KR20210133980A - 발광 소자 - Google Patents
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- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 226
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 167
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims abstract description 155
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 32
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 171
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 104
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 68
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 65
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 59
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 53
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 52
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 52
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 claims description 46
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 31
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 30
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 28
- 150000004696 coordination complex Chemical group 0.000 claims description 27
- 125000000000 cycloalkoxy group Chemical group 0.000 claims description 26
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 22
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 20
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 15
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 14
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 14
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical group [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical group [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 13
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 claims description 12
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 10
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical group [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical group [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 claims description 8
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical group C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N cinnoline Chemical group N1=NC=CC2=CC=CC=C21 WCZVZNOTHYJIEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 claims description 3
- 125000001425 triazolyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 192
- 239000000463 material Substances 0.000 description 96
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 76
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 76
- -1 2-ethylhexyl group Chemical group 0.000 description 66
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 56
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 52
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 19
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 239000000047 product Substances 0.000 description 13
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N Furan Chemical compound C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 10
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical group 0.000 description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 7
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 7
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 7
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 5
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 5
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 125000004306 triazinyl group Chemical group 0.000 description 5
- 0 CC*c(ccc(-c1cccc(-c2cc(-c3ccccc3)cc(-c3ccccc3)c2)c1)c1)c1C1=*(C(C)*=C)C=C*1c1c(*)cccc1* Chemical compound CC*c(ccc(-c1cccc(-c2cc(-c3ccccc3)cc(-c3ccccc3)c2)c1)c1)c1C1=*(C(C)*=C)C=C*1c1c(*)cccc1* 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000000609 carbazolyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- XXPBFNVKTVJZKF-UHFFFAOYSA-N dihydrophenanthrene Natural products C1=CC=C2CCC3=CC=CC=C3C2=C1 XXPBFNVKTVJZKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 4
- 125000002183 isoquinolinyl group Chemical group C1(=NC=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- 125000004076 pyridyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000001542 size-exclusion chromatography Methods 0.000 description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 4
- 150000003852 triazoles Chemical group 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 10H-phenoxazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3OC2=C1 TZMSYXZUNZXBOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 3
- 125000000392 cycloalkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N dibenzofuran Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3OC2=C1 TXCDCPKCNAJMEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trichloroethane Chemical compound ClCC(Cl)Cl UBOXGVDOUJQMTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 1-Methoxy-4-methylbenzene Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1 CHLICZRVGGXEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical compound C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTEQMZWBSYACLV-UHFFFAOYSA-N Hexylbenzene Chemical compound CCCCCCC1=CC=CC=C1 LTEQMZWBSYACLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N acridine Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 2
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical group 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N dibenzothiophene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3SC2=C1 IYYZUPMFVPLQIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N isoquinoline Chemical compound C1=NC=CC2=CC=CC=C21 AWJUIBRHMBBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000168 pyrrolyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXJHQQLYKUVLIE-UHFFFAOYSA-N 1,2-dihydroacridine Chemical compound C1=CC=C2N=C(C=CCC3)C3=CC2=C1 UXJHQQLYKUVLIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940015975 1,2-hexanediol Drugs 0.000 description 1
- FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=NN=CO1 FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBIZXFATKUQOOA-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-thiadiazole Chemical compound C1=NN=CS1 MBIZXFATKUQOOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran Chemical group C1=CC=C2OC=CC2=C1 IANQTJSKSUMEQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006039 1-hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005978 1-naphthyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical group CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006017 1-propenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000530 1-propynyl group Chemical group [H]C([H])([H])C#C* 0.000 description 1
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJMUYABFXCIYSC-UHFFFAOYSA-N 1H-phosphole Chemical compound C=1C=CPC=1 DJMUYABFXCIYSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trinitrofluoren-1-one Chemical compound C1=CC=C2C3=C([N+](=O)[O-])C([N+]([O-])=O)=C([N+]([O-])=O)C(=O)C3=CC2=C1 FKNIDKXOANSRCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004974 2-butenyl group Chemical group C(C=CC)* 0.000 description 1
- 125000000069 2-butynyl group Chemical group [H]C([H])([H])C#CC([H])([H])* 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006176 2-ethylbutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 125000005979 2-naphthyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- NHNSFSHXXANGNG-UHFFFAOYSA-N 2-phenylbut-2-enedinitrile Chemical group N#CC=C(C#N)C1=CC=CC=C1 NHNSFSHXXANGNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004975 3-butenyl group Chemical group C(CC=C)* 0.000 description 1
- 125000000474 3-butynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006201 3-phenylpropyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical compound C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940077398 4-methyl anisole Drugs 0.000 description 1
- CBYCFWOEFRFWMH-UHFFFAOYSA-N 5,7,12,14-tetrahydroquinolino[2,3-b]acridine Chemical compound C1C2=CC=CC=C2NC2=C1C=C1NC3=CC=CC=C3CC1=C2 CBYCFWOEFRFWMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006043 5-hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- IGDNJMOBPOHHRN-UHFFFAOYSA-N 5h-benzo[b]phosphindole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3PC2=C1 IGDNJMOBPOHHRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N Amitrole Chemical group NC1=NC=NN1 KLSJWNVTNUYHDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYNSBQPICQTCGU-UHFFFAOYSA-N Benzopyrane Chemical compound C1=CC=C2C=CCOC2=C1 KYNSBQPICQTCGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007125 Buchwald synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTSZLGGCDTXNGY-UHFFFAOYSA-N C=CC(C=C)=CC(N(c1ccccc1)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(C1C=CCCC1)c1cc(C=C)ccc1)=C Chemical compound C=CC(C=C)=CC(N(c1ccccc1)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(C1C=CCCC1)c1cc(C=C)ccc1)=C NTSZLGGCDTXNGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MADDNWBHJXZABX-UHFFFAOYSA-N C=Cc(cc1)ccc1N(C1C=CC=CC1)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c1ccccc1)c1ccc(C=C)cc1 Chemical compound C=Cc(cc1)ccc1N(C1C=CC=CC1)c(cc1)ccc1-c(cc1)ccc1N(c1ccccc1)c1ccc(C=C)cc1 MADDNWBHJXZABX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTYMCCFZYRLSMR-UHFFFAOYSA-N Cc(cc1)ccc1N(C1C=CC(C2(CCCCC2)c(cc2)ccc2N(c2ccc(C)cc2)c2ccc(C)cn2)=CC1)c1ccc(C)cc1 Chemical compound Cc(cc1)ccc1N(C1C=CC(C2(CCCCC2)c(cc2)ccc2N(c2ccc(C)cc2)c2ccc(C)cn2)=CC1)c1ccc(C)cc1 DTYMCCFZYRLSMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 238000005577 Kumada cross-coupling reaction Methods 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRZQGDNQQAALAY-UHFFFAOYSA-N Me ester-Phenylacetic acid Natural products COC(=O)CC1=CC=CC=C1 CRZQGDNQQAALAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- 238000006411 Negishi coupling reaction Methods 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000292 Polyquinoline Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N Pyrimidine Chemical compound C1=CN=CN=C1 CZPWVGJYEJSRLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006619 Stille reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006069 Suzuki reaction reaction Methods 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007099 Yamamoto allylation reaction Methods 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical group C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N [AlH3].[Ca] Chemical compound [AlH3].[Ca] ULGYAEQHFNJYML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- SDHNJSIZTIODFW-UHFFFAOYSA-N c(cc1)cc(c2ccccc22)c1[n]2-c1ccc2[s]c(ccc(-[n]3c4ccccc4c4c3cccc4)c3)c3c2c1 Chemical compound c(cc1)cc(c2ccccc22)c1[n]2-c1ccc2[s]c(ccc(-[n]3c4ccccc4c4c3cccc4)c3)c3c2c1 SDHNJSIZTIODFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBQUOLGAXBYZGR-UHFFFAOYSA-N c(cc1)ccc1-c1nc(-c2ccccc2)nc(-c2ccccc2)n1 Chemical compound c(cc1)ccc1-c1nc(-c2ccccc2)nc(-c2ccccc2)n1 HBQUOLGAXBYZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVNOWTJCOPZGQA-UHFFFAOYSA-N c(cc1c2ccccc22)ccc1[n]2-c1cc(-[n]2c(cccc3)c3c3c2cccc3)cc(-[n]2c3ccccc3c3c2cccc3)c1 Chemical compound c(cc1c2ccccc22)ccc1[n]2-c1cc(-[n]2c(cccc3)c3c3c2cccc3)cc(-[n]2c3ccccc3c3c2cccc3)c1 DVNOWTJCOPZGQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N cyclohexylcyclohexane Chemical group C1CCCCC1C1CCCCC1 WVIIMZNLDWSIRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002704 decyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000006612 decyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 210000004513 dentition Anatomy 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004431 deuterium atom Chemical group 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 125000004663 dialkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004986 diarylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004988 dibenzothienyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 description 1
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical group C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 1
- 125000001664 diethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002541 furyl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000005252 hepatitis A Diseases 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- FHKSXSQHXQEMOK-UHFFFAOYSA-N hexane-1,2-diol Chemical compound CCCCC(O)CO FHKSXSQHXQEMOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003707 hexyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 125000003454 indenyl group Chemical group C1(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N indium lithium Chemical compound [Li].[In] LHJOPRPDWDXEIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N indium silver Chemical compound [Ag].[In] YZASAXHKAQYPEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 125000002510 isobutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N lithium magnesium Chemical compound [Li].[Mg] GCICAPWZNUIIDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229940094933 n-dodecane Drugs 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006611 nonyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005447 octyloxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- CBHCDHNUZWWAPP-UHFFFAOYSA-N pecazine Chemical compound C1N(C)CCCC1CN1C2=CC=CC=C2SC2=CC=CC=C21 CBHCDHNUZWWAPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950007538 pecazine Drugs 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000004115 pentoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 125000005003 perfluorobutyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000005005 perfluorohexyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000005007 perfluorooctyl group Chemical group FC(C(C(C(C(C(C(C(F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)F)(F)* 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002530 phenolic antioxidant Substances 0.000 description 1
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 1
- 125000001484 phenothiazinyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 125000001644 phenoxazinyl group Chemical group C1(=CC=CC=2OC3=CC=CC=C3NC12)* 0.000 description 1
- 229940049953 phenylacetate Drugs 0.000 description 1
- WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N phenylacetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC=C1 WLJVXDMOQOGPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003386 piperidinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 150000003462 sulfoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical group N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical group 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000036346 tooth eruption Effects 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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-
- H01L51/5016—
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
발광 효율이 우수한 발광 소자의 제공. 음극, 가교기를 갖는 화합물과 인광 발광성 전이 금속 착체를 함유하는 제1 유기층, 상기 가교기를 갖는 화합물과 동일한 화합물의 가교체를 함유하는 제2 유기층, 및 양극을 이 순번으로 갖고, 상기 제1 유기층에 함유되는 상기 가교기를 갖는 화합물의 비율이, 제1 유기층의 전체 질량에 대하여 2 내지 10질량％인 발광 소자. 가교기를 갖는 화합물은, 식 (XL-1) 내지 식 (XL-19)로 표현되는 가교기로 이루어지는 가교기군으로부터 선택되는 적어도 1종의 가교기를 갖는 화합물이어도 된다.
Description
본 발명은 발광 소자에 관한 것이다.
유기 일렉트로루미네센스 소자 등의 발광 소자는 디스플레이 및 조명의 용도에 적합하게 사용하는 것이 가능하고, 근년 왕성하게 개발이 행해지고 있다. 상기 발광 소자로서는, 예를 들어 가교기를 갖는 고분자 화합물의 가교체를 함유하는 정공 수송층과, 호스트 재료 및 이리듐 착체를 함유하는 발광층을 갖는 발광 소자가 알려져 있다(특허문헌1).
그러나, 상기 발광 소자는 발광 효율이 반드시 충분하지는 않다.
그래서, 본 발명은 발광 효율이 우수한 발광 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이하의 [1] 내지 [7]을 제공한다.
[1] 음극, 가교기를 갖는 화합물과 인광 발광성 전이 금속 착체를 함유하는 제1 유기층, 상기 가교기를 갖는 화합물과 동일한 화합물의 가교체를 함유하는 제2 유기층, 및 양극을 이 순번으로 갖고, 상기 제1 유기층에 함유되는 상기 가교기를 갖는 화합물의 비율이, 상기 제1 유기층의 전체 질량에 대하여 2 내지 10질량％인, 발광 소자.
[2] 상기 가교기를 갖는 화합물이, 식 (XL-1) 내지 식 (XL-19)로 이루어지는 가교기군으로부터 선택되는 적어도 1종의 가교기를 갖는 화합물인, [1]에 기재된 발광 소자.
[식 (XL-1) 내지 식 (XL-19) 중, RXL은 메틸렌기, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, nXL은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. RXL이 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다. nXL이 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
*1은 결합 위치를 나타낸다.
이들 가교기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 상기 치환기가 복수 존재하는 경우, 복수의 치환기가 서로 결합하여, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
[3] 상기 가교기를 갖는 화합물이, 식 (1) 또는 식 (1')으로 표현되는 구성 단위를 갖는 고분자 화합물인, [2]에 기재된 발광 소자.
[식 (1) 중, nA는 0 내지 5의 정수를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타낸다. nA가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
Ar3은 방향족 탄화수소기 또는 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
LA는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 아릴렌기, 2가의 복소환기, -NR'-로 표현되는 기, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, 산소 원자 및 황 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. R'은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. LA가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
X는 상기 가교기군으로부터 선택되는 가교기를 나타낸다. X가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.]
[식 (1') 중, mA는 0 내지 5의 정수를 나타내고, m은 1 내지 4의 정수를 나타내고, c는 0 또는 1의 정수를 나타낸다. mA가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
Ar5는 방향족 탄화수소기, 복소환기, 또는 방향족 탄화수소환과 복소환이 직접 결합한 기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
Ar4 및 Ar6은 각각 독립적으로, 아릴렌기 또는 2가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
Ar4, Ar5 및 Ar6은 각각, 상기 기가 결합하고 있는 질소 원자에 결합하고 있는 상기 기 이외의 기와, 직접 또는 산소 원자 혹은 황 원자를 통해 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
KA는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 아릴렌기, 2가의 복소환기, -NR''-로 표현되는 기, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, 산소 원자 및 황 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. R''은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. KA가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
X'은 상기 가교기군으로부터 선택되는 가교기, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 단, 적어도 하나의 X'은 상기 가교기군으로부터 선택되는 가교기이다.]
[4] 상기 인광 발광성 전이 금속 착체가 식 (1-A)로 표현되는 금속 착체인, [1] 내지 [3]의 어느 것에 기재된 발광 소자.
[식 (1-A) 중, M은 루테늄 원자, 로듐 원자, 팔라듐 원자, 이리듐 원자 또는 백금 원자를 나타낸다.
n1은 1 이상의 정수를 나타내고, n2는 0 이상의 정수를 나타낸다. 단, M이 루테늄 원자, 로듐 원자 또는 이리듐 원자인 경우, n1+n2는 3이고, M이 팔라듐 원자 또는 백금 원자인 경우, n1+n2는 2이다.
E1은 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타낸다. E1이 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
환 L1A는 피리딘환, 디아자벤젠환, 아자나프탈렌환, 디아자나프탈렌환, 트리아졸환 또는 디아졸환을 나타내고, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 상기 치환기가 복수 존재하는 경우, 복수의 치환기가 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. 환 L1A가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
E21A, E22A, E23A 및 E24A는 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타낸다. 단, 환 L2A는 벤젠환, 피리딘환 또는 디아자벤젠환을 나타낸다. E21A가 질소 원자인 경우, R21A는 존재하지 않는다. E22A가 질소 원자인 경우, R22A는 존재하지 않는다. E23A가 질소 원자인 경우, R23A는 존재하지 않는다. E24A가 질소 원자인 경우, R24A는 존재하지 않는다. E21A, E22A, E23A 및 E24A는 복수 존재하는 경우, 그것들은 각각 동일해도 되고 달라도 된다.
R21A, R22A, R23A 및 R24A는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. R21A, R22A, R23A 및 R24A가 복수 존재하는 경우, 그것들은 각각 동일해도 되고 달라도 된다. R21A와 R22A, R22A와 R23A, R23A와 R24A 및 환 L1A가 갖고 있어도 되는 치환기와 R21A는 각각 결합하여, 환을 형성하고 있어도 된다.
A1-G1-A2는 음이온성의 2좌 배위자를 나타낸다. A1 및 A2는 각각 독립적으로, 탄소 원자, 산소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 이들 원자는 환을 구성하는 원자여도 된다. G1은 단결합, 또는 A1 및 A2와 함께 2좌 배위자를 구성하는 원자단을 나타낸다. A1-G1-A2가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.]
[5] 상기 식 (1-A)로 표현되는 금속 착체가 식 (1-B1), 식 (1-B2), 식 (1-B3), 식 (1-B4) 또는 식 (1-B5)로 표현되는 금속 착체인, [4]에 기재된 발광 소자.
[식 (1-B1) 내지 식 (1-B5) 중, M, n1, n2, R21A, R22A, R23A, R24A 및 A1-G1-A2는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
n11 및 n12는 각각 독립적으로, 1 또는 2를 나타낸다. 단, M이 루테늄 원자, 로듐 원자 또는 이리듐 원자인 경우, n11+n12는 3이고, M이 팔라듐 원자 또는 백금 원자인 경우, n11+n12는 2이다.
R11B, R12B, R13B, R14B, R15B, R16B, R17B 및 R18B는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. R11B, R12B, R13B, R14B, R15B, R16B, R17B 및 R18B가 복수 존재하는 경우, 그것들은 각각 동일해도 되고 달라도 된다.
식 (1-B1) 중, R11B와 R12B, R12B와 R13B, R13B와 R14B 및 R11B와 R21A는 각각 결합하여, 환을 형성하고 있어도 된다.
식 (1-B2) 중, R13B와 R14B, R13B와 R15B, R15B와 R16B, R16B와 R17B, R17B와 R18B 및 R18B와 R21A는 각각 결합하여, 환을 형성하고 있어도 된다.
식 (1-B3) 중, R11B와 R12B, R12B와 R13B, R13B와 R14B, R11B와 R21A, R13B와 R15B, R15B와 R16B, R16B와 R17B, R17B와 R18B 및 R18B와 R21A는 각각 결합하여, 환을 형성하고 있어도 된다.
식 (1-B4) 중, R11B와 R18B, R14B와 R15B, R15B와 R16B, R16B와 R17B, R17B와 R18B 및 R11B와 R21A는 각각 결합하여, 환을 형성하고 있어도 된다.
식 (1-B5) 중, R11B와 R12B, R12B와 R18B, R15B와 R16B, R16B와 R17B, R17B와 R18B 및 R11B와 R21A는 각각 결합하여, 환을 형성하고 있어도 된다.]
[6] 상기 제1 유기층과 상기 제2 유기층이 접하는, [1] 내지 [5]의 어느 것에 기재된 발광 소자.
[7] 음극, 가교기를 갖는 화합물과 인광 발광성 전이 금속 착체를 함유하는 제1 유기층, 상기 가교기를 갖는 화합물과 동일한 화합물의 가교체를 함유하는 제2 유기층, 및 양극을 이 순번으로 갖고, 상기 제1 유기층에 함유되는 상기 가교기를 갖는 화합물의 비율이, 상기 제1 유기층의 전체 질량에 대하여 2 내지 10질량％인 발광 소자의 제조 방법이며, 상기 제1 유기층 및 상기 제2 유기층을 도포법에 의해 형성하는, 발광 소자의 제조 방법.
본 발명에 따르면, 발광 효율이 우수한 발광 소자를 제공할 수 있다.
도 1는 본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자의 일례를 나타내는 개략도이다.
이하, 본 발명의 적합한 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.
<공통되는 용어의 설명>
본 명세서에서 공통적으로 사용되는 용어는 특기하지 않는 한, 이하의 의미이다.
Me는 메틸기, Et는 에틸기, Bu는 부틸기, i-Pr은 이소프로필기, t-Bu는 tert-부틸기를 나타낸다.
수소 원자는 중수소 원자여도 되고, 경수소 원자여도 된다.
금속 착체를 나타내는 식 중, 배위자와 중심 금속의 결합을 나타내는 실선은 공유 결합 또는 배위 결합을 의미한다.
「고분자 화합물」이란, 분자량 분포를 갖고, 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량이 1×103 내지 1×108인 중합체를 의미한다.
「저분자 화합물」이란, 분자량 분포를 갖지 않고, 분자량이 1×104 이하인 화합물을 의미한다.
「구성 단위」란, 고분자 화합물 중에 1개 이상 존재하는 단위를 의미한다. 고분자 화합물 중에 2개 이상 존재하는 구성 단위는, 통상, 「반복 단위」라고 불린다.
「알킬기」는 직쇄 및 분지의 어느 것이어도 된다. 직쇄의 알킬기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 1 내지 50이고, 바람직하게는 3 내지 30이고, 보다 바람직하게는 4 내지 20이다. 분지의 알킬기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 3 내지 50이고, 바람직하게는 3 내지 30이고, 보다 바람직하게는 4 내지 20이다.
알킬기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 2-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소아밀기, 2-에틸부틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 2-에틸헥실기, 3-프로필헵틸기, 데실기, 3,7-디메틸옥틸기, 2-에틸옥틸기, 2-헥실데실기, 도데실기 및 이들 기에 있어서의 수소 원자가, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 불소 원자 등으로 치환된 기(예를 들어 트리플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로부틸기, 퍼플루오로헥실기, 퍼플루오로옥틸기, 3-페닐프로필기, 3-(4-메틸페닐)프로필기, 3-(3,5-디-헥실페닐)프로필기, 6-에틸옥시헥실기)를 들 수 있다.
「시클로알킬기」의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 3 내지 50이고, 바람직하게는 3 내지 30이고, 보다 바람직하게는 4 내지 20이다.
시클로알킬기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 시클로헥실기, 메틸시클로헥실기, 에틸시클로헥실기를 들 수 있다.
「아릴기」는 방향족 탄화수소로부터 환을 구성하는 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 1개를 제거한 나머지의 원자단을 의미한다. 아릴기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 6 내지 60이고, 바람직하게는 6 내지 20이고, 보다 바람직하게는 6 내지 10이다.
아릴기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 1-안트라세닐기, 2-안트라세닐기, 9-안트라세닐기, 1-피레닐기, 2-피레닐기, 4-피레닐기, 2-플루오레닐기, 3-플루오레닐기, 4-플루오레닐기, 2-페닐페닐기, 3-페닐페닐기, 4-페닐페닐기 및 이들 기에 있어서의 수소 원자가, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 불소 원자 등으로 치환된 기를 들 수 있다.
「알콕시기」는 직쇄 및 분지의 어느 것이어도 된다. 직쇄의 알콕시기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 1 내지 40이고, 바람직하게는 4 내지 10이다. 분지의 알콕시기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 3 내지 40이고, 바람직하게는 4 내지 10이다.
알콕시기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 메톡시기, 에톡시기, 프로필옥시기, 이소프로필옥시기, 부틸옥시기, 이소부틸옥시기, tert-부틸옥시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 2-에틸헥실옥시기, 노닐옥시기, 데실옥시기, 3,7-디메틸옥틸옥시기, 라우릴옥시기 및 이들 기에 있어서의 수소 원자가, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 불소 원자 등으로 치환된 기를 들 수 있다.
「시클로알콕시기」의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 3 내지 40이고, 바람직하게는 4 내지 10이다.
시클로알콕시기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 시클로헥실옥시기 및 시클로헥실옥시기에 있어서의 수소 원자가, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 불소 원자 등으로 치환된 기를 들 수 있다.
「아릴옥시기」의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 6 내지 60이고, 바람직하게는 6 내지 48이다.
아릴옥시기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 페녹시기, 1-나프틸옥시기, 2-나프틸옥시기, 1-안트라세닐옥시기, 9-안트라세닐옥시기, 1-피레닐옥시기 및 이들 기에 있어서의 수소 원자가, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 불소 원자 등으로 치환된 기를 들 수 있다.
「p가의 복소환기」(p는 1 이상의 정수를 나타낸다.)란, 복소환식 화합물로부터, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자 중 p개의 수소 원자를 제거한 나머지의 원자단을 의미한다. p가의 복소환기 중에서도, 방향족 복소환식 화합물로부터, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자 중 p개의 수소 원자를 제거한 나머지의 원자단인 「p가의 방향족 복소환기」가 바람직하다.
「방향족 복소환식 화합물」은 옥사디아졸, 티아디아졸, 티아졸, 옥사졸, 티오펜, 피롤, 포스폴, 푸란, 피리딘, 피라진, 피리미딘, 트리아진, 피리다진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 카르바졸, 디벤조포스폴 등의 복소환 자체가 방향족성을 나타내는 화합물 및 페녹사진, 페노티아진, 디벤조보롤, 디벤조실롤, 벤조피란 등의 복소환 자체는 방향족성을 나타내지 않더라도, 복소환에 방향환이 축환되어 있는 화합물을 의미한다.
1가의 복소환기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 2 내지 60이고, 바람직하게는 4 내지 20이다.
1가의 복소환기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 티에닐기, 피롤릴기, 푸릴기, 피리딜기, 피페리디닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 피리미디닐기, 트리아지닐기 및 이들 기에 있어서의 수소 원자가, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기 등으로 치환된 기를 들 수 있다.
「할로겐 원자」란, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자를 나타낸다.
「아미노기」는 치환기를 갖고 있어도 되고, 치환 아미노기가 바람직하다. 아미노기가 갖는 치환기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기가 바람직하다.
치환 아미노기로서는, 예를 들어 디알킬아미노기, 디시클로알킬아미노기 및 디아릴아미노기를 들 수 있다.
아미노기로서는, 예를 들어 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디페닐아미노기, 비스(4-메틸페닐)아미노기, 비스(4-tert-부틸페닐)아미노기, 비스(3,5-디-tert-부틸페닐)아미노기를 들 수 있다.
「알케닐기」는 직쇄 및 분지의 어느 것이어도 된다. 직쇄의 알케닐기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 2 내지 30이고, 바람직하게는 3 내지 20이다. 분지의 알케닐기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 3 내지 30이고, 바람직하게는 4 내지 20이다.
「시클로알케닐기」의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 3 내지 30이고, 바람직하게는 4 내지 20이다.
알케닐기 및 시클로알케닐기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 3-펜테닐기, 4-펜테닐기, 1-헥세닐기, 5-헥세닐기, 7-옥테닐기, 1-시클로펜틸-1-일기, 1-시클로헥실-1-일기 및 이들 기가 후술하는 치환기를 갖는 기를 들 수 있다.
「알키닐기」는 직쇄 및 분지의 어느 것이어도 된다. 알키닐기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자를 포함하지 않고, 통상 2 내지 20이고, 바람직하게는 3 내지 20이다. 분지의 알키닐기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자를 포함하지 않고, 통상 4 내지 30이고, 바람직하게는 4 내지 20이다.
알키닐기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 에티닐기, 1-프로피닐기, 2-프로피닐기, 2-부티닐기, 3-부티닐기, 3-펜티닐기, 4-펜티닐기, 1-헥시닐기, 5-헥시닐기 및 이들 기가 후술하는 치환기를 갖는 기를 들 수 있다.
「아릴렌기」는, 방향족 탄화수소로부터 환을 구성하는 탄소 원자에 직접 결합하는 수소 원자 2개를 제거한 나머지의 원자단을 의미한다. 아릴렌기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 6 내지 60이고, 바람직하게는 6 내지 30이고, 보다 바람직하게는 6 내지 18이다.
아릴렌기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 페닐렌기, 비페닐디일기, 나프탈렌디일기, 안트라센디일기, 페난트렌디일기, 디히드로페난트렌디일기, 나프타센디일기, 플루오렌디일기, 피렌디일기, 페릴렌디일기, 크리센디일기 및 이들 기가 후술하는 치환기를 갖는 기를 들 수 있고, 바람직하게는 식 (A-1) 내지 식 (A-21)로 표현되는 기이다. 아릴렌기는 이들 기가 복수 결합한 기를 포함한다.
[식 중, R 및 Ra는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타낸다. 복수 존재하는 R 및 Ra는 각각 동일해도 되고 달라도 되고, Ra끼리는 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
2가의 복소환기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 2 내지 60이고, 바람직하게는 3 내지 20이고, 보다 바람직하게는 4 내지 15이다.
2가의 복소환기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 피리딘, 디아자 벤젠, 트리아진, 아자나프탈렌, 디아자나프탈렌, 카르바졸, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 디벤조실롤, 페녹사진, 페노티아진, 아크리딘, 디히드로아크리딘, 푸란, 티오펜, 아졸, 디아졸, 트리아졸, 5,7,12,14-테트라히드로퀴노[2,3-b]아크리딘, 옥사졸, 1,3,4-옥사디아졸, 티아졸, 1,3,4-티아디아졸로부터, 환을 구성하는 탄소 원자 또는 헤테로 원자에 직접 결합하고 있는 수소 원자 중 2개의 수소 원자를 제거한 2가의 기를 들 수 있고, 바람직하게는 식 (AA-1) 내지 식 (AA-36)으로 표현되는 기이다. 2가의 복소환기는 이들 기가 복수 결합한 기를 포함한다.
[식 중, R 및 Ra는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
「가교기」란, 가열, 자외선 조사, 근자외선 조사, 가시광 조사, 적외선 조사, 또는 라디칼 반응 등에 제공하는 것에 의해 새로운 결합을 생성하는 것이 가능한 기이고, 바람직하게는 상기 가교기군의 식 (XL-1) 내지 식 (XL-19)로 표현되는 가교기이다.
「치환기」란, 예를 들어 할로겐 원자, 시아노기, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴옥시기, 아미노기, 치환 아미노기, 알케닐기, 시클로알케닐기, 또는 알키닐기를 나타낸다. 치환기는 가교기여도 된다. 본 명세서에 있어서 어떤 기가 치환기를 갖고 있어도 된다라고 표현되어 있는 경우, 그 기는 상기 치환기로서 열거되어 있는 기를 적어도 하나 갖고 있어도 되는 것을 의미한다.
<발광 소자>
이어서, 본 실시 형태에 관한 발광 소자에 대하여 설명한다.
본 실시 형태에 관한 발광 소자는, 음극, 가교기를 갖는 화합물과 인광 발광성 전이 금속 착체를 함유하는 제1 유기층, 상기 가교기를 갖는 화합물과 동일한 화합물의 가교체를 함유하는 제2 유기층, 및 양극을 이 순번으로 갖고, 상기 제1 유기층에 함유되는 상기 가교기를 갖는 화합물의 양이, 제1 유기층의 전체 질량에 대하여 2 내지 10질량％인 발광 소자이다.
제1 유기층 및 제2 유기층의 형성 방법으로서는, 예를 들어 진공 증착법 등의 건식법, 그리고 스핀 코트법 및 잉크젯 인쇄법 등의 습식법을 들 수 있고, 습식법이 바람직하다.
제1 유기층을 습식법에 의해 형성하는 경우, 후술하는 제1 잉크를 사용하는 것이 바람직하다.
제2 유기층을 습식법에 의해 형성하는 경우, 후술하는 제2 잉크를 사용하는 것이 바람직하다. 제2 유기층을 형성 후, 가열 또는 광조사함으로써, 제2 유기층에 함유되는 가교기를 갖는 화합물을 가교시킬 수 있다. 제2 유기층에 함유되는 가교기를 갖는 화합물을 가교시키는 방법으로서는, 가열이 바람직하다. 제2 유기층은 가교기를 갖는 화합물의 가교체를 함유하고 있다.
가교시키기 위한 가열의 온도는 통상 50℃ 내지 300℃이고, 바람직하게는 50℃ 내지 260℃이고, 보다 바람직하게는 130℃ 내지 230℃이고, 더욱 바람직하게는 180℃ 내지 210℃이다.
가열의 시간은 통상 0.1분간 내지 1000분간이고, 바람직하게는 0.5분간 내지 500분간이고, 보다 바람직하게는 1분간 내지 120분간이고, 더욱 바람직하게는 10분간 내지 60분간이다.
광조사에 사용되는 광의 종류는, 예를 들어 자외광, 근자외광, 또는 가시광을 들 수 있다.
<제1 유기층>
본 발명의 일 양태에 있어서의 제1 유기층은 가교기를 갖는 화합물과 인광 발광성 전이 금속 착체를 함유하고, 제1 유기층에 함유되는 상기 가교기를 갖는 화합물의 비율이, 제1 유기층의 전체 질량에 대하여 2 내지 10질량％이다.
제1 유기층에 함유되는 성분의 분석 방법으로서는, 예를 들어 추출 등의 화학적 분리 분석법, 적외 분광법(IR이라고도 함), 핵자기 공명 분광법(NMR이라고도 함), 질량 분석법(MS라고도 함) 등의 기기 분석법, 그리고 화학적 분리 분석법 및 기기 분석법을 조합한 분석법 등을 들 수 있다.
예를 들어 제1 유기층이 습식법으로 형성되는 경우, 제1 유기층에 포함되는 가교기를 갖는 화합물을 정량하는 방법으로서, 이하의 방법을 들 수 있다.
먼저, 음극, 제1 유기층, 제2 유기층 및 양극의 적층으로부터, 제1 유기층을 분리한다. 제1 유기층을 분리하는 방법으로서는, 제1 유기층의 성분을 톨루엔, 크실렌, 클로로포름, 또는 테트라히드로푸란 등 용매에 용해하는 방법을 들 수 있다. 이어서, 분리된 제1 유기층의 질량을 측정한다. 그리고, 핵자기 공명 분광법 또는 질량 분석법에 의해 분석함으로써 분리된 제1 유기층에 포함되는 가교기를 갖는 화합물을 정량한다.
<가교기를 갖는 화합물>
제1 유기층에 함유되는 가교기를 갖는 화합물에 대하여, 설명한다.
제1 유기층에는, 제1 유기층의 가교기를 갖는 화합물이 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상 함유되어 있어도 된다.
발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 「가교기를 갖는 화합물」은 상기 식 (XL-1) 내지 식 (XL-19)로 이루어지는 가교기군으로부터 선택되는 적어도 1종의 가교기를 갖는 화합물인 것이 바람직하다.
가교기군으로부터 선택되는 가교기로서는, 본 발명의 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 식 (XL-1) 내지 식 (XL-4), 식 (XL-7) 내지 식 (XL-10) 또는 식 (XL-16) 내지 식 (XL-19)로 표현되는 가교기인 것이 바람직하고, 식 (XL-1), 식 (XL-16) 내지 식 (XL-19)로 표현되는 가교기인 것이 보다 바람직하고, 식 (XL-1) 또는 식 (XL-17)로 표현되는 가교기인 것이 더욱 바람직하고, 식 (XL-17)로 표현되는 가교기인 것이 더욱 바람직하다.
「가교기를 갖는 화합물」은 저분자 화합물이어도 되고 고분자 화합물이어도 된다. 저분자 화합물인 가교기를 갖는 화합물은, 예를 들어 상기 가교기군으로부터 선택되는 적어도 1종의 가교기를 갖는 저분자 화합물이다. 상기 저분자 화합물로서는, 예를 들어 식 (3-1) 내지 식 (3-16)으로 표현되는 저분자 화합물을 들 수 있다.
「가교기를 갖는 화합물」은, 바람직하게는 상기 가교기군으로부터 선택되는 적어도 1종의 가교기를 갖는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물(이하, 「제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물」이라고도 한다.)이다.
제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물에 포함되는, 가교기군으로부터 선택되는 적어도 1종의 가교기를 갖는 구성 단위는, 상기 식 (1) 또는 상기 식 (1')으로 표현되는 구성 단위인 것이 바람직하고, 상기 식 (1)로 표현되는 구성 단위인 것이 보다 바람직하다.
가교기군으로부터 선택되는 적어도 1종의 가교기를 갖는 구성 단위는 식 (1''-1) 내지 식 (1''-5)로 표현되는 구성 단위여도 된다.
제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물이, 가교기군으로부터 선택되는 적어도 1종의 가교기를 갖는 구성 단위를 2종 이상 포함해도 된다. 이 경우, 가교기군으로부터 선택되는 적어도 1종의 가교기를 갖는 구성 단위의 적어도 2종은 가교기가 서로 다른 것이 바람직하다. 서로 다른 가교기의 조합으로서는, 식 (XL-1), 식 (XL-2), 식 (XL-5) 내지 식 (XL-8) 또는 식 (XL-14) 내지 식 (XL-16)으로 표현되는 가교기로부터 선택되는 적어도 하나와, 식 (XL-3), 식 (XL-4), 식 (XL-13) 또는 식 (XL-17) 내지 식 (XL-19)로 표현되는 가교기로부터 선택되는 적어도 하나의 조합이 바람직하고, 식 (XL-1)로 표현되는 가교기와 식 (XL-17)로 표현되는 가교기의 조합이 보다 바람직하다.
· 식 (1)로 표현되는 구성 단위
nA는 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 바람직하게는 0 내지 3의 정수이고, 보다 바람직하게는 0 내지 2의 정수이고, 더욱 바람직하게는 0이다.
n은 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 바람직하게는 2이다.
Ar3은 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 탄화수소기이다.
Ar3으로 표현되는 방향족 탄화수소기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 6 내지 60이고, 바람직하게는 6 내지 30이고, 보다 바람직하게는 6 내지 18이다.
Ar3으로 표현되는 방향족 탄화수소기의 n개의 치환기를 제거한 아릴렌기 부분의 예 및 바람직한 범위는, 후술하는 ArY1로 표현되는 아릴렌기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
Ar3으로 표현되는 복소환기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 2 내지 60이고, 바람직하게는 3 내지 30이고, 보다 바람직하게는 4 내지 18이다.
Ar3으로 표현되는 복소환기의 n개의 치환기를 제거한 2가의 복소환기 부분의 예 및 바람직한 범위는, 후술하는 ArY1로 표현되는 2가의 복소환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
Ar3으로 표현되는 기가 가져도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, 후술하는 ArY1로 표현되는 기가 가져도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
LA로 표현되는 알킬렌기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 1 내지 20이다. LA로 표현되는 시클로알킬렌기의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 3 내지 20이다.
LA로 표현되는 알킬렌기 및 시클로알킬렌기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들어 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기, 부틸렌기, 헥실렌기, 시클로헥실렌기, 옥틸렌기 및 이들 기에 있어서의 수소 원자가, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 1가의 복소환기, 불소 원자 등으로 치환된 기를 들 수 있다.
LA로 표현되는 아릴렌기 및 2가의 복소환기의 예 및 바람직한 범위는, 후술하는 ArY1로 표현되는 아릴렌기 및 2가의 복소환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
LA는 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물의 제조가 용이해지므로, 아릴렌기 또는 알킬렌기인 것이 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
LA로 표현되는 기가 가져도 되는 치환기는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기, 불소 원자, 시아노기 또는 가교기군으로부터 선택되는 가교기인 것이 바람직하다. 이들 기는 치환기를 더 갖고 있어도 된다.
X는 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 식 (XL-1) 내지 식 (XL-4), 식 (XL-7) 내지 식 (XL-10) 또는 식 (XL-16) 내지 식 (XL-19)로 표현되는 가교기인 것이 바람직하고, 식 (XL-1), 식 (XL-16) 내지 식 (XL-19)로 표현되는 가교기인 것이 보다 바람직하고, 식 (XL-1) 또는 식 (XL-17)로 표현되는 가교기인 것이 더욱 바람직하고, 식 (XL-17)로 표현되는 가교기인 것이 특히 바람직하다.
식 (1)로 표현되는 구성 단위는, 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물의 안정성이 우수하므로, 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물에 포함되는 구성 단위의 합계량에 대하여 바람직하게는 0.5 내지 80몰％이고, 보다 바람직하게는 3 내지 65몰％이고, 더욱 바람직하게는 5 내지 50몰％이고, 특히 바람직하게는 6 내지 10몰％이다.
식 (1)로 표현되는 구성 단위는, 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물 중에 1종만 포함되어 있어도 되고, 2종 이상 포함되어 있어도 된다.
제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물이 식 (1)로 표현되는 구성 단위를 2종 이상 포함하는 경우, 식 (1)로 표현되는 구성 단위의 적어도 2종은 X로 표현되는 가교기가 서로 다른 것이 바람직하다.
· 식 (1')으로 표현되는 구성 단위
mA는 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 바람직하게는 0 내지 3의 정수이다.
m은 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 바람직하게는 1 또는 2이다.
c는 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물의 제조가 용이해지고, 또한 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 바람직하게는 0이다.
Ar5는 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 방향족 탄화수소기이다.
Ar5로 표현되는 방향족 탄화수소기의 m개의 치환기를 제거한 아릴렌기 부분의 정의 및 예는, 후술하는 식 (X)에 있어서의 ArX2로 표현되는 아릴렌기의 정의 및 예와 동일하다.
Ar5로 표현되는 복소환기의 m개의 치환기를 제거한 2가의 복소환기 부분의 정의 및 예는, 후술하는 식 (X)에 있어서의 ArX2로 표현되는 2가의 복소환기의 정의 및 예와 동일하다.
Ar5로 표현되는 방향족 탄화수소환과 복소환이 직접 결합한 기의 m개의 치환기를 제거한 2가의 기의 정의 및 예는, 후술하는 식 (X)에 있어서의 ArX2로 표현되는 아릴렌기와 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기의 정의 및 예와 동일하다.
Ar4 및 Ar6은 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴렌기이다.
Ar4 및 Ar6으로 표현되는 아릴렌기 및 2가의 복소환기의 정의 및 예는, 후술하는 식 (X)에 있어서의 ArX1 및 ArX3으로 표현되는 아릴렌기 및 2가의 복소환기의 정의 및 예와 동일하다.
KA로 표현되는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 아릴렌기 및 2가의 복소환기의 정의 및 예는, 각각 LA로 표현되는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 아릴렌기 및 2가의 복소환기의 정의 및 예와 동일하다.
KA는 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물의 제조가 용이해지므로, 바람직하게는 아릴렌기 또는 알킬렌기인 것이 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
KA로 표현되는 기가 가져도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, LA로 표현되는 기가 가져도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
X'으로 표현되는 가교기의 정의 및 예는, 전술한 X의 정의 및 예와 동일하다.
식 (1')으로 표현되는 구성 단위는, 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물의 안정성이 우수하므로, 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물에 포함되는 구성 단위의 합계량에 대하여 바람직하게는 0.5 내지 50몰％이다.
식 (1')으로 표현되는 구성 단위는, 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물 중에 1종만 포함되어 있어도 되고, 2종 이상 포함되어 있어도 된다.
제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물이 식 (1')으로 표현되는 구성 단위를 2종 이상 포함하는 경우, 식 (1')으로 표현되는 구성 단위의 적어도 2종은 X'으로 표현되는 가교기가 서로 다른 것이 바람직하다.
· 식 (1) 또는 (1')으로 표현되는 구성 단위의 바람직한 양태
식 (1)로 표현되는 구성 단위로서는, 예를 들어 식 (1-1) 내지 식 (1-30)으로 표현되는 구성 단위를 들 수 있고, 식 (1')으로 표현되는 구성 단위로서는, 예를 들어 식 (1'-1) 내지 식 (1'-9)로 표현되는 구성 단위를 들 수 있다. 이들 중에서도, 바람직하게는 식 (1-1) 내지 식 (1-9) 또는 식 (1-30)으로 표현되는 구성 단위이고, 보다 바람직하게는 식 (1-1) 내지 식 (1-9)로 표현되는 구성 단위이다.
[기타의 구성 단위]
제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물은 정공 수송성이 우수하므로, 추가로 식 (X)로 표현되는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
[식 (X) 중, aX1 및 aX2는 각각 독립적으로, 0 이상의 정수를 나타낸다.
ArX1 및 ArX3은 각각 독립적으로, 아릴렌기 또는 2가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArX2 및 ArX4는 각각 독립적으로, 아릴렌기, 2가의 복소환기, 또는 아릴렌기와 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. ArX2 및 ArX4가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
RX1, RX2 및 RX3은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. RX2 및 RX3이 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.]
aX1은 본 발명의 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 바람직하게는 2 이하이고, 보다 바람직하게는 1이다.
aX2는 본 발명의 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 바람직하게는 2 이하이고, 보다 바람직하게는 0이다.
RX1 내지 RX3은 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기인 것이 바람직하고, 아릴기인 것이 보다 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArX1 및 ArX3으로 표현되는 아릴렌기는 식 (A-1) 또는 식 (A-9)로 표현되는 기인 것이 보다 바람직하고, 식 (A-1)로 표현되는 기인 것이 더욱 바람직하다.
이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArX1 및 ArX3으로 표현되는 2가의 복소환기는 식 (AA-1), 식 (AA-2) 또는 식 (AA-7) 내지 식 (AA-26)으로 표현되는 기인 것이 보다 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArX1 및 ArX3은 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴렌기이다.
ArX2 및 ArX4로 표현되는 아릴렌기는 식 (A-1), 식 (A-6), 식 (A-7), 식 (A-9) 내지 식 (A-11) 또는 식 (A-19)로 표현되는 기인 것이 보다 바람직하고, 식 (A-9)로 표현되는 기인 것이 더욱 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArX2 및 ArX4로 표현되는 2가의 복소환기의 보다 바람직한 범위는, ArX1 및 ArX3으로 표현되는 2가의 복소환기의 보다 바람직한 범위와 동일하다.
ArX2 및 ArX4로 표현되는 아릴렌기와 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기에 있어서의, 아릴렌기 및 2가의 복소환기의 보다 바람직한 범위, 더욱 바람직한 범위는 각각, ArX1 및 ArX3으로 표현되는 아릴렌기 및 2가의 복소환기의 보다 바람직한 범위, 더욱 바람직한 범위와 동일하다.
ArX2 및 ArX4로 표현되는 아릴렌기와 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기로서는, 예를 들어 식 (ArX5-1) 내지 식 (ArX5-4)로 표현되는 기를 들 수 있고, 이것들은 치환기를 갖고 있어도 된다.
[식 (ArX5-3) 중, RXX는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.]
ArX2 및 ArX4는 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴렌기이다.
ArX1 내지 ArX4 및 RX1 내지 RX3으로 표현되는 기가 가져도 되는 치환기로서는, 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이고, 보다 바람직하게는 알킬기이다. 이들 기는 치환기를 더 갖고 있어도 된다.
식 (X)로 표현되는 구성 단위로서는, 바람직하게는 식 (X-1) 내지 식 (X-7)로 표현되는 구성 단위이고, 보다 바람직하게는 식 (X-4)로 표현되는 구성 단위이다.
[식 (X-1) 내지 (X-7) 중, RX4 및 RX5는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 할로겐 원자, 1가의 복소환기 또는 시아노기를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 복수 존재하는 RX4는 동일해도 되고 달라도 된다. 복수 존재하는 RX5는 동일해도 되고 달라도 되고, 인접하는 RX5끼리는 서로 결합하여, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
식 (X)로 표현되는 구성 단위는 정공 수송성이 우수하므로, 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물에 포함되는 구성 단위의 합계량에 대하여 바람직하게는 0.1 내지 90몰％이고, 보다 바람직하게는 1 내지 70몰％이고, 더욱 바람직하게는 10 내지 50몰％이고, 특히 바람직하게는 30 내지 45몰％이다.
식 (X)로 표현되는 구성 단위로서는, 예를 들어 식 (X1-1) 내지 식 (X1-19)로 표현되는 구성 단위를 들 수 있고, 바람직하게는 식 (X1-6) 내지 식 (X1-14)로 표현되는 구성 단위이다.
제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물에 있어서, 식 (X)로 표현되는 구성 단위는 1종만 포함되어 있어도 되고, 2종 이상 포함되어 있어도 된다.
제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물은 본 발명의 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 추가로 식 (Y)로 표현되는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물은 정공 수송성이 우수하고, 또한 본 발명의 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 추가로 식 (X)로 표현되는 구성 단위 및 식 (Y)로 표현되는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
[식 (Y) 중, ArY1은 아릴렌기, 2가의 복소환기, 또는 아릴렌기와 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.]
ArY1로 표현되는 아릴렌기는 식 (A-1), 식 (A-6), 식 (A-7), 식 (A-9) 내지 식 (A-11), 식 (A-13) 또는 식 (A-19)로 표현되는 기인 것이 바람직하고, 식 (A-1), 식 (A-7), 식 (A-9) 또는 식 (A-19)로 표현되는 기인 것이 보다 바람직하고, 식 (A-9)로 표현되는 기인 것이 더욱 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArY1로 표현되는 2가의 복소환기는 식 (AA-4), 식 (AA-10), 식 (AA-13), 식 (AA-15), 식 (AA-18) 또는 식 (AA-20)으로 표현되는 기인 것이 바람직하고, 식 (AA-4), 식 (AA-10), 식 (AA-18) 또는 식 (AA-20)으로 표현되는 기인 것이 보다 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
ArY1로 표현되는 아릴렌기와 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기에 있어서의, 아릴렌기 및 2가의 복소환기의 보다 바람직한 범위, 더욱 바람직한 범위는 각각, 전술한 ArY1로 표현되는 아릴렌기 및 2가의 복소환기의 보다 바람직한 범위, 더욱 바람직한 범위와 마찬가지이다.
ArY1로 표현되는 아릴렌기와 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기로서는, 식 (X)의 ArX2 및 ArX4로 표현되는 아릴렌기와 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기와 동일한 것을 들 수 있다.
ArY1로 표현되는 기가 가져도 되는 치환기는 바람직하게는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기이고, 보다 바람직하게는 아릴기이고, 이들 기는 치환기를 더 갖고 있어도 된다.
식 (Y)로 표현되는 구성 단위로서는, 예를 들어 식 (Y-1) 내지 식 (Y-7)로 표현되는 구성 단위를 들 수 있고, 발광 소자의 발광 효율의 관점에서는 식 (Y-2)로 표현되는 구성 단위인 것이 바람직하다.
[식 (Y-1) 중, RY1은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 복수 존재하는 RY1은 동일해도 되고 달라도 되고, 인접하는 RY1끼리는 서로 결합하여, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
[식 (Y-2) 중, RY1은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
XY1은 -C(RY2)2-, -C(RY2)=C(RY2)- 또는 C(RY2)2-C(RY2)2-로 표현되는 기를 나타낸다.
RY2는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
복수 존재하는 RY2는 동일해도 되고 달라도 되고, RY2끼리는 서로 결합하여, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.]
RY2는 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하고, 아릴기인 것이 보다 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
XY1에 있어서 -C(RY2)2-로 표현되는 기 중의 2개의 RY2의 조합은, 양쪽이 알킬기 혹은 시클로알킬기, 양쪽이 아릴기, 양쪽이 1가의 복소환기, 또는 한쪽이 알킬기 혹은 시클로알킬기이고 다른 쪽이 아릴기 혹은 1가의 복소환기인 것이 바람직하다. -C(RY2)2-로 표현되는 기 중의 2개의 RY2의 조합은, 한쪽이 알킬기 혹은 시클로알킬기이고 다른 쪽이 아릴기인 것이 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 2개 존재하는 RY2는 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. RY2가 환을 형성하는 경우, -C(RY2)2-로 표현되는 기는 식 (Y-A1) 내지 식 (Y-A5)로 표현되는 기인 것이 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
XY1에 있어서 -C(RY2)=C(RY2)-로 표현되는 기 중의 2개의 RY2의 조합은, 양쪽이 알킬기 혹은 시클로알킬기, 또는 한쪽이 알킬기 혹은 시클로알킬기이고 다른 쪽이 아릴기인 것이 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
XY1에 있어서 -C(RY2)2-C(RY2)2-로 표현되는 기 중의 4개의 RY2는, 바람직하게는 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기 또는 시클로알킬기이다. 복수 있는 RY2는 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. RY2가 환을 형성하는 경우, -C(RY2)2-C(RY2)2-로 표현되는 기는 식 (Y-B1) 내지 식 (Y-B5)로 표현되는 기인 것이 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
[식 (Y-B1), 식 (Y-B2) 및 식 (Y-B4) 중, RY2는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.]
[식 (Y-3) 및 식 (Y-4) 중, RY1은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
RY3은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.]
[식 (Y-5) 내지 식 (Y-7) 중, RY1은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
RY4는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.]
식 (Y)로 표현되는 구성 단위로서는, 예를 들어 식 (Y-11) 내지 식 (Y-55)로 표현되는 구성 단위를 들 수 있다.
제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물이 식 (Y)로 표현되는 구성 단위를 포함하고, 또한 ArY1이 아릴렌기인 구성 단위는 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물에 포함되는 구성 단위의 합계량에 대하여 바람직하게는 0.5 내지 90몰％이고, 보다 바람직하게는 30 내지 60몰％이고, 더욱 바람직하게는 40 내지 55몰％이다.
식 (Y)로 표현되는 구성 단위이며, ArY1이 2가의 복소환기, 또는 아릴렌기와 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기인 구성 단위는, 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물의 전하 수송성이 우수하므로, 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물에 포함되는 구성 단위의 합계량에 대하여 바람직하게는 0.5 내지 40몰％이고, 보다 바람직하게는 3 내지 30몰％이다.
식 (Y)로 표현되는 구성 단위는, 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물 중에 1종만 포함되어 있어도 되고, 2종 이상 포함되어 있어도 된다.
제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물로서는, 예를 들어 하기 표 1에 나타내는 고분자 화합물 P-1 내지 P-8을 들 수 있다. 여기서 「기타의 구성 단위」란, 식 (1), 식 (1'), 식 (1''), 식 (X) 및 식 (Y)로 표현되는 구성 단위 이외의 구성 단위를 의미한다.
[표 중, p', q', r', s' 및 t'은 각 구성 단위의 몰 비율을 나타낸다. p'+q'+r'+s'+t'=100이고, 또한 70≤p'+q'+r'+s'≤100이다.]
제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물은 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 교호 공중합체, 그라프트 공중합체의 어느 것이어도 되고, 기타의 양태여도 되지만, 복수종의 원료 모노머를 공중합한 공중합체인 것이 바람직하다.
제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물의 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량은 바람직하게는 5×103 내지 1×106이고, 보다 바람직하게는 1×104 내지 5×105이고, 보다 바람직하게는 1.5×104 내지 1×105이다.
[제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물의 제조 방법]
제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물은 케미컬 리뷰(Chem. Rev.), 제109권, 897-1091페이지(2009년) 등에 기재된 공지의 중합 방법을 사용하여 제조할 수 있고, 스즈키(Suzuki) 반응, 야마모토(Yamamoto) 반응, 부흐발트(Buchwald) 반응, 스틸(Stille) 반응, 네기시(Negishi) 반응 및 구마다(Kumada) 반응 등의 전이 금속 촉매를 사용하는 커플링 반응에 의해 중합시키는 방법이 예시된다.
상기 중합 방법에 있어서 단량체를 투입하는 방법으로서는, 단량체 전량을 반응계에 일괄하여 투입하는 방법, 단량체의 일부를 투입하여 반응시킨 후, 나머지의 단량체를 일괄, 연속 또는 분할하여 투입하는 방법, 단량체를 연속 또는 분할하여 투입하는 방법 등을 들 수 있다.
전이 금속 촉매로서는, 팔라듐 촉매 또는 니켈 촉매 등을 들 수 있다.
중합 반응의 후처리는 공지의 방법, 예를 들어 분액에 의해 수용성 불순물을 제거하는 방법, 메탄올 등의 저급 알코올에 중합 반응 후의 반응액을 더하고, 석출시킨 침전을 여과한 후, 건조시키는 방법 등을 단독으로 또는 조합하여 행한다. 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물의 순도가 낮은 경우, 예를 들어 재결정, 재침전, 속슬렛 추출기에 의한 연속 추출, 또는 칼럼 크로마토그래피 등의 통상의 방법으로 정제할 수 있다.
<인광 발광성 전이 금속 착체>
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자에 있어서의 제1 유기층에 함유되는 인광 발광성 전이 금속 착체에 대하여, 설명한다.
「인광 발광성 전이 금속 착체」는 통상, 실온(25℃)에서 인광 발광성을 나타내는 화합물을 의미하고, 바람직하게는 실온에서 삼중항 여기 상태로부터의 발광을 나타내는 금속 착체이다. 이 삼중항 여기 상태로부터의 발광을 나타내는 금속 착체는 중심 금속 원자 및 배위자를 갖는다.
중심 금속 원자로서는, 예를 들어 원자 번호 40 이상의 원자이고, 착체로 한 경우에 스핀-궤도 상호 작용이 있고, 일중항 상태와 삼중항 상태 사이의 항간 교차를 일으킬 수 있는 금속 원자를 들 수 있다. 금속 원자로서는, 예를 들어 루테늄 원자, 로듐 원자, 팔라듐 원자, 이리듐 원자 및 백금 원자를 들 수 있다. 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 이리듐 원자 또는 백금 원자인 것이 바람직하고, 이리듐 원자인 것이 보다 바람직하다.
배위자로서는, 예를 들어 중심 금속 원자와의 사이에, 배위 결합 및 공유 결합으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 결합을 형성하는 배위자를 들 수 있다. 중심 금속 원자와 배위자 사이의 결합으로서는, 예를 들어 금속-질소 결합, 금속-탄소 결합, 금속-산소 결합, 금속-인 결합, 금속-황 결합 및 금속-할로겐 결합을 들 수 있다. 배위자로서, 중성 혹은 음이온성의 단좌 배위자, 또는 중성 혹은 음이온성의 다좌 배위자를 들 수 있다. 다좌 배위자란, 통상 2좌 이상 6좌 이하의 배위자를 의미한다.
인광 발광성 전이 금속 착체는 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 식 (2)로 표현되는 금속 착체인 것이 바람직하다.
[식 (2) 중, M은 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
n1은 1 이상의 정수를 나타내고, n2는 0 이상의 정수를 나타낸다. 단, M이 루테늄 원자, 로듐 원자 또는 이리듐 원자인 경우, n1+n2는 3이고, M이 팔라듐 원자 또는 백금 원자인 경우, n1+n2는 2이다.
E1 및 E2는 각각 독립적으로, 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타낸다. 단, E1 및 E2의 적어도 한쪽은 탄소 원자이다. E1 및 E2가 복수 존재하는 경우, 그것들은 각각 동일해도 되고 달라도 된다.
환 L1은 방향족 복소환을 나타내고, 이 환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 상기 치환기가 복수 존재하는 경우, 복수의 치환기가 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. 환 L1이 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
환 L2는 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환을 나타내고, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 상기 치환기가 복수 존재하는 경우, 복수의 치환기가 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. 환 L2가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
환 L1이 갖고 있어도 되는 치환기와 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기는 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.
A1-G1-A2는 음이온성의 2좌 배위자를 나타낸다. A1 및 A2는 각각 독립적으로, 탄소 원자, 산소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 이들 원자는 환을 구성하는 원자여도 된다. G1은 단결합, 또는 A1 및 A2와 함께 2좌 배위자를 구성하는 원자단을 나타낸다. A1-G1-A2가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.]
M은 발광 소자의 전류 휘도 효율이 더 우수하므로, 이리듐 원자 또는 백금 원자인 것이 바람직하고, 이리듐 원자인 것이 보다 바람직하다. 또한, 전류 휘도 효율이란, 단위 전류당의 휘도(cd/A)를 의미한다.
M이 루테늄 원자, 로듐 원자 또는 이리듐 원자인 경우, n1은 2 또는 3인 것이 바람직하고, 3인 것이 보다 바람직하다.
M이 팔라듐 원자 또는 백금 원자인 경우, n1은 2인 것이 바람직하다.
E1 및 E2는 탄소 원자인 것이 바람직하다.
환 L1로 표현되는 방향족 복소환의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 2 내지 60이고, 바람직하게는 3 내지 30이고, 보다 바람직하게는 4 내지 15이다. 환 L1은 5원의 방향족 복소환 또는 6원의 방향족 복소환인 것이 바람직하다. 환 L1은, 2개 이상 4개 이하의 질소 원자를 구성 원자로서 갖는 5원의 방향족 복소환 또는 1개 이상 4개 이하의 질소 원자를 구성 원자로서 갖는 6원의 방향족 복소환인 것이 보다 바람직하다. 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 단, 환 L1이 6원의 방향족 복소환인 경우, E1은 탄소 원자인 것이 바람직하다.
환 L1로서는, 예를 들어 디아졸환, 트리아졸환, 테트라졸환, 피리딘환, 디아자벤젠환, 트리아진환, 아자나프탈렌환 및 디아자나프탈렌환을 들 수 있고, 바람직하게는 피리딘환, 디아자벤젠환, 아자나프탈렌환, 디아자나프탈렌환, 트리아졸환 또는 디아졸환이고, 보다 바람직하게는 피리딘환, 디아자벤젠환, 아자나프탈렌환, 디아자나프탈렌환이고, 더욱 바람직하게는 피리딘환, 퀴놀린환 또는 이소퀴놀린환이고, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L2로 표현되는 방향족 탄화수소환의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 6 내지 60이고, 바람직하게는 6 내지 30이고, 보다 바람직하게는 6 내지 18이다. 환 L2로 표현되는 방향족 탄화수소환으로서는, 벤젠환, 나프탈렌환, 인덴환, 플루오렌환, 페난트렌환, 디히드로페난트렌환 및 이들 환이 2개 이상 5개 이하 축합된 환을 들 수 있고, 발광 소자의 외부 양자 효율이 더 우수하므로, 벤젠환, 나프탈렌환, 플루오렌환, 페난트렌환 또는 디히드로페난트렌환이 바람직하고, 벤젠환, 플루오렌환 또는 디히드로페난트렌환이 보다 바람직하고, 벤젠환이 더욱 바람직하다. 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L2로 표현되는 방향족 복소환의 탄소 원자수는 치환기의 탄소 원자수를 포함하지 않고, 통상 2 내지 60이다. 환 L2로 표현되는 방향족 복소환으로서는, 피롤환, 디아졸환, 푸란환, 티오펜환, 피리딘환, 디아자벤젠환 및 이들 환에 방향환이 1개 이상 5개 이하 축합된 환을 들 수 있다. 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L2는 발광 소자의 외부 양자 효율이 더 우수하므로, 벤젠환, 플루오렌환, 디히드로페난트렌환, 피리딘환, 디아자벤젠환, 카르바졸환, 디벤조푸란환 또는 디벤조티오펜환인 것이 바람직하고, 벤젠환, 피리딘환 또는 디아자벤젠환인 것이 보다 바람직하고, 벤젠환인 것이 더욱 바람직하다. 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 보다 바람직하고, 알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기인 것이 더욱 바람직하고, 아릴기 또는 1가의 복소환기인 것이 특히 바람직하다. 이들 기는 치환기를 더 갖고 있어도 된다.
발광 소자의 전류 휘도 효율이 더 우수하므로, 식 (2)로 표현되는 금속 착체에 있어서, 환 L1 및 환 L2 중 적어도 하나는 치환기를 갖는 것이 바람직하다.
환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기에 있어서의 아릴기로서는, 페닐기, 나프틸기, 펜트레닐기, 디히드로펜트레닐기 또는 플루오레닐기가 바람직하다. 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기에 있어서의 아릴기는 페닐기 또는 플루오레닐기가 보다 바람직하고, 페닐기가 더욱 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기에 있어서의 1가의 복소환기로서는, 피리딜기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 퀴놀리닐기, 이소퀴놀리닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티에닐기, 카르바졸릴기, 아자카르바졸릴기, 디아자카르바졸릴기, 페녹사지닐기 또는 페노티아지닐기가 바람직하고, 피리딜기, 피리미디닐기, 트리아지닐기, 디벤조푸라닐기, 디벤조티에닐기 또는 카르바졸릴기가 보다 바람직하고, 피리딜기, 피리미디닐기 또는 트리아지닐기가 더욱 바람직하고, 트리아지닐기가 특히 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기가 더 갖고 있어도 되는 치환기로서는, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 바람직하고, 알킬기, 시클로알킬기 또는 아릴기인 것이 보다 바람직하고, 알킬기인 것이 더욱 바람직하다. 이들 기는 치환기를 더 갖고 있어도 된다.
환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기에 있어서의 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기는 발광 소자의 외부 양자 효율이 더 우수하므로, 예를 들어 식 (D-A1) 내지 식 (D-A5) 또는 식 (D-B1) 내지 식 (D-B3)으로 표현되는 기인 것이 바람직하고, 식 (D-A1), 식 (D-A3) 내지 식 (D-A5) 또는 식 (D-B1)로 표현되는 기인 것이 보다 바람직하고, 식 (D-A1), 식 (D-A3) 또는 식 (D-A5)로 표현되는 기인 것이 더욱 바람직하고, 식 (D-A1) 또는 식 (D-A3)으로 표현되는 기인 것이 특히 바람직하다.
[식 중, Rp1 내지 Rp4는 각각 독립적으로, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기 또는 할로겐 원자를 나타낸다. Rp1, Rp2 및 Rp4가 복수 존재하는 경우, 그것들은 각각 동일해도 되고 달라도 된다.
np1은 0 내지 5의 정수를 나타내고, np2는 0 내지 3의 정수를 나타내고, np3은 0 또는 1을 나타내고, np4는 0 내지 4의 정수를 나타낸다. np1 및 np2가 복수 있는 경우, 그것들은 각각 동일해도 되고 달라도 된다.]
환 L1이 갖고 있어도 되는 치환기가 복수 존재하는 경우, 그것들은 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있지 않는 것이 바람직하다. 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기가 복수 존재하는 경우, 그것들은 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있지 않는 것이 바람직하다. 환 L1이 갖고 있어도 되는 치환기와 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기는 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하지 않는 것이 바람직하다.
[음이온성의 2좌 배위자]
A1-G1-A2로 표현되는 음이온성의 2좌 배위자로서는, 예를 들어 식 (a-101) 내지 식 (a-109)로 표현되는 배위자를 들 수 있다. 단, A1-G1-A2로 표현되는 음이온성의 2좌 배위자는, 첨자 n1로 그 수를 정의하고 있는 배위자와는 다르다.
[식 (a-101) 내지 식 (a-109) 중, *를 붙인 원자는 배위 원자를 나타낸다.]
식 (2)로 표현되는 금속 착체는 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 상기 식 (1-A)로 표현되는 금속 착체인 것이 바람직하다.
환 L1A는 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 피리딘환, 퀴놀린환 또는 이소퀴놀린환인 것이 바람직하다. 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다.
환 L1A가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
환 L1A가 갖고 있어도 되는 치환기가 복수 존재하는 경우, 그것들은 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하지 않는 것이 바람직하다.
환 L2A는 벤젠환인 것이 바람직하다.
E21A 내지 E24A는 탄소 원자인 것이 바람직하다.
R21A 내지 R24A는 발광 소자의 외부 양자 효율이 더 우수하므로, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기인 것이 바람직하다. 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
R21A 및 R24A는 더욱 바람직하게는 수소 원자이다. R22A는 더욱 바람직하게는 수소 원자 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 아릴기이다. R23A는 더욱 바람직하게는 수소 원자 또는 치환기를 갖고 있어도 되는 알킬기이다.
식 (1-A)로 표현되는 금속 착체에 있어서, 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 환 L1A의 적어도 하나가 치환기를 갖거나, 혹은 R21A 내지 R24A의 적어도 하나가 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하다.
R21A 내지 R24A의 적어도 하나가 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자인 경우, 발광 소자의 외부 양자 효율이 더 우수하므로, R22A 및 R23A의 적어도 하나가 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 보다 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
R21A 내지 R24A에 있어서의 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위는, 각각 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기에 있어서의 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
R21A 내지 R24A가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기가 더 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
R21A와 R22A, R22A와 R23A, R23A와 R24A 및 환 L1A가 갖고 있어도 되는 치환기와 R21A는 각각 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하지 않는 것이 바람직하다.
식 (1-A)로 표현되는 금속 착체는 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 바람직하게는 상기 식 (1-B1) 내지 상기 식 (1-B5)로 표현되는 금속 착체이고, 보다 바람직하게는 상기 식 (1-B1) 내지 상기 식 (1-B3)으로 표현되는 금속 착체이고, 더욱 바람직하게는 상기 식 (1-B3)으로 표현되는 금속 착체이다.
[식 (1-B1) 내지 식 (1-B5)로 표현되는 금속 착체]
R11B 내지 R18B는 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 바람직하게는 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기이고, 보다 바람직하게는 수소 원자, 알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
R11B 및 R14B 내지 R18B는 금속 착체의 합성이 용이해지므로, 수소 원자 또는 알킬기인 것이 바람직하고, 수소 원자인 것이 보다 바람직하다. 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
R12B는 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 바람직하게는 수소 원자이다.
R13B는 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 바람직하게는 수소 원자, 아릴기 또는 1가의 복소환기이고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
R11B 내지 R18B에 있어서의 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위는, 각각 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기에 있어서의 아릴기, 1가의 복소환기 및 치환 아미노기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
R11B 내지 R18B가 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위는, 환 L1 및 환 L2가 갖고 있어도 되는 치환기가 더 갖고 있어도 되는 치환기의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
식 (1-B1) 내지 식 (1-B5) 중, 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, R11B 내지 R14B, R11B 내지 R18B 및 R21A 내지 R24A의 적어도 하나는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, R12B, R13B, R22A 및 R23A의 적어도 하나는 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하고, R13B, R22A 및 R23A의 적어도 하나는 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기, 1가의 복소환기 또는 치환 아미노기인 것이 더욱 바람직하다. 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
식 (1-B1) 내지 식 (1-B5) 중, R11B와 R12B, R12B와 R13B, R13B와 R14B, R11B와 R21A, R13B와 R15B, R15B와 R16B, R16B와 R17B, R17B와 R18B, R18B와 R21A, R11B와 R18B, R14B와 R15B 및 R12B와 R18B는 각각 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있지 않는 것이 바람직하다.
인광 발광성 전이 금속 착체로서는, 예를 들어 하기 식으로 표현되는 금속 착체를 들 수 있다.
인광 발광성 전이 금속 착체는 Aldrich, Luminescence Technology Corp., American Dye Source 등으로부터 입수 가능하다. 인광 발광성 전이 금속 착체는 「Journal of the American Chemical Society, Vol.107, 1431-1432(1985)」, 「Journal of the American Chemical Society, Vol.106, 6647-6653(1984)」, 일본 특허 공표 제2004-530254호 공보, 일본 특허 공개 제2008-179617호 공보, 일본 특허 공개 제2011-105701호 공보, 일본 특허 공표 제2007-504272호 공보, 국제 공개 제2006/121811호, 일본 특허 공개 제2013-147450호 공보, 일본 특허 공개 제2014-224101호 공보 등의 문헌에 기재된 공지의 방법에 의해 제조하는 것도 가능하다.
[호스트 재료]
본 발명의 일 양태에 있어서의 제1 유기층은 정공 주입성, 정공 수송성, 전자 주입성 및 전자 수송성으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 기능을 갖는 호스트 재료를 더 함유함으로써, 발광 소자의 발광 효율이 특히 우수한 것이 된다. 본 발명의 일 양태에 있어서의 제1 유기층에 있어서, 호스트 재료는 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상 함유되어 있어도 된다.
제1 유기층에 포함되는 인광 발광성 전이 금속 착체의 함유량은, 제1 유기층의 금속 착체와 호스트 재료의 합계를 100질량부로 한 경우, 통상 0.05 내지 80질량부이고, 바람직하게는 0.1 내지 50질량부이고, 보다 바람직하게는 0.5 내지 40질량부이고, 더욱 바람직하게는 1 내지 10중량부이다.
호스트 재료가 갖는 최저 여기 삼중항 상태의 에너지 준위(T1)는 발광 소자의 발광 효율이 우수하므로, 상술한 인광 발광성의 전이 금속 착체가 갖는 T1과 동등한 에너지 준위, 또는 더 높은 에너지 준위인 것이 바람직하다.
호스트 재료로서는, 발광 소자를 용액 도포 프로세스로 제작할 수 있으므로, 상술한 인광 발광성의 전이 금속 착체를 용해하는 것이 가능한 용매에 대하여 용해성을 나타내는 것임이 바람직하다.
호스트 재료는 저분자 화합물과 고분자 화합물로 분류된다.
호스트 재료에 사용되는 저분자 화합물로서는, 카르바졸 골격을 갖는 화합물, 트리아릴아민 골격을 갖는 화합물, 페난트롤린 골격을 갖는 화합물, 트리아릴트리아진 골격을 갖는 화합물, 아졸 골격을 갖는 화합물, 벤조티오펜 골격을 갖는 화합물, 벤조푸란 골격을 갖는 화합물, 플루오렌 골격을 갖는 화합물, 스피로플루오렌 골격을 갖는 화합물 등을 들 수 있다. 호스트 재료에 사용되는 저분자 화합물의 일례는 하기 식으로 표현되는 화합물이다.
호스트 재료에 사용되는 고분자 화합물(이하, 「고분자 호스트」라고 한다.) 로서는, 상기 식 (Y)로 표현되는 구성 단위를 포함하는 고분자 화합물인 것이 바람직하다.
고분자 호스트가 포함하고 있어도 되는 식 (Y)로 표현되는 구성 단위의 정의, 예 및 바람직한 범위는, 전술한 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물이 포함하고 있어도 되는 식 (Y)로 표현되는 구성 단위의 정의, 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
식 (Y)로 표현되는 구성 단위이며, ArY1이 아릴렌기인 구성 단위는, 본 실시 형태에 관한 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 고분자 호스트에 포함되는 구성 단위의 합계량에 대하여 바람직하게는 0.5 내지 90몰％이고, 보다 바람직하게는 30 내지 87몰％이고, 더욱 바람직하게는 50 내지 85몰％이다.
식 (Y)로 표현되는 구성 단위이며, ArY1이 2가의 복소환기, 또는 아릴렌기와 2가의 복소환기가 직접 결합한 2가의 기인 구성 단위는, 본 실시 형태에 관한 발광 소자의 전하 수송성이 우수하므로, 고분자 호스트에 포함되는 구성 단위의 합계량에 대하여 바람직하게는 0.5 내지 40몰％이고, 보다 바람직하게는 3 내지 30몰％이고, 더욱 바람직하게는 5 내지 20몰％이다.
식 (Y)로 표현되는 구성 단위는 고분자 호스트 중에 1종만 포함되어 있어도 되고, 2종 이상 포함되어 있어도 된다.
고분자 호스트는 정공 수송성이 우수하므로, 추가로 식 (X)로 표현되는 구성 단위를 포함하는 것이 바람직하다.
고분자 호스트가 포함하고 있어도 되는 식 (X)로 표현되는 구성 단위의 정의, 예, 바람직한 범위, 함유량 등은, 전술한 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물이 포함하고 있어도 되는 식 (X)로 표현되는 구성 단위의 정의, 예, 바람직한 범위, 함유량 등과 동일하다.
고분자 호스트에 있어서, 식 (X)로 표현되는 구성 단위는 1종만 포함되어 있어도 되고, 2종 이상 포함되어 있어도 된다.
고분자 호스트로서는, 예를 들어 표 2의 고분자 화합물 P-9 내지 화합물 P-14를 들 수 있다.
[표 중, p, q, r, s 및 t는 각 구성 단위의 몰 비율을 나타낸다. p+q+r+s+t=100이고, 또한 100≥p+q+r+s≥70이다. 기타의 구성 단위란, 식 (Y)로 표현되는 구성 단위, 식 (X)로 표현되는 구성 단위 이외의 구성 단위를 의미한다.]
고분자 호스트는 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 교호 공중합체, 그라프트 공중합체의 어느 것이어도 되고, 기타의 양태여도 되지만, 복수종의 원료 모노머를 공중합하여 이루어지는 공중합체인 것이 바람직하다.
[고분자 호스트의 제조 방법]
제1 유기층의 고분자 호스트는, 전술한 제1 유기층의 가교기 함유 고분자 화합물의 제조 방법과 동일한 방법으로 제조할 수 있다.
[제1 조성물]
제1 유기층은 가교기를 갖는 화합물과, 인광 발광성 전이 금속 착체와, 전술한 호스트 재료, 정공 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 형광 발광성 화합물 및 산화 방지제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 조성물(이하, 「제1 조성물」이라고도 한다.)을 함유하는 층이어도 된다. 제1 조성물에 포함되는 가교기를 갖는 화합물의 비율은, 제1 조성물의 전체 질량에 대하여 2 내지 10질량％이다.
[정공 수송 재료]
정공 수송 재료는 저분자 화합물과 고분자 화합물로 분류되고, 바람직하게는 고분자 화합물이다. 정공 수송 재료는 가교기를 갖고 있어도 된다.
고분자 화합물로서는, 예를 들어 폴리비닐카르바졸 및 그의 유도체; 측쇄 또는 주쇄에 방향족 아민 구조를 갖는 폴리아릴렌 및 그의 유도체를 들 수 있다. 고분자 화합물은 전자 수용성 부위가 결합된 화합물이어도 된다. 전자 수용성 부위로서는, 예를 들어 풀러렌, 테트라플루오로테트라시아노퀴노디메탄, 테트라시아노에틸렌 및 트리니트로플루오레논 등을 들 수 있다. 전자 수용성 부위는 풀러렌인 것이 바람직하다.
제1 조성물에 있어서 정공 수송 재료의 배합량은, 가교기를 갖는 화합물과 인광 발광성 전이 금속 착체의 합계를 100질량부로 한 경우, 통상 1 내지 400질량부이고, 바람직하게는 5 내지 150질량부이다.
정공 수송 재료는 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
[전자 수송 재료]
전자 수송 재료는 저분자 화합물과 고분자 화합물로 분류된다. 전자 수송 재료는 가교기를 갖고 있어도 된다.
저분자 화합물로서는, 예를 들어 8-히드록시퀴놀린을 배위자로 하는 금속 착체, 옥사디아졸, 안트라퀴노디메탄, 벤조퀴논, 나프토퀴논, 안트라퀴논, 테트라시아노안트라퀴노디메탄, 플루오레논, 디페닐디시아노에틸렌 및 디페노퀴논, 그리고 이것들의 유도체를 들 수 있다.
고분자 화합물로서는, 예를 들어 폴리페닐렌, 폴리플루오렌 및 이것들의 유도체를 들 수 있다. 고분자 화합물은 금속으로 도프되어 있어도 된다.
제1 조성물에 있어서 전자 수송 재료의 배합량은, 가교기를 갖는 화합물과 인광 발광성 전이 금속 착체의 합계를 100질량부로 한 경우, 통상 1 내지 400질량부이고, 바람직하게는 5 내지 150질량부이다.
전자 수송 재료는 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
[정공 주입 재료 및 전자 주입 재료]
정공 주입 재료 및 전자 주입 재료는 각각 저분자 화합물과 고분자 화합물로 분류된다. 정공 주입 재료 및 전자 주입 재료는 가교기를 갖고 있어도 된다.
저분자 화합물로서는, 예를 들어 구리 프탈로시아닌 등의 금속 프탈로시아닌; 카본; 몰리브덴, 텅스텐 등의 금속 산화물; 불화리튬, 불화나트륨, 불화세슘, 불화칼륨 등의 금속 불화물을 들 수 있다.
고분자 화합물로서는, 예를 들어 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리티에닐렌비닐렌, 폴리퀴놀린 및 폴리퀴녹살린, 그리고 이것들의 유도체; 방향족 아민 구조를 주쇄 또는 측쇄에 포함하는 중합체 등의 도전성 고분자를 들 수 있다.
제1 조성물에 있어서 정공 주입 재료 및 전자 주입 재료의 배합량은 각각, 가교기를 갖는 화합물과 인광 발광성 전이 금속 착체의 합계를 100질량부로 한 경우, 통상 1 내지 400질량부이고, 바람직하게는 5 내지 150질량부이다.
전자 주입 재료 및 정공 주입 재료는 각각 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
[이온 도프]
정공 주입 재료 또는 전자 주입 재료가 도전성 고분자를 포함하는 경우, 도전성 고분자의 전기 전도도는 바람직하게는 1×10-5S/㎝ 내지 1×103S/㎝이다. 도전성 고분자의 전기 전도도를 이러한 범위로 하기 위해, 도전성 고분자에 적량의 이온을 도프할 수 있다.
도프하는 이온의 종류는, 정공 주입 재료라면 음이온, 전자 주입 재료라면 양이온이다. 음이온으로서는, 예를 들어 폴리스티렌술폰산 이온, 알킬벤젠술폰산 이온 및 캄포술폰산 이온을 들 수 있다. 양이온으로서는, 예를 들어 리튬 이온, 나트륨 이온, 칼륨 이온 및 테트라부틸암모늄 이온을 들 수 있다.
도프하는 이온은 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
[형광 발광성 화합물]
형광 발광성 화합물은 저분자 화합물과 고분자 화합물로 분류된다. 형광 발광성 화합물은 가교기를 갖고 있어도 된다.
저분자 화합물로서는, 예를 들어 나프탈렌 및 그의 유도체, 안트라센 및 그의 유도체, 그리고 페릴렌 및 그의 유도체를 들 수 있다.
고분자 화합물로서는, 예를 들어 페닐렌기, 나프탈렌디일기, 안트라센디일기, 플루오렌디일기, 페난트렌디일기, 디히드로페난트렌디일기, 전술한 식 (X)로 표현되는 기, 카르바졸디일기, 페녹사진디일기, 페노티아진디일기, 피렌디일기 등을 포함하는 고분자 화합물을 들 수 있다.
제1 조성물에 있어서 형광 발광성 화합물의 배합량은, 가교기를 갖는 화합물과 인광 발광성 전이 금속 착체의 합계를 100질량부로 한 경우, 통상 0.1 내지 400질량부이고, 바람직하게는 5 내지 150질량부이다.
형광 발광성 화합물은 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
[산화 방지제]
산화 방지제는 가교기를 갖는 화합물 및 인광 발광성 전이 금속 착체와 동일한 용매에 가용이고, 발광 및 전하 수송을 저해하지 않는 화합물이면 된다. 예를 들어 산화 방지제로서는, 페놀계 산화 방지제 및 인계 산화 방지제를 들 수 있다.
제1 조성물에 있어서 산화 방지제의 배합량은, 가교기를 갖는 화합물과 인광 발광성 전이 금속 착체의 합계를 100질량부로 한 경우, 통상 0.001 내지 10질량부이다.
산화 방지제는 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
[제1 잉크]
가교기를 갖는 화합물과, 인광 발광성 전이 금속 착체와, 용매를 함유하는 조성물(이하, 「제1 잉크」라고도 한다.)은 스핀 코트법, 캐스팅법, 마이크로 그라비아 코트법, 그라비아 코트법, 바 코트법, 롤 코트법, 와이어 바 코트법, 딥 코트법, 스프레이 코트법, 스크린 인쇄법, 플렉소 인쇄법, 오프셋 인쇄법, 잉크젯 인쇄법, 모세관 코트법, 노즐 코트법 등의 도포법에 적합하게 사용할 수 있다.
제1 잉크의 점도는 도포법의 종류에 따라 조정하면 되지만, 잉크젯 인쇄법 등의 용액이 토출 장치를 경유하는 인쇄법에 적용하는 경우에는, 토출 시의 눈막힘과 비행 굴절이 일어나기 어려우므로, 바람직하게는 25℃에 있어서 1 내지 20mPa·s이다.
제1 잉크에 함유되는 용매는, 바람직하게는 잉크 중의 고형분을 용해 또는 균일하게 분산할 수 있는 용매이다. 용매로서는, 예를 들어 1,2-디클로로에탄, 1,1,2-트리클로로에탄, 클로로벤젠, o-디클로로벤젠 등의 염소계 용매; 테트라히드로푸란, 디옥산, 아니솔, 4-메틸아니솔 등의 에테르계 용매; 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 에틸벤젠, n-헥실벤젠, 시클로헥실벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용매; 시클로헥산, 메틸시클로헥산, n-펜탄, n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, n-데칸, n-도데칸, 비시클로헥실 등의 지방족 탄화수소계 용매; 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 아세토페논 등의 케톤계 용매; 아세트산에틸, 아세트산부틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 벤조산메틸, 아세트산페닐 등의 에스테르계 용매; 에틸렌글리콜, 글리세린, 1,2-헥산디올 등의 다가 알코올계 용매; 이소프로필알코올, 시클로헥산올 등의 알코올계 용매; 디메틸술폭시드 등의 술폭시드계 용매; N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸포름아미드 등의 아미드계 용매를 들 수 있다. 용매는 1종 단독으로 사용해도 되고 2종 이상을 병용해도 된다.
제1 잉크에 있어서 용매의 배합량은, 가교성을 갖는 화합물, 인광 발광성 전이 금속 착체와 호스트 재료의 합계를 100질량부로 한 경우, 통상 1000 내지 100000질량부이고, 바람직하게는 2000 내지 20000질량부이다.
[제2 유기층]
본 발명의 제2 유기층은, 상기 제1 유기층에 함유되는 상기 가교기를 갖는 화합물과 동일한 가교기를 갖는 화합물의 가교체(이하에서는, 「제2 유기층의 화합물의 가교체」라고도 한다.)를 함유하는 층이다.
제2 유기층의 화합물의 가교체는, 상기 가교기를 갖는 화합물과 동일한 가교기를 갖는 화합물을 상술한 방법 및 조건 등에 의해 가교한 상태로 함으로써 얻어진다.
[제2 조성물]
제2 유기층은, 제2 유기층의 화합물의 가교체와, 정공 수송 재료(단, 제2 유기층의 화합물의 가교체와는 다름), 정공 주입 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 발광 재료 및 산화 방지제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 재료를 포함하는 조성물(이하, 「제2 조성물」이라고도 한다.)을 함유하는 층이어도 된다.
제2 조성물에 함유되는 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 주입 재료 및 발광 재료의 예 및 바람직한 범위는, 제1 조성물에 함유되는 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 주입 재료 및 발광 재료의 예 및 바람직한 범위와 동일하다. 제2 조성물에 있어서, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 정공 주입 재료, 전자 주입 재료 및 발광 재료의 배합량은 각각, 제2 유기층의 화합물의 가교체를 100질량부로 한 경우, 통상 1 내지 400질량부이고, 바람직하게는 5 내지 150질량부이다.
제2 조성물에 함유되는 산화 방지제의 예 및 바람직한 범위는, 제1 조성물에 함유되는 산화 방지제의 예 및 바람직한 범위와 동일하다. 제2 조성물에 있어서 산화 방지제의 배합량은, 제2 유기층의 화합물의 가교체를 100질량부로 한 경우, 통상 0.001 내지 10질량부이다.
가교 전의 제2 유기층에 함유되는 성분과, 제1 유기층에 함유되는 가교기를 갖는 화합물이 동일한지의 판정 방법으로서는, 이하의 방법을 들 수 있다. 먼저 습식법으로 양극 위에 제2 유기층을 형성하고, 가교 반응시키지 않고, 톨루엔, 크실렌, 클로로포름, 또는 테트라히드로푸란 등의 용매에 가교 반응 전의 제2 유기층을 용해시켜 분리한다. 분리한 가교 반응 전의 제2 유기층은 핵자기 공명 분광법 또는 질량 분석법에 의해 분석하여, 제1 유기층에 포함되는 가교기를 갖는 화합물과 동일한 화합물인 것을 동정한다.
[제2 잉크]
제2 유기층의 화합물과, 용매를 함유하는 조성물(이하, 「제2 잉크」라고도 한다.)은 제1 잉크의 항에서 설명한 습식법에 적합하게 사용할 수 있다. 제2 잉크의 점도의 바람직한 범위는 제1 잉크의 점도의 바람직한 범위와 동일하다. 제2 잉크에 함유되는 용매의 예 및 바람직한 범위는 제1 잉크에 함유되는 용매의 예 및 바람직한 범위와 동일하다.
제2 잉크에 있어서 용매의 배합량은, 제2 유기층의 화합물을 100질량부로 한 경우, 통상 1000 내지 100000질량부이고, 바람직하게는 2000 내지 20000질량부이다.
<발광 소자의 층 구성>
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자는 양극, 음극, 제1 유기층 및 제2 유기층을 포함한다. 일례로서, 도 1에 나타내는 발광 소자(10)는 음극(1), 제1 유기층(2), 제2 유기층(3), 양극(4)을 이 순으로 적층한 구조를 갖는다. 본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자는 양극, 음극, 제1 유기층 및 제2 유기층 이외의 층을 갖고 있어도 된다.
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자에 있어서, 제1 유기층은 통상 발광층(이하, 「제1 발광층」이라고 한다.)이다.
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자에 있어서, 제2 유기층은 통상 정공 수송층, 제2 발광층 또는 전자 수송층이다. 제2 유기층은 정공 수송층 또는 제2 발광층인 것이 바람직하다. 제2 유기층은 정공 수송층인 것이 보다 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자에 있어서, 제1 유기층과 제2 유기층은 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 인접하고 있는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자에 있어서, 제2 유기층은 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 양극 및 제1 유기층 사이에 마련된 층인 것이 바람직하다. 제2 유기층은, 양극 및 제1 유기층 사이에 마련된 정공 수송층 또는 제2 발광층인 것이 보다 바람직하다. 제2 유기층은, 양극 및 제1 유기층 사이에 마련된 정공 수송층인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자의 제1 유기층에 있어서, 가교기를 갖는 화합물 및 인광 발광성 전이 금속 착체는 각각 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상 함유되어 있어도 된다. 본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자의 제2 유기층에 있어서, 제2 유기층의 화합물의 가교체는 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상 함유되어 있어도 된다.
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자에 있어서, 제2 유기층이 양극 및 제1 유기층 사이에 마련된 정공 수송층인 경우, 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 양극과 제2 유기층 사이에 정공 주입층을 더 갖는 것이 바람직하다. 제2 유기층이 양극 및 제1 유기층 사이에 마련된 정공 수송층인 경우, 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 음극과 제1 유기층 사이에 전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 하나의 층을 더 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자에 있어서, 제2 유기층이 양극 및 제1 유기층 사이에 마련된 제2 발광층인 경우, 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 양극과 제2 유기층 사이에 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 하나의 층을 더 갖는 것이 바람직하다. 제2 유기층이 양극 및 제1 유기층 사이에 마련된 제2 발광층인 경우, 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 음극과 제1 유기층 사이에 전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 하나의 층을 더 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자에 있어서, 제2 유기층이 음극 및 제1 유기층 사이에 마련된 제2 발광층인 경우, 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 양극과 제1 유기층 사이에 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 하나의 층을 더 갖는 것이 바람직하다. 제2 유기층이 음극 및 제1 유기층 사이에 마련된 제2 발광층인 경우, 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 음극과 제2 유기층 사이에 전자 주입층 및 전자 수송층 중 적어도 하나의 층을 더 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자에 있어서, 제2 유기층이 음극 및 제1 유기층 사이에 마련된 전자 수송층인 경우, 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 양극과 제1 유기층 사이에 정공 주입층 및 정공 수송층 중 적어도 하나의 층을 더 갖는 것이 바람직하다. 제2 유기층이 음극 및 제1 유기층 사이에 마련된 전자 수송층인 경우, 본 발명의 발광 소자의 발광 효율이 더 우수하므로, 음극과 제2 유기층 사이에 전자 주입층을 더 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 몇 가지의 양태에 있어서의 발광 소자의 구체적인 층 구성으로서는, 예를 들어 (D1) 내지 (D15)로 표현되는 층 구성을 들 수 있다. 본 발명의 몇 가지의 양태에 있어서의 발광 소자는 통상 기판을 갖는데, 기판 위에 양극부터 적층되어 있어도 되고, 기판 위에 음극부터 적층되어 있어도 된다.
(D1) 양극/제2 발광층(제2 유기층)/제1 발광층(제1 유기층)/음극
(D2) 양극/정공 수송층(제2 유기층)/제1 발광층(제1 유기층)/음극
(D3) 양극/정공 주입층/제2 발광층(제2 유기층)/제1 발광층(제1 유기층)/음극
(D4) 양극/정공 주입층/제2 발광층(제2 유기층)/제1 발광층(제1 유기층)/전자 수송층/음극
(D5) 양극/정공 주입층/제2 발광층(제2 유기층)/제1 발광층(제1 유기층)/전자 주입층/음극
(D6) 양극/정공 주입층/제2 발광층(제2 유기층)/제1 발광층(제1 유기층)/전자 수송층/전자 주입층/음극
(D7) 양극/정공 주입층/정공 수송층(제2 유기층)/제1 발광층(제1 유기층)/음극
(D8) 양극/정공 주입층/정공 수송층(제2 유기층)/제1 발광층(제1 유기층)/전자 수송층/음극
(D9) 양극/정공 주입층/정공 수송층(제2 유기층)/제1 발광층(제1 유기층)/전자 주입층/음극
(D10) 양극/정공 주입층/정공 수송층(제2 유기층)/제1 발광층(제1 유기층)/전자 수송층/전자 주입층/음극
(D11) 양극/정공 주입층/정공 수송층/제2 발광층(제2 유기층)/제1 발광층(제1 유기층)/전자 수송층/전자 주입층/음극
(D12) 양극/정공 주입층/정공 수송층(제2 유기층)/제1 발광층(제1 유기층)/제2 발광층/전자 수송층/전자 주입층/음극
(D13) 양극/정공 주입층/정공 수송층/제1 발광층(제1 유기층)/제2 발광층(제2 유기층)/전자 수송층/전자 주입층/음극
(D14) 양극/정공 주입층/정공 수송층/제1 발광층(제1 유기층)/전자 수송층(제2 유기층)/전자 주입층/음극
(D15) 양극/정공 주입층/정공 수송층(제2 유기층)/제2 발광층/제1 발광층(제1 유기층)/전자 수송층/전자 주입층/음극
(D1) 내지 (D15) 중, 「/」는 그 전후의 층이 인접하여 적층되어 있는 것을 의미한다. 구체적으로 「제2 발광층(제2 유기층)/제1 발광층(제1 유기층)」이란, 제2 발광층(제2 유기층)과 제1 발광층(제1 유기층)이 인접하여 적층되어 있는 것을 의미한다.
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자에 있어서, 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 제2 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극은 각각, 필요에 따라 2층 이상 마련되어 있어도 된다.
양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 제2 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극이 복수 존재하는 경우, 그것들은 각각 동일해도 되고 달라도 된다.
양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 제1 발광층, 제2 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극의 두께는 통상 1㎚ 내지 1㎛이고, 바람직하게는 2㎚ 내지 500㎚이고, 더욱 바람직하게는 5㎚ 내지 150㎚이다.
본 발명의 발광 소자에 있어서 적층하는 층의 순번, 수 및 두께는 발광 소자의 발광 효율, 구동 전압 및 소자 수명을 감안하여 조정하면 된다.
[제2 발광층]
제2 발광층은 통상 제2 유기층 또는 발광 재료를 함유하는 층이고, 바람직하게는 발광 재료를 함유하는 층이다. 제2 발광층이 발광 재료를 함유하는 층인 경우, 제2 발광층에 함유되는 발광 재료로서는, 예를 들어 전술한 제2 조성물이 함유하고 있어도 되는 발광 재료를 들 수 있다. 제2 발광층에 함유되는 발광 재료는 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상이 함유되어 있어도 된다.
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자가 제2 발광층을 갖고, 또한 후술하는 정공 수송층 및 후술하는 전자 수송층이 제2 유기층이 아닌 경우, 제2 발광층은 제2 유기층인 것이 바람직하다.
[정공 수송층]
정공 수송층은 통상 제2 유기층 또는 정공 수송 재료를 함유하는 층이다. 정공 수송층은 제2 유기층인 것이 바람직하다. 정공 수송층이 정공 수송 재료를 함유하는 층인 경우, 정공 수송 재료로서는, 예를 들어 전술한 제1 조성물이 함유하고 있어도 되는 정공 수송 재료를 들 수 있다. 정공 수송층에 함유되는 정공 수송 재료는 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상이 함유되어 있어도 된다.
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자가 정공 수송층을 갖고, 또한 전술한 제2 발광층 및 후술하는 전자 수송층이 제2 유기층이 아닌 경우, 정공 수송층은 제2 유기층인 것이 바람직하다.
[전자 수송층]
전자 수송층은 통상 제2 유기층 또는 전자 수송 재료를 함유하는 층이다. 전자 수송층은 전자 수송 재료를 함유하는 층인 것이 바람직하다. 전자 수송층이 전자 수송 재료를 함유하는 층인 경우, 전자 수송층에 함유되는 전자 수송 재료로서는, 예를 들어 전술한 제1 조성물이 함유하고 있어도 되는 전자 수송 재료를 들 수 있다. 전자 수송층에 함유되는 전자 수송 재료는 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상이 함유되어 있어도 된다.
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자가 전자 수송층을 갖고, 또한 전술한 제2 발광층 및 전술한 정공 수송층이 제2 유기층이 아닌 경우, 전자 수송층은 제2 유기층인 것이 바람직하다.
[정공 주입층 및 전자 주입층]
정공 주입층은 정공 주입 재료를 함유하는 층이다. 정공 주입층에 함유되는 정공 주입 재료로서는, 예를 들어 전술한 제1 조성물이 함유하고 있어도 되는 정공 주입 재료를 들 수 있다. 정공 주입층에 함유되는 정공 주입 재료는 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상이 함유되어 있어도 된다.
전자 주입층은 전자 주입 재료를 함유하는 층이다. 전자 주입층에 함유되는 전자 주입 재료로서는, 예를 들어 전술한 제1 조성물이 함유하고 있어도 되는 전자 주입 재료를 들 수 있다. 전자 주입층에 함유되는 전자 주입 재료는 1종 단독으로 함유되어 있어도 되고, 2종 이상이 함유되어 있어도 된다.
[기판/전극]
발광 소자에 있어서의 기판은 전극을 형성할 수 있고, 또한 유기층을 형성할 때에 화학적으로 변화되지 않는 기판이면 된다. 발광 소자에 있어서의 기판은, 예를 들어 유리, 플라스틱, 실리콘 등의 재료를 포함하는 기판이다. 불투명한 기판을 사용하는 경우에는, 기판으로부터 가장 멀리에 있는 전극이 투명 또는 반투명인 것이 바람직하다.
양극의 재료로서는, 예를 들어 도전성의 금속 산화물, 반투명의 금속을 들 수 있다. 양극의 재료는 산화인듐, 산화아연, 산화주석; 인듐·주석·옥사이드(ITO), 인듐·아연·옥사이드 등의 도전성 화합물; 은과 팔라듐과 구리의 복합체(APC); 금, 백금, 은, 구리인 것이 바람직하다.
음극의 재료로서는, 예를 들어 리튬, 나트륨, 칼륨, 루비듐, 세슘, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 알루미늄, 아연, 인듐 등의 금속; 그것들 중 2종 이상의 합금; 그것들 중 1종 이상과, 은, 구리, 망간, 티타늄, 코발트, 니켈, 텅스텐, 주석 중 1종 이상의 합금; 그리고 그래파이트 및 그래파이트 층간 화합물을 들 수 있다. 합금으로서는, 예를 들어 마그네슘-은 합금, 마그네슘-인듐 합금, 마그네슘-알루미늄 합금, 인듐-은 합금, 리튬-알루미늄 합금, 리튬-마그네슘 합금, 리튬-인듐 합금, 칼슘-알루미늄 합금을 들 수 있다.
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자에 있어서, 양극 및 음극의 적어도 한쪽은, 통상, 투명 또는 반투명이지만, 양극이 투명 또는 반투명인 것이 바람직하다.
양극 및 음극의 형성 방법으로서는, 예를 들어 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 도금법 및 라미네이트법을 들 수 있다.
[발광 소자의 제조 방법]
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자에 있어서, 제1 발광층, 제2 발광층, 정공 수송층, 전자 수송층, 정공 주입층, 전자 주입층 등의 각 층의 형성 방법으로서는, 저분자 화합물을 사용하는 경우, 예를 들어 분말로부터의 진공 증착법, 용액 또는 용융 상태로부터의 성막에 의한 방법을 들 수 있다. 고분자 화합물을 사용하는 경우, 예를 들어 용액 또는 용융 상태로부터의 성막에 의한 방법을 들 수 있다.
제1 발광층, 제2 발광층, 정공 수송층, 전자 수송층, 정공 주입층 및 전자 주입층은, 제1 잉크, 제2 잉크, 그리고 상술한 발광 재료, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 정공 주입 재료 및 전자 주입 재료를 각각 함유하는 잉크를 사용하여, 스핀 코트법, 잉크젯 인쇄법 등의 도포법에 의해 형성할 수 있다.
본 발명의 일 양태에 있어서의 발광 소자의 제조 방법은, 음극, 가교기를 갖는 화합물과 인광 발광성 전이 금속 착체를 함유하는 제1 유기층, 상기 가교기를 갖는 화합물과 동일한 화합물의 가교체를 함유하는 제2 유기층, 및 양극을 이 순번으로 갖고, 상기 제1 유기층에 함유되는 상기 가교기를 갖는 화합물의 비율이, 상기 제1 유기층의 전체 질량에 대하여 2 내지 10질량％인 발광 소자의 제조 방법이며, 상기 제1 유기층 및 상기 제2 유기층을 도포법에 의해 형성하는 발광 소자의 제조 방법이다.
[발광 소자의 용도]
본 발명의 발광 소자는, 예를 들어 디스플레이 및 조명에 유용하다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예에 있어서, 고분자 화합물의 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량(Mn) 및 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)은 이동상에 테트라히드로푸란을 사용하고, 크기 배제 크로마토그래피(SEC)에 의해 구했다. 또한, SEC의 각 측정 조건은 다음과 같다.
측정하는 고분자 화합물을 약 0.05질량％의 농도로 테트라히드로푸란에 용해시키고, SEC에 10μL 주입했다. 이동상은 2.0mL/분의 유량으로 흘렸다. 칼럼으로서, PLgel MIXED-B(폴리머 래버러토리즈제)를 사용했다. 검출기에는 UV-VIS 검출기(시마즈 세이사쿠쇼제, 상품명: SPD-10Avp)를 사용했다.
<합성예 P-1> 고분자 화합물 P-1 내지 P-2의 합성
고분자 화합물 P-1은 일본 특허 공개 제2011-105701호 공보에 기재된 방법에 따라 합성했다.
고분자 화합물 P-2는 국제 공개 제2009/157430호에 기재된 방법에 따라 합성했다.
<합성예 M1> 금속 착체 M1의 합성
금속 착체 M1은 일본 특허 공개 제2011-105701호 공보에 기재된 방법에 따라 합성했다.
<비교예 1> 발광 소자 CD1의 제작과 평가
(양극 및 정공 주입층의 형성)
유리 기판에 스퍼터법에 의해 45㎚의 두께로 ITO막을 붙임으로써 양극을 형성했다. 상기 양극 위에, 폴리(에틸렌디옥시티오펜)/폴리스티렌술폰산의 용액(H·C·스타크사, 상품명: CLEVIOS P AI4083)을 스핀 코트법에 의해 65㎚의 두께로 성막하고, 대기 분위기 하에서, 핫 플레이트 위에서 200℃, 10분간 가열함으로써 정공 주입층을 형성했다.
(제2 유기층의 형성)
크실렌에 고분자 화합물 P-1의 0.6질량％ 크실렌 용액(이하, 「조성물 P」라고 한다.)을 조제했다. 조성물 P를 사용하여, 정공 주입층 위에 스핀 코트법에 의해 20㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 핫 플레이트 위에서 180℃, 60분간 가열시킴으로써 제2 유기층을 형성했다. 이 가열에 의해, 고분자 화합물 P-1은 가교체가 되었다.
(제1 유기층의 형성)
고분자 화합물 P-2(92.5질량부)와 금속 착체 M1(7.5질량부)의 혼합물의 1.6질량％ 크실렌 용액(이하, 「조성물 M」이라고 한다.)을 조제했다. 조성물 M을 사용하여, 제2 유기층 위에 스핀 코트법에 의해 80㎚의 두께로 성막하고, 질소 가스 분위기 하에서, 130℃, 10분간 가열시킴으로써 제1 유기층을 형성했다.
(음극의 형성)
제1 유기층을 형성한 기판을 증착기 내에 있어서 1.0×10-4Pa 이하까지 감압한 후, 음극으로서, 제1 유기층 위에 바륨을 약 2㎚, 이어서 알루미늄을 약 80㎚ 증착했다. 증착 후, 유리 기판을 사용하여 밀봉함으로써, 발광 소자 D1을 제작했다.
(발광 소자의 평가)
발광 소자 CD1에 전압을 인가함으로써, 615㎚에 피크를 갖는 적색의 EL 발광이 관측되었다. 발광 소자 CD1의 최대 발광 효율을 100％로 한다.
<비교예 2> 발광 소자 CD2의 제작과 평가
고분자 화합물 P-1의 1.6질량％ 크실렌 용액(이하, 「조성물 N」이라고 한다.)을 조제하고, 비교예 1의 (제1 유기층의 형성)에 있어서의 조성물 M 대신에, 조성물 M 및 조성물 N(조성물 M/조성물 N=80질량％/20질량％)을 사용한 것 이외는, 비교예 1과 마찬가지로 하여 발광 소자 CD2를 제작했다. 또한, 발광 소자 CD2에 있어서, 제1 유기층에 포함되는 고분자 화합물 P-1은 비가교체였다.
발광 소자 CD2에 전압을 인가함으로써, 615㎚에 피크를 갖는 적색의 EL 발광이 관측되었다. 발광 소자 CD1의 최대 발광 효율을 100％로 했을 때, 발광 소자 CD2의 최대 발광 효율이 89％였다.
<실시예 1> 발광 소자 D1의 제작과 평가
비교예 1의 (제1 유기층의 형성)에 있어서의 조성물 M 대신에, 조성물 M 및 조성물 N(조성물 M/조성물 N=98질량％/2질량％)을 사용한 것 이외는, 비교예 1과 마찬가지로 하여 발광 소자 D1을 제작했다. 또한, 발광 소자 D1에 있어서, 제1 유기층에 포함되는 고분자 화합물 P-1은 비가교체였다.
발광 소자 D1에 전압을 인가함으로써, 615㎚에 피크를 갖는 적색의 EL 발광이 관측되었다. 발광 소자 CD1의 최대 발광 효율을 100％로 했을 때, 발광 소자 D1의 최대 발광 효율이 109％였다.
<실시예 2> 발광 소자 D2의 제작과 평가
비교예 1의 (제1 유기층의 형성)에 있어서의 조성물 M 대신에, 조성물 M 및 조성물 N(조성물 M/조성물 N=94질량％/6질량％)을 사용한 것 이외는, 비교예 1과 마찬가지로 하여 발광 소자 D2를 제작했다. 또한, 발광 소자 D2에 있어서, 제1 유기층에 포함되는 고분자 화합물 P-1은 비가교체였다.
발광 소자 D2에 전압을 인가함으로써, 615㎚에 피크를 갖는 적색의 EL 발광이 관측되었다. 발광 소자 CD1의 최대 발광 효율을 100％로 했을 때, 발광 소자 D2의 최대 발광 효율이 106％였다.
<실시예 3> 발광 소자 D3의 제작과 평가
비교예 1의 (제1 유기층의 형성)에 있어서의 조성물 M 대신에, 조성물 M 및 조성물 N(조성물 M/조성물 N=92질량％/8질량％)을 사용한 것 이외는, 비교예 1과 마찬가지로 하여 발광 소자 D3을 제작했다. 또한, 발광 소자 D3에 있어서, 제1 유기층에 포함되는 고분자 화합물 P-1은 비가교체였다.
발광 소자 D3에 전압을 인가함으로써, 615㎚에 피크를 갖는 적색의 EL 발광이 관측되었다. 발광 소자 CD1의 최대 발광 효율을 100％로 했을 때, 발광 소자 D3의 최대 발광 효율이 106％였다.
<실시예 4> 발광 소자 D4의 제작과 평가
비교예 1의 (제1 유기층의 형성)에 있어서의 조성물 M 대신에, 조성물 M 및 조성물 N(조성물 M/조성물 N=90질량％/10질량％)을 사용한 것 이외는, 비교예 1과 마찬가지로 하여 발광 소자 D3을 제작했다. 또한, 발광 소자 D4에 있어서, 제1 유기층에 포함되는 고분자 화합물 P-1은 비가교체였다.
발광 소자 D4에 전압을 인가함으로써, 615㎚에 피크를 갖는 적색의 EL 발광이 관측되었다. 발광 소자 CD1의 최대 발광 효율을 100％로 했을 때, 발광 소자 D4의 최대 발광 효율이 105％였다.
표 3은 발광 소자 D1 내지 D4 및 CD2의 최대 발광 효율을, 발광 소자 CD1의 최대 발광 효율을 100％로 했을 때의 상대값으로 나타낸다.
본 발명에 따르면, 발광 효율이 우수한 발광 소자를 제공할 수 있다.
1: 음극
2: 제1 유기층
3: 제2 유기층
4: 양극
10: 발광 소자.
2: 제1 유기층
3: 제2 유기층
4: 양극
10: 발광 소자.
Claims (7)
- 음극, 가교기를 갖는 화합물과 인광 발광성 전이 금속 착체를 함유하는 제1 유기층, 상기 가교기를 갖는 화합물과 동일한 화합물의 가교체를 함유하는 제2 유기층, 및 양극을 이 순번으로 갖고, 상기 제1 유기층에 함유되는 상기 가교기를 갖는 화합물의 비율이, 상기 제1 유기층의 전체 질량에 대하여 2 내지 10질량％인, 발광 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 가교기를 갖는 화합물이, 식 (XL-1) 내지 식 (XL-19)로 이루어지는 가교기군으로부터 선택되는 적어도 1종의 가교기를 갖는 화합물인, 발광 소자.
[식 (XL-1) 내지 식 (XL-19) 중, RXL은 메틸렌기, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, nXL은 0 내지 5의 정수를 나타낸다. RXL이 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다. nXL이 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다. *1은 결합 위치를 나타낸다. 이들 가교기는 치환기를 갖고 있어도 되고, 상기 치환기가 복수 존재하는 경우, 복수의 치환기가 서로 결합하여, 각각이 결합하는 탄소 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다.] - 제2항에 있어서, 상기 가교기를 갖는 화합물이, 식 (1) 또는 식 (1')으로 표현되는 구성 단위를 갖는 고분자 화합물인, 발광 소자.
[식 (1) 중, nA는 0 내지 5의 정수를 나타내고, n은 1 또는 2를 나타낸다. nA가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
Ar3은 방향족 탄화수소기 또는 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
LA는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 아릴렌기, 2가의 복소환기, -NR'-로 표현되는 기, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, 산소 원자 및 황 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. R'은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. LA가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
X는 상기 가교기군으로부터 선택되는 가교기를 나타낸다. X가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.]
[식 (1') 중, mA는 0 내지 5의 정수를 나타내고, m은 1 내지 4의 정수를 나타내고, c는 0 또는 1의 정수를 나타낸다. mA가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
Ar5는 방향족 탄화수소기, 복소환기, 또는 방향족 탄화수소환과 복소환이 직접 결합한 기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
Ar4 및 Ar6은 각각 독립적으로, 아릴렌기 또는 2가의 복소환기를 나타내고, 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다.
Ar4, Ar5 및 Ar6은 각각, 상기 기가 결합하고 있는 질소 원자에 결합하고 있는 상기 기 이외의 기와, 직접 또는 산소 원자 혹은 황 원자를 통해 결합하여 환을 형성하고 있어도 된다.
KA는 알킬렌기, 시클로알킬렌기, 아릴렌기, 2가의 복소환기, -NR''-로 표현되는 기, 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고, 산소 원자 및 황 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. R''은 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. KA가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
X'은 상기 가교기군으로부터 선택되는 가교기, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 아릴기 또는 1가의 복소환기를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. 단, 적어도 하나의 X'은 상기 가교기군으로부터 선택되는 가교기이다.] - 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 인광 발광성 전이 금속 착체가 식 (1-A)로 표현되는 금속 착체인, 발광 소자.
[식 (1-A) 중, M은 루테늄 원자, 로듐 원자, 팔라듐 원자, 이리듐 원자 또는 백금 원자를 나타낸다.
n1은 1 이상의 정수를 나타내고, n2는 0 이상의 정수를 나타낸다. 단, M이 루테늄 원자, 로듐 원자 또는 이리듐 원자인 경우, n1+n2는 3이고, M이 팔라듐 원자 또는 백금 원자인 경우, n1+n2는 2이다.
E1은 탄소 원자 또는 질소 원자를 나타낸다. E1이 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
환 L1A는 피리딘환, 디아자벤젠환, 아자나프탈렌환, 디아자나프탈렌환, 트리아졸환 또는 디아졸환을 나타내고, 이들 환은 치환기를 갖고 있어도 된다. 상기 치환기가 복수 존재하는 경우, 복수의 치환기가 서로 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. 환 L1A가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.
E21A, E22A, E23A 및 E24A는 각각 독립적으로, 질소 원자 또는 탄소 원자를 나타낸다. 단, 환 L2A는 벤젠환, 피리딘환 또는 디아자벤젠환을 나타낸다. E21A가 질소 원자인 경우, R21A는 존재하지 않는다. E22A가 질소 원자인 경우, R22A는 존재하지 않는다. E23A가 질소 원자인 경우, R23A는 존재하지 않는다. E24A가 질소 원자인 경우, R24A는 존재하지 않는다. E21A, E22A, E23A 및 E24A는 복수 존재하는 경우, 그것들은 각각 동일해도 되고 달라도 된다.
R21A, R22A, R23A 및 R24A는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. R21A, R22A, R23A 및 R24A가 복수 존재하는 경우, 그것들은 각각 동일해도 되고 달라도 된다. R21A와 R22A, R22A와 R23A, R23A와 R24A 및 환 L1A가 갖고 있어도 되는 치환기와 R21A는 각각 결합하여, 환을 형성하고 있어도 된다.
A1-G1-A2는 음이온성의 2좌 배위자를 나타낸다. A1 및 A2는 각각 독립적으로, 탄소 원자, 산소 원자 또는 질소 원자를 나타내고, 이들 원자는 환을 구성하는 원자여도 된다. G1은 단결합, 또는 A1 및 A2와 함께 2좌 배위자를 구성하는 원자단을 나타낸다. A1-G1-A2가 복수 존재하는 경우, 그것들은 동일해도 되고 달라도 된다.] - 제4항에 있어서, 상기 식 (1-A)로 표현되는 금속 착체가 식 (1-B1), 식 (1-B2), 식 (1-B3), 식 (1-B4) 또는 식 (1-B5)로 표현되는 금속 착체인, 발광 소자.
[식 (1-B1) 내지 식 (1-B5) 중, M, n1, n2, R21A, R22A, R23A, R24A 및 A1-G1-A2는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.
n11 및 n12는 각각 독립적으로, 1 또는 2를 나타낸다. 단, M이 루테늄 원자, 로듐 원자 또는 이리듐 원자인 경우, n11+n12는 3이고, M이 팔라듐 원자 또는 백금 원자인 경우, n11+n12는 2이다.
R11B, R12B, R13B, R14B, R15B, R16B, R17B 및 R18B는 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시기, 시클로알콕시기, 아릴기, 아릴옥시기, 1가의 복소환기, 치환 아미노기 또는 할로겐 원자를 나타내고, 수소 원자 이외의 이들 기는 치환기를 갖고 있어도 된다. R11B, R12B, R13B, R14B, R15B, R16B, R17B 및 R18B가 복수 존재하는 경우, 그것들은 각각 동일해도 되고 달라도 된다.
식 (1-B1) 중, R11B와 R12B, R12B와 R13B, R13B와 R14B 및 R11B와 R21A는 각각 결합하여, 환을 형성하고 있어도 된다. 식 (1-B2) 중, R13B와 R14B, R13B와 R15B, R15B와 R16B, R16B와 R17B, R17B와 R18B 및 R18B와 R21A는 각각 결합하여, 환을 형성하고 있어도 된다. 식 (1-B3) 중, R11B와 R12B, R12B와 R13B, R13B와 R14B, R11B와 R21A, R13B와 R15B, R15B와 R16B, R16B와 R17B, R17B와 R18B 및 R18B와 R21A는 각각 결합하여, 각각이 결합하는 원자와 함께 환을 형성하고 있어도 된다. 식 (1-B4) 중, R11B와 R18B, R14B와 R15B, R15B와 R16B, R16B와 R17B, R17B와 R18B 및 R11B와 R21A는 각각 결합하여, 환을 형성하고 있어도 된다. 식 (1-B5) 중, R11B와 R12B, R12B와 R18B, R15B와 R16B, R16B와 R17B, R17B와 R18B 및 R11B와 R21A는 각각 결합하여, 환을 형성하고 있어도 된다.] - 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 유기층과 상기 제2 유기층이 접하는, 발광 소자.
- 음극, 가교기를 갖는 화합물과 인광 발광성 전이 금속 착체를 함유하는 제1 유기층, 상기 가교기를 갖는 화합물과 동일한 화합물의 가교체를 함유하는 제2 유기층, 및 양극을 이 순번으로 갖고, 상기 제1 유기층에 함유되는 상기 가교기를 갖는 화합물의 비율이, 상기 제1 유기층의 전체 질량에 대하여 2 내지 10질량％인 발광 소자의 제조 방법이며, 상기 제1 유기층 및 상기 제2 유기층을 도포법에 의해 형성하는, 발광 소자의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2019-033281 | 2019-02-26 | ||
| JP2019033281A JP6600110B1 (ja) | 2019-02-26 | 2019-02-26 | 発光素子 |
| PCT/JP2019/049783 WO2020174837A1 (ja) | 2019-02-26 | 2019-12-19 | 発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210133980A true KR20210133980A (ko) | 2021-11-08 |
| KR102669954B1 KR102669954B1 (ko) | 2024-05-29 |
Family
ID=68383295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020217029940A KR102669954B1 (ko) | 2019-02-26 | 2019-12-19 | 발광 소자 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210391542A1 (ko) |
| EP (1) | EP3932926B1 (ko) |
| JP (1) | JP6600110B1 (ko) |
| KR (1) | KR102669954B1 (ko) |
| CN (1) | CN113474351A (ko) |
| WO (1) | WO2020174837A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6600110B1 (ja) * | 2019-02-26 | 2019-10-30 | 住友化学株式会社 | 発光素子 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180020A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-07-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 白色有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2008060034A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置 |
| JP2010103317A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 照明光通信システム用の送信装置 |
| WO2011049226A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 住友化学株式会社 | 金属錯体、高分子化合物及びそれを用いた素子 |
| WO2017061332A1 (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 住友化学株式会社 | 発光素子 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60161773A (ja) * | 1984-02-02 | 1985-08-23 | Sankyo Alum Ind Co Ltd | チリメン模様状塗膜の形成方法 |
| WO2002066552A1 (en) | 2001-02-20 | 2002-08-29 | Isis Innovation Limited | Metal-containing dendrimers |
| GB0311234D0 (en) | 2003-05-16 | 2003-06-18 | Isis Innovation | Organic phosphorescent material and organic optoelectronic device |
| US9051344B2 (en) | 2005-05-06 | 2015-06-09 | Universal Display Corporation | Stability OLED materials and devices |
| JP5262104B2 (ja) | 2006-12-27 | 2013-08-14 | 住友化学株式会社 | 金属錯体、高分子化合物及びこれらを含む素子 |
| JP2009104488A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Hitachi Ltd | ストレージ装置及びその制御方法並びにストレージシステム |
| JP5556063B2 (ja) | 2008-06-23 | 2014-07-23 | 住友化学株式会社 | 組成物及び該組成物を用いてなる発光素子 |
| JP5833322B2 (ja) * | 2010-03-12 | 2015-12-16 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JP5905271B2 (ja) | 2012-01-18 | 2016-04-20 | 住友化学株式会社 | 金属錯体及び該金属錯体を含む発光素子 |
| JP6331617B2 (ja) | 2013-04-15 | 2018-05-30 | 住友化学株式会社 | 金属錯体およびそれを用いた発光素子 |
| JP6551394B2 (ja) * | 2014-03-03 | 2019-07-31 | 三菱ケミカル株式会社 | 重合体、有機電界発光素子用組成物、有機電界発光素子、有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ照明 |
| JP6500891B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2019-04-17 | 住友化学株式会社 | 高分子化合物およびそれを用いた発光素子 |
| JP5867580B2 (ja) * | 2014-06-04 | 2016-02-24 | 住友化学株式会社 | 発光素子 |
| JP6694262B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2020-05-13 | 住友化学株式会社 | 発光素子 |
| JP6596918B2 (ja) * | 2015-05-19 | 2019-10-30 | 住友化学株式会社 | 発光素子 |
| JP7044515B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2022-03-30 | 三星電子株式会社 | 高分子化合物、組成物、液状組成物、薄膜並びにエレクトロルミネッセンス素子用材料及びエレクトロルミネッセンス素子 |
| JP6600110B1 (ja) * | 2019-02-26 | 2019-10-30 | 住友化学株式会社 | 発光素子 |
-
2019
- 2019-02-26 JP JP2019033281A patent/JP6600110B1/ja active Active
- 2019-12-19 EP EP19916873.3A patent/EP3932926B1/en active Active
- 2019-12-19 KR KR1020217029940A patent/KR102669954B1/ko active IP Right Grant
- 2019-12-19 US US17/431,932 patent/US20210391542A1/en active Pending
- 2019-12-19 WO PCT/JP2019/049783 patent/WO2020174837A1/ja unknown
- 2019-12-19 CN CN201980092943.2A patent/CN113474351A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180020A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-07-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 白色有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2008060034A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置 |
| JP2010103317A (ja) * | 2008-10-23 | 2010-05-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 照明光通信システム用の送信装置 |
| WO2011049226A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | 住友化学株式会社 | 金属錯体、高分子化合物及びそれを用いた素子 |
| JP2011105701A (ja) | 2009-10-19 | 2011-06-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 金属錯体、高分子化合物及びそれを用いた素子 |
| WO2017061332A1 (ja) * | 2015-10-06 | 2017-04-13 | 住友化学株式会社 | 発光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3932926B1 (en) | 2023-11-08 |
| JP6600110B1 (ja) | 2019-10-30 |
| US20210391542A1 (en) | 2021-12-16 |
| EP3932926A1 (en) | 2022-01-05 |
| EP3932926A4 (en) | 2022-12-21 |
| WO2020174837A1 (ja) | 2020-09-03 |
| KR102669954B1 (ko) | 2024-05-29 |
| JP2020140987A (ja) | 2020-09-03 |
| CN113474351A (zh) | 2021-10-01 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |