JP2020141118A - 基板処理装置、基板処理システム及び載置台を位置合わせする方法 - Google Patents

基板処理装置、基板処理システム及び載置台を位置合わせする方法 Download PDF

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Abstract

【課題】比較的簡便に載置台の位置調節を行うことが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、処理対象の基板が各々載置される複数の載置台と、各載置台を下面側から支持する複数の支柱と、複数の支柱を基端側から支持する共通の基台部を備える。位置調節機構は、基台部と各支柱との間に設けられ、基台部側の固定部材と、その上方に配置され、支柱の基端部を位置決めして載置台の位置を調節するための位置調節部材と、支柱の周囲を囲む少なくとも３箇所に各々設けられ、固定部材と位置調節部材との隙間の高さを調節可能な状態で、位置調節部材を固定部材に対して取り付ける複数の隙間高さ調節部と、を有する。複数の位置調節機構の少なくとも１つの位置調節機構は、１箇所にて、前記隙間の高さを固定した状態で位置調節部材を固定部材に対して取り付ける固定取付け部が設けられている。【選択図】図２

Description

本開示は、基板処理装置に関する。
半導体装置の製造工程においては基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に対して各種の処理ガスを供給することにより、成膜やエッチングなどの様々な処理が行われる。この種の基板処理は、処理容器内に載置台を配置し、この載置台上に基板を載置した状態で行われる場合がある。
例えば特許文献１には、溝加工用砥石形成のためのツインドレッサーに設けられた固定台の位置調節技術が記載され、特許文献２には、光学レンズのプレス成型に用いられる金型押さえを水平移動させる技術が記載されている。また、特許文献３には、スクリーン印刷用のスクリーン版の位置決めを行う技術が記載されている。
しかしながら、これらの特許文献には、基板処理に用いられる載置台の位置調節に係る技術は記載されていない。
特開２０１１−１６１６２１号公報 特開２００９−２４１４６４号公報 特開２００２−５３３２８号公報
本開示は、比較的簡便に載置台の位置調節を行うことが可能な基板処理装置を提供する。
本開示の基板処理装置は、基板に処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置において、
処理容器内に配置され、処理対象の基板が各々載置される複数の載置台と、
各々、前記複数の載置台を下面側から支持し、前記処理容器の底面を貫通して下方側に突出する複数の支柱と、
前記複数の支柱を基端側から支持する共通の基台部と、
前記基台部と各支柱の基端との間に設けられ、前記基台部側に固定された固定部材と、前記固定部材の上方に配置されると共に、前記支柱の基端部を位置決めし、当該支柱に支持されている載置台の位置を調節するための位置調節部材と、前記支柱の周囲を周方向に囲む少なくとも３箇所に各々設けられ、前記固定部材と位置調節部材との隙間の高さを調節可能な状態で、当該位置調節部材を固定部材に対して取り付ける複数の隙間高さ調節部と、を有する複数の位置調節機構と、を備え、
前記複数の位置調節機構の少なくとも１つの位置調節機構は、前記少なくとも３箇所のうちの１箇所にて、前記隙間高さ調節部に替えて、前記隙間の高さを固定した状態で位置調節部材を固定部材に対して取り付ける固定取付け部が設けられている。
本開示によれば、基板処理装置の載置台の位置調節を比較的簡便に行うことが可能となる。
本開示の一実施形態に係る基板処理システムの構成を説明する平面図である。 前記基板処理システムに設けられている基板処理装置の縦断側面図である。 前記基板処理装置の分解斜視図である。 載置台を支持する支柱の下端部の構成を示す平面図である。 前記載置台の位置調節機構の第１の拡大縦断側面図である。 前記位置調節機構の第２の拡大縦断側面図である。 前記位置調節機構の拡大平面図である。 前記載置台のセンタリングに係る縦断側面図である。 前記載置台のセンタリングに係る平面図である。 前記センタリングに用いられる治具の斜視図である。 カメラ付きウエハを用いて撮影した載置台上面の画像である。
本開示に係る基板処理システム１の実施の形態について図１の平面図を参照しながら説明する。この基板処理システム１は、搬入出ポート１１と、搬入出モジュール１２と、真空搬送モジュール（基板搬送モジュール）１３と、基板処理装置２と、を備えている。図１において、Ｘ方向を左右方向、Ｙ方向を前後方向、搬入出ポート１１を前後方向の手前側として説明する。搬入出モジュール１２の手前側には搬入出ポート１１、搬入出モジュール１２の奥側には真空搬送モジュール１３が、夫々互いに前後方向に向けて接続されている。
搬入出ポート１１は、処理対象の基板を収容した搬送容器であるキャリアＣが載置されるものであり、例えば基板は、直径が例えば３００ｍｍの円形基板であるウエハＷよりなる。搬入出モジュール１２は、キャリアＣと真空搬送モジュール１３との間でウエハＷの搬入出を行うためのモジュールである。搬入出モジュール１２は、搬送機構１２０により、常圧雰囲気中でキャリアＣとの間でウエハＷの受け渡しを行う常圧搬送室１２１と、ウエハＷが置かれる雰囲気を常圧雰囲気と真空雰囲気との間で切り替えるロードロック室１２２と、を備えている。
真空搬送モジュール１３は、真空雰囲気が形成された真空搬送室（基板搬送室）１４を備え、この真空搬送室１４の内部には基板搬送機構１５が配置されている。真空搬送室１４は、例えば平面視、前後方向に長辺を有する長方形をなす。真空搬送室１４の４つの側壁のうち、長方形の互いに対向する長辺には、各々、複数例えば３つの基板処理装置２が接続され、手前側の短辺には搬入出モジュール１２に設置されたロードロック室１２２が接続されている。図中Ｇは、搬入出モジュール１２と真空搬送モジュール１３との間、真空搬送モジュール１３と基板処理装置２との間に夫々介在するゲートバルブである。このゲートバルブＧは、互いに接続されるモジュールに各々設けられるウエハＷの搬入出口を開閉する。
基板搬送機構１５は、真空雰囲気中で搬入出モジュール１２と各基板処理装置２との間でウエハＷの搬送を行うためのものであって、多関節アームよりなり、ウエハＷを保持する基板保持部１６を備えている。この例における基板処理装置２は、後述するように真空雰囲気中で複数枚例えば４枚のウエハＷに対して一括でガス処理を行うものである。このため、基板処理装置２に一括して４枚のウエハＷを受け渡すように、基板搬送機構１５の基板保持部１６は例えば４枚のウエハＷを保持できるように構成されている。
基板保持部１６は、第１の基板保持部１６１、第２の基板保持部１６２及び接続部１６３を備えている。第１の基板保持部１６１及び第２の基板保持部１６２は、互いに並行して水平に伸びる２つの細長のへら状に構成されている。接続部１６３は、第１、第２の基板保持部１６１、１６２の伸長方向に対して直交するように水平方向に伸び、第１、第２の基板保持部１６１、１６２の基端を互いに接続するものである。接続部１６３の長さ方向の中央部は多関節アームの先端部上に設けられ、多関節アームは垂直な旋回軸回りに旋回する。第１の基板保持部１６１、第２の基板保持部１６２の構成については後述する。
続いて、基板処理装置２について、例えばウエハＷに、成膜処理の一種であるプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）処理を行なう成膜装置に適用した例について、図２、３を参照しながら説明する。図２は、基板処理装置２の構成を説明する縦断側面図、図３はその分解斜視図である。なお、図２〜４には、基板処理装置２内の機器の配置関係を説明するための副座標（Ｘ’−Ｙ’―Ｚ’座標）を併記してある。副座標は、真空搬送モジュール１３と接続ざれる位置を手前側として、Ｘ’方向を前後方向、Ｙ’方向を左右方向として説明する。
６つの基板処理装置２は互いに同様に構成され、基板処理装置２間で互いに並行してウエハＷの処理を行うことができる。基板処理装置２は、平面視矩形の処理容器２０を備えている。処理容器２０は、内部雰囲気を真空排気することが可能な真空容器として構成されている。図２、３中２０１は、処理容器２０の天井部材、２０２は容器本体である。容器本体２０２の手前側の側壁には、ゲートバルブＧを介して真空搬送室１４に接続される２つの搬入出口２１が、左右方向（図３中、Ｙ’方向）に並ぶように形成されている。この搬入出口２１はゲートバルブＧによって開閉される。
図３に示すように、処理容器２０の内部には、各搬入出口２１から水平方向に延設され、ウエハＷの搬送が行われる第１の搬送空間Ｔ１及び第２の搬送空間Ｔ２が、互いに隣り合う位置に設けられている。また、処理容器２０内における、これら第１、第２の搬送空間Ｔ１、Ｔ２の間には、延設方向（図３中、Ｘ’方向）に沿って中間壁部２０３が設けられている。ここでいう水平方向とは、製造時の公差などの影響で、ウエハＷの搬入出動作における機器同士の接触等の影響がない範囲で、延設方向に僅かに傾いている場合も含むものである。
第１の搬送空間Ｔ１には、延設方向に沿って、ウエハＷに対する成膜処理を行うための２つの処理空間Ｓ１、Ｓ２が１列に配置されている。また、第２の搬送空間Ｔ２にも同様に、延設方向に沿って２つの処理空間Ｓ３、Ｓ４が１列に配置されている。従って、処理容器２０内には、上面側から見たとき、２×２の行列状に、合計４つの処理空間Ｓ１〜Ｓ４が配置されている。
図２も参照しながら処理空間Ｓ１〜Ｓ４を含む処理容器２０の内部構造について説明する。４つの処理空間Ｓ１〜Ｓ４は互いに同様に構成され、各々、ウエハＷが載置される載置台２２と、この載置台２２と対向して配置されたガス供給部４と、の間に形成される。図２には、第１の搬送空間Ｔ１の処理空間Ｓ１、Ｓ２を示している。以下、処理空間Ｓ１を例にして説明する。
載置台２２は下部電極を兼用するものであり、例えば金属もしくは、金属メッシュ電極を埋め込んだ窒化アルミ(ＡｌＮ)からなる扁平な円板状に形成される。載置台２２は支柱２３１によって前記円板の中心位置を下面側から支持されている。支柱２３１の下部側は、処理容器２０の底面部２７を貫通して下方側に突出している。支柱２３１は、後述する昇降機構８１の作用により、載置台２２を昇降させることができる。また、支柱２３１の基端部に回転駆動機構を設け、鉛直軸回りに載置台２２を回転自在に構成してもよい。
図２には、実線にて処理位置にある載置台２２を描き、点線にて受け渡し位置にある載置台２２を夫々示している。処理位置とは、後述する基板処理（成膜処理）を実行するときの位置であり、受け渡し位置とは、既述の基板搬送機構１５との間でウエハＷの受け渡しを行う位置である。図中２４は載置台２２に各々埋設されたヒーターであり、載置台２２に載置された各ウエハＷを６０℃〜６００℃に加熱する。また載置台２２は図示しない整合器を介して接地されている。
さらに、処理容器２０内の底面には、複数本例えば３本の受け渡しピン２５が載置台２２に対応した位置に設けられる一方、載置台２２には、この受け渡しピン２５の通過領域を形成するための貫通孔２６が形成されている。載置台２２を受け渡し位置に下降させると、受け渡しピン２５が貫通孔２６を通過して、受け渡しピン２５の上端が載置台２２の載置面から突出する。この受け渡しピン２５は、基板搬送機構１５の第１、第２の基板保持部１６１、１６２との間でウエハＷの受け渡しを行なうときに、互いに緩衝しないように、第１、第２の基板保持部１６１、１６２の形状や受け渡しピン２５の配置が設定されている。
ここで、第１、第２の基板保持部１６１、１６２について説明する。第１の基板保持部１６１は、第１の搬送空間Ｔ１に進入させたとき、第１の搬送空間Ｔ１内の処理空間Ｓ１、Ｓ２の各配置位置に対応する位置にウエハＷを保持するように構成される。第１の搬送空間Ｔ１内の処理空間Ｓ１、Ｓ２の各配置位置に対応する位置とは、第１の搬送空間Ｔ１の処理空間Ｓ１、Ｓ２に設けられた２つの載置台２２にウエハＷを受け渡すように設定された位置である。また、第２の基板保持部１６２は、第２の搬送空間Ｔ２に進入させたときに、第２の搬送空間Ｔ２内の処理空間Ｓ３、Ｓ４の各配置位置に対応する位置にウエハＷを保持するように構成される。第２の搬送空間Ｔ２内の処理空間Ｓ３、Ｓ４の各配置位置に対応する位置とは、第２の搬送空間Ｔ２の処理空間Ｓ３、Ｓ４に設けられた２つの載置台２２にウエハＷを受け渡すように設定された位置である。
例えば第１、第２の基板保持部１６１、１６２は、夫々の幅がウエハＷの直径よりも小さく形成され、第１、第２の基板保持部１６１、１６２の夫々には、先端側と基端側とに互いに間隔を空けてウエハＷの裏面が支持される。また、第１、第２の基板保持部１６１、１６２の先端側、基端側に各々支持されるウエハＷには、例えば第１、第２の基板保持部１６１、１６２に重ならない領域が存在する。さらに、第１、第２の基板保持部１６１、１６２の先端側に支持されるウエハＷは、例えばその中央部が第１、第２の基板保持部１６１、１６２の先端に支持される。
こうして、基板搬送機構１５と、受け渡しピン２５と、載置台２２との協働作用により、基板搬送機構１５と各処理空間Ｓ１〜Ｓ４の載置台２２との間で、例えば４枚のウエハＷの受け渡しが一括して同時に行われるように構成されている。図２中の２７は、処理容器２０内を気密に保ちつつ、支柱２３１を上下に移動自在に保持する軸受部を含む底面部である。
さらに、処理容器２０の天井部材２０１における、載置台２２の上方には、絶縁部材よりなるガイド部材３４を介して上部電極をなすガス供給部４が設けられている。ガス供給部４は、蓋体４２と、載置台２２の載置面と対向するように設けられた対向面をなすシャワープレート４３と、蓋体４２とシャワープレート４３との間に形成されたガスの通流室４４と、を備えている。蓋体４２には、ガス分配路５１が接続されると共に、シャワープレート４３には、厚さ方向に貫通するガス吐出孔４５が例えば縦横に配列され、載置台２２に向けてシャワー状にガスが吐出される。
各処理空間Ｓ１〜Ｓ４のガス供給部４に接続されたガス分配路５１の上流側は、共通のガス供給路５２に合流して、ガス供給系５０に接続されている。ガス供給系５０は、例えば反応ガス（処理ガス）の供給源５３、パージガスの供給源５４、処理容器２０内に堆積した膜を除去するクリーニングガスの供給源５５や、配管、バルブＶ１〜Ｖ３、流量調整部Ｍ１〜Ｍ３等を備えている。
シャワープレート４３には、整合器４０を介して高周波電源４１が接続されている。シャワープレート（上部電極）４３と載置台（下部電極）２２との間に高周波電力を印加すると、容量結合により、シャワープレート４３から処理空間Ｓ１に供給されたガス（本例では反応ガス）をプラズマ化することができる。
各処理空間Ｓ１〜Ｓ４の周囲には、これらの処理空間Ｓ１〜Ｓ４の周方向に沿ってスリット状に開口したスリット排気口３６を形成する環状のガイド部材３４が設けられている。ガイド部材３４は、容器本体２０２に形成された凹部２０４内に嵌め込まれ、スリット排気口３６を介して処理空間Ｓ１〜Ｓ４から排出されたガスを通流させる通流路３５を形成する。通流路３５には、不図示の排気口が形成され、当該排気口に接続された不図示の排気流路を介して基板処理装置２内は真空排気される。
上述の構成を備える基板処理システム１を用い、ウエハＷに対して成膜処理を行う動作について簡単に説明しておく。
処理対象のウエハＷを収容したキャリアＣが搬入出ポート１１に載置されると、ウエハＷは搬入出モジュール１２における搬送機構１２０により常圧雰囲気下で受け取られ、ロードロック室１２２内に搬送される。次いで、ロードロック室１２２内を常圧雰囲気から真空雰囲気に切り替えた後、ロードロック室１２２内のウエハＷを真空搬送モジュール１３の基板搬送機構１５が受け取り、真空搬送室１４を介して、所定の基板処理装置２に搬送される。既述のように、基板搬送機構１５は、第１の基板保持部１６１及び第２の基板保持部１６２に夫々２枚、合計４枚のウエハＷを保持した状態で処理容器２０内に進入する。そして、第１、第２の搬送空間Ｔ１、Ｔ２の各載置台２２を昇降させて、これら４つの載置台２２に同時にウエハＷを受け渡す。
次いで、第１、第２の基板保持部１６１、１６２を基板処理装置２から後退させ、ゲートバルブＧを閉じた後、各載置台２２を処理位置に上昇させると共に、処理容器２０内の圧力調節、ヒーター２４によるウエハＷを実施する。しかる後、各処理空間Ｓ１〜Ｓ４において各ガス供給部４から成膜用の反応ガスを供給し、各高周波電源４１をオンにして反応ガスをプラズマ化することにより成膜処理を実行する。
このとき、反応ガスはシャワープレート４３を介して各処理空間Ｓ１〜Ｓ４の載置台２２上に配置されたウエハＷに対してシャワー状に吐出される。しかる後、反応ガスは、ウエハＷの表面を径方向へ向けて流れた後、処理空間Ｓ１〜Ｓ４の側周部に開口するスリット排気口３６を介して通流路３５に流れ込み、排気される。このとき、流量や流れ方向、プラズマ化の状態が互いに揃った反応ガスの流れが各処理空間Ｓ１〜Ｓ４内に形成されることにより、ウエハＷの表面には互いに膜厚分布や膜質の揃った膜を成膜することができる。
そして、所定の時間が経過し、成膜が完了したら、反応ガス、高周波電力の供給、ウエハＷの加熱を停止し、処理容器２０内の圧力調節を行った後、搬入時とは反対の手順で成膜処理後のウエハＷを処理容器２０から同時に搬出する。
以上に説明したように、異なる処理空間Ｓ１〜Ｓ４にウエハＷを配置し、膜厚分布や膜質が互いに揃った成膜処理を行うためには、各処理空間Ｓ１〜Ｓ４内に形成される反応ガスの流れやプラズマ化の状態が揃っていることが好ましい。処理空間Ｓ１〜Ｓ４内に形成される反応ガスの流れやプラズマ化状態は、シャワープレート４３の下面と載置台２２の上面との距離や平行度合などの影響を受ける。また、環状に形成されたガイド部材３４と、円板状の載置台２２との中心が揃っていないと、載置台２２の外周端位置から、スリット排気口３６までの距離が一様ではなくなり、反応ガスの流れに偏りが生じるおそれもある。
このため、各載置台２２は、処理容器２０内の所定の位置に正確に配置する必要がある。そこで、基板処理システム１（基板処理装置２）の新規設置時や、基板処理装置２の分解メンテナンス後の組み立て時などにおいては、載置台２２の配置位置の調節が行われる。当該配置位置の調節に係る項目としては、支柱２３１の傾き調節や、載置台２２の横方向の位置調節を例示することができる。
従来、このような位置調節は、１つの載置台２２にて数時間かかる場合もあった。しかしながら、例えば図１に示す基板処理システム１は、４つの処理空間Ｓ１〜Ｓ４が配置された基板処理装置２を６基備え、合計２４の載置台２２を備える。このため、１つの載置台２２の位置調節に数時間もの時間をかけてしまうと、１台の基板処理システム１の設置、組み立てに多大な時間を要してしまうおそれがある。
この点につき、本例の基板処理装置２は、複数の載置台２２の位置調節を比較的簡便に実施するための位置調節機構６を備えている。以下、図２に加え、図４〜７を参照しながら位置調節機構６の構成について説明する。
本例の基板処理装置２において、第１の搬送空間Ｔ１側の処理空間Ｓ１、Ｓ２に配置される２つの載置台２２と、第２の搬送空間Ｔ２側の処理空間Ｓ３、Ｓ４に配置される２つの載置台２２とは、互いにほぼ共通の構成の位置調節機構６を備えている。図２には、処理空間Ｓ１、Ｓ２側の位置調節機構６の構成例を示してある。但し、図示の便宜上、図２においては、後述する隙間高さ調節部７１、横位置調節部７３の配置位置を変更し、固定取付け部７２の記載を省略してある（正確な配置位置については図４参照）。
図２に示すように、処理容器２０の底面部２７から下方側に向けて突出する各支柱２３１の下端部は、共通の基台部６２に支持されている。そして、各支柱２３１と基台部６２との間に、各々、位置調節機構６が設けられている。
基台部６２は、第１の搬送空間Ｔ１に沿って横架された板状の部材であり、当該基台部６２からは、位置調節機構６を支持するための支持アーム６２１が、載置台２２の下方領域へ向けて横方向に伸び出している。図２、４に示すように、基台部６２は、既述の処理位置と受け渡し位置との間で、処理空間Ｓ１、Ｓ２の双方の載置台２２を同時に昇降させるための昇降機構８１に接続されている。
昇降機構８１は、駆動部８１１に接続され、上下方向に伸縮する伸縮ロッド８１２と、伸縮ロッド８１２の伸縮方向に沿って配置されたガイド板８１４とを備える。基台部６２は連結体８１５を介して伸縮ロッド８１２に接続され、伸縮ロッド８１２の伸縮動作に伴って昇降する。また、ガイド板８１４には、伸縮ロッド８１２の両脇の位置に、伸縮ロッド８１２の伸縮方向に沿って伸びる２本のガイドレール８１３が配置されている。基台部６２側には当該ガイドレール８１３と嵌合する凹部を備えたスライダー６２２が固定され、ガイドレール８１３に沿ってスライダー６２２を移動させることにより、安定して基台部６２を昇降させることができる。
次いで、位置調節機構６の詳細な構成について説明する。位置調節機構６は、基台部６２に固定配置された固定プレート（固定部材）６１２と、支柱２３１の下端部に固定された状態で固定プレート６１２の上方に配置された位置調節プレート（位置調節部材）６１１とを備える。また位置調節機構６には、固定プレート６１２と位置調節プレート６１１との相対的な位置関係を調節するための複数の隙間高さ調節部７１、及び横位置調節部７３が設けられている。さらに１つの位置調節機構６の予め決められた位置には固定取付け部７２が設けられている。
図５の拡大縦断側面図に示すように、固定プレート６１２は、例えば上面が平坦な板状の部材であり、基台部６２側に設けられた既述の支持アーム６２１によって下面側から支持されている。また、位置調節プレート６１１は、例えば下面が平坦な板状の部材であり、その上面には支柱２３１の基端部が固定され、支柱２３１の位置決めが行われている。図５には、支柱２３１の基端部に設けられたフランジ部２３２が固定ネジ２３３を介して位置調節プレート６１１に固定された例を示してある。
ここで、支柱２３１の基端部に、載置台２２の回転駆動機構を設ける場合などには、回転モータなどに接続され、支柱２３１よりも小径の回転シャフトを、支柱２３１の下端面から下方側へ向けて突出させてもよい。位置調節プレート６１１、固定プレート６１２側には当該回転シャフトを挿入する開口部を設け、これらの開口部に回転シャフトを挿入すると共に、位置調節プレート６１１の上面に支柱２３１の下端面を載置することにより、支柱２３１の位置決めを行ってもよい。
図４は、処理容器２０の下面側から、位置調節機構６を見下ろした状態を示す平面図である。図４には、処理容器２０やゲートバルブＧ、各載置台２２の配置位置を破線で併記してある。本例では、ゲートバルブＧから見て後方側の処理空間Ｓ２、Ｓ４に対応して配置される位置調節機構６は、３つの隙間高さ調節部７１を用いて支柱２３１の傾き調節を行う。一方で、前方側の処理空間Ｓ１、Ｓ３に配置される位置調節機構６は、２つの隙間高さ調節部７１及び１つの固定取付け部７２を用いて支柱２３１の傾き調節を行う。また、４つの位置調節機構６は、いずれも２つの横位置調節部７３を用いて載置台２２の横方向の位置調節を行う。
例えば隙間高さ調節部７１は、固定プレート６１２に対して位置調節プレート６１１を固定する引きネジ７１３と、位置調節プレート６１１と固定プレート６１２との近接を規制する押しネジ７１１とを備えている。
引きネジ７１３の先端部には雄ネジが切られ、位置調節プレート６１１の下面側へ向けて開口するように設けられた雌ネジ６１１ａと螺合している。一方、引きネジ７１３の基端部は、固定プレート６１２に設けられた貫通口６１２ｂを貫通してクランプレバー７１４に接続されている。
なお、横位置調節部７３を用い、固定プレート６１２に対して位置調節プレート６１１を横方向に移動させることできるように、引きネジ７１３の側周面と貫通口６１２ｂとの間には隙間が形成されている。
引きネジ７１３とクランプレバー７１４との接続部分は、固定プレート６１２側の貫通口６１２ｂの開口径よりも大径の部材により構成されている。従って、クランプレバー７１４は、固定プレート６１２を下面側から支えることにより、固定プレート６１２の上方に位置調節プレート６１１を取り付ける支持部材となっている。本例では、固定プレート６１２の下面と、支持部材を成すクランプレバー７１４との間に平ワッシャー７１６が配置されている。
上述の構成において、クランプレバー７１４を用いて引きネジ７１３を回転させ、雌ネジ６１１ａとの螺合量を増減させることにより、固定プレート６１２の上面と位置調節プレート６１１の下面との隙間の高さｈを変更することができる。引きネジ７１３とクランプレバー７１４とは、隙間高さ調節部７１の引きネジ部を構成している。なお、クランプレバー７１４を用いて固定プレート６１２を支持することは必須ではなく、例えば引きネジ７１３の下端側領域に切られた雄ネジに螺合するナットを支持部材としてもよい。
押しネジ７１１は、固定プレート６１２に挿入されたピン６１２ａの頭部と押しネジ７１１の先端面とを当接させることにより、固定プレート６１２と位置調節プレート６１１との近接を規制する役割を果たす。ここでネジ７１１の先端面と接するピン６１２ａの頭部は、球面状であることが望ましい。この構成により、押しネジ７１１がピン６１２ａと接する位置が横方向にずれたとしても、固定プレート６１２と位置調節プレート６１１との近接を規制する高さ位置を一定に保つことができる。
固定部材７１５の基端部は、位置調節プレート６１１に設けられた貫通口６１１ｂを貫通してマイクロメーターヘッド７１２に接続されている。押しネジ７１１とマイクロメーターヘッド７１２とは隙間高さ調節部７１の押しネジ部を構成している。位置調節プレート６１１の上面とマイクロメーターヘッド７１２との間には、位置調節プレート６１１に対して上記押しネジ部を固定するための固定部材７１５が設けられている。
図４に示すように、ゲートバルブＧから見て後方側の処理空間Ｓ２、Ｓ４に対応して配置される位置調節機構６には、支柱２３１の周囲を周方向に離間して囲む３箇所に隙間高さ調節部７１が設けられている。本例では、支柱２３１を中心として、３つの隙間高さ調節部７１が等角間隔で配置されている。これら３箇所で隙間高さｈの調節を行うことにより、位置調節プレート６１１によって位置決めされる支柱２３１の傾きを同図中のＸ’方向、Ｙ’方向に自由に調節することができる。
一方、ゲートバルブＧから見て前方側の処理空間Ｓ１、Ｓ３に対応して配置される位置調節機構６には、支柱２３１の周囲を周方向に離間して囲む２箇所に既述の隙間高さ調節部７１が設けられている。一方、残る１箇所には固定取付け部７２が配置されている。本例ではこれら２つの隙間高さ調節部７１と、１つの固定取付け部７２についても、支柱２３１を中心として、互いに等角間隔となるように配置されている。
図６は固定取付け部７２の構成例を示す縦断側面図である。固定取付け部７２は、ブロック７２３と、スラストワッシャー７２５と、カラー７２２と、固定ボルト７２１とを備える。ブロック７２３は、ブロック用ボルト７２４を用いて位置調節プレート６１１に密接に嵌合するように設けられ、上下方向に向けて貫通口７２３ａが形成されている。
スラストワッシャー７２５は、ブロック７２３の上部側、及び下部側に配置され、カラー７２２はこれらスラストワッシャー７２５、及びブロック７２３の貫通口７２３ａを貫通するように配置される。カラー７２２の上端部にはフランジが形成され、当該フランジは上部側のスラストワッシャー７２５の上面にて係止される。一方、カラー７２２の下端部は、固定プレート６１２の上面側に開口する貫通口内に挿入された状態にて、当該貫通口に形成された縮径部の上端にて係止される。さらにカラー７２２及び固定プレート６１２側の貫通口にはヘッドを有する固定ボルト７２１が挿入されている。この固定ボルト７２１の下端に形成された雄ネジにナット７２６の雌ネジを螺合させることにより、固定プレート６１２を下面側から支持する。
上述の構成により、固定ボルト７２１のヘッドとナット７２６との間には、カラー７２２、上部側のスラストワッシャー７２５、ブロック７２３、下部側のスラストワッシャー７２５、固定プレート６１２が互いに締結された状態となる。そして、固定プレート６１２と位置調節プレート６１１との間にスラストワッシャー７２５が配置されることにより、当該スラストワッシャー７２５の厚さに対応した高さｈ０の隙間が形成される。
図６に示す固定取付け部７２は、異なる厚さのスラストワッシャー７２５に変更しない限り、固定プレート６１２と位置調節プレート６１１との隙間の高さｈ０を変更することはできない。言い替えると、固定取付け部７２では、前記隙間高さがｈ０に固定された状態となっている。
なお、横位置調節部７３を用い、固定プレート６１２に対して位置調節プレート６１１を横方向に移動させることできるように、カラー７２２の側周面とブロック７２３の貫通口７２３ａとの間には隙間が形成されている。
図４に示すように、本例の基板処理装置２においては、第１、第２の基板保持部１６１、１６２の進入方向（第１、第２の搬送空間Ｔ１、Ｔ２の延設方向）に沿って複数の載置台２２が、１列ずつ並べて配置されている。そして、各組の載置台２２のうち、最も搬入出口２１側に配置された載置台２２を支持する支柱２３１の位置調節機構６に対して固定取付け部７２が設けられている。
さらに、図４に示すように、固定取付け部７２は、支柱２３１の周囲を周方向に離間して囲む３箇所のうち、最も搬入出口２１側の位置に設けられている。同図に示す例では、平面視したとき、搬入出口２１に近い位置に配置されている２つの位置調節機構６に対し、各々、搬入出口２１からほぼ等距離の位置に隙間高さ調節部７１、固定取付け部７２が１つずつ配置されている。この場合には、基板処理装置２の側面側からアクセスしにくい位置、即ち、搬入出口２１から見て処理容器２０の両側壁から遠い位置に、各々固定取付け部７２を配置してもよい。
上述の位置調節機構６では、支柱２３１を中心として、２つの隙間高さ調節部７１と１つの固定取付け部７２とが等角間隔で配置されている。１箇所の固定取付け部７２にて隙間高さがｈ０に固定されている場合であっても、残り２箇所の隙間高さ調節部７１にてｈの調節を行うことが可能である。この結果、位置調節プレート６１１によって位置決めされる支柱２３１の傾きを同図中のＸ’方向、Ｙ’方向に自由に調節することができる。
次いで、載置台２２の横方向の位置調節を行うための横位置調節部７３の構成例について説明する。例えば図２、７に示すように、横位置調節部７３は固定プレート６１２の側面に設けられている。図７に示すように位置調節機構６を平面視したとき、支柱２３１の中心から、互いに交差する２方向（本例では直交方向）へ向けて引いた直線（同図中に一点鎖線で示したｘ軸、ｙ軸）と位置調節プレート６１１、固定プレート６１２の側面とが交差する位置に、各々横位置調節部７３が配置されている。横位置調節部７３が配置されている位置においては、下面側に配置された固定プレート６１２の側面よりも、上面側に配置された位置調節プレート６１１の側面が内側に位置するように、両プレート６１２、６１１が構成されている。
位置調節プレート６１１の側面に対向する位置には保持部材７３４が配置されている。保持部材７３４は、その板面を位置調節プレート６１１の側面に対向するように配置された小板状の部材であり、固定部材７３５によって固定プレート６１２の側面に固定されている。保持部材７３４、固定部材７３５は本例の保持部に相当する。
保持部材７３４には、位置調節プレート６１１の位置を横方向に移動させることが可能な状態で、当該保持部材７３４に対して位置調節プレート６１１を取り付ける引きネジ７３３が保持されている。また保持部材７３４には、保持部材７３４と位置調節プレート６１１の側面との近接を規制する押しネジ７３１が保持されている。
引きネジ７３３の先端部には雄ネジが切られ、位置調節プレート６１１の側面へ向けて開口するように設けられた雌ネジと螺合している。一方、引きネジ７３３の基端部は、保持部材７３４を貫通し、貫通位置に設けられたクランプレバー７３６により、平ワッシャー７３３ａを介して保持部材７３４に固定されている。クランプレバー７３６を用いて、位置調節プレート６１１側の雌ネジと引きネジ７３３との螺合量を増減させることにより、位置調節プレート６１１を横方向に移動させることができる。引きネジ７３３やクランプレバー７３６は、横位置調節部７３の引きネジ部を構成している。
押しネジ７３１は、位置調節プレート６１１の側面にその先端面を当接させることにより、位置調節プレート６１１と保持部材７３４との近接を規制し、位置調節プレート６１１の横方向の位置決めを行う。押しネジ７３１の基端部は、保持部材７３４を貫通してマイクロメーターヘッド７３２に接続されている。押しネジ７３１とマイクロメーターヘッド７３２とは横位置調節部７３の押しネジ部を構成している。
以上に説明した構成を有する位置調節機構６を用いて載置台２２の位置調節を行う手法の例について説明する。基板処理装置２の設置を行う際に、位置調節機構６を介して昇降機構８１に各載置台２２が取り付けられ、仮の位置決めがされた状態にて搬送されてくるとする。当該基板処理装置２について、固定取付け部７２が設けられている位置調節機構６に接続された載置台２２から位置調節を開始する。図４に示す例では、搬入出口２１側に配置され、固定取付け部７２が設けられた位置調節機構６を用いる載置台２２から位置調節を開始する。以下、第１の搬送空間Ｔ１側の処理空間Ｓ１、Ｓ２に配置される載置台２２の位置調節を例に挙げて説明する。
はじめに、処理容器２０の天井部材２０１を開放し、２つの位置調節機構６に設けられている各隙間高さ調節部７１、固定取付け部７２の上方に位置するように、各載置台２２に３つずつ、合計６つの静電容量センサ（不図示）を配置する。しかる後、天井部材２０１を閉じると、載置台２２の上面とシャワープレート４３の下面とが対向した状態となり、静電容量センサはシャワープレート４３の下面までの距離に対応する信号を出力することができる。
ここで図６を用いて説明したように、処理空間Ｓ１側の位置調節機構６には固定取付け部７２が設けられているので、当該位置においては、固定プレート６１２の上面と位置調節プレート６１１の下面との隙間高さは予めｈ０に固定されている。そこで、固定取付け部７２の上方に配置された静電容量センサの出力に基づき、載置台２２の上面とシャワープレート４３の下面との間の高さ寸法が予め設定された値となる位置まで載置台２２を上昇させる。
このとき、支柱２３１が傾いている場合には、載置台２２とシャワープレート４３との対向面間全体で前記高さ寸法が一定とならないので、残る２箇所に設けられた横位置調節部７３を用いて各位置における隙間高さｈの調節を行う。即ち、各横位置調節部７３の上方の静電容量センサの出力に基づき、前記高さ寸法が小さい場合は位置調節機構６側の隙間高さｈを小さくし、前記高さ寸法が大きい場合は位置調節機構６側の隙間高さｈを大きくする調節を行う。
図５を参照しながら説明すると、隙間高さｈを大きくする場合には、クランプレバー７１４により引きネジ７１３を回し、ある程度の余裕を持って位置調節プレート６１１から固定プレート６１２を離間させる。しかる後、マイクロメーターヘッド７１２を用いて押しネジ７１１の先端面を所定量だけ降下させた後、クランプレバー７１４を反対方向に回してピン６１２ａの頭部が押しネジ７１１の先端面に当接する位置まで固定プレート６１２を上昇させる。一方、隙間高さｈを小さくする場合には、マイクロメーターヘッド７１２を用いて押しネジ７１１の先端面を所定量だけ上昇させた後、クランプレバー７１４を回してピン６１２ａの頭部が押しネジ７１１の先端面に当接する位置まで固定プレート６１２を上昇させる。
マイクロメーターヘッド７１２を用いて固定プレート６１２と位置調節プレート６１１との近接を規制するので、隙間高さｈを精密に調節することができる。また、固定プレート６１２の下面側から操作を行う引きネジ７１３にはクランプレバー７１４が設けられているので、操作がしやすい。
こうして、２箇所に設けられた隙間高さ調節部７１の上方位置における高さ寸法が予め設定された値となったら、載置台２２−シャワープレート４３間の対向面間全体で高さ寸法が一定となる。支柱２３１の傾き調節により固定取付け部７２側の高さ寸法が変化した場合には、昇降機構８１により載置台２２を少し昇降させるなどの微調整を行う。
しかる後、処理空間Ｓ２側の載置台２２の位置調節を行う。
２つの処理空間Ｓ１、Ｓ２側に配置される載置台２２は共通の基台部６２に支持されているので、２つの載置台２２は同期して昇降する。従って、図２に示すように各載置台２２を支える支柱２３１の高さや載置台２２自体の厚さが互いに同様に構成されている場合には、両載置台２２の上面はほぼ同じ高さに位置している。
そこで、処理空間Ｓ１側の固定取付け部７２の上方の位置における前記高さ寸法を基準として、処理空間Ｓ２側の載置台２２−シャワープレート４３間の高さ寸法の調節を行う。即ち、処理空間Ｓ２側の位置調節機構６の３箇所に設けられた隙間高さ調節部７１の上方に位置する静電容量センサの出力に基づき、前記高さ寸法が予め設定された値となるように各隙間高さ調節部７１の隙間高さｈを調節する。
以上に説明した手法により、第１の搬送空間Ｔ１に沿って１列に並べられて配置される載置台２２を支持する支柱２３１の傾きを調節し、載置台２２−シャワープレート４３の対向面間で高さ寸法を一定とすることができる。当該位置調節が完了したら、天井部材２０１を開放して載置台２２上の静電容量センサを撤去する。
次いで、横位置調節部７３を用いた横方向の位置調節の手法の例について説明する。初めに載置台２２を処理位置まで上昇させた状態で天井部材２０１を開放し、ノギスなどを用いて載置台２２の側周面とガイド部材３４（スリット排気口３６）との間の環状の隙間の幅寸法の分布を測定する。この測定結果から載置台２２の中心とガイド部材３４の中心とのずれ量を求め、このずれ量を解消するための、図７のｘ軸、ｙ軸各方向への位置調節プレート６１１の移動量を特定する。
図７を参照しながら説明すると、保持部材７３４から離間する方向に位置調節プレート６１１を移動させる場合には、クランプレバー７３６により引きネジ７３３を回し、ある程度の余裕を持って保持部材７３４から位置調節プレート６１１の側面を離間させる。しかる後、マイクロメーターヘッド７３２を用いて押しネジ７３１の先端面を所定量だけ突出させた後、クランプレバー７３６を反対方向に回し、引きネジ７３３により前記側面が押しネジ７３１の先端面に当接する位置まで位置調節プレート６１１を移動させる。一方、保持部材７３４に近接する方向に位置調節プレート６１１を移動させる場合には、マイクロメーターヘッド７３２を用いて押しネジ７３１の先端面を所定量だけ後退させる。しかる後、クランプレバー７３６により引きネジ７３３を回して側面が引きネジ７３３の先端面に当接する位置まで位置調節プレート６１１を移動させる。
マイクロメーターヘッド７３２を用いて位置調節プレート６１１と保持部材７３４との近接を規制するので、位置調節プレート６１１の横方向の位置を精密に調節することができる。
ここで図５、６を用いて説明したように、固定プレート６１２の貫通口６１２ｂを貫通する引きネジ７１３の周囲や、ブロック７２３の貫通口７２３ａを貫通するカラー７２２の周囲には隙間が形成されている。そして、位置調節プレート６１１と一体に設けられているブロック７２３の上部側、下部側には、各々、スラストワッシャー７２５が設けられている。これらの構成により、位置調節プレート６１１は、上述の固定取付け部７２の作用によって固定プレート６１２に対して相対的に横方向に移動することできる。
また、各横位置調節部７３においても、保持部材７３４を引きネジ７３３が貫通する位置には不図示の隙間が形成されている。この構成により、一方の横位置調節部７３を用いて位置調節プレート６１１を横方向に移動させたとき、他方の横位置調節部７３では、引きネジ７３３に対して保持部材７３４が相対的に移動することができる。
以上に説明した手法により、第２の搬送空間Ｔ２側の載置台２２の位置調節も行うことにより、工具を用いることなく、基板処理装置２内の全ての載置台２２の位置調節が完了する。なお、載置台２２の位置調節の実施順序は、第１、第２の搬送空間Ｔ１、Ｔ２の４つの載置台２２について、支柱２３１の傾き調節を順次、実施した後、横方向の位置調節を実施してもよい。
位置調節が完了したら、処理容器２０の天井部材２０１を取り付け、各基板処理装置２を真空搬送モジュール１３に接続し、各種配管の接続などを行い、基板処理システム１を構成する。
本開示の基板処理装置２によれば、位置調節機構６を用いることにより、工具を用いることなく載置台２２の位置調節を比較的簡便に行うことが可能となる。特に、共通の基台部６２に支持された２つの載置台２２のうち、１つの位置調節機構６では、固定取付け部７２によって固定プレート６１２と位置調節プレート６１１との隙間高さがｈ０に固定されている。このため、当該固定取付け部７２が設けられている位置を基準として、共通の基台部６２に支持された載置台２２の位置調節を比較的簡便に行うことができる。
本開示との比較として図４の処理空間Ｓ１、Ｓ２（第１の搬送空間Ｔ１）側の２つの位置調節機構６の全ての位置に隙間高さ調節部７１が設けられている場合について考える。この場合には、載置台２２とシャワープレート４３との間の高さ寸法は、昇降機構８１によって昇降する基台部６２の配置高さと、前記隙間高さｈとの２つの要因によって決定されることとなる。
従って、前記高さ寸法を所定の値に設定するにあたって基台部６２の配置高さと、隙間高さｈとの組み合わせケースが多数生じ、どの組み合わせケースを選択すべきかの判断が困難となる。この結果、各支柱２３１の傾きの調節に時間を要してしまうおそれがある。
一方で、図４の処理空間Ｓ１、Ｓ２側の２つの位置調節機構６に１つずつ固定取付け部７２を設けた比較技術についても検討する。例えば位置調節プレート６１１、支柱２３１、載置台２２などの構成部材を製造する際の公差や、部材の歪みの発生などによって各固定取付け部７２の上方における前記高さ寸法が相違してしまう場合もある。このような場合に、両位置調節機構６に固定取付け部７２が設けられていると、両位置の高さ寸法を揃えるためには、厚さの異なるスラストワッシャー７２５を調達し、位置調節機構６を分解してスラストワッシャー７２５を交換する必要が生じてしまう。
上述の各比較技術と比べ、本開示の基板処理装置２は載置台２２の位置調節の柔軟性を保ちつつ、簡便な操作で精密な位置調節を行うことができる。但し、共通の基台部６２に支持された２つの位置調節機構６から着目範囲を広げ、基板処理装置２全体を見たとき、当該基板処理装置２には４つの位置調節機構６が設けられている。そして、そのうち２つの位置調節機構６に固定取付け部７２が設けられている（図４）。
また本開示では、位置調節の操作を行わない固定取付け部７２が最も搬入出口２１側に配置された載置台２２の位置調節を行うための位置調節機構６に設けられている。さらに支柱２３１の周囲を周方向に離間して囲む３箇所の設置位置のうち、最も搬入出口２１に近い位置に固定取付け部７２が設けられている。
このとき、例えば図１に示すように、真空搬送モジュール１３に複数の基板処理装置２が接続されている状態にて、位置調節機構６を用いた位置調節を行うメンテナンスを行う必要が生じたとする。このような場合であっても、処理容器２０の側壁の外方側から最もアクセスしにくい位置には、固定取付け部７２が配置されている。このため、隙間高さｈの調節を行う可能性がある隙間高さ調節部７１をよりアクセスしやすい位置に配置することが可能となる。
また図４に示す例のように、複数の載置台２２が配置された２つの列が設けられている場合には、これらの列が隣り合う位置（搬入出口２１から見て中央側）に各々固定取付け部７２を配置してもよい。この場合においても、搬入出口２１から見て両側壁側であって、外方側からアクセスしやすい位置に隙間高さ調節部７１を配置することができる。
上述の実施形態のバリエーションについて述べておく。固定部材、位置調節部材は、プレートにより形成される場合に限定されない。例えば支柱２３１を支える円板から、各隙間高さ調節部７１、固定取付け部７２、横位置調節部７３の配置位置へ向けて、放射状に延びるように、細長い棒状の板部材を設けてもよい。
共通の基台部６２に支持され、位置調節機構６による位置調節が行われる載置台２２は、２つの例に限定されず３つ以上であってもよい。また、載置台２２の歪みの補正などを考慮して、支柱２３１の周囲を周方向に離間する４箇所以上に隙間高さ調節部７１を設けてもよい（この場合も１つの位置調節機構６の１箇所には固定取付け部７２が設けられる）。また、隙間高さ調節部７１をアクセスしやすい位置に配置する要請が小さい場合などには、固定取付け部７２の配置位置を自由に設定してもよい。
そして、共通の基台部６２に複数の位置調節機構６が設けられているとき、１つの位置調節機構６にのみ固定取付け部７２を設けることは必須の要件とまでは言えない。例えば歪みの発生しにくい部材などを用い、共通の基台部６２設けられた複数の固定取付け部７２間の高さ寸法の相違が許容範囲内である場合などには、これらの位置調節機構６の各々に固定取付け部７２を設けてもよい。
次に、例えば基板処理装置２に載置台２２を設置する際に、上述の位置調節機構６を用いて載置台２２の位置合わせを行う手法の一例について、図８〜１１を参照しながら説明する。図８、９には、位置合わせ対象の対象載置台として、図１、２を用いて説明した処理空間Ｓ１に配置される載置台２２を選択した場合の例を示している。
本例では、既述の横位置調節部７３を用い、処理空間Ｓ１内の正しい位置に載置台２２の中心部を配置するセンタリングを行う手法について説明する。なお、他の処理空間Ｓ２〜Ｓ４においても、以下に説明する例と同様の手法によりセンタリングを行うことができる。
図８は、図２に記載の基板処理装置２において、処理空間Ｓ１の周囲の領域を拡大した縦断側面図であり、図９は当該領域の平面図である。
図８、９に示す例は、図２を用いて説明した天井部材２０１、シャワープレート４３、及び通流路３５形成用のガイド部材３４を設置する前の状態であり、処理空間Ｓ１の上方の開口部４４０が開放された状態にて位置合わせを行う。
図８、９に示すように、処理空間Ｓ１に向けて、処理容器２０（容器本体２０２）内に挿入された載置台２２の上面側の中心部には、センタリングを行うための位置特定用の目印であるターゲット溝２２１が形成されている。以下に説明する例では、このターゲット溝２２１を撮影した結果に基づいて載置台２２のセンタリングを実施する。そして、このターゲット溝２２１の撮影を行う撮影部として、既述の基板搬送機構１５に設けられた基板保持部１６１を用いて搬送することが可能なカメラ付きウエハ（カメラ付き基板）９２を用いる。なお、図１等を用いて説明したウエハＷの搬送の例と同様、処理空間Ｓ２に対しては基板保持部１６１を用い、処理空間Ｓ３、Ｓ４に対しては基板保持部１６２を用いてカメラ付きウエハ９２の搬送を行うことができる。
カメラ付きウエハ９２は、ウエハＷと同じサイズの円板形状の部材の中心部にカメラ９２１が設けられた構造を有し、市販品を利用することができる。例えばカメラ付きウエハ９２は、無線通信などを介して画像処理部へ向けて撮影画像を出力し、その結果がモニタに表示される。そしてカメラ９２１を下面側に向けた状態で、カメラ付きウエハ９２を載置台２２の上方位置にて保持することにより、載置台２２の上面側に形成されたターゲット溝２２１を撮影することができる。
ここで図１１に示すように、カメラ付きウエハ９２の撮像範囲内には、ターゲット溝２２１の配置位置を揃えるための目標位置となる照準９２２が設定されている。そこで、予め設定された位置にカメラ付きウエハ９２を保持し、当該照準９２２に対してターゲット溝２２１の位置を揃えると、載置台２２のセンタリングを実施することができる。このように、予め設定された位置にカメラ付きウエハ９２を保持する手法として、本例では保持治具９１を用いる。
図８、９に示すように、処理容器２０（容器本体２０２）には、載置台２２のセンタリングを行うための予め設定された位置にカメラ付きウエハ９２を保持する保持治具９１が配置される。
図１０の外観斜視図に示すように、保持治具９１は、半環形状の部材からなる本体部９１１と、側面視したとき、当該本体部９１１の下面側内周部から内側へ向けてＬ字状に突出するように設けられ、カメラ付きウエハ９２の周縁部を下面側から保持する部材である複数のウエハポケット９１２とを備える。
図８、９に示すように、例えば保持治具９１は、各ウエハポケット９１２が処理空間Ｓ１内へ向けて挿入された状態となるように、当該処理空間Ｓ１の上方側周縁領域に設置される。本例では、本体容器２０２に形成されている、ガイド部材３４が配置される前の既述の凹部２０４の底面によって、保持治具９１の本体部９１１を下面側から支持する。図９に示すように、このとき当該凹部２０４の所定の位置に設けられた位置合わせ用の突起部２０４ａが、前記本体部９１１の所定の位置に形成されたノッチ９１３内に挿入されるように保持治具９１を設置することにより、保持治具９１が位置決めされる（保持治具９１を設置する工程）。
そして、搬送位置が予めティーチングされた基板搬送機構１５を用い、前記センタリングを行うための予め設定された位置にカメラ９２１が配置されるようにカメラ付きウエハ９２を搬送する。そして、保持治具９１に対してカメラ付きウエハ９２を受け渡し、ウエハポケット９１２にて、当該カメラ付きウエハ９２の周縁部を下面側から支持することにより、カメラ付きウエハ９２が前記予め設定された位置に保持される。
このとき図１０に示すように、半環形状の本体部９１１には、カメラ付きウエハ９２を保持した基板保持部１６１の移動経路に対応する領域に切り欠き９１０が形成されている。この構成により、基板保持部１６１と保持治具９１との間の干渉を避けてカメラ付きウエハ９２の受け渡しを行うことができる（保持治具９１にカメラ付きウエハ９２を保持させる工程）。
次いで、基板保持部１６１を処理空間Ｓ１から退避させた後、カメラ９２１により載置台２２の上面を撮影する（ターゲット溝２２１を撮影する工程）。保持治具９１によってカメラ付きウエハ９２が予め設定された位置に保持され、また載置台２２を支持する支柱２３１についても容器本体２０２の底面部２７に形成された開口部２７１内に挿入され、おおよその位置決めがなされている。この結果、載置台２２の上面に形成されたターゲット溝２２１は、通常、カメラ９２１の撮像範囲内に位置している。
なお、各支柱２３１の周囲には、底面部２７に形成された開口部２７１を介して各処理空間Ｓ１〜Ｓ４内に外気が進入することを防ぐため、当該開口部２７１を含む支柱２３１の周囲の空間を気密に覆う不図示のベローズが設けられている。
そして図１１に示すように、撮影された画像内に写るターゲット溝２２１が、当該撮像範囲内に設定された照準９２２と揃うように、当該載置台２２に設けられた既述の位置調節機構６の横位置調節部７３を用いて、センタリングを実施する（載置台２２の横方向の位置合わせを行う工程）。
こうして処理空間Ｓ１について載置台２２のセンタリングが完了したら、保持治具９１の設置位置を、他の処理空間Ｓ３〜Ｓ４に順次、変更し、上述の例と同様の手順にて他の載置台２２のセンタリングを行う。
上述の手法によれば、例えば載置台２２の外周側面と、処理空間Ｓ１を形成する容器本体２０２の内周側面との間に、位置調節用の治具を配置してセンタリングを行う場合と比較して、位置調節用治具を取り外す際の位置ずれ発生のおそれがない。また、カメラ９２１を用いて得られた撮影画像を用いてセンタリングを行うので、画素数などに基づき位置合わせの精度などを数値管理することもできる。
なお、ターゲット溝２２１の撮影を行う撮影部の構成は、図８、９に示すカメラ付きウエハ９２を用いる場合に限定されない。予め設定された位置にＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラを保持することが可能な保持治具９１を用い、載置台２２のセンタリングを行ってもよい。
なお上述の載置台２２のセンタリング手法に関し、予めティーチングされた基板搬送機構１５を用いて、保持治具９１の所定の位置にカメラ付きウエハ９２を保持させる手法とは異なる手法を用いてセンタリングを行ってもよい。例えば、保持治具９１のウエハポケット９１２側に案内溝などを設け、前記予め設定された位置へ向けてカメラ付きウエハ９２が案内されて保持される構成を採用してもよい。
さらにこのとき、載置台２２のセンタリング結果を利用して、基板搬送機構１５のティーチングの補正を行ってもよい。
ティーチングの補正の手法としては、例えば載置台２２のセンタリングを行った後のカメラ付きウエハ９２をロードロック室１２２へと持ち出し、ロードロック室１２２内に設けられているウエハＷの載置台の撮影を行う。処理容器２０側の載置台２２と同様に、ロードロック室１２２側の載置台にも位置確認用のマークが形成されており、カメラ付きウエハ９２を用いて当該マークの撮影を行う。そして、センタリングが行われた処理容器２０側の載置台２２のターゲット溝２２１の撮影結果と、ロードロック室１２２側のマークの撮影結果との比較を行う。この比較結果に基づき、基板搬送機構１５がロードロック室１２２内の載置台上の予め設定された位置と、処理容器２０側の載置台２２上の予め設定された位置との間で正確にウエハWの搬送を行えるよう、基板搬送機構１５の制御機構に対してティーチング位置の補正を行うことができる。
以上に説明した各実施の形態に係る基板処理装置２にて実施される真空処理は、ＣＶＤ法による成膜処理に限らず、ＡＬＤ(Atomic Layer Deposition)法による成膜処理や、エッチング処理であってもよい。ＡＬＤ法による成膜処理は、ウエハＷに原料ガスを吸着させるステップと、ウエハＷに吸着した原料ガスと反応ガスとを反応させて反応生成物を生成するステップを複数回繰り返して反応生成物を積層する成膜処理である。また、基板処理システム１において、真空搬送室１４に接続される基板処理装置２は１つでもよい。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｗ ウエハ
２ 基板処理装置
２０ 処理容器
２２ 載置台
２３１ 支柱
６ 位置調節機構
６１１ 位置調節プレート
６１２ 固定プレート
６２ 基台部
７１ 隙間高さ調節部
７２ 固定取付け部

Claims (14)

  1. 基板に処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置において、
    処理容器内に配置され、処理対象の基板が各々載置される複数の載置台と、
    各々、前記複数の載置台を下面側から支持し、前記処理容器の底面を貫通して下方側に突出する複数の支柱と、
    前記複数の支柱を基端側から支持する共通の基台部と、
    前記基台部と各支柱の基端との間に設けられ、前記基台部側に固定された固定部材と、前記固定部材の上方に配置されると共に、前記支柱の基端部を位置決めし、当該支柱に支持されている載置台の位置を調節するための位置調節部材と、前記支柱の周囲を周方向に囲む少なくとも３箇所に各々設けられ、前記固定部材と位置調節部材との隙間の高さを調節可能な状態で、当該位置調節部材を固定部材に対して取り付ける複数の隙間高さ調節部と、を有する複数の位置調節機構と、を備え、
    前記複数の位置調節機構の少なくとも１つの位置調節機構は、前記少なくとも３箇所のうちの１箇所にて、前記隙間高さ調節部に替えて、前記隙間の高さを固定した状態で位置調節部材を固定部材に対して取り付ける固定取付け部が設けられている、基板処理装置。
  2. 前記隙間高さ調節部は、前記隙間高さを変更可能な状態で、前記固定部材に対して位置調節部材を取り付ける引きネジ部と、前記固定部材と位置調節部材との近接を規制する押しネジ部とを備えた、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記隙間高さ調節部の押しネジ部はマイクロメーターヘッドを備える、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記隙間高さ調節部の引きネジ部は、クランプレバーを備える、請求項２または３に記載の基板処理装置。
  5. 前記位置調節機構は、平面視したとき、互いに交差する２方向へ向けて、前記固定部材に対する前記位置調節部材の取り付け位置を横方向に移動させる複数の横位置調節部を備える、請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 前記横位置調節部は、前記固定部材に固定され、前記位置調節部材の側面に対向する位置に配置された保持部材を備える保持部と、前記保持部材に保持され、前記位置調節部材の位置を横方向に移動させることが可能な状態で、当該保持部材に対して位置調節部材を取り付ける引きネジ部と、前記保持部材と位置調節部材の側面との近接を規制する押しネジ部とを備えた、請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記横位置調節部の押しネジ部はマイクロメーターヘッドを備える、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記横位置調節部の引きネジ部は、クランプレバーを備える、請求項６または７に記載の基板処理装置。
  9. 前記基台部は、前記複数の支柱に支持された各載置台を昇降させるための共通の昇降機構に接続されている、請求１ないし８のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  10. 基板搬送室と、当該基板搬送室内に配置され、基板の搬送を行うための基板保持部が設けられた基板搬送機構と、を備えた基板搬送モジュールと、
    前記真空搬送室に接続された搬入出口を介して前記基板保持部を進入させることにより、前記基板搬送室と処理容器内との間の基板の搬送が行われる請求項１ないし９のいずれか一つに記載の基板処理装置と、を備え、
    前記複数の支柱を介して共通の基台部に支持された複数の載置台は、前記搬入出口から、前記基板保持部の進入方向に沿って１列に並べて配置されていることと、
    前記固定取付け部は、１列に並べて配置された複数の前記載置台のうち、最も前記搬入出口側に配置された載置台を支持する支柱の位置調節機構に設けられていることと、を含む基板処理システム。
  11. 前記固定取付け部は、前記最も搬入出口側に配置された載置台を支持する支柱の周囲を周方向に囲む少なくとも３箇所のうち、最も前記搬入出口側の位置に設けられている、請求項１０に記載の基板処理システム。
  12. 基板処理装置に設けられ、処理対象の基板が載置される載置台を位置合わせする方法において、
    請求項５ないし８のいずれか一つに記載の基板処理装置に設けられた前記複数の載置台から選択した位置合わせ対象の載置台である対象載置台の上方の予め設定された位置に、当該対象載置台の上面に設けられた位置特定用の目印を撮影する撮影部を保持するために、前記処理容器に保持治具を設置する工程と、
    前記処理容器に設置された前記保持治具に前記撮影部を保持させる工程と、
    前記保持治具によって前記予め設定された位置に保持された撮影部により、前記対象載置台の位置特定用の目印を撮影する工程と、
    前記撮影する工程により撮影された前記位置特定用の目印が、前記撮影部の撮像範囲内に設定された目標位置と揃うように、前記対象載置台に対して設けられた前記位置調節機構の前記横位置調節部を用いて、当該対象載置台の横方向の位置合わせを行う工程と、を有する、方法。
  13. 前記撮影部は、前記載置台に対して処理対象の基板を搬送する基板搬送機構に設けられた基板保持部によって搬送することが可能なカメラ付き基板である、請求項１２に記載の方法。
  14. 前記保持治具に撮影部を保持させる工程にて、前記カメラ付き基板を保持した前記基板保持部を、前記処理容器に進入させる際の前記基板保持部との干渉を避けるため、当該保持治具には、前記カメラ付き基板を保持した基板保持部の移動経路に対応する領域に切り欠きが形成されている、請求項１３に記載の方法。
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KR1020217029943A KR102604600B1 (ko) 2019-02-27 2020-02-14 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 적재대를 위치 정렬하는 방법

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Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3313609B2 (ja) * 1997-03-19 2002-08-12 ウシオ電機株式会社 ウエハ周辺露光装置のウエハ処理ステージ
US6283692B1 (en) * 1998-12-01 2001-09-04 Applied Materials, Inc. Apparatus for storing and moving a cassette
JP3632575B2 (ja) 2000-08-04 2005-03-23 松下電器産業株式会社 光学素子成形装置
JP2002368066A (ja) * 2001-06-06 2002-12-20 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JP3881567B2 (ja) * 2002-03-05 2007-02-14 東京エレクトロン株式会社 熱処理用ボート及び縦型熱処理装置
US7413612B2 (en) 2003-07-10 2008-08-19 Applied Materials, Inc. In situ substrate holder leveling method and apparatus
JP2006120799A (ja) * 2004-10-20 2006-05-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板載置台交換方法、及びプログラム
JP2009241464A (ja) 2008-03-31 2009-10-22 Dowa Metaltech Kk スクリーン印刷装置およびスクリーン版の位置決め方法
JP5544697B2 (ja) * 2008-09-30 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5083153B2 (ja) 2008-09-30 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP5088284B2 (ja) * 2008-09-30 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JP5083193B2 (ja) * 2008-12-12 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
US20100326797A1 (en) * 2009-04-23 2010-12-30 Applied Materials, Inc. Carrier for transporting solar cell substrates
JP2011060823A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Nikon Corp 基板保持装置、露光装置、デバイス製造方法、及び基板保持装置の調整方法
JP2011161621A (ja) 2010-02-12 2011-08-25 Shinko Seimitsu Kanagata Seisakusho:Kk 研削加工用ツインドレッサー装置等の駆動方法等に関する発明
JP5482500B2 (ja) * 2010-06-21 2014-05-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6287240B2 (ja) * 2014-01-17 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置及び真空処理方法
US10283398B2 (en) * 2014-10-30 2019-05-07 Tokyo Electron Limited Substrate placing table
KR101589667B1 (ko) 2015-02-02 2016-01-29 한국기술교육대학교 산학협력단 히터블록 레벨 조절장치
JP2017199735A (ja) * 2016-04-25 2017-11-02 東京エレクトロン株式会社 基板の入れ替えシステム、基板の入れ替え方法及び記憶媒体
CN206193392U (zh) * 2016-11-15 2017-05-24 惠科股份有限公司 一种校正机构
JP6881010B2 (ja) 2017-05-11 2021-06-02 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
CN108465987B (zh) * 2018-05-22 2024-01-30 深圳市金洲精工科技股份有限公司 一种垂直度调整装置及其操作方法

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