JPH08330071A - 光学的素子及びその製造方法 - Google Patents
光学的素子及びその製造方法Info
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- JPH08330071A JPH08330071A JP7159840A JP15984095A JPH08330071A JP H08330071 A JPH08330071 A JP H08330071A JP 7159840 A JP7159840 A JP 7159840A JP 15984095 A JP15984095 A JP 15984095A JP H08330071 A JPH08330071 A JP H08330071A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＩＴＯ層５を有する導電性基板６と、この導
電性基板上に設けられた少なくとも１層の有機物含有層
（少なくとも発光層２及びホール輸送層４）とを有し、
この有機物含有層の側の導電性基板６のＩＴＯ層５の表
面がアルキルシラン誘導体の化学吸着によって疎水性に
改質されていることを特徴とする有機ＥＬ素子10又は2
0。 【効果】 ＩＴＯ陽極を有する導電性基板とこの上に設
ける有機化合物層との密着性を向上させて、素子の劣化
を抑制し、その性能を良好に保持できる有機発光素子を
提供することができる。
電性基板上に設けられた少なくとも１層の有機物含有層
（少なくとも発光層２及びホール輸送層４）とを有し、
この有機物含有層の側の導電性基板６のＩＴＯ層５の表
面がアルキルシラン誘導体の化学吸着によって疎水性に
改質されていることを特徴とする有機ＥＬ素子10又は2
0。 【効果】 ＩＴＯ陽極を有する導電性基板とこの上に設
ける有機化合物層との密着性を向上させて、素子の劣化
を抑制し、その性能を良好に保持できる有機発光素子を
提供することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光学的素子、例えば有
機発光素子（特に、有機エレクトロルミネセント（Ｅ
Ｌ）素子）及びその製造方法に関するものである。
機発光素子（特に、有機エレクトロルミネセント（Ｅ
Ｌ）素子）及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、低電圧マルチカラー駆
動のディスプレイを実現する素子として注目されてい
る。
動のディスプレイを実現する素子として注目されてい
る。
【０００３】こうした有機ＥＬ素子の一例は、米国特許
第 4,539,507号に示されているように、陽極、正孔伝導
化合物からなるホール輸送層（ホール注入層）、電子伝
導化合物からなる発光層又は電子輸送層及び陰極を順次
積層した積層構造によって構成される。ここでは、陽極
として表面にインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ：Indium
tin oxide）層が形成されたガラス基板、ホール輸送層
として１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）シクロヘキサン、発光層として４，４’−ビス
（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾキサゾリル）
スチルベン、陰極としてインジウムがそれぞれ例示され
ている。
第 4,539,507号に示されているように、陽極、正孔伝導
化合物からなるホール輸送層（ホール注入層）、電子伝
導化合物からなる発光層又は電子輸送層及び陰極を順次
積層した積層構造によって構成される。ここでは、陽極
として表面にインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ：Indium
tin oxide）層が形成されたガラス基板、ホール輸送層
として１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニ
ル）シクロヘキサン、発光層として４，４’−ビス
（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾキサゾリル）
スチルベン、陰極としてインジウムがそれぞれ例示され
ている。
【０００４】しかしながら、このような従来の有機ＥＬ
素子は、陽極とその上のホール輸送層等の有機化合物層
との密着性が不十分若しくは不均一であるため、陽極か
らのホール注入に支障をきたし、輝度、効率、寿命等の
素子の性能を劣化させる要因となることがあった。
素子は、陽極とその上のホール輸送層等の有機化合物層
との密着性が不十分若しくは不均一であるため、陽極か
らのホール注入に支障をきたし、輝度、効率、寿命等の
素子の性能を劣化させる要因となることがあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、陽極を有する導電性基体とこの上に設ける有機化合
物層との密着性を向上させて、素子の劣化を抑制し、そ
の性能を良好に保持できる有機発光素子等の光学的素
子、及びその製造方法を提供することにある。
は、陽極を有する導電性基体とこの上に設ける有機化合
物層との密着性を向上させて、素子の劣化を抑制し、そ
の性能を良好に保持できる有機発光素子等の光学的素
子、及びその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、導電性
基体と、この導電性基体上に設けられた少なくとも１層
の有機物含有層とを有し、この有機物含有層側の前記導
電性基体の表面が、アルキルシラン誘導体を含む化学吸
着剤によって（特に疎水性に）改質されていることを特
徴とする光学的素子（例えばエレクトロルミネセント素
子）に係るものである。ここで、上記の「含む」とは、
アルキルシラン誘導体が実質的に 100％を占める場合
や、他の物質と混合されるが主成分である場合も包含す
る意味である（以下、同様）。
基体と、この導電性基体上に設けられた少なくとも１層
の有機物含有層とを有し、この有機物含有層側の前記導
電性基体の表面が、アルキルシラン誘導体を含む化学吸
着剤によって（特に疎水性に）改質されていることを特
徴とする光学的素子（例えばエレクトロルミネセント素
子）に係るものである。ここで、上記の「含む」とは、
アルキルシラン誘導体が実質的に 100％を占める場合
や、他の物質と混合されるが主成分である場合も包含す
る意味である（以下、同様）。
【０００７】本発明の光学的素子によれば、導電性基体
の表面が表面改質（即ち、導電性基体の表面に吸着した
アルキルシラン誘導体の化学吸着層による疎水化）され
ているので、導電性基体とこの上に設ける有機物含有層
（特に、ホール輸送層及び発光層）との密着性を向上さ
せるように改質でき、これによって導電性基体と有機物
含有層との接触状態が良好となり、導電性基体からのホ
ール注入に対する抵抗を減少させてその注入効率、ひい
ては有機ＥＬ素子にあっては輝度、発光効率及び寿命、
動作電圧等の性能を向上させることができる。
の表面が表面改質（即ち、導電性基体の表面に吸着した
アルキルシラン誘導体の化学吸着層による疎水化）され
ているので、導電性基体とこの上に設ける有機物含有層
（特に、ホール輸送層及び発光層）との密着性を向上さ
せるように改質でき、これによって導電性基体と有機物
含有層との接触状態が良好となり、導電性基体からのホ
ール注入に対する抵抗を減少させてその注入効率、ひい
ては有機ＥＬ素子にあっては輝度、発光効率及び寿命、
動作電圧等の性能を向上させることができる。
【０００８】このような顕著な効果を得る上で、上記の
表面改質として、導電性基体の表面が疎水化されている
こと、特に、上記の導電性基体の表面が化学的に吸着し
た下記の一般式〔Ｉ〕で表されるアルキルシラン誘導体
（化学吸着剤）によって表面改質されていることが望ま
しい。
表面改質として、導電性基体の表面が疎水化されている
こと、特に、上記の導電性基体の表面が化学的に吸着し
た下記の一般式〔Ｉ〕で表されるアルキルシラン誘導体
（化学吸着剤）によって表面改質されていることが望ま
しい。
【０００９】一般式〔Ｉ〕： Ｒ1 （Ｒ2 ）（Ｒ3 ）ＳｉＮＨＳｉ（Ｒ4 ）（Ｒ5 ）Ｒ
6 、 Ｒ7 （Ｒ8 ）（Ｒ9 ）ＳｉＸ1 、 Ｒ10（Ｒ11）Ｓｉ（Ｘ2 ）Ｘ3 又は Ｒ12Ｓｉ（Ｘ4 ）（Ｘ5 ）Ｘ6 〔但し、この一般式〔Ｉ〕において、Ｒ1 、Ｒ2 、
Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10、Ｒ
11及びＲ12は互いに同一の若しくは異なるメチル基、エ
チル基等、望ましくは炭素数１〜10の低級アルキル基
（置換基があってもなくてもよい。）からなる炭化水素
基（主鎖中にヘテロ結合を含んでいてもよい。）であ
り、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、Ｘ5 及びＸ6 は互いに同
一の若しくは異なるＣｌ、Ｆ、Ｂｒ等のハロゲン原子又
は一般式：−ＯＲ13（Ｒ13はメチル基、エチル基等、望
ましくは炭素数１〜10の低級アルキル基、フェニル基等
の芳香族炭化水素基（いずれも置換基があってもなくて
もよい。）である。）で表される炭化水素オキシ基であ
る。〕
6 、 Ｒ7 （Ｒ8 ）（Ｒ9 ）ＳｉＸ1 、 Ｒ10（Ｒ11）Ｓｉ（Ｘ2 ）Ｘ3 又は Ｒ12Ｓｉ（Ｘ4 ）（Ｘ5 ）Ｘ6 〔但し、この一般式〔Ｉ〕において、Ｒ1 、Ｒ2 、
Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10、Ｒ
11及びＲ12は互いに同一の若しくは異なるメチル基、エ
チル基等、望ましくは炭素数１〜10の低級アルキル基
（置換基があってもなくてもよい。）からなる炭化水素
基（主鎖中にヘテロ結合を含んでいてもよい。）であ
り、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、Ｘ5 及びＸ6 は互いに同
一の若しくは異なるＣｌ、Ｆ、Ｂｒ等のハロゲン原子又
は一般式：−ＯＲ13（Ｒ13はメチル基、エチル基等、望
ましくは炭素数１〜10の低級アルキル基、フェニル基等
の芳香族炭化水素基（いずれも置換基があってもなくて
もよい。）である。）で表される炭化水素オキシ基であ
る。〕
【００１０】上記アルキルシラン誘導体が下記の一般式
〔I'〕で表されるのがよい。 一般式〔I'〕： Ｒ1 （Ｒ2 ）（Ｒ3 ）ＳｉＮＨＳｉ（Ｒ4 ）（Ｒ5 ）Ｒ
6 又は Ｒ7 （Ｒ8 ）（Ｒ9 ）ＳｉＸ1 （但し、この一般式〔I'〕において、Ｒ1 、Ｒ2 、
Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 は互いに
同一の若しくは異なる上記した如きアルキル基、Ｘ1 は
上記した如きハロゲン原子又は炭化水素オキシ基であ
る。）
〔I'〕で表されるのがよい。 一般式〔I'〕： Ｒ1 （Ｒ2 ）（Ｒ3 ）ＳｉＮＨＳｉ（Ｒ4 ）（Ｒ5 ）Ｒ
6 又は Ｒ7 （Ｒ8 ）（Ｒ9 ）ＳｉＸ1 （但し、この一般式〔I'〕において、Ｒ1 、Ｒ2 、
Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 は互いに
同一の若しくは異なる上記した如きアルキル基、Ｘ1 は
上記した如きハロゲン原子又は炭化水素オキシ基であ
る。）
【００１１】このアルキルシラン誘導体による化学吸着
は、上記の導電性基体の表面を疎水化処理するのに好適
である。アルキルシラン誘導体による化学吸着は、ヘキ
サメチルダイシラザン（以下、ＨＭＤＳと略記する。）
によるのが望ましく、ＨＭＤＳ等の雰囲気に導電性基体
を曝すことにより行うことができる。
は、上記の導電性基体の表面を疎水化処理するのに好適
である。アルキルシラン誘導体による化学吸着は、ヘキ
サメチルダイシラザン（以下、ＨＭＤＳと略記する。）
によるのが望ましく、ＨＭＤＳ等の雰囲気に導電性基体
を曝すことにより行うことができる。
【００１２】本発明の光学的素子においては、具体的に
は、有機物含有層がホール輸送層と発光層とを含み、ま
た実際には、透明電極と、ホール輸送層と、発光層及び
／又は電子輸送層と、陰極とがこの順に、基体上に積層
された構造を有している。これは、有機ＥＬ素子に好適
であると共に、光通信機器、光起電装置（バッテリー
用）、感光体、撮像装置等への応用も考えられる。
は、有機物含有層がホール輸送層と発光層とを含み、ま
た実際には、透明電極と、ホール輸送層と、発光層及び
／又は電子輸送層と、陰極とがこの順に、基体上に積層
された構造を有している。これは、有機ＥＬ素子に好適
であると共に、光通信機器、光起電装置（バッテリー
用）、感光体、撮像装置等への応用も考えられる。
【００１３】ここで、導電性基体がインジウム−スズ酸
化物層（ＩＴＯ層）を基体上に有したものであり、前記
ＩＴＯ層上に表面改質層が設けられることができる。こ
のＩＴＯ層は、未処理の状態では親水性の表面を呈し、
これを上記した表面改質層によって疎水化することによ
って上記した有機物含有層との密着性が向上したものと
なる。
化物層（ＩＴＯ層）を基体上に有したものであり、前記
ＩＴＯ層上に表面改質層が設けられることができる。こ
のＩＴＯ層は、未処理の状態では親水性の表面を呈し、
これを上記した表面改質層によって疎水化することによ
って上記した有機物含有層との密着性が向上したものと
なる。
【００１４】本発明はまた、本発明による光学的素子
（例えばエレクトロルミネセント素子）を効果的に製造
する方法として、アルキルシラン誘導体を含む化学吸着
剤の雰囲気に導電性基体の表面を曝すことによってその
表面改質処理を行い、しかる後に、この改質された表面
上に少なくとも１層の有機物含有層を形成することを特
徴とする、光学的素子の製造方法も提供するものであ
る。
（例えばエレクトロルミネセント素子）を効果的に製造
する方法として、アルキルシラン誘導体を含む化学吸着
剤の雰囲気に導電性基体の表面を曝すことによってその
表面改質処理を行い、しかる後に、この改質された表面
上に少なくとも１層の有機物含有層を形成することを特
徴とする、光学的素子の製造方法も提供するものであ
る。
【００１５】この製造方法においては、表面改質処理を
アルキルシラン誘導体（化学吸着剤）によって行い、特
に、導電性基体をアルキルシラン誘導体の雰囲気に曝す
ことによって化学吸着処理を行うことができる。
アルキルシラン誘導体（化学吸着剤）によって行い、特
に、導電性基体をアルキルシラン誘導体の雰囲気に曝す
ことによって化学吸着処理を行うことができる。
【００１６】こうした化学吸着処理は、上記したアルキ
ルシラン誘導体、特に、上記一般式〔Ｉ〕で表されるも
ののうち、上記の一般式〔I'〕で表されるものがよく、
中でもＨＭＤＳを使用するのが望ましい。
ルシラン誘導体、特に、上記一般式〔Ｉ〕で表されるも
ののうち、上記の一般式〔I'〕で表されるものがよく、
中でもＨＭＤＳを使用するのが望ましい。
【００１７】この製造方法によって、ホール輸送層と発
光層とを含む有機物含有層を形成する場合、透明電極
と、ホール輸送層と、発光層及び／又は電子輸送層と、
陰極とをこの順に、基体上に積層し、有機ＥＬ素子を製
造することができる。ここで、透明電極としては、ＩＴ
Ｏ層を形成し、このＩＴＯ層の表面を改質することがで
きる。
光層とを含む有機物含有層を形成する場合、透明電極
と、ホール輸送層と、発光層及び／又は電子輸送層と、
陰極とをこの順に、基体上に積層し、有機ＥＬ素子を製
造することができる。ここで、透明電極としては、ＩＴ
Ｏ層を形成し、このＩＴＯ層の表面を改質することがで
きる。
【００１８】なお、本発明において、電極、ホール輸送
層、発光層、電子輸送層のそれぞれの厚さは、素子の動
作電圧等を考慮して決められるものであり、後述の実施
例に限定されるものではない。また、素子の各層の作製
法も通常の真空蒸着法、ラングミュアブロジェット（Ｌ
Ｂ）蒸着法をはじめ、ディップコーティング法、ポリマ
ースピニング法、真空気体蒸着法、有機分子線エピタキ
シ法（ＯＭＢＥ）が採用可能である。
層、発光層、電子輸送層のそれぞれの厚さは、素子の動
作電圧等を考慮して決められるものであり、後述の実施
例に限定されるものではない。また、素子の各層の作製
法も通常の真空蒸着法、ラングミュアブロジェット（Ｌ
Ｂ）蒸着法をはじめ、ディップコーティング法、ポリマ
ースピニング法、真空気体蒸着法、有機分子線エピタキ
シ法（ＯＭＢＥ）が採用可能である。
【００１９】また、ホール輸送層又は電子輸送層には螢
光物質を含有させておいてもよい。
光物質を含有させておいてもよい。
【００２０】図１には、本発明に基づく有機発光素子と
しての有機ＥＬ素子10の一例を示す。このＥＬ素子10
は、透明基板（例えばガラス基板）６上に、本発明に基
づく化学吸着処理が施されたＩＴＯ透明電極５、ＳｉＯ
2 絶縁層９、ホール輸送層４、電子輸送層２（発光層を
兼ねたもの）、陰極（例えばアルミニウム電極）１を例
えば真空蒸着法で順次製膜したものである。
しての有機ＥＬ素子10の一例を示す。このＥＬ素子10
は、透明基板（例えばガラス基板）６上に、本発明に基
づく化学吸着処理が施されたＩＴＯ透明電極５、ＳｉＯ
2 絶縁層９、ホール輸送層４、電子輸送層２（発光層を
兼ねたもの）、陰極（例えばアルミニウム電極）１を例
えば真空蒸着法で順次製膜したものである。
【００２１】そして、陽極である透明電極５と陰極１と
の間に直流電圧７を選択的に印加することによって、透
明電極５から注入されたホールがホール輸送層４を経
て、また陰極１から注入された電子が電子輸送層２を経
て、それぞれ移動し、ホール輸送層４と電子輸送層２と
の界面で電子−ホールの再結合が生じ、ここから所定波
長の発光８が生じ、透明基板６の側から観察できる。
の間に直流電圧７を選択的に印加することによって、透
明電極５から注入されたホールがホール輸送層４を経
て、また陰極１から注入された電子が電子輸送層２を経
て、それぞれ移動し、ホール輸送層４と電子輸送層２と
の界面で電子−ホールの再結合が生じ、ここから所定波
長の発光８が生じ、透明基板６の側から観察できる。
【００２２】図２は、図１の例において発光層３を電子
輸送層２とホール輸送層４との間に設け、電子輸送層２
とホール輸送層４からそれぞれ移動する電子とホールと
が発光層３で再結合し、所定波長の発光18が得られる有
機ＥＬ素子20を示すものである。
輸送層２とホール輸送層４との間に設け、電子輸送層２
とホール輸送層４からそれぞれ移動する電子とホールと
が発光層３で再結合し、所定波長の発光18が得られる有
機ＥＬ素子20を示すものである。
【００２３】上記の有機ＥＬ素子10及び20において、ホ
ール注入層４の構成材料としては、例えば、ポルフィリ
ン系化合物、アミン系芳香族化合物が使用可能である。
また、発光層３又は電子輸送層２の構成材料としては、
アントラセン、ナフタリン、フェナントレン、ピレン、
クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジ
ン、キノリン、スチルベンが使用可能である。更に、陰
極１としては、低仕事関数の金属又は合金であるＡｌ、
Ｍｇ、Ｍｇ−Ａｌ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ａｌ−Ｌｉ合
金、Ｃａが使用可能である。
ール注入層４の構成材料としては、例えば、ポルフィリ
ン系化合物、アミン系芳香族化合物が使用可能である。
また、発光層３又は電子輸送層２の構成材料としては、
アントラセン、ナフタリン、フェナントレン、ピレン、
クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジ
ン、キノリン、スチルベンが使用可能である。更に、陰
極１としては、低仕事関数の金属又は合金であるＡｌ、
Ｍｇ、Ｍｇ−Ａｌ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ａｌ−Ｌｉ合
金、Ｃａが使用可能である。
【００２４】次に、例えば図１の有機ＥＬ素子10の製造
方法を説明すると、まず、透明電極５上にＳｉＯ2 ９を
パターン化した後、透明電極５及びＳｉＯ2 ９の表面を
下記に示す化学吸着剤により処理し、化学吸着膜を形成
する。その後、透明電極５及びＳｉＯ2 ９上にホール注
入層４及び発光層３を蒸着する。更に、発光層２上に陰
極１を蒸着し、所定の形状にパターン化する。図２の有
機ＥＬ素子10を製造するには、ホール輸送層４上に発光
層３を蒸着する工程を追加する。また、図示しないが、
この有機ＥＬ素子10及び20は、酸化を防止するために、
カプセルに封入される。
方法を説明すると、まず、透明電極５上にＳｉＯ2 ９を
パターン化した後、透明電極５及びＳｉＯ2 ９の表面を
下記に示す化学吸着剤により処理し、化学吸着膜を形成
する。その後、透明電極５及びＳｉＯ2 ９上にホール注
入層４及び発光層３を蒸着する。更に、発光層２上に陰
極１を蒸着し、所定の形状にパターン化する。図２の有
機ＥＬ素子10を製造するには、ホール輸送層４上に発光
層３を蒸着する工程を追加する。また、図示しないが、
この有機ＥＬ素子10及び20は、酸化を防止するために、
カプセルに封入される。
【００２５】上記の化学吸着膜は、ＨＭＤＳ（１，１，
１，３，３，３−ヘキサメチルダイシラザン）をはじ
め、トリメチルクロロシラン、ジメチルダイクロロシラ
ン、ｎ−アルキルトリクロロシラン、ｎ−アルキルダイ
メチールモノクロロシラン等の吸着によって得られる。
また、化学吸着剤には、フェノキシ基、メトキシ基等の
炭化水素オキシ基を導入してもよい。
１，３，３，３−ヘキサメチルダイシラザン）をはじ
め、トリメチルクロロシラン、ジメチルダイクロロシラ
ン、ｎ−アルキルトリクロロシラン、ｎ−アルキルダイ
メチールモノクロロシラン等の吸着によって得られる。
また、化学吸着剤には、フェノキシ基、メトキシ基等の
炭化水素オキシ基を導入してもよい。
【００２６】図３には、本発明に基づく有機ＥＬ素子の
具体例を示す。即ち、各有機層（ホール輸送層４、発光
層３又は電子輸送層２）の積層体を陰極１と陽極５との
間に配するが、これらの電極をマトリクス状に交差させ
てストライプ状に設け、シフトレジスタ内蔵の制御回路
30、31によって時系列に信号電圧を印加し、交差位置に
て発光させるように構成している。従って、このような
構成により、ディスプレイとしては勿論、画像再生装置
としても使用可能となる。なお、上記のストライプパタ
ーンを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色毎に配し、
フルカラー又はマルチカラー用として構成可能である。
具体例を示す。即ち、各有機層（ホール輸送層４、発光
層３又は電子輸送層２）の積層体を陰極１と陽極５との
間に配するが、これらの電極をマトリクス状に交差させ
てストライプ状に設け、シフトレジスタ内蔵の制御回路
30、31によって時系列に信号電圧を印加し、交差位置に
て発光させるように構成している。従って、このような
構成により、ディスプレイとしては勿論、画像再生装置
としても使用可能となる。なお、上記のストライプパタ
ーンを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色毎に配し、
フルカラー又はマルチカラー用として構成可能である。
【００２７】次に、本発明に基づく上記の化学吸着膜に
ついて更に詳述すると、本発明者は、上記したＩＴＯ透
明電極とホール輸送層との両層間の界面の調整が化学吸
着剤を使用して最も良好に達成されることに着目し、表
面処理を考察した。
ついて更に詳述すると、本発明者は、上記したＩＴＯ透
明電極とホール輸送層との両層間の界面の調整が化学吸
着剤を使用して最も良好に達成されることに着目し、表
面処理を考察した。
【００２８】即ち、上記したＩＴＯ基板の表面を化学吸
着剤によって処理する際、使用するアルキルシラン誘導
体（例えばＲ12ＳｉＸ3 、Ｒ10（Ｒ11）ＳｉＸ2 又はＲ
7 （Ｒ8 ）（Ｒ9 ）ＳｉＸ：Ｘは塩素原子であるか又は
アルコキシ基であり、Ｒ7 〜Ｒ12は炭素連鎖である。）
は、ＳｉＯ2 、ＳｎＯ2 及びＴｉＯ2 のようなヒドロキ
シル化された（親水性）表面と反応し、表面を疎水化す
る。アルキルシラン誘導体はまた、ホウケイ酸塩のガラ
ス表面と反応し、例えば（ＣＨ3 ）3 ＳｉＣｌ又は（Ｃ
Ｈ3 ）2 ＳｉＣｌ2 によって表面シラン化（疎水化）が
生じる。
着剤によって処理する際、使用するアルキルシラン誘導
体（例えばＲ12ＳｉＸ3 、Ｒ10（Ｒ11）ＳｉＸ2 又はＲ
7 （Ｒ8 ）（Ｒ9 ）ＳｉＸ：Ｘは塩素原子であるか又は
アルコキシ基であり、Ｒ7 〜Ｒ12は炭素連鎖である。）
は、ＳｉＯ2 、ＳｎＯ2 及びＴｉＯ2 のようなヒドロキ
シル化された（親水性）表面と反応し、表面を疎水化す
る。アルキルシラン誘導体はまた、ホウケイ酸塩のガラ
ス表面と反応し、例えば（ＣＨ3 ）3 ＳｉＣｌ又は（Ｃ
Ｈ3 ）2 ＳｉＣｌ2 によって表面シラン化（疎水化）が
生じる。
【００２９】処理されるべき表面のヒドロキシル（Ｏ
Ｈ）基（同表面におけるダングリングボンドによって生
じるものと思われる。）、即ち、ＩＴＯの表面は、化学
吸着剤であるシリカ化剤と強く反応するので、ヒドロキ
シル基の水素はケイ素によって置換される。図４（Ａ）
は、こうして化学吸着が生じた界面の実例を示す。この
表面にはケイ素配位化合物が化学的に結合する。アルキ
ル基Ｒは、芳香族基又は官能基を含んでいてもよいし、
架橋結合されたり或いは架橋されていなくてもよい。
Ｈ）基（同表面におけるダングリングボンドによって生
じるものと思われる。）、即ち、ＩＴＯの表面は、化学
吸着剤であるシリカ化剤と強く反応するので、ヒドロキ
シル基の水素はケイ素によって置換される。図４（Ａ）
は、こうして化学吸着が生じた界面の実例を示す。この
表面にはケイ素配位化合物が化学的に結合する。アルキ
ル基Ｒは、芳香族基又は官能基を含んでいてもよいし、
架橋結合されたり或いは架橋されていなくてもよい。
【００３０】好適なシリカ化剤の一つは、その早い反応
速度、処理及び揮発度の容易さのために、ヘキサメチル
ダイシラザン（ＨＭＤＳ）である。これは、図４（Ｂ）
に示すように、ヒドロキシル基を有する気体のように反
応してＩＴＯ表面に吸着する。表面上の化学吸着は、処
理された表面が極端に疎水性となるので、接触角の変化
を伴う。
速度、処理及び揮発度の容易さのために、ヘキサメチル
ダイシラザン（ＨＭＤＳ）である。これは、図４（Ｂ）
に示すように、ヒドロキシル基を有する気体のように反
応してＩＴＯ表面に吸着する。表面上の化学吸着は、処
理された表面が極端に疎水性となるので、接触角の変化
を伴う。
【００３１】ここで、幾つかの有機化合物をホール注入
層及びホール輸送層に適合可能となるように選択され
る。ケイ素を含むポリマーは、高いホール移動度を有す
るため、ホール輸送層に用いるのに有効である。従っ
て、上記のように、ＨＭＤＳを使用して表面処理する
と、この処理剤はケイ素を含む表面調整剤として吸着さ
れるため、高いホール移動度を示すことになる。そし
て、このような材料による処理はまた、表面を強く疎水
性にするので、ＩＴＯとホール輸送層間の良好な接触が
形成される。
層及びホール輸送層に適合可能となるように選択され
る。ケイ素を含むポリマーは、高いホール移動度を有す
るため、ホール輸送層に用いるのに有効である。従っ
て、上記のように、ＨＭＤＳを使用して表面処理する
と、この処理剤はケイ素を含む表面調整剤として吸着さ
れるため、高いホール移動度を示すことになる。そし
て、このような材料による処理はまた、表面を強く疎水
性にするので、ＩＴＯとホール輸送層間の良好な接触が
形成される。
【００３２】従って、ＩＴＯ層をホール注入接点として
使用する場合、ヘキサメチルダイシラザン（ＨＭＤＳ）
のような材料は表面を均一に疎水性にする作用があり、
かつホール輸送能も良好であるから、ＨＭＤＳ等による
処理で、ＩＴＯからホール輸送層へのホール注入に対す
る抵抗を減少させ、ＥＬ装置の効率を増大させることが
できる。この場合、化学吸着層を形成するために使用さ
れ得る化学吸着材料において、上記の炭素連鎖としては
短いアルキル連鎖又はメチル基を有する材料が、輸送特
性が一般により良いので、好ましい。
使用する場合、ヘキサメチルダイシラザン（ＨＭＤＳ）
のような材料は表面を均一に疎水性にする作用があり、
かつホール輸送能も良好であるから、ＨＭＤＳ等による
処理で、ＩＴＯからホール輸送層へのホール注入に対す
る抵抗を減少させ、ＥＬ装置の効率を増大させることが
できる。この場合、化学吸着層を形成するために使用さ
れ得る化学吸着材料において、上記の炭素連鎖としては
短いアルキル連鎖又はメチル基を有する材料が、輸送特
性が一般により良いので、好ましい。
【００３３】なお、ＩＴＯの表面を疎水化する処理は上
記した化学吸着によるのが望ましいが、他の疎水化処理
によってもよい。また、使用する基板や電極、有機層の
各材質も種々変更可能である。基板については、全体が
導電材料で形成されてよい。
記した化学吸着によるのが望ましいが、他の疎水化処理
によってもよい。また、使用する基板や電極、有機層の
各材質も種々変更可能である。基板については、全体が
導電材料で形成されてよい。
【００３４】
【実施例】以下、本発明を実施例について更に詳細に説
明する。
明する。
【００３５】実施例１ 本実施例では、図１に示した構造の有機ＥＬ素子を製造
した。この素子において、ホール輸送層のために選ばれ
た材料は、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）１，
１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（これをＴＰＤ
と略記し、その構造式を下記に示す。）である。また、
エミッタ層（発光層又は電子輸送層）は、トリス−（８
−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（これをＡｌｑ3
と略記し、その構造式を下記に示す。）からなってい
る。ＩＴＯ表面への化学吸着剤は、１，１，１，３，
３，３−ヘキサメチルダイシラザン（ＨＭＤＳ）（99.9
％純度、アルドリッチ化学会社から入手したもの）を使
用した。
した。この素子において、ホール輸送層のために選ばれ
た材料は、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）１，
１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（これをＴＰＤ
と略記し、その構造式を下記に示す。）である。また、
エミッタ層（発光層又は電子輸送層）は、トリス−（８
−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（これをＡｌｑ3
と略記し、その構造式を下記に示す。）からなってい
る。ＩＴＯ表面への化学吸着剤は、１，１，１，３，
３，３−ヘキサメチルダイシラザン（ＨＭＤＳ）（99.9
％純度、アルドリッチ化学会社から入手したもの）を使
用した。
【００３６】ＴＰＤ（ホール輸送層材料）：
【化１】
【００３７】Ａｌｑ3 （発光層材料又は電子輸送層材
料）：
料）：
【化２】
【００３８】有機ＥＬ素子を作製するには、まず、ＩＴ
Ｏ（コーニング社製7059ガラス上にスパッタリングによ
って蒸着された厚さ 100nmのもの）を、２mm×２mmの作
用セル面積を与えるために、ＳｉＯ2 をマスクとして使
用してパターン化した。
Ｏ（コーニング社製7059ガラス上にスパッタリングによ
って蒸着された厚さ 100nmのもの）を、２mm×２mmの作
用セル面積を与えるために、ＳｉＯ2 をマスクとして使
用してパターン化した。
【００３９】次に、この基板を粗清浄化した後、アルカ
リ界面活性剤溶液によって80℃で10分間、超音波洗浄
し、かつ脱イオン水で水洗した。蒸着室に装入する直前
に、基板を紫外線オゾン乾式ストリッパを使用して清浄
化した。
リ界面活性剤溶液によって80℃で10分間、超音波洗浄
し、かつ脱イオン水で水洗した。蒸着室に装入する直前
に、基板を紫外線オゾン乾式ストリッパを使用して清浄
化した。
【００４０】次に、ＩＴＯ表面を、室温で10分間、ＨＭ
ＤＳ気体に曝し、表面をＨＭＤＳで疎水化処理した。
ＤＳ気体に曝し、表面をＨＭＤＳで疎水化処理した。
【００４１】そして、この処理表面上に、約２×10-6ト
ルの圧力で 0.2〜0.4nm/s で、ＴＰＤ（ホール輸送材
料）及びＡｌｑ3 （発光層材料）をタングステンボート
から順次加熱蒸着した。各層の厚さは、従来の水晶厚み
モニタを使用して測定された50nmであった。
ルの圧力で 0.2〜0.4nm/s で、ＴＰＤ（ホール輸送材
料）及びＡｌｑ3 （発光層材料）をタングステンボート
から順次加熱蒸着した。各層の厚さは、従来の水晶厚み
モニタを使用して測定された50nmであった。
【００４２】更に、真空を保持したまま、 200nm厚さの
金属上部接点（陰極）を約 1.1nm/sの結合速度で10：１
の比率で共同蒸着するマグネシウム及び銀によって形成
した。
金属上部接点（陰極）を約 1.1nm/sの結合速度で10：１
の比率で共同蒸着するマグネシウム及び銀によって形成
した。
【００４３】こうして作製したセルについて、その電流
−電圧（Ｉ−Ｖ）特性は、パーソナルコンピュータとイ
ンターフェースされたキースレイ社製 487ピコアンメー
タ／電圧源を使用してモニタした（輝度はトップコンＢ
Ｍ−７輝度計を使用してモニタした）。また、ホトルミ
ネセンス（ＰＬ）及びエレクトロルミネセンス（ＥＬ）
スペクトルは、島津製作所製ＲＦ−5000分光光度計及び
大塚電子製ＭＣＰＤ1000ルミネセンス分光光度計をそれ
ぞれ使用して得た。
−電圧（Ｉ−Ｖ）特性は、パーソナルコンピュータとイ
ンターフェースされたキースレイ社製 487ピコアンメー
タ／電圧源を使用してモニタした（輝度はトップコンＢ
Ｍ−７輝度計を使用してモニタした）。また、ホトルミ
ネセンス（ＰＬ）及びエレクトロルミネセンス（ＥＬ）
スペクトルは、島津製作所製ＲＦ−5000分光光度計及び
大塚電子製ＭＣＰＤ1000ルミネセンス分光光度計をそれ
ぞれ使用して得た。
【００４４】ＩＴＯが正バイアスされるように電圧が有
機層間に印加されたとき、図５に示すように、中心波長
が約 528nmの極端に明るいグリーン放射が観察された。
このＰＬスペクトルを有する放出は（ｘ＝0.36、ｙ＝0.
55）のカラー座標を有する。また、この装置からのＰＬ
スペクトル（更にはＥＬスペクトル）は、文献に報告さ
れている図６のスペクトル（但し、石英基板上にＡｌｑ
3 を50nm厚に蒸着したセルから得られたもの）とほぼ一
致する。
機層間に印加されたとき、図５に示すように、中心波長
が約 528nmの極端に明るいグリーン放射が観察された。
このＰＬスペクトルを有する放出は（ｘ＝0.36、ｙ＝0.
55）のカラー座標を有する。また、この装置からのＰＬ
スペクトル（更にはＥＬスペクトル）は、文献に報告さ
れている図６のスペクトル（但し、石英基板上にＡｌｑ
3 を50nm厚に蒸着したセルから得られたもの）とほぼ一
致する。
【００４５】電子−ホール再結合はＴＰＤ／Ａｌｑ3 境
界に近接して生じることが公知であるので、上記のスペ
クトルの一致は、界面層（化学吸着層）が放出プロセス
に実質的に関与していないことを確認できる。但し、図
６に比べて図５のスペクトルのλmax が僅かに長波長側
にシフトしているのは、ＴＰＤ（〜430nm)からの放出及
び干渉効果によるものと思われる。
界に近接して生じることが公知であるので、上記のスペ
クトルの一致は、界面層（化学吸着層）が放出プロセス
に実質的に関与していないことを確認できる。但し、図
６に比べて図５のスペクトルのλmax が僅かに長波長側
にシフトしているのは、ＴＰＤ（〜430nm)からの放出及
び干渉効果によるものと思われる。
【００４６】次に、このセルから得られたＩ−Ｖデータ
及びＬ−Ｉデータを図７と図８にそれぞれ示す。図７に
よれば、印加電圧が８Ｖ付近から電流が急激に立ち上が
り、発光が増大することが分かる。この立ち上がり領域
では、図８に示すように、電流の増加と共に輝度（ルミ
ネセンス）がほぼリニアに増加し、12.5Ｖの印加電圧
（約600mA/cm2 以上の電流）で10,000cd/m2 以上の最大
安定放出が容易に得られる。
及びＬ−Ｉデータを図７と図８にそれぞれ示す。図７に
よれば、印加電圧が８Ｖ付近から電流が急激に立ち上が
り、発光が増大することが分かる。この立ち上がり領域
では、図８に示すように、電流の増加と共に輝度（ルミ
ネセンス）がほぼリニアに増加し、12.5Ｖの印加電圧
（約600mA/cm2 以上の電流）で10,000cd/m2 以上の最大
安定放出が容易に得られる。
【００４７】この装置の効率は、下記の基準実験の効率
と比較した。基準セルは、ＨＭＤＳによる表面処理が省
略されたことを除いて、上記と同一の手順に従って製造
した。有機層又は上部接点の蒸着条件はＩ−Ｖ及びＬ−
Ｉ特性を変化させることになるので、効率についての比
較はすべて同一の蒸着条件で製造されたセル間でなされ
た。
と比較した。基準セルは、ＨＭＤＳによる表面処理が省
略されたことを除いて、上記と同一の手順に従って製造
した。有機層又は上部接点の蒸着条件はＩ−Ｖ及びＬ−
Ｉ特性を変化させることになるので、効率についての比
較はすべて同一の蒸着条件で製造されたセル間でなされ
た。
【００４８】この結果、セルのＰＬ又はＥＬスペクトル
の変化は処理セルと未処理セル間で観察されなかった
が、低駆動電圧でのセルの効率はＨＭＤＳ処理をしたセ
ルで向上することが分かった。即ち、図９に示すデータ
から、本発明に基づくＨＭＤＳ処理によって、より低電
圧で効率が増大していることが明らかである。また、図
10も、本発明に基づくＨＭＤＳ処理によって、より低電
流でも高効率が得られることが理解される。
の変化は処理セルと未処理セル間で観察されなかった
が、低駆動電圧でのセルの効率はＨＭＤＳ処理をしたセ
ルで向上することが分かった。即ち、図９に示すデータ
から、本発明に基づくＨＭＤＳ処理によって、より低電
圧で効率が増大していることが明らかである。また、図
10も、本発明に基づくＨＭＤＳ処理によって、より低電
流でも高効率が得られることが理解される。
【００４９】このように、ＨＭＤＳによるＩＴＯ表面処
理は、低駆動電圧、低電流で効率を向上させ、化学吸着
処理でＩＴＯの表面を調整することの優位性を如実に示
している。
理は、低駆動電圧、低電流で効率を向上させ、化学吸着
処理でＩＴＯの表面を調整することの優位性を如実に示
している。
【００５０】実施例２ 実施例１において、発光層の構成材料がトリス−（８−
ヒドロキシキノリン）ガリウム（これをＧａｑ3 と略記
する。）であったことを除いて、同様にして、エレクト
ロルミネセント素子を作製した。
ヒドロキシキノリン）ガリウム（これをＧａｑ3 と略記
する。）であったことを除いて、同様にして、エレクト
ロルミネセント素子を作製した。
【００５１】このセルにおいては、4,730cd/m2の最大放
出が、12.5Ｖの電圧が印加されたときに得られた。界面
層（化学吸着層）の付加の結果、（100cd/m2でのルーメ
ン／ワットで表される）装置の効率が 3.4％増加した。
出が、12.5Ｖの電圧が印加されたときに得られた。界面
層（化学吸着層）の付加の結果、（100cd/m2でのルーメ
ン／ワットで表される）装置の効率が 3.4％増加した。
【００５２】この結果は、本発明が特定の装置に限定さ
れるものではなく、他の有機材料を組み込んだエレクト
ロルミネセントセルに一般に適用され得ることを立証し
ている。
れるものではなく、他の有機材料を組み込んだエレクト
ロルミネセントセルに一般に適用され得ることを立証し
ている。
【００５３】実施例３ 実施例１において、発光層としてダイスチルベンゼン誘
導体（ＤＳＢ）を使用し、電子輸送層として厚さ45nmの
オキサジアゾール誘導体（下記構造式のＰＢＤ）層を付
加したことを除いて、同様にしてエレクトロルミネセン
ト装置を作製した。この場合、５nmの厚さの発光層を
0.2〜0.4nm/s で蒸着した後に電子輸送層としてのＰＢ
Ｄを45nmの厚さに蒸着した。電極は、約１nm/sの速度で
100nm の厚さにアルミニウム層を蒸着することによって
形成した。
導体（ＤＳＢ）を使用し、電子輸送層として厚さ45nmの
オキサジアゾール誘導体（下記構造式のＰＢＤ）層を付
加したことを除いて、同様にしてエレクトロルミネセン
ト装置を作製した。この場合、５nmの厚さの発光層を
0.2〜0.4nm/s で蒸着した後に電子輸送層としてのＰＢ
Ｄを45nmの厚さに蒸着した。電極は、約１nm/sの速度で
100nm の厚さにアルミニウム層を蒸着することによって
形成した。
【００５４】
【化３】
【００５５】このセルにおいては、 482nmのピーク波長
を有する明るいブルー放射が得られた。この結果も、本
発明が特定の装置に限定されるものではなく、他の有機
材料を組み込んだエレクトロルミネセントセルに一般に
適用され得ることを立証している。
を有する明るいブルー放射が得られた。この結果も、本
発明が特定の装置に限定されるものではなく、他の有機
材料を組み込んだエレクトロルミネセントセルに一般に
適用され得ることを立証している。
【００５６】実施例４ 実施例１において、電子注入接点（陰極）が有機層上に
異なる電極を蒸着することによって形成したことを除い
て、同様にしてエレクトロルミネセント素子を作製し
た。ここで使用した電極材料は、Ｉｎ、Ｍｇ又はＡｌ−
Ｌｉのような低仕事関数を有する金属又は合金であっ
た。
異なる電極を蒸着することによって形成したことを除い
て、同様にしてエレクトロルミネセント素子を作製し
た。ここで使用した電極材料は、Ｉｎ、Ｍｇ又はＡｌ−
Ｌｉのような低仕事関数を有する金属又は合金であっ
た。
【００５７】これらのセルでも、実施例１と同様の結果
が得られたので、本発明は適当な電極を使用したセルで
あればいずれも適用可能であることが分かった。
が得られたので、本発明は適当な電極を使用したセルで
あればいずれも適用可能であることが分かった。
【００５８】実施例５ 実施例１において、下記に示す種々の異なる材料からな
る化学吸着界面層を形成した以外は、同様にして、エレ
クトロルミネセント素子を作製したが、いずれも実施例
１と同様の結果が得られた。
る化学吸着界面層を形成した以外は、同様にして、エレ
クトロルミネセント素子を作製したが、いずれも実施例
１と同様の結果が得られた。
【００５９】（１）トリメチルクロロシラン((CH3)3SiC
l) （２）ジメチルダイクロロシラン((CH3)2SiCl2） （３）ｎ−アルキルトリクロロシラン(CH3(CH2) n SiCl
3)（ここで、ｎ＝０〜17の整数である。） （４）ｎ−アルキルダイメチールモノクロロシラン（CH
3(CH2)n (CH3)2SiCl）（ここで、ｎ＝１〜17の整数であ
る。）
l) （２）ジメチルダイクロロシラン((CH3)2SiCl2） （３）ｎ−アルキルトリクロロシラン(CH3(CH2) n SiCl
3)（ここで、ｎ＝０〜17の整数である。） （４）ｎ−アルキルダイメチールモノクロロシラン（CH
3(CH2)n (CH3)2SiCl）（ここで、ｎ＝１〜17の整数であ
る。）
【００６０】実施例６ 実施例１において、化学吸着剤として、芳香族の官能基
を含む層を形成した以外は同様にして、エレクトロルミ
ネセント素子を作製した。ここでは、化学吸着剤とし
て、下記のフェノキシ基を有する種々のものを使用した
が、いずれも実施例１と同様の結果が得られた。
を含む層を形成した以外は同様にして、エレクトロルミ
ネセント素子を作製した。ここでは、化学吸着剤とし
て、下記のフェノキシ基を有する種々のものを使用した
が、いずれも実施例１と同様の結果が得られた。
【００６１】（１）CH3(CH2)n (C6H4)O(CH2)m SiCl3(こ
こで、ｎ＝０〜８の整数及びｍ＝０〜11の整数であ
る。） （２）CH3(CH2)n ArO(CH2)m SiCl3(ここで、ｎ及びｍは
整数で、Arはアリール官能基である。） （３）CH3(CH2)8O2(C6H4)O(CH2)11SiCl3 （４）CH3(CH2)11SO2(C6H4)O(CH2)11SiCl3
こで、ｎ＝０〜８の整数及びｍ＝０〜11の整数であ
る。） （２）CH3(CH2)n ArO(CH2)m SiCl3(ここで、ｎ及びｍは
整数で、Arはアリール官能基である。） （３）CH3(CH2)8O2(C6H4)O(CH2)11SiCl3 （４）CH3(CH2)11SO2(C6H4)O(CH2)11SiCl3
【００６２】
【発明の作用効果】本発明は、上述した如く、導電性基
体と、この導電性基体上に設けられた少なくとも１層の
有機物含有層とを有し、この有機物含有層側の前記導電
性基体の表面がアルキルシラン誘導体を含む化学吸着剤
によって改質されているので、前記導電性基体の表面が
表面改質（特に、化学吸着層による疎水化）され、前記
導電性基体とこの上に設ける前記有機物含有層（特に、
ホール輸送層及び発光層）との密着性を向上させるよう
に改質できる。これによって、前記導電性基体と前記有
機物含有層との接触状態が良好となり、前記導電性基体
からのホール注入に対する抵抗を減少させてその注入効
率、ひいては有機ＥＬ素子にあっては輝度、発光効率及
び寿命、動作電圧等の性能を向上させることができる。
体と、この導電性基体上に設けられた少なくとも１層の
有機物含有層とを有し、この有機物含有層側の前記導電
性基体の表面がアルキルシラン誘導体を含む化学吸着剤
によって改質されているので、前記導電性基体の表面が
表面改質（特に、化学吸着層による疎水化）され、前記
導電性基体とこの上に設ける前記有機物含有層（特に、
ホール輸送層及び発光層）との密着性を向上させるよう
に改質できる。これによって、前記導電性基体と前記有
機物含有層との接触状態が良好となり、前記導電性基体
からのホール注入に対する抵抗を減少させてその注入効
率、ひいては有機ＥＬ素子にあっては輝度、発光効率及
び寿命、動作電圧等の性能を向上させることができる。
【図１】本発明に基づく有機ＥＬ素子の一例の概略断面
図である。
図である。
【図２】本発明に基づく有機ＥＬ素子の他の例の概略断
面図である。
面図である。
【図３】本発明に基づく有機ＥＬ素子の具体例の平面図
である。
である。
【図４】同有機ＥＬ素子における電極表面の化学吸着剤
による処理を説明するための模式図である。
による処理を説明するための模式図である。
【図５】同有機ＥＬ素子として化学吸着界面層を組み込
んだセルから得られたＰＬスペクトル図である。
んだセルから得られたＰＬスペクトル図である。
【図６】化学吸着界面層のない比較セルから得られたＰ
Ｌスペクトル図である。
Ｌスペクトル図である。
【図７】本発明に基づく有機ＥＬ素子として化学吸着界
面層を組み込んだセルから得られたＩ−Ｖ特性図であ
る。
面層を組み込んだセルから得られたＩ−Ｖ特性図であ
る。
【図８】同セルから得られたＬ−Ｉ特性図である。
【図９】本発明に基づく化学吸着処理を行ったセルとこ
の処理を行わないセルの電圧による効率変化を比較して
示すグラフである。
の処理を行わないセルの電圧による効率変化を比較して
示すグラフである。
【図10】本発明に基づく化学吸着処理を行ったセルとこ
の処理を行わないセルの電流による効率変化を比較して
示すグラフである。
の処理を行わないセルの電流による効率変化を比較して
示すグラフである。
１・・・陰極 ２・・・電子輸送層 ３・・・発光層 ４・・・ホール輸送層 ５・・・透明電極（陽極） ６・・・透明基板 ７・・・直流電源 ８、18・・・発光 10、20・・・有機ＥＬ素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鬼島 靖典 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (16)
- 【請求項１】 導電性基体と、この導電性基体上に設け
られた少なくとも１層の有機物含有層とを有し、この有
機物含有層側の前記導電性基体の表面が、アルキルシラ
ン誘導体を含む化学吸着剤によって改質されていること
を特徴とする光学的素子。 - 【請求項２】 アルキルシラン誘導体が下記の一般式
〔Ｉ〕で表される、請求項１に記載した光学的素子。 一般式〔Ｉ〕： Ｒ1 （Ｒ2 ）（Ｒ3 ）ＳｉＮＨＳｉ（Ｒ4 ）（Ｒ5 ）Ｒ
6 、 Ｒ7 （Ｒ8 ）（Ｒ9 ）ＳｉＸ1 、 Ｒ10（Ｒ11）Ｓｉ（Ｘ2 ）Ｘ3 又は Ｒ12Ｓｉ（Ｘ4 ）（Ｘ5 ）Ｘ6 〔但し、この一般式〔Ｉ〕において、Ｒ1 、Ｒ2 、
Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10、Ｒ
11及びＲ12は互いに同一の若しくは異なる炭化水素基
（主鎖中にヘテロ結合を含んでいてもよい。）であり、
Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、Ｘ5 及びＸ6 は互いに同一の
若しくは異なるハロゲン原子又は炭化水素オキシ基であ
る。〕 - 【請求項３】 アルキルシラン誘導体が下記の一般式
〔I'〕で表される、請求項２に記載した光学的素子。 一般式〔I'〕： Ｒ1 （Ｒ2 ）（Ｒ3 ）ＳｉＮＨＳｉ（Ｒ4 ）（Ｒ5 ）Ｒ
6 又は Ｒ7 （Ｒ8 ）（Ｒ9 ）ＳｉＸ1 （但し、この一般式〔I'〕において、Ｒ1 、Ｒ2 、
Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 は互いに
同一の若しくは異なるアルキル基、Ｘ1 はハロゲン原子
又はアルコキシ基である。） - 【請求項４】 アルキルシラン誘導体がヘキサメチルダ
イシラザンからなっている、請求項３に記載した光学的
素子。 - 【請求項５】 有機物含有層がホール輸送層と発光層と
を含む、請求項１に記載した光学的素子。 - 【請求項６】 透明電極と、ホール輸送層と、発光層及
び／又は電子輸送層と、陰極とがこの順に、基体上に積
層されている、請求項５に記載した光学的素子。 - 【請求項７】 導電性基体がインジウム−スズ酸化物層
を基体上に有したものであり、前記インジウム−スズ酸
化物層上に表面改質層が設けられている、請求項１に記
載した光学的素子。 - 【請求項８】 エレクトロルミネセント素子として構成
される、請求項１に記載した光学的素子。 - 【請求項９】 アルキルシラン誘導体を含む化学吸着剤
の雰囲気に導電性基体の表面を曝すことによってその表
面改質処理を行い、しかる後に、この改質された表面上
に少なくとも１層の有機物含有層を形成することを特徴
とする、光学的素子の製造方法。 - 【請求項10】 アルキルシラン誘導体として下記の一般
式〔Ｉ〕で表されるものを使用する、請求項９に記載し
た製造方法。 一般式〔Ｉ〕： Ｒ1 （Ｒ2 ）（Ｒ3 ）ＳｉＮＨＳｉ（Ｒ4 ）（Ｒ5 ）Ｒ
6 、 Ｒ7 （Ｒ8 ）（Ｒ9 ）ＳｉＸ1 、 Ｒ10（Ｒ11）Ｓｉ（Ｘ2 ）Ｘ3 又は Ｒ12Ｓｉ（Ｘ4 ）（Ｘ5 ）Ｘ6 〔但し、この一般式〔Ｉ〕において、Ｒ1 、Ｒ2 、
Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｒ9 、Ｒ10、Ｒ
11及びＲ12は互いに同一の若しくは異なる炭化水素基
（主鎖中にヘテロ結合を含んでいてもよい。）であり、
Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、Ｘ5 及びＸ6 は互いに同一の
若しくは異なるハロゲン原子又は炭化水素オキシ基であ
る。〕 - 【請求項11】 アルキルシラン誘導体として下記の一般
式〔I'〕で表されるものを使用する、請求項10に記載し
た製造方法。 一般式〔I'〕： Ｒ1 （Ｒ2 ）（Ｒ3 ）ＳｉＮＨＳｉ（Ｒ4 ）（Ｒ5 ）Ｒ
6 又は Ｒ7 （Ｒ8 ）（Ｒ9 ）ＳｉＸ1 （但し、この一般式〔I'〕において、Ｒ1 、Ｒ2 、
Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 及びＲ9 は互いに
同一の若しくは異なるアルキル基、Ｘ1 はハロゲン原子
又はアルコキシ基である。） - 【請求項12】 アルキルシラン誘導体としてヘキサメチ
ルダイシラザンを使用する、請求項11に記載した製造方
法。 - 【請求項13】 ホール輸送層と発光層とを含む有機物含
有層を形成する、請求項９に記載した製造方法。 - 【請求項14】 透明電極と、ホール輸送層と、発光層及
び／又は電子輸送層と、陰極とをこの順に、基体上に積
層する、請求項13に記載した製造方法。 - 【請求項15】 インジウム−スズ酸化物層を基体上に有
する導電性基体の前記インジウム−スズ酸化物層の表面
を改質する、請求項９に記載した製造方法。 - 【請求項16】 エレクトロルミネセント素子を製造す
る、請求項９に記載した製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7159840A JPH08330071A (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 光学的素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7159840A JPH08330071A (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 光学的素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330071A true JPH08330071A (ja) | 1996-12-13 |
Family
ID=15702392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7159840A Pending JPH08330071A (ja) | 1995-06-02 | 1995-06-02 | 光学的素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08330071A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1195265A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Chemiprokasei Kaisha Ltd | 電子輸送性積層膜またはホール輸送性積層膜、それを用いたエレクトロクロミック素子および有機エレクトロルミネッセント素子 |
| US6456003B1 (en) | 1999-01-28 | 2002-09-24 | Nec Corporation | Organic electroluminescent devices and panels |
| KR100706091B1 (ko) * | 2004-06-25 | 2007-04-11 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 ｅｌ 장치와 그 제조 방법 및 전자 기기 |
| WO2008029683A1 (fr) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Élément d'électroluminescence organique, procédé de fabrication correspondant, dispositif d'éclairage et dispositif d'affichage |
| WO2010134518A1 (ja) * | 2009-05-19 | 2010-11-25 | 昭和電工株式会社 | 電極の表面処理方法および電極ならびに有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
| JP2014186950A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP2015507353A (ja) * | 2011-12-15 | 2015-03-05 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 安定化された金属酸化物層を有する光電デバイスの形成方法 |
-
1995
- 1995-06-02 JP JP7159840A patent/JPH08330071A/ja active Pending
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
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| JP2014186950A (ja) * | 2013-03-25 | 2014-10-02 | Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
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