KR20210145780A - 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20210145780A
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요헤이 야마시타
하야토 타노우에
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

하지 기판, 상기 하지 기판의 주표면에 형성되는 요철 패턴, 및 상기 요철 패턴을 따라 형성되는 요철층을 포함하는 기판을 유지하는 유지부와, 상기 유지부로 상기 기판을 유지한 상태에서, 상기 요철층의 볼록부에 레이저 광선을 조사하여, 상기 요철층을 평탄화하는 조사부와, 상기 레이저 광선의 조사점의 위치를 제어하는 제어부를 구비하는, 레이저 가공 장치를 제공한다.

Description

레이저 가공 장치, 기판 처리 시스템, 레이저 가공 방법 및 기판 처리 방법
본 개시는 레이저 가공 장치, 기판 처리 시스템, 레이저 가공 방법 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
특허 문헌 1에 기재된 반도체 장치의 제조 방법은, 기판의 상면에 산화 실리콘막을 원하는 패턴으로 형성하는 것과, 산화 실리콘막의 상면에 카본 함유막을 스핀 온법으로 형성하는 것과, 산화 실리콘막이 노출될 때까지 카본 함유막을 CMP(Chemical Mechanical Polishing)법으로 연마하는 것을 포함한다. 이 연마 방법에 의하면, 산화 실리콘막의 평탄면과 카본 함유막의 평탄면이, 동일 평면 상에 형성된다.
특허 문헌 2에 기재된 반도체 장치의 제조 방법은, 제 1 기판에 절연막을 형성하는 것과, 제 2 기판에 절연막을 형성하는 것과, 2 개의 절연막을 개재하여 제 1 기판과 제 2 기판을 붙이는 것을 포함한다. 절연막은 산화 실리콘, 탄화 실리콘 또는 탄질화 실리콘 등으로 형성된다.
특허 문헌 3에 기재된 반도체 장치의 제조 방법(제 10 변형예의 제조 방법)은, 실리콘 기판의 상면에 절연막을 형성하는 것과, 절연막의 상면의 일부에 개구부를 형성하는 것, 개구부에 매립 재료막을 형성하는 것을 포함한다. 매립 재료막은, 예를 들면 산화 실리콘막이다. 매립 재료막은, 개구부 이외의, 절연막의 상면에도 형성되며, CMP법에 의해 평탄화된다. 이 후, 매립 재료막과 가접합 기판이 붙여진다.
국제공개 제2016/143797호 일본국특허공개공보 2018-195656호 일본국특허공개공보 2018-101800호
본 개시의 일태양은, 요철층(凹凸層)을 단시간에 평탄화할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일태양에 따른 레이저 가공 장치는,
하지 기판, 상기 하지 기판의 주표면에 형성되는 요철 패턴, 및 상기 요철 패턴을 따라 형성되는 요철층을 포함하는 기판을 유지하는 유지부와,
상기 유지부로 상기 기판을 유지한 상태에서, 상기 요철층의 볼록부에 레이저 광선을 조사하여, 상기 요철층을 평탄화하는 조사부와,
상기 레이저 광선의 조사점의 위치를 제어하는 제어부를 구비한다.
본 개시의 일태양에 따르면, 요철층을 단시간에 평탄화할 수 있다.
도 1은 일실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 평면도이다.
도 2a는 일실시 형태에 따른 요철층의 단면 시 패턴을 나타내는 단면도이다.
도 2b는 일실시 형태에 따른 요철층의 평면 시 패턴을 나타내는 평면도이다.
도 3은 일실시 형태에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.
도 4는 일실시 형태에 따른 레이저 가공 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5는 일실시 형태에 따른 레이저 가공 방법을 나타내는 순서도이다.
도 6a는 일실시 형태에 따른 갈바노 스캐너의 조사점을 형성할 수 있는 영역을 나타내는 평면도이다.
도 6b는 변형예에 따른 갈바노 스캐너의 조사점을 형성할 수 있는 영역을 나타내는 평면도이다.
도 7a는 호모지나이저를 통과하기 전의, 레이저 광선의 강도 분포의 일례를 나타내는 도이다.
도 7b는 호모지나이저를 통과한 후의, 레이저 광선의 강도 분포의 일례를 나타내는 도이다.
도 8a는 조사점의 배열 방법의 제 1 예를 나타내는 평면도이다.
도 8b는 조사점의 배열 방법의 제 2 예를 나타내는 평면도이다.
도 8c는 조사점의 배열 방법의 제 3 예를 나타내는 평면도이다.
도 9a는 제 1 변형예에 따른 기판을 나타내는 단면도이다.
도 9b는 제 2 변형예에 따른 기판을 나타내는 단면도이다.
도 10a는 제 3 변형예에 따른 기판의 레이저 광선을 조사하기 전의 상태를 나타내는 단면도이다.
도 10b는 제 3 변형예에 따른 기판의 레이저 광선을 조사한 후의 상태를 나타내는 단면도이다.
이하, 본 개시의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서 동일한 또는 대응하는 구성에는 동일한 부호를 부여하여, 설명을 생략하는 경우가 있다. 본 명세서에 있어서, X축 방향, Y축 방향, Z축 방향은 서로 수직인 방향이다. X축 방향 및 Y축 방향은 수평 방향, Z축 방향은 연직 방향이다.
도 1은 일실시 형태에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 평면도이다. 기판 처리 시스템(1)은, 기판(100)의 요철층을 레이저 광선으로 평탄화한다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은, 레이저 광선으로 평탄화한 요철층을 연마한다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은, 요철층을 연마하기 전에, 레이저 광선의 조사 시에 생기는 데브리를 제거해도 된다.
도 2a는 일실시 형태에 따른 요철층의 단면 시 패턴을 나타내는 단면도이다. 도 2a에 있어서, 이점 쇄선은 평탄화 후의 요철층(130)을 나타낸다. 도 2b는 일실시 형태에 따른 요철층의 평면 시 패턴을 나타내는 평면도이다.
기판(100)은, 도 2a에 나타내는 바와 같이, 하지 기판(110)을 포함한다. 하지 기판(110)은, 예를 들면 실리콘 웨이퍼 또는 화합물 반도체 웨이퍼 등의 반도체 기판이다. 또한, 기판(100)은, 하지 기판(110)의 주표면에 형성되는 요철 패턴(120)을 포함한다. 요철 패턴(120)은, 예를 들면 전자 회로의 요철 패턴이다.
기판(100)은, 요철 패턴(120)을 따라 형성되는 요철층(130)을 포함한다. 요철층(130)의 형성 방법은, 예를 들면 CVD(Chemical Vapor Deposition)법, ALD(Atomic Layer Deposition)법 또는 스핀 온법 등이다.
요철층(130)의 형성 방법은, 본 실시 형태에서는 CVD법 또는 ALD법이다. CVD법 및 ALD법은, 스핀 온법과는 달리, 기체로부터 고체를 석출시키므로, 요철 패턴(120)을 그대로 요철층(130)에 전사할 수 있다. 한편, 스핀 온법은, 스핀 코트법으로 액체를 도포하고, 도포한 액막을 열 처리로 고화하는 방법이다. 상세하게는 후술하지만, 스핀 온법에서도, 요철층(130)은, 요철 패턴(120)을 따라 형성되어, 요철 패턴(120)으로 정해지는 형상으로 형성된다.
요철층(130)은, 하지 기판(110)에 가장 가깝고 또한 하지 기판(110)에 평행한 저면(131)과, 그 저면(131)으로부터 하지 기판(110)과는 반대측으로 돌출되는 볼록부(132)를 포함한다. 볼록부(132)는, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 평면에서 봤을 때 직사각형 형상이다. 직사각형은, 2 개의 긴 변과 2 개의 짧은 변을 가지는 장방형(長方形) 외에, 4 변의 길이가 동일한 정방형(正方形)을 포함한다.
볼록부(132)는, 예를 들면 행렬 형상으로 복수 배치된다. 복수의 볼록부(132)는, 동일한 높이(H)를 가져도 된다. 이웃하는 볼록부(132)의 사이에는 저면(131)이 존재하고, 저면(131)은 사각 격자 형상으로 형성된다. 또한, 이웃하는 볼록부(132)의 사이에 저면(131)이 존재하지 않아도 되며, 높이(H)가 상이한 2 개의 볼록부(132)가 연속적으로 배열되어 있어도 된다.
요철층(130)은, 후술하는 바와 같이 레이저 광선(LB)에 의해 평탄화된 후, 연마에 의해 평탄화되므로, 연마 시간을 단축할 수 있다. 요철층(130)이 산화 실리콘, 탄화 실리콘, 질화 실리콘, 탄질화 실리콘 또는 카본을 포함하는 경우, 이들 재료는 딱딱하여, 연마 속도가 느리므로, 레이저 광선(LB)에 의해 평탄화하는 의의가 크다.
또한, 요철층(130)은, 레이저 광선(LB)에 의해 평탄화되면 되며, 그 후에 연마에 의해 평탄화되지 않아도 된다. 연마는, 요철층(130)의 용도에 따라 실시되면 된다. 요철층(130)의 용도에 따라, 요구되는 평탄도가 상이하기 때문이다.
요철층(130)의 용도는, 예를 들면 접합층이다. 이 경우, 요철층(130)은, 산화 실리콘, 탄화 실리콘, 질화 실리콘 또는 탄질화 실리콘으로 형성된다. 요철층(130)은, 평탄화된 면으로, 기판(100)과는 다른 기판과 접합된다. 요철층(130)의 기판과 접합되는 면이 미리 평탄화되므로, 요철층(130)과 기판을 밀착시킬 수 있어, 접합할 수 있다.
또한, 요철층(130)의 용도는, 보호층이어도 된다. 예를 들면, 요철층(130)은, 평탄화된 후에, 상하 반전되고, 척에 흡착된다. 그 상태에서, 하지 기판(110)이 숫돌 등으로 연삭된다. 요철층(130)의 척에 흡착되는 면이 미리 평탄화되므로, 하지 기판(110)을 평탄하게 연삭할 수 있다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)과 제어 장치(9)를 구비한다. 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은, 이 순으로, X축 방향 부측으로부터 X축 방향 정측에 배치된다.
반입반출 스테이션(2)은, 복수의 배치부(21)를 구비한다. 복수의 배치부(21)는, Y축 방향에 일렬로 배치된다. 복수(예를 들면 3 개)의 배치부(21)에는, 각각, 카세트(C)가 배치된다. 하나의 카세트(C)는, 처리 전의 기판(100)을 복수 매 수용한다. 다른 하나의 카세트(C)는, 처리 후의 기판(100)을 복수 매 수용한다. 나머지의 하나의 카세트(C)는, 처리 중에 이상이 생긴 기판(100)을 복수 매 수용한다. 또한, 배치부(21)의 수, 및 카세트(C)의 수는 특별히 한정되지 않는다.
또한, 반입반출 스테이션(2)은, 반송부(23)를 구비한다. 반송부(23)는, 복수의 배치부(21)의 옆에 배치되고, 예를 들면 이들 X축 방향 정측에 배치된다. 또한, 반송부(23)는, 전달부(26)의 옆에 배치되고, 예를 들면 전달부(26)의 X축 방향 부측에 배치된다. 반송부(23)는, 반송 장치(24)를 내부에 구비한다.
반송 장치(24)는, 기판(100)을 유지하는 유지 기구를 구비한다. 유지 기구는, 수평 방향(X축 방향 및 Y축 방향의 양 방향) 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다. 반송 장치(24)는, 복수의 배치부(21)에 배치된 복수의 카세트(C)와 전달부(26)와의 사이에서, 기판(100)을 반송한다.
또한, 반입반출 스테이션(2)은, 전달부(26)를 구비한다. 전달부(26)는, 반송부(23)의 옆에 배치되고, 예를 들면 반송부(23)의 X축 방향 정측에 배치된다. 또한, 전달부(26)는, 처리 스테이션(3)의 옆에 배치되고, 예를 들면, 처리 스테이션(3)의 X축 방향 부측에 배치된다. 전달부(26)는, 트랜지션 장치(27)를 가진다. 트랜지션 장치(27)는, 기판(100)을 일시적으로 수용한다. 복수의 트랜지션 장치(27)가 연직 방향으로 적층되어도 된다. 트랜지션 장치(27)의 배치 및 개수는 특별히 한정되지 않는다.
처리 스테이션(3)은, 제 1 처리 블록(4)과 제 2 처리 블록(5)과 반송 블록(6)을 구비한다. 제 1 처리 블록(4)은, 반송 블록(6)의 옆에 배치되고, 예를 들면, 반송 블록(6)의 Y축 방향 정측에 배치된다. 제 2 처리 블록(5)은, 반송 블록(6)의 옆에 배치되고, 예를 들면, 반송 블록(6)의 Y축 방향 부측에 배치된다.
제 1 처리 블록(4)은, 예를 들면, 레이저 가공 장치(41)를 가진다. 레이저 가공 장치(41)는, 도 4에 나타내는 바와 같이 요철층(130)의 볼록부(132)에, 레이저 광선(LB)의 조사점(P)을 형성한다. 레이저 광선(LB)은, 요철층(130)에 대하여 흡수성을 가진다. 요철층(130)이 카본을 포함하는 경우, 레이저 광선(LB)으로서 예를 들면 파장 190 nm인 것이 이용된다. 또한, 요철층(130)이 산화 실리콘을 포함하는 경우, 레이저 광선(LB)으로서 예를 들면 파장 9300 nm인 것이 이용된다. 볼록부(132)는, 레이저 광선(LB)을 흡수하여, 고체상으로부터 기체상으로 상태 변화하여 비산하거나, 또는 고상인 채로 비산하여, 제거된다. 제거된 볼록부(132)의 위치에는, 도 2a에 이점 쇄선으로 나타내는 바와 같이 저면(131)과 동일한 높이의 평탄면(133)이 형성된다. 그 결과, 요철층(130)이 평탄화된다.
제 2 처리 블록(5)은, 예를 들면, 데브리 제거 장치(51)와 연마 장치(52)를 가진다. 데브리 제거 장치(51)는, 레이저 광선(LB)의 조사 시에 생기는 데브리(Debris)를 제거한다. 데브리는, 조사점(P)으로부터 비산하는 비산물이다. 연마 장치(52)는, 요철층(130)을 레이저 광선(LB)으로 평탄화한 후에, 요철층(130)을 연마한다. 연마 방법은, 예를 들면 CMP(Chemical Mechanical Polishing)법이다. 연마 장치(52)는, 요철 패턴(120)이 노출될 때까지 요철층(130)을 연마해도 되고, 요철 패턴(120)이 노출되지 않도록 요철층(130)을 연마해도 된다. 연마 장치(52)의 연마량은, 요철층(130)의 용도에 따라 결정된다. 연마 장치(52)가 요철층(130)을 연마하기 전에, 데브리 제거 장치(51)가 데브리를 제거한다. 단, 데브리의 제거는, 요철층(130)을 연마하지 않는 경우에 실시되어도 된다. 또한, 데브리의 제거가 불필요한 경우도, 당연히 있을 수 있다.
반송 블록(6)은, 트랜지션 장치(27)의 옆에 배치되고, 예를 들면 트랜지션 장치(27)의 X축 방향 정측에 배치된다. 반송 블록(6)은, 반송 장치(61)를 내부에 구비한다. 반송 장치(61)는, 기판(100)을 유지하는 유지 기구를 구비한다. 유지 기구는, 수평 방향(X축 방향 및 Y축 방향의 양 방향) 및 연직 방향으로의 이동 그리고 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하다. 반송 장치(61)는, 기판(100)을, 트랜지션 장치(27), 레이저 가공 장치(41), 데브리 제거 장치(51) 및 연마 장치(52)에 대하여, 미리 설정된 순서로 반송한다.
또한, 레이저 가공 장치(41), 데브리 제거 장치(51) 및 연마 장치(52)의 배치 및 개수는, 도 1에 나타내는 배치 및 개수에 한정되지 않는다. 이들 장치 중의, 복수의 장치가 연직 방향으로 적층되어도 된다.
제어 장치(9)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 도 1에 나타내는 바와 같이, CPU(Central Processing Unit)(91)와, 메모리 등의 기억 매체(92)를 구비한다. 기억 매체(92)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어 장치(9)는, 기억 매체(92)에 기억된 프로그램을 CPU(91)에 실행시킴으로써, 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다. 또한, 제어 장치(9)는, 입력 인터페이스(93)와 출력 인터페이스(94)를 구비한다. 제어 장치(9)는, 입력 인터페이스(93)에서 외부로부터의 신호를 수신하고, 출력 인터페이스(94)에서 외부로 신호를 송신한다.
상기 프로그램은, 예를 들면 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기억되고, 그 기억 매체로부터 제어 장치(9)의 기억 매체(92)에 인스톨된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면, 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등을 들 수 있다. 또한, 프로그램은, 인터넷을 개재하여 서버로부터 다운로드되어, 제어 장치(9)의 기억 매체(92)에 인스톨되어도 된다.
도 3은 일실시 형태에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다. 도 3에 나타내는 처리는, 제어 장치(9)에 의한 제어 하에서 실시된다. 먼저, 반송 장치(24)가, 배치부(21)에 배치된 카세트(C)로부터 기판(100)을 취출하여, 트랜지션 장치(27)로 반송한다. 이어서, 반송 장치(61)가, 트랜지션 장치(27)로부터 기판(100)을 수취하여, 레이저 가공 장치(41)로 반송한다.
이어서, 레이저 가공 장치(41)가, 기판(100)의 요철층(130)을 레이저 가공한다(S1). 구체적으로, 레이저 가공 장치(41)가, 요철층(130)의 볼록부(132)에 레이저 광선(LB)을 조사하여, 요철층(130)을 평탄화한다. 이 후, 반송 장치(61)가, 레이저 가공 장치(41)로부터 기판(100)을 수취하여, 데브리 제거 장치(51)로 반송한다.
이어서, 데브리 제거 장치(51)가, 레이저 광선(LB)의 조사 시에 생기는 데브리를 제거한다(S2). 데브리 제거 장치(51)는, 예를 들면, 에칭에 의해 데브리를 제거하는 에칭 장치이다. 에칭은, 예를 들면 웨트 에칭이다. 에칭액이, 평탄화가 끝난 요철층(130)의 표면과, 데브리와의 접촉점을 에칭하고, 데브리를 박리하여 흘러가게 한다. 레이저 가공(S1)으로 요철층(130)을 평탄화한 후에, 요철층(130)을 더 평탄화할 목적으로 연마(S3)를 실시하기 전에, 데브리의 제거(S2)가 행해지므로, 데브리가 연마 공구와 기판(100)과의 사이에 끼는 것을 방지할 수 있어, 연마 후의 평탄도를 향상시킬 수 있다. 희불산액을 이용한 웨트 에칭은, 레이저 가공(S1)으로 요철층(130)에 생긴 변색층도 제거할 수 있다. 이 후, 반송 장치(61)가, 데브리 제거 장치(51)로부터 기판(100)을 수취하여, 연마 장치(52)로 반송한다.
이어서, 연마 장치(52)가, 레이저 가공(S1)에 의해 평탄화된 요철층(130)을 연마한다(S3). 연마 방법은, 예를 들면 CMP(Chemical Mechanical Polishing)법이다. 레이저 가공(S1) 후에 연마(S3)를 행하므로, 연마 시간을 단축할 수 있다.
이 후, 반송 장치(61)가, 연마 장치(52)로부터 기판(100)을 수취하여, 트랜지션 장치(27)로 반송한다. 이어서, 반송 장치(24)가, 트랜지션 장치(27)로부터 기판(100)을 수취하여, 배치부(21)에 배치된 카세트(C)로 반송한다. 이 후, 금회의 처리가 종료된다.
이어서, 레이저 가공 장치(41)의 구성 및 동작에 대하여 설명한다. 도 4는 일실시 형태에 따른 레이저 가공 장치를 나타내는 단면도이다. 레이저 가공 장치(41)는, 예를 들면, 유지부(210)와 조사부(220)와 패턴 측정기(230)와 회전 구동부(240)와 이동 구동부(250)를 구비한다.
유지부(210)는, 기판(100)을 유지한다. 예를 들면, 유지부(210)는, 요철층(130)을 위로 향해, 기판(100)을 하방으로부터 수평으로 유지한다. 유지부(210)는, 진공 척 또는 정전 척 등이다.
조사부(220)는, 유지부(210)로 기판(100)을 유지한 상태에서, 요철층(130)의 볼록부(132)에 레이저 광선(LB)을 조사한다. 요철층(130)에는, 레이저 광선(LB)의 조사점(P)이 형성된다. 조사부(220)는, 요철층(130)을 향해 레이저 광선(LB)을 집광 조사해도 되며, 조사점(P)은 본 실시 형태에서는 파워 밀도가 가장 높아지는 집광점이다. 단, 조사점(P)은 집광점이 아니어도 된다. 볼록부(132)는, 레이저 광선(LB)을 흡수하여, 고상으로부터 기상으로 상태 변화하여 비산하거나, 또는 고상인 채로 비산한다. 볼록부(132)가 제거되므로, 요철층(130)이 평탄화된다.
조사부(220)는, 예를 들면 갈바노 스캐너(221)를 포함한다. 갈바노 스캐너(221)는, 예를 들면, 유지부(210)로 유지된 기판(100)의 상방에 배치된다. 갈바노 스캐너(221)에 의하면, 갈바노 스캐너(221)와 유지부(210)와의 상대 위치를 고정한 상태라도, 요철층(130)에 있어서의 조사점(P)을 변위시킬 수 있다.
갈바노 스캐너(221)는, 갈바노 미러(222)와, 갈바노 모터(223)의 조를 2 조(도 4에는 1 조만 도시) 포함한다. 1 개의 갈바노 모터(223)는, 1 개의 갈바노 미러(222)를 회전시켜, X축 방향으로 조사점(P)을 변위시킨다. 다른 1 개의 갈바노 모터(223)는, 다른 1 개의 갈바노 미러(222)를 회전시켜, Y축 방향으로 조사점(P)을 변위시킨다.
조사부(220)는, fθ 렌즈(224)를 포함해도 된다. fθ 렌즈(224)는, Z축 방향에 대하여 수직인 초점면(225)을 형성한다. 갈바노 스캐너(221)가 조사점(P)을 X축 방향 또는 Y축 방향으로 변위시키는 동안, fθ 렌즈(224)가 조사점(P)의 Z축 방향 위치를 초점면(225)에 유지하고, 또한, 초점면(225)에 있어서의 조사점(P)의 형상 및 치수를 유지한다. 그 결과, 후술하는 바와 같이 직사각형의 조사점(P)을, 직사각형의 볼록부(132)에 규칙 바르게 또한 빈틈 없이 이차원적으로 배열할 수 있다.
패턴 측정기(230)는, 평탄화하기 전의 요철층(130)의 패턴을 측정한다. 패턴 측정기(230)로서, 예를 들면, 요철층(130)의 높이(H)를 측정하는 변위계(231)가 이용된다. 요철층(130)의 높이(H)는, 예를 들면 저면(131)을 기준으로서 측정한다. 변위계(231)는, 예를 들면 레이저 변위계로서, 요철층(130)까지의 거리를 측정함으로써, 요철층(130)의 높이(H)를 측정한다. 변위계(231)는, 본 실시 형태에서는 비접촉식이지만, 접촉식이어도 된다. 변위계(231)는, 그 측정 결과의 데이터를 제어 장치(9)로 송신한다. 제어 장치(9)는, 변위계(231)와 유지부(210)를 상대적으로 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동하면서, 변위계(231)로 요철층(130)의 높이(H)를 측정하고, 요철층(130)의 단면 시 패턴을 측정한다.
또한, 패턴 측정기(230)로서, 예를 들면, 요철층(130)의 볼록부(132)의 윤곽을 촬상하는 카메라(232)가 이용된다. 카메라(232)는, 저면(131)에 대하여 수직인 방향으로부터 볼록부(132)의 윤곽을 촬상하고, 그 촬상한 화상의 데이터를 제어 장치(9)로 송신한다. 제어 장치(9)는, 카메라(232)로부터 수신한 화상을 화상 처리하여, 요철층(130)의 평면 시 패턴을 측정한다. 요철층(130)의 평면 시 패턴은, 볼록부(132)의 윤곽을 포함한다.
회전 구동부(240)는, 유지부(210)를 회전시킨다. 유지부(210)의 회전 중심선(241)은, Z축 방향에 평행하다. 회전 구동부(240)는, 예를 들면 회전 모터를 포함한다. 회전 구동부(240)는, 유지부(210)와 함께 기판(100)을 회전시켜, 평면 시 직사각형 형상의 볼록부(132)의 2 변을 X축 방향에 평행하게 하고, 또한 나머지의 2 변을 Y축 방향에 평행하게 한다.
이동 구동부(250)는, 유지부(210)와 조사부(220)를 상대적으로 X축 방향, Y축 방향 및 Z축 방향으로 이동시킨다. 이동 구동부(250)는 예를 들면 제 1 구동부(251)와 제 2 구동부(252)를 가지고, 제 1 구동부(251)가 유지부(210)를 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동시키고, 제 2 구동부(252)가 조사부(220)를 Z축 방향으로 이동시킨다.
제 1 구동부(251)는, 예를 들면 XY 스테이지 등이다. 제 2 구동부(252)는, Z축 가이드(253)와, Z축 가이드(253)를 따라 조사부(220)를 이동시키는 모터 등의 구동원(254)을 포함한다. 조사부(220)는, X축 방향 및 Y축 방향으로는 이동하지 않으므로, Z축 방향으로부터의 레이저 광선(LB)을 항상 동일 점에서 받을 수 있다. 조사부(220)는, fθ 렌즈(224)의 초점면(225)과 볼록부(132)의 꼭대기 면이 일치하도록, Z축 방향으로 이동된다. 또한, 조사부(220) 대신에, 유지부(210)가 Z축 방향으로 이동해도 된다.
도 5는 일실시 형태에 따른 레이저 가공 방법을 나타내는 순서도이다. 도 5에 나타내는 처리는, 레이저 가공 장치(41)가 반송 장치(61)로부터 기판(100)을 수취하여, 유지부(210)가 기판(100)을 흡착한 후에 개시된다.
먼저, 제어 장치(9)는, 패턴 측정기(230)로 요철층(130)의 패턴을 측정한다(S11). 구체적으로, 제어 장치(9)는, 변위계(231)와 유지부(210)를 상대적으로 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동하면서, 변위계(231)로 요철층(130)의 높이를 측정하고, 요철층(130)의 단면 시 패턴을 측정한다. 또한, 제어 장치(9)는, 카메라(232)로 요철층(130)을 촬상하고, 촬상한 화상을 화상 처리하여, 요철층(130)의 평면 시 패턴을 측정한다.
이어서, 제어 장치(9)는, 회전 구동부(240) 및 이동 구동부(250)를 제어하여, 유지부(210)와 조사부(220)와의 위치 조정을 실시한다(S12). 구체적으로, 제어 장치(9)는, 카메라(232)로 측정한 볼록부(132)의 윤곽에 기초하여 유지부(210)의 회전을 제어하여, 평면 시 직사각형 형상의 볼록부(132)의 2 변을 X축 방향에 평행하게 하고, 또한 나머지의 2 변을 Y축 방향에 평행하게 한다. 또한, 제어 장치(9)는, 조사부(220)를 Z축 방향으로 이동시켜, 조사점(P)의 높이와 볼록부(132)의 높이를 맞춘다. 조사점(P)의 높이는, 초점면(225)의 높이이다. 또한, 제어 장치(9)는, 유지부(210)를 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동시켜, 갈바노 스캐너(221)의 조사점(P)을 형성할 수 있는 영역 A와, 기판(100)의 원하는 영역을 중첩시킨다. 영역 A는, 갈바노 미러(222)의 회전에 의해 조사점(P)을 이동시킬 수 있는 영역이다.
도 6a는 일실시 형태에 따른 갈바노 스캐너의 조사점을 형성할 수 있는 영역을 나타내는 평면도이다. 도 6a에 나타내는 바와 같이, 기판(100)은 예를 들면 둘레 방향으로 4 개의 영역(B1 ~ B4)으로 구분된다. 4 개의 영역(B1 ~ B4)은, 각각, 중심각이 90°인 부채꼴 형상이다. 4 개의 영역(B1 ~ B4) 중의, 1 개의 영역(예를 들면 영역 B1)이, 영역 A의 내부에 들어간다.
이어서, 제어 장치(9)는, 볼록부(132)에 레이저 광선(LB)을 조사하여, 볼록부(132)를 제거한다(S13). 제어 장치(9)는, 변위계(231)로 측정한 볼록부(132)의 높이(H)에 기초하여, 레이저 광선(LB)의 광원(270)의 출력(W)을 제어한다. 그 출력은, 제거하는 볼록부(132)의 위치에, 저면(131)과 동일한 높이의 평탄면(133)이 형성되도록 설정된다. 볼록부(132)의 높이(H)가 높을 수록, 광원(270)의 출력이 높게 설정된다. 제어 장치(9)는, 갈바노 스캐너(221)를 제어하여, 영역 B1의 내부에 존재하는 복수의 볼록부(132)를 제거한다.
이어서, 제어 장치(9)는, 4 개의 영역(B1 ~ B4)의 전부에 있어서, 볼록부(132)가 제거되었는지 여부를 체크한다(S14).
4 개의 영역(B1 ~ B4) 중 하나 이상에서, 볼록부(132)가 남아 있는 경우(S14, NO), 남아 있는 볼록부(132)를 제거하기 위하여, 제어 장치(9)는 S12로 돌아와, S12 이후의 처리를 실시한다. 구체적으로, 제어 장치(9)는, 유지부(210)를 회전시켜, 4 개의 영역(B1 ~ B4) 중의, 볼록부(132)가 남아 있는 영역(예를 들면 영역 B2)을, 영역 A와 중첩시킨다. 제어 장치(9)는, 유지부(210)를 90° × n(n은 1 이상의 정수) 회전하여, 영역 A와 중첩되는, 기판(100)의 영역을 전환한다. 유지부(210)가 90° × n(n은 1 이상의 정수) 회전하므로, 평면 시 직사각형 형상의 볼록부(132)의 2 변은 X축 방향에 평행하게 되고, 나머지의 2 변은 Y축 방향에 평행하게 된다. 본 실시 형태에서는 기판(100)이 4 개의 영역(B1 ~ B4)으로 구분되므로, S12와 S13가 4 회 실시된다.
한편, 4 개의 영역(B1 ~ B4) 전부에서, 볼록부(132)가 없는 경우(S14, YES), 제어 장치(9)는 금회의 처리를 종료한다. 이 후, 제어 장치(9)는, 유지부(210)에 의한 기판(100)의 유지를 해제한다. 이 후, 반송 장치(61)가, 레이저 가공 장치(41)로부터 기판(100)을 수취하여, 데브리 제거 장치(51)로 반송한다.
또한, 본 실시 형태의 기판(100)은 도 6a에 나타내는 바와 같이 둘레 방향으로 4 개의 영역(B1 ~ B4)으로 구분되는데, 그 구분의 방법은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 6b에 나타내는 바와 같이, 기판(100)은 둘레 방향으로 2 개의 영역(B1, B2)으로 구분되어도 된다. 2 개의 영역(B1, B2)은, 각각, 중심각이 180°인 반원 형상이다. 2 개의 영역(B1, B2) 중, 1 개의 영역(예를 들면 영역 B1)이, 영역 A의 내부에 들어간다. 제어 장치(9)는, 유지부(210)를 180° × n(n은 1 이상의 정수) 회전하여, 영역 A와 중첩되는, 기판(100)의 영역을 전환한다. 도 6b에 나타내는 기판(100)은 2 개의 영역(B1 ~ B2)으로 구분되므로, S12와 S13가 2 회 실시된다.
제어 장치(9)는, 상기한 바와 같이, 갈바노 스캐너(221), 회전 구동부(240) 및 이동 구동부(250)를 제어하여, 조사점(P)의 위치를 제어한다. 또한, 이동 구동부(250)만을 제어하여, 조사점(P)의 위치를 제어하는 것도 가능하다. 그 경우, 갈바노 스캐너(221)는 없어도 된다.
그런데, 도 4에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치(41)는, 호모지나이저(260)를 구비해도 된다. 도 7a는 호모지나이저를 통과하기 전의, 레이저 광선의 강도 분포의 일례를 나타내는 도이다. 도 7b는 호모지나이저를 통과한 후의, 레이저 광선의 강도 분포의 일례를 나타내는 도이다. 호모지나이저(260)는, 레이저 광선(LB)의 강도 분포를 도 7a에 나타내는 가우시안 분포로부터 도 7b에 나타내는 탑 햇 분포로 변경하여, 그 강도 분포를 균일화한다.
또한, 도 4에 나타내는 바와 같이, 레이저 가공 장치(41)는, 애퍼처(265)를 구비해도 된다. 애퍼처(265)는, 레이저 광선(LB)의 단면 형상을 직사각형으로 정형한다. 직사각형은, 장방형뿐 아니라, 정방형을 포함한다. 애퍼처(265)는, 직사각형의 개구를 가지는 차광막이다. 그 개구는, 예를 들면 도 7b에 화살표 D로 나타내는 범위의 레이저 광선(LB)을 통과시킨다.
호모지나이저(260)와 애퍼처(265)에 의해, 강도 분포가 균일한 직사각형의 조사점(P)을 형성할 수 있다. 그 조사점(P)을 후술하는 바와 같이 규칙 바르게 또한 빈틈 없이 이차원적으로 배열함으로써, 단위 면적당 레이저 광선(LB)의 적산 조사량(J)을 균일화할 수 있어, 국소적인 가열을 억제할 수 있으므로, 요철층(130) 아래의 요철 패턴(120)의 손상을 억제하면서, 요철층(130)의 원하는 부분을 선택적으로 제거할 수 있다. 또한, 조사점(P)의 외연에서 강도 분포가 불연속으로 변화하므로, 요철층(130)의 제거되는 부분과 요철층(130)의 잔존하는 부분과의 경계를 샤프하게 형성할 수 있다.
도 8a는 조사점의 배열 방법의 제 1 예를 나타내는 평면도이다. 조사점(P)은 강도 분포가 균일한 직사각형이며, 직사각형의 2 변은 X축 방향에 평행하며, 직사각형의 나머지의 2 변은 Y축 방향에 평행하다. 조사점(P)의 X축 방향 치수(X0)는, 조사점(P)의 Y축 방향 치수(Y0)와 동일해도 되고, 상이해도 된다. 도 8b 및 도 8c에 있어서도 동일하다.
도 8a에 나타내는 바와 같이, 제어 장치(9)는, 레이저 광선(LB)을 펄스 발진하면서, 펄스의 오프 시간의 동안에 조사점(P)을 X축 방향으로 X0씩 움직여, 볼록부(132)의 X축 방향 전체에 걸쳐 조사점(P)을 빈틈 없이 일렬로 배열한다. 이 후, 제어 장치(9)는, 레이저 광선(LB)을 펄스 발진하면서, 펄스의 오프 시간의 동안에 조사점(P)을 Y축 방향으로 Y0만큼 움직이는 것과, 펄스의 오프 시간의 동안에 조사점(P)을 X축 방향으로 X0씩 움직이는 것을 반복하여, 볼록부(132)에 조사점(P)을 빈틈 없이 이차원적으로 배열한다. 도 8a에 나타내는 조사점(P)의 배열 방법에 의하면, 단위 면적당 레이저 광선(LB)의 적산 조사량을 균일화할 수 있어, 국소적인 가열을 억제할 수 있다.
도 8b는 조사점의 배열 방법의 제 2 예를 나타내는 평면도이다. 도 8b에 나타내는 바와 같이, 제어 장치(9)는, 레이저 광선(LB)을 펄스 발진하면서, 펄스의 오프 시간의 동안에 조사점(P)을 X축 방향으로 X0의 반값씩 움직여, 볼록부(132)의 X축 방향 전체에 걸쳐 조사점(P)을 중첩시키면서 일렬로 배열한다. 이 후, 제어 장치(9)는, 레이저 광선(LB)을 펄스 발진하면서, 펄스의 오프 시간의 동안에 조사점(P)을 Y축 방향으로 Y0만큼 움직이는 것과, 펄스의 오프 시간의 동안에 조사점(P)을 X축 방향으로 X0의 반값씩 움직이는 것을 반복하여, 볼록부(132)에 조사점(P)을 빈틈 없이 이차원적으로 배열한다. 도 8b에 나타내는 조사점(P)의 배열 방법에 의하면, 단위 면적당 레이저 광선(LB)의 적산 조사량을 균일화할 수 있어, 국소적인 가열을 억제할 수 있다. 또한, 제어 장치(9)는, 레이저 광선(LB)을 펄스 발진하면서, 펄스의 오프 시간의 동안에 조사점(P)을 Y축 방향으로 Y0만큼 움직이는 것 대신에, 펄스의 오프 시간의 동안에 조사점(P)을 Y축 방향으로 Y0의 반값만큼 움직이는 것을 실시해도 된다.
도 8c는 조사점의 배열 방법의 제 3 예를 나타내는 평면도이다. 도 8c에 나타내는 바와 같이, 제어 장치(9)는, 레이저 광선(LB)을 펄스 발진하면서, 펄스의 오프 시간의 동안에 조사점(P)을 X축 방향으로 X0의 2 배씩 움직여, 볼록부(132)의 X축 방향 전체에 걸쳐 간극(SP)을 형성하면서 조사점(P)을 일렬로 배열한다. 이어서, 제어 장치(9)는, 상기 간극(SP)을 조사점(P)으로 채우도록, 다시 레이저 광선(LB)을 펄스 발진하면서, 펄스의 오프 시간의 동안에 조사점(P)을 X축 방향으로 X0의 2 배씩 움직인다. 이 후, 제어 장치(9)는, 레이저 광선(LB)을 펄스 발진하면서, 펄스의 오프 시간의 동안에 조사점(P)을 Y축 방향으로 Y0만큼 움직이는 것과, 펄스의 오프 시간의 동안에 조사점(P)을 X축 방향으로 X0의 2 배씩 움직이는 것과, 상기 간극(SP)을 조사점(P)으로 채우도록, 펄스의 오프 시간의 동안에 조사점(P)을 X축 방향으로 X0의 2 배씩 움직이는 것을 반복하여, 조사점(P)을 빈틈 없이 이차원적으로 배열한다. 도 8c에 나타내는 조사점(P)의 배열 방법에 의하면, 단위 면적당 레이저 광선(LB)의 적산 조사량을 균일화할 수 있어, 국소적인 가열을 억제할 수 있다.
이상, 본 개시에 따른 레이저 가공 장치, 기판 처리 시스템, 레이저 가공 방법 및 기판 처리 방법에 대하여 설명했지만, 본 개시는 상기 실시 형태 등에 한정되지 않는다. 특허 청구의 범위에 기재된 범주 내에 있어서, 각종의 변경, 수정, 치환, 부가, 삭제 및 조합이 가능하다. 그들에 대해서도 당연히 본 개시의 기술적 범위에 속한다.
요철 패턴(120)은, 하지 기판(110)의 주표면에 형성되면 되며, 예를 들면 하지 기판(110)과는 다른 기판에 형성된 반도체 칩을 하지 기판(110)의 주표면에 간격을 두고 복수 배열하여, 복수의 반도체 칩과 하지 기판(110)을 접합함으로써 형성되어도 된다. 복수의 반도체 칩은, 간격을 두고 행렬 형상으로 배치되어도 된다.
도 9a는 제 1 변형예에 따른 기판을 나타내는 단면도이다. 도 9a에 있어서, 이점 쇄선은 평탄화 후의 요철층(130)을 나타낸다. 본 변형예의 요철층(130)은, 스핀 온법으로 형성된다. 스핀 온법은, 스핀 코트법으로 액체를 도포하고, 도포한 액막을 열 처리로 고화하는 방법이다. 액체로서, 예를 들면 카본을 포함하는 것이 이용된다. 액체는 유동할 수 있으므로, 미세한 요철 구조 상에서는, 액막의 높이가 평균화되어, 볼록부(132)의 높이가 낮아진다. 그 결과, 다른 높이(H1, H2)의 복수의 볼록부(132)가 존재한다. 제어 장치(9)는, 변위계(231)로 측정한 볼록부(132)의 높이(H1, H2)에 기초하여, 레이저 광선(LB)의 광원(270)의 출력(W)을 제어한다. 그 출력은, 제거하는 볼록부(132)의 위치에, 저면(131)과 동일한 높이의 평탄면(133)이 형성되도록 설정된다.
도 9b는 제 2 변형예에 따른 기판을 나타내는 단면도이다. 도 9b에 있어서, 이점 쇄선은 평탄화 후의 요철층(130)을 나타낸다. 본 변형예의 요철층(130)은, 상기 제 1 변형예의 요철층(130)과 마찬가지로 스핀 온법으로 형성되지만, 상기 제 1 변형예의 요철층(130)보다 두껍게 형성된다. 제어 장치(9)는, 볼록부(132)뿐 아니라, 저면(131)에도 조사점(P)을 형성한다. 즉, 제어 장치(9)는, 요철층(130)의 상면 전체에, 레이저 광선(LB)을 조사한다. 제어 장치(9)는, 변위계(231)로 측정한 볼록부(132)의 높이(H1, H2) 및 저면(131)의 높이(H3)에 기초하여, 레이저 광선(LB)의 광원(270)의 출력(W)을 제어한다. 이 경우, 볼록부(132)의 높이(H1, H2) 및 저면(131)의 높이(H3)는, 평탄화 후의 요철층(130)의 평탄면(133)을 기준으로서 측정된다. 광원(270)의 출력은, 요철층(130)의 전체가 평탄화되고, 그 층 두께가 일정하게 되도록 설정된다. 또한, 저면(131)의 높이(H3)는, 요철층(130)의 재료인 액체의 도포량으로 정해진다.
도 10a는 제 3 변형예에 따른 기판의 레이저 광선을 조사하기 전의 상태를 나타내는 단면도이다. 도 10b는 제 3 변형예에 따른 기판의 레이저 광선을 조사한 후의 상태를 나타내는 단면도이다. 본 변형예의 기판(100)은 하지 기판(110), 요철 패턴(120) 및 요철층(130)에 더하여, 수용성 보호층(140)을 더 가진다. 수용성 보호층(140)은, 요철층(130)의 하지 기판(110)과는 반대측의 표면에 형성되어, 레이저 광선(LB)의 조사 시에 생기는 데브리(141)로부터, 요철층(130)을 보호한다. 수용성 보호층(140)은, 수용성의 수지 등으로 형성된다. 이 경우, 데브리 제거 장치(51)는, 수용성 보호층(140)을 물에 녹여 제거하고, 데브리(141)를 제거하는 세정 장치이다.
본 출원은 2019년 4월 5일에 일본 특허청에 출원한 특허출원 2019-073042호에 기초하는 우선권을 주장하는 것으로, 특허출원 2019-073042호의 모든 내용을 본 출원에 원용한다.
1 : 기판 처리 시스템
9 : 제어 장치(제어부)
41 : 레이저 가공 장치
51 : 데브리 제거 장치
52 : 연마 장치
100 : 기판
110 : 하지 기판
120 : 요철 패턴
130 : 요철층
140 : 수용성 보호층
210 : 유지부
220 : 조사부
221 : 갈바노 스캐너
230 : 패턴 측정기
240 : 회전 구동부
250 : 이동 구동부

Claims (20)

  1. 하지 기판, 상기 하지 기판의 주표면에 형성되는 요철 패턴, 및 상기 요철 패턴을 따라 형성되는 요철층을 포함하는 기판을 유지하는 유지부와,
    상기 유지부로 상기 기판을 유지한 상태에서, 상기 요철층의 볼록부에 레이저 광선을 조사하여, 상기 요철층을 평탄화하는 조사부와,
    상기 레이저 광선의 조사점의 위치를 제어하는 제어부를 구비하는, 레이저 가공 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 요철층은, 산화 실리콘, 탄화 실리콘, 질화 실리콘, 탄질화 실리콘 또는 카본을 포함하는, 레이저 가공 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 레이저 광선으로 평탄화하기 전에, 상기 요철층의 패턴을 측정하는 패턴 측정기를 구비하는, 레이저 가공 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 패턴 측정기로서, 상기 요철층의 높이를 측정하는 변위계를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 변위계로 측정한 상기 볼록부의 높이에 기초하여, 상기 레이저 광선의 광원의 출력을 제어하는, 레이저 가공 장치.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 패턴 측정기로서, 상기 요철층을 촬상하는 카메라를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 카메라로 촬상한 상기 볼록부의 윤곽에 기초하여, 상기 유지부의 회전을 제어하는, 레이저 가공 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 조사부는, 상기 요철층에 있어서의 상기 조사점을 변위시키는 갈바노 스캐너를 포함하는, 레이저 가공 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 유지부를 회전시키는 회전 구동부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 유지부와 함께 상기 기판을 회전시켜, 상기 갈바노 스캐너의 상기 조사점을 형성할 수 있는 영역과 중첩되는, 상기 기판의 영역을 전환하는, 레이저 가공 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 광선의 강도 분포를 균일화하는 호모지나이저와,
    상기 레이저 광선의 단면 형상을 직사각형으로 정형하는 애퍼처를 구비하는, 레이저 가공 장치.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 레이저 가공 장치와,
    상기 요철층을 상기 레이저 광선으로 평탄화한 후에, 상기 요철층을 연마하는 연마 장치를 구비하는, 기판 처리 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 요철층을 연마하기 전에, 상기 레이저 광선의 조사 시에 생기는 데브리를 제거하는 데브리 제거 장치를 구비하는, 기판 처리 시스템.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 데브리 제거 장치는, 에칭에 의해 상기 데브리를 제거하는 에칭 장치인, 기판 처리 시스템.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 요철층의 상기 하지 기판과는 반대측의 표면에는, 상기 데브리로부터 상기 요철층을 보호하는 수용성 보호층이 형성되어 있고,
    상기 데브리 제거 장치는, 상기 수용성 보호층을 물에 녹여 제거하는 세정 장치인, 기판 처리 시스템.
  13. 하지 기판, 상기 하지 기판의 주표면에 형성되는 요철 패턴, 및 상기 요철 패턴을 따라 형성되는 요철층을 포함하는 기판을, 유지부로 유지하는 것과,
    상기 유지부로 상기 기판을 유지한 상태에서, 상기 요철층의 볼록부에 레이저 광선을 조사하여, 상기 요철층을 평탄화하는 것과,
    상기 레이저 광선의 조사점의 위치를 제어하는 것을 포함하는, 레이저 가공 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 레이저 광선으로 평탄화하기 전에, 상기 요철층의 높이를 측정하는 것과,
    상기 측정한 상기 볼록부의 높이에 기초하여, 상기 레이저 광선의 광원의 출력을 제어하는 것을 포함하는, 레이저 가공 방법.
  15. 제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,
    상기 레이저 광선으로 평탄화하기 전에, 상기 요철층을 촬상하는 것과,
    상기 촬상한 상기 볼록부의 윤곽에 기초하여, 상기 유지부의 회전을 제어하는 것을 포함하는, 레이저 가공 방법.
  16. 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    갈바노 스캐너에 의해, 상기 요철층에 있어서의 상기 조사점을 변위시키는, 레이저 가공 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 유지부와 함께 상기 기판을 회전시켜, 상기 갈바노 스캐너의 상기 조사점을 형성할 수 있는 영역과 중첩되는, 상기 기판의 영역을 전환하는 것을 포함하는, 레이저 가공 방법.
  18. 제 13 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 레이저 광선의 강도 분포를, 호모지나이저에 의해 균일화하는 것과,
    상기 레이저 광선의 단면 형상을, 애퍼처에 의해 직사각형으로 정형하는 것을 포함하는, 레이저 가공 방법.
  19. 제 13 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 기재된 레이저 가공 방법으로, 상기 요철층을 평탄화하는 것과,
    상기 요철층을 상기 레이저 광선으로 평탄화한 후에, 상기 요철층을 연마하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 요철층을 연마하기 전에, 상기 레이저 광선의 조사 시에 생기는 데브리를 제거하는 것을 포함하는, 기판 처리 방법.
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