KR20100105456A

KR20100105456A - 기판 열처리 장치

Info

Publication number: KR20100105456A
Application number: KR1020100023535A
Authority: KR
Inventors: 고오이찌 미즈나가
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2009-03-18
Filing date: 2010-03-17
Publication date: 2010-09-29
Also published as: JP4811881B2; KR101529338B1; CN101840847B; CN101840847A; JP2010219363A

Abstract

본 발명의 과제는 열처리 플레이트의 배치 스페이스를 가능한 한 작게 하여, 장치의 소형화, 기판의 수납 수의 증대가 도모되도록 하고, 또한 열매체의 유로의 자유도 및 처리량의 향상이 도모되도록 하는 것이다.
반도체 웨이퍼(W)를 적재하면서 웨이퍼를 소정 온도로 열처리하는 열처리 플레이트, 예를 들어 냉각 플레이트(14)를 구비하는 기판 열처리 장치에 있어서, 냉각 플레이트(14)는 복수의 열전도성 재료로 이루어지는 박판(1)을, 예를 들어 확산 접합에 의해 적층 결합하여 이루어지고, 또한 박판(1)을 적층함으로써 개설되는, 열매체의 공급 유로(61a), 배출 유로(62a) 및 냉매 유로(63)와 흡착용 구멍(64f)을 형성하는 냉각 플레이트 본체(64)를 구비한다.

Description

기판 열처리 장치{SUBSTRATE HEAT PROCESSING APPARATUS}

본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 플랫 패널 디스플레이 기판(FPD 기판) 등의 기판 열처리 장치에 관한 것이다.

일반적으로, 포토리소그래피 기술에 있어서는, 기판에 포토레지스트를 도포하고, 이것에 의해 형성된 레지스트막을 소정의 회로 패턴을 따라서 노광하여, 이 노광 패턴을 현상 처리함으로써 레지스트막에 원하는 회로 패턴을 형성하는, 일련의 공정에 의해 행해지고 있다.

이와 같은 처리는, 일반적으로 기판에 레지스트액을 도포하여 처리하는 레지스트 도포 처리 유닛, 레지스트 도포 처리 종료 후의 기판이나 노광 처리 후의 기판을 가열 처리하는 가열 처리 유닛, 가열 처리 후의 기판을 소정 온도까지 냉각 처리하는 냉각 처리 유닛, 기판에 현상액을 공급하여 현상 처리하는 현상 처리 유닛 등이 개별로 복수단으로 적층되어 포개진 상태로 구비되어 있고, 이들 각 처리 유닛 사이에 있어서의 기판의 반송 및 기판의 반입출은 기판 반송 수단에 의해 행해지고 있다.

종래의 이러한 종류의 기판 처리 장치로서, 복수의 기판을 수용 가능한 캐리어를 배치하는 캐리어 블록과, 상기 캐리어로부터 취출된 기판에 레지스트 도포ㆍ현상 처리 등을 실시하는 상기 처리 유닛을 구비하는 처리 블록과, 상기 캐리어 블록 및 처리 블록 내에 각각 배치되어, 기판을 연직 방향 및 수평 방향으로 이동 가능한 기판 반송 수단과, 상기 캐리어 블록과 처리 블록 사이에 배치되어, 복수의 기판이 적재 가능하며, 또한 기판을 소정 온도까지 냉각하기 전에, 기판을 대기시켜 예비 냉각하는 냉각 플레이트를 갖는 기판 수납부를 구비하는 기판 열처리 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허 문헌 1 참조).

특허 문헌 1에 기재된 기판 처리 장치에 따르면, 각 처리 유닛에 있어서의 기판의 처리 시간의 시간 차에 대응하여 기판을 효율적으로 반송하여, 처리량의 향상을 도모하도록 하기 위해, 복수의 처리 유닛을 구비한 처리 블록과 인터페이스 블록 사이 또는 인터페이스 블록 내에, 복수의 기판을 수용 가능한 복수단 형상의 기판 수납부를 설치하여, 상기 기판 수납부의 2방향으로부터 기판 수납부에 대해 다른 기판 반송 수단에 의해 기판의 전달을 행할 수 있다.

또한, 일반적으로 냉각 플레이트 내에 냉매 유체의 유로를 형성하는 수단으로서, 플레이트 본체에 설치된 냉각관 수납 도로에 냉각관을 내설하는 구조의 것이 알려져 있다(예를 들어, 특허 문헌 2 참조). 이 특허 문헌 2에 기재된 기술과 동일한 구조로서 냉각 플레이트의 이면에 냉각관 수납 홈을 형성하고, 이 냉각관 수납 홈 내에, 열전도성이 풍부하고 또한 굴곡 변형이 용이한, 예를 들어 구리 혹은 알루미늄제의 냉각관을 내설하여 냉매 유체의 유로를 형성할 수 있다.

일본특허출원공개제2007-288029호공보(특허청구의범위,도1) 일본특허출원공개평11-233520호공보(특허청구의범위,도1)

그러나, 특허 문헌 1에 기재된 장치에 있어서는, 기판 수납부에 배치되는 냉각 플레이트에 복수(예를 들어, 3개)의 지지 핀을 승강 가능하게 세워 설치하고, 이들 지지핀에 의해 기판을 지지하도록 하여, 기판 반송 수단과의 사이에서 기판의 전달을 행하고 있다. 그로 인해, 기판의 전달에 시간을 필요로 할 우려가 있었다. 또한, 냉각 플레이트와 지지 핀의 승강 구동 기구분의 높이가 필요해지므로, 장치 전체의 높이 때문에 냉각 플레이트의 수를 많게 할 수 없어, 고생산에 대응할 수 없다고 하는 문제가 있었다. 또한, 지지 핀의 승강 구동 기구의 보수ㆍ점검에 주의할 필요가 있다.

또한, 특허 문헌 2에 기재된 구조에 있어서는, 냉각관의 두께가 필요하므로, 냉각 플레이트의 두께를 얇게 할 수 없다. 또한, 냉각관의 굴곡에 한계가 있는 동시에, 냉각관 설치에 수고를 필요로 한다고 하는 문제가 있다.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 열처리 플레이트의 배치 스페이스를 가능한 한 작게 하여, 장치의 소형화, 기판의 수납 수의 증대가 도모되도록 하고, 또한 열매체의 유로의 자유도 및 처리량의 향상이 도모되도록 한 기판 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위해, 청구항 1에 기재된 발명은, 적재된 기판을 보유 지지하면서 상기 기판을 소정 온도로 열처리하는 열처리 플레이트를 구비하는 기판 열처리 장치이며, 상기 열처리 플레이트는 복수의 열전도성 재료로 이루어지는 박판을 적층하여 이루어지고, 또한 상기 박판을 적층함으로써 개설되는, 열매체의 공급 유로, 배출 유로 및 이들 유로에 연통하는 열매체 유로와 흡착용 구멍을 형성하는 열처리 플레이트 본체를 구비하는 것을 특징으로 한다.

또한, 청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 열처리 장치에 있어서, 복수의 열전도성 재료로 이루어지는 박판을 적층하여 이루어지고, 또한 상기 박판을 적층함으로써 개설되어, 상기 흡착용 구멍에 연통하는 흡인 유로를 형성하는 기판 흡착 플레이트를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

이와 같이 구성함으로써, 열처리 플레이트를 구성하는 박판에, 예를 들어 에칭 처리에 의해 구멍이나 슬릿 등을 개설(가공)하여, 복수의 박판을 적층함으로써 개설되는, 열매체의 공급 유로, 배출 유로 및 이들 유로에 연통하는 열매체 유로를 형성할 수 있다. 또한, 흡착용 구멍 및 이 흡착용 구멍에 연통하는 흡인 유로를 형성할 수 있다.

청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 기판 열처리 장치에 있어서, 상기 열처리 플레이트의 최상층 및 최하층의 박판이 내부층의 박판에 비해 내강도성을 갖는 재료로 이루어지는 박판인 것을 특징으로 한다.

이와 같이 구성함으로써, 열처리 플레이트에 강성을 갖게 할 수 있는 동시에, 플레이트 표면을 경도로 할 수 있다.

청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 열처리 장치에 있어서, 상기 열처리 플레이트 본체의 최상층 및 최하층의 박판이 내부층의 박판에 비해 내강도성을 갖는 재료로 이루어지는 박판인 것을 특징으로 한다.

이와 같이 구성함으로써, 열처리 플레이트 본체, 나아가서는 열처리 플레이트에 강성을 갖게 할 수 있는 동시에, 플레이트 표면을 경도로 할 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 열처리 플레이트에 있어서의 상부측의 복수의 박판에 있어서의 임의의 복수 개소에 설치 구멍을 형성하여, 이 설치 구멍에 기판을 지지하는 지지 핀을 끼워 맞추어 세워 설치하는 것이 바람직하다(청구항 5).

이와 같이 구성함으로써, 열매체의 유로 및 흡인 유로와 동시에 지지 핀의 설치 구멍을 성형할 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 박판을 동제 박판으로 형성할 수 있고(청구항 6), 또한 열처리 플레이트 또는 열처리 플레이트 본체의 최상층 및 최하층의 박판을, 내부층의 박판에 비해 내강도성을 갖는 재료로 이루어지는 박판으로 형성하는 경우에는, 최상층 및 최하층의 박판을, 예를 들어 스테인리스, 티탄 또는 니켈제 박판으로 형성할 수 있고, 상기 내부층의 박판을 동제 박판으로 형성할 수 있다(청구항 7).

또한, 본 발명에 있어서, 상기 박판끼리를 적층 결합하는 수단은 브레이징이라도 가능하지만, 바람직하게는 확산 접합으로 결합하는 것이 좋다(청구항 8). 여기서, 확산 접합이라 함은, 박판의 소재끼리를 밀착시켜, 박판 소재의 융점 이하의 온도 조건에서, 소성 변형이 가능한 한 발생하지 않을 정도로 가압하여, 접합면 사이에 발생하는 원자의 확산을 이용하여 접합하는 방법이다.

이와 같이 박판끼리를 확산 접합으로 결합함으로써, 박판끼리의 적층부를 일체화한 상태로 결합할 수 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 공급 유로 및 배출 유로의 적어도 공급 유로의 공급구와 열매체 공급원을, 온도 절환 기구를 개재 설치한 공급관로에 의해 접속해도 좋다(청구항 9). 여기서, 절환 기구라 함은, 공급 유로에 공급되는 열매체의 온도를 절환하는 기구를 말하고, 예를 들어 절환 밸브 혹은 온도 조절 기구 등에 의해 형성할 수 있다.

이와 같이 구성함으로써, 기판의 열처리 온도를 변경할 수 있고, 기판의 열처리를 목적에 따라서 용이하게 변경할 수 있다.

본 발명에 따르면, 상기와 같이 구성되어 있으므로, 이하와 같은 현저한 효과가 얻어진다.

(1) 청구항 1, 청구항 2, 청구항 6에 기재된 발명에 따르면, 열매체의 유로와 흡인 유로를 일체로 형성한 판 두께가 얇은 열처리 플레이트를 구비하므로, 열처리 플레이트의 배치 스페이스를 가능한 한 작게 하여, 장치의 소형화, 기판의 수납 수의 증대를 도모할 수 있다. 또한, 복잡한 형상의 열매체의 유로를 용이하게 형성할 수 있으므로, 열매체의 유로의 자유도의 향상이 도모되는 동시에, 기판으로의 전열 효율의 향상이 도모되어, 처리량의 향상을 도모할 수 있다.

(2) 청구항 3, 청구항 4, 청구항 7에 기재된 발명에 따르면, 열처리 플레이트에 강성을 갖게 할 수 있는 동시에, 플레이트 표면을 경도로 할 수 있으므로, 상기 (1)에 추가하여, 열처리 플레이트의 평면 정밀도의 향상에 의해 열처리의 정밀도의 향상이 더욱 도모된다.

(3) 청구항 5에 기재된 발명에 따르면, 열매체의 유로 및 흡인 유로와 동시에 지지 핀의 설치 구멍을 성형할 수 있으므로, 열처리 플레이트의 표면에 용이하게 지지 핀을 돌출 설치할 수 있는 동시에, 지지 핀의 위치 결정을 고정밀도로 할 수 있다.

(4) 청구항 8에 기재된 발명에 따르면, 열처리 플레이트를 구성하는 박판끼리를 확산 접합으로 결합함으로써, 박판끼리의 적층부를 일체화한 상태에서 결합할 수 있으므로, 열처리 플레이트의 평면성을 고정밀도로 할 수 있어, 열처리의 효율의 향상이 도모된다.

(5) 청구항 9에 기재된 발명에 따르면, 기판의 열처리 온도를 변경할 수 있고, 기판의 열처리를 목적에 따라서 용이하게 변경할 수 있으므로, 동일한 열처리 플레이트를 사용하여 다른 온도의 열처리를 실시할 수 있다.

도 1은 본 발명에 관한 기판 열처리 장치를 적용한 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치의 일례를 도시하는 개략 평면도.
도 2는 상기 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치의 개략 사시도.
도 3은 상기 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치의 개략도이며, 처리부의 단위 블록만을 평면 상태에서 포개어 도시하는 개략 구성도.
도 4는 상기 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치에 있어서의 처리 블록의 단위 블록(DEV층)을 도시하는 개략 사시도.
도 5는 본 발명에 관한 기판 열처리 장치를 구비하는 기판 수납부를 도시하는 개략 측면도.
도 6은 상기 기판 수납부를 도시하는 개략 사시도.
도 7은 상기 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치에 있어서의 처리 블록의 단위 블록(COT층)을 도시하는 개략 평면도.
도 8은 상기 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치에 있어서의 처리 블록의 처리 유닛의 일례를 도시하는 개략 단면도.
도 9는 본 발명에 있어서의 냉각 플레이트의 일례를 도시하는 측면도.
도 10은 본 발명에 있어서의 냉각 플레이트의 주요부를 도시하는 단면도.
도 11은 본 발명에 있어서의 냉각 플레이트 본체와, 메인 아암 및 전달 아암의 관계를 도시하는 개략 평면도.
도 12는 본 발명에 있어서의 베이스 블록, 냉각 플레이트 본체 및 기판 흡착 플레이트의 적층 상태를 도시하는 분해 사시도.
도 13은 본 발명에 있어서의 냉각 플레이트 본체의 다른 적층 상태를 도시하는 단면도.
도 14는 본 발명에 관한 기판 열처리 장치의 다른 실시 형태의 주요부를 도시하는 개략 단면도.
도 15는 본 발명에 관한 기판 열처리 장치의 또 다른 실시 형태의 주요부를 도시하는 개략 단면도.

이하에, 본 발명의 실시 형태를 첨부 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 여기서는, 본 발명에 관한 기판 열처리 장치를 반도체 웨이퍼의 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치에 적용한 경우에 대해 설명한다.

상기 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치는, 도 1 내지 도 8에 도시한 바와 같이 기판인 반도체 웨이퍼(W)[이하에 웨이퍼(W)라고 함]가, 예를 들어 13매 밀폐 수용된 캐리어(20)를 반입출하기 위한 캐리어 블록(S1)과, 복수개, 예를 들어 5개의 단위 블록(B1 내지 B5)을 세로로 배열하여 구성된 처리 블록(S2)과, 인터페이스 블록(S3)과, 제2 처리 블록인 노광 장치(S4)를 구비하고 있다.

상기 캐리어 블록(S1)에는 복수개(예를 들어, 4개)의 캐리어(20)를 적재 가능한 적재대(21)와, 이 적재대(21)로부터 볼 때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(22)와, 개폐부(22)를 통해 캐리어(20)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 트랜스퍼 아암(C)이 설치되어 있다. 이 트랜스퍼 아암(C)은 후술하는 기판 수납부를 구성하는 선반 유닛(U5)에 설치된 전달 스테이지(TRS1, TRS2) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록, 수평의 X, Y방향 및 연직의 Z방향으로 이동 가능 및 연직축 주위로 회전 가능, 이동 가능하게 구성되어 있다.

캐리어 블록(S1)의 안측에는 하우징(24)으로 주위가 둘러싸이는 처리 블록(S2)이 접속되어 있다. 처리 블록(S2)은, 본 예에서는 하방측으로부터, 하단측의 2단이 현상 처리를 행하기 위한 제1 및 제2 단위 블록(DEV층)(B1, B2), 레지스트막의 하층측에 형성되는 반사 방지막(이하, 「제1 반사 방지막」이라고 함)의 형성 처리를 행하기 위한 제1 반사 방지막 형성용 단위 블록인 제3 단위 블록(BCT층)(B3), 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 도포막 형성용 단위 블록인 제4 단위 블록(COT층)(B4), 레지스트막의 상층측에 형성되는 반사 방지막(이하, 「제2 반사 방지막」이라고 함)의 형성 처리를 행하기 위한 제2 반사 방지막 형성용 단위 블록인 제5 단위 블록(TCT층)(B5)으로서 할당되어 있다. 여기서, 상기 DEV층(B1, B2)이 현상 처리용 단위 블록, BCT층(B3), COT층(B4), TCT층(B5)이 도포막 형성용 단위 블록에 상당한다.

다음에, 제1 내지 제5 단위 블록[B(B1 내지 B5)]의 구성에 대해 설명한다. 이들 각 단위 블록(B1 내지 B5)은 전방면측에 배치되어, 웨이퍼(W)에 대해 약액을 도포하기 위한 액처리 유닛과, 배면측에 배치되어, 상기 액처리 유닛에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 가열 유닛 등의 처리 유닛과, 전방면측에 배치되는 상기 액처리 유닛과 배면측에 배치되는 가열 유닛 등의 처리 유닛 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전용의 기판 반송 수단인 메인 아암(A1, A3 내지 A5)을 구비하고 있다.

이들 단위 블록(B1 내지 B5)은, 본 예에서는 각 단위 블록(B1 내지 B5) 사이에서, 상기 액처리 유닛과, 가열 유닛 등의 처리 유닛과, 반송 수단의 배치 레이아웃이 동일하게 형성되어 있다. 여기서, 배치 레이아웃과 동일하다는 것은, 각 처리 유닛에 있어서의 웨이퍼(W)를 적재하는 중심, 즉 액처리 유닛에 있어서의 웨이퍼(W)의 보유 지지 수단인 스핀 척의 중심이나, 가열 유닛에 있어서의 가열 플레이트나 냉각 플레이트의 중심이 동일하다는 의미이다.

상기 DEV층(B1, B2)은 마찬가지로 구성되어 있고, 이 경우, 공통으로 형성되어 있다. 이 DEV층(B1, B2)은, 도 1에 도시한 바와 같이 DEV층(B1, B2)의 대략 중앙에는, DEV층(B1, B2)의 길이 방향(도면 중 Y방향)으로, 캐리어 블록(S1)과 인터페이스 블록(S3)을 접속하기 위한 웨이퍼(W)의 반송 영역(R1)[메인 아암(A1)의 수평 이동 영역]이 형성되어 있다.

이 반송 영역(R1)의 캐리어 블록(S1)측으로부터 본 양측에는 전방측[캐리어 블록(S1)측]으로부터 안측을 향해 우측에, 상기 액처리 유닛으로서, 현상 처리를 행하기 위한 복수개의 현상 처리부를 구비한 현상 유닛(31)이, 예를 들어 2단 설치되어 있다. 각 단위 블록은 전방측으로부터 안측을 향해 좌측으로, 차례로 가열계의 유닛을 다단화한, 예를 들어 4개의 선반 유닛(U1, U2, U3, U4)이 설치되어 있고, 이 도면에서는 현상 유닛(31)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 유닛을 복수단, 예를 들어 3단씩 적층한 구성으로 되어 있다. 이와 같이 하여 상기 반송 영역(R1)에 의해 현상 유닛(31)과 선반 유닛(U1 내지 U4)이 구획되어 있고, 반송 영역(R1)에 세정 에어를 분출시켜 배기함으로써, 당해 영역 내의 파티클의 부유를 억제하도록 되어 있다.

상술한 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 유닛 중에는, 예를 들어 도 4에 도시한 바와 같이, 노광 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 포스트 익스포져 베이킹 유닛 등으로 불리고 있는 가열 유닛(PEB1)이나, 현상 처리 후의 웨이퍼(W)의 수분을 날리기 위해 가열 처리하는 포스트베이킹 유닛 등으로 불리고 있는 가열 유닛(POST1) 등이 포함되어 있다. 이들 가열 유닛(PEB1, POST1) 등의 각 처리 유닛은 각각 처리 용기(51) 내에 수용되어 있고, 선반 유닛(U1 내지 U4)은 상기 처리 용기(51)가 3단씩 적층되어 구성되고, 각 처리 용기(51)의 반송 영역(R1)에 면하는 면에는 웨이퍼 반출입구(52)가 형성되어 있다.

상기 반송 영역(R1)에는 상기 메인 아암(A1)이 설치되어 있다. 이 메인 아암(A1)은 당해 DEV층(B1) 내의 모든 모듈[웨이퍼(W)가 놓이는 장소], 예를 들어 선반 유닛(U1 내지 U4)의 각 처리 유닛, 현상 유닛(31), 선반 유닛(U5)의 각 부 사이에서 웨이퍼의 전달을 행하도록 구성되어 있고, 이로 인해 수평의 X, Y방향 및 연직의 Z방향으로 이동 가능, 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다.

또한, 상기 도포막 형성용 단위 블록(B3 내지 B5)은 모두 마찬가지로 구성되어 있고, 상술한 현상 처리용 단위 블록(B1, B2)과 마찬가지로 구성되어 있다. 구체적으로 COT층(B4)을 예로 들어 도 3, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명하면, 액처리 유닛으로서 웨이퍼(W)에 대해 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 도포 유닛(32)이 설치되고, COT층(B4)의 선반 유닛(U1 내지 U4)에는 레지스트액 도포 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 가열 유닛(CLHP4)이나, 레지스트액과 웨이퍼(W)의 밀착성을 향상시키기 위한 소수화 처리 유닛(ADH)을 구비하고 있고, DEV층(B1, B2)과 마찬가지로 구성되어 있다. 즉, 도포 유닛(32)과 가열 유닛(CLHP4) 및 소수화 처리 유닛(ADH)을 메인 아암(A4)의 반송 영역(R4)[메인 아암(A4)의 수평 이동 영역]에 의해 구획하도록 구성되어 있다. 그리고, 이 COT층(B4)에서는 메인 아암(A4)에 의해, 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS1)와, 도포 유닛(32)과, 선반 유닛(U1 내지 U4)의 각 처리 유닛에 대해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다. 또한, 상기 소수화 처리 유닛(ADH)은 HMDS 분위기 내에서 가스 처리를 행하는 것이지만, 도포막 형성용 단위 블록(B3 내지 B5) 중 어느 하나에 설치되면 좋다.

또한, BCT층(B3)은 액처리 유닛으로서, 웨이퍼(W)에 대해 제1 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제1 반사 방지막 형성 유닛(33)이 설치되고, 선반 유닛(U1 내지 U4)에는 반사 방지막 형성 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 가열 유닛(CLHP3)을 구비하고 있고, COT층(B4)과 마찬가지로 구성되어 있다. 즉, 제1 반사 방지막 형성 유닛(33)과 가열 유닛(CLHP3)을 메인 아암(A3)의 반송 영역(R3)[메인 아암(A3)의 수평 이동 영역]에 의해 구획하도록 구성되어 있다. 그리고, 이 제3 단위 블록(B3)에서는, 메인 아암(A3)에 의해, 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS1)와, 제1 반사 방지막 형성 유닛(33)과, 선반 유닛(U1 내지 U4)의 각 처리 유닛에 대해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.

또한, TCT층(B5)은 액처리 유닛으로서, 웨이퍼(W)에 대해 제2 반사 방지막의 형성 처리를 행하기 위한 제2 반사 방지막 형성 유닛(34)이 설치되고, 선반 유닛(U1 내지 U4)에는 반사 방지막 형성 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열 처리하는 가열 유닛(CLPH5)이나, 주변 노광 장치(WEE)를 구비하고 있는 것 외에는 COT층(B4)과 마찬가지로 구성되어 있다. 즉, 제2 반사 방지막 형성 유닛(34)과 가열 유닛(CLHP5) 및 주변 노광 장치(WEE)를 메인 아암(A5)의 반송 영역(R5)[메인 아암(A5)의 수평 이동 영역]에 의해 구획하도록 구성되어 있다. 그리고, 이 TCT층(B5)에서는 메인 아암(A5)에 의해, 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS1)와, 제2 반사 방지막 형성 유닛(34)과, 선반 유닛(U1 내지 U4)의 각 처리 유닛에 대해 웨이퍼(W)의 전달이 행해지도록 되어 있다.

또한, 처리 블록(S2)에는 선반 유닛(U5)에 설치된 전달 스테이지(TRS2)와 인터페이스 블록(S3)측의 선반 유닛(U6) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 기판 반송 수단인 셔틀 아암(A)이 수평의 Y방향으로 이동 가능 및 연직의 Z방향으로 승강 가능하게 배치되어 있다.

또한, 셔틀 아암(A)의 반송 영역과 상기 메인 아암(A1, A3 내지 A5)의 반송 영역(R1, R3 내지 R5)은 각각 구획되어 있다.

또한, 처리 블록(S2)과 캐리어 블록(S1) 사이의 영역은 웨이퍼(W)의 전달 영역(R2)으로 되어 있고, 이 영역(R2)에는, 도 1에 도시한 바와 같이 트랜스퍼 아암(C)과 메인 아암(A1, A3 내지 A5), 셔틀 아암(A)이 액세스할 수 있는 위치에 기판 수납부인 선반 유닛(U5)이 설치되는 동시에, 이 선반 유닛(U5)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 기판 전달 수단을 이루는 전달 아암(D)을 구비하고 있다. 이 경우, 선반 유닛(U5)은 메인 아암(A1, A3 내지 A5), 셔틀 아암(A)의 수평 이동 방향(Y방향)의 축선 상에 배치되어 있고, 메인 아암(A1, A3 내지 A5), 셔틀 아암(A)의 진퇴 방향(Y방향)으로 제1 개구부(11)가 형성되는 동시에, 전달 아암(D)의 진퇴 방향(X방향)으로 제2 개구부(12)가 형성되어 있다.

또한, 상기 선반 유닛(U5)은, 도 3, 도 5 및 도 6에 도시한 바와 같이 각 단위 블록(B1 내지 B5)의 메인 아암(A1, A3 내지 A5) 및 셔틀 아암(A) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록, 예를 들어 2개의 전달 스테이지(TRS1, TRS2)를 구비하고 있고, 또한 단위 블록(B1 내지 B5)에 대응하기 위해 복수로 구획된 수납 블록(10a 내지 10d)을 구비하는 동시에, 각 수납 블록(10a 내지 10d)에, 복수의 적재 선반(13) 및 레지스트 도포 전에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위해서나, 반사 방지막 형성 처리 전에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위해서나, 노광 처리 후에 가열 처리된 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한, 본 발명에 있어서의 열처리 플레이트인 냉각 플레이트[14(CPL1 내지 CPL6)]를 구비하고 있다.

이 경우, 제1 수납 블록(10a)은 제1 및 제2 단위 블록(B1, B2)(DEV층)에 대응하고, 제2 수납 블록(10b)은 제3 단위 블록(B3)(BCT층)에 대응하고, 제3 수납 블록(10c)은 제4 단위 블록(B4)(COT층)에 대응하고, 제4 수납 블록(10d)은 제5 단위 블록(B5)(TCT층)에 대응하고 있다.

제1 수납 블록(10a)에 배치되는 냉각 플레이트[14A(CPL7, CPL8)]는 프레임(16)에 가설된 보유 지지판(17) 상에 지지 기둥(17a)을 통해 횡설되어 있고, 이 냉각 플레이트[14A(CPL7, CPL8)]에는 3개의 지지 핀(15)이 세워 설치되어 있다. 이 냉각 플레이트[14A(CPL7, CPL8)]는 메인 아암(A1) 또는 전달 아암(D) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달의 기능을 갖고 있다.

또한, 냉각 플레이트[14(CPL1 내지 CPL6)]는, 도 6, 도 9, 도 10 및 도 12에 도시한 바와 같이 열매체인 냉매 유체, 예를 들어 항온의 냉각수의 공급 유로(61) 및 배출 유로(62)를 갖는 베이스 블록(60)과, 상기 베이스 블록(60)의 상부에 적층되어, 공급 유로(61) 및 배출 유로(62)에 연통하는 냉매 유로(63)를 갖는 1개 또는 복수(도면에서는 2개의 경우를 도시함)의 냉각 플레이트 본체(64)와, 냉각 플레이트 본체(64)의 하면에 일체로 형성되는 기판 흡착 플레이트(67)와, 베이스 블록(60)과 냉각 플레이트 본체(64) 및 기판 흡착 플레이트(67)를 착탈 가능하게 연결하는 연결 부재, 즉 연결 볼트(66)를 구비하고 있다. 또한, 냉각 플레이트(14)는 항온의 냉각수를 순환시키는 수냉 방식의 것을 사용할 수 있지만, 수냉 방식 이외의 방식이라도 좋다.

이 경우, 상기 베이스 블록(60)은, 예를 들어 스테인리스제 부재로 형성되어 있고, 하나의 코너부가 컷트된 대략 입방체로 형성되어 있다. 이 베이스 블록(60)의 일측면에는, 도시하지 않은 냉각수 공급원에 접속하는 공급 배관(71)이 접속하는 공급구(60a)와, 배출 배관(72)이 접속하는 배출구(60b)와, 도시하지 않은 흡인 수단, 예를 들어 진공 펌프에 접속하는 흡인 배관(73)이 접속하는 흡인구(60c)가 형성되어 있다. 또한, 공급구(60a)에 연통하는 공급 유로(61)와, 배출구(60b)에 연통하는 배출 유로(62)가, 베이스 블록(60)의 상면으로 개방되도록 수직 방향으로 평행하게 설치되어 있다. 이들 공급 유로(61)와 배출 유로(62)의 개구 단부에는 시일 부재인 O링(도시하지 않음)이 설치되어 있다.

상기 냉각 플레이트 본체(64)는, 예를 들어 동제 부재로 형성되어 있고, 도 10 및 도 12에 도시한 바와 같이, 베이스 블록(60)의 상면의 형상과 동일한 형상인 대략 직사각 형상의 설치 기부(64a)와, 설치 기부(64a)의 코너부로부터 외측으로 돌출되는 아암부(64b)의 선단에 형성되는 원판부(64c)로 구성되어 있다. 이 냉각 플레이트 본체(64)의 설치 기부(64a)에는 베이스 블록(60)의 공급 유로(61)에 연통하는 공급 유로(61a)가 설치되고, 아암부(64b) 및 원판부(64c)에는 공급 유로(61a)에 연통하는 냉매 유로(63)가 설치되고, 원판부(64c)에는 베이스 블록(60)의 배출 유로(62)에 연통하는 배출 유로(62a)가 설치되어 있다.

또한, 냉각 플레이트 본체(64)의 원판부(64c)의 상면의 복수 개소, 예를 들어 5개소에는 원판부(64c) 표면과의 사이에 약간의 간극, 예를 들어 50㎛ 내지 100㎛를 두고 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 핀인 프록시미티 핀(64e)이 후술하는 설치 구멍(64h) 내에 끼움 삽입되어 돌출 설치되어 있다. 또한, 원판부(64c)에 있어서의 냉매 유로(63)를 회피한 위치의 4개소에는 흡착용 구멍(64f)이 천공되어 있다. 또한, 설치 기부(64a)의 변부측의 4개소에는 연결 볼트(66)를 관통 삽입하는 설치 구멍(75)이 형성되어 있다.

이 경우, 냉각 플레이트 본체(64)는 판 두께가, 예를 들어 0.5㎜의 복수매, 예를 들어 10매의 동제 박판(1)을 적층하여 이루어지고, 후술하는 기판 흡착 플레이트(67)를 구성하는 동제 박판(1)에 적층되어 확산 접합에 의해 결합되어 있다. 즉, 미리 에칭 처리에 의해 공급 유로(61a), 배출 유로(62a), 냉매 유로(63), 흡착용 구멍(64f) 또는 프록시미티 핀(64e)의 설치 구멍(64h)의 일부를 구성하는 구멍이나 슬릿 등을 개설(가공)한 동제 박판(1)과, 구멍이나 슬릿 등을 갖지 않는 동제 박판(1)끼리를 밀착시켜, 구리의 융점 이하의 온도 조건에서, 소성 변형이 가능한 한 발생하지 않을 정도로 가압하여, 접합면 사이에 발생하는 원자의 확산을 이용하여 접합하는 확산 접합 방법에 의해 결합되어 있다. 또한, 상기와 같은 동제 박판(1)의 적층 구조에서는 확산 접합 시에 가압할 수 없는 개소가 있으면, 접합 강도가 저하되므로, 유로의 벽(2)은 접합 여유분(S)을 적어도 5㎜ 확보할 필요가 있다(도 10 참조). 또한, 동제의 냉각 플레이트 본체(64)의 경우, 유로 상의 판 두께(T)는, 확산 접합 시의 구리 연화를 억제하기 위해, 최저 1㎜는 필요하다(도 10 참조).

상기 설명에서는, 냉각 플레이트 본체(64)가 복수매의 동제 박판(1)만을 확산 접합에 의해 적층 결합한 경우에 대해 설명하였지만, 도 13에 도시한 바와 같이 냉각 플레이트 본체(64)의 최상층 및 최하층의 박판(1a, 1b)을 내층의 박판(1c)에 비해 내강도성을 갖는 재료, 예를 들어 스테인리스, 티탄 또는 니켈제 박판으로 형성해도 좋다. 이와 같이 냉각 플레이트 본체(64)의 최상층 및 최하층의 박판(1a, 1b)을 내층의 박판(1c)에 비해 내강도성을 갖는 재료로 형성함으로써, 냉각 플레이트 본체(64), 나아가서는 냉각 플레이트(14)에 강도를 갖게 할 수 있는 동시에, 평면 정밀도의 향상에 의해 열처리의 정밀도의 향상을 도모할 수 있다. 이 경우, 스테인리스, 티탄 또는 니켈은 구리에 비해 열팽창률이 다르지만, 스테인리스, 티탄 또는 니켈제의 박판(1a, 1b)을 상하에 배치함으로써, 확산 접합 시의 변형을 억제할 수 있다.

또한, 냉각 플레이트 본체(64)의 원판부(64c)의 외주의 6개소에는 선반 유닛(U5)의 제1 개구부(11)로부터 진입하는 메인 아암(A1, A3 내지 A5)(이하, 부호 A1로 대표함) 및 선반 유닛(U5)의 제2 개구부(12)로부터 진입하는 전달 아암(D)이, 냉각 플레이트(14)로 웨이퍼(W)를 전달할 때의 승강 이동의 간섭을 회피하기 위한 절결부(64g)가 형성되어 있다(도 11 참조). 이 경우, 전달 아암(D)의 아암 본체(90)는 한쪽의 만곡 아암편(91)이 다른 쪽의 만곡 아암편(92)보다 선단측으로 연장되는 변형 말굽 형상으로 형성되는 동시에, 양 아암편(91, 92)의 선단측 하부 및 아암 본체(90)의 기부측 하부의 3개소에 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 갈고리(93)를 설치하고 있다. 또한, 메인 아암(A1)의 아암 본체(80)는 말굽 형상으로 돌출되는 한 쌍의 만곡 아암편(81, 82)의 선단측 하부 및 아암 본체(80)의 기부측 하부의 4개소에 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 갈고리(83)를 설치하고 있다. 또한, 냉각 플레이트 본체(64)의 원판부(64c)의 외주에 형성되는 6개소의 절결부(64g)는 메인 아암(A1)의 지지 갈고리(83) 및 전달 아암(D)의 지지 갈고리(93)에 대응하여 형성되어 있다.

이와 같이 냉각 플레이트 본체(64)의 원판부(64c)의 외주에 절결부(64g)를 형성함으로써, 지지 핀을 필요로 하지 않고, 냉각 플레이트(14)에 대한 메인 아암(A1) 및 전달 아암(D)의 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다.

상기 기판 흡착 플레이트(67)는, 예를 들어 동제 부재로 형성되어 있고, 도 10 및 도 12에 도시한 바와 같이, 베이스 블록(60)의 상면의 형상과 동일한 형상의 대략 직사각 형상의 설치 기부(67a)와, 설치 기부(67a)의 코너부로부터 외측으로 돌출되는 아암부(67b)의 선단에 형성되는 대략 원형의 흡착부(67c)로 구성되어 있다. 설치 기부(67a)에는 베이스 블록(60)의 공급 유로(61)와 연통하는 공급 유로(61a)와, 베이스 블록(60)의 배출 유로(62)와 냉각 플레이트 본체(64)의 냉매 유로를 연통하는 배출 유로(62a)가 설치되어 있다.

또한, 기판 흡착 플레이트(67)의 설치 기부(67a)의 변부측의 4개소에는 연결 볼트(66)를 관통 삽입하는 설치 구멍(75)이 형성되어 있다. 또한, 기판 흡착 플레이트(67)에는 베이스 블록(60)에 형성된 흡인구(60c)와 연통하고, 또한 냉각 플레이트 본체(64)에 형성된 흡착용 구멍(64f)에 연통하는 흡인 유로(67d)가 설치되어 있다.

이 경우, 기판 흡착 플레이트(67)는 냉각 플레이트 본체(64)와 마찬가지로, 판 두께가, 예를 들어 0.5㎜인 복수매, 예를 들어 10매의 동제 박판(1)을 적층하여 이루어지고, 냉각 플레이트 본체(64)를 구성하는 동제 박판(1)에 적층되어 확산 접합에 의해 결합되어 있다. 즉, 미리 에칭 처리에 의해 흡착용 구멍(64f)에 연통하는 흡인 유로(67d)의 일부를 구성하는 구멍이나 슬릿 등을 개설(가공)한 동제 박판(1)과, 구멍이나 슬릿 등을 갖지 않는 동제 박판(1)끼리를 밀착시켜, 구리의 융점 이하의 온도 조건에서, 소성 변형이 가능한 한 발생하지 않을 정도로 가압하여, 접합면 사이에 발생하는 원자의 확산을 이용하여 접합하는 확산 접합 방법에 의해 결합되어 있다.

또한, 적층 결합된 냉각 플레이트 본체(64)와 기판 흡착 플레이트(67)에 있어서의 최상층 및 최하층의 박판을 내층의 박판에 비해 내강도성을 갖는 재료, 예를 들어 스테인리스, 티탄 또는 니켈제 박판으로 형성해도 좋다. 또한, 냉각 플레이트 본체(64)의 최상층 및 최하층의 박판과 기판 흡착 플레이트(67)의 최하층의 박판을 내층의 박판에 비해 내강도성을 갖는 재료, 예를 들어 스테인리스, 티탄 또는 니켈제 박판으로 형성해도 좋다. 이와 같이 형성함으로써, 확산 접합 시의 변형을 억제할 수 있고, 또한 냉각 플레이트(14)에 강도를 갖게 할 수 있는 동시에, 평면 정밀도의 향상에 의해 열처리의 정밀도의 향상을 도모할 수 있다.

또한, 냉각 플레이트(14)를 복수단 적층하는 경우에는, 도 9 및 도 12에 도시한 바와 같이, 하단의 냉각 플레이트 본체(64)의 설치 기부(64a)의 상면에 스페이서(76)를 개재하여 상단의 냉각 플레이트(14), 즉 이면에 기판 흡착 플레이트(67)를 일체로 형성한 냉각 플레이트 본체(64)를 적층할 수 있다. 이 경우, 스페이서(76)는 베이스 블록(60)과 마찬가지로, 하나의 코너부가 컷트된 대략 입방체로 형성되어 있고, 바로 아래에 위치하는 냉각 플레이트 본체(64)의 공급 유로(61a) 및 배출 유로(62a)와 연통하는 공급 유로(61b) 및 배출 유로(62b)가 설치되는 동시에, 변부측의 4개소에는 연결 볼트(66)를 관통 삽입하는 설치 구멍(도시하지 않음)이 형성되어 있다. 또한, 스페이서(76)의 공급 유로(61b) 및 배출 유로(62b)에 있어서의 하단측의 냉각 플레이트 본체(64)와의 사이 및 상단측의 기판 흡착 플레이트(67)와의 사이에는 각각 시일 부재인 O링(도시하지 않음)이 개재되어, 공급 유로(61) 및 배출 유로(62)의 기밀(氣密) 및 수밀(水密)이 유지되어 있다. 또한, 스페이서(76)에는 기판 흡착 플레이트(67)의 흡인 유로(67d)가 연통하는 흡인구(60c)가 형성되어 있다.

또한, 상기 설명에서는 스페이서(76)를 통해 복수의 냉각 플레이트(14)를 적층하는 경우에 대해 설명하였지만, 스페이서(76)를 냉각 플레이트 본체(64)의 설치 기부(64a) 또는 기판 흡착 플레이트(67)의 설치 기부(67a)에 일체로 형성한 구조로 해도 좋다.

상기와 같이 구성되는 냉각 플레이트(14)의 베이스 블록(60)과, 베이스 블록(60)에 설치된 공급 유로(61) 및 배출 유로(62)에 접속하는 공급 배관(71) 및 배출 배관(72)과, 베이스 블록(60)에 형성된 흡인구(60c)에 접속하는 흡인 배관(73)은 베이스 플레이트에 일체로 고정되어 있다. 또한, 베이스 플레이트(77)의 일측단부 하부에는 베이스 플레이트(77)를 프레임(16)에 고정하기 위한 설치 브래킷(78)이 설치되어 있고, 설치 볼트(79)에 의해 베이스 플레이트(77)가 프레임(16)에 고정되도록 되어 있다.

이와 같이 하여 냉각 플레이트(14)를 일체화한 베이스 플레이트(77)는 기판 수납부인 선반 유닛(U5)을 구성하는 프레임(16)에 대해 인출 가능하게 장착되어 있다. 따라서, 냉각 플레이트(14)를 선반 유닛(U5)에 대해 인출 가능하게 설치할 수 있으므로, 냉각 플레이트(14)의 교환이나 보수ㆍ점검 등의 메인터넌스의 향상이 도모된다.

또한, 적재 선반(13)은, 도 6에 도시한 바와 같이 선반 유닛(U5)의 일측으로부터 상기 선반 유닛(U5) 내로 돌입하는 복수의 판형상 아암(13a)으로 형성되어 있다. 이 경우, 판형상 아암(13a)은, 예를 들어 선단에 약 120°의 각도로 분기되는 두갈래부(13b)를 구비하고 있고, 이 두갈래부(13b)를 포함하는 판형상 아암(13a)의 선단부에 있어서의 동심원 형상의 등분된 3개소에, 웨이퍼(W)를 판형상 아암(13a)의 표면보다 약간 간극, 예를 들어 약 0.5㎜를 두고 지지하는 프록시미티 핀(18a, 18b, 18c)을 돌출 설치하는 동시에, 그 하나의 제1 핀(18a)을 전달 아암(D)이 선반 유닛(U5) 내로 진입하는 방향으로 평행하게 배치하고 있다.

또한, 상기 설명에서는, 적재 선반(13)의 판형상 아암(13a)은 두갈래부(13b)를 구비하는 경우에 대해 설명하였지만, 제1 개구부(11)로부터 진입하는 메인 아암의 아암 본체(80)와 제2 개구부(12)로부터 진입하는 전달 아암(D)의 아암 본체(90)가 간섭하지 않으면 임의의 형상이라도 좋고, 예를 들어 원형상으로 형성해도 좋다.

또한, 판형상 아암(13a)은 선반 유닛(U5)의 프레임(16)의 일부에 일단부가 설치되어 선반 유닛(U5)의 일측으로부터 상기 선반 유닛(U5) 내로 돌입하도록 설치되어 있고, 각 판형상 아암(13a)의 기단부끼리는 스페이서(19)를 통해 연결 부재, 예를 들어 연결 볼트(도시하지 않음)에 의해 착탈 가능하게 적층 형상으로 연결 고정되어 있다. 이와 같이, 적재 선반(13)을 구성하는 판형상 아암(13a)을 연결 볼트에 의해 착탈 가능하게 적층 상태로 연결 고정함으로써, 처리 스케줄이나 처리 시간에 대응시켜 적재 선반(13)의 단수, 즉 판형상 아암(13a)의 수의 증감을 용이하게 할 수 있다.

또한, 도 5에 도시한 바와 같이, 선반 유닛(U)의 캐리어 블록(S1)측으로부터 소정 유량의 청정 기체를 선반 유닛(U5) 내에 공급하도록 구성되어 있다.

또한, 전달 아암(D)은, 도 11에 도시한 바와 같이 상기 만곡 아암편(91, 92)과 지지 갈고리(93)를 갖는 아암 본체(90)가 선반 유닛(U5)에 대해 진퇴 가능하게 구성되는 동시에, 이동 기구(도시하지 않음)에 의해, 연직의 Z방향으로 승강 가능하게 구성되어 있다. 이와 같이 하여 아암 본체(90)는 X방향으로 진퇴 가능 및 승강 가능하게 구성되어, 선반 유닛(U5)의 각 수납 블록(10a 내지 10d), 전달 스테이지(TRS1) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있도록 되어 있다. 이와 같은 전달 아암(D)은 후술하는 제어부(100)로부터의 지령에 기초하여 도시하지 않은 컨트롤러에 의해 구동이 제어된다.

상기 메인 아암(A1, A3 내지 A5) 및 셔틀 아암(A)은 기본적으로는 동일하게 구성되어 있고, 셔틀 아암(A)을 대표로 설명하면, 냉각 플레이트 본체(64)의 원판부(64c) 및 적재 선반(13)의 판형상 아암(13a)에 설치된 프록시미티 핀(18a, 18b, 18c)과 간섭하지 않는 한 쌍의 만곡 아암편(81, 82)을 갖는 말굽 형상의 아암 본체(80)를 구비하는 동시에, 각 만곡 아암편(81, 82)의 선단부 및 기단부측 하부의 4개소에 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 갈고리(83)를 설치하고 있다.

따라서, 전달 아암(D)의 경우와 마찬가지로, 적재 선반(13)끼리 사이의 스페이스를 셔틀 아암(A)의 아암 본체(80)가 연직 방향으로 이동하여 적재 선반(13)의 프록시미티 핀(18a, 18b, 18c)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 가능한 최저한의 스페이스로 할 수 있으므로, 한정된 스페이스 내에 많은 적재 선반(13)을 설치할 수 있다. 또한, 셔틀 아암(A)은 말굽 형상의 아암 본체(80)의 3개소에 지지 갈고리(83)를 설치하므로, 웨이퍼(W)를 안정된 상태로 지지하여 반송할 수 있다.

또한, 상기 복수의 적재 선반(13)의 간격은 전달 아암(D)의 아암 본체(90)의 두께 및 메인 아암(A)의 아암 본체(80)의 두께보다도 좁게 형성되어 있다. 이에 의해, 선반 유닛(U5)의 수납 스페이스를 가능한 한 작게 할 수 있어, 선반 유닛(U5) 내로의 웨이퍼(W)의 수납 매수의 증대, 혹은 웨이퍼(W)의 수납 매수가 적은 경우에는 장치의 소형화가 도모된다.

또한, 메인 아암[A1(A3 내지 A5)]은 동일하게 구성되어 있고, 도 4에 도시한 바와 같이, 회전 구동 기구(84), 수평 가이드 레일(86) 및 수직 가이드 레일(87)을 따라서 이동하기 위한 이동 기구(85)에 의해, X방향으로 진퇴 가능, Y방향으로 이동 가능, 승강 가능 및 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어, 선반 유닛(U1 내지 U6)의 각 유닛이나 전달 스테이지(TRS1), 액처리 유닛 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있도록 되어 있다. 이와 같은 메인 아암(A1)은 제어부(100)로부터의 지령에 기초하여 도시하지 않은 컨트롤러에 의해 구동이 제어된다. 또한, 메인 아암[A1(A3 내지 A5)]의 가열 유닛에서의 축열을 방지하기 위해, 웨이퍼(W)의 수취 순서를 프로그램에서 임의로 제어할 수 있도록 되어 있다.

또한, 상기 처리 블록(S2)과 인터페이스 블록(S3)의 인접하는 영역에는, 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이 메인 아암(A1), 셔틀 아암(A)이 액세스할 수 있는 위치에 선반 유닛(U6)이 설치되어 있다. 이 선반 유닛(U6)은, 도 3에 도시한 바와 같이 각 DEV층(B1, B2)의 메인 아암(A1)과의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록, 본 예에서는, 각 DEV층(B1, B2)은 2개의 전달 스테이지(TRS3)를 구비하고 있다.

또한, 선반 유닛(U6)의 상부에는 상기 선반 유닛(U5)과 마찬가지로, 각 단위 블록(B1 내지 B5)의 메인 아암(A1, A3 내지 A5) 및 셔틀 아암(A) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록, 예를 들어 2개의 전달 스테이지(TRS4, TRS5)를 구비하고 있고, 또한 단위 블록(B1 내지 B5)에 대응하기 위해 복수로 구획된 수납 블록(10e 내지 10h)을 구비하는 동시에, 각 수납 블록(10e 내지 10h)에, 복수의 적재 선반(13) 및 반사 방지막 형성 처리 후에 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위해서나, 노광 처리 후에 가열 처리된 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 냉각 플레이트[14(CPL9 내지 CPL16)]와, 버퍼용 적재 선반(13)을 구비하고 있다.

이 경우, 제1 수납 블록(10e)은 제1 및 제2 단위 블록(B1, B2)(DEV층)에 대응하고, 제2 수납 블록(10f)은 제3 단위 블록(B3)(BCT층)에 대응하고, 제3 수납 블록(10g)은 제4 단위 블록(B4)(COT층)에 대응하고, 제4 수납 블록(10h)은 제5 단위 블록(B5)(TCT층)에 대응하고 있다.

또한, 선반 유닛(U6)의 X방향의 배면부측에는 상기 기판 전달 아암(D)과 동일한 구조의 전달 아암(E)이 배치되어 있고, 이 전달 아암(E)에 의해 각 수납 블록(10e 내지 10h)의 냉각 플레이트[14, 14A(CPL9 내지 CPL16)]나 적재 선반(13)에 대해 웨이퍼(W)를 전달할 수 있도록 구성되어 있다.

또한, 도 8은 이들 처리 유닛의 레이아웃의 일례를 도시하는 것으로, 이 레이아웃은 편의상의 것이고, 처리 유닛은 가열 유닛(CLHP, PEB, POST), 소수화 처리 장치(ADH), 주연 노광 장치(WEE)로 한정되지 않고, 다른 처리 유닛을 설치하도록 해도 좋고, 실제의 장치에서는 각 처리 유닛의 처리 시간 등을 고려하여 유닛의 설치수가 정해진다.

한편, 처리 블록(S2)에 있어서의 선반 유닛(U6)의 안측에는 인터페이스 블록(S3)을 통해 제2 처리 블록인 노광 장치(S4)가 접속되어 있다. 인터페이스 블록(S3)에는 처리 블록(S2)의 DEV층(B1, B2)의 선반 유닛(U6)의 각 부와 노광 장치(S4)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 인터페이스 아암(F)을 구비하고 있다. 이 인터페이스 아암(F)은 처리 블록(S2)과 노광 장치(S4) 사이에 개재하는 웨이퍼(W)의 반송 수단을 이루는 것이고, 본 예에서는 상기 DEV층(B1, B2)의 전달 스테이지(TRS3)에 대해 웨이퍼(W)의 전달을 행하도록, 수평의 X, Y방향 및 연직의 Z방향으로 이동 가능, 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다.

상기와 같이 구성되는 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치에서는 5단으로 적층된 각 단위 블록(B1 내지 B5) 사이에서, 상술한 전달 아암(D, E)에 의해, 각각 전달 스테이지(TRS1 내지 TRS5)를 통해, 자유롭게 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있는 동시에, 상술한 인터페이스 아암(F)에 의해, 현상 처리용 단위 블록(B1, B2)을 통해 처리 블록(S2)과 노광 장치(S4) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있도록 구성되어 있다.

다음에, 상기와 같이 구성되는 레지스트 도포ㆍ현상 처리 장치에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 처리 형태에 대해, 도 1 내지 도 4, 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한다. 또한, 여기서는, 선반 유닛(U5)의 수납 블록(10a 내지 10d)의 최하단의 제1 수납 블록(10a)에는 2단의 냉각 플레이트(CPL7, CPL8)가 배치되고, 그 상단의 제2 수납 블록(10b)에는 2단의 냉각 플레이트(CPL1, CPL2)와 복수의 적재 선반[13(BUF1)]이 배치되고, 그 상단의 제3 수납 블록(10c)에는 2단의 냉각 플레이트(CPL3, CPL4)와 복수의 적재 선반[13(BUF2)]이 배치되고, 그리고 그 상단, 즉 최상단의 제4 수납 블록(10d)에는 2단의 냉각 플레이트(CPL5, CPL6)와 복수의 적재 선반[13(BUF3)]이 배치되는 경우에 대해 설명한다. 또한, 선반 유닛(U6)의 수납 블록(10e 내지 10h)의 최하단의 제1 수납 블록(10e)에는 2단의 냉각 플레이트(CPL9, CPL10)가 배치되고, 그 상단의 제2 수납 블록(10f)에는 2단의 냉각 플레이트(CPL11, CPL12)와 복수의 적재 선반[13(BUF1)]이 배치되고, 그 상단의 제3 수납 블록(10c)에는 2단의 냉각 플레이트(CPL13, CPL14)와 복수의 적재 선반[13(BUF2)]이 배치되고, 그리고 그 상단, 즉 최상단의 제4 수납 블록(10d)에는 2단의 냉각 플레이트(CPL15, CPL16)와 복수의 적재 선반[13(BUF3)]이 배치되는 경우에 대해 설명한다.

<레지스트막의 하측에 반사 방지막을 형성하는 반송 처리 형태>

우선, 외부로부터 캐리어(20)가 캐리어 블록(21)으로 반입되어, 트랜스퍼 아암(C)에 의해 이 캐리어(20) 내로부터 웨이퍼(W)가 취출된다. 웨이퍼(W)는 트랜스퍼 아암(C)으로부터 전달 아암(D)으로 전달된 후, 전달 아암(D)에 의해 선반 유닛(U5)의 제2 수납 블록(10b)의 냉각 플레이트(14)(CPL1)까지 반송되고, 이 냉각 플레이트(CPL1) 상에 적재되어 소정의 냉각 온도, 예를 들어 실온으로 온도 조정된다. 그 후, BCT층(B3)의 메인 아암(A3)으로 전달된다.

그리고, BCT층(B3)에서는 메인 아암(A3)에 의해, 제1 반사 방지막 형성 유닛(33) → 가열 유닛(CLHP3) → 선반 유닛(U5)의 제2 수납 블록(10b)의 적재 선반(BUF1)의 순서로 반송되어, 제1 반사 방지막이 형성된다. 제2 수납 블록(10b) 내의 적재 선반(BUF1)에 적재된 웨이퍼(W)는, 전달 아암(D)에 의해 제3 수납 블록(10c)의 냉각 플레이트[CPL3(CPL4)]로 반송되고, 이 냉각 플레이트[CPL3(CPL4)] 상에 적재되어 소정 온도(예를 들어, 실온)로 온도 조정된다.

계속해서, 제3 수납 블록(10c)의 웨이퍼(W)는 메인 아암(A3)에 의해, 도포 유닛(32) → 가열 유닛(CLHP4) → 선반 유닛(U5)의 제3 수납 블록(10c)의 적재 선반(BUF2)의 순서로 반송되어, 제1 반사 방지막의 상층에 레지스트막이 형성된다. 제3 수납 블록(10c)의 적재 선반(BUF2)에 적재된 웨이퍼(W)는 전달 아암(D)에 의해 제3 수납 블록(10c)의 냉각 플레이트[CPL3(CPL4)]로 반송되고, 이 냉각 플레이트[CPL3(CPL4)] 상에 적재되어 소정 온도(예를 들어, 실온)로 온도 조정된다.

그 후, 전달 아암(D)이 선반 유닛(U5)의 제3 수납 블록(10c)의 냉각 플레이트[CPL3(CPL4)]에 진입하여 웨이퍼(W)를 수취하고, 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS2)로 전달한다. 계속해서 셔틀 아암(A)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 스테이지(TRS5)로 반송된다. 계속해서 전달 스테이지(TRS5)의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(F)에 의해 노광 장치(S4)로 반송되어, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다.

노광 처리 후의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(F)에 의해, 선반 유닛(U6)의 전달 스테이지(TRS3) → 가열 유닛(PEB1) → 선반 유닛(U6)의 냉각 플레이트[CPL9(CPL10)] → 현상 유닛(31) → 가열 유닛(POST1)으로 반송되어, 소정의 현상 처리가 행해진다. 이와 같이 하여 현상 처리가 행해진 웨이퍼(W)는 트랜스퍼 아암(C)으로 웨이퍼(W)를 전달하기 위해, 선반 유닛(U5)의 제1 수납 블록(10a)의 냉각 플레이트[CPL7(CPL8)]로 반송되어 소정 온도로 조정된 후, 트랜스퍼 아암(C)에 의해, 캐리어 블록(S1)에 적재되어 있는 원래의 캐리어(20)로 복귀된다.

<레지스트막의 상측에 반사 방지막을 형성하는 반송 처리 형태>

우선, 외부로부터 캐리어(20)가 캐리어 블록(21)으로 반입되어, 트랜스퍼 아암(C)에 의해 이 캐리어(20) 내로부터 웨이퍼(W)가 취출된다. 웨이퍼(W)는 트랜스퍼 아암(C)에 의해, 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS1)로 반송된 후, 전달 아암(D)에 의해, 선반 유닛(U5)의 제3 수납 블록(10c)의 냉각 플레이트(CPL3)까지 반송되고, 이 냉각 플레이트(CPL3) 상에 적재되어 소정의 냉각 온도, 예를 들어 실온으로 온도 조정된다. 그 후, COT층(B4)의 메인 아암(A4)으로 전달된다. 그리고, 웨이퍼(W)는 메인 아암(A4)에 의해, 소수화 처리 유닛(ADH) → 선반 유닛(U5)의 제3 수납 블록(10c)의 냉각 플레이트(CPL4)로 반송되고, 냉각 플레이트(CPL4) 상에 적재되어 소정 온도(실온)로 온도 조정된다. 다음에, 메인 아암(A4)에 의해 선반 유닛(U5)으로부터 취출된 웨이퍼(W)는 도포 유닛(32)으로 반송되어, 도포 유닛(32)에 있어서 레지스트막이 형성된다. 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)는 메인 아암(A4)에 의해 가열 유닛(CLHP4)으로 반송되어, 용제를 레지스트막으로부터 증발시키기 위한 프리베이크가 실시된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 메인 아암(A4)에 의해 선반 유닛(U5)의 제3 수납 블록(10c)의 적재 선반(BUF2) 상에 수납되어 일시 대기한다.

계속해서, 제3 수납 블록(10c)의 웨이퍼(W)는, 전달 아암(D)에 의해 선반 유닛(U5)의 제4 수납 블록(10d)의 냉각 플레이트[CPL5(CPL6)]로 반송되고, 냉각 플레이트[CPL5(CPL6)] 상에 적재되어 소정 온도(실온)로 온도 조정된 후, 메인 아암(A5)에 의해 TCT층(B5)의 메인 아암(A5)으로 전달된다. 그리고, TCT층(B5)에서는 메인 아암(A5)에 의해, 제2 반사 방지막 형성 유닛(34) → 가열 유닛(CLHP5) → 선반 유닛(U5)의 제4 수납 블록(10c)의 적재 선반(BUF3)의 순서로 반송되어, 제2 반사 방지막이 형성된다. 또한, 이 경우, 가열 유닛(CLHP5)에 의한 가열 처리 후에 주변 노광 장치(WEE)로 반송하고, 주변 노광 처리를 행한 후에, 선반 유닛(U5)의 제4 수납 블록(10c)의 적재 선반(BUF3)으로 반송해도 좋다.

그 후, 전달 아암(D)이 선반 유닛(U5)의 제4 수납 블록(10d)의 적재 선반(BUF3)으로 진입하여 웨이퍼(W)를 수취하여, 선반 유닛(U5)의 전달 스테이지(TRS2)로 전달한다. 계속해서 셔틀 아암(A)에 의해 선반 유닛(U6)의 전달 스테이지(TRS5)로 반송된다. 계속해서 전달 스테이지(TRS5)의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(F)에 의해 노광 장치(S4)로 반송되어, 여기서 소정의 노광 처리가 행해진다.

노광 처리 후의 웨이퍼(W)는 인터페이스 아암(F)에 의해, 선반 유닛(U6)의 전달 스테이지(TRS3) → 가열 유닛(PEB1) → 선반 유닛(U6)의 냉각 플레이트[CPL9(CPL10)] → 현상 유닛(31) → 가열 유닛(POST1)으로 반송되어, 소정의 현상 처리가 행해진다. 이와 같이 하여 현상 처리가 행해진 웨이퍼(W)는 트랜스퍼 아암(C)에 웨이퍼(W)를 전달하기 위해, 선반 유닛(U5)의 제1 수납 블록(10a)의 냉각 플레이트[CPL7(CPL8)]로 반송되어 소정 온도로 조정된 후, 트랜스퍼 아암(C)에 의해, 캐리어 블록(S1)에 적재되어 있는 원래의 캐리어(20)로 복귀된다.

상기 설명에서는, 레지스트막의 하측에 반사 방지막을 형성하는 반송 처리 형태와, 레지스트막의 하측에 반사 방지막을 형성하는 반송 처리 형태에 대해 설명하였지만, 그 밖의 반송 처리 형태, 예를 들어 레지스트막의 하측 및 상측에 반사 방지막을 형성하는 반송 처리 형태나 반사 방지막이 없는 반송 처리 형태에 대해서도 상기한 반송 처리 형태의 각 공정을 조합하여 웨이퍼(W)에 처리를 실시할 수 있다.

이상에 있어서, 상술한 도포ㆍ현상 처리 장치는 각 처리 유닛의 레시피의 관리나, 웨이퍼(W)의 반송 플로우(반송 경로)의 스케줄 관리나, 각 처리 유닛에 있어서의 처리나, 메인 아암(A1, A3 내지 A5), 트랜스퍼 아암(C), 전달 아암(D, E), 인터페이스 아암(F)의 구동 제어를 행하는 컴퓨터로 이루어지는 제어부(100)를 구비하고 있고, 이 제어부(100)에서 단위 블록(B1 내지 B5)을 사용하여 웨이퍼(W)를 반송시켜, 처리가 행해지도록 되어 있다.

상기 반송 플로우의 스케줄은 단위 블록 내의 웨이퍼(W)의 반송 경로(반송의 순서)를 지정한 것으로, 단위 블록(B1 내지 B5)마다, 형성하는 도포막의 종류에 따라서 작성되고, 이에 의해 단위 블록(B1 내지 B5)마다 복수개의 반송 플로우의 스케줄이 제어부(100)에 저장되어 있다.

또한, 형성하는 도포막에 의해, 모든 단위 블록(B1 내지 B5)에 웨이퍼(W)를 반송하는 모드와, 현상 처리를 행하는 단위 블록[DEV층(B1, B2)]과 레지스트액의 도포를 행하는 단위 블록[COT층(B4)]과 제1 반사 방지막을 형성하기 위한 단위 블록[BCT층(B3)]으로 웨이퍼(W)를 반송하는 모드와, 현상 처리를 행하는 단위 블록[DEV층(B1, B2)]과 레지스트액의 도포를 행하는 단위 블록[COT층(B4)]과 제2 반사 방지막을 형성하기 위한 단위 블록[TCT층(B5)]으로 웨이퍼(W)를 반송하는 모드와, 현상 처리를 행하는 단위 블록[DEV층(B1, B2)]으로만 웨이퍼(W)를 반송하는 모드가 있고, 제어부(100)의 모드 선택 수단에 의해, 형성하고자 하는 도포막의 종류에 따라서 웨이퍼(W)를 반송하는 단위 블록을 선택하는 동시에, 또한 선택된 단위 블록마다 준비된 복수의 반송 플로우의 스케줄로부터 최적의 레시피를 선택함으로써, 형성하는 도포막에 따라서 사용하는 단위 블록이 선택되어, 당해 단위 블록에서는 각 처리 유닛이나 아암의 구동이 제어되어, 일련의 처리가 행해지도록 되어 있다.

이와 같은 도포ㆍ현상 처리 장치에서는, 캐리어 블록(S1)과 처리 블록(S2) 사이 및 처리 블록(S2)과 제2 처리 블록(S4)(노광 장치) 사이에, 각각 메인 아암(A1 내지 A5) 또는 전달 아암(D, E)으로부터 수취한 웨이퍼(W)를 적재하여 냉각하는, 지지 핀을 필요로 하지 않는 냉각 플레이트(14)를 구비하는 선반 유닛(U5, U6)(기판 수납부)을 설치하므로, 지지 핀의 승강 시간을 줄일 수 있는 동시에, 냉각 플레이트(14)에 의한 냉각 시간을 연장시킬 수 있다. 따라서, 처리량의 향상 및 처리 정밀도의 향상이 도모된다. 또한, 지지 핀의 구동 기구의 삭감을 할 수 있으므로, 냉각 플레이트(14)의 고장 리스크가 줄어, 메인터넌스를 용이하게 할 수 있고, 또한 냉각 플레이트(14)의 높이 방향의 스페이스를 작게 할 수 있어, 장치의 소형화가 도모된다.

또한, 냉각 플레이트(14)는 냉매 유체의 공급 유로(61) 및 배출 유로(62)를 갖는 베이스 블록(60)의 상부에, 공급 유로(61) 및 배출 유로(62)에 연통하는 냉매 유로(63)를 갖는 냉각 플레이트 본체(64)의 필요 수를 적층 고정하여 이루어지므로, 냉각 플레이트(14)의 탑재수를 늘릴 수 있어, 생산성의 향상을 도모할 수 있다.

또한, 상기 실시 형태에서는 본 발명에 관한 기판 열처리 장치를 반도체 웨이퍼의 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템에 적용한 경우에 대해 설명하였지만, 본 발명에 관한 기판 열처리 장치는 FPD 기판의 레지스트 도포ㆍ현상 처리 시스템에도 적용할 수 있는 것은 물론이다.

또한, 상기 실시 형태에서는 열처리 플레이트가 냉매의 유로를 갖는 냉각 플레이트(14)로 형성되는 경우에 대해 설명하였지만, 소정의 온도로 설정된 열매체를 유로 내에 공급하여 기판을 소정 온도로 가열 또는 유지하는 가열 플레이트로 열처리 플레이트를 형성해도 좋다.

또한, 상기 실시 형태에서는 열처리 플레이트, 예를 들어 냉각 플레이트(14)에 소정의 온도의 냉매를 공급하여 웨이퍼(W)를 냉각하는 경우에 대해 설명하였지만, 열처리 플레이트에 다른 온도의 열매체를 절환 가능하게 공급하도록 해도 좋다. 예를 들어, 도 14에 도시한 바와 같이, 공급 유로(61a) 및 배출 유로(62a)의 적어도 공급 유로(61a)의 공급구(60a)와, 다른 온도의 열매체의 공급원(3, 4)을 온도 절환 기구, 예를 들어 절환 밸브(6)를 개재 설치한 열매체 공급관로(8)에 의해 접속하여, 열처리 플레이트(14B)에 다른 온도의 열매체를 절환 가능하게 공급하도록 해도 좋다. 또한, 이 경우, 절환 밸브(6)를 절환 조작하여 복수의 열매체 공급원(3, 4)으로부터 다른 온도의 열매체를 열처리 플레이트(14B)에 공급하고 있지만, 반드시 이 구조로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도 15에 도시한 바와 같이, 열처리 플레이트(14B)의 공급 유로(61a) 및 배출 유로(62a)의 적어도 공급 유로(61a)의 공급구(60a)와, 하나의 열매체 공급원(5)을 접속하는 열매체 공급관로(8A)에 온도 절환 기구인 온도 조절 기구(7)를 개재 설치하고, 예를 들어 제어부(100)로부터의 제어 신호에 기초하여 온도 조절 기구(7)를 온도 조절 제어함으로써 열매체를 소정의 온도로 설정하여, 열처리 플레이트(14B)에 공급하도록 해도 좋다.

W : 반도체 웨이퍼(기판)
1 : 동제 박판
1a : 최상층 박판
1b : 최하층 박판
3, 4, 5 : 열매체 공급원
6 : 절환 밸브(온도 절환 기구)
7 : 온도 조절 기구(온도 절환 기구)
8, 8A : 열매체 공급관로
14 : 냉각 플레이트(열처리 플레이트)
14B : 열처리 플레이트
60a : 공급구
61, 61a : 공급 유로
62, 62a : 배출 유로
63 : 냉매 유로(열매체 유로)
64 : 냉각 플레이트 본체
64e : 프록시미티 핀(지지 핀)
64f : 흡착용 구멍
64h : 설치 구멍
67 : 기판 흡착 플레이트
67d : 흡인 유로

Claims

적재된 기판을 보유 지지하면서 상기 기판을 소정 온도로 열처리하는 열처리 플레이트를 구비하는 기판 열처리 장치이며,
상기 열처리 플레이트는 복수의 열전도성 재료로 이루어지는 박판을 적층하여 이루어지고, 또한 상기 박판을 적층함으로써 개설되는, 열매체의 공급 유로, 배출 유로 및 이들 유로에 연통하는 열매체 유로와 흡착용 구멍을 형성하는 열처리 플레이트 본체를 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 열처리 장치.
제1항에 있어서, 복수의 열전도성 재료로 이루어지는 박판을 적층하여 이루어지고, 또한 상기 박판을 적층함으로써 개설되어, 상기 흡착용 구멍에 연통하는 흡인 유로를 형성하는 기판 흡착 플레이트를 더 구비하는 것을 특징으로 하는, 기판 열처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열처리 플레이트의 최상층 및 최하층의 박판이 내부층의 박판에 비해 내강도성을 갖는 재료로 이루어지는 박판인 것을 특징으로 하는, 기판 열처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 열처리 플레이트 본체의 최상층 및 최하층의 박판이 내부층의 박판에 비해 내강도성을 갖는 재료로 이루어지는 박판인 것을 특징으로 하는, 기판 열처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열처리 플레이트에 있어서의 상부측의 복수의 박판에 있어서의 임의의 복수 개소에 설치 구멍을 형성하고, 이 설치 구멍에 기판을 지지하는 지지 핀을 끼워 맞추어 세워 설치하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 기판 열처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 박판이 동제 박판인 것을 특징으로 하는, 기판 열처리 장치.
제3항에 있어서, 상기 최상층 및 최하층의 박판이 스테인리스, 티탄 또는 니켈제 박판이고, 상기 내부층의 박판이 동제 박판인 것을 특징으로 하는, 기판 열처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 박판끼리가 확산 접합으로 결합되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 열처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 공급 유로 및 배출 유로의 적어도 공급 유로의 공급구와 열매체 공급원을, 온도 절환 기구를 개재 설치한 공급관로에 의해 접속하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 기판 열처리 장치.
제4항에 있어서, 상기 최상층 및 최하층의 박판이 스테인리스, 티탄 또는 니켈제 박판이고, 상기 내부층의 박판이 동제 박판인 것을 특징으로 하는, 기판 열처리 장치.