진제를 첨가해도 된다. 이와 같은 경화 촉진제로서는 구체적으로는, 예를 들면, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트 등을 들 수 있고, 이들은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.

또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 다이본드 필름(접착제층)(3)의 유동성을 제어하고, 탄성률을 향상시키는 관점에서, 필요에 따라 무기 필러를 첨가할 수 있다. 구체적으로는, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 등을 들 수 있고, 이들은, 1종 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 상기 다이본드 필름(접착제층)(3)에 있어서의 상기 무기 필러의 함유 비율은, 35질량% 이상 60질량% 이하의 범위인 것이 바람직하다.

또한, 상기 열경화성 수지 조성물에는, 필요에 따라, 난연제, 실란 커플링제, 및 이온 트랩제 등을 첨가해도 된다. 난연제로서는, 예를 들면, 3산화안티몬, 5산화안티몬, 및 브롬화 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 실란 커플링제로서는, 예를 들면, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 및 γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란을 들 수 있다. 이온 트랩제로서는, 예를 들면, 하이드로탈사이트류, 수산화 비스무트, 함수산화 안티몬, 특정 구조의 인산지르코늄, 규산마그네슘, 규산알루미늄, 트리아졸계 화합물, 테트라졸계 화합물, 및 비피리딜계 화합물 등을 들 수 있다.

<다이본드 필름(접착제층)의 두께>

상기 다이본드 필름(접착제층)(3)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 이상 60㎛ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 다이본드 필름(접착제층)(3)의 두께가 5㎛ 미만이면, 반도체칩과 리드 프레임이나 배선 기판과의 접착력이 불충분해질 우려가 있다. 한편, 다이본드 필름(접착제층)(3)의 두께가 60㎛를 넘으면 경제적이지 않게 되는 것에 더하여, 반도체 장치의 소형 박막화에의 대응이 불충분해지기 쉽다.

<다이본드 필름의 제조 방법>

상기 다이본드 필름(접착제층)(3)은, 예를 들면, 다음과 같이 하여 제조된다. 먼저, 박리 라이너를 준비한다. 또한, 당해 박리 라이너로서는, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 위에 배치하는 박리 라이너와 동일한 것을 사용할 수 있다. 다음에, 다이본드 필름(접착제층)(3)의 형성 재료인 다이본드 필름(접착제층)(3)용의 도포 용액을 제작한다. 도포 용액은, 예를 들면, 다이본드 필름(접착제층)(3)의 구성 성분인 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 에폭시 수지, 및 에폭시 수지에 대한 경화제를 포함하는 열경화성 수지 조성물과 희석 용매를 균일하게 혼합 분산하는 것에 의해 제작할 수 있다. 용매로서는, 예를 들면, 메틸에틸케톤이나 시클로헥사논 등의 범용의 유기 용제를 사용할 수 있다.

다음에, 다이본드 필름(접착제층)(3)용의 도포 용액을 가지지체(假支持體)가 되는 상기 박리 라이너의 박리 처리면 상에 당해 도포 용액을 도포하여 건조하고, 소정 두께의 다이본드 필름(접착제층)(3)을 형성한다. 그 후, 별도의 박리 라이너의 박리 처리면을 다이본드 필름(접착제층)(3)의 위에 첩합한다. 도포 방법으로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 다이 코터, 콤마 코터(등록상표), 그라비아 코터, 롤 코터, 리버스 코터 등을 이용하여 도포할 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들면, 건조 온도는 70℃ 이상 160℃ 이하의 범위 내, 건조 시간은 1분간 이상 5분간 이하의 범위 내에서 행하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서는, 다이본드 필름(접착제층)(3)의 양면 또는 편면에 박리 라이너를 구비하고 있는 적층체도 다이본드 필름(접착제층)(3)이라고 하는 경우가 있다.

<다이싱 다이본드 필름의 제조 방법>

상기 다이싱 다이본드 필름(20)의 제조 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 종래 공지의 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 다이싱 다이본드 필름(20)은, 먼저 다이싱 테이프(10) 및 다이본드 필름(20)을 개별적으로 각각 준비하고, 다음에, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2) 및 다이본드 필름(접착제층)(3)의 박리 라이너를 각각 박리하고, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)과 다이본드 필름(접착제층)(3)을, 예를 들면 핫 롤 라미네이터 등의 압착롤에 의해 압착하여 첩합하면 된다. 첩합 온도로서는, 예를 들면, 10℃ 이상 100℃ 이하의 범위인 것이 바람직하고, 첩합 압력(선압(線壓))으로서는, 예를 들면, 0.1kgf/㎝ 이상 100kgf/㎝ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에서는, 다이싱 다이본드 필름(20)은, 점착제층(2) 및 다이본드 필름(접착제층)(3)의 위에 박리 라이너가 구비된 적층체도 다이싱 다이본드 필름(20)이라고 하는 경우가 있다. 다이싱 다이본드 필름(20)에 있어서, 점착제층(2) 및 다이본드 필름(접착제층)(3)의 위에 구비된 박리 라이너는, 다이싱 다이본드 필름(20)을 워크에 제공할 때에, 박리하면 된다.

상기 다이싱 다이본드 필름(20)은, 롤 형상으로 감긴 형태나, 폭이 넓은 시트가 적층되어 있는 형태여도 된다. 또한, 이러한 형태의 다이싱 테이프(10)를 미리 정해진 크기로 절단하여 형성된 시트 형상 또는 테이프 형상의 형태여도 된다.

예를 들면, 일본공개특허 특개2011-159929호 공보에 개시되는 바와 같이, 박리 기재(박리 라이너) 상에 반도체 소자를 구성하는 웨이퍼의 형상으로 프리커트 가공한 접착제층(다이본드 필름) 및 점착 필름(다이싱 테이프)을 다수, 섬 형상으로 형성시킨 필름 롤 형상의 형태로서 제조할 수도 있다. 이 경우, 다이싱 테이프(10)는, 다이본드 필름(접착제층)(3)보다 대경의 원형으로 형성되고, 다이본드 필름(접착제층)(3)은, 반도체 웨이퍼(30)보다 대경의 원형으로 형성되어 있다.

≪반도체칩의 제조 방법≫

도 5는, 본 실시형태의 다이싱 테이프(10) 또는 다이싱 다이본드 필름(20)을 사용한 반도체칩의 제조 방법에 관하여 설명한 플로우 차트이다. 또한, 도 6은, 다이싱 테이프(또는 다이싱 다이본드 필름)의 외연부에 링 프레임(웨이퍼 링), 중심부에 반도체 웨이퍼가 첩부된 상태를 나타낸 개략도이다. 또한, 도 7(a)∼(f)는, 본 실시형태의 기재 필름(1)의 위에 점착제층(2)이 적층된 다이싱 테이프를 사용한 반도체칩의 제조예를 나타낸 도이다. 또한, 도 8(a)∼(f)는, 본 실시형태의 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 위에 다이본드 필름(접착제층)(3)이 적층된 다이싱 다이본드 필름(20)을 사용한 반도체칩의 제조예를 나타낸 도이다.

<다이싱 테이프(10)를 사용한 반도체칩의 제조 방법>

먼저, 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 실리콘을 주성분으로 하는 반도체 웨이퍼(30) 상에 복수의 집적 회로(도시는 하지 않음)를 탑재한 반도체 웨이퍼(30)를 준비한다(단계 S201:준비 공정).

이어서, 반도체 웨이퍼(30)의 집적 회로가 탑재된 면과는 반대측의 면을 연삭하여, 반도체 웨이퍼(30)를 미리 정해진 두께로 한다(단계 S202:연삭 공정). 이 때에, 도시는 되어 있지 않지만 반도체 웨이퍼(30)의 집적 회로가 탑재된 면에는 보호 테이프(백 그라인드 테이프)가 첩부된다. 보호 테이프는 반도체 웨이퍼(30)의 절단(다이싱) 공정의 전에 박리된다.

반도체 웨이퍼(30)의 두께는, 바람직하게는 100㎛ 이하, 보다 바람직하게는 20㎛ 이상 50㎛ 이하의 두께로 조절된다. 반도체칩은, 박형화하는 것이 요망되고 있지만, 두께를 작게 하면 무르고 깨지기 쉬워져, 수율이 악화한다. 본 발명의 다이싱 테이프는 실용상, 허용할 수 있는 범위 내의 밀어올림 속도로, 보다 작은 밀어올림 높이에서, 두께가 작은 반도체칩을 손상하지 않고 픽업할 수 있다.

이어서, 원 형상으로 커트한 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 박리 라이너를 박리한 후, 도 6 및 도 7(a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 외연부에 링 프레임(웨이퍼 링)(40)을 첩부함과 함께, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 중앙부에 반도체 웨이퍼(30)를 첩부한다(단계 S203:첩부 공정). 단계 S202에서 반도체 웨이퍼(30)를 연삭한 직후에 다이싱 테이프(10)를 첩부하는 경우는, 반도체 웨이퍼(30)의 표면에 활성된 원자가 존재하는 상태에서 반도체 웨이퍼(30)에 다이싱 테이프(10)가 첩부되게 된다.

여기서, 첩부 공정에서는, 일반적으로, 점착 테이프를 가압하는 압착 롤 등을 이용하여, 반도체 웨이퍼(30)에 다이싱 테이프(10)를 첩부한다. 첩부 온도로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 20℃ 이상 80℃ 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 첩부 시의 압력으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 0.1MPa 이상 0.3MPa 이하의 범위인 것이 바람직하다. 또한, 가압 가능한 용기(예를 들면, 오토클레이브 등)의 안에서 반도체 웨이퍼(30)와 다이싱 테이프(10)를 포개어, 용기 내를 가압하는 것에 의해, 반도체 웨이퍼(30)에 다이싱 테이프(10)를 첩부해도 된다. 또한, 감압 챔버(진공 챔버) 내에서, 반도체 웨이퍼(30)에 다이싱 테이프(10)를 첩부해도 된다.

계속해서, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(10)와 반도체 웨이퍼(30)를 첩합한 상태에서, 절단(다이싱) 예정 라인(X)을 따라, 반도체 웨이퍼(30)를 집적 회로가 탑재된 면측으로부터, 통상의 방법에 따라서, 다이서 등을 이용하여, 다이싱 블레이드에 의해 소정의 사이즈로 절단하여 개편화하여, 반도체칩(30a)을 형성한다(단계 S204:절단(다이싱) 공정). 도 7(c)에 나타내는 바와 같이, 이 예에서는, 반도체 웨이퍼(30)를 모두 자르는 소위 풀 커트를 행하고 있다. 반도체 웨이퍼(30)를 절단하는 절단 공정에서는, 이상적으로는, 반도체칩(30a)을 얻기 위해, 반도체 웨이퍼(30)만을 절단하면 되지만, 실제로는, 장치의 동작 정밀도나 이용되는 다이싱 테이프(10)나 반도체 웨이퍼(30)의 두께 정밀도를 고려하면 확실하게 반도체칩(30a)을 얻기 위해서는, 도 7(c)에 나타내는 바와 같이, 점착제층(2) 및 기재 필름(1)의 일부를 절단하는 것이 바람직하다.

본 실시형태의 기재 필름(1)은, 상술한 바와 같이, 기재 필름(1)의 일부가 절단되어도 다이싱 시에 실밥 형상의 절삭 부스러기가 발생하기 어렵다. 그 때문에, 반도체칩(30a)의 픽업 불량을 억제할 수 있다. 기재 필름(1)에 대한 다이싱 블레이드에 의한 칼집 깊이로서는, 특별히 한정되지 않지만, 절삭 부스러기 발생의 억제와 일부 칼집이 내어진 기재 필름(1)의 강도(후술하는 익스팬드 공정에 있어서 기재 필름(1)이 파단하지 않는 강도)의 밸런스의 관점에서, 기재 필름(1)의 두께의 1/2까지로 하는 것이 바람직하고, 1/4까지로 하는 것이 보다 바람직하다.

여기서, 절단 공정에서는, 일반적으로, 마찰열의 제거나 절단 부스러기의 부착의 방지를 위해 다이싱 테이프(10)가 첩부된 반도체 웨이퍼(30)에 세정수를 공급하면서, 예를 들면 회전하는 블레이드를 이용하여 반도체 웨이퍼(30)를 미리 정해진 크기로 절단한다.

계속해서, 다이싱 테이프(10)에 대하여, 기재 필름(1)측으로부터 활성 에너지선을 조사하는 것에 의해, 점착제층(2)을 경화·수축시켜, 점착제층(2)의 점착력을 저하시킨다(단계 S205:활성 에너지선 조사 공정). 여기서, 상기 후조사에 이용하는 활성 에너지선으로서는, 자외선, 가시광선, 적외선, 전자선, β선, γ선 등을 들 수 있다. 이러한 활성 에너지선 중에서도, 자외선(UV) 및 전자선(EB)이 바람직하고, 특히 자외선(UV)이 바람직하게 이용된다. 상기 자외선(UV)을 조사하기 위한 광원으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 블랙 라이트, 자외선 형광등, 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 카본아크등, 메탈할라이드 램프, 크세논 램프 등을 이용할 수 있다. 또한, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, 엑시머 램프 또는 싱크로트론 방사광 등도 이용할 수 있다. 상기 자외선(UV)의 조사 광량은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 100mJ/㎠ 이상 2000J/㎠ 이하의 범위인 것이 바람직하며, 300mJ/㎠ 이상 1000J/㎠ 이하의 범위인 것이 보다 바람직하다.

또한, 활성 에너지선 조사 공정은, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)이 활성 에너지선 경화성의 점착제 조성물로 구성되는 경우에만 행하면 되고, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)이 활성 에너지선 비경화성의 점착제 조성물로 구성되는 경우는, 활성 에너지선 조사 공정을 행할 필요는 없다.

계속해서, 다이싱에 의해 형성된 개개의 반도체칩(30a)의 픽업을 용이하게 하기 위해, 절단 공정 후에, 도 7(d)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(10)의 늘이기(익스팬드)를 행한다(단계 S206:익스팬드 공정). 구체적으로는, 절단된 복수의 반도체칩(30a)을 보지한 상태의 다이싱 테이프(10)에 대하여, 중공(中空) 원기둥 형상의 밀어올림 부재를, 다이싱 테이프(10)의 하면측으로부터 상승시켜, 다이싱 테이프(10)를 링 프레임(웨이퍼 링)(40)의 직경 방향 및 둘레 방향을 포함하는 2차원 방향으로 방사상으로 늘려지도록 익스팬드한다. 익스팬드 공정에 의해, 반도체칩(30a)끼리의 간격을 넓혀, CCD 카메라 등에 의한 반도체칩(30a)의 인식성을 높임과 함께, 픽업 시에 인접하는 반도체칩(30a)끼리가 접촉하는 것에 의해 생기는 반도체칩(30a)끼리의 재접착을 방지할 수 있다. 그 결과, 반도체칩(30a)의 픽업성이 향상한다.

계속해서, 반도체 웨이퍼(30)를 절단하는 것에 의해 개편화된 각각의 반도체칩(30a)을 다이싱 테이프(10)로부터 떼어내는 소위 픽업을 행한다(단계 S207:박리(픽업) 공정).

상기 픽업의 방법으로서는, 예를 들면, 도 7(e)에 나타내는 바와 같이, 반도체칩(30a)을 다이싱 테이프(10)의 기재 필름(1)의 제 2 면을 밀어올림 핀(니들)(60)에 의해 밀어올림과 함께, 도 7(f)에 나타내는 바와 같이, 밀어올려진 반도체칩(30a)을, 픽업 장치(도시하지 않음)의 흡착 콜렛트(50)에 의해 흡인하여 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 떼어내는 방법 등을 들 수 있다. 이에 의해, 반도체칩(30a)이 얻어진다.

픽업 조건으로서는, 실용상, 허용할 수 있는 범위이면 특별히 한정되지 않고, 통상적으로는, 밀어올림 핀(니들)(60)의 밀어올림 속도는, 1㎜/초 이상 100㎜/초 이하의 범위 내에서 설정되는 경우가 많지만, 반도체칩(30a)의 두께(반도체 웨이퍼의 두께)가 100㎛ 이하로 얇은 경우에는, 반도체 박막칩의 손상 억제의 관점에서, 1㎜/초 이상 20㎜/초 이하의 범위 내에서 설정하는 것이 바람직하다. 생산성을 가미한 관점에서는, 5㎜/초 이상 20㎜/초 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 보다 바람직하다.

또한, 반도체칩(30a)이 손상되지 않고 픽업이 가능해지는 밀어올림 핀의 밀어올림 높이는, 예를 들면, 상기와 마찬가지의 관점에서, 100㎛ 이상 600㎛ 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 바람직하고, 반도체 박막칩에 대한 응력 경감의 관점에서, 100㎛ 이상 450㎛ 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 보다 바람직하다. 생산성을 가미한 관점에서는, 100㎛ 이상 350㎛ 이하의 범위 내에서 설정할 수 있는 것이 특히 바람직하다. 이와 같은 밀어올림 높이를 보다 작게 할 수 있는 다이싱 테이프가 픽업성이 우수하다고 말할 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 실시형태의 다이싱 테이프(10)는, 반도체칩(30a)의 박리(픽업) 공정에 있어서, 다이싱 테이프(10)를 밀어올림 핀에 의해 밀어올렸을 때에, 다이싱 테이프(10)가 만곡하기 쉽게 되어 있다. 따라서, 밀어올림 핀의 밀어올림 높이가 작아도, 즉, 작은 힘으로 밀어올려도, 반도체칩(30a)의 사방 단부의 점착제층(2)으로부터의 박리가 조장되기 쉬워진다. 그 결과, 강도가 낮은 100㎛ 이하의 매우 얇은 반도체 웨이퍼(30)를 사용하는 경우라도, 매우 얇은 반도체칩(30a)의 점착제층으로부터의 박리가 빠르게 진행되어, 종래의 힘보다 작은 힘으로 용이하게 매우 얇은 반도체칩(30a)을 파손하지 않고 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)으로부터 픽업할 수 있다. 이에 의해, 종래보다 더 반도체칩(30a)의 픽업 성공률을 향상시킬 수 있다.

또한, 도 7(a)∼(f)에서 설명한 제조 방법은, 다이싱 테이프(10)를 이용한 반도체칩(30a)의 제조 방법의 일례이며, 다이싱 테이프(10)의 사용 방법은, 상기의 방법에 한정되지 않는다. 즉, 본 실시형태의 다이싱 테이프(10)는, 다이싱 시에, 반도체 웨이퍼(30)에 첩부되는 것이면, 상기의 방법에 한정되지 않고 사용할 수 있다.

예를 들면, 본 실시형태의 다이싱 테이프(10)를 사용하는 경우, 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법은, 상술한 블레이드 다이싱법 외에, 절삭 부스러기를 발생시키지 않는 방법으로서, 반도체 웨이퍼의 내부에 레이저를 조사하여 선택적으로 개질층을 형성시키면서 다이싱 라인을 형성하고, 그 개질층을 기점으로, 예를 들면 -15℃의 저온 하에서의 익스팬드 공정에 의해 수직으로 균열을 성장시켜, 반도체 웨이퍼를 할단하는 방법 등도 이용할 수 있다.

<다이싱 다이본드 필름(20)을 사용한 반도체칩의 제조 방법>

본 실시형태인 다이싱 테이프(10)를 다이싱 다이본드 필름(20)의 형태로서 사용한 경우의 반도체칩(30a)의 제조 방법에 관해서도 설명한다. 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)과 반도체 웨이퍼(30)의 사이에 다이본드 필름(접착제층)(3)이 존재하는 것 이외는, 상술한 다이싱 테이프(10)를 사용한 반도체칩의 제조 방법과 기본적으로는 동일하다. 다이싱 다이본드 필름(20)을 사용한 경우, 반도체칩(30a)의 집적 회로가 탑재된 면과는 반대측의 면에 다이본드 필름(접착제층)(3)이 첩부된 상태, 즉 접착제층을 가지는 반도체칩의 형태로 픽업된다.

먼저, 상술한 다이싱 테이프(10)를 사용한 반도체칩의 제조 방법과 마찬가지로 하여 준비한 반도체 웨이퍼(30)를 미리 정해진 두께로 연삭한다(단계 S201:준비 공정, 단계 S202:연삭 공정). 이어서, 원형으로 커트한 다이싱 다이본드 필름(20)의 점착제층(2) 및 다이본드 필름(접착제층)(3)으로부터 박리 라이너를 박리한 후, 도 6 및 도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 외연부에 링 프레임(웨이퍼 링)(40)을 첩부함과 함께, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)의 상측 중앙부에 적층된 다이본드 필름(접착제층)(3)의 위에 반도체 웨이퍼(30)를 첩부한다(단계 S203:첩부 공정).

계속해서, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 다이싱 다이본드 필름(20)과 반도체 웨이퍼(30)를 첩합시킨 상태에서, 절단(다이싱) 예정 라인(X)을 따라, 반도체 웨이퍼(30)를 집적 회로가 탑재된 면측으로부터, 통상의 방법에 따라서, 다이서 등에 의해 소정의 사이즈로 절단하고 개편화하여, 반도체칩(30a)을 형성한다(단계 S204:절단(다이싱) 공정). 도 8(c)에 나타내는 바와 같이, 이 예에서는, 반도체 웨이퍼(30)를 모두 자르는 소위 풀 커트를 행하고 있다. 반도체 웨이퍼(30)를 절단하는 절단 공정에서는, 이상적으로는, 반도체칩(30a)을 얻기 위해, 반도체 웨이퍼(30)만을 절단하면 되지만, 실제로는, 장치의 동작 정밀도나 이용되는 다이싱 테이프(10)나 반도체 웨이퍼(30)의 두께 정밀도를 고려하면 확실하게 반도체칩(30a)을 얻기 위해서는, 도 8(c)에 나타내는 바와 같이 다이본드 필름(접착제층)(3), 점착제층(2) 및 기재 필름(1)의 일부를 절단하는 것이 바람직하다.

기재 필름(1)에 대한 블레이드에 의한 칼집 깊이로서는, 특별히 한정되지 않지만, 절삭 부스러기 발생의 억제와 일부 칼집이 내어진 기재 필름(1)의 강도(후술하는 익스팬드 공정에 있어서 기재 필름(1)이 파단하지 않는 강도)의 밸런스의 관점에서, 기재 필름(1)의 두께의 1/2까지로 하는 것이 바람직하고, 1/4까지로 하는 것이 보다 바람직하다.

계속해서, 상술한 다이싱 테이프(10)를 사용한 반도체칩의 제조 방법과 마찬가지로 하여, 필요에 따라 단계 S205:활성 에너지선 조사 공정을 실시하고, 이어서 단계 S206:익스팬드 공정(도 8(d) 참조), 이어서 단계 S207:박리(픽업) 공정(도 8(e), 도 8(f) 참조)을 거치는 것에 의해, 강도가 낮은 100㎛ 이하의 매우 얇은 반도체 웨이퍼(30)를 사용하는 경우라도, 다이싱 다이본드 필름(20)의 점착제층(2)으로부터 다이본드 필름(접착제층)(3)을 가지는 매우 얇은 반도체칩(30a)을 용이하게 픽업할 수 있다.

또한, 도 8(a)∼(f)에서 설명한 제조 방법은, 다이싱 다이본드 필름(20)을 이용한 반도체칩(30a)의 제조 방법의 일례이며, 다이싱 테이프(10)를 다이싱 다이본드 필름(20)의 형태로서 사용하는 방법은, 상기의 방법에 한정되지 않는다. 즉, 본 실시형태의 다이싱 다이본드 필름(20)은, 다이싱 시에, 반도체 웨이퍼(30)에 첩부되는 것이면, 상기의 방법에 한정되지 않고 사용할 수 있다.

예를 들면, 본 실시형태의 다이싱 테이프(10)를 다이싱 다이본드 필름(20)의 형태로서 사용하는 경우, 반도체 웨이퍼의 다이싱 방법은, 상술한 블레이드 다이싱법 외에, 절삭 부스러기를 발생시키지 않는 방법으로서, 반도체 웨이퍼의 내부에 레이저를 조사하여 선택적으로 개질층을 형성시키면서 다이싱 라인을 형성하고, 그 개질층을 기점으로, 예를 들면 -15℃의 저온 하에서의 익스팬드 공정에 의해 수직으로 균열을 성장시켜, 반도체 웨이퍼를 다이본드 필름과 함께 할단하는 방법 등도 이용할 수 있다.

[실시예]

계속해서, 실시예 및 비교예를 이용하여 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.

1. 기재 필름(1)의 제작

기재 필름(1)을 제작하기 위한 재료로서 하기의 수지 A∼J를 준비했다. 또한, 수지 A∼G는, 하드 세그먼트(PBT) 성분으로서 디메틸테레프탈레이트 및 1,4-부탄디올을, 소프트 세그먼트 성분으로서 수평균 분자량이 1,000인 폴리(테트라메틸렌옥사이드)글리콜(PTMG1000), 또는 수평균 분자량이 1,500인 폴리(테트라메틸렌옥사이드)글리콜(PTMG1500), 또는 수평균 분자량이 2,000인 폴리(테트라메틸렌옥사이드)글리콜(PTMG2000)을 원료로 하여 제작한 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머이다.

(수지)

· 수지 A : 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT)/폴리(테트라메틸렌옥사이드)글리콜(PTMG2000)=27질량%/73질량%의 세그먼트 비율로 이루어지는 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머, 결정 융점 160℃

· 수지 B : 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT)/폴리(테트라메틸렌옥사이드)글리콜(PTMG2000)=33질량%/67질량%의 세그먼트 비율로 이루어지는 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머, 결정 융점 180℃

· 수지 C : 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT)/폴리(테트라메틸렌옥사이드)글리콜(PTMG1000)=39질량%/61질량%의 세그먼트 비율로 이루어지는 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머, 결정 융점 172℃

· 수지 D : 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT)/폴리(테트라메틸렌옥사이드)글리콜(PTMG1500)=45질량%/55질량%의 세그먼트 비율로 이루어지는 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머, 결정 융점 186℃

· 수지 E : 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT)/폴리(테트라메틸렌옥사이드)글리콜(PTMG1500)=51질량%/49질량%의 세그먼트 비율로 이루어지는 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머, 결정 융점 192℃

· 수지 F : 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT)/폴리(테트라메틸렌옥사이드)글리콜(PTMG1500)=54질량%/46질량%의 세그먼트 비율로 이루어지는 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머, 결정 융점 198℃

· 수지 G : 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT)/폴리(테트라메틸렌옥사이드)글리콜(PTMG1000)=64질량%/36질량%의 세그먼트 비율로 이루어지는 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머, 결정 융점 203℃

· 수지 H : 랜덤 공중합 폴리프로필렌(PP), 결정 융점 138℃

· 수지 I : 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체(EVA), 아세트산 비닐 함유량 20질량%, 결정 융점 82℃

· 수지 J : 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 결정 융점 116℃

[수지의 결정 융점]

상기 수지의 결정 융점은, 주식회사리가쿠사제의 시차열 주사 열량계 "DSC-8321"(제품명)을 이용하여, 이하와 같이 하여 측정했다. 먼저, 각 수지 시료 10㎎을 알루미늄제의 팬에 충전하고, 질소 분위기 하, 10℃/분의 승온 속도로 290℃까지 승온하여, 동온도에서 3분간 보지한 후, 알루미늄팬을 액체 질소 중에 넣어 급랭했다. 이어서, 급랭한 알루미늄팬을 재차, 상기 시차열 주사 열량계 "DSC-8321"에 세팅하고, 10℃/분의 승온 속도로 승온했을 때에 출현하는 흡열 피크의 피크 온도를 당해 수지의 결정 융점으로 했다.

(기재 필름(1) (a))

상기 수지 B(PBT/PTMG2000=33질량%/67질량%)를 이용하여, T다이 압출 성형기에 의해, 단층 구성의 100㎛ 두께의 기재 필름(1) (a)를 제막했다.

(기재 필름(1) (b))

상기 수지 C(PBT/PTMG1000=39질량%/61질량%)를 이용하여, T다이 압출 성형기에 의해, 단층 구성의 100㎛ 두께의 기재 필름(1) (b)를 제막했다.

(기재 필름(1) (c))

상기 수지 D(PBT/PTMG1500=45질량%/55질량%)를 이용하여, T다이 압출 성형기에 의해, 단층 구성의 100㎛ 두께의 기재 필름(1) (c)를 제막했다.

(기재 필름(1) (d))

상기 수지 A(PBT/PTMG2000=27질량%/73질량%)를 이용하여, 1종 3층 T다이 공압출 성형기에 의해, 동일 수지 3층 구성의 100㎛ 두께의 기재 필름(1) (d)를 제막했다. 각 층의 두께는, 1층째(점착제층에 접하는 면측)/2층째/3층째=20㎛/60㎛/20㎛로 했다.

(기재 필름(1) (e))

2층째의 수지로서 상기 수지 A(PBT/PTMG2000=27질량%/73질량%)를, 1층째 및 3층째의 수지로서 상기 수지 B(PBT/PTMG2000=33질량%/67질량%)를 이용하여, 2종 3층 T다이 공압출 성형기에 의해, 2종 수지 3층 구성의 100㎛ 두께의 기재 필름(1) (e)를 제막했다. 각 층의 두께는, 1층째(점착제층에 접하는 면측)/2층째/3층째=25㎛/50㎛/25㎛로 했다. 층 전체로서의 PBT와 PTMG의 세그먼트의 질량 비율은, PBT/PTMG=30질량%/70질량%이다.

(기재 필름(1) (f))

2층째의 수지로서 상기 수지 C(PBT/PTMG1000=39질량%/61질량%)를, 1층째 및 3층째의 수지로서 상기 수지 D(PBT/PTMG1500=45질량%/55질량%)를 이용하여, 2종 3층 T다이 공압출 성형기에 의해, 2종 수지 3층 구성의 100㎛ 두께의 기재 필름(1) (f)를 제막했다. 각 층의 두께는, 1층째(점착제층에 접하는 면측)/2층째/3층째=30㎛/40㎛/30㎛로 했다. 층 전체로서의 PBT와 PTMG의 세그먼트의 질량 비율은, PBT/PTMG=43질량%/57질량%이다.

(기재 필름(1) (g))

1층째의 수지로서 상기 수지 E(PBT/PTMG1500=51질량%/49질량%)를, 2층째의 수지로서 상기 수지 D(PBT/PTMG1500=45질량%/55질량%)를 이용하여, 2종 2층 T다이 공압출 성형기에 의해, 2종 수지 2층 구성의 100㎛ 두께의 기재 필름(1) (g)를 제막했다. 각 층의 두께는, 1층째(점착제층에 접하는 면측)/2층째=30㎛/70㎛로 했다. 층 전체로서의 PBT와 PTMG의 세그먼트의 질량 비율은, PBT/PTMG=47질량%/53질량%이다.

(기재 필름(1) (h))

1층째의 수지로서 상기 수지 E(PBT/PTMG1500=51질량%/49질량%)를, 2층째의 수지로서 상기 수지 D(PBT/PTMG1500=45질량%/55질량%)를 이용하여, 2종 2층 T다이 공압출 성형기에 의해, 2종 수지 2층 구성의 100㎛ 두께의 기재 필름(1) (h)를 제막했다. 각 층의 두께는, 1층째(점착제층에 접하는 면측)/2층째=60㎛/40㎛로 했다. 층 전체로서의 PBT와 PTMG의 세그먼트의 질량 비율은, PBT/PTMG=49질량%/51질량%이다.

(기재 필름(1) (i))

상기 수지 A(PBT/PTMG2000=27질량%/73질량%)를 이용하여, 1종 3층 T다이 공압출 성형기에 의해, 동일 수지 3층 구성의 155㎛ 두께의 기재 필름(1) (i)를 제막했다. 각 층의 두께는, 1층째(점착제층에 접하는 면측)/2층째/3층째=20㎛/115㎛/20㎛로 했다.

(기재 필름(1) (j))

2층째의 수지로서 상기 수지 C(PBT/PTMG1000=39질량%/61질량%)를, 1층째 및 3층째의 수지로서 상기 수지 D(PBT/PTMG1500=45질량%/55질량%)를 이용하여, 2종 3층 T다이 공압출 성형기에 의해, 2종 수지 3층 구성의 70㎛ 두께의 기재 필름(1) (j)를 제막했다. 각 층의 두께는, 1층째(점착제층에 접하는 면측)/2층째/3층째=20㎛/30㎛/20㎛로 했다. 층 전체로서의 PBT와 PTMG의 세그먼트의 질량 비율은, PBT/PTMG=42질량%/58질량%이다.

(기재 필름(1) (k))

2층째의 수지로서 상기 수지 I(EVA)를, 1층째 및 3층째의 수지로서 상기 수지 H(PP)를 이용하여, 2종 3층 T다이 공압출 성형기에 의해, 2종 수지 3층 구성의 80㎛ 두께의 기재 필름(1) (k)를 제막했다. 각 층의 두께는, 1층째(점착제층에 접하는 면측)/2층째/3층째=8㎛/64㎛/8㎛로 했다. 층 전체로서의 PP/EVA의 질량 비율은, PP/EVA=20질량%/80질량%이다.

(기재 필름(1) (l))

2층째의 수지로서 상기 수지 H(PP)를, 1층째 및 3층째의 수지로서 상기 수지 J(PE)를 이용하여, 2종 3층 T다이 공압출 성형기에 의해, 2종 수지 3층 구성의 90㎛ 두께의 기재 필름(1) (l)을 제막했다. 각 층의 두께는, 1층째(점착제층에 접하는 면측)/2층째/3층째=10㎛/70㎛/10㎛로 했다. 층 전체로서의 PE/PP의 질량 비율은, PE/PP=22질량%/78질량%이다.

(기재 필름(1) (m))

상기 수지 F(PBT/PTMG1500=54질량%/46질량%)를 이용하여, T다이 압출 성형기에 의해, 단층 구성의 100㎛ 두께의 기재 필름(1) (m)을 제막했다.

(기재 필름(1) (n))

상기 수지 G(PBT/PTMG1000=64질량%/36질량%)를 이용하여, T다이 압출 성형기에 의해, 단층 구성의 100㎛ 두께의 기재 필름(1) (n)을 제막했다.

[기재 필름의 굴곡 탄성률(G')]

상기의 기재 필름(1) (a)∼(n)에 관하여, 23℃에 있어서의 굴곡 탄성률(G')을 주식회사히타치하이테크사이언스사제의 동적 점탄성 측정 장치 "DMA6100"(제품명)을 이용하여, 이하와 같이 하여 측정했다. 먼저, 측정용의 샘플로서, 기재 필름(1)의 원반으로부터 하기 샘플 사이즈의 시료를 복수매 잘라내어, 그들을 포개고, 열 프레스기를 이용하여 총두께가 1.5㎜가 되도록 가압 밀착시킨 적층체를 준비했다. 샘플 사이즈는 10㎜(폭)×50㎜(길이)×1.5㎜(두께)로 했다. 여기서, 미리 준비하는 복수매의 기재 필름(1)의 시료는, 각각, 상기 샘플 사이즈에 있어서의 10㎜의 폭 방향이 기재 필름(1)의 제막 시에 있어서의 MD 방향(흐름 방향), 상기 샘플 사이즈에 있어서의 50㎜의 길이 방향이 기재 필름(1)의 제막 시에 있어서의 TD 방향(MD 방향에 대하여 수직한 방향)에 합치하도록, 기재 필름(1)을 다이싱 테이프(10)의 원반으로 가공했을 때의 폭 방향 중앙부에 상당하는 위치로부터 잘라낸 것을 사용했다. 이러한 측정용의 샘플을 동적 점탄성 측정 장치에 세팅하고, 양팔보 굽힘 모드에서, 주파수 1Hz, 승온 속도 0.5℃/분, 측정 온도 범위 -40℃∼40℃, 질소 분위기 하의 조건에서, 동적 점탄성을 측정했다. 얻어진 동적 점탄성 스펙트럼에 있어서의 23℃의 저장 탄성률의 값을 그 기재 필름(1)의 굴곡 탄성률(G')로 했다.

[기재 필름의 자외선 투과율]

상기의 기재 필름(1) (a)∼(n)에 관하여, 니혼분광사제의 분광 광도계 "V-670DS"(제품명)를 이용하여, 자외선(UV) 투과율을 측정했다. 구체적으로는, 파장 365㎚에 있어서의 평행 광선 투과율을 측정했다.

[기재 필름의 신장률]

상기의 기재 필름(1) (a)∼(n)에 관하여, JIS Z 0237(2009)에서 규정되는 방법에 기초하여, 미네베아미츠미주식회사제의 인장 시험기 "MinebeaTechnoGraph TG-5kN"(제품명)을 이용하여, MD 방향 및 TD 방향에 있어서의 신장률을 측정했다.

2. 점착제 조성물 용액의 조제

다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)용의 점착제 조성물로서, 하기의 활성 에너지선 비경화성 아크릴계 점착제 조성물 (a), (b) 및 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물 (c), (d)의 용액을 조제했다.

(점착제 조성물(2) (a)의 용액)

공중합 모노머 성분으로서, 메타크릴산 메틸(MMA), 아크릴산 2-에틸헥실(2-EHA), 아크릴산-2 히드록시에틸(2-HEA), 아크릴산(AA)을 준비했다. 이들 공중합 모노머 성분을, MMA/2-EHA/2-HEA/AA=56질량%/39질량%/3질량%/2질량%의 공중합 비율이 되도록 혼합하고, 용매로서 아세트산 에틸, 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)을 이용하여 용액 라디칼 중합에 의해, 수산기와 산기를 가지는 베이스 폴리머 용액 (A)(고형분 농도:35질량%, 중량 평균 분자량(Mw):41만)를 합성했다.

계속해서, 상기에서 합성한 베이스 폴리머 용액 (A) 286질량부(고형분 환산 100질량부)에 대하여, 가교제로서 미츠비시가스화학주식회사제의 에폭시계 가교제(상품명:TETRAD-X, 고형분 농도:100질량%)를 0.3질량부(고형분 환산 0.3질량부)의 비율로 배합하고, 아세트산 에틸로 희석, 교반하여, 고형분 농도 22.6질량%의 활성 에너지선 비경화성 아크릴계 점착제 조성물(2) (a)의 용액을 조제했다.

(점착제 조성물(2) (b)의 용액)

상기 점착제 조성물(2) (a)의 용액에서 사용한 베이스 폴리머 용액 (A)를 이용하고, 당해 베이스 폴리머 용액 (A) 286질량부(고형분 환산 100질량부)에 대하여, 가교제로서 토소주식회사제의 이소시아네이트계 가교제(상품명:코로네이트L, 고형분 농도:75질량%)를 2.7질량부(고형분 환산 2.0질량부)의 비율로 배합하고, 아세트산 에틸로 희석, 교반하여, 고형분 농도 22.6질량%의 활성 에너지선 비경화성 아크릴계 점착제 조성물(2) (b)의 용액을 조제했다.

(점착제 조성물(2) (c))

공중합 모노머 성분으로서, 아크릴산 2-에틸헥실(2-EHA), 아크릴산-2히드록시에틸(2-HEA), 메타크릴산 메틸(MMA)을 준비했다. 이들 공중합 모노머 성분을, 2-EHA/2-HEA/MMA=75질량%/20질량%/5질량%의 공중합 비율이 되도록 혼합하고, 용매로서 아세트산 에틸, 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)을 이용하여 용액 라디칼 중합에 의해, 수산기를 가지는 베이스 폴리머 용액을 합성했다.

다음에, 이 베이스 폴리머의 고형분 100질량부에 대하여, 활성 에너지선 반응성 화합물로서 이소시아네이트기와 활성 에너지선 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 가지는 2-이소시아네이토에틸메타크릴레이트(MOI) 16질량부를 배합하고, 2-HEA의 수산기의 일부와 반응시켜, 탄소-탄소 이중 결합을 측쇄에 가지는 아크릴계 점착성 폴리머 용액 (C)(고형분 농도:35질량%, 중량 평균 분자량(Mw):55만, 탄소-탄소 이중 결합 함유량:0.89meq/g)를 합성했다. 또한, 상기의 반응에 있어서는, 중합 금지제로서 히드로퀴논·모노메틸에테르를 0.05질량부 이용했다.

계속해서, 상기에서 합성한 아크릴계 점착성 폴리머 용액 (C) 286질량부(고형분 환산 100질량부)에 대하여, 광중합 개시제로서 IGM Resins B.V.사제의 아실포스핀옥사이드계 광중합 개시제(상품명:Omnirad819)를 0.7질량부, 가교제로서 토소사제의 이소시아네이트계 가교제(상품명:코로네이트L, 고형분 농도:75질량%)를 5.3질량부(고형분 환산 4.0질량부)의 비율로 배합하고, 아세트산 에틸로 희석, 교반하여, 고형분 농도 22.6질량%의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(2) (c)의 용액을 조제했다.

(점착제 조성물(2) (d))

공중합 모노머 성분으로서, 아크릴산 2-에틸헥실(2-EHA), 아크릴산-2 히드록시에틸(2-HEA), 메타크릴산 메틸(MMA), N-비닐-2-피롤리돈(NVP)을 준비했다. 이들 공중합 모노머 성분을, 2-EHA/2-HEA/MMA/NVP=50질량%/3질량%/37질량%/10질량%의 공중합 비율이 되도록 혼합하고, 용매로서 아세트산 에틸, 개시제로서 아조비스이소부티로니트릴(AIBN)을 이용하여 용액 라디칼 중합에 의해, 수산기를 가지는 베이스 폴리머 용액 (D)(고형분 농도:35질량%, 중량 평균 분자량(Mw):50만)를 합성했다.

계속해서, 상기에서 합성한 베이스 폴리머 용액 (D) 286질량부(고형분 환산 100질량부)에 대하여, 자외선 경화성 우레탄아크릴레이트계 올리고머 120질량부(중량 평균 분자량(Mw):1,000, 수산기가:1㎎KOH/g, 이중 결합 당량:167), 광중합 개시제로서 IGM Resins B.V.사제의 α-아미노알킬페논계 광중합 개시제(상품명:Omnirad369)를 1.0질량부, 가교제로서 토소사제의 이소시아네이트계 가교제(상품명:코로네이트L, 고형분 농도:75질량%)를 10질량부(고형분 환산 7.5질량부)의 비율로 배합하고, 아세트산 에틸로 희석, 교반하여, 고형분 농도 22.6질량%의 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물(2) (d)의 용액을 조제했다.

3. 접착제 조성물 용액의 조제

다이싱 다이본드 필름(20)의 다이본드 필름(접착제층)(3)용의 접착제 조성물로서, 하기의 접착제 조성물(3) (a)의 용액을 조제했다.

(접착제 조성물(3) (a)의 용액)

먼저, 열경화성 수지로서 도토화성주식회사제의 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(상품명:YDCN-703, 에폭시 당량:210, 분자량:1,200, 연화점:80℃) 55질량부, 가교제로서 미츠이화학주식회사제의 페놀 수지(상품명:미렉스XLC-LL, 수산기 당량:175, 흡수율:1.8%) 45질량부, 실란 커플링제로서 일본유니카주식회사제의 γ-메르캅토프로필트리메톡시실란(상품명:NUCA-189) 1.7질량부와 일본유니카주식회사제품 γ-우레이도프로필트리에톡시실란(상품명:NUCA-1160) 3.2질량부, 필러로서 닛폰에어로질주식회사제의 실리카(상품명:에어로질R972, 평균 입경 0.016㎛) 32질량부로 이루어지는 수지 조성물에, 용매로서 시클로헥사논을 첨가하여 교반 혼합하고, 추가로 비드밀을 이용하여 90분간 분산했다.

이어서, 상기 수지 조성물에, 열가소성 수지로서 나가세켐텍스주식회사제의 글리시딜기 함유 (메타)아크릴산 에스테르 공중합체(상품명:HTR-860P-3, 글리시딜(메타)아크릴레이트 함유량:3질량%, 중량 평균 분자량(Mw):80만) 280질량부, 및 경화 촉진제로서 시코쿠화성주식회사제의 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸(상품명:큐아졸2PZ-CN) 0.5질량부 첨가하여, 교반 혼합하고, 진공 탈기하여, 고형분 농도 20질량%의 접착제 수지 조성물(3) (a)의 용액을 조제했다.

<다이싱 테이프(10)>

(실시예 1)

기재 필름(1)으로서 상기 기재 필름(1) (a)를, 점착제층(2) 형성용의 점착제 조성물의 용액으로서 점착제 조성물(2) (a)의 용액을 이용하여, 이하의 공정에 의해 다이싱 테이프(10) (a)의 원반(300㎜ 폭)을 제작했다.

박리 라이너(두께 38㎛, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름)의 박리 처리면측에 건조 후의 점착제층(2)의 두께가 30㎛가 되도록, 상기 점착제 조성물(2) (a)의 용액을 도포하여 100℃의 온도에서 3분간 가열하는 것에 의해 용매를 건조시킨 후에, 점착제층(2) 상에 기재 필름(1) (a)를 첩합하여, 다이싱 테이프(10) (a)의 원반을 제작했다. 그 후, 다이싱 테이프(10) (a)의 원반을 40℃의 온도에서 72시간 보존하여 점착제층(2)을 가교, 경화시켰다. 이상의 공정에 의해 본 실시예의 다이싱 테이프(10) (a)의 원반을 제작했다. 또한, 후술하는 직경 8인치의 반도체 웨이퍼(30)의 다이싱용 샘플 제작 시에는, 상기에서 제작한 박리 라이너를 구비한 다이싱 테이프(10) (a)를, 박리 라이너마다 직경 290㎜의 원형으로 커트하여 사용했다.

(실시예 2∼13)

실시예 1에 대하여, 표 1에 나타내는 바와 같이, 기재 필름(1)의 종류, 점착제층(2) 형성용의 점착제 조성물의 종류 및 점착제층(2)의 두께를 적절히 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 다이싱 테이프(10) (b)∼(m)의 원반을 제작했다. 또한, 기재 필름(1)이 적층 구성인 경우는, 기재 필름(1)의 1층째측의 면을 점착제층(2) 상에 첩합했다.

(비교예 1∼4)

실시예 12에 대하여, 표 1에 나타내는 바와 같이, 기재 필름(1)의 종류, 점착제층(2) 형성용의 점착제 조성물의 종류 및 점착제층(2)의 두께를 적절히 변경한 것 이외는, 실시예 12와 마찬가지로 하여, 다이싱 테이프(10) (n)∼(q)의 원반을 제작했다. 또한, 기재 필름(1)이 적층 구성인 경우는, 기재 필름(1)의 1층째측의 면을 점착제층(2) 상에 첩합했다.

<다이싱 다이본드 필름(20)>

(실시예 14)

먼저, 기재 필름(1)으로서 상기 기재 필름(1) (d)를, 점착제층(2) 형성용의 점착제 조성물의 용액으로서 점착제 조성물(2) (c)의 용액을 이용하여, 실시예 1과 마찬가지로 하여, 다이싱 테이프(10)의 원반을 제작했다.

이어서, 다이본드 필름(접착제층)(3) 형성용의 접착제 수지 조성물(3) (a)의 용액을 준비하고, 박리 라이너(두께 38㎛, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름)의 박리 처리면측에 건조 후의 다이본드 필름(접착제층)(3)의 두께가 25㎛가 되도록, 상기 접착제 수지 조성물(3) (a)의 용액을 도포하여 140℃의 온도에서 5분간 가열하는 것에 의해 용매를 건조시켜, 박리 라이너를 구비한 다이본드 필름(접착제층)(3)을 제작했다.

계속해서, 상기에서 제작한 박리 라이너를 구비한 다이본드 필름(접착제층)(3)을, 박리 라이너마다 직경 220㎜의 원형으로 커트하고, 당해 다이본드 필름(접착제층)(3)의 접착제층면을, 박리 라이너를 박리한 상기 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)면에 첩합했다. 첩합 조건은, 40℃, 10㎜/초, 선압 30kgf/㎝로 했다.

마지막에, 직경 290㎜의 원형으로 다이싱 테이프(10)를 커트하는 것에 의해, 직경 290㎜의 원형의 다이싱 시트(10)의 점착제층(2)의 상측 중심부에 직경 220㎜의 원형의 다이본드 필름(접착제층)(3)이 적층된 다이싱 다이본드 필름(20) (a)를 제작했다.

(실시예 15∼19)

실시예 14에 대하여, 표 1에 나타내는 바와 같이, 기재 필름(1)의 종류, 점착제층(2) 형성용의 점착제 조성물의 종류 및 점착제층(2)의 두께를 적절히 변경한 것 이외는, 실시예 14와 마찬가지로 하여, 다이싱 다이본드 필름(20) (b)∼(f)를 제작했다. 또한, 기재 필름(1)이 적층 구성인 경우는, 기재 필름(1)의 1층째측의 면을 점착제층(2) 상에 첩합했다.

(비교예 5∼8)

실시예 14에 대하여, 표 1에 나타내는 바와 같이, 기재 필름(1)의 종류를 변경한 것 이외는, 실시예 14와 마찬가지로 하여, 다이싱 다이본드 필름(20) (g)∼(j)를 제작했다. 또한, 기재 필름(1)이 적층 구성인 경우는, 기재 필름(1)의 1층째측의 면을 점착제층(2) 상에 첩합했다.

4. 다이싱 테이프 및 다이싱 다이본드 필름의 평가 방법

상기 실시예 1∼13 및 비교예 1∼4에서 제작한 다이싱 테이프(10), 및 실시예 14∼19 및 비교예 5∼9에서 제작한 다이싱 다이본드 필름(20)에 관하여, 반도체 웨이퍼(30)의 다이싱 후의 분단성 및 기재 필름의 절삭 부스러기 발생 상태 즉 다이싱 특성, 및 반도체칩(30a)의 픽업성에 관하여, 이하와 같이 측정, 평가했다.

4.1 반도체 웨이퍼의 다이싱 후의 분단성

먼저, 주식회사디스코제의 백 그라인드 장치 "DAG-810"(제품명)를 이용하여 직경 8인치의 반도체 웨이퍼를 당해 표면에 백 그라인드용 보호 테이프를 첩합한 다음에 연삭하여 두께 50㎛의 반도체 웨이퍼(미러 웨이퍼)(30)를 얻었다.

직경 290㎜의 원형으로 커트된 실시예 1∼13 및 비교예 1∼4의 다이싱 테이프(10) (a)∼(q)에 관해서는, 두께 50㎛의 반도체 웨이퍼(30)의 표면(연삭면측)에 박리 라이너를 박리한 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)면을 첩합함과 함께, 다이싱 테이프(10)의 점착제층(2)면 외주부에 링 프레임(40)을 첩부하여, 도 7(a)에 나타낸 바와 같은 각 다이싱용 샘플을 제작했다. 또한, 이 시점에서 반도체 웨이퍼(30)의 백 그라인드용 보호 테이프는 박리되어 있다.

또한, 직경 290㎜의 원형의 다이싱 시트(10)의 점착제층(2) 상측 중심부에 직경 220㎜의 원형의 다이본드 필름(접착제층)(3)이 적층된 다이싱 다이본드 필름(20) (a)∼(j)에 관해서는, 두께 50㎛의 반도체 웨이퍼(30)의 표면에 박리 라이너를 박리한 다이싱 다이본드 필름(20)의 다이본드 필름(접착제층)(3)면을 열판 온도 70℃에서 첩합함과 함께, 다이싱 다이본드 필름(20)의 다이싱 테이프(10) 부분의 점착제층(2)면 외주부에 링 프레임(40)을 첩부하여, 도 8(a)에 나타낸 바와 같은 각 다이싱용 샘플을 제작했다. 또한, 이 시점에서 반도체 웨이퍼(30)의 백 그라인드용 보호 테이프는 박리되어 있다.

계속해서, 주식회사디스코제의 풀 오토 다이서 "DFD-6361"(제품명)을 이용하여 상기의 다이싱용 샘플을 풀 커트 다이싱 방식에 의해 절삭했다. 절삭 조건은, 블레이드 회전수 40,000rpm, 절삭 속도 50㎜/초, 칩 사이즈 5㎜×5㎜로 하고, 도 7(c) 또는 도 8(c)에 나타낸 바와 같이 기재 필름(1)에 5㎛ 정도의 칼집이 나도록 절삭을 행했다. 또한, 상기 다이싱 공정 중에는, 회전하는 블레이드 및 반도체 웨이퍼를 향해 유수를 연속적으로 공급하여, 냉각했다(물 공급량:1리터/분, 수온:25℃).

상술한 실시예 1∼13 및 비교예 1∼4에서 제작한 다이싱 테이프(10), 및 실시예 14∼19 및 비교예 5∼9에서 제작한 다이싱 다이본드 필름(20)을 이용하여 반도체 웨이퍼(30)를 다이싱한 후, 절단된 반도체칩(30a)의 4변을 주식회사키엔스사제의 광학 현미경 "VHX-1000"(제품명)을 이용하여, 반도체 웨이퍼(30) 표면으로부터 관찰하고, 배율 150배로 확대한 사진을 기초로 하여 반도체 웨이퍼(30)의 분단 상태를 평가했다. 구체적으로는, 5㎜×5㎜의 사이즈의 개편화된 모든 반도체칩(30a)에 관하여 깨지지 않고 정연하게 독립적으로 분단되어 있는지를 평가했다.

반도체 웨이퍼의 다이싱 후의 분단성은, 이하의 판단 기준으로 평가를 행했다. 또한, A의 평가를 합격으로 했다.

A : 모든 칩이 깨지지 않고 독립되어 있다(커프가 형성되어 있음)

C : 깨져 있는 칩이 있거나, 또는, 커프가 충분히 형성되지 않아 이웃하는 칩끼리가 접촉하고 있는 것이 있다

4.2 반도체 웨이퍼의 다이싱 후의 기재 필름의 절삭 부스러기 발생 상태

상술한 실시예 1∼13 및 비교예 1∼4에서 제작한 다이싱 테이프(10), 및 실시예 14∼19 및 비교예 5∼9에서 제작한 다이싱 다이본드 필름(20)을 이용하여 반도체 웨이퍼(30)를 다이싱한 후, 반도체 웨이퍼(30)의 표면의 소정의 5개소에 있어서의 절삭 부스러기의 부착량의 정도에 관하여, 주식회사키엔스사제의 광학 현미경 "VHX-1000"(제품명)을 이용하여, 배율 150배로 확대한 사진을 기초로 하여 관찰했다. 구체적으로는, 다이싱 공정을 거친 반도체 웨이퍼 상의 소정의 5개소의 각각에 있어서, 길이 50㎛ 이상의 실밥 형상의 절삭 부스러기의 수를 카운트하고, 그 5개소에서의 실밥 형상의 절삭 부스러기의 총수를 5로 나눈 값(평균 개수)을 산출했다. 상기의 소정의 5개소란, 다이싱에 의해 형성된 분할홈(다이싱 라인)의 교차 개소 중, 반도체 웨이퍼 중앙에 가장 가까운 교차 개소를 포함하는 하나의 십자 라인부(중앙부)와, 점착제층에 접하는 층에 위치하고 또한 90도 간격으로 반도체 웨이퍼 둘레 방향으로 서로 이격하는 4개의 교차 개소(상하좌우부)에 관련되는 십자 라인부이다.

반도체 웨이퍼의 다이싱 후의 기재 필름의 절삭 부스러기 발생 상태는, 이하의 판단 기준으로 평가를 행했다. 또한, A 또는 B의 평가를 합격으로 했다.

A : 실밥 형상의 절삭 부스러기의 평균 개수가 0 이상 1 미만

B : 실밥 형상의 절삭 부스러기의 평균 개수가 1 이상 10 미만

C : 실밥 형상의 절삭 부스러기의 평균 개수가 10 이상

4.3 반도체칩의 픽업성의 평가

상술한 실시예 1∼13 및 비교예 1∼4에서 제작한 다이싱 테이프(10), 및 실시예 14∼19 및 비교예 5∼9에서 제작한 다이싱 다이본드 필름(20)을 이용하여 반도체 웨이퍼(30)를 다이싱한 후, 반도체칩(30a)간 거리를 확장하기 위해, 각 다이싱 테이프(10) 및 각 다이싱 다이본드 필름(20)에 대하여 익스팬드를 행했다. 또한, 점착제층(2)의 점착제 조성물로서 활성 에너지선 경화성 아크릴계 점착제 조성물을 사용하고 있는 경우는, 익스팬드하기 전에, 기재 필름(1)측으로부터, 점착제층(2)에 대하여, 적산 조사 광량 300mJ/㎠의 자외선(UV)을 조사하여 점착제층(2)을 가교, 경화시켰다. 점착제층(2)의 점착제 조성물로서 활성 에너지선 비경화성 아크릴계 점착제 조성물을 사용하고 있는 경우는, 자외선(UV)을 조사하지 않고 익스팬드했다. 익스팬드 공정에 있어서, 익스팬드 속도(중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재가 상승하는 속도)는, 30㎜/초, 익스팬드량(중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재가 상승하는 거리)은 9㎜로 했다.

상기 익스팬드 공정에 의해, 다이싱 테이프(10) 및 다이싱 다이본드 필름(20) 상에서 개편화된 반도체칩(30a)간 거리가 확장된 상태의 반도체칩(30a)에 관하여, 다이토일렉트론주식회사제의 픽업 장치 "WCS-700"(제품명)을 사용하여 픽업 시험을 행하여, 픽업성을 평가했다. 사용한 픽업부의 콜렛트는, 예를 들면 4.5㎜×4.5㎜의 밀어올림면을 가지고, 5개의 밀어올림 핀(60)이 밀어올림면의 대각선상을 따라 소정의 간격으로 배열되어 있다. 픽업 조건은, 밀어올림 속도를 5㎜/초로 하고, 밀어올림 높이를 350∼500㎛의 범위에서 50㎛씩 변화시켰다. 또한, 이 픽업 조건은 실용상 문제가 되지 않는 범위의 것이다.

그리고, 각 밀어올림 높이에 있어서, 반도체칩(30a)의 샘플수를 소정의 위치의 20개로 하고, 흡착 콜렛트(50)에 의해 반도체칩(30a)이 손상없이 픽업된 반도체칩(30a)의 수를 카운트했다.

반도체칩(30a)의 픽업성은, 각 밀어올림 높이에 있어서, 이하의 판단 기준으로 평가를 행했다.

A : 반도체칩의 픽업 성공수가 20(성공률 100%)

B : 반도체칩의 픽업 성공수가 18 이상 20 미만(성공률 90% 이상 100% 미만)

C : 반도체칩의 픽업 성공수가 16 이상 18 미만(성공률 80% 이상 90% 미만)

D : 반도체칩의 픽업 성공수가 16 미만(성공률 80% 미만)

상기 픽업 시험의 종합 평가로서는, 반도체칩의 픽업 성공수의 평가가 A 또는 B가 되는 밀어올림 핀의 밀어올림 높이의 양이 작으면 작을수록 그 다이싱 테이프(10) 또는 다이싱 다이본드 필름(20)의 픽업성이 보다 우수하다고 판단했다.

5. 평가 결과

실시예 1∼13 및 비교예 1∼4에서 제작한 다이싱 테이프(10), 및 실시예 14∼19 및 비교예 5∼9에서 제작한 다이싱 다이본드 필름(20)에 대한 각 평가 결과에 관하여, 다이싱 테이프(10) 및 다이싱 다이본드 필름(20)의 구성 및 사용한 기재 필름(1)의 구성 등과 합하여 표 1∼7에 나타낸다.

먼저, 표 1∼4에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 요건을 충족하는 기재 필름(1) (a)∼(j)를 사용한 실시예 1∼13의 다이싱 테이프(10) (a)∼(m)은, 다이싱 특성 및 픽업성의 어느 평가에 있어서도 바람직한 결과가 얻어지는 것이 확인되었다.

실시예를 상세하게 비교한 경우, 굴곡 탄성률(G')이 17MPa 이상 115MPa 이하의 범위인 기재 필름(1)을 사용한 실시예 1∼3, 실시예 5, 6, 실시예 10∼13의 다이싱 테이프(10)는, 굴곡 탄성률(G')이 10.4MPa, 118.5MPa, 133.9MPa인 기재 필름(1)을 각각 사용한 실시예 4와 9, 실시예 7, 8의 다이싱 테이프(10)와 비교하여, 다이싱 특성(절삭 부스러기의 억제) 및 픽업성(픽업 성공률이 100%가 되는 최저 밀어올림 높이)의 평가에 있어서 하이레벨로 양립 가능하여 우수한 것을 알 수 있었다. 즉, 굴곡 탄성률(G')이 10.4MPa인 기재 필름(1)을 사용한 실시예 4와 9의 다이싱 테이프(10)는, 다른 실시예의 다이싱 테이프(10)와 비교하여, 다이싱 시의 절삭 부스러기의 억제 효과가 약간 뒤떨어져 있었다. 굴곡 탄성률(G')이 118.5MPa, 133.9MPa인 기재 필름(1)을 각각 사용한 실시예 7, 8의 다이싱 테이프(10)는, 다른 실시예의 다이싱 테이프(10)와 비교하여, 픽업 시험에 있어서, 픽업 성공률이 100%가 되는 최저 밀어올림 높이가 400㎛로서 다른 실시예의 다이싱 테이프(10)의 350㎛보다 50㎛ 커서, 픽업성이 약간 뒤떨어져 있었다.

이에 비하여, 표 4에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 요건을 충족하지 않는 기재 필름(1) (k)∼(n)을 사용한 비교예 1∼4의 다이싱 테이프(10) (n)∼(q)는, 다이싱 특성 및 픽업성 중 적어도 어느 평가에 있어서, 실시예 1∼13의 다이싱 테이프(10) (a)∼(m)보다 뒤떨어지는 결과인 것이 확인되었다.

구체적으로는, 본 발명의 굴곡 탄성률(G')의 범위의 상한값을 상회하는, 굴곡 탄성률(G') 146.5MPa인 PP/EVA/PP(2종 수지, 3층 구성)의 폴리올레핀계 수지로 이루어지는 기재 필름(1) (k)를 사용한 비교예 1의 다이싱 테이프(10) (n)은, 다이싱 시의 분단성 및 절삭 부스러기의 억제 효과는 양호했지만, 픽업 시험에 있어서, 소정 범위의 어느 밀어올림 높이에 있어서도 픽업 성공률은 100%에는 도달하지 않고, 특히 밀어올림 높이가 450㎛ 이상이 되면 칩 깨짐에 기인하는 픽업 미스가 많이 산견(散見)되어, 실시예의 다이싱 테이프(10)와 비교하여 픽업성이 대폭 뒤떨어져 있었다.

또한, 본 발명의 굴곡 탄성률(G')의 범위의 상한값을 상회하는, 굴곡 탄성률(G') 413.0MPa인 PE/PP/PE(2종 수지, 3층 구성)의 폴리올레핀계 수지로 이루어지는 기재 필름(1) (l)를 사용한 비교예 2의 다이싱 테이프(10) (o)는, 다이싱 시의 분단성은 양호했지만, 기재 필름(1)의 제 1 면을 가지는 1층째(점착제층(2)에 접하는 면측)의 PE의 결정 융점의 낮음에 기인하여, 다이싱 시의 절삭 부스러기의 발생·부착이 많이 산견되어, 실시예의 다이싱 테이프(10)와 비교하여, 다이싱 시의 절삭 부스러기의 억제 효과가 뒤떨어져 있었다. 또한, 픽업 시험에 있어서도, 소정 범위의 어느 밀어올림 높이에 있어서도 픽업성 성공률은 100%에는 도달하지 않고, 칩 박리 불량 또는 칩 깨짐에 기인하는 픽업 미스가 많이 산견되어, 실시예의 다이싱 테이프(10)와 비교하여, 픽업성이 대폭 뒤떨어져 있었다.

또한, 본 발명의 굴곡 탄성률(G')의 범위의 상한값을 상회하는, 굴곡 탄성률(G') 159.7MPa인 PBT/PTMG 공중합체의 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머로 이루어지는 기재 필름(1) (m)을 사용한 비교예 3의 다이싱 테이프(10) (p)는, 다이싱 시의 분단성 및 절삭 부스러기의 억제 효과는 양호했지만, 픽업 시험에 있어서는, 비교예 1과 동일한 정도의 평가 결과로서, 실시예의 다이싱 테이프(10)와 비교하여, 픽업성이 대폭 뒤떨어져 있었다.

또한, 본 발명의 굴곡 탄성률(G')의 범위의 상한값을 상회하는, 굴곡 탄성률(G') 218.7MPa인 PBT/PTMG 공중합체의 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머로 이루어지는 기재 필름(1) (n)을 사용한 비교예 4의 다이싱 테이프(10) (q)는, 다이싱 시의 분단성 및 절삭 부스러기의 억제 효과는 양호했지만, 픽업 시험에 있어서는, 비교예 2와 동일한 정도의 평가 결과로서, 실시예의 다이싱 테이프(10)와 비교하여, 픽업성이 대폭 뒤떨어져 있었다.

계속해서, 표 5∼7에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 요건을 충족하는 기재 필름(1) (a), (c)∼(e), (h)를 사용한 실시예 14∼19의 다이싱 다이본드 필름(20) (a)∼(f)에 관해서도, 다이싱 특성 및 픽업성의 어느 평가에 있어서도 바람직한 결과가 얻어지는 것이 확인되었다.

실시예를 상세하게 비교한 경우, 굴곡 탄성률(G')이 17MPa 이상 115MPa 이하의 범위인 기재 필름(1)을 사용한 실시예 15, 16, 실시예 18, 19의 다이싱 다이본드 필름(20)은, 굴곡 탄성률(G')이 10.4MPa, 133.9MPa인 기재 필름(1)을 각각 사용한 실시예 14, 실시예 17의 다이싱 다이본드 필름(20)과 비교하여, 다이싱 특성(절삭 부스러기의 억제) 및 픽업성(픽업 성공률이 100%가 되는 최저 밀어올림 높이)의 평가에 있어서 하이레벨로 양립 가능하여 우수한 것을 알 수 있었다. 즉, 굴곡 탄성률(G')이 10.4MPa인 기재 필름(1)을 사용한 실시예 14의 다이싱 다이본드 필름(20)은, 다른 실시예의 다이싱 다이본드 필름(20)과 비교하여, 절삭 부스러기의 억제 효과가 약간 뒤떨어져 있었다. 굴곡 탄성률(G')이 133.9MPa인 기재 필름(1)을 사용한 실시예 17의 다이싱 다이본드 필름(20)은, 다른 실시예의 다이싱 다이본드 필름(20)과 비교하여, 픽업 성공률이 100%가 되는 최저 밀어올림 높이가 400㎛로서 다른 실시예의 다이싱 다이본드 필름(20)의 350㎛보다 50㎛ 커서, 픽업성이 약간 뒤떨어져 있었다.

이에 비하여, 표 6, 7에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 요건을 충족하지 않는 기재 필름(1) (k)∼(n)을 사용한 비교예 5∼8의 다이싱 다이본드 필름(20) (g)∼(j)는, 다이싱 특성 및 픽업성 중 적어도 어느 평가에 있어서, 실시예 14∼19의 다이싱 다이본드 필름(20) (a)∼(f)보다 뒤떨어지는 결과인 것이 확인되었다.

구체적으로는, 본 발명의 굴곡 탄성률(G')의 범위의 상한값을 상회하는, 굴곡 탄성률(G') 146.5MPa인 PP/EVA/PP(2종 수지, 3층 구성)의 폴리올레핀계 수지로 이루어지는 기재 필름(1) (k)를 사용한 비교예 5의 다이싱 다이본드 필름(20) (g)는, 다이싱 시의 분단성 및 절삭 부스러기의 억제 효과는 양호했지만, 픽업 시험에 있어서, 소정 범위의 어느 밀어올림 높이에 있어서도 픽업 성공률은 100%에는 도달하지 않고, 특히 밀어올림 높이가 450㎛ 이상이 되면 칩 깨짐에 기인하는 픽업 미스가 많이 산견되어, 실시예의 다이싱 다이본드 필름(20)과 비교하여 픽업성이 대폭 뒤떨어져 있었다.

또한, 본 발명의 굴곡 탄성률(G')의 범위의 상한값을 상회하는, 굴곡 탄성률(G') 413.0MPa인 PE/PP/PE(2종 수지, 3층 구성)의 폴리올레핀계 수지로 이루어지는 기재 필름(1) (l)를 사용한 비교예 6의 다이싱 다이본드 필름(20) (h)는, 다이싱 시의 분단성은 양호했지만, 기재 필름(1)의 제 1 면을 가지는 1층째(점착제층(2)에 접하는 면측)의 PE의 결정 융점의 낮음에 기인하여, 다이싱 시의 절삭 부스러기의 발생·부착이 많이 산견되어, 실시예의 다이싱 다이본드 필름(20)과 비교하여, 다이싱 시의 절삭 부스러기의 억제 효과가 뒤떨어져 있었다. 또한, 픽업 시험에 있어서도, 소정 범위의 어느 밀어올림 높이에 있어서도 픽업 성공률은 100%에는 도달하지 않고, 칩 박리 불량 또는 칩 깨짐에 기인하는 픽업 미스가 많이 산견되어, 실시예의 다이싱 다이본드 필름(20)과 비교하여, 픽업성이 대폭 뒤떨어져 있었다.

또한, 본 발명의 굴곡 탄성률(G')의 범위의 상한값을 상회하는, 굴곡 탄성률(G') 159.7MPa인 PBT/PTMG 공중합체의 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머로 이루어지는 기재 필름(1) (m)을 사용한 비교예 7의 다이싱 다이본드 필름(20) (i)는, 다이싱 시의 분단성 및 절삭 부스러기의 억제 효과는 양호했지만, 픽업 시험에 있어서는, 비교예 5와 동일한 정도의 평가 결과로서, 실시예의 다이싱 다이본드 필름(20)과 비교하여, 픽업성이 대폭 뒤떨어져 있었다.

또한, 본 발명의 굴곡 탄성률(G')의 범위의 상한값을 상회하는, 굴곡 탄성률(G') 218.7MPa인 PBT/PTMG 공중합체의 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머로 이루어지는 기재 필름(1) (n)을 사용한 비교예 8의 다이싱 다이본드 필름(20) (q)는, 다이싱 시의 분단성 및 절삭 부스러기의 억제 효과는 양호했지만, 픽업 시험에 있어서는, 비교예 6과 동일한 정도의 평가 결과로서, 실시예의 다이싱 다이본드 필름(20)과 비교하여, 픽업성이 대폭 뒤떨어져 있었다.

1 : 기재 필름
2 : 점착제층
3 : 다이본드 필름(접착제층)
10 : 다이싱 테이프
20 : 다이싱 다이본드 필름
30 : 반도체 웨이퍼
30a : 반도체칩
40 : 링 프레임
50 : 흡착 콜렛트
60 : 밀어올림 핀(니들)

Claims (11)

1. 점착제층이 그 위에 형성되는 제 1 면과 이것에 대향하는 제 2 면을 가지고,
   방향족 디카르본산과 지방족 디올 또는 지환식 디올로 이루어지는 폴리에스테르를 주성분으로 하는 하드 세그먼트 (A)와, 지방족 폴리에테르를 주성분으로 하는 소프트 세그먼트 (B)로 이루어지는 블록 공중합체인, 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머를 포함하는 수지에 의해 구성되는, 다이싱 테이프용의 기재 필름으로서,
   당해 기재 필름은, 양팔보 굽힘 모드에서, 주파수 1Hz, 승온 속도 0.5℃/분의 조건에서 동적 점탄성을 측정했을 때에, 10MPa 이상 135MPa 이하의 범위의 23℃에 있어서의 굴곡 탄성률(G')을 가지는 것을 특징으로 하는 기재 필름.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 기재 필름은, 17MPa 이상 115MPa 이하의 범위의 상기 23℃에 있어서의 굴곡 탄성률(G')을 가지는 것을 특징으로 하는 기재 필름.
3. 제 1 항에 있어서,
   소프트 세그먼트 (B)는, 하드 세그먼트 (A)와 소프트 세그먼트 (B)의 총 질량에 대하여 51질량% 이상 73질량% 이하의 범위의 함유량(공중합량)을 가지는 것을 특징으로 하는 기재 필름.
4. 제 1 항에 있어서,
   소프트 세그먼트 (B)는, 하드 세그먼트 (A)와 소프트 세그먼트 (B)의 총 질량에 대하여 55질량% 이상 70질량% 이하의 범위의 함유량(공중합량)을 가지는 것을 특징으로 하는 기재 필름.
5. 제 1 항에 있어서,
   하드 세그먼트 (A)는, 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT)인 것을 특징으로 하는 기재 필름.
6. 제 1 항에 있어서,
   소프트 세그먼트 (B)는, 폴리(테트라메틸렌옥사이드)글리콜(PTMG) 및/또는 폴리(프로필렌옥사이드)글리콜의 에틸렌옥사이드 부가 중합체(PPG-EO 부가 중합체)인 것을 특징으로 하는 기재 필름.
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 기재 필름은, 단일의 수지층으로 이루어지고, 당해 층을 구성하는 상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머를 포함하는 수지는, 160℃ 이상 200℃ 이하의 범위의 결정 융점을 가지는 것을 특징으로 하는 기재 필름.
8. 제 1 항에 있어서,
   상기 기재 필름은, 복수의 적층된 수지층으로 이루어지고, 제 1 면을 가지는 층을 구성하는 상기 열가소성 폴리에스테르 엘라스토머를 포함하는 수지는, 160℃ 이상 200℃ 이하의 범위의 결정 융점을 가지는 것을 특징으로 하는 기재 필름.
9. 제 1 항에 있어서,
   두께가 70㎛ 이상 155㎛ 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 기재 필름.
10. 제 1 항에 있어서,
    신장률이 300% 이상 700% 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 기재 필름.
11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 기재 필름과, 그 표면에 형성된 점착제층을 가지는 것을 특징으로 하는 다이싱 테이프.

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