KR20210022002A - 전자 구성 요소를 캡슐화하기 위한 몰드, 이러한 몰드용 인서트, 인서트를 생성하기 위한 방법 및 전자 구성 요소를 캡슐화하기 위한 방법 - Google Patents

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세바스티아누스 후베르투스 마리아 커제스
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베시 네덜란드 비.브이.
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Abstract

본 발명은 캐리어에 장착된 전자 구성 요소들을 캡슐화하기 위한 몰드에 관한 것이며, 몰드는 서로에 대해 변위 가능한 적어도 2개의 몰드 파트들을 포함하고, 몰드 파트들 중 적어도 하나는 접촉면에 오목한 몰드 캐비티를 갖고, 몰드 파트들은 캡슐화될 전자 구성 요소들 둘레의 몰드 캐비티와 결합하도록 구성되고, 몰드 캐비티의 적어도 일부는 전자 구성 요소들을 향하는 가요성의 3차원 몰딩 표면을 갖는 인서트(insert)에 의해 형성된다. 본 발명은 또한 상기 몰드에 사용하기 위한 인서트 및 상기 몰드를 사용하여 캐리어에 장착된 전자 구성 요소들을 캡슐화하기 위한 방법에 관한 것이다.

Description

전자 구성 요소를 캡슐화하기 위한 몰드, 이러한 몰드용 인서트, 인서트를 생성하기 위한 방법 및 전자 구성 요소를 캡슐화하기 위한 방법
본 발명은 캐리어에 장착된 전자 구성 요소들을 캡슐화하기 위한 몰드에 관한 것이며, 몰드는 서로에 대해 변위 가능한 적어도 2개의 몰드 파트들을 포함하고, 몰드 파트들 중 적어도 하나는 접촉면에 오목한 몰드 캐비티를 갖고, 몰드 파트들은 캡슐화될 전자 구성 요소들 둘레의 몰드 캐비티와 결합하도록 구성된다. 본 발명은 또한 이러한 몰드를 사용하여 캐리어에 장착된 전자 구성 요소들을 캡슐화하기 위한 방법을 제공하며, 본 방법은: a) 하나 이상의 전자 구성 요소들을 가지고 있는(carry) 캐리어를 2개의 몰드 파트들 사이에 위치시킴으로써 전자 구성 요소들이 몰드 캐비티를 향하도록 하는 단계, b) 몰드 파트들이 몰드 파트들 사이에 캐리어를 클램핑하도록 몰드 파트들을 서로를 향해 이동시키는 단계로서, 적어도 하나의 몰드 캐비티가 캡슐화될 전자 구성 요소들을 포위하고, 인서트는 적어도 하나의 전자 구성 요소들과 접촉하는, 이동시키는 단계; c) 몰드 캐비티에 몰딩 재료를 가져오는 단계; 및 d) 몰드 파트들을 서로로부터 이격되게 이동시키고, 몰딩된 전자 구성 요소들을 갖는 캐리어를 몰드 파트들로부터 제거하고, 이에 의해 또한 인서트를 전자 구성 요소들로부터 분리시키는 단계의 프로세싱 단계들을 포함한다. 또한, 본 발명에 따라 몰드에 사용되는 인서트 및 방법뿐만 아니라 이러한 인서트를 생성하는 방법이 제공된다.
통상적으로 또한 "기판"이라고도 칭하는 캐리어에 장착된 전자 구성 요소를 몰딩 재료로 캡슐화하는 것은 알려진 기술이다. 산업적 규모에서 이러한 전자 구성 요소에는 캡슐화, 통상적으로 충진제 재료가 추가되는 경화 에폭시 또는 수지의 캡슐화가 제공된다. 시장에서 다양한 치수를 가진 대량의 전자 구성 요소를 동시에 캡슐화하고 정확도 요구가 여전히 증가하는 경향이 있다. 이는 단일 패키지에 전자 구성 요소의 이종 조합을 갖는 제품으로 귀결될 수 있다. 일반적으로 점점 더 작아지고 있는 반도체(칩, 하지만 LED가 이와 관련하여 또한 반도체로 간주됨)와 같은 전자 구성 요소가 여기에서 고려될 수 있다. 일단 몰딩 재료가 배열되면 집합적으로 캡슐화된 전자 구성 요소가 캐리어의 일측에 하지만 때로는 캐리어의 양측에 배열되는 캡슐화(패키지)에 위치된다. 몰딩 또는 캡슐화 재료는 종종 캐리어에 연결된 편평한 층의 형태를 취하며, 이러한 층에 전자 구성 요소가 전체 또는 부분적으로 매립/캡슐화된다. 캐리어는 리드 프레임, 부분적으로 에폭시로 제조된 다층 캐리어(또한 보드 또는 기판 등으로 칭함) 또는 다른 캐리어 구조체로 구성될 수 있다.
캐리어에 장착된 전자 구성 요소를 캡슐화하는 동안, 통상적으로 적어도 2개의 몰드 절반(two mould halves)이 제공된 캡슐화 프레스의 종래 기술에 따라 사용되며, 그 중 적어도 하나에 오목한 하나 또는 복수의 몰드 캐비티가 있다. 몰드의 절반 사이에 캡슐화하기 위해 전자 구성 요소를 갖는 캐리어를 배치한 후, 몰드의 절반은 예를 들어, 캐리어를 클램핑하도록 서로를 향해 이동된다. 통상적으로 가열된 액체 몰딩 재료가 그 후 통상적으로 트랜스퍼 몰딩에 의해 몰드 캐비티에 공급될 수 있다. 대안으로서, 몰드 파트의 폐쇄 전에 캡슐화 재료를 몰드 캐비티에 가져올 수 있으며; 트랜스퍼 몰딩에 대한 이러한 대안적인 프로세스는 압축 몰딩으로 칭해진다. 몰드 캐비티/캐비티들에서 몰딩 재료의 적어도 부분적(화학적) 경화 후, 캡슐화된 전자 구성 요소를 갖는 캐리어가 캡슐화 프레스로부터 나오고, 캡슐화된 제품은 추가 프로세싱 중에 서로 분리될 수 있다. 포일은 캡슐화 프로세스 중에, 그 중에서, 전자 구성 요소의 일부를 스크리닝 오프(screening off)시키기 위해, 그리고 전자 구성 요소의 포일로 덮인 부분이 몰딩 재료로 덮이는 것을 방지하기 위해 사용될 수 있다. 부분적으로 몰딩 재료로 덮인 전자 구성 요소(과도 몰딩되지 않은 전자 구성 요소를 "베어 다이(bare die)" 또는 "노출된 다이" 제품으로 칭함)는 예를 들어, 다양한 유형의 센서 구성 요소, 초저 패키지 또는 방열 구성 요소와 같은 다양한 어플리케이션에 사용될 수 있다. 이러한 캡슐화 방법은 큰 산업적 규모에서 실시되며 부분적으로 덮이지 않은 전자 구성 요소의 잘 제어된 캡슐화를 허용한다. 부분적으로 덮이지 않는 전자 구성 요소를 초래하는 전자 구성 요소의 종래 기술 캡슐화 프로세스의 문제점은, 해당 프로세스가 덮이지 않은 상태로 남겨질 전자 구성 요소들 상의 동일한 높이의 편평한 영역을 갖는 다량의 전자 구성 요소의 캡슐화에만 적합하다는 것이다. 덮이지 않고 남겨질 전자 구성 요소의 영역에서의 유연성과 다양한 높이의 전자 구성 요소의 동시에 부분적으로 덮이지 않은 캡슐화에 대한 가능성이 제한된다.
본 발명은 다양한 치수 및/또는 전자 구성 요소의 덮이지 않은 부분의 형상 변화를 갖는 전자 구성 요소의 부분적으로 덮이지 않은 캡슐화를 가능하게 하는 전자 구성 요소를 캡슐화하기 위한 대안적인 몰드 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 이러한 목적을 위해 도입부에 따른 캐리어에 장착된 전자 구성 요소를 캡슐화하기 위한 몰드를 제공하며, 여기서 몰드 캐비티의 적어도 일부는 전자 구성 요소를 향하는 가요성의 3차원 몰딩 표면(flexible three-dimensional moulding surface)을 갖는 인서트(insert)에 의해 형성된다. 인서트 몰딩 표면의 가요성은 본원에서 몰드 파트의 비가요성 구조에 비해 가요성이 있는 것으로 해석되어야 한다. "라이너(liner)"라고도 칭할 수 있는 이러한 인서트는 원하는 임의의 형상을 가진 접촉면을 구현할 수 있게 한다. 인서트의 몰딩 표면은 캡슐화될 전자 구성 요소의 형상에 밀착되도록 통상적으로 형상화된다. 임의의 원하는 형상을 갖는 접촉면을 구현할 수 있기 때문에, 본 발명에 따른 몰드는 몰딩된 전자 구성 요소의 형상에 훨씬 더 많은 자유를 가능하게 하며, 다양한 크기의 전자 구성 요소의 삽입 맞춤 조합을 만들 수 있을 뿐만 아니라 상이한 "커버율"의 요구를 갖는 동일한 크기의 전자 구성 요소의 맞춤 조합도 가능하다. 예를 들어, 다른 높이를 갖는 단일 패키지 내의 다양한 전자 구성 요소는 "베어 다이(bare die)" 몰딩되어 예를 들어, 작은 전자 구성 요소의 상부 표면뿐만 아니라 높은 전자 구성 요소의 표면이 노출될 수 있다. 인서트의 가요성의 3차원 몰딩 표면은 노출된 상태로 남겨질 전자 구성 요소의 해당 부분을 몰딩하는 동안 접촉하도록 구성된다. 또한, 인서트는 캐리어의 일부가 노출된 상태로 유지되도록 하나 이상의 전자 구성 요소와 접촉하는 것에 추가하여 또는 그 대신에 캐리어(의 일부)와 접촉하도록 구성될 수 있다. 캐리어의 이러한 노출된 부분은 커넥터 및/또는 하나 이상의 구성 요소의 향후 장착을 위한 장착 표면으로 기능할 수 있다. 또한, 경화된 몰딩 재료의 국부적인 높이의 변화는 인서트의 몰딩 표면의 토폴로지(topology)를 통해 실현될 수 있다. 또한, 인서트 몰딩 표면의 가요성으로 인해, 인서트는 변형을 통해 전자 구성 요소의 높이 공차(height tolerance)를 보상할 수 있다. 이러한 방식으로, 가요성의 3차원 몰딩 표면이 전자 구성 요소의 형상에 완전히 맞지 않더라도, 몰딩 중에 전자 구성 요소에 과도한 압력이 가해지지 않는다.
인서트의 3차원 몰딩 표면은 통상적인 예에서 복수의 전자 구성 요소를 덮도록 구성된 연속 표면에 의해 형성될 수 있다. 이에 의해 상기 복수의 전자 구성 요소는 통상적으로 동일한 캐리어에 장착된다. 몰딩 표면이 복수의 전자 구성 요소를 덮기 위해서는, 표면 자체가 충분히 커야 할 뿐만 아니라, 상기 복수의 전자 구성 요소의 레이아웃에 맞추어져야 한다. 동일한 3차원 몰딩 표면으로 복수의 전자 구성 요소를 덮을 수 있다는 이점으로, 더 많은 양의 전자 구성 요소가 동시에 캡슐화될 수 있다. 캐리어에 장착된 전자 구성 요소의 토폴로지와 매칭되는 3차원 몰딩 표면으로 인해, 전자 구성 요소는 이에 의해 다양한 치수(특히 다양한 높이)를 가질 수 있다.
인서트의 3차원 몰딩 표면은 또한 전자 구성 요소의 상부 표면의 적어도 일부와 접촉하기 위한 복수의 접촉 영역을 포함할 수 있으며, 여기서 3차원 몰딩 표면에 대향하는 인서트의 한 면(a side)까지의 상기 접촉 영역들의 거리는 상기 접촉 영역 중 적어도 2개 사이에서 다르다. 3차원 몰딩 표면에 대향하는 인서트의 한 면까지의 접촉 영역들의 거리는 관련 접촉 영역의 위치에서 인서트의 높이 또는 두께와 대응된다. 이러한 거리 또는 높이는 인서트 몰딩 표면이 몰드 캐비티로 돌출되는 거리를 결정한다. 3차원 몰딩 표면에 대향하는 인서트의 한 면까지의 접촉 영역의 거리는 몰딩 중에 캐리어가 몰드 파트 사이에 클램핑되고 몰딩 재료가 몰드 캐비티로 들어가도록 선택되며, 상기 접촉 영역은 각각 전자 구성 요소의 상부 표면의 적어도 일부와 접촉한다. 이는 상기 접촉 영역에 의해 덮일 전자 구성 요소의 높이에 기초하여 3차원 몰딩 표면에 대향하는 인서트의 한 면까지의 접촉 영역의 거리를 선택함으로써 달성된다. 그 결과 접촉 영역에 의해 덮인 전자 구성 요소의 상부 표면 일부에는 남겨진 몰딩 재료가 없다. 3차원 몰딩 표면에 대향하는 인서트 한 면까지의 접촉 영역의 거리가 서로 다르다는 사실로 인해, 다른 높이를 갖는 복수의 전자 구성 요소, 그리고 바람직하게는 하나 이상의 캐리어에 장착된 모든 전자 구성 요소를 동시에 몰딩할 수 있게 된다. 통상적인 예에서, 복수의 접촉 영역은 관련 접촉 영역에 의해 덮일 전자 구성 요소의 상부 표면에 실질적으로 평행하게 배향된 편평한 표면에 의해 각각 형성된다. 일반적으로, 이는 복수의 접촉 영역이 3차원 몰딩 표면에 대향하는 인서트 한 면에 평행하게 배향된다는 것을 의미한다.
상기 접촉 영역에 추가하여, 몰딩 표면은 전자 구성 요소와 접촉하지 않도록 구성된 추가 영역을 포함할 수 있다. 3차원 몰딩 표면에 대향하는 인서트의 한 면에 대한 상기 추가 영역의 거리를 변경함으로써, 상기 추가 영역 바로 아래의 위치에서 몰딩 재료의 층의 두께가 그에 따라 제어되고 변할 수 있다.
본 발명에 따른 몰드의 실시예에서, 인서트의 3차원 몰딩 표면은 폴리머 재료, 예를 들어, 가황 합성 고무, 또는 보다 구체적으로 플루오르-엘라스토머(fluor-elastomer)로 이루어진다. 정규적인 변형에서, 인서트는 FKM-유형의 고무를 포함한다. 가황 합성 고무, 구체적으로 플루오르-엘라스토머를 인서트의 3차원 몰딩 표면에 사용하는 이점은 이러한 유형의 재료가, 몰딩 재료가 프로세싱되는 온도에서 내온성이 있으면서 또한 화학 물질에 대해 유연하고 저항성이 있다는 것이다. 몰드 캐비티에 몰딩 재료를 가져오는 동안 일반적으로 100 내지 200 ℃의 프로세싱 온도가 적용되므로 내온성이 필요하다. 플루오르-엘라스토머는 일반적으로 내온성과 내화학성이 훨씬 더 뛰어나다.
인서트가 교환 가능하도록 인서트는 몰드 파트에 착탈 가능하게 연결될 수 있다. 이는 몰드 파트를 변경하지 않고 생산 실행 중에 다른 레이아웃을 가진 전자 구성 요소의 캡슐화를 허용하며 그리고 마모된 인서트의 교환을 허용한다.
몰드의 다양성을 증가시키기 위한 추가적인 해결책으로서, 몰드는 전자 구성 요소를 향하기 위한 3차원 몰딩 표면을 갖는 복수의 가요성 인서트를 포함할 수 있다. 이에 의해 각각의 인서트의 3차원 몰딩 표면은 다른 레이아웃을 갖는 전자 구성 요소가 동일한 몰드에서 동시에 몰딩될 수 있도록 상이한 레이아웃을 가질 수 있다. 그러나, 패키징될 전자 구성 요소의 그룹이 동일한 형태의 패키지로 몰딩되어야 하는 경우, 인서트의 몰딩 표면이 유사한 형상을 가질 수 있다. 복수의 인서트를 사용하는 추가 이점은 인서트가 예를 들어, 마모 또는 고장의 경우에 서로 독립적으로 교체될 수 있다는 것이다.
몰드의 다양성을 증가시키는 또 다른 방식으로서, 몰드는 접촉면에 오목한 몰드 캐비티를 갖는 적어도 2개의 상호 대향하는 몰드 파트를 포함할 수 있으며, 상기 몰드 캐비티는 가요성의 3차원 몰딩 표면을 갖는 인서트에 의해 적어도 부분적으로 형성된다. 몰드 캐비티를 갖는 2개의 상호 대향하는 몰드 파트의 접촉면을 제공함으로써, 캐리어 및/또는 몰딩 동안 몰딩 재료로 충진될 캐리어의 대향하는 면들 상의 전자 구성 요소 사이에 공간이 남을 수 있다. 이에 의해, 캐리어(그 일부) 및/또는 캐리어의 대향하는 면들 상에 위치된 전자 구성 요소를 동시에 캡슐화할 수 있게 된다. 또한, 양쪽 몰드 캐비티는 가요성의 3차원 몰딩 표면을 가진 인서트에 의해 적어도 부분적으로 형성될 수 있기 때문에, 몰딩된 전자 구성 요소의 형상의 자유도와 전자 구성 요소의 높이 공차를 보상하는 능력이 캐리어의 대향하는 측 상에 장착된 전자 구성 요소에 적용된다.
대안으로, 한 쌍의 상호 대향하는 인서트의 서로 대향하는 가요성의 3차원 몰딩 표면 중 하나는 캐리어의 일측 상에 패키징되거나 패키징되지 않을 수 있는 전자 구성 요소에 대한 순응성 지지 표면으로 기능할 수 있는 반면, 상호 대향하는 가요성의 3차원 몰딩 표면 중 다른 하나는 다른, 캐리어의 대향측 상의 전자 구성 요소를 포위하는 몰드 캐비티의 적어도 일부를 형성할 수 있다. 이에 의해 지지 표면으로서 작용하는 가요성의 3차원 몰딩 표면은 바람직하게는 지지될 전기 구성 요소 및 캐리어의 토폴로지를 따르는 토폴로지를 갖는다. 인서트의 가요성의 3차원 몰딩 표면을 지지 표면으로 사용하는 이점은 상기 지지 표면에 의해 지지될 수 있는 표면의 형상이 자유롭다는 것이다. 또한, 지지 표면으로서 작용하는 가요성의 3차원 몰딩 표면은 지지되는 표면의 치수 공차를 보상할 수 있으며, 이는 지지되는 표면이 이미 캡슐화된 전기 구성 요소를 포함하는 경우 특히 유용하다. 본 발명에 따른 몰드의 이러한 실시예에서, 캐리어의 한 면에만 있는 전기 구성 요소가 캡슐화될 수 있는 반면, 상기 캐리어는 그 대향측 상에 장착된 전기 구성 요소를 가질 수 있다. 이에 의해, 캐리어의 한 면 상에 있는 전기 구성 요소가 패키징되지 않은 상태로 남아있을 수 있다. 그러나, 또한 캐리어의 대향하는 면들 상의 전기 구성 요소가 이에 의해 후속적으로 패키징되는 것도 가능하며, 여기서 캐리어는 제1 몰딩 작업 후에 뒤집어진다.
본 발명에 따른 몰드의 바람직한 실시예에서, 인서트의 3차원 몰딩 표면은 70 내지 100 Sh-A, 바람직하게는 80 내지 90 Sh-A의 ASTM D2240 유형 A 경도를 갖는다. 이러한 경도 범위 내의 몰딩 표면은 가요성과 치수 안정성 사이에 적절한 균형을 제공한다. 인서트 몰딩 표면에는 전자 구성 요소의 치수 공차를 준수할 수 있도록 충분한 가요성이 제공되어야 한다. 가요성을 통해, 몰딩 표면은 전자 구성 요소에 높은 압력을 가하지 않고 패키징 후 드러나게 남겨지도록 의도된 전자 구성 요소의 다양한 부분과 접촉할 수 있다. 다른 한편으로, 인서트 몰딩 표면은 몰딩 프로세스 동안, 특히 몰드 캐비티에 몰딩 재료를 삽입하는 동안 치수 안정성을 유지하기에 충분한 강성을 가져야 한다. 이에 의해 몰딩 표면은 노출되어 몰딩 재료가 없는(드러난) 상태로 유지되도록 전자 구성 요소의 부분에 밀착되어야 한다. 이는 몰딩 재료가 필요한 곳에만 전자 구성 요소를 캡슐화하도록 보장한다.
인서트는 가요성의 3차원 몰딩 표면을 잡고 있는(carry) 비가요성 커플링 부분을 포함할 수 있다. 이에 의해 비가요성 커플링 부분은 금속과 같은 실질적으로 단단한 재료로 이루어질 수 있다. 일반적으로 비가요성의 커플링 부분은 몰딩될 전자 구성 요소를 향하는 측의 대향측에 제공될 것이다. 인서트의 비가요성의 커플링 부분은 가요성의 몰딩 표면에 제어된 지지를 제공할 것이다. 이는 인서트의 치수 안정성에 유리하다. 또한, 비가요성의 커플링 부분은 인서트를 몰드에 커플링하는 것을 용이하게 할 수 있다. 몰드 파트로의 용이한 커플링을 위해, 비가요성의 커플링 부분에 커플링 수단이 제공될 수 있다.
몰드 캐비티에 삽입된 몰딩 재료가 몰드 캐비티 내부에 유지되고 인서트를 통해 누출되지 않도록 보장하기 위해, 인서트의 3차원 몰딩 표면이 몰딩 재료에 대해 비투과성인 것이 바람직하다. 인서트의 몰딩 표면을 몰딩 재료에 대해 비투과성으로 만드는 것에 의해, 몰드 캐비티의 양호한 밀봉을 달성하기 위한, 예를 들어, 커버 시트 또는 포일 형태의 추가적인 인서트의 커버링이 필요하지 않다.
본 발명에 따른 몰드의 추가 실시예에서, 몰드 캐비티를 포함하고 몰드 인서트를 수용하도록 구성된 몰드 파트는 개구(opening)를 포함한다. 이에 의해 상기 개구는 몰드 캐비티와 함께 인서트를 몰드 외부와 연결한다. 이러한 개구는 몰드 캐비티 내부, 특별한 예에서 인서트의 가요성의 3차원 몰딩 표면에서 부분적인 진공을 생성하기 위해 언더프레셔(underpressure) 수단에 연결될 수 있다. 개구를 상기 인서트 몰딩 표면에 연결하기 위해, 인서트와 몰드 파트 중 하나에 오목한 몰드 캐비티의 한 면 사이에 공간이 남을 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 인서트에는 몰딩 표면으로부터 몰딩 표면에 대향하는 인서트의 후방측으로 이어지는 흡입 구멍이 제공될 수 있다. 인서트의 3차원 몰딩 표면과 캡슐화될 전자 구성 요소 사이에 포일 층이 삽입되면, 몰딩 표면과 포일 층 사이에 가해진 언더프레셔가 몰딩 표면 위로 포일 층을 흡입할 것이다. 이는 포일 층이 몰딩 표면의 3차원 토포그래피를 따를 것이라는 것을 보장한다. 상기 포일 층은 특히 몰드 캐비티로부터 몰딩된 전자 구성 요소의 분리를 용이하게 하기 위해 적용될 수 있다.
본 발명은 또한 가요성의 3차원 몰딩 표면을 포함하는 본 발명에 따른 몰드에 사용하기 위한 인서트에 관한 것으로, 그 이점은 본 발명에 따른 몰드와 관련하여 이미 설명되었다.
본 발명은 또한 본 발명에 따른 인서트를 생성하기 위한 방법에 관한 것으로, 본 방법은 비가요성 커플링 부분과 카운터 몰드 사이에 경화제와 함께 폴리머 재료를 몰딩함으로써 폴리머 재료를 비가요성 커플링 부분 상에 가황시키는 단계를 포함한다. 폴리머 재료를 비가요성 커플링 부분 상에 가황함으로써, 가요성의 3차원 몰딩 표면과 비가요성 커플링 부분 사이의 강한 결합이 실현될 수 있다. 가황 동안, 폴리머 사슬 사이의 가교가 형성되어 폴리머 재료 및 그에 따라 인서트의 가요성의 3차원 몰딩 표면의 강도와 내구성을 크게 증가시킨다. 그러나, 최적의 경화를 달성하기 위해 오토클레이빙(autoclaving)과 같은 후-경화 프로세스가 필요할 수 있다.
마지막으로, 본 발명은 또한 본 발명에 따른 몰드를 사용하여 캐리어에 장착된 전자 구성 요소를 캡슐화하기 위한 방법에 관한 것으로, 본 방법은 a) 전자 구성 요소들이 몰드 캐비티를 향하도록 2개의 몰드 파트들 사이에 하나 이상의 전자 구성 요소들을 가지고 있는(carry) 캐리어를 위치시키는 단계, b) 몰드 파트들이 몰드 파트들 사이에 캐리어를 클램핑하도록 몰드 파트들을 서로를 향해 이동시키는 단계로서, 적어도 하나의 몰드 캐비티가 캡슐화될 전자 구성 요소들을 포위하고, 인서트는 전자 구성 요소들 및/또는 캐리어 중 적어도 하나와 접촉하는, 이동시키는 단계, c) 몰드 캐비티에 몰딩 재료를 가져오는 단계, 및 d) 몰드 파트들을 서로로부터 이격되게 이동시키고, 몰딩된 전자 구성 요소들을 갖는 캐리어를 몰드 파트들로부터 제거하고, 이에 의해 또한 인서트를 전자 구성 요소들로부터 분리시키는 단계의 프로세싱 단계들을 포함한다. 이 방법을 수행함으로써, 몰딩 동안 인서트가 전자 구성 요소 및/또는 캐리어와 접촉한 적어도 하나의 위치를 제외하고 전자 구성 요소 및 캐리어가 적어도 부분적으로 몰딩 재료로 덮인 패키징된 제품이 얻어진다. 이전에 이미 언급한 바와 같이, 가요성의 인서트 몰딩 표면의 사용으로 인해, 인서트는 제한된 변형으로 전자 구성 요소의 치수에서의 높이 공차를 보상할 수 있다. 이는 몰딩 중에 전자 구성 요소에 과도한 압력이 가해지는 것을 방지할 것이다. 본 발명에 따른 인서트의 사용으로, 50 μm까지의 높이 공차도 보상될 수 있다.
하나 이상의 전자 구성 요소를 가지고 있는(carry) 캐리어가 몰드 파트들 사이에 클램핑되기 전에 포일 층을 인서트의 가요성의 3차원 몰딩 표면을 적어도 부분적으로 덮는 몰드 캐비티에 가져올 수 있다. 상기 포일 층은 몰드 캐비티로부터 부분적으로 몰딩된 전자 구성 요소의 분리를 돕기 위해 분리 포일로서 작용할 수 있다. 특히, 상기 포일 층은 프로세싱 단계 c) 동안 몰드 파트들을 서로를 향해 이동시키면서, 인서트와 전자 구성 요소들 및/또는 캐리어 사이에 클램핑된다. 바람직한 예에서, 몰드 파트의 개구를 통해 포일 층과 인서트의 가요성의 3차원 몰딩 표면 사이에 언더-프레셔가 가해진다. 이러한 언더-프레셔는 포일 층이 몰딩 표면의 3차원 토포그래피를 밀접하게 따르고 몰딩 프로세스 전체에 걸쳐 몰딩 표면 상에 유지되도록 보장한다.
본 발명에 따른 캐리어에 장착된 전자 구성 요소를 캡슐화하기 위한 방법의 실시예에서, 몰딩 재료에 압력을 가함으로써 전자 구성 요소를 포위하는 몰드 캐비티에 액체 몰딩 재료를 옮김으로써 방법 단계 b)에 따라 몰드 파트들이 서로를 향해 이동된 후 방법 단계 c)에 따라 몰딩 재료를 몰드 캐비티에 가져온다. 이 방법은 또한 "트랜스퍼 몰딩"으로 알려져 있다. 이에 의해 몰딩 재료는 몰드 파트를 서로로부터 이격되게 이동시키기 전에 적어도 부분적으로 경화되어, 몰드 성형 제품이 몰드로부터 몰딩된 제품으로부터 분리되는 동안 그 형상을 잃지 않는다. 대안적인 몰딩 프로세스에서, 캡슐화 재료를 방법 단계 b)에 따라 몰드 파트들이 서로를 향해 이동되기 전에 방법 단계 c)에 따라 몰드 캐비티로 가져올 수 있다. 이러한 몰딩 프로세스는 또한 "압축 몰딩"으로 알려져 있다. 본 발명은 특정 유형의 몰딩 프로세스와 독립적으로 실시될 수 있다. 일반적으로 캡슐화 재료는 몰딩 프로세스 전 및/또는 도중에 가열되지만, 이는 본 발명을 제한하지 않는다.
본 발명은 아래의 도면에 나타낸 비제한적인 예시적인 실시예에 기초하여 추가로 설명될 것이며, 여기서:
도 1은 전자 구성 요소를 갖는 캐리어를 클램핑하는 본 발명에 따른 몰드의 단면을 나타낸다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 몰드를 사용하여 캐리어의 일측 상에 장착된 전자 구성 요소를 캡슐화하기 위한 방법 단계의 개략도를 나타낸다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 몰드를 사용하여 캐리어의 두 개의 대향하는 면들 상에 장착된 전자 구성 요소를 캡슐화하기 위한 방법 단계의 개략도를 나타낸다.
도 1은 단일 패키지에 통합하기 위해 복수의 전자 구성 요소(3)를 가지고 있는(carry) 캐리어 또는 기판(2)을 클램핑하는 본 발명에 따른 몰드(1)의 단면을 나타낸다. 몰드(1)는 2개의 몰드 파트(4, 5)를 포함하고, 접촉면(7)의 상부 몰드 파트(5)에는 몰드 캐비티(6)가 오목하게 된다. 몰드 캐비티(6)는 표면(9)이 전자 구성 요소(3)를 향하는 가요성의 3차원 몰딩 표면(9)을 갖는 인서트(8)에 의해 규정된 일측 상에 있다. 상부 몰드 파트(5)를 향하는 3차원 몰딩 표면(9)에 대향하는 측 상에서, 인서트(8)는 몰딩 표면(9)에 대한 지지 역할을 하는 비가요성 커플링 부분(10)을 포함한다. 인서트(8)는 비가요성 커플링 부분(10)에 제공되는 커플링 수단으로서 작용하는 볼트(11)에 의해 상부 몰드 파트(5)에 착탈 가능하게 연결된다. 또한, 상부 몰드 파트(5)에는 언더-프레셔 수단(13)에 연결된 몰드(1)의 외부에 연결되는 일단인 흡입 개구(12)가 제공된다. 개구(12)는 몰드 캐비티(6) 내부에서 진출되며, 여기서 인서트(8)와 몰드 캐비티(6)의 한 면 사이에 남아있는 공간은 가요성의 3차원 몰딩 표면(9)과 포일 층(14) 사이에 언더-프레셔가 가해지는 것을 보장한다. 상기 포일 층(14)은 인서트(8)와 한편으로는 전자 구성 요소(3) 다른 한편으로는 캐리어(2) 사이에 클램핑되고, 이에 의해 가요성의 3차원 몰딩 표면(9)을 적어도 부분적으로 덮는다. 전자 구성 요소(3)의 표면(15)과 포일 층(14)에 의해 접촉되는 캐리어(2)의 표면(16)은 몰딩 후에 노출될 것이다. 포일 층(14)은 몰딩된 전자 구성 요소(3)를 갖는 캐리어(2)가 몰드 파트(4, 5)로부터 분리될 때 분리 포일로서 작용할 것이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명에 따른 몰드를 사용하여 캐리어의 일측 상에 장착된 전자 구성 요소를 캡슐화하기 위한 방법 단계의 개략도를 나타낸다. 이러한 도면들 전체에서, 유사한 요소는 유사한 참조 번호로 지정된다. 도 1에서와 같이, 도 2a 내지 도 2d는 몰드(이 도면들에서 추가로 나타내지 않음)의 몰드 캐비티(21)의 일부를 포위하는 몰드 인서트(20)를 나타낸다. 인서트(20)는 가요성의 3차원 몰딩 표면(22)과 가요성의 3차원 몰딩 표면(22)에 부착된 비가요성 커플링 부분(23)을 포함한다. 비가요성 커플링 부분(23)은 몰드 파트에 연결되도록 구성된다. 가요성의 3차원 몰딩 표면(22)은 그 일측 상에 복수의 전자 구성 요소(25, 26, 27)가 제공되는 캐리어 또는 기판(24)을 향한다. 도 2a는 예를 들어, 생산 공차 및/또는 전자 구성 요소 유형의 변동으로 인해 2개의 전기 부분(26, 27)이 높이차(h)를 갖는다는 것을 나타낸다. 도 2b는 인서트(20)의 가요성의 3차원 몰딩 표면(22)이 전자 구성 요소(25, 26, 27)와 접촉하는, 몰드 파트가 서로를 향해 이동된 후의 상황을 도시한다. 이 도면으로부터 높이차(h)가 가요성 몰딩 표면(22)에 의해 보상됨을 알 수 있다. 캐리어(24)와 그 위에 장착된 전자 구성 요소(25, 26, 27)가 몰드 파트 사이에 포위된 후, 몰딩 재료(28)가 도 2c에 나타낸 바와 같이 몰드 캐비티(21)에 도입되며, 여기서 삽입 방향은 화살표(29)로 표시된다. 몰드 캐비티(21)의 완전한 충진에 후속하여, 몰드 파트가 서로로부터 이격되게 이동되어 가요성의 3차원 몰딩 표면(22)을 전자 구성 요소(25, 26, 27)로부터 들어올린다. 도 2d는 본 발명에 따른 방법으로부터 생성된 패키징된 제품(30)을 나타내며, 여기서 전자 구성 요소(25, 26, 27)는 이제 몰딩 재료(28)에 의해 부분적으로 캡슐화된다. 이에 의해 몰딩 중에 가요성의 3차원 몰딩 표면(22)에 의해 덮인 전자 구성 요소(25, 26, 27)의 부분이 드러나 있다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 몰드의 다른 실시예를 사용하여 캐리어 또는 기판(44)의 두 개의 대향하는 면들 상에 장착된 전자 구성 요소(45, 46, 47, 48, 49, 50)를 캡슐화하기 위한 방법 단계의 개략도를 나타낸다. 이 도면에서, 유사한 요소는 다시 유사한 참조 번호로 지정된다. 도 3a 내지 도 3d에 나타낸 방법 단계는 도 2a 내지 도 2d에 나타낸 방법 단계와 매우 유사하다. 그러나, 중요한 차이점은 몰드(이 도면에서 추가로 나타내지 않음)가 이제 2개의 몰드 인서트(40, 41)를 포함하고, 2개의 몰드 인서트(40, 41) 각각은 2개의 대향하는 몰드 캐비티(42, 43)의 각각의 하나의 일부를 형성한다는 것이다. 이에 의해 몰드 캐비티(42, 43) 각각은 캐리어 또는 기판(44)의 두 개의 대향하는 면들의 하나를 포위하도록 구성되며, 대향하는 면들은 각각 전자 구성 요소(45, 46, 47, 48, 49, 50) 및 캡슐화될 캐리어(44)의 부분을 포함한다. 인서트(40, 41)는 모두 가요성의 3차원 몰딩 표면(51, 52)과 가요성의 3차원 몰딩 표면(51, 52)에 부착된 비가요성 커플링 부분(53, 54)을 포함한다. 도 3b는 몰드 파트가 서로를 향해 이동된 후의 상황을 도시하며, 여기서 하나의 인서트(40)의 가요성의 3차원 몰딩 표면(51)은 캐리어(44)의 일측 상의 전자 구성 요소(45, 46, 47)와 접촉하고, 다른 인서트(41)의 가요성의 3차원 몰딩 표면(52)은 캐리어(44)의 다른 측 상의 전자 구성 요소(48, 49, 50)와 접촉한다. 또한, 마지막으로 언급된 인서트(41)의 3차원 몰딩 표면(52)은 몰딩 후에 노출될 캐리어(44)의 부분(55)과 접촉한다. 도 3c는 몰드 캐비티(42, 43)에 몰딩 재료(56)를 도입하는 연속 단계를 나타내며, 삽입 방향은 화살표(57)로 표시된다. 몰드 캐비티(42, 43)를 완전히 충진한 후, 몰드 파트가 서로로부터 이격되게 이동되어, 가요성의 3차원 몰딩 표면(51, 52)을 전자 구성 요소(45, 46, 47, 48, 49, 50)로부터 들어올린다. 도 3d에서, 결과적인 패키징된 제품(58)이 도시되며, 여기서 전자 구성 요소(45, 46, 47, 48, 49, 50)는 이제 몰딩 재료(56)에 의해 부분적으로 캡슐화된다. 전자 구성 요소(45, 46, 47, 48, 49, 50)의 부분뿐만 아니라 몰딩 중에 가요성의 3차원 몰딩 표면(51, 52)에 의해 덮인 캐리어(44)의 부분(55)도 이에 의해 노출된다.

Claims (20)

  1. 캐리어에 장착된 전자 구성 요소들을 캡슐화하기 위한 몰드에 있어서,
    서로에 대해 변위 가능한 적어도 2개의 몰드 파트들을 포함하고, 상기 몰드 파트들 중 적어도 하나는 접촉면에 오목한 몰드 캐비티를 갖고, 상기 몰드 파트들은 캡슐화될 상기 전자 구성 요소들 둘레에 상기 몰드 캐비티와 결합하도록 구성되고;
    상기 몰드 캐비티의 적어도 일부는 상기 전자 구성 요소들을 향하기 위한 가요성의 3차원 몰딩 표면을 갖는 인서트(insert)에 의해 형성되는, 몰드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 인서트의 상기 3차원 몰딩 표면은 복수의 전자 구성 요소들을 덮도록 구성된 연속 표면으로서 형성되는 것을 특징으로 하는, 몰드.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 인서트의 상기 3차원 몰딩 표면은 각각 전자 구성 요소의 상부 표면의 적어도 일부와 접촉하도록 구성된 복수의 접촉 영역들을 포함하고, 상기 3차원 몰딩 표면에 대향하는 상기 인서트의 한 면까지의 상기 접촉 영역들의 거리는 상기 접촉 영역들 중 적어도 2개 사이에서 다른 것을 특징으로 하는, 몰드.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인서트의 상기 3차원 몰딩 표면은 폴리머 재료, 예를 들어, 가황 합성 고무, 보다 구체적으로 플루오르-엘라스토머(fluor-elastomer)로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 몰드.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인서트는 상기 몰드 파트에 착탈 가능하게 연결되는 것을 특징으로 하는, 몰드.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인서트의 상기 3차원 몰딩 표면은 70 내지 100 Sh-A, 바람직하게는 80 내지 90 Sh-A의 경도를 갖는 것을 특징으로 하는, 몰드.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인서트는 상기 가요성의 3차원 몰딩 표면을 잡고 있는(carry) 비가요성 커플링 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는, 몰드.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 비가요성 커플링 부분에는 상기 인서트를 몰드 파트에 커플링하기 위한 커플링 수단이 제공되는 것을 특징으로 하는, 몰드.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인서트의 상기 3차원 몰딩 표면은 몰딩 재료에 대해 비투과성인 것을 특징으로 하는, 몰드.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몰드는 상기 전자 구성 요소들을 향하기 위한 3차원 몰딩 표면들을 갖는 복수의 가요성 인서트들을 포함하는 것을 특징으로 하는, 몰드.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 몰드는 각각 내부에 오목한 몰드 캐비티와 접촉면을 갖는 적어도 2개의 서로 대향하는 몰드 파트들을 포함하고, 상기 몰드 캐비티들은 가요성의 3차원 몰딩 표면을 갖는 인서트에 의해 적어도 부분적으로 형성되는 것을 특징으로 하는, 몰드.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 인서트를 수용하기 위한 상기 몰드 파트의 개구가 언더프레셔(underpressure) 수단에 연결되는 것을 특징으로 하는, 몰드.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 몰드에서 사용하기 위한 인서트에 있어서,
    가요성의 3차원 몰딩 표면을 포함하는, 인서트.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 인서트를 생성하기 위한 방법에 있어서,
    상기 비가요성 커플링 부분과 카운터 몰드 사이에 경화제와 함께 폴리머 재료를 몰딩함으로써 상기 폴리머 재료를 상기 비가요성 커플링 부분 상에 가황시키는 단계를 포함하는, 방법.
  15. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 몰드를 사용하여 캐리어에 장착된 전자 구성 요소들을 캡슐화하기 위한 방법에 있어서,
    a) 하나 이상의 전자 구성 요소들을 가지고 있는 캐리어를 2개의 몰드 파트들 사이에 위치시킴으로써 상기 전자 구성 요소들이 몰드 캐비티를 향하도록 하는 단계,
    b) 상기 몰드 파트들이 상기 몰드 파트들 사이에 상기 캐리어를 클램핑하도록 상기 몰드 파트들을 서로를 향해 이동시키는 단계로서, 적어도 하나의 몰드 캐비티가 캡슐화될 상기 전자 구성 요소들을 포위하고, 상기 인서트는 상기 전자 구성 요소들 및/또는 상기 캐리어 중 적어도 하나와 접촉하는, 단계;
    c) 상기 몰드 캐비티에 몰딩 재료를 가져오는 단계; 및
    d) 상기 몰드 파트들을 서로로부터 이격되게 이동시키고, 몰딩된 전자 구성 요소들을 갖는 상기 캐리어를 상기 몰드 파트들로부터 제거하고, 이에 의해 또한 상기 인서트를 상기 전자 구성 요소들로부터 분리시키는 단계;의 프로세싱 단계들을 포함하는, 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    포일 층을 상기 인서트의 상기 가요성의 3차원 몰딩 표면을 적어도 부분적으로 덮는 상기 몰드 캐비티에 가져오는 것을 특징으로 하는, 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    프로세싱 단계 c) 동안 상기 몰드 파트들을 서로를 향해 이동시키면서, 상기 포일이 상기 인서트와 상기 전자 구성 요소들 및/또는 상기 캐리어 사이에 클램핑되는 것을 특징으로 하는, 방법.
  18. 제16항 또는 제17항에 있어서,
    상기 몰드 파트의 개구를 통해 상기 포일 층과 상기 인서트의 상기 가요성의 3차원 몰딩 표면 사이에 언더프레셔가 가해지는 것을 특징으로 하는, 방법.
  19. 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몰딩 재료에 압력을 가함으로써 상기 전자 구성 요소를 포위하는 상기 몰드 캐비티에 액체 몰딩 재료를 옮김으로써 방법 단계 b)에 따라 상기 몰드 파트들이 서로를 향해 이동된 후 방법 단계 c)에 따라 상기 몰딩 재료를 상기 몰드 캐비티에 가져오는 것을 특징으로 하는, 방법.
  20. 제15항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몰딩 재료를 상기 몰드 캐비티로 가져오는 동안 100 ℃ 내지 200 ℃의 프로세싱 온도가 적용되는 것을 특징으로 하는, 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4658353B2 (ja) * 2001-03-01 2011-03-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 樹脂モールド金型及び樹脂モールドパッケージの製造方法
NL1019042C2 (nl) * 2001-09-26 2003-03-27 Europ Semiconductor Assembly E Werkwijze voor het inkapselen van een chip en/of ander voorwerp.
JP4102634B2 (ja) * 2002-09-27 2008-06-18 Ｔｏｗａ株式会社 電子部品の樹脂注入装置
JP2004128303A (ja) 2002-10-04 2004-04-22 Towa Corp アンダーフィル樹脂モールド基板及び個片とアンダーフィル樹脂モールド方法及び金型
JP4443334B2 (ja) * 2004-07-16 2010-03-31 Ｔｏｗａ株式会社 半導体素子の樹脂封止成形方法
JP2007288081A (ja) 2006-04-20 2007-11-01 Towa Corp 電子部品の樹脂封止成形装置
EP2192825A1 (en) * 2008-11-26 2010-06-02 Osram Gesellschaft mit Beschränkter Haftung An injection tool for encapsulating electronic circuits with light sources, and related encapsulation process
WO2015107758A1 (ja) * 2014-01-14 2015-07-23 アピックヤマダ株式会社 樹脂モールド金型および樹脂モールド方法

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