KR20210033897A - 웨이퍼의 처리 방법 및 칩 측정 장치 - Google Patents

웨이퍼의 처리 방법 및 칩 측정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210033897A
KR20210033897A KR1020200111903A KR20200111903A KR20210033897A KR 20210033897 A KR20210033897 A KR 20210033897A KR 1020200111903 A KR1020200111903 A KR 1020200111903A KR 20200111903 A KR20200111903 A KR 20200111903A KR 20210033897 A KR20210033897 A KR 20210033897A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chip
wafer
tape
pickup
measuring
Prior art date
Application number
KR1020200111903A
Other languages
English (en)
Inventor
다카시 모리
마코토 고바야시
오키토 우메하라
가즈나리 다무라
Original Assignee
가부시기가이샤 디스코
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시기가이샤 디스코 filed Critical 가부시기가이샤 디스코
Publication of KR20210033897A publication Critical patent/KR20210033897A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67271—Sorting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(과제) 제품이 된 칩의 항절 강도 등의 특성을 입수할 수 있는 기술을 제공한다.
(해결 수단) 표면의 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 웨이퍼의 처리 방법이 제공된다. 이 웨이퍼의 처리 방법은, 웨이퍼의 이면에 테이프를 첩착함과 함께 테이프의 외주를 환상 프레임에 장착하여 웨이퍼와 테이프와 환상 프레임을 갖는 웨이퍼 유닛을 형성하는 웨이퍼 유닛 형성 스텝과, 웨이퍼를 분할 예정 라인을 따라 분할하여 복수의 칩 (디바이스 칩) 을 형성하는 분할 스텝과, 웨이퍼 유닛으로부터 칩을 픽업하는 픽업 스텝과, 픽업 스텝에서 픽업한 칩을 측정하는 측정 스텝을 포함한다. 픽업 스텝을 실시하기 전에, 디바이스의 특성을 각각 검사하여 양호 디바이스와 불량 디바이스를 판별하여 판별 결과를 기억하는 판별 스텝을 실시한다. 측정 스텝에서는, 판별 결과에 기초하여, 픽업 스텝에서 픽업한 디바이스 칩이 불량 디바이스를 포함하는 경우에 칩을 파괴하여 항절 강도를 측정한다.

Description

웨이퍼의 처리 방법 및 칩 측정 장치{TREATMENT METHOD OF WAFER AND CHIP MEASUREMENT APPARATUS}
본 발명은, 반도체 웨이퍼의 처리 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼의 이면 마무리 상태나 다이싱 조건 등은, 개편화된 칩의 항절 강도에 영향을 주는 것이 알려져 있어, 웨이퍼의 품종마다 가공 조건을 선정할 때에는 칩의 항절 강도나 치핑 등을 미리 측정하고, 측정값을 고려한 후에 최적의 가공 조건이 선정된다. 특허문헌 1 에서는, 웨이퍼의 가공이 칩의 항절 강도에 영향을 주는 것을 감안하여, 항절 강도를 저하시키지 않기 위한 가공 방법이 개시되어 있다.
그리고, 항절 강도의 측정은, 3 점 굽힘 시험에 의해 실시되는 것인데, 압자를 가압하여 칩을 파괴하는 시험이기 때문에, 종래에는 제품이 되는 웨이퍼가 아니라 더미 웨이퍼를 사용하여 항절 강도를 측정하고, 이 측정 결과를 참조하여 제품이 되는 웨이퍼의 가공 조건의 선정이 실시되고 있었다.
일본 공개특허공보 2009-094326호
현재, 차재 반도체를 중심으로 칩 (디바이스 칩) 의 트레이서빌리티 (추적 가능성) 의 중요성이 강조되기 시작하고 있다. 즉, 칩마다 ID 를 부여해 둠으로써, 제품에 장착된 칩에 문제가 발생했을 때에는, 그 칩에 실시된 가공이나 그 칩의 특성을 참조 가능하게 하는 것이 요구되고 있다.
이와 같은 트레이서빌리티의 실현을 위해서는, 더미 웨이퍼의 항절 강도 등의 특성이 아니라, 제품이 된 칩 그 자체의 특성, 즉, 제품이 된 칩이 존재하고 있었던 웨이퍼 그 자체의 특성을 기록해 둘 필요가 있다.
본 발명은, 이상의 문제를 감안하여, 제품이 된 칩의 항절 강도 등의 특성을 입수할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양태에 의하면, 표면의 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 웨이퍼의 처리 방법으로서, 웨이퍼의 이면에 테이프를 첩착함과 함께 그 테이프의 외주를 환상 프레임에 장착하여 그 웨이퍼와 그 테이프와 그 환상 프레임을 갖는 웨이퍼 유닛을 형성하는 웨이퍼 유닛 형성 스텝과, 그 웨이퍼 유닛 형성 스텝을 실시하기 전 또는 후에, 그 웨이퍼를 그 분할 예정 라인을 따라 분할하여 복수의 디바이스 칩을 형성하는 분할 스텝과, 그 분할 스텝과 그 웨이퍼 유닛 형성 스텝을 실시한 후, 그 웨이퍼 유닛으로부터 그 디바이스 칩을 픽업하는 픽업 스텝과, 그 픽업 스텝에서 픽업한 그 디바이스 칩을 측정하는 측정 스텝을 포함하고, 그 픽업 스텝을 실시하기 전에, 그 디바이스의 특성을 각각 검사하여 양호 디바이스와 불량 디바이스를 판별하여 판별 결과를 기억하는 판별 스텝을 실시하고, 그 측정 스텝에서는, 그 판별 결과에 기초하여, 그 픽업 스텝에서 픽업한 그 디바이스 칩이 불량 디바이스를 포함하는 경우에 그 디바이스 칩을 파괴하여 항절 강도를 측정하고, 그 픽업 스텝에서 픽업한 그 디바이스 칩이 양호 디바이스를 포함하는 경우에 그 디바이스 칩의 치핑과 이면 조도와 측면 조도 중 어느 하나 또는 복수를 측정하는, 웨이퍼의 처리 방법이 제공된다.
또, 본 발명의 일 양태에 있어서, 그 측정 스텝을 실시한 후, 그 픽업 스텝에서 픽업한 그 디바이스 칩이 양호 디바이스를 포함하는 경우에 그 디바이스 칩을 칩 수용구에 수용하는 수용 스텝을 추가로 포함하는 경우가 있다.
또, 본 발명의 다른 일 양태에 의하면, 검사 대상이 되는 디바이스 칩의 양호 디바이스, 또는, 불량 디바이스의 속성 정보를 참조하는 컨트롤러와, 그 디바이스 칩이 불량 디바이스인 것의 속성 정보를 그 컨트롤러가 인식했을 때에, 그 디바이스 칩을 파괴하여 항절 강도를 측정하기 위한 강도 측정 기구와, 그 디바이스 칩이 양호 디바이스인 것의 속성 정보를 그 컨트롤러가 인식했을 때에, 치핑과 이면 조도와 측면 조도 중 어느 하나 또는 복수를 측정하기 위한 칩 관찰 기구를 구비하는 칩 측정 장치가 제공된다.
본 발명의 일 양태 및 다른 일 양태에 의하면,「불량 디바이스」의 칩을 이용하여 항절 강도를 측정함으로써, 당해 항절 강도를「양호 디바이스」의 칩의 속성 정보로서 부가할 수 있다. 이로써, 제품이 되기 때문에 파괴할 수 없는「양호 디바이스」로 판별된 칩에 대해, 항절 강도의 속성 정보를 얻을 수 있다. 이 항절 강도는, 동일 웨이퍼에 존재하고 있었던「불량 디바이스」의 측정 결과로서 신뢰성이 높아,「양호 디바이스」로 판별된 칩의 항절 강도로서 대체 이용할 수 있는 것이다. 또,「양호 디바이스」로 판별된 칩에 대해서는, 치핑과 이면 조도와 측면 조도의 정보도 취득할 수 있다.
도 1 은 픽업 장치의 구성에 대해 일부 구성을 생략한 사시도이다.
도 2 는 픽업 장치의 구성에 대해 일부 구성을 생략한 사시도이다.
도 3 은 절삭 가공된 후의 웨이퍼를 유지하는 웨이퍼 유닛의 구성에 대해 설명하는 도면이다.
도 4 는 웨이퍼 촬상 카메라에 의한 웨이퍼의 촬상에 대해 설명하는 도면이다.
도 5(A) 는 밀어올림 기구의 상방에 배치된 웨이퍼 유닛을 나타내는 단면도이다. 도 5(B) 는 밀어올림 기구의 일부를 확대하여 나타내는 단면도이다.
도 6 은 픽업 기구를 나타내는 사시도이다.
도 7(A) 는 밀어올림 기구에 의해 테이프가 흡인된 상태의 웨이퍼 유닛을 나타내는 단면도이다. 도 7(B) 는 밀어올림 기구에 의해 칩이 밀어올려진 상태의 웨이퍼 유닛을 나타내는 단면도이다. 도 7(C) 는 콜릿에 의해 칩이 픽업된 상태의 웨이퍼 유닛을 나타내는 단면도이다.
도 8(A) 는 하면 관찰 기구를 나타내는 사시도이다. 도 8(B) 는 아암의 제 2 지지부를 유지하는 하면 관찰 기구를 나타내는 사시도이다.
도 9(A) 는 칩의 하면을 촬상하는 촬상 유닛을 나타내는 정면도이다. 도 9(B) 는 칩의 측면을 촬상하는 촬상 유닛을 나타내는 정면도이다.
도 10(A) 는 칩 반전 기구를 나타내는 사시도이다. 도 10(B) 는 칩을 유지하는 칩 반전 기구를 나타내는 사시도이다. 도 10(C) 는 칩을 반전시킨 칩 반전 기구를 나타내는 사시도이다.
도 11(A) 는 칩을 강도 측정 기구에 세팅한 상태에 대해 설명하는 도면이다. 도 11(B) 는 압자로 칩을 가압하는 상태에 대해 설명하는 도면이다. 도 11(C) 는 칩이 파괴된 상태에 대해 설명하는 도면이다.
도 12 는, 웨이퍼의 처리 방법의 일례에 대해 나타내는 플로 차트이다.
도 13 은, 프로버에 의해 전기적 특성을 시험하는 것에 대해 설명하는 도면이다.
도 14 는, 분할 가공 전의 웨이퍼를 테이프에 첩착한 웨이퍼 유닛에 대해 설명하는 도면이다.
도 15 는, 분할 스텝의 일례에 대해 설명하는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다.
도 1 및 도 2 는, 픽업 장치 (2) 의 구성에 대해 나타내는 도면이다.
픽업 장치 (2) 는, 픽업 장치 (2) 를 구성하는 각 구성 요소를 지지하는 기대 (4) 를 구비한다. 기대 (4) 의 일측 모서리부에는 카세트 재치대 (載置臺) (5) 가 형성되어 있고, 카세트 재치대 (5) 에는 카세트 (5a) 가 재치된다. 이 카세트 (5a) 에는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 절삭 가공 등에 의해 칩 (23) 으로 개편화된 상태의 웨이퍼 (13) 를 테이프 (19) 를 개재하여 환상 프레임 (21) 으로 유지한 웨이퍼 유닛 (11) 이 복수 장 수용된다.
도 1 에 나타내는 카세트 재치대 (5) 에 인접하는 위치에는, 웨이퍼 유닛을 2 단으로 임시 거치 가능한 임시 거치 기구 (10) 가 형성되어 있다. 임시 거치 기구 (10) 는, 서로 평행하게 배치된 1 쌍의 가이드 레일 (12) 을 구비한다. 1 쌍의 가이드 레일 (12) 은 각각, 2 단의 선반을 형성하기 위해 구성되고, X 축 방향 (제 1 수평 방향, 좌우 방향) 및 Y 축 방향 (제 2 수평 방향, 전후 방향) 과 대체로 평행한 제 1 지지면 (12a) 및 제 2 지지면 (12b) 을 구비한다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 제 1 지지면 (12a) 은 각각, 제 2 지지면 (12b) 의 상방에서 제 2 지지면 (12b) 과 중첩되도록 배치되어 있다. 그리고, 1 쌍의 제 1 지지면 (12a) 과 1 쌍의 제 2 지지면 (12b) 은 각각, 웨이퍼 유닛의 단부 (端部) (환상 프레임 (21) (도 3)) 의 하면측을 지지한다. 예를 들어, 1 쌍의 제 1 지지면 (12a) 은 카세트 재치대 (5) 로부터 반송된 웨이퍼 유닛을 지지하고, 1 쌍의 제 2 지지면 (12b) 은 후술하는 프레임 고정 기구 (14) 로부터 반송된 웨이퍼 유닛을 지지한다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 임시 거치 기구 (10) 에 인접하는 위치에는, 프레임 고정 기구 (14) 가 형성된다. 프레임 고정 기구 (14) 는, 환상 프레임 (도 3) 의 하면측을 지지하는 프레임 지지부 (16) 와, 프레임 지지부 (16) 의 상방에 배치되고 환상 프레임 (도 3) 의 상면측과 접촉하는 프레임 누름부 (18) 를 구비한다. 프레임 지지부 (16) 와 프레임 누름부 (18) 는 각각, 환상 프레임 (도 3) 의 형상에 대응하여 환상으로 형성되고, 서로 중첩되도록 배치된다.
도 1 에 나타내는 프레임 지지부 (16) 는, Z 축 방향 (연직 방향, 상하 방향) 을 따라 이동 가능하게 구성되어 있다. 환상 프레임 (21) (도 3) 이 프레임 지지부 (16) 에 의해 지지되도록 웨이퍼 유닛을 배치한 상태에서, 프레임 지지부 (16) 를 상방으로 이동시키면, 환상 프레임 (21) (도 3) 이 프레임 지지부 (16) 와 프레임 누름부 (18) 에 의해 협지되어 고정된다.
또한, 환상 프레임 (21) (도 3) 이 프레임 고정 기구 (14) 에 의해 적절히 고정되어 있는지의 여부는, 예를 들어, 프레임 지지부 (16) 와 프레임 누름부 (18) 가 환상 프레임 (도 3) 을 개재하여 도통하고 있는지의 여부를 검출함으로써 확인된다.
또, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 임시 거치 기구 (10) 및 프레임 지지부 (16) 의 상방에는, 카세트 재치대 (5) 와 프레임 고정 기구 (14) 사이에서 웨이퍼 유닛 (11) (도 3) 을 반송하는 반송 기구 (반송 수단) (20) 가 형성되어 있다. 반송 기구 (20) 는, Y 축 방향 및 Z 축 방향을 따라 이동 가능하게 구성되어 있고, 웨이퍼 유닛 (11) 의 환상 프레임 (21) (도 3) 을 상하로부터 파지하는 제 1 파지부 (22a) 및 제 2 파지부 (22b) 를 구비한다. 또한, 제 1 파지부 (22a) 는 반송 기구 (20) 의 카세트 재치대 (5) 측에 형성되어 있고, 제 2 파지부 (22b) 는 반송 기구 (20) 의 프레임 고정 기구 (14) 측에 형성되어 있다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 카세트 재치대 (5) 로부터 웨이퍼 유닛 (11) (도 3) 을 반출할 때에는, 카세트 재치대 (5) 에 수용된 웨이퍼 유닛 (11) (도 3) 의 단부를 제 1 파지부 (22a) 로 파지한 상태에서, 반송 기구 (20) 를 Y 축 방향을 따라 임시 거치 기구 (10) 측으로 이동시킨다. 이로써, 웨이퍼 유닛 (11) (도 3) 이 카세트 재치대 (5) 로부터 인출되어, 임시 거치 기구 (10) 가 구비하는 1 쌍의 제 1 지지면 (12a) 상 (상단) 에 배치된다. 그 후, 제 1 파지부 (22a) 에 의한 파지를 해제한다.
다음으로, 웨이퍼 유닛 (11) (도 3) 의 카세트 재치대 (5) 측의 단부를 반송 기구 (20) 의 제 2 파지부 (22b) 로 파지한 상태에서, 반송 기구 (20) 를 Y 축 방향을 따라 프레임 고정 기구 (14) 측으로 이동시킨다. 이로써, 웨이퍼 유닛 (11) (도 3) 이 프레임 지지부 (16) 와 프레임 누름부 (18) 사이로 반송되고, 환상 프레임 (21) (도 3) 이 프레임 지지부 (16) 에 의해 지지된다.
또한, 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 프레임 누름부 (18) 의 임시 거치 기구 (10) 측에는, 프레임 누름부 (18) 가 절결되어 형성된 절결부 (18a) 가 형성되어 있다. 이 절결부 (18a) 는, 반송 기구 (20) 가 통과 가능한 크기로 구성되어 있다. 이로써, 웨이퍼 유닛 (11) (도 3) 이 프레임 고정 기구 (14) 에 반송될 때에, 반송 기구 (20) 가 프레임 누름부 (18) 와 접촉하는 것을 방지할 수 있다.
그 후, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 제 2 파지부 (22b) 에 의한 파지를 해제하고, 프레임 지지부 (16) 를 상방으로 이동시킨다. 이로써, 환상 프레임 (21) (도 3) 이 프레임 지지부 (16) 와 프레임 누름부 (18) 에 의해 협지되어 고정된다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 프레임 고정 기구 (14) 는, 프레임 고정 기구 (14) 의 위치를 제어하는 위치 설정 기구 (30) 에 지지되어 있다. 위치 설정 기구 (30) 는, 프레임 고정 기구 (14) 를 X 축 방향을 따라 이동시키는 X 축 이동 기구 (32) 와, 프레임 고정 기구 (14) 를 Y 축 방향을 따라 이동시키는 Y 축 이동 기구 (42) 를 구비한다. X 축 이동 기구 (32) 및 Y 축 이동 기구 (42) 에 의해, 프레임 고정 기구 (14) 의 수평 방향에 있어서의 위치가 제어된다.
X 축 이동 기구 (32) 는, 기대 (4) 상에 X 축 방향을 따라 배치된 1 쌍의 가이드 레일 (34) 을 구비한다. 1 쌍의 가이드 레일 (34) 의 사이에는, 1 쌍의 가이드 레일 (34) 과 대체로 평행하게 배치된 볼 나사 (36) 가 형성되어 있다. 또, 볼 나사 (36) 의 일단부에는, 볼 나사 (36) 를 회전시키는 펄스 모터 (38) 가 연결되어 있다.
1 쌍의 가이드 레일 (34) 상에는, 이동 블록 (40) 이 슬라이드 가능하게 배치되어 있다. 이동 블록 (40) 의 하면측 (이면측) 에는 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부는 볼 나사 (36) 에 나사 결합되어 있다. 펄스 모터 (38) 에 의해 볼 나사 (36) 를 회전시키면, 이동 블록 (40) 이 1 쌍의 가이드 레일 (34) 을 따라 X 축 방향으로 이동한다.
Y 축 이동 기구 (42) 는, 이동 블록 (40) 상에 Y 축 방향을 따라 배치된 1 쌍의 가이드 레일 (44) 을 구비한다. 1 쌍의 가이드 레일 (44) 의 사이에는, 1 쌍의 가이드 레일 (44) 과 대체로 평행하게 배치된 볼 나사 (46) 가 형성되어 있다. 또, 볼 나사 (46) 의 일단부에는, 볼 나사 (46) 를 회전시키는 펄스 모터 (48) 가 연결되어 있다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 1 쌍의 가이드 레일 (44) 상에는, 프레임 고정 기구 (14) 가 슬라이드 가능하게 배치되어 있다. 프레임 고정 기구 (14) 의 지지부 (14f) 에는 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부는 볼 나사 (46) 에 나사 결합되어 있다. 펄스 모터 (48) 에 의해 볼 나사 (46) 를 회전시키면, 프레임 고정 기구 (14) 가 1 쌍의 가이드 레일 (44) 을 따라 Y 축 방향으로 이동한다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 이동 블록 (40) 은, 판상으로 구성되어 있고, 프레임 고정 기구 (14) 의 하방의 위치에 있어서, 상하 방향으로 관통하는 개구부 (41) 를 가지고 있다. 이 개구부 (41) 를 통해서, 후술하는 밀어올림 기구 (50) 에 의한 하방으로부터의 밀어올림이 가능해진다.
기대 (4) 에 있어서 1 쌍의 가이드 레일 (36) 에 의해 협지된 영역에는, 사각형상의 개구 (4b) 가 형성되어 있다. 이 개구 (4b) 의 내부에는, 웨이퍼 유닛 (11) 의 웨이퍼 (13) 에 포함되는 칩 (23) (도 3) 을 하면측으로부터 상방을 향하여 밀어올리는 원통상의 밀어올림 기구 (밀어올림 수단) (50) 가 형성되어 있다. 밀어올림 기구 (50) 는, 에어 실린더 등으로 구성되는 승강 기구 (도시 생략) 와 접속되어 있고, Z 축 방향을 따라 승강한다.
웨이퍼 유닛 (11) (도 3) 의 환상 프레임 (21) 을 프레임 고정 기구 (14) 에 의해 고정시킨 상태에서, 위치 설정 기구 (30) 에 의해 프레임 고정 기구 (14) 를 X 축 방향을 따라 이동시키면, 웨이퍼 유닛 (11) 이 개구 (4b) 상에 위치 설정된다.
도 1, 도 2 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 프레임 고정 기구 (14) 를 밀어올림 기구 (50) 의 상방으로까지 이동시키는 경로에는, 프레임 고정 기구 (14) 에 의해 고정된 환상 프레임 (21) 에 첩착된 웨이퍼 (13) (도 4) 의 상면을 촬상하는 촬상 수단으로서의 웨이퍼 촬상 카메라 (60) 가 형성된다.
웨이퍼 촬상 카메라 (60) 에 의한 촬상은, 프레임 고정 기구 (14) 에 고정된 상태에서 실시되는 것 외에, 프레임 고정 기구 (14) 에 고정되기 전의 반송 기구 (20) 에 의해 반송되는 타이밍, 임시 거치 기구 (10) 에 재치된 타이밍, 카세트 재치대 (5) 에 재치된 타이밍 등에서 실시되어도 된다. 또, 웨이퍼 촬상 카메라 (60) 의 배치도, 각 타이밍에 대응하는 적절한 위치에 따라 설계될 수 있다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 개구 (4b) 의 상방에 위치 설정된 프레임 고정 기구 (14) 는, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 픽업하는 칩 (23) 의 위치를 밀어올림 기구 (50) 의 바로 위에 위치 맞춤하기 위해서, 위치 설정 기구 (30) (도 1, 도 2) 에 의해 위치 조정이 된다.
도 5(A) 는, 밀어올림 기구 (50) 의 상방에 배치된 웨이퍼 유닛 (11) 을 나타내는 단면도이다. 밀어올림 기구 (50) 는, 중공의 원기둥상으로 형성된 외층부 (52) 와, 외층부 (52) 의 내부에 배치된 사각기둥상의 밀어올림부 (54) 를 구비한다.
도 5(B) 는, 밀어올림 기구 (50) 의 일부를 확대하여 나타내는 단면도이다. 외층부 (52) 의 상면 (52a) 측에는, 외층부 (52) 의 둘레 방향을 따라 동심원상으로 형성된 복수의 흡인 홈 (52b) 이 형성되어 있다. 흡인 홈 (52b) 은 각각, 밀어올림 기구 (50) 의 내부에 형성된 흡인로 (도시 생략) 및 밸브 (56) (도 5(A)) 를 개재하여, 이젝터 등으로 이루어지는 흡인원 (58) 에 접속되어 있다.
또, 밀어올림부 (54) 는, 사각기둥상으로 형성된 제 1 밀어올림 핀 (54a) 과, 중공의 사각기둥상으로 형성되고 제 1 밀어올림 핀 (54a) 을 둘러싸는 제 2 밀어올림 핀 (54b) 과, 중공의 사각기둥상으로 형성되고 제 2 밀어올림 핀 (54b) 을 둘러싸는 제 3 밀어올림 핀 (54c) 과, 중공의 사각기둥상으로 형성되고 제 3 밀어올림 핀 (54c) 을 둘러싸는 제 4 밀어올림 핀 (54d) 을 구비한다. 제 1 밀어올림 핀 (54a), 제 2 밀어올림 핀 (54b), 제 3 밀어올림 핀 (54c), 제 4 밀어올림 핀 (54d) 은 각각, 모터 등으로 구성되는 승강 기구 (도시 생략) 와 접속되어 있고, Z 축 방향을 따라 승강한다.
웨이퍼 유닛 (11) 이 밀어올림 기구 (50) 의 상방에 위치 설정된 상태에서, 밀어올림 기구 (50) 를 상승시키면, 밀어올림 기구 (50) 와 중첩되는 위치에 배치된 칩 (23) 이 밀어올려진다. 또한, 밀어올림 기구 (50) 의 치수는, 칩 (23) 의 사이즈에 따라 적절히 조정된다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 밀어올림 기구 (50) 에 의해 밀어올려진 칩 (23) 은, 픽업 기구 (70) 에 의해 픽업된다. 픽업 기구 (70) 는, 밀어올림 기구 (50) 에 의해 밀어올려진 칩 (23) 을 픽업하는 콜릿 (76) 을 구비함과 함께, 콜릿 (76) 의 위치를 제어하는 콜릿 이동 기구 (콜릿 이동 수단) (80) 에 접속되어 있다.
도 6 은, 픽업 기구 (70) 를 나타내는 사시도이다. 픽업 기구 (70) 는, 콜릿 이동 기구 (80) 에 접속되는 이동 기대 (72) 와, 이동 기대 (72) 로부터 콜릿 이동 기구 (80) 와는 반대측을 향하여 X 축 방향을 따르도록 배치되고, 콜릿 (76) 과 콜릿 이동 기구 (80) 를 접속하는 기둥상의 아암 (74) 을 구비한다. 아암 (74) 은, 이동 기대 (72) 를 개재하여 콜릿 이동 기구 (80) 와 접속된 기둥상의 제 1 지지부 (74a) 와, 제 1 지지부 (74a) 의 선단부로부터 하방을 향하여 돌출하는 제 2 지지부 (74b) 를 구비한다.
또한, 제 1 지지부 (74a) 와 제 2 지지부 (74b) 는, 서로 결합 및 분리 가능하게 구성되어 있다. 예를 들어, 제 1 지지부 (74a) 및 제 2 지지부 (74b) 는, 툴 체인저 등에 의해 서로 자유롭게 착탈할 수 있도록 구성된다. 또, 제 1 지지부 (74a) 는 X 축 방향 이동 기구 (74d) 에 의해 X 축 방향으로 이동하도록 구성되어 있고, 이로써, 제 2 지지부 (74b) 가 X 축 방향으로 이동 가능하게 구성된다. 이로써, 후술하는 칩 수용구 (501) 내로의 수용시에, X 축 방향의 수용 위치가 선택 가능해진다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 제 2 지지부 (74b) 의 하단측에는, 칩 (23) (도 3) 을 유지하는 콜릿 (76) 이 고정되어 있다. 콜릿 (76) 의 하면은, 칩 (23) 을 흡인 유지하는 흡인면 (76a) 을 구성한다. 흡인면 (76a) 은, 콜릿 (76) 의 내부에 형성된 흡인로 (도시 생략) 를 통하여 흡인원 (도시 생략) 과 접속되어 있다. 콜릿 (76) 의 흡인면 (76a) 에 칩 (23) 을 접촉시킨 상태에서, 흡인면 (76a) 에 흡인원의 부압을 작용시킴으로써, 칩 (23) 이 콜릿 (76) 에 의해 흡인 유지된다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 픽업 기구 (70) 는, 콜릿 이동 기구 (80) 에 접속되어 있다. 콜릿 이동 기구 (80) 는, 픽업 기구 (70) 를 Y 축 방향을 따라 이동시키는 Y 축 이동 기구 (82) 와, 픽업 기구 (70) 를 Z 축 방향을 따라 이동시키는 Z 축 이동 기구 (92) 를 구비한다. Y 축 이동 기구 (82) 및 Z 축 이동 기구 (92) 에 의해, 콜릿 (76) 의 Y 축 방향 및 Z 축 방향에 있어서의 위치가 제어된다.
Y 축 이동 기구 (82) 는, Y 축 방향을 따라 배치된 1 쌍의 가이드 레일 (84) 을 구비한다. 1 쌍의 가이드 레일 (84) 의 사이에는, 1 쌍의 가이드 레일 (84) 과 대체로 평행하게 배치된 볼 나사 (86) 가 형성되어 있다. 또, 볼 나사 (86) 의 일단부에는, 볼 나사 (86) 를 회전시키는 펄스 모터 (88) 가 연결되어 있다.
1 쌍의 가이드 레일 (84) 에는, 이동 블록 (90) 이 슬라이드 가능하게 장착되어 있다. 또, 이동 블록 (90) 에는 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부는 볼 나사 (86) 에 나사 결합되어 있다. 펄스 모터 (88) 에 의해 볼 나사 (86) 를 회전시키면, 이동 블록 (90) 이 1 쌍의 가이드 레일 (84) 을 따라 Y 축 방향으로 이동한다.
도 2 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, Z 축 이동 기구 (92) 는, 이동 블록 (90) 의 측면에 Z 축 방향을 따라 배치된 1 쌍의 가이드 레일 (94) 을 구비한다. 1 쌍의 가이드 레일 (94) 의 사이에는, 1 쌍의 가이드 레일 (94) 과 대체로 평행하게 배치된 볼 나사 (96) 가 형성되어 있다. 또, 볼 나사 (96) 의 일단부에는, 볼 나사 (96) 를 회전시키는 펄스 모터 (98) 가 연결되어 있다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 1 쌍의 가이드 레일 (94) 에는, 픽업 기구 (70) 의 이동 기대 (72) 가 슬라이드 가능하게 장착되어 있다. 또, 이동 기대 (72) 에는 너트부 (도시 생략) 가 형성되어 있고, 이 너트부는 볼 나사 (96) 에 나사 결합되어 있다. 펄스 모터 (98) 에 의해 볼 나사 (96) 를 회전시키면, 이동 기대 (72) 가 1 쌍의 가이드 레일 (94) 을 따라 Z 축 방향으로 이동한다.
이상과 같이 구성된 픽업 기구 (70) 에 의해, 밀어올림 기구 (50) 에 의해 밀어올린 칩 (23) 을 픽업한다. 이하, 웨이퍼 (13) 로부터 소정의 칩 (23) 을 픽업할 때의 밀어올림 기구 (50) 및 콜릿 (76) 의 동작예에 대해 설명한다.
도 5(A) 에 나타내는 바와 같이, 먼저, 프레임 고정 기구 (14) 에 의해 고정된 웨이퍼 유닛 (11) 을 위치 설정 기구 (30) 에 의해 이동시켜, 밀어올림 기구 (50) 의 상방에 배치한다. 이어서, 웨이퍼 촬상 카메라 (60) 에 의해 촬상된 촬상 화상에 기초하여, 픽업되는 소정의 칩 (23) 이 밀어올림 기구 (50) 의 위치와 중첩되도록, 프레임 고정 기구 (14) 의 위치를 조정한다. 또한, 이 때 픽업 기구 (70) 의 콜릿 (76) 은, 밀어올림 기구 (50) 의 상면 (50a) 과 대향하는 위치 (중첩되는 위치) 에 배치된다 (도 7(A) 참조).
다음으로, 도 7(A) 에 나타내는 바와 같이, 밀어올림 기구 (50) 를 상방으로 이동시켜, 밀어올림 기구 (50) 의 상면 (50a) 을 칩 (23) 의 이면측에 첩착된 테이프 (19) 에 접촉시킨다. 이 상태에서, 밸브 (56) 를 열어, 흡인 홈 (52b) (도 5(B) 참조) 을 통하여 외층부 (52) 의 상면 (52a) 에 흡인원 (58) 의 부압을 작용시킨다. 이로써, 테이프 (19) 의 밀어올림 기구 (50) 와 접촉하는 영역이 흡인된다. 도 7(A) 는, 밀어올림 기구 (50) 에 의해 테이프 (19) 가 흡인된 상태의 웨이퍼 유닛 (11) 을 나타내는 단면도이다.
다음으로, 도 7(B) 에 나타내는 바와 같이, 밀어올림 기구 (50) 의 밀어올림부 (54) 를 상방으로 이동시키고, 테이프 (19) 를 개재하여 칩 (23) 의 하면측을 상방을 향하여 밀어올린다. 이 때, 밀어올림부 (54) 를 구성하는 제 1 밀어올림 핀 (54a), 제 2 밀어올림 핀 (54b), 제 3 밀어올림 핀 (54c), 제 4 밀어올림 핀 (54d) (도 5(B) 참조) 은 각각, 상단이 밀어올림 기구 (50) 의 중심에 가까울수록 상방에 배치되도록 이동한다. 밀어올림 기구 (50) 에 의해 밀어올려진 칩 (23) 은, 다른 칩 (23) 보다 상방에 배치된 상태가 된다.
다음으로, 도 7(C) 에 나타내는 바와 같이, 픽업 기구 (70) 를 하방으로 이동시켜, 밀어올려진 칩 (23) 과 중첩되도록 배치된 콜릿 (76) 의 흡인면 (76a) 을, 밀어올림 기구 (50) 에 의해 밀어올려진 칩 (23) 의 상면측에 접촉시킨다. 그리고, 콜릿 (76) 의 흡인면 (76a) 과 칩 (23) 이 접촉한 상태에서, 흡인면 (76a) 에 부압을 작용시킨다. 이로써, 칩 (23) 이 콜릿 (76) 에 의해 흡인 유지된다. 이 상태에서 픽업 기구 (70) 를 상방으로 이동시키면, 칩 (23) 이 테이프 (19) 로부터 박리되고, 콜릿 (76) 에 의해 픽업된다.
또한, 테이프 (19) 가 자외선의 조사에 의해 접착력이 저하되는 성질을 갖는 경우, 밀어올림 기구 (50) 의 상면 (50a) 측 (도 5) 에는 자외선을 조사하는 광원이 구비되어 있어도 된다. 이 경우, 밀어올림 기구 (50) 를 테이프 (19) 와 접촉시킬 때에 (도 7(A) 참조), 테이프 (19) 중 픽업되는 칩 (23) 의 하측에 위치하는 영역에만 자외선을 조사하여, 테이프 (19) 의 접착력을 부분적으로 약하게 할 수 있다. 이로써, 소정의 칩 (23) 의 픽업이 용이해짐과 함께, 테이프 (19) 의 자외선이 조사되어 있지 않은 영역의 접착력에 의해 다른 칩 (23) 의 배치가 유지된다.
또, 밀어올림 기구 (50) 의 상면 (50a) 측, 또는 콜릿 (76) 의 흡인면 (76a) 측에는, 칩 (23) 에 가해지는 하중을 측정하기 위한 로드 셀이 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 칩 (23) 을 픽업할 때에 칩 (23) 에 가해지는 하중을 로드 셀에 의해 측정할 수 있다. 그리고, 로드 셀에 의해 측정된 하중에 기초하여, 예를 들어, 칩 (23) 이 픽업시에 파손되었는지의 여부를 확인하거나, 픽업의 조건 (칩 (23) 을 픽업할 때의 콜릿 (76) 의 높이 등) 을 적절히 변경하거나 하는 것이 가능해진다.
다음으로, 이상과 같이 픽업된 칩의 검사를 실시하기 위한 장치의 구성에 대해 설명한다.
먼저, 도 1 및 도 2 에 나타내는 칩 관찰 기구 (100) 에 의한 관찰에 대해 설명한다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 칩 관찰 기구 (100) 는, 칩 (23) 의 이면을 관찰하는 이면 관찰 기구 (102) 와, 칩 (23) 의 측면을 관찰하는 측면 관찰 기구 (112) 를 구비한다. 이면 관찰 기구 (102) 와 측면 관찰 기구 (112) 는 각각, 칩 (23) 을 촬상하기 위한 촬상 유닛 (카메라) 을 구비한다.
도 8(A) 는, 이면 관찰 기구 (102) 를 나타내는 사시도이다. 이면 관찰 기구 (102) 는, 직방체상의 지지 기대 (104) 와, 지지 기대 (104) 의 일단측의 상면으로부터 상방을 향하여 배치된 기둥상의 지지 구조 (106) 를 구비한다. 또, 지지 기대 (104) 의 타단측의 상면에는, 칩 (23) 의 이면을 촬상하기 위한 이면 촬상 유닛 (이면 관찰용 카메라) (108) 이 형성되어 있다.
또, 기대 (4) 와 지지 기대 (104) 의 사이에는, 예를 들어 방진 고무 등의 방진재로 구성되는 방진부 (방진 수단) (110) 가 형성되어 있고, 이면 촬상 유닛 (108) 은 이 방진부 (110) 상에 배치되어 있다. 방진부 (110) 에 의해, 기대 (4) 로부터 이면 촬상 유닛 (108) 에 대한 진동의 전달이 억제된다.
아암 (74) 의 제 1 지지부 (74a) 와 제 2 지지부 (74b) 는, 서로 결합 및 분리 가능하게 구성되어 있다. 그리고, 지지 구조 (106) 의 상면은, 제 1 지지부 (74a) 와 분리된 제 2 지지부 (74b) 를 유지하는 유지부 (106a) 를 구성한다.
도 8(B) 는, 아암 (74) 의 제 2 지지부 (74b) 를 유지한 상태의 이면 관찰 기구 (102) 를 나타내는 사시도이다. 제 1 지지부 (74a) 로부터 분리된 제 2 지지부 (74b) 의 하면 (74c) 이 유지부 (106a) 에 의해 지지된다.
유지부 (106a) 는, 예를 들어 흡인원 (도시 생략) 과 접속되고, 제 2 지지부 (74b) 의 하면 (74c) 을 흡인함으로써 제 2 지지부 (74b) 를 유지한다. 단, 제 2 지지부 (74b) 를 유지하는 방법에 제한은 없다. 예를 들어, 유지부 (106a) 를 자석에 의해 구성하고, 자성 재료로 이루어지는 제 2 지지부 (74b) 의 하면 (74c) 을 자력에 의해 유지해도 된다.
이면 촬상 유닛 (108) 은, 제 1 지지부 (74a) 로부터 분리된 제 2 지지부 (74b) 가 유지부 (106a) 로 유지된 상태에서, 콜릿 (76) 에 유지된 칩 (23) 의 이면을 촬상한다. 이로써, 콜릿 이동 기구 (80) 의 동작 등에서 기인하는 제 1 지지부 (74a) 의 진동이 칩 (23) 에 전달되는 것을 방지하여, 이면 촬상 유닛 (108) 에 의한 칩 (23) 의 촬상 정밀도를 향상시킬 수 있다.
도 9(A) 는, 칩 (23) 의 이면을 촬상하는 이면 촬상 유닛 (108) 을 나타내는 정면도이다. 도 9(A) 에 나타내는 바와 같이, 칩 (23) 은 이면 촬상 유닛 (108) 과 중첩되도록 위치 설정되고, 그 이면측 (하면측) 이 이면 촬상 유닛 (108) 에 의해 관찰된다.
이면 촬상 유닛 (108) 은, 예를 들어, 간섭 대물 렌즈를 구비하는 간섭계 등에 의해 구성됨으로써, 칩 (23) 의 이면에 형성된 가공흔 (소마크 등) 의 미세한 요철, 즉, 이면 조도를 측정할 수 있다. 또, 이면 촬상 유닛 (108) 에 의해 촬상되는 화상에 기초하여 칩 (23) 의 측면에 형성된 치핑 (결손) 의 사이즈 등이 측정되어도 된다.
도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이, 이면 관찰 기구 (102) 의 옆에는 측면 관찰 기구 (112) 가 형성되어 있다. 도 10(A) 에 나타내는 바와 같이, 측면 관찰 기구 (112) 는, 칩 (23) 을 지지하는 기둥상의 칩 지지대 (114) 와, 칩 (23) 의 측면을 촬상하는 측면 촬상 유닛 (측면 관찰용 카메라) (116) 을 구비한다.
도 10(A) 에 나타내는 바와 같이, 칩 지지대 (114) 의 상면은 대체로 수평하게 형성되어 있고, 칩 (23) 을 지지하는 지지면 (114a) 을 구성한다. 또, 칩 지지대 (114) 는 회전 구동원 (도시 생략) 과 접속되어 있고, Z 축과 대체로 평행한 회전축의 둘레로 회전한다. 그리고, 측면 촬상 유닛 (116) 은, 지지면 (114a) 상에 배치된 칩 (23) 의 측면을 촬영 가능한 위치에 배치되어 있다.
도 9(B) 는, 칩 (23) 의 측면을 촬상하는 측면 촬상 유닛 (116) 을 나타내는 정면도이다. 도 9(B) 에 나타내는 바와 같이, 콜릿 (76) 에 의해 픽업된 칩 (23) 은, 칩 지지대 (114) 의 지지면 (114a) 상에 배치된다. 또한, 픽업 장치 (2) 에서는, 콜릿 (76) 의 이동 경로와 중첩되는 영역에 칩 지지대 (114) 가 형성되어 있기 때문에, 콜릿 (76) 에 의해 칩 (23) 을 칩 지지대 (114) 상에 배치할 수 있다.
그리고, 칩 지지대 (114) 에 의해 지지된 칩 (23) 의 일 측면을 측면 촬상 유닛 (116) 에 의해 촬상한다. 그 후, 칩 지지대 (114) 를 소정의 각도 회전시킨 후, 측면 촬상 유닛 (116) 에 의해 칩 (23) 의 다른 측면을 촬상한다. 이와 같이 하여, 칩 (23) 의 측면 (예를 들어, 칩 (23) 의 4 변의 측면) 이 관찰되고, 칩 (23) 의 두께나, 칩 (23) 의 측면에 형성된 치핑 (결손) 의 사이즈 등이 측정된다. 또, 측면 촬상 유닛 (116) 에 있어서, 간섭 대물 렌즈를 구비하는 간섭계 등을 구비해도 되고, 그 경우에는 칩 (23) 의 측면의 미세한 요철, 즉, 측면 조도를 측정할 수 있다.
이상의 구성에 있어서, 픽업 장치 (2) 는, 픽업 후의 칩 (23) 의 관찰의 필요성에 따라, 이면 관찰 기구 (102) 와 측면 관찰 기구 (112) 의 일방만을 구비하고 있어도 되고, 이면 관찰 기구 (102) 와 측면 관찰 기구 (112) 를 모두 구비하고 있지 않아도 된다.
또, 도 1, 도 2 에 나타내는 측면 관찰 기구 (112) 의 칩 지지대 (114) 의 상방에는, 칩 (23) 의 방향을 상하로 반전시키는 칩 반전 기구 (150) 가 형성되어 있다. 칩 반전 기구 (150) 는, 선단부에서 칩 (23) 을 유지한 상태에서, X 축 방향과 대체로 평행한 회전축의 둘레를 180°회전 가능하게 구성되어 있다.
도 10(A) 에는, 칩 반전 기구 (150) 가 도시된다. 칩 반전 기구 (150) 는, Y 축 방향 및 Z 축 방향과 대체로 평행하게 배치된 판상의 기저부 (150a) 와, 기저부 (150a) 의 측면으로부터 X 축 방향을 따르도록 칩 지지대 (114) 및 측면 촬상 유닛 (116) 측을 향하여 배치된 판상의 접속부 (150b) 를 구비한다.
접속부 (150b) 의 선단부에는, 접속부 (150b) 의 상면으로부터 상방으로 돌출되는 사각형상의 칩 유지부 (150c) 가 형성되어 있다. 칩 유지부 (150c) 는, 칩 (23) 의 형상에 대응하여 사각형상으로 형성되어 있고, 그 상면은 칩 (23) 을 흡인 유지하는 유지면 (150d) 을 구성한다.
기저부 (150a) 는, X 축 방향과 대체로 평행한 회전축의 둘레로 180°회전 가능하게 구성되어 있다. 또, 칩 유지부 (150c) 는, 기저부 (150a) 가 회전하여 칩 유지부 (150c) 가 접속부 (150b) 의 하방에 배치될 때 (도 10(B) 참조) 에, 칩 지지대 (114) 의 지지면 (114a) 과 대향하는 (중첩되는) 위치에 형성된다.
칩 (23) 의 방향을 상하로 반전시킬 때에는, 먼저, 기저부 (150a) 를 제 1 방향 (측면 촬상 유닛 (116) 측에서 보아 반시계 방향) 으로 180°회전시켜, 칩 반전 기구 (150) 의 상하를 반전시킨다. 이로써, 칩 유지부 (150c) 가 칩 지지대 (114) 로 지지된 칩 (23) 과 대향하고, 칩 (23) 의 상면과 접촉한다. 그리고, 칩 유지부 (150c) 의 유지면 (150d) 에 부압을 작용시켜, 칩 (23) 을 칩 유지부 (150c) 에 의해 흡인 유지한다. 도 10(B) 는, 칩 (23) 을 유지하는 칩 반전 기구 (150) 를 나타내는 사시도이다.
다음으로, 칩 (23) 을 칩 유지부 (150c) 로 유지한 상태에서, 기저부 (150a) 를 제 2 방향 (측면 촬상 유닛 (116) 측에서 보아 시계 방향) 으로 180°회전시켜, 칩 반전 기구 (150) 의 상하를 반전시킨다. 이로써, 칩 (23) 의 이면측 (하면측 (웨이퍼 (13) 의 이면 (13b) 측에 상당)) 이 상방으로 노출된 상태가 되어, 칩 (23) 이 상하 반전한다. 도 10(C) 는, 칩 (23) 을 반전시킨 칩 반전 기구 (150) 를 나타내는 사시도이다.
그리고, 상방으로 노출된 칩 (23) 의 이면측을, 콜릿 (76) 에 의해 유지한다. 이로써, 칩 (23) 의 이면측을 상향으로 한 상태에서, 칩 (23) 을 강도 측정 기구 (200) (도 1) 에 반송할 수 있다. 이와 같이, 칩 반전 기구 (150) 에 의해, 강도 측정 기구 (200) 에 반송되는 칩 (23) 의 상하 방향의 방향이 변경될 수 있다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 콜릿 (76) 에 의해 항절 강도 (굽힘 강도) 의 측정 대상이 되는 칩이 강도 측정 기구 (200) 에 반송된다. 강도 측정 기구 (200) 는, 도 11(A) 에 나타내는 바와 같이, 간격을 두고 배치되는 지지부 (208) 에 의해 지지되는 칩 (23) 에 대해, 도 11(B)(C) 에 나타내는 바와 같이, 압자 (238) 의 선단부를 가압함으로써, 칩 (23) 의 3 점 굽힘 시험을 실시하는 것이다.
도 11(A) 에 나타내는 바와 같이, 지지부 (208) 의 상면에는, 칩 (23) 의 하면측과 접촉하기 위한 유연한 소재에 의해 구성되는 접촉 부재 (211) 가 형성되고, 이 접촉 부재 (211) 로 칩 (23) 의 하면을 유지함으로써, 지지부 (208b) 와의 사이에 간극이 형성되어, 지지부 (208b) 에 의한 칩 (23) 의 손상이 방지된다.
도 11(B)(C) 에 나타내는 바와 같이, 압자 (238) 를 서서히 가압하면, 칩 (23) 의 하면측이 양측의 지지부 (208b) 에 맞닿아 하측으로부터 지지되면서, 칩 (23) 의 상면측이 압자 (238) 에 의해 가압됨으로써, 3 점 굽힘 시험을 실시할 수 있다. 칩 (23) 의 가압에 의해 압자 (238) 에 가해지는 하중 (Z 축 방향의 힘) 은, 도시하지 않은 하중 계측기에 의해 측정되고, 이 측정값에 기초하여, 칩 (23) 의 항절 강도 (굽힘 강도) 의 산출이 실시된다.
도 11(C) 에 나타내는 바와 같이, 칩 (23) 이 파괴되었을 때에는, 칩 (23) 의 파편 (23a) 이 비산되어, 압자 (238) 의 표면에 부착되게 된다. 이 파편 (23a) 이 압자 (238) 에 부착된 채이면, 시험 정밀도에 악영향을 주기 때문에, 압자 (238) 의 근방에, 압자 (238) 의 측면에 대해 에어를 분사하여, 파편 (23a) 을 날려 버리기 위한 에어 노즐 (239) 이 형성된다. 시험 개시 전에는, 매번, 에어 노즐 (239) 로부터 압자 (238) 에 대해 에어를 분사하여 에어 블로하는 것이 바람직하다.
다음으로, 이상의 장치 구성을 이용하는 웨이퍼의 처리 방법에 대해 설명한다. 도 12 는, 웨이퍼의 처리 방법의 일례에 대해 나타내는 플로 차트로, 적절히 참조하기를 바란다.
＜판별 스텝＞
먼저, 웨이퍼 상에 배열되는 각 디바이스의 특성을 검사하여,「양호 디바이스」와「불량 디바이스」를 판별하는 판별 스텝 S1 에 대해 설명한다.
도 13 에 나타내는 바와 같이, 검사 대상이 되는 웨이퍼 (13) 가 웨이퍼 프로버의 검사 테이블 (62) 에 재치되고, 웨이퍼 (13) 의 표면 (13a) 측에 형성된 디바이스 (15) 에 대해 프로브 (64) 를 접촉시킴으로써, 각 디바이스 (15) 의 전기적 특성을 시험하여,「양호 디바이스」와「불량 디바이스」를 도시하지 않은 컨트롤러에서 판별한다.
웨이퍼 프로버의 컨트롤러에서는, 각 디바이스 (15) 의 위치 정보나 전기적 특성 등의 속성 정보가 디바이스 (15) 의 ID 와 관련지어 기록되고, 기록된 속성 정보를 나중에 이용하는 것이 가능하다. 그리고, 전기적 특성이 양호인 것에 대해서는,「양호 디바이스」인 것이 속성 정보로서 부여되고, 전기적 특성이 불량인 것에 대해서는,「불량 디바이스」인 것이 속성 정보로서 부여되어 기록된다. 또한, 웨이퍼 프로버의 컨트롤러에서 취득되어 기억된 정보는, 예를 들어, 통신에 의해 픽업 장치의 컨트롤러에 전달되고, 이로써, 픽업 장치측에서 각 디바이스 (15) 의 속성 정보를 참조할 수 있게 된다.
또, 도 12 에 나타내는 바와 같이, 판별 스텝 S1 은, 픽업 스텝 S4 전의 타이밍에 실시된다면, 특별히 한정되지 않고, 스텝 S21, S22, S23 중 어느 단계에 있어서 실시되어도 된다.
＜웨이퍼 유닛 형성 스텝＞
다음으로, 웨이퍼 유닛 형성 스텝 S2 에 대해 설명한다.
도 14 는, 웨이퍼 (13) 의 이면 (13b) 이 테이프 (19) 에 첩착되고, 테이프 (19) 를 개재하여 환상 프레임 (21) 으로 웨이퍼 (13) 를 유지하는 웨이퍼 유닛 (11) 에 대해 나타내는 것이다. 도 14 에서는, 분할 가공 전 (분할 스텝 S3) 의 웨이퍼 (13) 를 테이프 (19) 에 첩착하고, 그 후 테이프를 환상 프레임 (21) 에 장착한다는 처리가 실시되는 웨이퍼 유닛 형성 스텝 S2 가 이루어지는 경우에 대해 나타내는 것이고, 이후의 분할 스텝 S3 에 있어서, 블레이드 다이싱이나 레이저 다이싱이 되는 경우가 상정되고 있다.
또, 웨이퍼 유닛 형성 스텝 S2 는, 분할 가공 후 (분할 스텝 S3) 에 실시되는 것도 가능하다. 구체적으로는, 블레이드로 분할 예정 라인을 따라 워크 피스 표면에 하프 컷 홈을 형성한 후 이면 연삭으로 워크 피스를 분할하는 소위 DBG (Dicing Before Grinding) 가공, SD 가공을 실시한 후 워크 피스의 이면을 연삭하여 분할하는 SDBG (Stealth Dicing Before Grinding) 가공이 채용되는 경우에는, 웨이퍼 (13) 에 미리 분할을 위한 처리를 실시한 후에 테이프 (19) 에 첩착된다.
＜분할 스텝＞
다음으로, 분할 스텝 S3 에 대해 설명한다.
도 15 는, 웨이퍼 (13) 를 분할 예정 라인 (17) 을 따라 절삭 블레이드 (66) 로 절삭하는 모습을 나타내는 것으로, 이 절삭에 의해, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 각각이 디바이스 (15) 를 포함하는 복수의 칩 (23) 으로 분할된다. 또한, 이 분할 스텝 S3 은, 웨이퍼 (13) 를 칩 (23) 으로 분할하기 위한 공정이고, 상기 서술한 바와 같이, 레이저 다이싱, SD 가공 (STEALTH DICING : 등록 상표), DBG 가공, SDBG 가공도 채용할 수 있다.
＜픽업 스텝＞
다음으로, 픽업 스텝 S4 에 대해 설명한다.
이 픽업 스텝 S4 는, 상기 서술한 바와 같이 도 7(A) ∼ (C) 에 나타내는 순서로 실시되는 것이고, 콜릿 (76) 에 의해 픽업된 칩 (23) 은, 다음의 측정 스텝 S5 에서의 측정에 제공된다. 여기서, 픽업 장치의 컨트롤러는, 웨이퍼 프로버의 컨트롤러에서 취득된 각 디바이스 (15) 의 속성 정보, 즉, 위치 정보나,「양호 디바이스」또는「불량 디바이스」의 판별 결과를 기억하는 판별 결과 기억부를 갖고 있고, 위치 정보나 판별 결과를 참조하여, 이하의 측정 스텝을 실시한다.
＜측정 스텝＞
다음으로, 측정 스텝 S5 에 대해 설명한다.
이 측정 스텝 S5 에서는, 도 1 에 나타내는 이면 관찰 기구 (102), 측면 관찰 기구 (112), 강도 측정 기구 (200) 의 적어도 하나를 이용하여 실시된다. 검사 항목은, 치핑, 이면 조도, 측면 조도, 항절 강도이다.
여기서, 픽업한 칩 (23) 이「불량 디바이스」의 판별 결과를 갖는 것인 경우에는, 픽업 장치의 컨트롤러는, 당해 칩 (23) 에 대해 항절 강도의 측정을 실시할 것으로 판단하여, 칩 (23) 이 강도 측정 기구 (200) 에 반송된다 (항절 강도 측정·기록 스텝 S6). 항절 강도가 측정되는 칩 (23) 은,「불량 디바이스」로서 전기적 특성이 불량이지만, 항절 강도와 같은 기계적 특성은「양호 디바이스」와 다름없는 것이라고 생각되기 때문에, 이「불량 디바이스」의 항절 강도를「양호 디바이스」의 항절 강도로서 참조할 수 있다. 요컨대, 항절 강도를 측정하기 위해서는 칩을 파괴할 필요가 있지만, 이와 같이「불량 디바이스」를 항절 강도의 측정에 사용함으로써,「양호 디바이스」를 파괴하지 않고 항절 강도의 데이터를 취득할 수 있다. 또한, 여기서 취득되는 항절 강도의 데이터는, 컨트롤러에 의해 다른「양호 디바이스」의 속성 정보에 부가된다.
한편, 픽업한 칩 (23) 이「양호 디바이스」의 판별 결과를 갖는 것인 경우에는, 픽업 장치의 컨트롤러는, 당해 칩 (23) 에 대해 치핑, 이면 조도, 측면 조도의 측정 (스텝 S7, S8, S9) 을 실시한 것으로 판단하여, 칩 (23) 이 이면 관찰 기구 (102), 측면 관찰 기구 (112) 로 순차 반송된다.
＜수용 스텝＞
이상과 같이 각종 측정을 끝낸「양호 디바이스」의 판별 결과를 갖는 칩 (23) 은, 칩 수용구 (501) 에 수용된다 (스텝 S10). 픽업 장치의 컨트롤러는, 수용된 각 칩 (23) 의 ID 와 각 속성 정보를 관련지어 기억한다. 기억된 데이터는 적절히 출력되어, 트레이서빌리티 (추적 가능성) 를 위한 데이터로서 이용할 수 있다.
또한,「양호 디바이스」의 판별 결과를 갖는 칩 (23) 에 대해, 픽업 장치의 컨트롤러는, 항절 강도의 측정을 실시할 것으로 판단해도 된다 (스텝 S11).
이상과 같이 하여 본 발명을 실현할 수 있다.
즉, 도 1, 도 2, 도 13 및 도 14 에 나타내는 바와 같이,
표면의 교차하는 복수의 분할 예정 라인 (17) 으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스 (15) 가 형성된 웨이퍼 (13) 의 처리 방법으로서,
웨이퍼 (13) 의 이면에 테이프 (19) 를 첩착함과 함께 테이프 (19) 의 외주를 환상 프레임 (21) 에 장착하여 웨이퍼 (13) 와 테이프 (19) 와 환상 프레임 (21) 을 갖는 웨이퍼 유닛 (11) 을 형성하는 웨이퍼 유닛 형성 스텝과,
웨이퍼 유닛 형성 스텝을 실시하기 전 또는 후에, 웨이퍼 (13) 를 분할 예정 라인 (17) 을 따라 분할하여 복수의 칩 (23) (디바이스 칩) 을 형성하는 분할 스텝과, 분할 스텝과 웨이퍼 유닛 형성 스텝을 실시한 후, 웨이퍼 유닛 (11) 으로부터 칩 (23) 을 픽업하는 픽업 스텝과,
픽업 스텝에서 픽업한 칩 (23) 을 측정하는 측정 스텝을 포함하고,
적어도 픽업 스텝을 실시하기 전에, 디바이스 (15) 의 특성을 각각 검사하여 양호 디바이스와 불량 디바이스를 판별하여 판별 결과를 기억하는 판별 스텝을 실시하고, 측정 스텝에서는, 판별 결과에 기초하여, 픽업 스텝에서 픽업한 디바이스 칩이 불량 디바이스를 포함하는 경우에 칩 (23) 을 파괴하여 항절 강도를 측정하고,
픽업 스텝에서 픽업한 칩 (23) 이 양호 디바이스를 포함하는 경우에 칩 (23) 의 치핑과 이면 조도와 측면 조도의 적어도 어느 1 개를 측정하는, 웨이퍼의 처리 방법이 얻어진다.
이와 같이,「불량 디바이스」의 칩을 이용하여 항절 강도를 측정함으로써, 당해 항절 강도를「양호 디바이스」의 칩의 속성 정보로서 부가할 수 있다. 이로써, 제품이 되기 때문에 파괴할 수 없는「양호 디바이스」로 판별된 칩에 대해, 항절 강도의 속성 정보를 얻을 수 있다. 이 항절 강도는, 동일 웨이퍼에 존재하고 있었던「불량 디바이스」의 측정 결과로서 신뢰성이 높아,「양호 디바이스」로 판별된 칩의 항절 강도로서 대체 이용할 수 있는 것이다. 또,「양호 디바이스」로 판별된 칩에 대해서는, 치핑과 이면 조도와 측면 조도의 정보도 취득할 수 있다.
또, 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이,
웨이퍼의 처리 방법은, 측정 스텝을 실시한 후, 픽업 스텝에서 픽업한 칩 (23) 이 양호 디바이스를 포함하는 경우에 칩 (23) 을 칩 수용구 (501) 에 수용하는 수용 스텝을 추가로 포함하는 경우가 있다.
이로써, 칩 수용구 (501) 에 칩 (23) 을 수용하고, 정리하여 반출, 출하하는 것이 가능해진다.
또, 도 1 및 도 2 에 나타내는 바와 같이,
검사 대상이 되는 칩 (23) 의 양호 디바이스, 또는, 불량 디바이스의 속성 정보를 참조하는 컨트롤러 (1) 와,
칩 (23) 이 불량 디바이스인 것의 속성 정보를 컨트롤러 (1) 가 인식했을 때에, 칩 (23) 을 파괴하여 항절 강도를 측정하기 위한 강도 측정 기구와,
칩 (23) 이 양호 디바이스인 것의 속성 정보를 컨트롤러 (1) 가 인식했을 때에, 치핑과 이면 조도와 측면 조도의 적어도 어느 1 개를 측정하기 위한 칩 관찰 기구를 구비하는 칩 측정 장치가 얻어진다.
이로써, 제품이 되기 때문에 파괴할 수 없는「양호 디바이스」로 판별된 칩에 대해, 항절 강도의 속성 정보를 얻을 수 있다.
2 : 픽업 장치
11 : 웨이퍼 유닛
13 : 웨이퍼
15 : 디바이스
17 : 분할 예정 라인
19 : 테이프
21 : 환상 프레임
23 : 디바이스 칩
60 : 웨이퍼 촬상 카메라
62 : 검사 테이블
64 : 프로브
66 : 절삭 블레이드
70 : 픽업 기구
76 : 콜릿
80 : 콜릿 이동 기구
100 : 칩 관찰 기구
102 : 이면 관찰 기구
112 : 측면 관찰 기구
150 : 칩 반전 기구
200 : 강도 측정 기구

Claims (3)

  1. 표면의 교차하는 복수의 분할 예정 라인으로 구획된 각 영역에 각각 디바이스가 형성된 웨이퍼의 처리 방법으로서,
    웨이퍼의 이면에 테이프를 첩착함과 함께 그 테이프의 외주를 환상 프레임에 장착하여 그 웨이퍼와 그 테이프와 그 환상 프레임을 갖는 웨이퍼 유닛을 형성하는 웨이퍼 유닛 형성 스텝과,
    그 웨이퍼 유닛 형성 스텝을 실시하기 전 또는 후에, 그 웨이퍼를 그 분할 예정 라인을 따라 분할하여 복수의 디바이스 칩을 형성하는 분할 스텝과,
    그 분할 스텝과 그 웨이퍼 유닛 형성 스텝을 실시한 후, 그 웨이퍼 유닛으로부터 그 디바이스 칩을 픽업하는 픽업 스텝과,
    그 픽업 스텝에서 픽업한 그 디바이스 칩을 측정하는 측정 스텝을 포함하고,
    그 픽업 스텝을 실시하기 전에, 그 디바이스의 특성을 각각 검사하여 양호 디바이스와 불량 디바이스를 판별하여 판별 결과를 기억하는 판별 스텝을 실시하고,
    그 측정 스텝에서는, 그 판별 결과에 기초하여, 그 픽업 스텝에서 픽업한 그 디바이스 칩이 불량 디바이스를 포함하는 경우에 그 디바이스 칩을 파괴하여 항절 강도를 측정하고, 그 픽업 스텝에서 픽업한 그 디바이스 칩이 양호 디바이스를 포함하는 경우에 그 디바이스 칩의 치핑과 이면 조도와 측면 조도 중 어느 하나 또는 복수를 측정하는, 웨이퍼의 처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 측정 스텝을 실시한 후, 그 픽업 스텝에서 픽업한 그 디바이스 칩이 양호 디바이스를 포함하는 경우에 그 디바이스 칩을 칩 수용구에 수용하는 수용 스텝을 추가로 포함하는, 웨이퍼의 처리 방법.
  3. 검사 대상이 되는 디바이스 칩의 양호 디바이스, 또는, 불량 디바이스의 속성 정보를 참조하는 컨트롤러와,
    그 디바이스 칩이 불량 디바이스인 것의 속성 정보를 그 컨트롤러가 인식했을 때에, 그 디바이스 칩을 파괴하여 항절 강도를 측정하기 위한 강도 측정 기구와,
    그 디바이스 칩이 양호 디바이스인 것의 속성 정보를 그 컨트롤러가 인식했을 때에, 치핑과 이면 조도와 측면 조도 중 어느 하나 또는 복수를 측정하기 위한 칩 관찰 기구를 구비하는, 칩 측정 장치.
KR1020200111903A 2019-09-19 2020-09-02 웨이퍼의 처리 방법 및 칩 측정 장치 KR20210033897A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-170181 2019-09-19
JP2019170181A JP7296835B2 (ja) 2019-09-19 2019-09-19 ウェーハの処理方法、及び、チップ測定装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210033897A true KR20210033897A (ko) 2021-03-29

Family

ID=74846078

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200111903A KR20210033897A (ko) 2019-09-19 2020-09-02 웨이퍼의 처리 방법 및 칩 측정 장치

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11637039B2 (ko)
JP (1) JP7296835B2 (ko)
KR (1) KR20210033897A (ko)
CN (1) CN112530866A (ko)
DE (1) DE102020211723A1 (ko)
TW (1) TW202114009A (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115223898B (zh) * 2022-07-28 2023-05-12 珠海光翊智能科技有限公司 太阳能柔性电池片激光分切裂片分拣平台

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009094326A (ja) 2007-10-10 2009-04-30 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研削方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6352073B1 (en) * 1998-11-12 2002-03-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor manufacturing equipment
JP2004153270A (ja) * 1999-03-03 2004-05-27 Hitachi Ltd 半導体素子の分離方法およびその装置並びに半導体素子の搭載方法
JP3605009B2 (ja) * 2000-08-03 2004-12-22 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
EP1328372B1 (en) * 2000-10-26 2006-11-29 Xsil Technology Limited Control of laser machining
US6815231B2 (en) * 2001-06-11 2004-11-09 Hitachi, Ltd. Method of testing and manufacturing nonvolatile semiconductor memory
CN1610085A (zh) 2003-10-24 2005-04-27 敏盛科技股份有限公司 晶粒检测分类装置及其方法
US20080318362A1 (en) * 2004-07-16 2008-12-25 Chuichi Miyazaki Manufacturing Method of Semiconductor Integrated Circuit Device
GB2420443B (en) * 2004-11-01 2009-09-16 Xsil Technology Ltd Increasing die strength by etching during or after dicing
JP2007165706A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
JP4251203B2 (ja) * 2006-08-29 2009-04-08 セイコーエプソン株式会社 貼合せマザー基板のスクライブ方法および貼合せマザー基板の分割方法
JP4879702B2 (ja) * 2006-10-20 2012-02-22 リンテック株式会社 ダイソート用シートおよび接着剤層を有するチップの移送方法
JP5239709B2 (ja) * 2008-09-30 2013-07-17 セイコーエプソン株式会社 圧電振動片用の折り取り冶具、折り取り装置、不良品折り取りシステム
JP2011091286A (ja) * 2009-10-26 2011-05-06 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体装置の製造方法
JP2012084780A (ja) * 2010-10-14 2012-04-26 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法
WO2012148967A2 (en) * 2011-04-25 2012-11-01 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning lead-frames to improve wirebonding process
CH705370A1 (de) * 2011-07-31 2013-01-31 Kulicke & Soffa Die Bonding Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion eines Halbleiterchips vor der Montage.
CN202693428U (zh) * 2012-05-04 2013-01-23 哈尔滨理工大学 切屑断裂应变测量装置
JP6011066B2 (ja) * 2012-06-28 2016-10-19 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP5963374B2 (ja) * 2012-09-23 2016-08-03 国立大学法人東北大学 チップ支持基板、チップ支持方法、三次元集積回路、アセンブリ装置及び三次元集積回路の製造方法
US9689923B2 (en) 2013-08-03 2017-06-27 Kla-Tencor Corp. Adaptive electrical testing of wafers
US8906745B1 (en) * 2013-09-12 2014-12-09 Micro Processing Technology, Inc. Method using fluid pressure to remove back metal from semiconductor wafer scribe streets
JP6362327B2 (ja) * 2013-12-26 2018-07-25 太陽誘電株式会社 弾性波デバイスおよびその製造方法
CN104851850A (zh) * 2014-02-14 2015-08-19 飞思卡尔半导体公司 集成电路的背面金属化图形
US10359567B2 (en) * 2015-09-21 2019-07-23 Elenion Technologies, Llc Test systems and methods for chips in wafer scale photonic systems
CN105437327B (zh) * 2015-11-26 2018-01-26 济南采明实业有限公司 一种防潮、防霉、低甲醛型中、高密度纤维板制备方法
WO2017105520A1 (en) * 2015-12-18 2017-06-22 Intel Corporation Transmissive composite film for application to the backside of a microelectronic device
CN108701650A (zh) * 2015-12-30 2018-10-23 鲁道夫科技公司 晶圆切割过程控制
JP6719825B2 (ja) * 2016-10-12 2020-07-08 株式会社ディスコ 研削装置及びウェーハの加工方法
JP7134569B2 (ja) * 2018-12-10 2022-09-12 株式会社ディスコ 試験装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009094326A (ja) 2007-10-10 2009-04-30 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの研削方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11637039B2 (en) 2023-04-25
US11901234B2 (en) 2024-02-13
DE102020211723A1 (de) 2021-03-25
JP2021048279A (ja) 2021-03-25
JP7296835B2 (ja) 2023-06-23
US20210090954A1 (en) 2021-03-25
CN112530866A (zh) 2021-03-19
TW202114009A (zh) 2021-04-01
US20230223303A1 (en) 2023-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7146352B2 (ja) 試験装置
JP4343546B2 (ja) ウェーハ裏面検査装置及び検査方法
JP5858312B1 (ja) プロービング装置及びプローブコンタクト方法
CN107919310B (zh) 加工装置
US4995063A (en) Single crystal orientation identifying and determining apparatus for semiconductor wafer and its operation method
KR20200121727A (ko) 검사 장치, 및 가공 장치
US11901234B2 (en) Method of processing wafer, and chip measuring apparatus
KR20210020767A (ko) 워크의 확인 방법, 및, 가공 방법
JP3099235B2 (ja) ウエハ検査装置
TW202331874A (zh) 晶片的檢查方法
KR20200104802A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 접합 방법
JPS62262438A (ja) ウエハ処理装置
JP7436165B2 (ja) ダイシングユニットの診断方法、及び、ダイシングシステム
JP7390200B2 (ja) チップの強度測定方法、試験装置、及び、チップの強度計算方法
JP2022038095A (ja) 測定装置、及びその異常判定方法
JP2004172480A (ja) ウェハ検査装置
US20230411181A1 (en) Verification method for device chips
WO2022202405A1 (ja) 処理装置及び位置決め方法
JPS60239036A (ja) 半導体ウエハプロ−バ
JPS63127544A (ja) 半導体製造装置
JPS6251236A (ja) ウエハ処理システム