JP2008060034A - 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008060034A JP2008060034A JP2006238811A JP2006238811A JP2008060034A JP 2008060034 A JP2008060034 A JP 2008060034A JP 2006238811 A JP2006238811 A JP 2006238811A JP 2006238811 A JP2006238811 A JP 2006238811A JP 2008060034 A JP2008060034 A JP 2008060034A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- organic compound
- light emitting
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 154
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 134
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 82
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 38
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 70
- -1 silane compound Chemical class 0.000 claims description 33
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims description 18
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 22
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 3
- 238000002407 reforming Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 332
- 239000010408 film Substances 0.000 description 89
- 239000000463 material Substances 0.000 description 84
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 45
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 43
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 40
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 30
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 26
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 26
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 21
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 21
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 20
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 20
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 16
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 13
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 13
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 12
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 12
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 10
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 9
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 9
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 8
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 7
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 7
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 5
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 9H-Pyrido[2,3-b]indole Chemical class C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BPMFPOGUJAAYHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BZHCVCNZIJZMRN-UHFFFAOYSA-N 9h-pyridazino[3,4-b]indole Chemical class N1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BZHCVCNZIJZMRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000002795 fluorescence method Methods 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 150000002504 iridium compounds Chemical class 0.000 description 2
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZBKFYXZXZJPWNQ-UHFFFAOYSA-N isothiocyanate group Chemical group [N-]=C=S ZBKFYXZXZJPWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 125000001567 quinoxalinyl group Chemical class N1=C(C=NC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DBUFXGVMAMMWSD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)propyl]silane Chemical compound C1C(CCC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DBUFXGVMAMMWSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical class N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical class C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- OYIDEQGUYHKUQY-UHFFFAOYSA-N 2,2-dibutoxyethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCCCOC(CO[SiH](C)CCCOCC1CO1)OCCCC OYIDEQGUYHKUQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHFXIFMCZUNFSI-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxyethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound COC(CO[SiH](C)CCCOCC1CO1)OC AHFXIFMCZUNFSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 2,3-bis[(E)-2-phenylethenyl]pyrazine Chemical class C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=NC=CN=C1\C=C\C1=CC=CC=C1 SULWTXOWAFVWOY-PHEQNACWSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORDZXCQDZLMHAM-UHFFFAOYSA-N 2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl-triphenoxysilane Chemical compound C1CC2OC2CC1CC[Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 ORDZXCQDZLMHAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROYZOPPLNMOKCU-UHFFFAOYSA-N 2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl-tripropoxysilane Chemical compound C1C(CC[Si](OCCC)(OCCC)OCCC)CCC2OC21 ROYZOPPLNMOKCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJVRPNIWWODHHA-UHFFFAOYSA-N 2-cyanoprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(=C)C#N IJVRPNIWWODHHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJNHMDMCAAKXHV-UHFFFAOYSA-N 3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl-(2,2,2-trimethoxyethoxy)silane Chemical compound COC(OC)(OC)CO[SiH2]CCCOCC1CO1 GJNHMDMCAAKXHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUXLAULAZDJOEK-UHFFFAOYSA-N 3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl-triphenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)CCCOCC1CO1 GUXLAULAZDJOEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAJFVZRDKCROQC-UHFFFAOYSA-N 3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl-tripropoxysilane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)CCCOCC1CO1 DAJFVZRDKCROQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBNRBJNIYVXSQV-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCS MBNRBJNIYVXSQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOC(=O)C(C)=C DOYKFSOCSXVQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propane-1-thiol Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCS IKYAJDOSWUATPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCl KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEZMLECYELSZDC-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCCl KEZMLECYELSZDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCCl KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBQYMXVQHATSCC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropanenitrile Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC#N GBQYMXVQHATSCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJSMHFNBMMAKRI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyanilino)phenyl]aniline Chemical group COC1=CC=C(C=C1)NC1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)N ZJSMHFNBMMAKRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 4-[[4-(dimethylamino)-2-methylphenyl]-phenylmethyl]-n,n,3-trimethylaniline Chemical compound CC1=CC(N(C)C)=CC=C1C(C=1C(=CC(=CC=1)N(C)C)C)C1=CC=CC=C1 AHDTYXOIJHCGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]propan-2-yl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C)(C)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 DUSWRTUHJVJVRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical group C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 MVIXNQZIMMIGEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]-phenylmethyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 XIQGFRHAIQHZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 9-methylidenefluorene Chemical class C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C2=C1 ZYASLTYCYTYKFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 238000006677 Appel reaction Methods 0.000 description 1
- FJHLCLKEKFGUHR-UHFFFAOYSA-N C(C1)COC1c(cc1)cc2c1c1ccccc1[n]2-c(cc1)cc2c1[o]c(cc1)c2cc1-c(cc1c2c3)ccc1[o]c2ccc3-[n]1c2cc(C3OCCC3)ccc2c2c1cccc2 Chemical compound C(C1)COC1c(cc1)cc2c1c1ccccc1[n]2-c(cc1)cc2c1[o]c(cc1)c2cc1-c(cc1c2c3)ccc1[o]c2ccc3-[n]1c2cc(C3OCCC3)ccc2c2c1cccc2 FJHLCLKEKFGUHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEJGMBHNFBHNDG-UHFFFAOYSA-N C=Cc1cc(-[n]2c3ccccc3c3c2cccc3)cc(-[n]2c(cccc3)c3c3c2cccc3)c1 Chemical compound C=Cc1cc(-[n]2c3ccccc3c3c2cccc3)cc(-[n]2c(cccc3)c3c3c2cccc3)c1 WEJGMBHNFBHNDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZRJFCPJHKMQFL-UHFFFAOYSA-N C=Cc1cccc(Cc(cc2)cc3c2c(cccc2)c2[n]3-c(cc2c3c4)ccc2[o]c3ccc4-c(cc2)cc3c2[o]c(cc2)c3cc2-[n]2c3ccccc3c3c2cccc3)c1 Chemical compound C=Cc1cccc(Cc(cc2)cc3c2c(cccc2)c2[n]3-c(cc2c3c4)ccc2[o]c3ccc4-c(cc2)cc3c2[o]c(cc2)c3cc2-[n]2c3ccccc3c3c2cccc3)c1 PZRJFCPJHKMQFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYYMZBKEHILNNJ-UHFFFAOYSA-N CCC1(COCc2cccc(Cc(cc3)cc4c3c(cccc3)c3[n]4-c(cc3)ccc3N(c(cc3)ccc3-[n]3c4ccccc4c4ccccc34)c(cc3)ccc3-[n]3c(cccc4)c4c4ccccc34)c2)COC1 Chemical compound CCC1(COCc2cccc(Cc(cc3)cc4c3c(cccc3)c3[n]4-c(cc3)ccc3N(c(cc3)ccc3-[n]3c4ccccc4c4ccccc34)c(cc3)ccc3-[n]3c(cccc4)c4c4ccccc34)c2)COC1 XYYMZBKEHILNNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWFZAAGYIJTNNS-UHFFFAOYSA-N CCCO[Si](C)OCCC Chemical compound CCCO[Si](C)OCCC KWFZAAGYIJTNNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTCOSAMIXUWQOA-UHFFFAOYSA-N COC(OC)(OC)CO[SiH2]C Chemical compound COC(OC)(OC)CO[SiH2]C OTCOSAMIXUWQOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QOGFQIGEQMWCJB-UHFFFAOYSA-N COC(OC)[Si]CCC(F)(F)F Chemical compound COC(OC)[Si]CCC(F)(F)F QOGFQIGEQMWCJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- UJTYLIKNNAXILU-UHFFFAOYSA-N Cc1cccc(N(c2ccccc2)c(cc2C)c(C)cc2N(c(c(C)c2)cc(C)c2N(c2ccccc2)c2cc(C)ccc2)c(cc2C)c(C)cc2N(c2ccccc2)c2cc(C=C)ccc2)c1 Chemical compound Cc1cccc(N(c2ccccc2)c(cc2C)c(C)cc2N(c(c(C)c2)cc(C)c2N(c2ccccc2)c2cc(C)ccc2)c(cc2C)c(C)cc2N(c2ccccc2)c2cc(C=C)ccc2)c1 UJTYLIKNNAXILU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 229920000623 Cellulose acetate phthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001747 Cellulose diacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 238000004057 DFT-B3LYP calculation Methods 0.000 description 1
- 238000005698 Diels-Alder reaction Methods 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004839 Moisture curing adhesive Substances 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N N-phenyl amine Natural products NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- TUIVWPPVQMHNOJ-UHFFFAOYSA-N O=C(C=CC1=O)N1c1cc(-[n]2c3ccccc3c3c2cccc3)cc(-[n]2c(cccc3)c3c3c2cccc3)c1 Chemical compound O=C(C=CC1=O)N1c1cc(-[n]2c3ccccc3c3c2cccc3)cc(-[n]2c(cccc3)c3c3c2cccc3)c1 TUIVWPPVQMHNOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNEQASXWMBYGRS-UHFFFAOYSA-N Oc(cc1c2c3cccc2)ccc1[n]3-c(cc1)cc(c2c3)c1[o]c2ccc3-[n]1c(ccc(N=C=S)c2)c2c2c1cccc2 Chemical compound Oc(cc1c2c3cccc2)ccc1[n]3-c(cc1)cc(c2c3)c1[o]c2ccc3-[n]1c(ccc(N=C=S)c2)c2c2c1cccc2 YNEQASXWMBYGRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy(dimethyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(C)OC(C)=O RQVFGTYFBUVGOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBNAEQPSFBMCIK-UHFFFAOYSA-N [acetyloxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)CCCOCC1CO1 GBNAEQPSFBMCIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YDVQLGHYJSJBKA-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(3-chloropropyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)CCCCl YDVQLGHYJSJBKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(methyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(OC(C)=O)OC(C)=O TVJPBVNWVPUZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(phenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C1=CC=CC=C1 VLFKGWCMFMCFRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001341 alkaline earth metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 150000008425 anthrones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L barium iodide Chemical compound [I-].[I-].[Ba+2] SGUXGJPBTNFBAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001638 barium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075444 barium iodide Drugs 0.000 description 1
- OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L barium perchlorate Chemical compound [Ba+2].[O-]Cl(=O)(=O)=O.[O-]Cl(=O)(=O)=O OOULUYZFLXDWDQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 238000006664 bond formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 235000011132 calcium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 229940081734 cellulose acetate phthalate Drugs 0.000 description 1
- MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) bromide Chemical compound [Br-].[Br-].[Br-].[Ce+3] MOOUSOJAOQPDEH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- ZDOBWJOCPDIBRZ-UHFFFAOYSA-N chloromethyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](CCl)(OCC)OCC ZDOBWJOCPDIBRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPOSCXQHGOVVPD-UHFFFAOYSA-N chloromethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](CCl)(OC)OC FPOSCXQHGOVVPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- HXKHYLJCPBYVJG-UHFFFAOYSA-N diethoxy-[1-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethoxy]-propylsilane Chemical compound C1C(C(C)O[Si](OCC)(OCC)CCC)CCC2OC21 HXKHYLJCPBYVJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GENZKBJGWAAVIE-UHFFFAOYSA-N diethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]-phenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 GENZKBJGWAAVIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWHSEFXLFMRCOO-UHFFFAOYSA-N diethoxy-[5-(oxiran-2-ylmethoxy)pent-1-enyl]silane Chemical compound C(C1CO1)OCCCC=C[SiH](OCC)OCC OWHSEFXLFMRCOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODADONMDNZJQMW-UHFFFAOYSA-N diethoxy-ethyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)CCCOCC1CO1 ODADONMDNZJQMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMWZTDBPOBTQIB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)COCC1CO1 UMWZTDBPOBTQIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRJXZRBBFSDWFR-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[1-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethoxy]silane Chemical compound C1C(C(C)O[Si](C)(OCC)OCC)CCC2OC21 MRJXZRBBFSDWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NDXQFCXRDHAHNE-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C(C)OCC1CO1 NDXQFCXRDHAHNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FTUJVDGSKMWKAN-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C(CC)OCC1CO1 FTUJVDGSKMWKAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUXUUPOAQMPKOK-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCOCC1CO1 FUXUUPOAQMPKOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUFWVNRUIVIGCH-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CC(C)OCC1CO1 HUFWVNRUIVIGCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)C1=CC=CC=C1 MNFGEHQPOWJJBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQPPMINVIMPSDP-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-[5-(oxiran-2-ylmethoxy)pent-1-enyl]silane Chemical compound C(C1CO1)OCCCC=C[SiH](OC)OC FQPPMINVIMPSDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBDDFKGMGASJHE-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethoxy)silane Chemical compound C1C(CO[Si](C)(OC)OC)CCC2OC21 PBDDFKGMGASJHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CAEPKDWOZATEMI-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)COCC1CO1 CAEPKDWOZATEMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLFWUGYBCZFNMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C(C)OCC1CO1 RLFWUGYBCZFNMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQODNYDIZIFQGO-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C(CC)OCC1CO1 KQODNYDIZIFQGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWPGWRIGYKWLEV-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCOCC1CO1 PWPGWRIGYKWLEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYPWIQUCQXCZCF-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CC(C)OCC1CO1 SYPWIQUCQXCZCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-phenylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C1=CC=CC=C1 CVQVSVBUMVSJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- AYLOLAANSIXPJA-UHFFFAOYSA-N diphenoxysilicon Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si]OC1=CC=CC=C1 AYLOLAANSIXPJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- GYLXWHLPLTVIOP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(2,2,2-trimethoxyethoxy)silane Chemical compound COC(OC)(OC)CO[SiH2]C=C GYLXWHLPLTVIOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C=C)OCC MBGQQKKTDDNCSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C=C ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N ethoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFTUEADYSKHGCL-UHFFFAOYSA-N ethyl-[1,2,2-trimethoxy-2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-3-yl)ethoxy]silane Chemical compound O1C2CC(CCC21)C(C(O[SiH2]CC)OC)(OC)OC CFTUEADYSKHGCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYDBOMXUCPLLSK-UHFFFAOYSA-N ethyl-dimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 YYDBOMXUCPLLSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical compound O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical class C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L magnesium bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].[Br-] OTCKOJUMXQWKQG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001623 magnesium bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L magnesium iodide Chemical compound [Mg+2].[I-].[I-] BLQJIBCZHWBKSL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001641 magnesium iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 229910052943 magnesium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019341 magnesium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRXHEPWCWBIQFJ-UHFFFAOYSA-N methyl(triphenoxy)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C)OC1=CC=CC=C1 DRXHEPWCWBIQFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N methyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)OCCC RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUIXFHFVVWQXSW-UHFFFAOYSA-N methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]-diphenoxysilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(C)CCCOCC1CO1 CUIXFHFVVWQXSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 1
- ZSMNRKGGHXLZEC-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(trimethylsilyl)methanamine Chemical compound C[Si](C)(C)N(C)[Si](C)(C)C ZSMNRKGGHXLZEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 150000002908 osmium compounds Chemical class 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical group C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N p-quaterphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 GPRIERYVMZVKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 150000004986 phenylenediamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003058 platinum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 1
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical compound C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical class C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol;zinc Chemical compound [Zn].C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 DLJHXMRDIWMMGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I tantalum pentafluoride Chemical compound F[Ta](F)(F)(F)F YRGLXIVYESZPLQ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N tributoxy(methyl)silane Chemical compound CCCCO[Si](C)(OCCCC)OCCCC GYZQBXUDWTVJDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAVPBWLGJVKEGZ-UHFFFAOYSA-N tributoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC)CCC2OC21 OAVPBWLGJVKEGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQYWWLSIKWDAEC-UHFFFAOYSA-N tributoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)CCCOCC1CO1 FQYWWLSIKWDAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNKMHLWJZHLPPM-UHFFFAOYSA-N triethoxy(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)COCC1CO1 UNKMHLWJZHLPPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHKFEBYBHZXHMM-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(CCC)OCC1CO1 OHKFEBYBHZXHMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFRRMEMOPXUROM-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(CC)OCC1CO1 NFRRMEMOPXUROM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVMMYGUCXRZVPJ-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CC(CC)OCC1CO1 FVMMYGUCXRZVPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWJUTPORTOUFDY-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCOCC1CO1 RWJUTPORTOUFDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFUDQABJYSJIQY-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CC(C)OCC1CO1 CFUDQABJYSJIQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPNCYSTUWLXFOE-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(C)OCC1CO1 KPNCYSTUWLXFOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFBULLRGNLZJAF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(oxiran-2-ylmethoxymethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)COCC1CO1 LFBULLRGNLZJAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFJVMNHOSKMOSA-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CCCC([Si](OC)(OC)OC)OCC1CO1 FFJVMNHOSKMOSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAVVOFDYOGMLNQ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(C)OCC1CO1 DAVVOFDYOGMLNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNBIAJGPJUOAPB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[1-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(CC)OCC1CO1 FNBIAJGPJUOAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKFKPRKYSBTUDV-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC(CC)OCC1CO1 KKFKPRKYSBTUDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNXDCSVNCSSUNB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCOCC1CO1 ZNXDCSVNCSSUNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPNGHDNBNMPON-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(C)OCC1CO1 ZQPNGHDNBNMPON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOWVSEMGATXETK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[4-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)butyl]silane Chemical compound C1C(CCCC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 ZOWVSEMGATXETK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUKYSRVOOIKHHB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[4-(oxiran-2-ylmethoxy)butyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCOCC1CO1 GUKYSRVOOIKHHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004402 ultra-violet photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】外部取り出し量子効率が高く、且つ、長寿命である有機EL素子、有機EL素子の製造方法、照明装置およびディスプレイ装置を提供することが出来た。
【解決手段】少なくともn層(n≧0)の有機化合物層を有する第1の電極基板の積層面Aと、少なくともm層(m≧0)の有機化合物層を有する第2の電極基板の積層面Bとを対向させて貼り合わせる工程を経て作製され、m+n層((m+n)≧1)の有機化合物層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、該第1の電極基板または該第2の電極基板を構成する金属薄膜と、該金属薄膜の少なくとも一方に形成された有機化合物層との界面に表面改質剤を含有する薄膜を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【選択図】なし
【解決手段】少なくともn層(n≧0)の有機化合物層を有する第1の電極基板の積層面Aと、少なくともm層(m≧0)の有機化合物層を有する第2の電極基板の積層面Bとを対向させて貼り合わせる工程を経て作製され、m+n層((m+n)≧1)の有機化合物層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、該第1の電極基板または該第2の電極基板を構成する金属薄膜と、該金属薄膜の少なくとも一方に形成された有機化合物層との界面に表面改質剤を含有する薄膜を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【選択図】なし
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置に関する。
有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子という)は、電極と電極の間を厚さわずか0.1μm程度の有機材料の膜で構成する全固体素子であり、なおかつその発光が2V〜20V程度の比較的低い電圧で達成できることから、次世代の平面ディスプレイや照明として期待されている技術である。
更に、最近発見されたリン光発光を利用する有機EL素子では、以前の蛍光発光を利用する素子に比べて原理的に約4倍の発光効率が実現可能であることから、その材料開発を初めとし、発光素子の層構成や電極の研究開発が世界中で行われている。
また、有機EL素子の構成は、透明電極と対抗電極に有機化合物層が挟まれただけの単純なものであり、平面ディスプレイの代表である液晶ディスプレイに比べ、部品点数が圧倒的に少ないため、製造コストも低く抑えられるはずであるが、現状では必ずしもそうではなく、性能的にもコスト的にも液晶ディスプレイに大きく水をあけられている。特にコストに対しては、生産性の悪さがその要因と考えられる。
現在商品化されている有機EL素子の殆どが、低分子材料を蒸着して成膜する、いわゆる蒸着法で製造されている。この蒸着法は精製が容易な低分子化合物を有機EL材料として用いることができる(高純度材料が得やすい)こと、更に、積層構造を作るのが容易なことから、効率、寿命という面で非常に優れているが、反面、10-4Pa以下という高真空条件下で蒸着を行うため、成膜する装置に制約が加わり、実際には小さい面積の基板にしか適用できず、さらに複数層積層するとなると成膜に時間がかかりスループットが低いことが欠点である。特に照明用途や大面積の電子ディスプレイに適用する場合は問題となり、有機EL素子がそのようなアプリケーションに実用されていないひとつの原因となっている。
それに対し高分子系は有機EL素子の有機化合物層をスピンコート、インクジェット、印刷、スプレーといった塗布プロセスにより製造することができる。
これは、大気圧下で製造することができるため低コスト化が可能であると同時に、有機EL素子の有機化合物層を製膜する際には、必要な材料(高分子材料および/または低分子材料)を溶液調製して薄膜塗布するため、複数の有機材料を精密に混合できる(例えば、発光ホスト材料に対するドーパント等の調整がしやすい等)ことから、素子を大面積化しても発光ムラができにくいという特徴があり、製造コストの面でも非常に有利であるが、一般的な製造工程において有機化合物層を成膜した後に形成される対抗電極は、蒸着またはスパッタリングなどの真空プロセスでの生産になるため、結局その工程がボトルネックとなり、革新的な生産プロセスにはなり得ていない。
また、前記蒸着系とは対照的に、高分子材料の純度が上げられないこと、積層が難しいことなど、発光性能上は蒸着系に及ばないのが実状であり、殆ど実用には供していない。
上記は、主に材料に帰因する製造方式の違いであるが、素子を形成する方法自体に着目してみると、
(a)電極基板上に薄膜を逐次形成して行く方法(逐次成膜法)と、
(b)電極基板上と対抗電極基板の2つに適宜薄膜を形成した後に貼合する方法(貼合法)とがある。
(a)電極基板上に薄膜を逐次形成して行く方法(逐次成膜法)と、
(b)電極基板上と対抗電極基板の2つに適宜薄膜を形成した後に貼合する方法(貼合法)とがある。
貼合法の利点は、
(1)逐次製膜法では最後に成膜する対抗電極を予め準備しておけること、
(2)基板にフィルムを用いることでロールtoロール方式での連続生産が可能になること、
(3)接合面を有機化合物層同士にすれば有機化合物層の積層が容易にできること、
等が挙げられる。
(1)逐次製膜法では最後に成膜する対抗電極を予め準備しておけること、
(2)基板にフィルムを用いることでロールtoロール方式での連続生産が可能になること、
(3)接合面を有機化合物層同士にすれば有機化合物層の積層が容易にできること、
等が挙げられる。
特に、上記(1)や(2)は生産性を飛躍的に改善する原動力になり、もし技術が完成すれば有機EL素子の最大の問題点であった製造コストを大幅に低減することも可能になると思われる。
一方、ロールtoロール方式は貼合方式以外でもその技術が開示されている。
例えば、特開2005−327677号公報では、正孔輸送材料をリボン状にリールに巻かれた電極基板上にインクジェット法により連続で成膜する方法が記載されているが、この場合も前記高分子塗布方式で記載したように対抗電極の形成が結局真空プロセスになってしまうために、ロールtoロール方式のメリットが大幅に目減りしてしまい実質それほど生産性が向上しないという問題点があった。
このように、貼合方式は生産性を革新的に改善する有効な技術手段ではあるが、現在のところ、この方式で作製された有機EL素子は、性能上の問題を抱え、また、的確なブレークスルーが見つかっておらず、発展途上にあるといった状態である。
その理由はいくつかあるが、原理的に考えてみると貼合した時の接合面が必ずしも分子レベルで密着しておらず結果としてキャリア移動がスムーズに行えなくなる、さらに、接合面が剥離し、発光素子として機能しなくなる等が要因であると予想される。
特に、接合面の剥離は、ロールtoロール方式では変わらず巻き取り工程が存在するたま、その時に剥離がおきやすく、製造上大きな問題となるし、基板をフィルムやプラスチック基材などの可撓性基材にした際には使用時に素子が破壊されてしまうといった致命的な欠陥になってしまう恐れがある。
このような観点から貼合時の接合不良を改善する技術がいくつか開示されている。
例えば、特開2002−203675号公報には、両方の接合層を同じ材料で構成されたものにすることで、層間の密着性を向上させる技術が、特開平9−306667号公報では2つの接合面を湿式法で作製した完全に乾燥していない状態の膜を貼合する技術が紹介されているが、両方とも接合面での密着性は不十分であり根本的な解決とはなっていない。
その他にも、例えば、特開平9−7736号公報には、接合面には高分子バインダーを存在させ、かつ、素子周囲を接着または融着することで接合面の密着性を向上させる技術が、特開2004−79300号公報では同様の技術思想を発光層を転写法で作る技術と組合せ、リン光発光にも適用できることが記載されている。
周囲を接着することは、素子駆動中の水分や酸素の悪影響を低減し発光寿命を向上させることには寄与するが、前記接合面剥離を根本的に解決できる技術手段とはなっていないのが現状である。
更にまた、薄膜界面の剥離は、貼合法だけの問題ではない。現在商品化されている有機EL素子は全てガラスが基板になっている可撓性のない発光素子であるが、前記の如く、全固体素子である有機EL素子はフィルムなどの可撓性のある基板への適用が可能(いわゆるフレキシブルディスプレイの実現)であることが、大きな特徴である。
現状では、可撓性基材のガスバリア性が不十分なことが、その実用化を遅らせていると言われているが、それ以外の課題として、有機化合物層と対抗電極層との剥離も大きな課題である。
この課題は現状が可撓性のない素子であるため、顕在化した課題としてあまり取り上げられていないが、原理上有機物と対抗電極を形成する金属との接着性は低く、根本的な問題である。
また、通常適用されている逐次成膜法では、発光層やキャリア輸送・注入層などの有機化合物層を成膜した後に、対抗電極(通常は、陰極、具体的にはAlやCa、Baなどの仕事関数の小さい金属)を成膜することになるが、その時、すでに成膜されている有機化合物層にダメージを与えてしまうと有機EL素子の発光特性や発光寿命などが大きく劣化してしまうという問題点がある。
つまり、対抗電極と有機化合物層界面の密着性を上げるために対抗電極を強いエネルギー状態で成膜することは不可能であり、実質上、真空蒸着や、穏和な条件下でのスパッタリングで成膜するしかすべがない状況である。
この問題点を解決する手段として、最も対抗電極に近い有機化合物層の上に、半導体材料や金属からなる緩衝層を設ける技術が開示されている(例えば、特許文献1及び2参照。)。
確かにこのような緩衝層を間に入れることで、対抗電極成膜時のダメージを低減することは可能ではあるが、製造プロセス的には負荷が増えることになり、生産性の面から決して好ましいものではなく、改善が求められている。
特開2005−243411号公報
特開2005−183013号公報
本発明の目的は、外部取り出し量子効率が高く、且つ、長寿命である有機EL素子、有機EL素子の製造方法、照明装置およびディスプレイ装置を提供することである。
本発明の上記目的は下記の構成により達成された。
1.少なくともn層(n≧0)の有機化合物層を有する第1の電極基板の積層面Aと、少なくともm層(m≧0)の有機化合物層を有する第2の電極基板の積層面Bとを対向させて貼り合わせる工程を経て作製され、m+n層((m+n)≧1)の有機化合物層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該第1の電極基板または該第2の電極基板を構成する金属薄膜と、該金属薄膜の少なくとも一方に形成された有機化合物層との界面に表面改質剤を含有する薄膜を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
該第1の電極基板または該第2の電極基板を構成する金属薄膜と、該金属薄膜の少なくとも一方に形成された有機化合物層との界面に表面改質剤を含有する薄膜を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
2.前記有機化合物層の少なくと1層が、りん光発光性化合物を含有することを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3.前記積層面A、前記積層面Bが各々有機化合物層であることを特徴とする前記1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4.前記積層面A、前記積層面Bの少なくとも一方が反応性置換基を有する有機化合物を含有する有機化合物層であることを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5.前記積層面A、前記積層面Bが、各々反応性置換基を有する有機化合物を含有する有機化合物層であることを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
6.前記反応性置換基が下記で表されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
7.前記有機化合物層の積層方法が湿式方法であることを特徴とする前記1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
8.前記表面改質剤が有機化合物であることを特徴とする前記1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
9.前記表面改質剤がシラン系化合物またはシラザン系化合物であることを特徴とする前記1〜8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
10.前記第1の電極基板または前記第2の電極基板がアルミニウムであることを特徴とする前記1〜9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11.少なくともn層(n≧0)の有機化合物層を有する第1の電極基板の積層面Aと、少なくともm層(m≧0)の有機化合物層を有する第2の電極基板の積層面Bとを対向させて貼り合わせる工程を経て作製され、m+n層((m+n)≧1)の有機化合物層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
該第1の電極基板または該第2の電極基板を構成する金属薄膜と該金属薄膜上に形成された有機化合物層との界面に表面改質剤を含有する薄膜を設ける工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
該第1の電極基板または該第2の電極基板を構成する金属薄膜と該金属薄膜上に形成された有機化合物層との界面に表面改質剤を含有する薄膜を設ける工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
12.前記1〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備することを特徴とする照明装置。
13.前記1〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備することを特徴とするディスプレイ装置。
本発明により、外部取り出し量子効率が高く、且つ、長寿命である有機EL素子、有機EL素子の製造方法、照明装置およびディスプレイ装置を提供することができた。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、請求項1〜11のいずれか1項に記載の構成を有することにより、外部取り出し量子効率が高く、且つ、長寿命である有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することが出来た。また、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置を提供することができた。
以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。
《有機EL素子》
本発明の有機EL素子は、請求項1に記載のように、少なくともn層(n≧0)の有機化合物層を有する第1の電極基板の積層面Aと、少なくともm層(m≧0)の有機化合物層を有する第2の電極基板の積層面Bとを対向させて貼り合わせる工程を経て作製されたことを特徴とするm+n層((m+n)≧1)の有機化合物層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、第1の電極基板または該第2の電極基板を構成する金属薄膜と、該金属薄膜の少なくとも一方に形成された有機化合物層との界面に表面改質剤を含有する薄膜を有することが特徴である。
本発明の有機EL素子は、請求項1に記載のように、少なくともn層(n≧0)の有機化合物層を有する第1の電極基板の積層面Aと、少なくともm層(m≧0)の有機化合物層を有する第2の電極基板の積層面Bとを対向させて貼り合わせる工程を経て作製されたことを特徴とするm+n層((m+n)≧1)の有機化合物層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、第1の電極基板または該第2の電極基板を構成する金属薄膜と、該金属薄膜の少なくとも一方に形成された有機化合物層との界面に表面改質剤を含有する薄膜を有することが特徴である。
《表面改質剤(表面処理剤ともいう)》
本発明に係る表面改質剤について説明する。
本発明に係る表面改質剤について説明する。
本発明に係る表面改質剤は、従来公知の表面改質に用いられる化合物を用いることができるが、好ましくは、表面改質剤(表面処理剤ともいう)として用いられている有機化合物であり、更に好ましくは、シラン系、シラザン系化合物等が挙げられる。
本発明に係る表面改質剤として用いられるシランカップリング剤としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシエトキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリブトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリアセトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、β−シアノエチルトリエトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、α−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、α−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリブトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリフェノキシシラン、α−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、β−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、δ−グリキドキシブチルトリメトキシシラン、δ−グリキドキシブチルトリエトキシシラン、(3,4−エポキシシクロヘキシル)メチルトリメトキシシラン、(3,4−エポキシシクロヘキシル)メチルトリエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリプロポキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリブトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシエトキシシラン、γ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリフェノキシシラン、γ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピルトリメトキシシラン、γ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピルトリエトキシシラン、δ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)ブチルトリメトキシシラン等のトリアルコキシシラン、トリアシルオキシシラン、トリフェノキシシラン類;ジメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、メチルビニルジメトキシシレン、メチルビニルジエトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジエトキシシラン、α−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、α−グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、β−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、β−グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、α−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、α−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジブトキシエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジフェノキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジアセトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルビニルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルビニルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルフェニルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルフェニルジエトキシシラン等のジアルコキシシラン、ジフェノキシシラン、ジアシルオキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、3,3,3−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ジメトキシメチル−3,3,3−トリフルオロプロピルシラン、フルオロアルキルシラン、ヘキサメチルジシラン、ヘキサメチルジシロキサン類等が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、また、単独で使用しても異なる2種以上を同時に使用することもできる。
また、本発明に係るシラザン系化合物としては、ヘキサメチルシラザン、テトラメチルシラザン、ジビニルテトラメチルシラザン、環式ジメチルシラザン(CAS NO.78−62−6)、ヘプタメチルジシラザン等が挙げられる。
また、表面改質剤を含有する薄膜の膜厚は、単分子層〜100nmの範囲であることが好ましく、更に好ましくは、単分子層〜10nmの範囲である。ここで、薄膜の膜厚は、例えば、薄膜構造評価装置ATX−G(株式会社リガク(製))を用いて測定する。
《貼合方法を用いる有機EL素子の構成層の形成》
本発明は、有機EL素子を貼合法によって得るときの、従来公知の問題点、即ち、貼合した接合面が必ずしも分子レベルで密着しておらず結果としてキャリア移動がスムーズではない、また、接合面が剥離しやすく、発光素子として機能しなくなりやすい等の問題点を解決した有機EL素子を提供するものである。
本発明は、有機EL素子を貼合法によって得るときの、従来公知の問題点、即ち、貼合した接合面が必ずしも分子レベルで密着しておらず結果としてキャリア移動がスムーズではない、また、接合面が剥離しやすく、発光素子として機能しなくなりやすい等の問題点を解決した有機EL素子を提供するものである。
本発明においては、第1の電極基板(例えば、陰極)または第の2の電極基板(例えば、陽極)の少なくとも一方に有機化合物層を設けた部材(本願では、陰極側の場合、陰極側部材、陽極側の場合は、陽極側部材等という)と、もう一方の部材(電極基板上に有機化合物層が形成されていてもよく、形成されていなくてもよい)とを、それぞれ作製し、部材の積層面同士(積層面同士とは、電極基板と有機化合物層の場合もあれば、有機化合物層同士の場合もある)を貼り合わせる(貼合ともいう)する工程を経て、有機EL素子が製造される。
本発明の有機EL素子の製造に係る、貼合法の製造プロセスを考えてみる。
貼合は、有機EL素子の構成に必要な層(有機化合物層、電極基板等も含む)を全部成膜した後に行われるため、第1の電極基板や第2の電極基板等の、透明電極や対抗電極の成膜は一番最初に行われることになる。
金属や金属酸化物を成膜する際は、性能のよい膜とするために堆積させる時または製膜後に高いエネルギーを印加することが望まれるが、貼合法はそれを可能にするひとつの手段であると考えることもできる。
例えば、貼合する際の接合面を有機化合物層同士にするとすれば、第1の電極基板または第2の電極基板として用いられる、透明電極と対抗電極はそれぞれ性能や生産性の面で最も相応しい方法で予め成膜しておくことができる。
得られた第1の電極基板または第の2の電極基板上に、適宜、有機化合物層(有機層等ともいうが、これらについては後に詳細に説明する。)を積層して貼合すれば、前記接合面での不具合さえ改善してやれば、有機EL素子の性能的にも、また、有機EL素子の製造プロセス的にも良好な革新的な方法になりうるものである。
一方、貼合法の問題点として、先に接合面での不具合を挙げた。この問題に対し、本発明者等は、鋭意検討した結果、例えば有機化合物層同士を接合する際には、その接合界面でのキャリア移動が面全体に均一ではなく局所的にキャリアが流れやすい部分と流れにくい部分ができやすいことがわかってきた。
特に、有機化合物層界面で発光する蛍光方式はその挙動が顕著であり、発光ムラが起こりやすいことがわかった。
一方、リン光方式は、蛍光方式とは異なり、発光層内部に発光領域を持つためか、比較的このような現象がおきづらく、特に、発光層の有機化合物層全体における相対的な膜厚比率を上げた時や、発光層の膜厚を厚くした時、また、発光層同士を接合する発光層2層とした時などは、顕微鏡観察でもわからないくらい発光ムラを抑えることが可能であることがわかった。
これは、貼合法の最大の難点である、接合界面でのキャリア移動が遅くなるという現象を、逆に有効活用した技術であり、今までに類を見ない画期的な発見であると言える。
更に、本発明に係る貼合(貼り合わせるともいう)では、第1の電極基板または第2の電極基板を対向させて貼合するわけであるが、その場合、貼合する層が、互いに有機化合物層層である場合と、片方が金属面、もう一方が有機化合物層という場合の両方がある。
特に、金属面と有機化合物層との貼合においては、従来の有機EL素子でも下記のような問題点が指摘されてきた。
例えば、有機EL素子の製造方法で一般に利用されている蒸着方法で素子を製造した場合、陰極の金属面と有機化合物層との界面の密着性が弱く、陰極剥れが起きやすく、それを原因として有機EL素子の寿命そのものの低下も招きやすいことが懸念されている。
また、従来公知の湿式法(塗布工程を利用する)により、有機EL素子を製造する場合においても、電極金属面と有機化合物層の接着性向上は、解決すべき重要な課題のひとつであった。
本発明者等は、種々検討を重ねた結果、貼合する面が、金属面同士の場合も、また、一方が金属面、もう一方が有機化合物層を有する積層面の場合のどちらに場合においても、本発明にかかわる表面改質剤(表面処理剤ともいう)を用いることにより、金属面同士の接着性向上、または、金属面と有機化合物層同士の接着性向上効果を得ることが出来た。
接着性向上におり、本発明に記載の効果(外部取り出し量子効率が高く、且つ、長寿命である)を示す有機EL素子を得ることができた。
接合される積層面は有機EL素子各機能層のどの層間でもよいが、貼り合せる積層面は互いに有機層であることが好ましい。貼合、密着が容易、且つ、貼合後剥離しにくいこと、有機層の場合表面粗さの調整が容易であること等から、有機層同士の貼合が好ましい。
また、接合した積層面の不具合によるキャリア移動の面内での不均一による発光ムラは、有機層界面で発光する蛍光発光方式よりも発光層内部に発光領域をもつリン光発光方式の方が、比較的現れにくいこと、特に、発光層の有機層全体における相対的な膜厚比率を上げた時や発光層の膜厚を厚くした時、また、発光層同士を接合する発光層2層とした時など、リン光性発光化合物を含有するリン光発光方式は発光ムラをわからないくらいにできるため、貼合を用いる素子の構成層の作製は、リン光発光方式に適している。
《貼合される有機化合物層の表面粗さ(Ra)》
貼合される有機化合物層の表面粗さは、例えば、スピンコート等、塗布法により有機層を形成する場合には、有機材料溶液の粘度、塗布温度等を調整すること等によって調整することが出来るが、成膜法によらない表面粗さの調整法には、有機層を固有の表面粗さをもつた金属製ロール等で圧着(加熱)する所謂型付け等により所望の粗さ調整が可能である。
貼合される有機化合物層の表面粗さは、例えば、スピンコート等、塗布法により有機層を形成する場合には、有機材料溶液の粘度、塗布温度等を調整すること等によって調整することが出来るが、成膜法によらない表面粗さの調整法には、有機層を固有の表面粗さをもつた金属製ロール等で圧着(加熱)する所謂型付け等により所望の粗さ調整が可能である。
型付けの方法としては、表面が所定の表面粗さ(Ra)をもつ金属ロールに、温度50℃〜150℃、線圧150N/cm〜1500N/cm、また、線速0.1m/秒〜30m/秒程度で圧着処理する態様が挙げられる。
素子の均一、忠実な応答を得る観点からは、線圧が150N/cm以上であることが好ましく、特に好ましくは、400N/cm以上である。
また、有機化合物層自体の破壊(割れや亀裂)防止の観点からは、1500N/cm以下であることが好ましい。
また、温度50℃〜150℃であれば有機膜表面の変性、また大きな膜の変形も無い。
本発明においては、それぞれ貼合される対向する二つの有機層表面は、中心線表面粗さ(Ra)で、それぞれ0.05nm〜10nmの範囲にあり、且つ、2つの積層面の表面の表面粗さの比率が0.5〜2.0以内であるように調整される。
貼合される有機化合物層の表面の中心線平均表面粗さRa(nm)とは、JIS B601(1994)に準じて求めた値であり、微小面積における微小な凹凸状態を表すもので、本発明では、原子間力顕微鏡(AFM)で求めた値を用いる。
原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscopy:AFM)は、セイコーインスツルメンツ社製SPI3800NプローブステーションおよびSPA400多機能型ユニットを使用し、約1cm角の大きさに切り取った試料を、ピエゾスキャナー上の水平な試料台上にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、原子間力が働く領域に達したところで、XY方向にスキャンし、その際の試料の凹凸をZ方向のピエゾの変位でとらえる。
ピエゾスキャナーは、XY20μm、Z2μmが走査可能なものを使用する。カンチレバーは、セイコーインスツルメンツ社製シリコンカンチレバーSI−DF20で、共振周波数120kHz〜150kHz、バネ定数12N/m〜20N/mのものを用い、DFMモード(Dynamic Force Mode)で測定する。測定領域2μm角を、1(or2)視野、走査周波数1Hzで測定する。
中心線平均粗さ(Ra)は、得られた粗さ曲線から、その中心線の方向に測定長さLの部分を抜き取り、この抜き取り部分の中心線の方向をX軸、縦倍率の方向(X軸に垂直)をY軸とし、粗さ曲線をY=F(X)とおいたとき、
で与えられる値と定義されている。
このように貼り合わせる面が微少な凹凸を有する平滑な表面であり、相対向する有機層同士の表面粗さに余り大きな乖離がないようにすることで層間の密着性が向上し、貼合された接合面が剥離しにくいものとなる。
本発明において、有機EL素子の各々有機化合物層を、第1の電極基板上に、また第2の電極基板上に、それぞれ、例えば、陰極側の部材、そして、陽極用の部材として、積層、形成するが、これら有機EL素子各機能層を形成する有機薄膜の形成方法については、特に限定はない。
現在上市されている有機EL素子の殆どが、低分子材料を蒸着して成膜する、いわゆる蒸着法であるが、これら蒸着による方法、また、高分子系材料において比較的よく用いられる有機化合物層をスピンコート、インクジェット、印刷、スプレーといった塗布(湿式)プロセスにより製造する方法等、いずれであってもよい。
しかしながら、大気圧下で製造することができるため低コスト化が可能であると同時に、必要な材料(高分子材料および/または低分子材料)を溶液に調製して薄膜塗布するため、複数の有機材料を精密に混合できる(例えば、発光ホスト材料に対するドーパント等の調整がしやすい等)こと、また、素子を大面積化しても発光ムラができにくいという特徴があり、湿式プロセスが好ましい。また、対抗電極を予め成膜したフィルム基板を準備しておけば、ロールツウロール方式での連続生産が可能であること、有機層の貼合も容易にできることなどから湿式プロセスが好ましい。
有機EL素子の製造プロセスにおいて、金属や、金属酸化物による電極を成膜する際は、性能のよい膜とするため、高いエネルギーを印加することが望まれるが、有機層を逐次積層するやり方では、最後に電極層を形成するため、有機薄膜のダメージが懸念され、実質上、真空蒸着や、穏和な条件下でのスパッタリングで成膜するしかすべがない状況であるが、この点、貼合法においては、予めこれを行った後、各有機層の積層が行われるため、逐次有機層が形成される逐次法に比べ、すでに成膜されている有機層にダメージを与えることがなく(有機EL素子の発光特性や発光寿命などが大きく劣化してしまう)、また性能のよい電極膜を形成でき好ましいものである。
本発明においては、陰極側及び陽極側のそれぞれの部材上に形成された有機層は、それぞれ前記の表面粗さをもつように調製された後、それぞれの有機層が対向され貼合されて、有機EL素子は形成される。
陰極側部材と陽極側部材を密着、貼合するための加圧、加熱手段としては、気泡等が混入せずに加圧または加圧・加熱処理できるものであれば特に制限なく使用出来る。
例えば、陰極側部材と陽極側部材を間に挟んで、減圧下、例えば、0.1×10-2Pa〜1.0×10-1Pa程度の減圧環境下で押圧力0.1MPa程度の圧力で圧着し密着させる。
また、接合用の治具として、押圧手段と架台とからなるプレス機を用いることができ、陰極側部材と陽極側部材を押圧手段と架台間に挟み密着させる方法を用いることもできる。この場合、圧力としては、通常0.5N/cm2〜100N/cm2、好ましくは5N/cm2〜50N/cm2、また、加圧時間は通常0.1秒〜300秒程度とすればよい。
また、ラミネーター等、圧力ロールを用い密着させる場合は、通常1N/cm2〜200N/cm2、好ましくは5N/cm2〜100N/cm2の圧力、搬送速度が通常0.1mm/秒〜200mm/秒、好ましくは0.5mm/秒〜100mm/秒程度であれば気泡等が混入せず密着が可能である。
また、貼合時には、いずれの場合にも、圧力とともに加温してもよく、温度をかける場合、加熱温度は通常60℃〜200℃、好ましくは100℃〜150℃の範囲である。
また、貼合時には活性光線等も利用できる。活性光線としては、電子線、紫外線等があり、紫外線の光源としては、紫外線ランプ(例えば0.5kPa〜1MPaまでの動作圧力を有する低圧、中圧、高圧水銀ランプ)、キセノンランプ、タングステンランプ、ハロゲンランプ等が用いられ、5000μW/cm2〜8000μW/cm2程度の強度を有する紫外線が好ましく照射される。硬化に要するエネルギー量としては0.02kJ/cm2〜20kJ/cm2の範囲が用いられる。
なお、陰極側部材の基板及び/又は陽極側部材の基板を余熱させておけば生産性が向上するので好ましい。
《接合界面の共有結合形成》
又、本発明の好ましい態様においては、上記貼合された接合界面(貼合されるのが金属薄膜と有機化合物層(表面改質剤を含有する薄膜も有機化合物層の範疇である)の場合もあれば、有機化合物層同士の貼合の場合もある)について、これを分子レベルで密着させるため、接合後に界面間に共有結合を形成させることが、非常に有効な手段であることをみいだした。
又、本発明の好ましい態様においては、上記貼合された接合界面(貼合されるのが金属薄膜と有機化合物層(表面改質剤を含有する薄膜も有機化合物層の範疇である)の場合もあれば、有機化合物層同士の貼合の場合もある)について、これを分子レベルで密着させるため、接合後に界面間に共有結合を形成させることが、非常に有効な手段であることをみいだした。
有機ELの層間を共有結合でつなぐ技術は、前記特許文献5に開示されているが、本発明では、貼合法における界面接着の手段としてこの技術を適用する。
即ち、貼り合わせる積層面の両方に反応性置換基を有する有機化合物を含有させる。
そのような置換基は、素子内部で発生する活性種や、貼合時の熱により化学変化を起こし共有結合の形成により、貼合された有機層間の分子レベルでの密着性を向上させる。
また、これらの反応性置換基を有する有機化合物を含有させると、駆動のジュール熱(つまり電流が素子内を流れることにより)化合物間の反応(化学変化)が進むため、その結果として分子レベルの密着性が向上、発光性能や発光寿命などが改善されるという新しい現象についても発見した。
有機EL素子の発光層は、通常、リン光性の発光を利用する、いわゆる「リン光素子」では、リン光発光材料(リン光ドーパント)を発光ホストに対し質量比で1〜20%程度混合することが発光効率の観点から有効であるとされており、本発明においてリン光性の発光を利用する場合には、発光ホストを併用することが好ましく、このような化学変化は、該発光ホスト材料と、これに反応性をもつリン光発光材料(リン光ドーパント)との化学反応を利用してもよい。
例えば、発光層同士を貼合する場合、また発光層がリン光ドーパントと発光ホストとで構成されるとき、リン光発光材料(リン光ドーパント)の化学変化は、発光ホストとの(縮合や重合等)反応を利用してもよく、発光ホストとの化学反応を利用する場合、リン光発光材料に置換している特定の反応性基と反応を起こしうる反応性置換基を発光ホストに導入することが好ましい。
例えば、リン光発光材料に水酸基(−OH)が置換している場合、発光ホストにはイソシアナート基(−NCO)や、イソチオシアナート基(−NCS)を導入した材料を選択する、或いは、リン発光材料にビニル基が置換している場合、それとラジカル重合可能なビニル基を導入した発光ホストを選択する。
また、本発明において最も好ましい態様では、リン光発光材料また発光ホスト、の両方にビニル基が置換した材料を少なくとも1種ずつ、同一層中に存在させ、その発光素子を通電により、発光層内で発生するアニオンラジカルまたはカチオンラジカルを重合開始剤として利用し、鎖状および/または網目状のポリマーを形成させることである。
また、陰極側部材の表面層が電子輸送層であり、陽極側部材の表面層が発光層の場合でも、例えば、ビニル基等の反応性置換基をもつ電子輸送層、及び同じくビニル基等の反応性置換基をもつ発光ホストまたはドーパント材料を含有する発光層をそれぞれ有する部材を貼合することで、層間において重合が行われ、貼合された有機層間の密着性が向上する。陰極側基板の最表層が、発光層であり、陽極側基板の最表層が正孔輸送層である場合も同様に、反応性基をもつ正孔輸送材料を含有した正孔輸送層を用いればよい。
従って、貼合する2つの積層面の少なくとも一方には反応性置換基を有する有機化合物を含有することが好ましく、貼合する2つの積層面の少なくとも一方に反応性置換基を有する有機化合物を含有し、他方にこれと反応する基を有する材料を含有していれば、互いに反応することで密着を強化でき、接合面の剥離をなくし、また、キャリア移動を容易ならしめることが出来る。
また、貼り合せる積層面の両方に反応性置換基を有する材料を有する場合がより積層面の密着を強化でき好ましい。
また、本発明の好ましい態様においては、リン光性発光性化合物また発光ホスト、正孔輸送材料、電子輸送材料等、貼合される各有機層中にビニル基が置換した材料を少なくとも1種存在させることで、その発光素子を通電により、発光層内で発生するアニオンラジカルまたはカチオンラジカルを重合開始剤として利用し、鎖状および/または網目状のポリマーを形成させることができ、層内での重合により、発光素子は、最初の状態よりもより堅牢性が増強されたものとなり、通電(駆動)するうちに次第に耐久性が増す発光素子を実現することも可能である。
このような、素子内部で発生する活性種や、駆動時のジュール熱によって化学変化を起超す反応性置換基としては、上記の反応性置換基を用いることができる。
貼合時に、密着に、反応性置換基による架橋反応を用いる場合、熱、また、電子線、紫外線、X線等のエネルギー線が利用できる。加熱の場合、60℃〜200℃の範囲で1秒〜5時間、また、エネルギー線であれば、例えば、前記の紫外光源が同じく用いることができ、5000μW/cm2〜8000μW/cm2程度の強度を有する紫外線を照射すればよい。反応に要するエネルギー量としては0.02kJ/cm2〜20kJ/cm2の範囲が用いられる。
類似する従来技術は、今までに例を見ないが、近い技術として、成膜した後に高分子量化するという公知文献としては以下のようなものがあり、その架橋反応は本発明に利用できる。
例えば、特開平5−271166号公報には、分子内にビニル基を2つ有する2官能性のトリフェニルアミン誘導体が記載されており、その化合物を成膜した後に紫外線照射により3次元架橋されたポリマーが形成されることが開示されている。また、特開2001−297882号公報には、2つ以上のビニル基を有する材料を複数の層に添加する技術が開示されており、この場合、重合反応は陰極を積層する前の有機層成膜時点で紫外線や熱の照射で行っている。また、特開2003−73666号公報においてはリン光ドーパントの末端にビニル基を有する材料と同様にビニル基を有するコモノマーの混合物にラジカル発生剤であるAIBNを添加して成膜時に重合反応を進行させる製造方法が開示されている。更に、特開2003−86371号公報には、同一層内の2分子間でディールスアルダー反応を起こさせて架橋させる製造方法が記載されている。
《有機EL素子の構成層》
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
本発明の有機EL素子においては、青色発光層の発光極大波長は430nm〜480nmにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が510nm〜550nm、赤色発光層は発光極大波長が600nm〜640nmの範囲にある単色発光層であることが好ましく、これらを用いた表示装置であることが好ましい。また、これらの少なくとも3層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。本発明の有機EL素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
本発明の有機EL素子においては、青色発光層の発光極大波長は430nm〜480nmにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が510nm〜550nm、赤色発光層は発光極大波長が600nm〜640nmの範囲にある単色発光層であることが好ましく、これらを用いた表示装置であることが好ましい。また、これらの少なくとも3層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。本発明の有機EL素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。
本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。
《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm〜5μmの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは2nm〜200nmの範囲に調整され、特に好ましくは、10nm〜20nmの範囲である。
発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。
本発明の有機EL素子の発光層には、発光ホスト化合物と、発光ドーパント(リン光ドーパント(リン光発光性ドーパントともいう)や蛍光ドーパント等)の少なくとも1種類とを含有することが好ましい。
(ホスト化合物(発光ホスト等ともいう))
本発明に用いられるホスト化合物について説明する。
本発明に用いられるホスト化合物について説明する。
ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が20%以上であり、且つ室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が20%以上であることが好ましい。
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。ホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。
好ましく用いることのできるホスト化合物の具体例としては、例えば、カルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族ボラン誘導体(トリアリールボラン誘導体)、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、または、カルボリン(アザカルバゾール)誘導体や、ジアザカルバゾール誘導体(ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも一つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。)等が挙げられ、また、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。
特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等。
また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよくまた、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でも良い。
また、前記の様に、貼合後に積層面の密着を強化し、また、層内での耐久性を向上させるため、反応性置換基(水酸基、イソシアナート基、イソチオシアナート基またビニル基等)を導入したホスト化合物を用いることができる。
反応性置換基を導入したホスト化合物の例として、代表的には、以下のものが挙げられる。
(発光ドーパント)
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。
本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう)、リン光ドーパント(リン光発光体、リン光性化合物、リン光性発光化合物等ともいう)を用いることができるが、より発光効率の高い有機EL素子を得る観点からは、本発明の有機EL素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント(単に、発光材料ということもある)としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。
(リン光ドーパント)
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。
本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。
上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。
リン光ドーパントの発光は原理としては2種あげられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
リン光ドーパントは、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
本発明に係るリン光ドーパントとしては、好ましくは元素の周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
以下に、リン光ドーパントとして用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Inorg.Chem.40巻、1704〜1711に記載の方法等により合成できる。
また、本発明において好ましく用いられる、錯体化合物中に架橋性の反応性基を導入したリン光ドーパントの代表例を以下に挙げる。これらに限定されない。
(蛍光ドーパント(蛍光性化合物ともいう))
蛍光ドーパント(蛍光性化合物)としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
蛍光ドーパント(蛍光性化合物)としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
次に、本発明の有機EL素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。
《注入層:電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。
陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。
陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。
《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。
本発明の有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたアザカルバゾール誘導体を含有することが好ましい。
また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量%以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。
イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO(最高被占分子軌道)レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。
(1)米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98(Gaussian98、Revision A.11.4,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,Pittsburgh PA,2002.)を用い、キーワードとしてB3LYP/6−31G*を用いて構造最適化を行うことにより算出した値(eV単位換算値)の小数点第2位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。
(2)イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Model AC−1」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。
一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは3nm〜100nmであり、更に好ましくは5nm〜30nmである。
《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。
芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。
更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。
また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
正孔輸送層についても同様に、正孔輸送材料分子中に反応性置換基を導入したものが用いることができ、反応性置換基を有する特に好ましい正孔輸送材料としては以下のものが挙げられる。
《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
また、8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。
また、不純物をドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
反応性置換基を有する電子輸送材料の例としては、以下のものが挙げられる。
《陽極》
本発明において、例えば、第一の電極基板上に形成される陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式など湿式製膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。
本発明において、例えば、第一の電極基板上に形成される陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはAu等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式など湿式製膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1000nm、好ましくは10nm〜200nmの範囲で選ばれる。
《陰極》
一方、例えば、第一の電極基板上に形成される陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
一方、例えば、第一の電極基板上に形成される陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50nm〜200nmの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が、透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を1nm〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができる。
本発明においては、これらの電極層を基板上に最初に形成した後、有機層の形成を行うため、例えば通常の場合のように陰極形成を最後に行う必要がなく、電極形成時、有機層(皮膜)がダメージをうけることが少ない方法である。また、成膜条件への制約が小さいため、電極形成が容易である。
《支持基盤》
本発明の有機EL素子に係る支持基盤(以下、基体、基板、基材、支持体等ともいう)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明であっても不透明であってもよい。支持基盤側から光を取り出す場合には、支持基盤は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基盤としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基盤は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能で、ロールツウロールによって素子形成が可能な樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)或いはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/(m2・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10-3ml/(m2・24hr・MPa)以下、水蒸気透過度が、10-5g/(m2・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
本発明の有機EL素子に係る支持基盤(以下、基体、基板、基材、支持体等ともいう)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また、透明であっても不透明であってもよい。支持基盤側から光を取り出す場合には、支持基盤は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基盤としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基盤は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能で、ロールツウロールによって素子形成が可能な樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)或いはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/(m2・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10-3ml/(m2・24hr・MPa)以下、水蒸気透過度が、10-5g/(m2・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
高バリア性フィルムとするために樹脂フィルム表面に形成されるバリア膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
《封止》
本発明の有機EL素子の封止に用いられる封止手段としては、例えば封止部材と、電極、支持基盤とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に限定されない。具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。
本発明の有機EL素子の封止に用いられる封止手段としては、例えば封止部材と、電極、支持基盤とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に限定されない。具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。
また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウムおよびタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。本発明においては、素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。
更には、ポリマーフィルムは、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10-3ml/(m2・24hr・MPa)以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10-3g/(m2・24h)以下のものであることが好ましい。封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化および熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステルなどの湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系などの熱および化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
また、有機層を挟み支持基盤と対向する側の電極の外側に、該電極と有機層を被覆し、支持基盤と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。
これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法などを用いることができる。
封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相および液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体や、フッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。吸湿性化合物としては例えば金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等があげられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物および過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基盤と対向する側の前記封止膜あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に、封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
有機層を挟み支持基盤と対向する側の前記封止膜あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に、封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
《有機EL素子の作製方法》
本発明の有機EL素子の作製方法について説明する。
本発明の有機EL素子の作製方法について説明する。
適当な支持基盤上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陽極を作製して陽極基板とする。次に、この上に有機EL素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層等各有機層をこの順で有機材料薄膜として形成させる。陽極基板側に、これらの層のうち任意の層まで形成してもよい。例えば、正孔輸送層まで形成させて、陽極側部材を作製する。この有機化合物薄膜の成膜法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス(スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法)等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法が特に好ましい。層毎に異なる製膜法を適用してもよい。
また、別に第二の支持基板上に陰極物質からなる薄膜を、同じく1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極基板を作製する。
次に、この上に、陽極基板上に形成された正孔輸送層の以降の陰極側に形成されるべき各層を前記と逆の順で、例えば電子輸送層、正孔阻止層、発光層と順次形成して、陰極側部材を作製する。陰極基板上に形成する有機層各層の成膜方法としては、前記同様に蒸着法、ウェットプロセス(スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法)いずれでもよい。
尚、成膜法として、蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50℃〜450℃、真空度10-6Pa〜10-2Pa、蒸着速度0.01nm/秒〜50nm/秒、基板温度−50℃〜300℃、膜厚0.1nm〜5μm、好ましくは5nm〜200nmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
形成した陽極側基板、及び陰極側基板上のそれぞれの表面層は、表面粗さ(Ra)を、請求項1に記載の様に調整される。例えば、表面粗さ(Ra)=0.1nmの金属製ローラを通し(線圧500N/cm、温度60℃)圧着されることで、金属ロール表面同等の表面粗さが付与される。
次いで、表面粗さを調整した正孔輸送層(陽極側部材)及び発光層(陰極側部材)を、互いに対向させ、接合治具により密着、貼合する。
接合治具は、両基板を互いに対向させ、間に挟んで、均一な圧力で圧着出来るスタンパー様治具と架台とからなるものを用いることができ、圧力を、例えば真空ラミネーターを用いて1×10-2Paの減圧環境下で、押圧力0.1MPaで圧着し、両有機層を密着、固定し貼合する。
また、対向する層中に、例えば、発光ホスト或いはリン光ドーパント、また、正孔輸送層中の正孔輸送材料(貼合する層同士、その層に含まれる機能性材料)に化学反応を利用し共有結合の形成で架橋して密着性を高めようとする場合、紫外線等活性光線を利用してもよい。
上記は、陽極基板に正孔輸送層まで設け、陰極基板に発光層以降を設けたが、他の組み合わせでも勿論よく、また例えば、発光層を両者に設け、発光層同士を密着(又架橋)してもよい。他の組み合わせでも構わない。
このような有機EL素子は、直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2V〜40V程度を印加すると、発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
《光取り出し》
有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光するため、発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないと言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光が全反射を起こすことから、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光するため、発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないと言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光が全反射を起こすことから、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(米国特許第4,774,435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(特開昭63−314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率をもつ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率をもつ平坦層を導入する方法(特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。
本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができる。特に、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率をもつ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
また、透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等の層を、光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。また、更に1.35以下であることが好ましい。
また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率をもつていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布をもつている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。
このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。
回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、2次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
《集光シート》
また、本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせ、特定方向、例えば、素子発光面の正面方向に集光することにより輝度を高めることができる。
また、本発明の有機EL素子は基板の光取り出し側に、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせ、特定方向、例えば、素子発光面の正面方向に集光することにより輝度を高めることができる。
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10μm〜100μmが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。
集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることができる。
《用途》
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、表示デバイス、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に、カラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、表示デバイス、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に、カラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
《ディスプレイ装置》
本発明のディスプレイ装置について説明する。本発明の表示装置は多色または白色の表示装置に用いられる。多色または白色の表示装置の場合は、発光層形成時のみシャドーマスクを設ける。発光層をパターニングする場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。このようにして得られた多色または白色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2V〜40V程度を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
本発明のディスプレイ装置について説明する。本発明の表示装置は多色または白色の表示装置に用いられる。多色または白色の表示装置の場合は、発光層形成時のみシャドーマスクを設ける。発光層をパターニングする場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、印刷法である。蒸着法を用いる場合においてはシャドーマスクを用いたパターニングが好ましい。このようにして得られた多色または白色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2V〜40V程度を印加すると、発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに、交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
《照明装置》
本発明の照明装置について説明する。本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用しても良いし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)のバックライトとして使用しても良い。液晶表示装置用のバックライトとして使用する場合の液晶の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良い。液晶表示装置におけるバックライトであれば、発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、CF(カラーフィルター)特性に対応した波長範囲に適合するように、発光材料中から任意のものを選択して組み合わせて、また、前記の光取りだし及び/又は集光シート等と組み合わせて、白色化すればよい。
本発明の照明装置について説明する。本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用しても良いし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)のバックライトとして使用しても良い。液晶表示装置用のバックライトとして使用する場合の液晶の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良い。液晶表示装置におけるバックライトであれば、発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、CF(カラーフィルター)特性に対応した波長範囲に適合するように、発光材料中から任意のものを選択して組み合わせて、また、前記の光取りだし及び/又は集光シート等と組み合わせて、白色化すればよい。
このように、本発明に用いられる有機EL素子は、CF(カラーフィルター)と組み合わせて、また、CF(カラーフィルター)パターンに合わせ素子及び駆動トランジスタ回路を配置することで、有機エレクトロルミネッセンス素子から取り出される白色光をバックライトとして、青色フィルタ、緑色フィルタ、赤色フィルタを介して、青色光(430nm〜480nmの範囲に発光極大を有する)、緑色光(波長510nm〜550nmの範囲に発光極大を有する)、赤色光(波長600nm〜640nmの範囲に発光極大を有する)を得ることで、低駆動電圧で、長寿命のフルカラーの有機エレクトロルミネッセンスディスプレイが出来好ましい。
また、これらディスプレイに加えて、各種発光光源、照明装置として、家庭用照明、車内照明、また、露光光源のような一種のランプとして、液晶表示装置のバックライト等、表示装置にも有用に用いられる。その他、時計等のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体等の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等、更には表示装置を必要とする一般の家庭用電気器具等広い範囲の用途が挙げられる。
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明の実施態様はこれらに限定されない。また、実施例に用いられる化合物を下記に示す。
実施例1
《有機EL素子1−1の作製》:比較例
(陰極側部材の作製)
100mm×100mm×1.1mmのガラス基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった後、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、アルミニウムとリチウムを速度比70:1で共蒸着(膜厚約110nm)した。
《有機EL素子1−1の作製》:比較例
(陰極側部材の作製)
100mm×100mm×1.1mmのガラス基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった後、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、アルミニウムとリチウムを速度比70:1で共蒸着(膜厚約110nm)した。
この基板を市販のスピンコータに取り付け、BCP(20mg)をトルエン10mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート(膜厚約10nm)、60℃で1時間真空乾燥し、電子輸送層を設け、陰極側部材を作製した。
(陽極側部材の作製)
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。
この基板を市販のスピンコータに取り付け、例示化合物4−1(60mg)をトルエン10mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート(膜厚約40nm)、紫外光を30秒照射した後、60℃で1時間真空乾燥し、正孔輸送層とした。
次いで、CBP(60mg)とIr−1(3.0mg)とをトルエン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコートし(膜厚約60nm)、60℃で1時間真空乾燥し発光層とし、陽極側部材を作製した。
(陽極側部材と陰極側部材の貼合)
このようにして得られた陰極側部材の電子輸送層と陽極側部材の発光層を対向させて重ね合わせ、接合冶具で固定し、100℃で1時間過熱処理を行い、出来上がった素子を封止処理し、有機EL素子1−1を作製した。
このようにして得られた陰極側部材の電子輸送層と陽極側部材の発光層を対向させて重ね合わせ、接合冶具で固定し、100℃で1時間過熱処理を行い、出来上がった素子を封止処理し、有機EL素子1−1を作製した。
《有機EL素子1−2、1−3の作製》
有機EL素子1−1の陰極側部材の作製において、アルミニウムとリチウムを共蒸着した後に、オクタデシルトリクロロシランによる表面処理を施した以外は、同様にして有機EL素子1−2を作製した。更に、有機EL素子1−2の作製において、電子輸送層及び発光層に使用する化合物を表1に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機EL素子1−3を作製した。
有機EL素子1−1の陰極側部材の作製において、アルミニウムとリチウムを共蒸着した後に、オクタデシルトリクロロシランによる表面処理を施した以外は、同様にして有機EL素子1−2を作製した。更に、有機EL素子1−2の作製において、電子輸送層及び発光層に使用する化合物を表1に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機EL素子1−3を作製した。
《有機EL素子1−1〜1−3の評価》
得られた有機EL素子1−1〜1−3を評価するに際しては、作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。
得られた有機EL素子1−1〜1−3を評価するに際しては、作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止して、図3、図4に示すような照明装置を形成して評価した。
図3は、照明装置の概略図を示し、有機EL素子101は、ガラスカバー102で覆われている。尚、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で行った)。図4は、照明装置の断面図を示し、図4において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。尚、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。
《外部取りだし量子効率》
作製した有機EL素子について、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm2定電流を印加した時の外部取り出し量子効率(%)を測定した。なお測定には同様に分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ製)を用いた。
作製した有機EL素子について、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で2.5mA/cm2定電流を印加した時の外部取り出し量子効率(%)を測定した。なお測定には同様に分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ製)を用いた。
《寿命》
2.5mA/cm2の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度(初期輝度)の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命時間(τ0.5)として寿命の指標とした。なお測定には分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ製)を用いた。
2.5mA/cm2の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度(初期輝度)の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命時間(τ0.5)として寿命の指標とした。なお測定には分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ製)を用いた。
得られた結果を表2に示す。
尚、表2の外部取りだし量子効率の測定結果は、有機EL素子1−1の測定値を100とした時の相対値で表した。また、寿命の測定結果は、有機EL素子1−1を100とした時の相対値で表した。
表2から、本発明の有機EL素子は、外部取り出し量子効率が高く、且つ、長寿命化が達成されていることが明らかである。
実施例2
《有機EL素子2−1の作製》
(陰極側部材の作製)
100mm×100mm×1.1mmのガラス基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった後、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、アルミニウムとリチウムを速度比70:1で共蒸着(膜厚約110nm)した。
《有機EL素子2−1の作製》
(陰極側部材の作製)
100mm×100mm×1.1mmのガラス基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった後、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、アルミニウムとリチウムを速度比70:1で共蒸着(膜厚約110nm)した。
この基板を市販のスピンコータに取り付け、例示化合物3−2(20mg)をトルエン10mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート(膜厚約10nm)、紫外光を30秒照射した後、60℃で1時間真空乾燥し、電子輸送層を設けた。
次いで、CBP(60mg)とIr−12(3.0mg)とをトルエン12mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコートし(膜厚約30nm)、60℃で1時間真空乾燥し発光層とし、陰極側部材を作製した。
(陽極側部材の作製)
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。
この基板を市販のスピンコータに取り付け、例示化合物4−1(60mg)をトルエン10mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート(膜厚約40nm)、紫外光を30秒照射した後、60℃で1時間真空乾燥し、正孔輸送層とした。
次いで、CBP(60mg)とIr−1(3.0mg)とをトルエン12mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコートし(膜厚約30nm)、60℃で1時間真空乾燥し発光層とし、陽極側部材を作製した。
(陽極側部材と陰極側部材の貼合)
このようにして得られた陰極側部材の発光層と陽極側部材の発光層を対向させて重ね合わせ、接合冶具で固定し、陽極側から紫外光を90秒照射し、出来上がった素子を封止処理し、有機EL素子2−1を作製した。
このようにして得られた陰極側部材の発光層と陽極側部材の発光層を対向させて重ね合わせ、接合冶具で固定し、陽極側から紫外光を90秒照射し、出来上がった素子を封止処理し、有機EL素子2−1を作製した。
《有機EL素子2−2、2−3の作製》
有機EL素子2−1の陰極側部材の作製において、アルミニウムとリチウムを共蒸着した後に、オクタデシルトリクロロシランによる表面処理を施した以外は、同様にして有機EL素子2−2を作製した。
有機EL素子2−1の陰極側部材の作製において、アルミニウムとリチウムを共蒸着した後に、オクタデシルトリクロロシランによる表面処理を施した以外は、同様にして有機EL素子2−2を作製した。
更に、有機EL素子2−2の作製において、発光層に使用する化合物を表3に示す化合物に置き換えた以外は同様にして、有機EL素子2−3を作製した。
《有機EL素子2−1〜2−3の評価》
以下のようにして作製した有機EL素子2−1〜2−3の評価を実施例1と同様の評価を行った。得られた結果を表4に示す。
以下のようにして作製した有機EL素子2−1〜2−3の評価を実施例1と同様の評価を行った。得られた結果を表4に示す。
但し、表4の外部取りだし量子効率の測定結果は、有機EL素子2−1の測定値を100とした時の相対値で表した。また、表4の寿命の測定結果は、有機EL素子2−1を100とした時の相対値で表した。
得られた結果を表4に示す。
表4から、本発明の有機EL素子は、外部取り出し量子効率が高く、且つ、長寿命化が達成されていることが明らかである。
実施例3
《有機EL素子3−1の作製》:比較例
(陰極側部材の作製)
100mm×100mm×1.1mmのガラス基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートの一つにアルミニウム200mgを入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにリチウム200mgを入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにBCPを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてCBP200mgを入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにIr−9を100mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
《有機EL素子3−1の作製》:比較例
(陰極側部材の作製)
100mm×100mm×1.1mmのガラス基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートの一つにアルミニウム200mgを入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにリチウム200mgを入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートにBCPを200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてCBP200mgを入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにIr−9を100mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
次いで、真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、アルミニウムの入った前記加熱ボートとリチウムの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、速度比70:1でアルミニウムとリチウムを共蒸着(膜厚約110nm)した。
次に、BCPの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記発光層の上に蒸着して膜厚約10nmの電子輸送層を設けた。
更に、CBPとIr−9の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.2nm/秒、0.012nm/秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して、膜厚40nmの発光層を設け、陰極側部材を作製した。
(陽極側部材の作製)
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにα−NPDを200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行なった。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにα−NPDを200mg入れ、真空蒸着装置に取付けた。
真空槽を4×10-4Paまで減圧した後、α−NPDの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で透明支持基板に蒸着し、膜厚40nmの正孔輸送層を設け、陽極側部材を作製した。
(陰極側部材と陽極側部材の貼合)
このようにして得られた陰極側部材の発光層と陽極側部材の正孔輸送層を対向させて重ね合わせ、接合冶具で固定し、出来上がった素子を封止処理し、有機EL素子3−1を作製した。
このようにして得られた陰極側部材の発光層と陽極側部材の正孔輸送層を対向させて重ね合わせ、接合冶具で固定し、出来上がった素子を封止処理し、有機EL素子3−1を作製した。
《有機EL素子3−2、3−3の作製》
有機EL素子3−1の作製時、陰極側部材の作製において、アルミニウムとリチウムを共蒸着した後にオクタデシルトリクロロシランによる表面処理を施した以外は同様にして、有機EL素子3−2を作製した。
有機EL素子3−1の作製時、陰極側部材の作製において、アルミニウムとリチウムを共蒸着した後にオクタデシルトリクロロシランによる表面処理を施した以外は同様にして、有機EL素子3−2を作製した。
更に、有機EL素子3−2の作製において、電子輸送層、発光層及び正孔輸送層に使用する化合物を表5に示す化合物に置き換えた以外は同様にして有機EL素子3−3を作製した。
更に、有機EL素子3−1〜3−3の各々の作製後に、23℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で5.0mA/cm2定電流を100時間印加後の素子として、有機EL素子3−4〜3−6を各々作製した。
《有機EL素子3−1〜3−6の評価》
有機EL素子3−1〜3−6の評価は、実施例1に記載と同様に行った。
有機EL素子3−1〜3−6の評価は、実施例1に記載と同様に行った。
但し、表6の外部取りだし量子効率の測定結果は、有機EL素子4−1の測定値を100とした時の相対値で表し、表6の寿命の測定結果は、有機EL素子3−1を100とした時の相対値で表した。
表6から、本発明の有機EL素子は、外部取り出し量子効率が高く、且つ、長寿命化が達成されていることが明らかである。
実施例4
《フルカラー表示装置の作製》
(青色発光有機EL素子)
青色発光有機EL素子として、実施例2で作製した有機EL素子2−3を用い、青色発光有機EL素子4−1B(青)とした。
《フルカラー表示装置の作製》
(青色発光有機EL素子)
青色発光有機EL素子として、実施例2で作製した有機EL素子2−3を用い、青色発光有機EL素子4−1B(青)とした。
(緑色発光有機EL素子)
実施例2の有機EL素子2−3の作製において、2−7を2−1に変更した以外は同様にして、緑色発光有機EL素子4−1G(緑)を作製した。
実施例2の有機EL素子2−3の作製において、2−7を2−1に変更した以外は同様にして、緑色発光有機EL素子4−1G(緑)を作製した。
(赤色発光有機EL素子)
実施例2の有機EL素子2−3の作製において、2−7を2−5に変更した以外は同様にして、赤色発光有機EL素子4−1R(赤)を作製した。
実施例2の有機EL素子2−3の作製において、2−7を2−5に変更した以外は同様にして、赤色発光有機EL素子4−1R(赤)を作製した。
上記の赤色、緑色及び青色発光有機EL素子を、同一基板上に並置し、図1に記載の形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製し、図2には、作製した前記表示装置の表示部Aの模式図のみを示した。即ち、同一基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と、並置した複数の画素3(発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等)とを有し、配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示せず)。前記複数の画素3は、それぞれの発光色に対応した有機EL素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。この様に各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。
前記フルカラー表示装置を駆動することにより、発光効率が高い発光寿命の長いフルカラー動画表示が得られることを確認することができた。
実施例5
《白色の照明装置の作製》
実施例2の有機EL素子2−3において、2−7を2−7と2−1と2−5の混合物に変更した以外は同様にして、白色発光有機EL素子5−1W(白色)を作製した。
《白色の照明装置の作製》
実施例2の有機EL素子2−3において、2−7を2−7と2−1と2−5の混合物に変更した以外は同様にして、白色発光有機EL素子5−1W(白色)を作製した。
得られた有機EL素子5−1Wを評価するに際しては、非発光面をガラスケースで覆い、照明装置とした。照明装置は、発光効率が高く発光寿命の長い白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。
1 ディスプレイ
3 画素
5 走査線
6 データ線
A 表示部
B 制御部
102 ガラスカバー
105 陰極
106 有機EL層
107 透明電極付きガラス基板
108 窒素ガス
109 捕水剤
3 画素
5 走査線
6 データ線
A 表示部
B 制御部
102 ガラスカバー
105 陰極
106 有機EL層
107 透明電極付きガラス基板
108 窒素ガス
109 捕水剤
Claims (13)
- 少なくともn層(n≧0)の有機化合物層を有する第1の電極基板の積層面Aと、少なくともm層(m≧0)の有機化合物層を有する第2の電極基板の積層面Bとを対向させて貼り合わせる工程を経て作製され、m+n層((m+n)≧1)の有機化合物層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該第1の電極基板または該第2の電極基板を構成する金属薄膜と、該金属薄膜の少なくとも一方に形成された有機化合物層との界面に表面改質剤を含有する薄膜を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 前記有機化合物層の少なくと1層が、りん光発光性化合物を含有することを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記積層面A、前記積層面Bが各々有機化合物層であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記積層面A、前記積層面Bの少なくとも一方が反応性置換基を有する有機化合物を含有する有機化合物層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記積層面A、前記積層面Bが、各々反応性置換基を有する有機化合物を含有する有機化合物層であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記有機化合物層の積層方法が湿式方法であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記表面改質剤が有機化合物であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記表面改質剤がシラン系化合物またはシラザン系化合物であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記第1の電極基板または前記第2の電極基板がアルミニウムであることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 少なくともn層(n≧0)の有機化合物層を有する第1の電極基板の積層面Aと、少なくともm層(m≧0)の有機化合物層を有する第2の電極基板の積層面Bとを対向させて貼り合わせる工程を経て作製され、m+n層((m+n)≧1)の有機化合物層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、
該第1の電極基板または該第2の電極基板を構成する金属薄膜と該金属薄膜上に形成された有機化合物層との界面に表面改質剤を含有する薄膜を設ける工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備することを特徴とする照明装置。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備することを特徴とするディスプレイ装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006238811A JP2008060034A (ja) | 2006-09-04 | 2006-09-04 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置 |
PCT/JP2007/066743 WO2008029683A1 (fr) | 2006-09-04 | 2007-08-29 | Élément d'électroluminescence organique, procédé de fabrication correspondant, dispositif d'éclairage et dispositif d'affichage |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006238811A JP2008060034A (ja) | 2006-09-04 | 2006-09-04 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008060034A true JP2008060034A (ja) | 2008-03-13 |
Family
ID=39157115
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006238811A Pending JP2008060034A (ja) | 2006-09-04 | 2006-09-04 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008060034A (ja) |
WO (1) | WO2008029683A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010165830A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP2020140987A (ja) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | 住友化学株式会社 | 発光素子 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104059065B (zh) * | 2014-05-30 | 2017-01-04 | 浙江工业大学 | 一种邻菲咯啉衍生物及其制备方法与应用 |
CN109486480B (zh) * | 2018-10-24 | 2021-10-15 | 苏州欧谱科显示科技有限公司 | 一种空穴传输材料及量子点发光二极管 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3359073B2 (ja) * | 1991-12-24 | 2002-12-24 | 三井化学株式会社 | 有機薄膜el素子 |
US5965979A (en) * | 1995-04-18 | 1999-10-12 | Cambridge Display Technology Limited | Manufacture of organic light emitting devices |
JPH08330071A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Sony Corp | 光学的素子及びその製造方法 |
JPH10255976A (ja) * | 1997-03-11 | 1998-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JP2004047176A (ja) * | 2002-07-09 | 2004-02-12 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2004079301A (ja) * | 2002-08-14 | 2004-03-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | 発光素子およびその製造方法 |
JP4416546B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2010-02-17 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
-
2006
- 2006-09-04 JP JP2006238811A patent/JP2008060034A/ja active Pending
-
2007
- 2007-08-29 WO PCT/JP2007/066743 patent/WO2008029683A1/ja active Application Filing
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010165830A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
JP2020140987A (ja) * | 2019-02-26 | 2020-09-03 | 住友化学株式会社 | 発光素子 |
KR20210133980A (ko) * | 2019-02-26 | 2021-11-08 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 발광 소자 |
KR102669954B1 (ko) | 2019-02-26 | 2024-05-29 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 발광 소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008029683A1 (fr) | 2008-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009135183A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP5186757B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP6337883B2 (ja) | 電子デバイス | |
JP5051125B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光色度安定化方法、照明装置及び電子ディスプレイ装置 | |
JP5664715B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
WO2011132550A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP5181920B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2008060034A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置 | |
WO2010084815A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
JP5879737B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2009252944A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子とその製造方法 | |
JP4962452B2 (ja) | 面発光素子及び発光パネル | |
JP4985602B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPWO2012172883A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP5228288B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
JP2008016648A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、ディスプレイ装置および有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JPWO2013042532A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネル及び有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 | |
JP5472107B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
JP2009152033A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 | |
JP2009289716A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 | |
JP2010080271A (ja) | 面発光パネル | |
JP2008305613A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2007059311A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法 | |
JP2008034786A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、照明装置及びディスプレイ装置 | |
JP5152331B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |