KR20210127747A - 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 적재대를 위치 정렬하는 방법 - Google Patents
기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 적재대를 위치 정렬하는 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210127747A KR20210127747A KR1020217029943A KR20217029943A KR20210127747A KR 20210127747 A KR20210127747 A KR 20210127747A KR 1020217029943 A KR1020217029943 A KR 1020217029943A KR 20217029943 A KR20217029943 A KR 20217029943A KR 20210127747 A KR20210127747 A KR 20210127747A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- mounting table
- processing apparatus
- holding
- substrate processing
- Prior art date
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 180
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 90
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 56
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 13
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 11
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 78
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 10
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 4
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000009489 vacuum treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
비교적 간편하게 적재대의 위치 조절을 행하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 처리 대상의 기판이 각각 적재되는 복수의 적재대와, 각 적재대를 하면측으로부터 지지하는 복수의 지주와, 복수의 지주를 기단측으로부터 지지하는 공통의 베이스부를 구비한다. 위치 조절 기구는, 베이스부와 각 지주의 사이에 마련되고, 베이스부측의 고정 부재와, 그 상방에 배치되고, 지주의 기단부를 위치 결정해서 적재대의 위치를 조절하기 위한 위치 조절 부재와, 지주의 주위를 둘러싸는 적어도 3군데에 각각 마련되고, 고정 부재와 위치 조절 부재의 간극의 높이를 조절 가능한 상태에서, 위치 조절 부재를 고정 부재에 대하여 설치하는 복수의 간극 높이 조절부를 갖는다. 복수의 위치 조절 기구의 적어도 하나의 위치 조절 기구는, 1군데에서, 상기 간극의 높이를 고정한 상태에서 위치 조절 부재를 고정 부재에 대하여 설치하는 고정 설치부가 마련되어 있다.
Description
본 개시는, 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치의 제조 공정에서는, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 기재함)에 대하여 각종 처리 가스를 공급함으로써, 성막이나 에칭 등의 다양한 처리가 행하여진다. 이러한 종류의 기판 처리는, 처리 용기 내에 적재대를 배치하고, 이 적재대 상에 기판을 적재한 상태에서 행하여지는 경우가 있다.
예를 들어 특허문헌 1에는, 홈 가공용 지석 형성을 위한 트윈 드레서에 마련된 고정대의 위치 조절 기술이 기재되고, 특허문헌 2에는, 광학 렌즈의 프레스 성형에 사용되는 금형 누름판을 수평 이동시키는 기술이 기재되어 있다. 또한, 특허문헌 3에는, 스크린 인쇄용 스크린 판의 위치 결정을 행하는 기술이 기재되어 있다.
그러나, 이들 특허문헌에는, 기판 처리에 사용되는 적재대의 위치 조절에 관한 기술은 기재되어 있지 않다.
본 개시는, 비교적 간편하게 적재대의 위치 조절을 행하는 것이 가능한 기판 처리 장치를 제공한다.
본 개시의 기판 처리 장치는, 기판에 처리 가스를 공급해서 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서,
처리 용기 내에 배치되어, 처리 대상의 기판이 각각 적재되는 복수의 적재대와,
각각, 상기 복수의 적재대를 하면측으로부터 지지하고, 상기 처리 용기의 저면을 관통해서 하방측으로 돌출되는 복수의 지주와,
상기 복수의 지주를 기단측으로부터 지지하는 공통의 베이스부와,
상기 베이스부와 각 지주의 기단의 사이에 마련되어, 상기 베이스부측에 고정된 고정 부재와, 상기 고정 부재의 상방에 배치됨과 함께, 상기 지주의 기단부를 위치 결정하여, 당해 지주에 지지되어 있는 적재대의 위치를 조절하기 위한 위치 조절 부재와, 상기 지주의 주위를 둘레 방향으로 둘러싸는 적어도 3군데에 각각 마련되고, 상기 고정 부재와 위치 조절 부재의 간극의 높이를 조절 가능한 상태에서, 당해 위치 조절 부재를 고정 부재에 대하여 설치하는 복수의 간극 높이 조절부를 갖는 복수의 위치 조절 기구를 구비하고,
상기 복수의 위치 조절 기구의 적어도 하나의 위치 조절 기구는, 상기 적어도 3군데 중 1군데에서, 상기 간극 높이 조절부 대신에, 상기 간극의 높이를 고정한 상태에서 위치 조절 부재를 고정 부재에 대하여 설치하는 고정 설치부가 마련되어 있다.
본 개시에 의하면, 기판 처리 장치의 적재대의 위치 조절을 비교적 간편하게 행하는 것이 가능하게 된다.
도 1은 본 개시의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성을 설명하는 평면도이다.
도 2는 상기 기판 처리 시스템에 마련되어 있는 기판 처리 장치의 종단 측면도이다.
도 3은 상기 기판 처리 장치의 분해 사시도이다.
도 4는 적재대를 지지하는 지주의 하단부의 구성을 도시하는 평면도이다.
도 5는 상기 적재대의 위치 조절 기구의 제1 확대 종단 측면도이다.
도 6은 상기 위치 조절 기구의 제2 확대 종단 측면도이다.
도 7은 상기 위치 조절 기구의 확대 평면도이다.
도 8은 상기 적재대의 센터링에 관한 종단 측면도이다.
도 9는 상기 적재대의 센터링에 관한 평면도이다.
도 10은 상기 센터링에 사용되는 지그의 사시도이다.
도 11은 카메라 구비 웨이퍼를 사용해서 촬영한 적재대 상면의 화상이다.
도 2는 상기 기판 처리 시스템에 마련되어 있는 기판 처리 장치의 종단 측면도이다.
도 3은 상기 기판 처리 장치의 분해 사시도이다.
도 4는 적재대를 지지하는 지주의 하단부의 구성을 도시하는 평면도이다.
도 5는 상기 적재대의 위치 조절 기구의 제1 확대 종단 측면도이다.
도 6은 상기 위치 조절 기구의 제2 확대 종단 측면도이다.
도 7은 상기 위치 조절 기구의 확대 평면도이다.
도 8은 상기 적재대의 센터링에 관한 종단 측면도이다.
도 9는 상기 적재대의 센터링에 관한 평면도이다.
도 10은 상기 센터링에 사용되는 지그의 사시도이다.
도 11은 카메라 구비 웨이퍼를 사용해서 촬영한 적재대 상면의 화상이다.
본 개시에 관한 기판 처리 시스템(1)의 실시 형태에 대해서 도 1의 평면도를 참조하면서 설명한다. 이 기판 처리 시스템(1)은, 반출입 포트(11)와, 반출입 모듈(12)과, 진공 반송 모듈(기판 반송 모듈)(13)과, 기판 처리 장치(2)를 구비하고 있다. 도 1에서, X 방향을 좌우 방향, Y 방향을 전후 방향, 반출입 포트(11)를 전후 방향의 전방측으로서 설명한다. 반출입 모듈(12)의 전방측에는 반출입 포트(11), 반출입 모듈(12)의 안쪽에는 진공 반송 모듈(13)이 각각 서로 전후 방향을 향해서 접속되어 있다.
반출입 포트(11)는, 처리 대상의 기판을 수용한 반송 용기인 캐리어(C)가 적재되는 것이며, 예를 들어 기판은, 직경이 예를 들어 300mm의 원형 기판인 웨이퍼(W)로 이루어진다. 반출입 모듈(12)은, 캐리어(C)와 진공 반송 모듈(13)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반출입을 행하기 위한 모듈이다. 반출입 모듈(12)은, 반송 기구(120)에 의해, 상압 분위기 중에서 캐리어(C)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 행하는 상압 반송실(121)와, 웨이퍼(W)가 놓이는 분위기를 상압 분위기와 진공 분위기의 사이에서 전환하는 로드 로크실(122)을 구비하고 있다.
진공 반송 모듈(13)은, 진공 분위기가 형성된 진공 반송실(기판 반송실)(14)을 구비하고, 이 진공 반송실(14)의 내부에는 기판 반송 기구(15)가 배치되어 있다. 진공 반송실(14)은, 예를 들어 평면으로 보아, 전후 방향으로 긴 변을 갖는 직사각형을 이룬다. 진공 반송실(14)의 4개의 측벽 중, 직사각형의 서로 대향하는 긴 변에는, 각각 복수 예를 들어 3개의 기판 처리 장치(2)가 접속되고, 전방측의 짧은 변에는 반출입 모듈(12)에 설치된 로드 로크실(122)이 접속되어 있다. 도면 중의 부호 G는, 반출입 모듈(12)과 진공 반송 모듈(13)의 사이, 진공 반송 모듈(13)과 기판 처리 장치(2)의 사이에 각각 개재하는 게이트 밸브를 가리킨다. 이 게이트 밸브(G)는, 서로 접속되는 모듈에 각각 마련되는 웨이퍼(W)의 반출입구를 개폐한다.
기판 반송 기구(15)는, 진공 분위기 중에서 반출입 모듈(12)과 각 기판 처리 장치(2)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행하기 위한 것으로서, 다관절 암으로 이루어지고, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는 기판 보유 지지부(16)를 구비하고 있다. 이 예에서의 기판 처리 장치(2)는, 후술하는 바와 같이 진공 분위기 중에서 복수매 예를 들어 4매의 웨이퍼(W)에 대하여 일괄적으로 가스 처리를 행하는 것이다. 이 때문에, 기판 처리 장치(2)에 일괄해서 4매의 웨이퍼(W)를 전달하도록, 기판 반송 기구(15)의 기판 보유 지지부(16)는 예를 들어 4매의 웨이퍼(W)를 보유 지지할 수 있도록 구성되어 있다.
기판 보유 지지부(16)는, 제1 기판 보유 지지부(161), 제2 기판 보유 지지부(162) 및 접속부(163)를 구비하고 있다. 제1 기판 보유 지지부(161) 및 제2 기판 보유 지지부(162)는, 서로 병행해서 수평하게 신장되는 2개의 가늘고 긴 스패출러 형상으로 구성되어 있다. 접속부(163)는, 제1, 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 신장 방향에 대하여 직교하도록 수평 방향으로 신장되어, 제1, 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 기단을 서로 접속하는 것이다. 접속부(163)의 길이 방향의 중앙부는 다관절 암의 선단부 상에 마련되고, 다관절 암은 수직인 선회 축 주위로 선회한다. 제1 기판 보유 지지부(161), 제2 기판 보유 지지부(162)의 구성에 대해서는 후술한다.
계속해서, 기판 처리 장치(2)에 대해서, 예를 들어 웨이퍼(W)에, 성막 처리의 일종인 플라스마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 처리를 행하는 성막 장치에 적용한 예에 대해서, 도 2, 3을 참조하면서 설명한다. 도 2는, 기판 처리 장치(2)의 구성을 설명하는 종단 측면도, 도 3은 그 분해 사시도이다. 또한, 도 2 내지 4에는, 기판 처리 장치(2) 내의 기기의 배치 관계를 설명하기 위한 부 좌표(X'-Y'-Z' 좌표)를 병기하고 있다. 부 좌표는, 진공 반송 모듈(13)과 접속되는 위치를 전방측으로 하고, X' 방향을 전후 방향, Y' 방향을 좌우 방향으로 해서 설명한다.
6개의 기판 처리 장치(2)는 서로 마찬가지로 구성되어, 기판 처리 장치(2) 사이에서 서로 병행하여 웨이퍼(W)의 처리를 행할 수 있다. 기판 처리 장치(2)는, 평면으로 보아 직사각형의 처리 용기(20)를 구비하고 있다. 처리 용기(20)는, 내부 분위기를 진공 배기하는 것이 가능한 진공 용기로서 구성되어 있다. 도 2, 3 중의 부호 201은, 처리 용기(20)의 천장 부재, 부호 202는 용기 본체를 가리킨다. 용기 본체(202)의 전방측의 측벽에는, 게이트 밸브(G)를 통해서 진공 반송실(14)에 접속되는 2개의 반출입구(21)가, 좌우 방향(도 3 중, Y' 방향)으로 배열되도록 형성되어 있다. 이 반출입구(21)는 게이트 밸브(G)에 의해 개폐된다.
도 3에 도시한 바와 같이, 처리 용기(20)의 내부에는, 각 반출입구(21)로부터 수평 방향으로 연장되어, 웨이퍼(W)의 반송이 행하여지는 제1 반송 공간(T1) 및 제2 반송 공간(T2)이, 서로 인접하는 위치에 마련되어 있다. 또한, 처리 용기(20) 내에서의, 이들 제1, 제2 반송 공간(T1, T2)의 사이에는, 연장 설치 방향(도 3 중, X' 방향)을 따라 중간벽부(203)가 마련되어 있다. 여기에서 말하는 수평 방향이란, 제조 시의 공차 등의 영향으로, 웨이퍼(W)의 반출입 동작에서의 기기끼리의 접촉 등의 영향이 없는 범위에서, 연장 설치 방향으로 약간 기울어져 있는 경우도 포함하는 것이다.
제1 반송 공간(T1)에는, 연장 설치 방향을 따라, 웨이퍼(W)에 대한 성막 처리를 행하기 위한 2개의 처리 공간(S1, S2)이 일렬로 배치되어 있다. 또한, 제2 반송 공간(T2)에도 마찬가지로, 연장 설치 방향을 따라서 2개의 처리 공간(S3, S4)이 일렬로 배치되어 있다. 따라서, 처리 용기(20) 내에는, 상면측에서 보았을 때, 2×2의 행렬상으로, 합계 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)이 배치되어 있다.
도 2도 참조하면서 처리 공간(S1 내지 S4)을 포함하는 처리 용기(20)의 내부 구조에 대해서 설명한다. 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)은 서로 마찬가지로 구성되어, 각각, 웨이퍼(W)가 적재되는 적재대(22)와, 이 적재대(22)와 대향해서 배치된 가스 공급부(4)의 사이에 형성된다. 도 2에는, 제1 반송 공간(T1)의 처리 공간(S1, S2)을 도시하고 있다. 이하, 처리 공간(S1)을 예로 들어 설명한다.
적재대(22)는 하부 전극을 겸용하는 것이며, 예를 들어 금속, 혹은 금속 메시 전극을 매립한 질화알루미늄(AlN)으로 이루어지는 편평한 원판상으로 형성된다. 적재대(22)는, 지주(231)에 의해 상기 원판의 중심 위치가 하면측으로부터 지지되어 있다. 지주(231)의 하부측은, 처리 용기(20)의 저면부(27)를 관통해서 하방측으로 돌출되어 있다. 지주(231)는, 후술하는 승강 기구(81)의 작용에 의해, 적재대(22)를 승강시킬 수 있다. 또한, 지주(231)의 기단부에 회전 구동 기구를 마련하여, 연직축 주위로 적재대(22)를 회전 가능하게 구성해도 된다.
도 2에는, 실선으로 처리 위치에 있는 적재대(22)를 그리고, 점선으로 수수 위치에 있는 적재대(22)를 각각 나타내고 있다. 처리 위치란, 후술하는 기판 처리(성막 처리)를 실행할 때의 위치이며, 수수 위치란, 이미 설명한 기판 반송 기구(15)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 행하는 위치이다. 도면 중의 부호 24는 적재대(22)에 각각 매설된 히터를 가리키고, 적재대(22)에 적재된 각 웨이퍼(W)를 60℃ 내지 600℃로 가열한다. 또한 적재대(22)는, 도시하지 않은 정합기를 통해서 접지되어 있다.
또한, 처리 용기(20) 내의 저면에는, 복수개 예를 들어 3개의 수수 핀(25)이 적재대(22)에 대응한 위치에 마련되는 한편, 적재대(22)에는, 이 수수 핀(25)의 통과 영역을 형성하기 위한 관통 구멍(26)이 형성되어 있다. 적재대(22)를 수수 위치로 하강시키면, 수수 핀(25)이 관통 구멍(26)을 통과하여, 수수 핀(25)의 상단이 적재대(22)의 적재면으로부터 돌출된다. 이 수수 핀(25)은, 기판 반송 기구(15)의 제1, 제2 기판 보유 지지부(161, 162)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 수수를 행할 때, 서로 완충되지 않도록, 제1, 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 형상이나 수수 핀(25)의 배치가 설정되어 있다.
여기서, 제1, 제2 기판 보유 지지부(161, 162)에 대해서 설명한다. 제1 기판 보유 지지부(161)는, 제1 반송 공간(T1)에 진입시켰을 때, 제1 반송 공간(T1) 내의 처리 공간(S1, S2)의 각 배치 위치에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)를 보유 지지하도록 구성된다. 제1 반송 공간(T1) 내의 처리 공간(S1, S2)의 각 배치 위치에 대응하는 위치란, 제1 반송 공간(T1)의 처리 공간(S1, S2)에 마련된 2개의 적재대(22)에 웨이퍼(W)를 전달하도록 설정된 위치이다. 또한, 제2 기판 보유 지지부(162)는, 제2 반송 공간(T2)에 진입시켰을 때, 제2 반송 공간(T2) 내의 처리 공간(S3, S4)의 각 배치 위치에 대응하는 위치에 웨이퍼(W)를 보유 지지하도록 구성된다. 제2 반송 공간(T2) 내의 처리 공간(S3, S4)의 각 배치 위치에 대응하는 위치란, 제2 반송 공간(T2)의 처리 공간(S3, S4)에 마련된 2개의 적재대(22)에 웨이퍼(W)를 전달하도록 설정된 위치이다.
예를 들어 제1, 제2 기판 보유 지지부(161, 162)는, 각각의 폭이 웨이퍼(W)의 직경보다도 작게 형성되고, 제1, 제2 기판 보유 지지부(161, 162) 각각에는, 선단측과 기단측에 서로 간격을 두고 웨이퍼(W)의 이면이 지지된다. 또한, 제1, 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 선단측, 기단측에 각각 지지되는 웨이퍼(W)에는, 예를 들어 제1, 제2 기판 보유 지지부(161, 162)에 겹치지 않는 영역이 존재한다. 또한, 제1, 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 선단측에 지지되는 웨이퍼(W)는, 예를 들어 그 중앙부가 제1, 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 선단에 지지된다.
이렇게 해서, 기판 반송 기구(15)와, 수수 핀(25)과, 적재대(22)의 협동 작용에 의해, 기판 반송 기구(15)와 각 처리 공간(S1 내지 S4)의 적재대(22)의 사이에서, 예를 들어 4매의 웨이퍼(W)의 수수가 일괄해서 동시에 행하여지도록 구성되어 있다. 도 2 중의 부호 27은, 처리 용기(20) 내를 기밀하게 유지하면서, 지주(231)를 상하로 이동 가능하게 보유 지지하는 베어링부를 포함하는 저면부를 가리킨다.
또한, 처리 용기(20)의 천장 부재(201)에서의, 적재대(22)의 상방에는, 절연 부재로 이루어지는 가이드 부재(34)를 통해서 상부 전극을 이루는 가스 공급부(4)가 마련되어 있다. 가스 공급부(4)는, 덮개(42)와, 적재대(22)의 적재면과 대향하도록 마련된 대향면을 이루는 샤워 플레이트(43)와, 덮개(42)와 샤워 플레이트(43)의 사이에 형성된 가스의 통류실(44)을 구비하고 있다. 덮개(42)에는, 가스 분배로(51)가 접속됨과 함께, 샤워 플레이트(43)에는, 두께 방향으로 관통하는 가스 토출 구멍(45)이 예를 들어 종횡으로 배열되어, 적재대(22)를 향해서 샤워 형상으로 가스가 토출된다.
각 처리 공간(S1 내지 S4)의 가스 공급부(4)에 접속된 가스 분배로(51)의 상류측은, 공통의 가스 공급로(52)에 합류하여, 가스 공급계(50)에 접속되어 있다. 가스 공급계(50)는, 예를 들어 반응 가스(처리 가스)의 공급원(53), 퍼지 가스의 공급원(54), 처리 용기(20) 내에 퇴적된 막을 제거하는 클리닝 가스의 공급원(55)이나, 배관, 밸브(V1 내지 V3), 유량 조정부(M1 내지 M3) 등을 구비하고 있다.
샤워 플레이트(43)에는, 정합기(40)를 통해서 고주파 전원(41)이 접속되어 있다. 샤워 플레이트(상부 전극)(43)와 적재대(하부 전극)(22)의 사이에 고주파 전력을 인가하면, 용량 결합에 의해, 샤워 플레이트(43)로부터 처리 공간(S1)에 공급된 가스(본 예에서는 반응 가스)를 플라스마화할 수 있다.
각 처리 공간(S1 내지 S4)의 주위에는, 이들 처리 공간(S1 내지 S4)의 둘레 방향을 따라 슬릿 형상으로 개구된 슬릿 배기구(36)를 형성하는 환상의 가이드 부재(34)가 마련되어 있다. 가이드 부재(34)는, 용기 본체(202)에 형성된 오목부(204) 내에 끼워 넣어져, 슬릿 배기구(36)를 통해서 처리 공간(S1 내지 S4)으로부터 배출된 가스를 통류시키는 통류로(35)를 형성한다. 통류로(35)에는, 도시하지 않은 배기구가 형성되고, 당해 배기구에 접속된 도시하지 않은 배기 유로를 통해서 기판 처리 장치(2) 내는 진공 배기된다.
상술한 구성을 구비하는 기판 처리 시스템(1)을 사용하여, 웨이퍼(W)에 대하여 성막 처리를 행하는 동작에 대해서 간단하게 설명해 둔다.
처리 대상의 웨이퍼(W)를 수용한 캐리어(C)가 반출입 포트(11)에 적재되면, 웨이퍼(W)는 반출입 모듈(12)의 반송 기구(120)에 의해 상압 분위기 하에서 수취되어, 로드 로크실(122) 내에 반송된다. 이어서, 로드 로크실(122) 내를 상압 분위기에서 진공 분위기로 전환한 후, 로드 로크실(122) 내의 웨이퍼(W)를 진공 반송 모듈(13)의 기판 반송 기구(15)가 수취하고, 진공 반송실(14)을 통해서 소정의 기판 처리 장치(2)에 반송한다. 이미 설명한 바와 같이, 기판 반송 기구(15)는, 제1 기판 보유 지지부(161) 및 제2 기판 보유 지지부(162)에 각각 2매, 합계 4매의 웨이퍼(W)를 보유 지지한 상태에서 처리 용기(20) 내에 진입한다. 그리고, 제1, 제2 반송 공간(T1, T2)의 각 적재대(22)를 승강시켜서, 이들 4개의 적재대(22)에 동시에 웨이퍼(W)를 전달한다.
이어서, 제1, 제2 기판 보유 지지부(161, 162)를 기판 처리 장치(2)로부터 후퇴시키고, 게이트 밸브(G)를 닫은 후, 각 적재대(22)를 처리 위치로 상승시킴과 함께, 처리 용기(20) 내의 압력 조절, 히터(24)에 의한 웨이퍼(W)의 가열을 실시한다. 그런 뒤, 각 처리 공간(S1 내지 S4)에서 각 가스 공급부(4)로부터 성막용 반응 가스를 공급하고, 각 고주파 전원(41)을 온으로 해서 반응 가스를 플라스마화함으로써 성막 처리를 실행한다.
이때, 반응 가스는, 샤워 플레이트(43)를 통해서 각 처리 공간(S1 내지 S4)의 적재대(22) 상에 배치된 웨이퍼(W)에 대하여 샤워 형상으로 토출된다. 그런 뒤, 반응 가스는, 웨이퍼(W)의 표면을 직경 방향을 향해서 흐른 후, 처리 공간(S1 내지 S4)의 측 주위부에 개구되는 슬릿 배기구(36)를 통해서 통류로(35)에 유입되어, 배기된다. 이때, 유량이나 흐름 방향, 플라스마화의 상태가 서로 정렬된 반응 가스의 흐름이 각 처리 공간(S1 내지 S4) 내에 형성됨으로써, 웨이퍼(W)의 표면에는 서로 막 두께 분포나 막질이 정렬된 막을 성막할 수 있다.
그리고, 소정의 시간이 경과하여 성막이 완료되면, 반응 가스, 고주파 전력의 공급, 웨이퍼(W)의 가열을 정지하고, 처리 용기(20) 내의 압력 조절을 행한 후, 반입 시와는 반대의 수순으로 성막 처리 후의 웨이퍼(W)를 처리 용기(20)로부터 동시에 반출한다.
이상으로 설명한 바와 같이, 다른 처리 공간(S1 내지 S4)에 웨이퍼(W)를 배치하여, 막 두께 분포나 막질이 서로 정렬된 성막 처리를 행하기 위해서는, 각 처리 공간(S1 내지 S4) 내에 형성되는 반응 가스의 흐름이나 플라스마화의 상태가 맞추어져 있는 것이 바람직하다. 처리 공간(S1 내지 S4) 내에 형성되는 반응 가스의 흐름이나 플라스마화 상태는, 샤워 플레이트(43)의 하면과 적재대(22)의 상면의 거리나 평행 정도 등의 영향을 받는다. 또한, 환상으로 형성된 가이드 부재(34)와, 원판상의 적재대(22)의 중심이 정렬되어 있지 않으면, 적재대(22)의 외주 단부 위치로부터, 슬릿 배기구(36)까지의 거리가 균일하게 되지 않아, 반응 가스의 흐름에 치우침이 발생할 우려도 있다.
이 때문에, 각 적재대(22)는, 처리 용기(20) 내의 소정의 위치에 정확하게 배치할 필요가 있다. 그래서, 기판 처리 시스템(1)(기판 처리 장치(2))의 신규 설치 시나, 기판 처리 장치(2)의 분해 메인터넌스 후의 조립 시 등에 있어서는, 적재대(22)의 배치 위치의 조절이 행하여진다. 당해 배치 위치의 조절에 관한 항목으로서는, 지주(231)의 기울기 조절이나, 적재대(22)의 가로 방향의 위치 조절을 예시할 수 있다.
종래, 이러한 위치 조절은, 1개의 적재대(22)에서 몇시간 걸리는 경우도 있었다. 그러나, 예를 들어 도 1에 도시하는 기판 처리 시스템(1)은, 4개의 처리 공간(S1 내지 S4)이 배치된 기판 처리 장치(2)를 6기 구비하여, 합계 24기의 적재대(22)를 구비한다. 이 때문에, 하나의 적재대(22)의 위치 조절에 수시간이나 되는 시간을 들여버리면, 1대의 기판 처리 시스템(1)의 설치, 조립에 많은 시간을 요해버릴 우려가 있다.
이 점에 대해서, 본 예의 기판 처리 장치(2)는, 복수의 적재대(22)의 위치 조절을 비교적 간편하게 실시하기 위한 위치 조절 기구(6)를 구비하고 있다. 이하, 도 2에 더하여, 도 4 내지 7을 참조하면서 위치 조절 기구(6)의 구성에 대해서 설명한다.
본 예의 기판 처리 장치(2)에 있어서, 제1 반송 공간(T1)측의 처리 공간(S1, S2)에 배치되는 2개의 적재대(22)와, 제2 반송 공간(T2)측의 처리 공간(S3, S4)에 배치되는 2개의 적재대(22)는, 서로 거의 공통의 구성의 위치 조절 기구(6)를 구비하고 있다. 도 2에는, 처리 공간(S1, S2)측의 위치 조절 기구(6)의 구성예를 도시하고 있다. 단, 도시의 편의상, 도 2에서는, 후술하는 간극 높이 조절부(71), 가로 위치 조절부(73)의 배치 위치를 변경하고, 고정 설치부(72)의 기재를 생략하고 있다(정확한 배치 위치에 대해서는 도 4 참조).
도 2에 도시한 바와 같이, 처리 용기(20)의 저면부(27)로부터 하방측을 향해서 돌출되는 각 지주(231)의 하단부는, 공통의 베이스부(62)에 지지되어 있다. 그리고, 각 지주(231)와 베이스부(62)의 사이에, 각각 위치 조절 기구(6)가 마련되어 있다.
베이스부(62)는, 제1 반송 공간(T1)을 따라 가로로 걸쳐진 판상의 부재이며, 당해 베이스부(62)로부터는, 위치 조절 기구(6)를 지지하기 위한 지지 암(621)이, 적재대(22)의 하방 영역을 향해서 가로 방향으로 신장되어 있다. 도 2, 4에 도시하는 바와 같이, 베이스부(62)는, 이미 설명한 처리 위치와 수수 위치의 사이에서, 처리 공간(S1, S2)의 양쪽 적재대(22)를 동시에 승강시키기 위한 승강 기구(81)에 접속되어 있다.
승강 기구(81)는, 구동부(811)에 접속되고, 상하 방향으로 신축하는 신축 로드(812)와, 신축 로드(812)의 신축 방향을 따라서 배치된 가이드판(814)을 구비한다. 베이스부(62)는, 연결체(815)를 통해서 신축 로드(812)에 접속되어, 신축 로드(812)의 신축 동작에 따라 승강한다. 또한, 가이드판(814)에는, 신축 로드(812)의 양옆 위치에, 신축 로드(812)의 신축 방향을 따라서 신장되는 2개의 가이드 레일(813)이 배치되어 있다. 베이스부(62)측에는 당해 가이드 레일(813)과 끼워 맞추는 오목부를 구비한 슬라이더(622)가 고정되어, 가이드 레일(813)을 따라 슬라이더(622)를 이동시킴으로써, 안정적으로 베이스부(62)를 승강시킬 수 있다.
이어서, 위치 조절 기구(6)의 상세한 구성에 대해서 설명한다. 위치 조절 기구(6)는, 베이스부(62)에 고정 배치된 고정 플레이트(고정 부재)(612)와, 지주(231)의 하단부에 고정된 상태에서 고정 플레이트(612)의 상방에 배치된 위치 조절 플레이트(위치 조절 부재)(611)를 구비한다. 또한 위치 조절 기구(6)에는, 고정 플레이트(612)와 위치 조절 플레이트(611)의 상대적인 위치 관계를 조절하기 위한 복수의 간극 높이 조절부(71) 및 가로 위치 조절부(73)가 마련되어 있다. 또한 1개의 위치 조절 기구(6)의 미리 정해진 위치에는 고정 설치부(72)가 마련되어 있다.
도 5의 확대 종단 측면도에 도시하는 바와 같이, 고정 플레이트(612)는, 예를 들어 상면이 평탄한 판상의 부재이며, 베이스부(62)측에 마련된 이미 설명한 지지 암(621)에 의해 하면측으로부터 지지되어 있다. 또한, 위치 조절 플레이트(611)는, 예를 들어 하면이 평탄한 판상의 부재이며, 그 상면에는 지주(231)의 기단부가 고정되어, 지주(231)의 위치 결정이 행하여지고 있다. 도 5에는, 지주(231)의 기단부에 마련된 플랜지부(232)가 고정 나사(233)를 통해서 위치 조절 플레이트(611)에 고정된 예를 도시하고 있다.
여기서, 지주(231)의 기단부에 적재대(22)의 회전 구동 기구를 마련하는 경우 등에는, 회전 모터 등에 접속되어, 지주(231)보다도 소경의 회전 샤프트를, 지주(231)의 하단부면으로부터 하방측을 향해서 돌출시켜도 된다. 위치 조절 플레이트(611), 고정 플레이트(612)측에는 당해 회전 샤프트를 삽입하는 개구부를 마련하여, 이들 개구부에 회전 샤프트를 삽입함과 함께, 위치 조절 플레이트(611)의 상면에 지주(231)의 하단부면을 적재함으로써, 지주(231)의 위치 결정을 행해도 된다.
도 4는, 처리 용기(20)의 하면측에서, 위치 조절 기구(6)를 내려다 본 상태를 도시하는 평면도이다. 도 4에는, 처리 용기(20)나 게이트 밸브(G), 각 적재대(22)의 배치 위치를 파선으로 병기하고 있다. 본 예에서는, 게이트 밸브(G)에서 보아 후방측의 처리 공간(S2, S4)에 대응해서 배치되는 위치 조절 기구(6)는, 3개의 간극 높이 조절부(71)를 사용해서 지주(231)의 기울기 조절을 행한다. 한편, 전방측의 처리 공간(S1, S3)에 배치되는 위치 조절 기구(6)는, 2개의 간극 높이 조절부(71) 및 1개의 고정 설치부(72)를 사용해서 지주(231)의 기울기 조절을 행한다. 또한, 4개의 위치 조절 기구(6)는, 모두 2개의 가로 위치 조절부(73)를 사용해서 적재대(22)의 가로 방향의 위치 조절을 행한다.
예를 들어 도 5에 도시한 바와 같이, 간극 높이 조절부(71)는, 고정 플레이트(612)에 대하여 위치 조절 플레이트(611)를 고정하는 당김 나사(713)와, 위치 조절 플레이트(611)와 고정 플레이트(612)의 근접을 규제하는 누름 나사(711)를 구비하고 있다.
당김 나사(713)의 선단부에는 수나사가 형성되어, 위치 조절 플레이트(611)의 하면측을 향해서 개구되도록 마련된 암나사(611a)와 나사 결합하고 있다. 한편, 당김 나사(713)의 기단부는, 고정 플레이트(612)에 마련된 관통구(612b)를 관통해서 클램프 레버(714)에 접속되어 있다.
또한, 가로 위치 조절부(73)를 사용하여, 고정 플레이트(612)에 대하여 위치 조절 플레이트(611)를 가로 방향으로 이동시킬 수 있도록, 당김 나사(713)의 측 둘레면과 관통구(612b)의 사이에는 간극이 형성되어 있다.
당김 나사(713)와 클램프 레버(714)의 접속 부분은, 고정 플레이트(612)측의 관통구(612b)의 개구 직경보다도 대경의 부재에 의해 구성되어 있다. 따라서, 클램프 레버(714)는, 고정 플레이트(612)를 하면측으로부터 지지함으로써, 고정 플레이트(612)의 상방에 위치 조절 플레이트(611)를 설치하는 지지 부재로 되어 있다. 본 예에서는, 고정 플레이트(612)의 하면과, 지지 부재를 이루는 클램프 레버(714)의 사이에 평 워셔(716)가 배치되어 있다.
상술한 구성에 있어서, 클램프 레버(714)를 사용해서 당김 나사(713)를 회전시켜, 암나사(611a)와의 나사 결합량을 증감시킴으로써, 고정 플레이트(612)의 상면과 위치 조절 플레이트(611)의 하면의 간극의 높이(h)를 변경할 수 있다. 당김 나사(713)와 클램프 레버(714)는, 간극 높이 조절부(71)의 당김 나사부를 구성하고 있다. 또한, 클램프 레버(714)를 사용해서 고정 플레이트(612)를 지지하는 것은 필수가 아니며, 예를 들어 당김 나사(713)의 하단측 영역에 형성된 수나사에 나사 결합하는 너트를 지지 부재로 해도 된다.
누름 나사(711)는, 고정 플레이트(612)에 삽입된 핀(612a)의 헤드부와 누름 나사(711)의 선단면을 맞닿게 함으로써, 고정 플레이트(612)와 위치 조절 플레이트(611)의 근접을 규제하는 역할을 한다. 여기서 나사(711)의 선단면과 접하는 핀(612a)의 헤드부는, 구면상인 것이 바람직하다. 이 구성에 의해, 누름 나사(711)가 핀(612a)과 접하는 위치가 가로 방향으로 어긋났다고 해도, 고정 플레이트(612)와 위치 조절 플레이트(611)의 근접을 규제하는 높이 위치를 일정하게 유지할 수 있다.
고정 부재(715)의 기단부는, 위치 조절 플레이트(611)에 마련된 관통구(611b)를 관통해서 마이크로미터 헤드(712)에 접속되어 있다. 누름 나사(711)와 마이크로미터 헤드(712)는 간극 높이 조절부(71)의 누름 나사부를 구성하고 있다. 위치 조절 플레이트(611)의 상면과 마이크로미터 헤드(712)의 사이에는, 위치 조절 플레이트(611)에 대하여 상기 누름 나사부를 고정하기 위한 고정 부재(715)가 마련되어 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 게이트 밸브(G)에서 보아 후방측의 처리 공간(S2, S4)에 대응해서 배치되는 위치 조절 기구(6)에는, 지주(231)의 주위를 둘레 방향으로 이격되어 둘러싸는 3군데에 간극 높이 조절부(71)가 마련되어 있다. 본 예에서는, 지주(231)를 중심으로 해서, 3개의 간극 높이 조절부(71)가 둘레 방향으로 등각 간격으로 배치되어 있다. 이들 3군데에서 간극 높이(h)의 조절을 행함으로써, 위치 조절 플레이트(611)에 의해 위치 결정되는 지주(231)의 기울기를 동 도면 중의 X' 방향, Y' 방향으로 자유롭게 조절할 수 있다.
한편, 게이트 밸브(G)에서 보아서 전방측의 처리 공간(S1, S3)에 대응해서 배치되는 위치 조절 기구(6)에는, 지주(231)의 주위를 둘레 방향으로 이격되어 둘러싸는 2군데에 이미 설명한 간극 높이 조절부(71)가 마련되어 있다. 한편, 남는 1군데에는 고정 설치부(72)가 배치되어 있다. 본 예에서는 이들 2개의 간극 높이 조절부(71)와, 1개의 고정 설치부(72)에 대해서도, 지주(231)를 중심으로 해서, 서로 둘레 방향으로 등각 간격이 되도록 배치되어 있다.
도 6은 고정 설치부(72)의 구성예를 도시하는 종단 측면도이다. 고정 설치부(72)는, 블록(723)과, 스러스트 와셔(725)와, 컬러(722)와, 고정 볼트(721)를 구비한다. 블록(723)은, 블록용 볼트(724)를 사용해서 위치 조절 플레이트(611)에 밀접하게 끼워 맞추도록 마련되고, 상하 방향을 향해서 관통구(723a)가 형성되어 있다.
스러스트 와셔(725)는, 블록(723)의 상부측 및 하부측에 배치되고, 컬러(722)는, 이들 스러스트 와셔(725) 및 블록(723)의 관통구(723a)를 관통하도록 배치된다. 컬러(722)의 상단부에는 플랜지가 형성되고, 당해 플랜지는 상부측의 스러스트 와셔(725)의 상면에서 걸린다. 한편, 컬러(722)의 하단부는, 고정 플레이트(612)의 상면측에 개구되는 관통구 내에 삽입된 상태에서, 당해 관통구에 형성된 축경부의 상단에서 걸린다. 또한 컬러(722) 및 고정 플레이트(612)측의 관통구에는 헤드를 갖는 고정 볼트(721)가 삽입되어 있다. 이 고정 볼트(721)의 하단에 형성된 수나사에 너트(726)의 암나사를 나사 결합시킴으로써, 고정 플레이트(612)를 하면측으로부터 지지한다.
상술한 구성에 의해, 고정 볼트(721)의 헤드와 너트(726)의 사이에는, 컬러(722), 상부측의 스러스트 와셔(725), 블록(723), 하부측의 스러스트 와셔(725), 고정 플레이트(612)가 서로 체결된 상태로 된다. 그리고, 고정 플레이트(612)와 위치 조절 플레이트(611)의 사이에 스러스트 와셔(725)가 배치됨으로써, 당해 스러스트 와셔(725)의 두께에 대응한 높이(h0)의 간극이 형성된다.
도 6에 도시하는 고정 설치부(72)는, 다른 두께의 스러스트 와셔(725)로 변경하지 않는 한, 고정 플레이트(612)와 위치 조절 플레이트(611)의 간극의 높이(h0)를 변경할 수는 없다. 바꿔 말하면, 고정 설치부(72)에서는, 상기 간극 높이가 h0으로 고정된 상태로 되어 있다.
또한, 가로 위치 조절부(73)를 사용하여, 고정 플레이트(612)에 대하여 위치 조절 플레이트(611)를 가로 방향으로 이동시킬 수 있도록, 컬러(722)의 측 둘레면과 블록(723)의 관통구(723a)의 사이에는 간극이 형성되어 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 예의 기판 처리 장치(2)에서는, 제1, 제2 기판 보유 지지부(161, 162)의 진입 방향(제1, 제2 반송 공간(T1, T2)의 연장 설치 방향)을 따라 복수의 적재대(22)가 1열씩 나란하게 배치되어 있다. 그리고, 각 조의 적재대(22) 중, 가장 반출입구(21)측에 배치된 적재대(22)를 지지하는 지주(231)의 위치 조절 기구(6)에 대하여 고정 설치부(72)가 마련되어 있다.
또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 고정 설치부(72)는, 지주(231)의 주위를 둘레 방향으로 이격되어 둘러싸는 3군데 중, 가장 반출입구(21)측의 위치에 마련되어 있다. 동 도면에 도시하는 예에서는, 평면으로 보았을 때, 반출입구(21)에 가까운 위치에 배치되어 있는 2개의 위치 조절 기구(6)에 대하여 각각, 반출입구(21)로부터 거의 등거리의 위치에 간극 높이 조절부(71), 고정 설치부(72)가 1개씩 배치되어 있다. 이 경우에는, 기판 처리 장치(2)의 측면측으로부터 액세스하기 어려운 위치, 즉, 반출입구(21)에서 보아 처리 용기(20)의 양 측벽으로부터 먼 위치에, 각각 고정 설치부(72)를 배치해도 된다.
상술한 위치 조절 기구(6)에서는, 지주(231)를 중심으로 해서, 2개의 간극 높이 조절부(71)와 1개의 고정 설치부(72)가 둘레 방향으로 등각 간격으로 배치되어 있다. 1군데의 고정 설치부(72)에서 간극 높이가 h0으로 고정되어 있는 경우에도, 나머지 2군데의 간극 높이 조절부(71)에서 h의 조절을 행하는 것이 가능하다. 그 결과, 위치 조절 플레이트(611)에 의해 위치 결정되는 지주(231)의 기울기를 동 도면 중의 X' 방향, Y' 방향으로 자유롭게 조절할 수 있다.
이어서, 적재대(22)의 가로 방향의 위치 조절을 행하기 위한 가로 위치 조절부(73)의 구성예에 대해서 설명한다. 예를 들어 도 2, 7에 도시하는 바와 같이, 가로 위치 조절부(73)는, 고정 플레이트(612)의 측면에 마련되어 있다. 도 7에 도시하는 바와 같이 위치 조절 기구(6)를 평면으로 보았을 때, 지주(231)의 중심으로부터, 서로 교차하는 2 방향(본 예에서는 직교 방향)을 향해서 그은 직선(동 도면 중에 일점쇄선으로 나타낸 x축, y축)과 위치 조절 플레이트(611), 고정 플레이트(612)의 측면이 교차하는 위치에, 각각 가로 위치 조절부(73)가 배치되어 있다. 가로 위치 조절부(73)가 배치되어 있는 위치에서는, 하면측에 배치된 고정 플레이트(612)의 측면보다도, 상면측에 배치된 위치 조절 플레이트(611)의 측면이 내측에 위치하도록, 양 플레이트(612, 611)가 구성되어 있다.
위치 조절 플레이트(611)의 측면에 대향하는 위치에는 보유 지지 부재(734)가 배치되어 있다. 보유 지지 부재(734)는, 그 판면을 위치 조절 플레이트(611)의 측면에 대향하도록 배치된 소판상의 부재이며, 고정 부재(735)에 의해 고정 플레이트(612)의 측면에 고정되어 있다. 보유 지지 부재(734), 고정 부재(735)는, 본 예의 보유 지지부에 상당한다.
보유 지지 부재(734)에는, 위치 조절 플레이트(611)의 위치를 가로 방향으로 이동시키는 것이 가능한 상태에서, 당해 보유 지지 부재(734)에 대하여 위치 조절 플레이트(611)를 설치하는 당김 나사(733)가 보유 지지되어 있다. 또한 보유 지지 부재(734)에는, 보유 지지 부재(734)와 위치 조절 플레이트(611)의 측면의 근접을 규제하는 누름 나사(731)가 보유 지지되어 있다.
당김 나사(733)의 선단부에는 수나사가 형성되어, 위치 조절 플레이트(611)의 측면을 향해서 개구되도록 마련된 암나사와 나사 결합하고 있다. 한편, 당김 나사(733)의 기단부는, 보유 지지 부재(734)를 관통하여, 관통 위치에 마련된 클램프 레버(736)에 의해, 평 워셔(733a)를 통해서 보유 지지 부재(734)에 고정되어 있다. 클램프 레버(736)를 사용하여, 위치 조절 플레이트(611)측의 암나사와 당김 나사(733)의 나사 결합량을 증감시킴으로써, 위치 조절 플레이트(611)를 가로 방향으로 이동시킬 수 있다. 당김 나사(733)나 클램프 레버(736)는, 가로 위치 조절부(73)의 당김 나사부를 구성하고 있다.
누름 나사(731)는, 위치 조절 플레이트(611)의 측면에 그 선단면을 맞닿게 함으로써, 위치 조절 플레이트(611)와 보유 지지 부재(734)의 근접을 규제하고, 위치 조절 플레이트(611)의 가로 방향의 위치 결정을 행한다. 누름 나사(731)의 기단부는, 보유 지지 부재(734)를 관통해서 마이크로미터 헤드(732)에 접속되어 있다. 누름 나사(731)와 마이크로미터 헤드(732)는 가로 위치 조절부(73)의 누름 나사부를 구성하고 있다.
이상으로 설명한 구성을 갖는 위치 조절 기구(6)를 사용해서 적재대(22)의 위치 조절을 행하는 방법의 예에 대해서 설명한다. 기판 처리 장치(2)의 설치를 행할 때, 위치 조절 기구(6)를 통해서 승강 기구(81)에 각 적재대(22)가 설치되고, 임시 위치 결정이 이루어진 상태에서 반송되어 오는 것으로 한다. 당해 기판 처리 장치(2)에 대해서, 고정 설치부(72)가 마련되어 있는 위치 조절 기구(6)에 접속된 적재대(22)로부터 위치 조절을 개시한다. 도 4에 도시하는 예에서는, 반출입구(21)측에 배치되고, 고정 설치부(72)가 마련된 위치 조절 기구(6)를 사용하는 적재대(22)로부터 위치 조절을 개시한다. 이하, 제1 반송 공간(T1)측의 처리 공간(S1, S2)에 배치되는 적재대(22)의 위치 조절을 예로 들어 설명한다.
먼저, 처리 용기(20)의 천장 부재(201)를 개방하고, 2개의 위치 조절 기구(6)에 마련되어 있는 각 간극 높이 조절부(71), 고정 설치부(72)의 상방에 위치하도록, 각 적재대(22)에 3개씩, 합계 6개의 정전 용량 센서(도시하지 않음)를 배치한다. 그런 뒤, 천장 부재(201)를 닫으면, 적재대(22)의 상면과 샤워 플레이트(43)의 하면이 대향한 상태로 되고, 정전 용량 센서는 샤워 플레이트(43)의 하면까지의 거리에 대응하는 신호를 출력할 수 있다.
여기서 도 6을 사용해서 설명한 바와 같이, 처리 공간(S1)측의 위치 조절 기구(6)에는 고정 설치부(72)가 마련되어 있기 때문에, 당해 위치에서는, 고정 플레이트(612)의 상면과 위치 조절 플레이트(611)의 하면의 간극 높이는 미리 h0으로 고정되어 있다. 그래서, 고정 설치부(72)의 상방에 배치된 정전 용량 센서의 출력에 기초하여, 적재대(22)의 상면과 샤워 플레이트(43)의 하면의 사이의 높이 치수가 미리 설정된 값으로 되는 위치까지 적재대(22)를 상승시킨다.
이때, 지주(231)가 기울어져 있을 경우에는, 적재대(22)와 샤워 플레이트(43)의 대향면간 전체에서 상기 높이 치수가 일정하게 되지 않으므로, 남는 2군데에 마련된 가로 위치 조절부(73)를 사용해서 각 위치에서의 간극 높이(h)의 조절을 행한다. 즉, 각 가로 위치 조절부(73)의 상방의 정전 용량 센서의 출력에 기초하여, 상기 높이 치수가 작은 경우에는 위치 조절 기구(6)측의 간극 높이(h)를 작게 하고, 상기 높이 치수가 큰 경우에는 위치 조절 기구(6)측의 간극 높이(h)를 크게 하는 조절을 행한다.
도 5를 참조하면서 설명하면, 간극 높이(h)를 크게 할 경우에는, 클램프 레버(714)에 의해 당김 나사(713)를 돌려서, 어느 정도의 여유를 갖고 위치 조절 플레이트(611)로부터 고정 플레이트(612)를 이격시킨다. 그런 뒤, 마이크로미터 헤드(712)를 사용해서 누름 나사(711)의 선단면을 소정량만큼 강하시킨 후, 클램프 레버(714)를 반대 방향에 돌려서 핀(612a)의 헤드부가 누름 나사(711)의 선단면에 맞닿는 위치까지 고정 플레이트(612)를 상승시킨다. 한편, 간극 높이(h)를 작게 할 경우에는, 마이크로미터 헤드(712)를 사용해서 누름 나사(711)의 선단면을 소정량만큼 상승시킨 후, 클램프 레버(714)를 돌려서 핀(612a)의 헤드부가 누름 나사(711)의 선단면에 맞닿는 위치까지 고정 플레이트(612)를 상승시킨다.
마이크로미터 헤드(712)를 사용해서 고정 플레이트(612)와 위치 조절 플레이트(611)의 근접을 규제하므로, 간극 높이(h)를 정밀하게 조절할 수 있다. 또한, 고정 플레이트(612)의 하면측으로부터 조작을 행하는 당김 나사(713)에는 클램프 레버(714)가 마련되어 있기 때문에, 조작이 용이하다.
이렇게 해서, 2군데에 마련된 간극 높이 조절부(71)의 상방 위치에서의 높이 치수가 미리 설정된 값으로 되면, 적재대(22)-샤워 플레이트(43)간의 대향면간 전체에서 높이 치수가 일정해진다. 지주(231)의 기울기 조절에 의해 고정 설치부(72)측의 높이 치수가 변화한 경우에는, 승강 기구(81)에 의해 적재대(22)를 약간 승강시키는 등의 미세 조정을 행한다.
그런 뒤, 처리 공간(S2)측의 적재대(22)의 위치 조절을 행한다.
2개의 처리 공간(S1, S2)측에 배치되는 적재대(22)는, 공통의 베이스부(62)에 지지되어 있으므로, 2개의 적재대(22)는 동기해서 승강한다. 따라서, 도 2에 도시한 바와 같이 각 적재대(22)를 지지하는 지주(231)의 높이나 적재대(22) 자체의 두께가 서로 마찬가지로 구성되어 있는 경우에는, 양 적재대(22)의 상면은 거의 동일한 높이에 위치하고 있다.
그래서, 처리 공간(S1)측의 고정 설치부(72)의 상방의 위치에서의 상기 높이 치수를 기준으로 해서, 처리 공간(S2)측의 적재대(22)-샤워 플레이트(43)간의 높이 치수의 조절을 행한다. 즉, 처리 공간(S2)측의 위치 조절 기구(6)의 3군데에 마련된 간극 높이 조절부(71)의 상방에 위치하는 정전 용량 센서의 출력에 기초하여, 상기 높이 치수가 미리 설정된 값으로 되도록 각 간극 높이 조절부(71)의 간극 높이(h)를 조절한다.
이상으로 설명한 방법에 의해, 제1 반송 공간(T1)을 따라 일렬로 배열되어서 배치되는 적재대(22)를 지지하는 지주(231)의 기울기를 조절하여, 적재대(22)-샤워 플레이트(43)의 대향면간에서 높이 치수를 일정하게 할 수 있다. 당해 위치 조절이 완료되면, 천장 부재(201)를 개방해서 적재대(22) 상의 정전 용량 센서를 철거한다.
이어서, 가로 위치 조절부(73)를 사용한 가로 방향의 위치 조절 방법의 예에 대해서 설명한다. 우선 적재대(22)를 처리 위치까지 상승시킨 상태에서 천장 부재(201)를 개방하고, 노기스 등을 사용해서 적재대(22)의 측 둘레면과 가이드 부재(34)(슬릿 배기구(36))의 사이의 환상의 간극의 폭 치수의 분포를 측정한다. 이 측정 결과로부터 적재대(22)의 중심과 가이드 부재(34)의 중심의 어긋남양을 구하고, 이 어긋남양을 해소하기 위한, 도 7의 x축, y축 각 방향으로의 위치 조절 플레이트(611)의 이동량을 특정한다.
도 7을 참조하면서 설명하면, 보유 지지 부재(734)로부터 이격되는 방향으로 위치 조절 플레이트(611)를 이동시키는 경우에는, 클램프 레버(736)에 의해 당김 나사(733)를 돌려서, 어느 정도의 여유를 갖고 보유 지지 부재(734)로부터 위치 조절 플레이트(611)의 측면을 이격시킨다. 그런 뒤, 마이크로미터 헤드(732)를 사용해서 누름 나사(731)의 선단면을 소정량만큼 돌출시킨 후, 클램프 레버(736)를 반대 방향으로 돌려서, 당김 나사(733)에 의해 상기 측면이 누름 나사(731)의 선단면에 맞닿는 위치까지 위치 조절 플레이트(611)를 이동시킨다. 한편, 보유 지지 부재(734)에 근접하는 방향으로 위치 조절 플레이트(611)를 이동시키는 경우에는, 마이크로미터 헤드(732)를 사용해서 누름 나사(731)의 선단면을 소정량만큼 후퇴시킨다. 그런 뒤, 클램프 레버(736)에 의해 당김 나사(733)를 돌려서 측면이 당김 나사(733)의 선단면에 맞닿는 위치까지 위치 조절 플레이트(611)를 이동시킨다.
마이크로미터 헤드(732)를 사용해서 위치 조절 플레이트(611)와 보유 지지 부재(734)의 근접을 규제하므로, 위치 조절 플레이트(611)의 가로 방향의 위치를 정밀하게 조절할 수 있다.
여기서 도 5, 6을 사용해서 설명한 바와 같이, 고정 플레이트(612)의 관통구(612b)를 관통하는 당김 나사(713)의 주위나, 블록(723)의 관통구(723a)를 관통하는 컬러(722)의 주위에는 간극이 형성되어 있다. 그리고, 위치 조절 플레이트(611)와 일체로 마련되어 있는 블록(723)의 상부측, 하부측에는, 각각 스러스트 와셔(725)가 마련되어 있다. 이러한 구성에 의해, 위치 조절 플레이트(611)는, 상술한 고정 설치부(72)의 작용에 의해 고정 플레이트(612)에 대하여 상대적으로 가로 방향으로 이동할 수 있다.
또한, 각 가로 위치 조절부(73)에서도, 보유 지지 부재(734)를 당김 나사(733)가 관통하는 위치에는 도시하지 않은 간극이 형성되어 있다. 이 구성에 의해, 한쪽의 가로 위치 조절부(73)를 사용해서 위치 조절 플레이트(611)를 가로 방향으로 이동시켰을 때, 다른 쪽의 가로 위치 조절부(73)에서는, 당김 나사(733)에 대하여 보유 지지 부재(734)가 상대적으로 이동할 수 있다.
이상으로 설명한 방법에 의해, 제2 반송 공간(T2)측의 적재대(22)의 위치 조절도 행함으로써, 공구를 사용하지 않고, 기판 처리 장치(2) 내의 모든 적재대(22)의 위치 조절이 완료된다. 또한, 적재대(22)의 위치 조절의 실시 순서는, 제1, 제2 반송 공간(T1, T2)의 4개의 적재대(22)에 대해서, 지주(231)의 기울기 조절을 순차 실시한 후, 가로 방향의 위치 조절을 실시해도 된다.
위치 조절이 완료되면, 처리 용기(20)의 천장 부재(201)를 설치하고, 각 기판 처리 장치(2)를 진공 반송 모듈(13)에 접속하여, 각종 배관의 접속 등을 행하여, 기판 처리 시스템(1)을 구성한다.
본 개시의 기판 처리 장치(2)에 의하면, 위치 조절 기구(6)를 사용함으로써, 공구를 사용하지 않고 적재대(22)의 위치 조절을 비교적 간편하게 행하는 것이 가능하게 된다. 특히, 공통의 베이스부(62)에 지지된 2개의 적재대(22) 중, 1개의 위치 조절 기구(6)에서는, 고정 설치부(72)에 의해 고정 플레이트(612)와 위치 조절 플레이트(611)의 간극 높이가 h0으로 고정되어 있다. 이 때문에, 당해 고정 설치부(72)가 마련되어 있는 위치를 기준으로 해서, 공통의 베이스부(62)에 지지된 적재대(22)의 위치 조절을 비교적 간편하게 행할 수 있다.
본 개시와의 비교로서 도 4의 처리 공간(S1, S2)(제1 반송 공간(T1))측의 2개의 위치 조절 기구(6)의 모든 위치에 간극 높이 조절부(71)가 마련되어 있을 경우에 대해서 생각한다. 이 경우에는, 적재대(22)와 샤워 플레이트(43)의 사이의 높이 치수는, 승강 기구(81)에 의해 승강하는 베이스부(62)의 배치 높이와, 상기 간극 높이(h)의 2개의 요인에 의해 결정되게 된다.
따라서, 상기 높이 치수를 소정의 값으로 설정함에 있어서 베이스부(62)의 배치 높이와, 간극 높이(h)의 조합 케이스가 다수 생겨서, 어느 조합 케이스를 선택해야 하는지의 판단이 곤란해진다. 그 결과, 각 지주(231)의 기울기의 조절에 시간을 요해버릴 우려가 있다.
한편, 도 4의 처리 공간(S1, S2)측의 2개의 위치 조절 기구(6)에 1개씩 고정 설치부(72)를 마련한 비교 기술에 대해서도 검토한다. 예를 들어 위치 조절 플레이트(611), 지주(231), 적재대(22) 등의 구성 부재를 제조할 때의 공차나, 부재의 왜곡 발생 등에 의해 각 고정 설치부(72)의 상방에서의 상기 높이 치수가 상이해버리는 경우도 있다. 이러한 경우에, 양 위치 조절 기구(6)에 고정 설치부(72)가 마련되어 있으면, 양 위치의 높이 치수를 정렬시키기 위해서는, 두께가 다른 스러스트 와셔(725)를 조달하고, 위치 조절 기구(6)를 분해해서 스러스트 와셔(725)를 교환할 필요가 생겨버린다.
상술한 각 비교 기술에 비해서, 본 개시의 기판 처리 장치(2)는, 적재대(22)의 위치 조절의 유연성을 유지하면서, 간편한 조작으로 정밀한 위치 조절을 행할 수 있다. 단, 공통의 베이스부(62)에 지지된 2개의 위치 조절 기구(6)로부터 주목 범위를 확장하여, 기판 처리 장치(2) 전체를 보았을 때, 당해 기판 처리 장치(2)에는 4개의 위치 조절 기구(6)가 마련되어 있다. 그리고, 그 중 2개의 위치 조절 기구(6)에 고정 설치부(72)가 마련되어 있다(도 4).
또한 본 개시에서는, 위치 조절의 조작을 행하지 않는 고정 설치부(72)가 가장 반출입구(21)측에 배치된 적재대(22)의 위치 조절을 행하기 위한 위치 조절 기구(6)에 마련되어 있다. 또한 지주(231)의 주위를 둘레 방향으로 이격되어 둘러싸는 3군데의 설치 위치 중, 가장 반출입구(21)에 가까운 위치에 고정 설치부(72)가 마련되어 있다.
이때, 예를 들어 도 1에 도시한 바와 같이, 진공 반송 모듈(13)에 복수의 기판 처리 장치(2)가 접속되어 있는 상태에서, 위치 조절 기구(6)를 사용한 위치 조절을 행하는 메인터넌스를 행할 필요가 생겼다고 하자. 이러한 경우에도, 처리 용기(20)의 측벽의 외측측으로부터 가장 액세스하기 어려운 위치에는, 고정 설치부(72)가 배치되어 있다. 이 때문에, 간극 높이(h)의 조절을 행할 가능성이 있는 간극 높이 조절부(71)를 보다 액세스하기 쉬운 위치에 배치하는 것이 가능하게 된다.
또한 도 4에 도시하는 예과 같이, 복수의 적재대(22)가 배치된 2개의 열이 마련되어 있을 경우에는, 이들 열이 인접하는 위치(반출입구(21)에서 보아 중앙측)에 각각 고정 설치부(72)를 배치해도 된다. 이 경우에도, 반출입구(21)에서 보아 양 측벽측이며, 외측측으로부터 액세스하기 쉬운 위치에 간극 높이 조절부(71)를 배치할 수 있다.
상술한 실시 형태의 베리에이션에 대해서 설명해 둔다. 고정 부재, 위치 조절 부재는, 플레이트에 의해 형성되는 경우에 한정되지 않는다. 예를 들어 지주(231)를 지지하는 원판으로부터, 각 간극 높이 조절부(71), 고정 설치부(72), 가로 위치 조절부(73)의 배치 위치를 향해서, 방사상으로 연장되도록, 가늘고 긴 막대 형상의 판 부재를 마련해도 된다.
공통의 베이스부(62)에 지지되고, 위치 조절 기구(6)에 의한 위치 조절이 행하여지는 적재대(22)는, 2개의 예에 한정되지 않고 3개 이상이어도 된다. 또한, 적재대(22)의 왜곡의 보정 등을 고려하여, 지주(231)의 주위를 둘레 방향으로 이격되는 4군데 이상에 간극 높이 조절부(71)를 마련해도 된다(이 경우도 1개의 위치 조절 기구(6)의 1군데에는 고정 설치부(72)가 마련됨). 또한, 간극 높이 조절부(71)를 액세스하기 쉬운 위치에 배치하는 요청이 작은 경우 등에는, 고정 설치부(72)의 배치 위치를 자유롭게 설정해도 된다.
그리고, 공통의 베이스부(62)에 복수의 위치 조절 기구(6)가 마련되어 있을 때, 1개의 위치 조절 기구(6)에만 고정 설치부(72)를 마련하는 것이 필수 요건이라고까지는 할 수 없다. 예를 들어 왜곡이 발생하기 어려운 부재 등을 사용하여, 공통의 베이스부(62)에 마련된 복수의 고정 설치부(72)간의 높이 치수의 상이가 허용 범위 내인 경우 등에는, 이러한 위치 조절 기구(6) 각각에 고정 설치부(72)를 마련해도 된다.
이어서, 예를 들어 기판 처리 장치(2)에 적재대(22)를 설치할 때, 상술한 위치 조절 기구(6)를 사용해서 적재대(22)의 위치 정렬을 행하는 방법의 일례에 대해서, 도 8 내지 11을 참조하면서 설명한다. 도 8, 9에는, 위치 정렬 대상의 대상 적재대로서, 도 1, 2를 사용해서 설명한 처리 공간(S1)에 배치되는 적재대(22)를 선택한 경우의 예를 도시하고 있다.
본 예에서는, 이미 설명한 가로 위치 조절부(73)를 사용하여, 처리 공간(S1) 내의 올바른 위치에 적재대(22)의 중심부를 배치하는 센터링을 행하는 방법에 대해서 설명한다. 또한, 다른 처리 공간(S2 내지 S4)에서도, 이하에 설명하는 예와 마찬가지의 방법에 의해 센터링을 행할 수 있다.
도 8은, 도 2에 기재된 기판 처리 장치(2)에 있어서, 처리 공간(S1)의 주위의 영역을 확대한 종단 측면도이며, 도 9는 당해 영역의 평면도이다.
도 8, 9에 도시하는 예는, 도 2를 사용해서 설명한 천장 부재(201), 샤워 플레이트(43) 및 통류로(35) 형성용 가이드 부재(34)를 설치하기 전의 상태이며, 처리 공간(S1)의 상방의 개구부(440)가 개방된 상태에서 위치 정렬을 행한다.
도 8, 9에 도시하는 바와 같이, 처리 공간(S1)을 향해서, 처리 용기(20)(용기 본체(202)) 내에 삽입된 적재대(22)의 상면측의 중심부에는, 센터링을 행하기 위한 위치 특정용 표시인 타깃 홈(221)이 형성되어 있다. 이하에 설명하는 예에서는, 이 타깃 홈(221)을 촬영한 결과에 기초하여 적재대(22)의 센터링을 실시한다. 그리고, 이 타깃 홈(221)의 촬영을 행하는 촬영부로서, 이미 설명한 기판 반송 기구(15)에 마련된 기판 보유 지지부(161)를 사용해서 반송하는 것이 가능한 카메라 구비 웨이퍼(카메라 구비 기판)(92)를 사용한다. 또한, 도 1 등을 사용해서 설명한 웨이퍼(W)의 반송 예와 마찬가지로, 처리 공간(S2)에 대해서는 기판 보유 지지부(161)를 사용하고, 처리 공간(S3, S4)에 대해서는 기판 보유 지지부(162)를 사용해서 카메라 구비 웨이퍼(92)의 반송을 행할 수 있다.
카메라 구비 웨이퍼(92)는, 웨이퍼(W)와 동일한 사이즈의 원판 형상의 부재의 중심부에 카메라(921)가 마련된 구조를 가지며, 시판품을 이용할 수 있다. 예를 들어 카메라 구비 웨이퍼(92)는, 무선 통신 등을 통해서 화상 처리부를 향해서 촬영 화상을 출력하고, 그 결과가 모니터에 표시된다. 그리고 카메라(921)를 하면측을 향하게 한 상태에서, 카메라 구비 웨이퍼(92)를 적재대(22)의 상방 위치에서 보유 지지함으로써, 적재대(22)의 상면측에 형성된 타깃 홈(221)을 촬영할 수 있다.
여기서 도 11에 도시한 바와 같이, 카메라 구비 웨이퍼(92)의 촬상 범위 내에는, 타깃 홈(221)의 배치 위치를 정렬시키기 위한 목표 위치가 되는 조준(922)이 설정되어 있다. 그래서, 미리 설정된 위치에 카메라 구비 웨이퍼(92)를 보유 지지하고, 당해 조준(922)에 대하여 타깃 홈(221)의 위치를 정렬시키면, 적재대(22)의 센터링을 실시할 수 있다. 이와 같이, 미리 설정된 위치에 카메라 구비 웨이퍼(92)를 보유 지지하는 방법으로서, 본 예에서는 보유 지지 지그(91)를 사용한다.
도 8, 9에 도시하는 바와 같이, 처리 용기(20)(용기 본체(202))에는, 적재대(22)의 센터링을 행하기 위한 미리 설정된 위치에 카메라 구비 웨이퍼(92)를 보유 지지하는 보유 지지 지그(91)가 배치된다.
도 10의 외관 사시도에 도시하는 바와 같이, 보유 지지 지그(91)는, 반환 형상이 부재로 이루어지는 본체부(911)와, 측면으로 보았을 때, 당해 본체부(911)의 하면측 내주부로부터 내측을 향해서 L자상으로 돌출되도록 마련되고, 카메라 구비 웨이퍼(92)의 주연부를 하면측으로부터 보유 지지하는 부재인 복수의 웨이퍼 포켓(912)을 구비한다.
도 8, 9에 도시하는 바와 같이, 예를 들어 보유 지지 지그(91)는, 각 웨이퍼 포켓(912)이 처리 공간(S1) 내를 향해서 삽입된 상태가 되도록, 당해 처리 공간(S1)의 상방측 주연 영역에 설치된다. 본 예에서는, 본체 용기(202)에 형성되어 있는, 가이드 부재(34)가 배치되기 전의 이미 설명한 오목부(204)의 저면에 의해, 보유 지지 지그(91)의 본체부(911)를 하면측으로부터 지지한다. 도 9에 도시하는 바와 같이, 이때 당해 오목부(204)의 소정의 위치에 마련된 위치 정렬용 돌기부(204a)가, 상기 본체부(911)의 소정의 위치에 형성된 노치(913) 내에 삽입되도록 보유 지지 지그(91)를 설치함으로써, 보유 지지 지그(91)가 위치 결정된다(보유 지지 지그(91)를 설치하는 공정).
그리고, 반송 위치가 미리 티칭된 기판 반송 기구(15)를 사용하여, 상기 센터링을 행하기 위한 미리 설정된 위치에 카메라(921)가 배치되도록 카메라 구비 웨이퍼(92)를 반송한다. 그리고, 보유 지지 지그(91)에 대하여 카메라 구비 웨이퍼(92)를 전달하고, 웨이퍼 포켓(912)으로, 당해 카메라 구비 웨이퍼(92)의 주연부를 하면측으로부터 지지함으로써, 카메라 구비 웨이퍼(92)가 상기 미리 설정된 위치에 보유 지지된다.
이때 도 10에 도시하는 바와 같이, 반환 형상의 본체부(911)에는, 카메라 구비 웨이퍼(92)를 보유 지지한 기판 보유 지지부(161)의 이동 경로에 대응하는 영역에 절결부(910)가 형성되어 있다. 이 구성에 의해, 기판 보유 지지부(161)와 보유 지지 지그(91)의 사이의 간섭을 피해서 카메라 구비 웨이퍼(92)의 수수를 행할 수 있다(보유 지지 지그(91)에 카메라 구비 웨이퍼(92)를 보유 지지시키는 공정).
이어서, 기판 보유 지지부(161)를 처리 공간(S1)으로부터 퇴피시킨 후, 카메라(921)에 의해 적재대(22)의 상면을 촬영한다(타깃 홈(221)을 촬영하는 공정). 보유 지지 지그(91)에 의해 카메라 구비 웨이퍼(92)가 미리 설정된 위치에 보유 지지되고, 또한 적재대(22)를 지지하는 지주(231)에 대해서도 용기 본체(202)의 저면부(27)에 형성된 개구부(271) 내에 삽입되어, 대략의 위치 결정이 이루어져 있다. 그 결과, 적재대(22)의 상면에 형성된 타깃 홈(221)은, 통상 카메라(921)의 촬상 범위 내에 위치하고 있다.
또한, 각 지주(231)의 주위에는, 저면부(27)에 형성된 개구부(271)를 통해서 각 처리 공간(S1 내지 S4) 내에 외기가 진입하는 것을 방지하기 위해서, 당해 개구부(271)를 포함하는 지주(231)의 주위의 공간을 기밀하게 덮는 도시하지 않은 벨로우즈가 마련되어 있다.
그리고 도 11에 도시한 바와 같이, 촬영된 화상 내에 찍히는 타깃 홈(221)이, 당해 촬상 범위 내에 설정된 조준(922)과 정렬되도록, 당해 적재대(22)에 마련된 이미 설명한 위치 조절 기구(6)의 가로 위치 조절부(73)를 사용하여, 센터링을 실시한다(적재대(22)의 가로 방향의 위치 정렬을 행하는 공정).
이렇게 해서 처리 공간(S1)에 대해서 적재대(22)의 센터링이 완료되면, 보유 지지 지그(91)의 설치 위치를, 다른 처리 공간(S3 내지 S4)으로 순차 변경하여, 상술한 예와 마찬가지의 수순으로 다른 적재대(22)의 센터링을 행한다.
상술한 방법에 의하면, 예를 들어 적재대(22)의 외주측면과, 처리 공간(S1)을 형성하는 용기 본체(202)의 내주측면의 사이에, 위치 조절용 지그를 배치해서 센터링을 행하는 경우와 비교하여, 위치 조절용 지그를 제거할 때의 위치 어긋남 발생의 우려가 없다. 또한, 카메라(921)를 사용해서 얻어진 촬영 화상을 사용해서 센터링을 행하므로, 화소수 등에 기초해서 위치 정렬의 정밀도 등을 수치 관리할 수도 있다.
또한, 타깃 홈(221)의 촬영을 행하는 촬영부의 구성은, 도 8, 9에 도시하는 카메라 구비 웨이퍼(92)를 사용하는 경우에 한정되지 않는다. 미리 설정된 위치에 CCD(Charge Coupled Device) 카메라를 보유 지지하는 것이 가능한 보유 지지 지그(91)를 사용하여, 적재대(22)의 센터링을 행해도 된다.
또한 상술한 적재대(22)의 센터링 방법에 관해서, 미리 티칭된 기판 반송 기구(15)를 사용하여, 보유 지지 지그(91)의 소정의 위치에 카메라 구비 웨이퍼(92)를 보유 지지시키는 방법과는 다른 방법을 사용해서 센터링을 행해도 된다. 예를 들어, 보유 지지 지그(91)의 웨이퍼 포켓(912)측에 안내 홈 등을 마련하고, 상기 미리 설정된 위치를 향해서 카메라 구비 웨이퍼(92)가 안내되어 보유 지지되는 구성을 채용해도 된다.
또한 이때, 적재대(22)의 센터링 결과를 이용하여, 기판 반송 기구(15)의 티칭의 보정을 행해도 된다.
티칭의 보정 방법으로서는, 예를 들어 적재대(22)의 센터링을 행한 후의 카메라 구비 웨이퍼(92)를 로드 로크실(122)에 반출하여, 로드 로크실(122) 내에 마련되어 있는 웨이퍼(W)의 적재대의 촬영을 행한다. 처리 용기(20)측의 적재대(22)와 마찬가지로, 로드 로크실(122)측의 적재대에도 위치 확인용 마크가 형성되어 있고, 카메라 구비 웨이퍼(92)를 사용해서 당해 마크의 촬영을 행한다. 그리고, 센터링이 행하여진 처리 용기(20)측의 적재대(22)의 타깃 홈(221)의 촬영 결과와, 로드 로크실(122)측의 마크의 촬영 결과의 비교를 행한다. 이 비교 결과에 기초하여, 기판 반송 기구(15)가 로드 로크실(122) 내의 적재대 상의 미리 설정된 위치와, 처리 용기(20)측의 적재대(22) 상의 미리 설정된 위치의 사이에서 정확하게 웨이퍼(W)를 반송할 수 있도록, 기판 반송 기구(15)의 제어 기구에 대하여 티칭 위치의 보정을 행할 수 있다.
이상으로 설명한 각 실시 형태에 따른 기판 처리 장치(2)에서 실시되는 진공 처리는, CVD법에 의한 성막 처리에 한하지 않고, ALD(Atomic Layer Deposition)법에 의한 성막 처리나, 에칭 처리이어도 된다. ALD법에 의한 성막 처리는, 웨이퍼(W)에 원료 가스를 흡착시키는 스텝과, 웨이퍼(W)에 흡착된 원료 가스와 반응 가스를 반응시켜서 반응 생성물을 생성하는 스텝을 복수회 반복해서 반응 생성물을 적층하는 성막 처리이다. 또한, 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 진공 반송실(14)에 접속되는 기판 처리 장치(2)는 1개이어도 된다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
W: 웨이퍼
2: 기판 처리 장치
20: 처리 용기
22: 적재대
231: 지주
6: 위치 조절 기구
611: 위치 조절 플레이트
612: 고정 플레이트
62: 베이스부
71: 간극 높이 조절부
72: 고정 설치부
2: 기판 처리 장치
20: 처리 용기
22: 적재대
231: 지주
6: 위치 조절 기구
611: 위치 조절 플레이트
612: 고정 플레이트
62: 베이스부
71: 간극 높이 조절부
72: 고정 설치부
Claims (14)
- 기판에 처리 가스를 공급해서 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서,
처리 용기 내에 배치되어, 처리 대상의 기판이 각각 적재되는 복수의 적재대와,
각각, 상기 복수의 적재대를 하면측으로부터 지지하고, 상기 처리 용기의 저면을 관통해서 하방측으로 돌출되는 복수의 지주와,
상기 복수의 지주를 기단측으로부터 지지하는 공통의 베이스부와,
상기 베이스부와 각 지주의 기단의 사이에 마련되고, 상기 베이스부측에 고정된 고정 부재와, 상기 고정 부재의 상방에 배치됨과 함께, 상기 지주의 기단부를 위치 결정하고, 당해 지주에 지지되어 있는 적재대의 위치를 조절하기 위한 위치 조절 부재와, 상기 지주의 주위를 둘레 방향으로 둘러싸는 적어도 3군데에 각각 마련되고, 상기 고정 부재와 위치 조절 부재의 간극의 높이를 조절 가능한 상태에서, 당해 위치 조절 부재를 고정 부재에 대하여 설치하는 복수의 간극 높이 조절부를 갖는 복수의 위치 조절 기구를 구비하고,
상기 복수의 위치 조절 기구의 적어도 하나의 위치 조절 기구는, 상기 적어도 3군데 중 1군데에서, 상기 간극 높이 조절부 대신에, 상기 간극의 높이를 고정한 상태에서 위치 조절 부재를 고정 부재에 대하여 설치하는 고정 설치부가 마련되어 있는, 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서, 상기 간극 높이 조절부는, 상기 간극 높이를 변경 가능한 상태에서, 상기 고정 부재에 대하여 위치 조절 부재를 설치하는 당김 나사부와, 상기 고정 부재와 위치 조절 부재의 근접을 규제하는 누름 나사부를 구비한, 기판 처리 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 간극 높이 조절부의 누름 나사부는, 마이크로미터 헤드를 구비하는, 기판 처리 장치.
- 제2항에 있어서, 상기 간극 높이 조절부의 당김 나사부는, 클램프 레버를 구비하는, 기판 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 위치 조절 기구는, 평면으로 보았을 때, 서로 교차하는 2 방향을 향해서, 상기 고정 부재에 대한 상기 위치 조절 부재의 설치 위치를 가로 방향으로 이동시키는 복수의 가로 위치 조절부를 구비하는, 기판 처리 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 가로 위치 조절부는, 상기 고정 부재에 고정되고, 상기 위치 조절 부재의 측면에 대향하는 위치에 배치된 보유 지지 부재를 구비하는 보유 지지부와, 상기 보유 지지 부재에 보유 지지되고, 상기 위치 조절 부재의 위치를 가로 방향으로 이동시키는 것이 가능한 상태에서, 당해 보유 지지 부재에 대하여 위치 조절 부재를 설치하는 당김 나사부와, 상기 보유 지지 부재와 위치 조절 부재의 측면의 근접을 규제하는 누름 나사부를 구비한, 기판 처리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 가로 위치 조절부의 누름 나사부는, 마이크로미터 헤드를 구비하는, 기판 처리 장치.
- 제6항에 있어서, 상기 가로 위치 조절부의 당김 나사부는, 클램프 레버를 구비하는, 기판 처리 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스부는, 상기 복수의 지주에 지지된 각 적재대를 승강시키기 위한 공통의 승강 기구에 접속되어 있는, 기판 처리 장치.
- 기판 반송실과, 당해 기판 반송실 내에 배치되고, 기판의 반송을 행하기 위한 기판 보유 지지부가 마련된 기판 반송 기구를 구비한 기판 반송 모듈과,
상기 진공 반송실에 접속된 반출입구를 통해서 상기 기판 보유 지지부를 진입시킴으로써, 상기 기판 반송실과 처리 용기 내의 사이의 기판의 반송이 행하여지는 제1항에 기재된 기판 처리 장치를 구비하고,
상기 복수의 지주를 통해서 공통의 베이스부에 지지된 복수의 적재대는, 상기 반출입구로부터, 상기 기판 보유 지지부의 진입 방향을 따라서 일렬로 나란하게 배치되어 있는 것과,
상기 고정 설치부는, 일렬로 나란하게 배치된 복수의 상기 적재대 중, 가장 상기 반출입구측에 배치된 적재대를 지지하는 지주의 위치 조절 기구에 마련되어 있는 것을 포함하는 기판 처리 시스템. - 제10항에 있어서, 상기 고정 설치부는, 상기 가장 반출입구측에 배치된 적재대를 지지하는 지주의 주위를 둘레 방향으로 둘러싸는 적어도 3군데 중, 가장 상기 반출입구측의 위치에 마련되어 있는, 기판 처리 시스템.
- 기판 처리 장치에 마련되고, 처리 대상의 기판이 적재되는 적재대를 위치 정렬하는 방법에 있어서,
제5항에 기재된 기판 처리 장치에 마련된 상기 복수의 적재대에서 선택한 위치 정렬 대상의 적재대인 대상 적재대의 상방의 미리 설정된 위치에, 당해 대상 적재대의 상면에 마련된 위치 특정용 표시를 촬영하는 촬영부를 보유 지지하기 위해서, 상기 처리 용기에 보유 지지 지그를 설치하는 공정과,
상기 처리 용기에 설치된 상기 보유 지지 지그에 상기 촬영부를 보유 지지시키는 공정과,
상기 보유 지지 지그에 의해 상기 미리 설정된 위치에 보유 지지된 촬영부에 의해, 상기 대상 적재대의 위치 특정용 표시를 촬영하는 공정과,
상기 촬영하는 공정에 의해 촬영된 상기 위치 특정용 표시가, 상기 촬영부의 촬상 범위 내에 설정된 목표 위치와 정렬되도록, 상기 대상 적재대에 대하여 마련된 상기 위치 조절 기구의 상기 가로 위치 조절부를 사용하여, 당해 대상 적재대의 가로 방향의 위치 정렬을 행하는 공정을 갖는, 방법. - 제12항에 있어서, 상기 촬영부는, 상기 적재대에 대하여 처리 대상의 기판을 반송하는 기판 반송 기구에 마련된 기판 보유 지지부에 의해 반송하는 것이 가능한 카메라 구비한 기판인, 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 보유 지지 지그에 촬영부를 보유 지지시키는 공정에서, 상기 카메라 구비 기판을 보유 지지한 상기 기판 보유 지지부를, 상기 처리 용기에 진입시킬 때의 상기 기판 보유 지지부와의 간섭을 피하기 위해서, 당해 보유 지지 지그에는, 상기 카메라 구비 기판을 보유 지지한 기판 보유 지지부의 이동 경로에 대응하는 영역에 절결부가 형성되어 있는, 방법.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019034320 | 2019-02-27 | ||
JPJP-P-2019-034320 | 2019-02-27 | ||
JP2019130348A JP2020141118A (ja) | 2019-02-27 | 2019-07-12 | 基板処理装置、基板処理システム及び載置台を位置合わせする方法 |
JPJP-P-2019-130348 | 2019-07-12 | ||
PCT/JP2020/005865 WO2020175191A1 (ja) | 2019-02-27 | 2020-02-14 | 基板処理装置、基板処理システム及び載置台を位置合わせする方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20210127747A true KR20210127747A (ko) | 2021-10-22 |
KR102604600B1 KR102604600B1 (ko) | 2023-11-22 |
Family
ID=72280613
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020217029943A KR102604600B1 (ko) | 2019-02-27 | 2020-02-14 | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 적재대를 위치 정렬하는 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2020141118A (ko) |
KR (1) | KR102604600B1 (ko) |
CN (1) | CN113439328B (ko) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10261582A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光装置のウエハ処理ステージ |
JP2002053328A (ja) | 2000-08-04 | 2002-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子成形装置 |
JP2003257958A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理用ボート及び縦型熱処理装置 |
US20080286444A1 (en) * | 2003-07-10 | 2008-11-20 | Applied Materials, Inc. | In Situ Substrate Holder Leveling Method and Apparatus |
JP2009241464A (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Dowa Metaltech Kk | スクリーン印刷装置およびスクリーン版の位置決め方法 |
JP2010087231A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
JP2011161621A (ja) | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Shinko Seimitsu Kanagata Seisakusho:Kk | 研削加工用ツインドレッサー装置等の駆動方法等に関する発明 |
KR101589667B1 (ko) * | 2015-02-02 | 2016-01-29 | 한국기술교육대학교 산학협력단 | 히터블록 레벨 조절장치 |
WO2018207616A1 (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6283692B1 (en) * | 1998-12-01 | 2001-09-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for storing and moving a cassette |
JP2002368066A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP2006120799A (ja) * | 2004-10-20 | 2006-05-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、基板載置台交換方法、及びプログラム |
JP5088284B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2012-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
JP5544697B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5083193B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
US20100326797A1 (en) * | 2009-04-23 | 2010-12-30 | Applied Materials, Inc. | Carrier for transporting solar cell substrates |
JP2011060823A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Nikon Corp | 基板保持装置、露光装置、デバイス製造方法、及び基板保持装置の調整方法 |
JP5482500B2 (ja) * | 2010-06-21 | 2014-05-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6287240B2 (ja) * | 2014-01-17 | 2018-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
KR102019573B1 (ko) * | 2014-10-30 | 2019-09-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 적재대 |
JP2017199735A (ja) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の入れ替えシステム、基板の入れ替え方法及び記憶媒体 |
CN206193392U (zh) * | 2016-11-15 | 2017-05-24 | 惠科股份有限公司 | 一种校正机构 |
CN108465987B (zh) * | 2018-05-22 | 2024-01-30 | 深圳市金洲精工科技股份有限公司 | 一种垂直度调整装置及其操作方法 |
-
2019
- 2019-07-12 JP JP2019130348A patent/JP2020141118A/ja not_active Withdrawn
-
2020
- 2020-02-14 KR KR1020217029943A patent/KR102604600B1/ko active IP Right Grant
- 2020-02-14 CN CN202080014395.4A patent/CN113439328B/zh active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10261582A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Ushio Inc | ウエハ周辺露光装置のウエハ処理ステージ |
JP2002053328A (ja) | 2000-08-04 | 2002-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学素子成形装置 |
JP2003257958A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理用ボート及び縦型熱処理装置 |
US20080286444A1 (en) * | 2003-07-10 | 2008-11-20 | Applied Materials, Inc. | In Situ Substrate Holder Leveling Method and Apparatus |
JP2009241464A (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Dowa Metaltech Kk | スクリーン印刷装置およびスクリーン版の位置決め方法 |
JP2010087231A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置 |
JP2011161621A (ja) | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Shinko Seimitsu Kanagata Seisakusho:Kk | 研削加工用ツインドレッサー装置等の駆動方法等に関する発明 |
KR101589667B1 (ko) * | 2015-02-02 | 2016-01-29 | 한국기술교육대학교 산학협력단 | 히터블록 레벨 조절장치 |
WO2018207616A1 (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102604600B1 (ko) | 2023-11-22 |
CN113439328A (zh) | 2021-09-24 |
CN113439328B (zh) | 2024-04-16 |
JP2020141118A (ja) | 2020-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5650935B2 (ja) | 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法 | |
US6435868B2 (en) | Multi-function chamber for a substrate processing system | |
KR100802526B1 (ko) | 진공처리방법 또는 진공처리장치 | |
US11688619B2 (en) | Vacuum processing apparatus and substrate transfer method | |
KR102471809B1 (ko) | 티칭 방법 | |
JP2020141121A (ja) | アライメント装置、成膜装置、アライメント方法、成膜方法、電子デバイスの製造方法、記録媒体、及びプログラム | |
US20220216073A1 (en) | Processing module and processing method | |
KR20210004847A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판의 전달 방법 | |
CN114695218A (zh) | 输送装置 | |
KR20210004839A (ko) | 적재대, 기판 처리 장치 및 적재대의 조립 방법 | |
KR20180070386A (ko) | 기판처리시스템의 기판위치보정방법 및 그를 이용한 기판처리방법 | |
JP2024097910A (ja) | 真空処理装置、及び真空処理装置の制御方法 | |
JP2012195427A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
WO2020175191A1 (ja) | 基板処理装置、基板処理システム及び載置台を位置合わせする方法 | |
KR20210127747A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 적재대를 위치 정렬하는 방법 | |
JP7188973B2 (ja) | 成膜装置、製造システム、有機elパネルの製造システム、成膜方法、及び有機el素子の製造方法 | |
CN111690895A (zh) | 成膜装置以及成膜系统 | |
CN115995412A (zh) | 基板搬送装置和基板搬送方法 | |
JP5693378B2 (ja) | 移動装置 | |
KR20100105456A (ko) | 기판 열처리 장치 | |
KR20100053469A (ko) | 기판 반송 처리 장치 | |
CN114930515A (zh) | 基板转移方法以及基板转移装置 | |
US11996306B2 (en) | Coupled processing containers, substrate processing system, and substrate processing method | |
US20220148857A1 (en) | Detection device, processing system, and transfer method | |
KR20110016642A (ko) | 기판처리장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right |